JP2000294504A

JP2000294504A - フォトレジストレリーフイメージの形成方法

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Publication number: JP2000294504A
Application number: JP2000063610A
Authority: JP
Inventors: Edward K Pavelchek; エドワード・ケイ・パベルチェク; G Adams Timothy; ティモシー・ジー・アダムズ; Manuel Docanto; マニュエル・ドカント; Suzanne Coley; スザンヌ・コーリー; George G Barclay; ジョージ・ジー・バークレー
Original assignee: Shipley Co LLC
Current assignee: Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date: 1999-03-08
Filing date: 2000-03-08
Publication date: 2000-10-20
Anticipated expiration: 2020-03-08
Also published as: TWI253544B; US6855466B2; EP1035442B1; KR20010006699A; JP4789300B2; EP1035442A2; US20020022196A1; KR100869484B1; US6316165B1; EP1035442A3; DE60042353D1

Abstract

(57)【要約】【課題】ディープＵＶ用途を含む、特に、平坦化被覆
層が要求される場合に有用である反射防止被覆組成物と
して使用することができる新規な光吸収組成物を提供す
る。【解決手段】トポグラフィーを有する基体上にフォト
レジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）約８、０００以下の分子量を有するポリマーを含
む反射防止組成物の層を基体上に適用し、（ｂ）該反射
防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用
し、および（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層
を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、こと
を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、露光している放射線の、基盤か
ら上塗りされたフォトレジスト層への反射を減少させる
組成物に関する。より詳細には、本発明は、基礎をなす
基体に関して平坦化をする被覆層として適用されること
ができる反射防止被覆組成物（ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔ
ｉｖｅｃｏａｔｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ）
に関する。

【０００２】フォトレジストは、基体に対しイメージを
転写するために用いられる感光性フィルムである。フォ
トレジストの被覆層は、基体の上に形成される。その
後、フォトレジスト層はフォトマスクを通して活性化放
射線源（ａｃｔｉｖａｔｉｎｇｒａｄｉａｔｉｏｎ）に
よって露光される。フォトマスクは、活性化放射線に対
して不透明な部分と、活性化放射線に対して透明な他の
部分を持つ。活性化放射線による露光は、フォトレジス
トコーティングの光誘起による化学的変換を招き、それ
によって、フォトレジストで被覆された基体に対してフ
ォトマスクのパターンを転写する。露光に続いて、フォ
トレジストは現像され、基体の選択的処理が可能なレリ
ーフイメージ（ｒｅｌｉｅｆｉｍａｇｅ）を提供す
る。一般的なフォトレジスト組成物は、業界内で知られ
ており、例えば、ＭｃＧｒａｗＨｉｌｌＢｏｏｋ
Ｃｏｍｐａｎｙ（ＮｅｗＹｏｒｋ）のＤｅｆｏｒｅｓ
ｔ著，ＰｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔＭａｔｅｒｉａｌｓ
ａｎｄＰｒｏｃｅｓｓｅｓ，１９７５、第２章に、
及び、ＰｌｅｎｕｍＰｒｅｓｓ（ＮｅｗＹｏｒｋ）
のＭｏｒｅａｕ著，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ，Ｐｒａ
ｃｔｉｃｅｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ、第２及び
４章に記載されている。

【０００３】フォトレジストの主要な用途は、半導体製
造にある。ここでは、目的は、高度にポリッシュされた
半導体スライス、シリコンまたはガリウム砒素のような
もの、を回路機能を果たす、好ましくは１ミクロンまた
は１ミクロン以下のジオメトリーである電子導通パス
（ｅｌｅｃｔｒｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｐａｔｈ
ｓ）の複雑なマトリックスに転換することである。適切
なフォトレジス処理は、この目的を成し遂げるための鍵
である。さまざまなフォトレジスト処理工程間の強力な
相互依存があるとは言え、露光は、高い分解能を持った
フォトレジストイメージを達成するためにより重要な工
程の一つである。

【０００４】フォトレジストの露光に用いられる活性化
放射線の反射は、しばしばフォトレジスト層にパターン
されるイメージの分解能を制限する。基体とフォトレジ
ストとの境界面からの放射線の反射は、フォトレジスト
内における放射線の強さの空間的な変動を起こさせる。
これによって、現像後のフォトレジストの線幅は不均一
なものとなる。また放射線は、基体とフォトレジストと
の境界面から露光を所望しない範囲のフォトレジストの
部分に散乱する。これによっても、線幅の変動を招く。
散乱と反射の量は、一般に場所によって変わる。これに
よってさらに線幅の不均一性が起こる。基体のトポグラ
フィー（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）の変動もまた、分解能
を制限する反射の問題を引き起こす。

【０００５】このように、新しい反射防止被覆組成物が
望まれている。

【０００６】発明者は、反射性防止被覆が一般的に反射
表面上に四分の一波長の厚さである時に最適の作用をす
ることを発見した。したがって、多くの場合、コンフォ
マル（ｃｏｎｆｏｍａｌ）反射防止被覆が好まれること
になる。

【０００７】しかしながら、ある種の用途においては、
コンフォマル被覆は好ましくない。例えば、ウェハーま
たは他の基体のトポグラフィーは垂直のステップを有
し、所望の四分の一波長の被覆層厚さを維持することが
できない。このような場合、平坦化反射防止被覆組成物
（ｐｌａｎａｒｉｚｉｎｇａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉ
ｖｅｃｏａｔｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）が垂
直なステップの上でのレジスト厚さの変動をなくすこと
ができるとして好まれる。そのような均一のレジスト厚
さは、ＣＤ変動を最小にでき、かつ、同じ高さにすべて
のレジストを配置することができるため、利用できる焦
点深度を潜在的に大きくする。さらに、そのようなトポ
グラフィー上への平坦化反射防止被覆組成物の使用は、
側壁のクリアリング（ｃｌｅａｒｉｎｇ）の際に反射防
止エッチへ曝露されるトレンチセンター（ｔｒｅｎｃｈ
ｃｅｎｔｅｒ）を有するものよりも、エッチ処理に比
較的均一に曝露されることができる。

【０００８】本発明は、フォトレジスト組成物と共に反
射防止被覆組成物（ＡＲＣｓ）として使用することがで
きる新規な放射線吸収組成物を提供する。本発明のＡＲ
Ｃｓは、高い平坦化を実現できるので、上述のような用
途に使用することができる。

【０００９】本発明の第一の態様では、反射防止組成物
は、比較的低い分子量ポリマー、例えば約８、０００ダ
ルトン以下の分子量（Ｍｗ）、さらに好ましくは約７、
０００、６、０００または５、０００ダルトン以下の分
子量（Ｍｗ）を有するポリマー、を含む樹脂バインダー
成分を含むものである。約４、０００、３、０００また
は２、０００ダルトン以下の分子量（Ｍｗ）を有するポ
リマー又はオリゴマーもまた本発明の平坦化ＡＲＣｓに
有用である。一般的に、本発明のこの態様においては、
低分子量樹脂は少なくとも約１、０００又は１、５００
ダルトンの分子量（Ｍｗ）を有する。しばしばアクリレ
ート単位を有する樹脂が好ましい。

【００１０】そのような低分子量樹脂を有する本発明の
ＡＲＣｓは、基体表面への適用に関して良い平坦化特性
を示すことがわかった。例えば、本発明のＡＲＣｓは垂
直なかつスロープ形状のステップのようなたくさんのト
ポグラフィーを被覆することができ、これらの上に均一
で平坦の表面を提供する。

【００１１】本発明の更なる態様としては、平坦化ＡＲ
Ｃｓは比較的に低分子量の可塑剤化合物を含んでいる。
本発明のＡＲＣ組成物の可塑剤化合物としては、さまざ
まなオリゴマーを使用できるが、非ポリマー状化合物が
好ましい。本発明のＡＲＣｓに使用される可塑剤は、典
型的には、約２、０００又は１、５００ダルトン以下の
分子量を有する。より好ましくは、約１、０００、８０
０又は５００ダルトン以下の分子量を有する。好ましい
可塑剤はまた、リソグラフィ処理の間に比較的非揮発性
であるのに十分な分子量を有する。例えば、少なくとも
約１５０又は２００ダルトン、及び／また約１６０
℃、より好ましくは約１８０℃又は約２００℃より高い
沸点を有する。

【００１２】例えば、適当な可塑剤には、アントラセン
化合物、特にフェニル又はベンジル置換化合物、例え
ば、９−（２’、４’−ジヒドロキシ−３−メチルベン
ジル）アントラセン；（３−ヒドロキシフェニル；）
［ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メ
チルフェニル；）］メタンのような多数のアリール置換
基、特に多フェニル又は他のカルボシクリックアリール
置換基を有する化合物；２、６−ビス（２’、４’−ジ
ヒドロキシベンジル）４−メチルフェノールのような付
加カルボキシリックアリール置換基を有することができ
るフェノリック化合物；ジ（Ｃ_２−Ｃ_１６アルキル）
フタレート化合物、例えばジオクチルフタレート、のよ
うなアルキルフタレート化合物等が含まれる。オリゴマ
ーの例としては、エチルアクリレート／グリシジルアク
リレートのオリゴマー等のアクリレートオリゴマーが挙
げられる。

【００１３】このような可塑剤化合物を有する本発明の
ＡＲＣｓは、垂直及びスロープ形状のステップのような
有意のトポグラフィーを有する基体表面をはじめとする
基体表面に適用する際に良い平坦化特性を示す。

【００１４】平坦化ＡＲＣｓはまた、本発明のこのよう
な二つの態様を兼ね備えることができる。すなわち、可
塑剤化合物と同時に低分子量樹脂を含ませることができ
る。

【００１５】本発明の架橋性ＡＲＣｓはしばしば好まし
い。架橋システムにおいては、一以上の成分が、架橋ま
たはその他の方法により適用されるＡＲＣ被覆層を硬化
する反応を可能にする。このような架橋型組成物は、好
ましくは、ＡＲＣの一以上の成分の架橋を誘起又は促進
する酸または酸発生化合物、例えば熱酸発生剤を含む。
一般的に好ましい架橋性反射防止組成物は、アミンベー
ス物質のような別個の架橋剤成分を含む。本発明はま
た、フォトレジスト組成物と共に使用される間は有意の
架橋が起こらない反射防止組成物を包含する。

【００１６】本発明の更なる態様は、平坦化ＡＲＣ組成
物の適用方法に関する。この方法には、一般的に、ＡＲ
Ｃ組成物を基体上に適用すること、組成物の流動性を提
供するために適用されたＡＲＣ被覆層を加熱することを
含む。これらにより、平坦性は高められる。フォトレジ
ストがその後ＡＲＣ層の上に適用される。

【００１７】この方法において、ＡＲＣ組成物が架橋性
組成物である場合、流動温度（ｆｌｏｗｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ）は、ＡＲＣ組成物の有意の架橋を生ずる温
度より低くしなければならない。例えば、このような平
坦化架橋性ＡＲＣは、実質的なＡＲＣ組成物の架橋を生
ずる温度よりも低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹
脂を含むことができる。このようなＡＲＣｓの場合、適
用されたＡＲＣは、組成物の有意の架橋は起こさない
が、ＡＲＣ組成物の流動が起き、そして高いレベルの平
坦性を達成できる該樹脂のＴｇに近い温度に加熱され
る。その後、ＡＲＣ組成物は、有意の架橋を生ずるため
に該樹脂のＴｇより高い温度にさらに加熱される。好ま
しくは、ＡＲＣ樹脂のＴｇはＡＲＣ組成物の有意の架橋
を生ずる温度より、少なくとも約１０℃、１５℃または
２０℃低い。さらに好ましくは、ＡＲＣ樹脂のＴｇは、
ＡＲＣ組成物の有意の架橋を生ずる温度より少なくとも
約２５℃、３０℃、３５℃または４０℃低い。アクリレ
ート単位を含む低Ｔｇ樹脂が、しばしば好まれる。ここ
で、「ＡＲＣ組成物の有意の架橋を生じる温度」または
これに類似した用語の言及は、当該温度に６０秒曝露さ
れた場合にＡＲＣ組成物の架橋剤成分の少なくとも約２
０モルパーセントが反応する温度を意味すると定義され
る。

【００１８】このような低Ｔｇ樹脂を有するＡＲＣｓ
は、多くの手段により提供される。例えば、樹脂のＴｇ
を低くすることができる比較的「軟質」のモノマーを重
合単位に含むＡＲＣ樹脂を使用することができる。軟質
モノマーの例としては、ジエチレングリコールメタクリ
レートおよびジエチレングリコールアクリレートおよび
これらに対応する低級アルキル（例えばＣ_１―４）エス
テル、とくにＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_２Ｃ
Ｈ_２ＯＣＨ_３、ＣＨ_２＝ＣＨＣ（Ｏ）ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ
ＣＨ_３、ＣＨ_２＝ＣＨＣ（Ｏ）ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２
ＣＨ_２ＯＣＨ_３、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ
_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３等のようなメチルエス
テル；エチレングリコールメタクリレートおよびエチレ
ングリコールアクリレート；４以上の炭素原子を有する
アルキルアクリレート、典型的には、４から約１６炭素
原子を有するもの、ｎ−ブチルアクリレート；および、
４から約１６の炭素原子を有するヒドロキシアルキル置
換基を持つヒドロキシアルキルメタクリレートまたはア
クリレート；およびこれらのようなものを含む。

【００１９】ＡＲＣ組成物の流動と架橋とのこのような
温度の相違は、さまざまな異なった手段により提供され
る。好ましい手段としては、ＡＲＣ組成物が酸の存在下
において架橋するものであり、該組成物が、ＡＲＣ樹脂
のＴｇよりも高い、比較的高い温度に曝露された場合に
のみ酸を発生する熱酸発生剤を含んでいることである。
例えば、本発明のこの態様において使用される好ましい
熱酸発生剤は、少なくとも約７０℃または８０℃、さら
に好ましくは少なくとも約９０℃または１００℃、さら
に好ましくは少なくとも約１１０℃または１２０℃にお
ける長い曝露（例えば少なくとも３０秒）によって活性
化する（酸を発生する）ものである。

【００２０】本発明は、上述した本発明の他の態様のも
の、すなわち低分子量樹脂および／または可塑剤化合
物、の一つまたは二つを含む物においてさらにこのよう
な低Ｔｇ樹脂を含むＡＲＣ組成物も包含している。

【００２１】本発明の反射防止組成物はポジ型およびネ
ガ型フォトレジスト組成物のどちらと共にでも好適に使
用することができる。

【００２２】本発明は、さらにフォトレジストレリーフ
イメージを形成する方法、および本発明の反射防止組成
物を単独でまたはフォトレジスト組成物とともに被覆し
た基体からなる新規な製造物品を提供する。本発明の反
射防止組成物で被覆された典型的な基体には、例えば、
マイクロエレクトロニックウェーハおよび液晶画面基体
のようなフラットパネルディスプレー基体を含む。本発
明の他の態様については、後に述べられる。

【００２３】上述したように、第一の態様では、本発明
の反射防止組成物は、低分子量ポリマーを含む。低分子
量ポリマー組成物は高度に平坦化されている被覆を提供
することができる。

【００２４】被覆層の平坦性の程度は、「平坦度（ｄｅ
ｇｒｅｅｏｆｐｌａｎａｒｉｔｙ）」または「ＤＯ
Ｐ」として示される。ここで、「ＤＯＰ」は、ステップ
のあるトポグラフィーについて次式のように定義され
る。ＤＯＰ＝１−Ｒ１／Ｒ２ここで、Ｒ１は、ステップの上にあるＡＲＣ組成物の
「くぼみ深さ」の最大値である。Ｒ２は、ステップの深
さである。ＤＯＰを計算する上でのこの関係は、図１に
更に示されている。図１には、スロープ形状のステップ
（シリコンの局部酸化によって形成されるようなもの）
を有する基体１０およびＡＲＣ層１２が描写されてい
る。この図において、１引く、図１に示されたＲ１およ
びＲ２の値の商は、該被覆のためのＤＯＰと等しい。こ
こで使用されている「平坦度」または「ＤＯＰ」の用語
は、上述した、および図１に例示したように、１引く
（Ｒ１割るＲ２）の値をいう。

【００２５】本発明の好ましいＡＲＣｓは、シリコンの
局部酸化（ｌｏｃａｌｏｘｉｄａｔｉｏｎｏｆｓ
ｉｌｉｏｎ、ＬＯＣＯＳ）手順により形成され、０．８
ミクロンの幅および２ミクロンの中間点深さ（ｍｉｄ−
ｐｏｉｎｔｄｅｐｔｈ）であるスロープ形状を有する
ステップに対して、少なくとも約０．５のＤＯＰを示
す。より好ましくは、そのような形状に対して約０．５
５または０．６０のＤＯＰを示す。さらにより好ましく
は、そのような形状に対して約０．６５のＤＯＰを示
す。

【００２６】上述のように、本発明の第一の態様におい
ては、平坦化ＡＲＣｓは低分子量樹脂を含むものとして
提供される。さまざまな物質がＡＲＣｓの低分子量ポリ
マーとして用いられることができる。低分子量ポリマー
は、所望の用途に使用するための適当な特性を示す。特
に、かかるポリマーは、選択された溶剤に対し溶解され
ることができる。

【００２７】本発明の架橋性ＡＲＣｓにおいては、ポリ
マーは架橋をするための他の組成物成分と反応をする部
位を含むことが好適である。他のＡＲＣ成分は他のポリ
マーのような架橋性の種として作用することができる。

【００２８】ディープＵＶ用としては、反射防止組成物
のポリマーは、ディープＵＶ範囲（典型的には約１００
から３００ｎｍ）において反射を効果的に吸収すること
が好ましい。従って、ポリマーは、ディープＵＶ用発色
団（ｄｅｅｐＵＶｃｈｒｏｍｏｐｈｏｒｅｓ）単
位、すなわちディープＵＶ放射線を吸収する単位を含む
ことが好ましい。強い共役成分は一般的に適当な発色団
である。芳香族、特に多環式炭化水素または複素環式ユ
ニット、はディープＵＶ発色団として典型的に好まし
い。例えば、それぞれの環が３員環から８員環であり、
および窒素、酸素または硫黄元素が各環に０から３つあ
る、２から３または４つの縮合環または別個の環を有す
る基があげられる。そのような発色団には、置換および
非置換のフェナントリル、置換および非置換のアントラ
シル（ａｎｔｈｒａｃｙｌ）、置換および非置換のアク
リジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）、置換および非置換のナフ
チル（ｎａｐｈｔｈｙｌ）、置換および非置換のキノリ
ニル（ｑｕｉｎｏｌｉｎｙｌ）、およびヒドロキシキノ
リニル基のような環置換キノリニルが含まれる。置換ま
たは非置換アントラシル基が特に好ましい。好ましい樹
脂バインダーはペンダントアントラセン基を持つ。好ま
しい樹脂には、ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙのヨー
ロッパで公開された出願第８１３１１４号Ａ２の第４ペ
ージに開示されている式１のようなものが含まれる。

【００２９】他の好ましい樹脂バインダーは、置換また
は非置換のキノリニル、またはヒドロキシキノリニルの
ような１以上の窒素、酸素または硫黄元素を有するキノ
リニル誘導体を含む。ポリマーは、カルボキシのような
単位および／またはポリマーの主鎖にペンダントしてい
るアルキルエステル単位を含むことができる。特に好ま
しい反射防止組成物樹脂は、このような単位を含むアク
リルポリマーであり、たとえばＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍ
ｐａｎｙのヨーロッパで公開された出願第８１３１１４
号Ａ２の４から５ページに開示されている式２の樹脂の
ようなものである。

【００３０】１９３ｎｍにおいて画像形成するために、
ＡＲＣ組成物は、好ましくは、フェニル発色団単位を有
する樹脂を含む。例えば、１９３ｎｍで画像形成するフ
ォトレジストと共に使用するために好ましいＡＲＣ樹脂
の一つは、スチレン、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ートおよびメチルメタクリレートの重合単位から成るタ
ーポリマー（３０：３８：３２モル比）である。このよ
うなフェニル樹脂及びＡＲＣ組成物における使用は、Ｓ
ｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙに譲渡されたアメリカ特
許出願（出願番号０９／１５３、５７５、出願日１９９
８年９月１５日）に開示されている。

【００３１】本発明の反射防止組成物の低分子量樹脂
は、二以上の異なったモノマーを重合することにより合
成されるのが好ましい。該モノマーの少なくとも一つに
は、アントラセニル、キノリニルまたはヒドロキシキノ
リニル基のような発色団を含んでいる。フリーラジカル
重合が好適である。例えば、好ましくは不活性雰囲気
（例えば窒素またはアルゴン）の下、約５０℃以上のよ
うな昇温下、ラジカル開始剤の存在下で、さまざまな単
位を提供するために複数のモノマーを反応させる。反応
温度は、反応溶剤（もし溶媒を使用したのなら）の沸点
および使用した具体的な試薬の反応性によってさまざま
である。プロパノール、ブタノール、およびベンゼン、
クロロベンゼン、トルエン及びキシレンのような芳香族
溶媒など、さまざまな反応溶媒が使用できる。ジメチル
スルホキシド、ジメチルホルムアミド、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、エチルラクテートおよ
びＴＨＦもまた適当である。溶媒は、試薬の添加の前に
脱気されていることが好ましい。ｔ−ドデシルチオール
のような連鎖移動剤もまた使用することができる。個々
のシステムに対する適当な反応温度は、ここに開示され
ている事項により当業者であれば経験的に容易に決定す
ることができる。様々なラジカル開始剤が本発明のコポ
リマーを調製するために用いられることができる。例え
ば、２、２’−アゾビス（２−メチルブタンニトリ
ル）、２、２’−アゾビス（２、４−ジメチルペンタン
ニトリル）、アゾ−ビス−２、２’−イソブチロニトリ
ル（ＡＩＢＮ）および１、１’−アゾビス（シクロヘキ
サンカルボニトリル）のようなアゾ化合物を使用するこ
とができる。パーオキシド、パーエステル、パーアシッ
ドおよびパースルフェートもまた使用することができ
る。反応条件の例示として後述の実施例１から４を参照
できる。

【００３２】あまり好ましいとは言えないが、予備成形
された樹脂が、発色団単位で官能化されることができ
る。例えば、グリシジルノボラックのようなグリシジル
フェノリック樹脂を、アントラニルカルボン酸と反応さ
せることができる。

【００３３】本発明の反射防止組成物の樹脂は、１００
から約３００ｎｍの範囲のようなディープＵＶ波長でよ
い吸光度を示す。さらに詳しくは、本発明の好ましい樹
脂バインダーは、利用される露光波長（例えば、約２４
８ｎｍまたは約１９３ｎｍ）において、１ミクロンあた
り少なくとも３吸光度単位（Ａｂｓｏｒｂ．ｕｎｉｔｓ
／μ）の光学濃度を持つ。露光波長において１ミクロン
あたり約５から２０以上の吸光度単位が好ましい。さら
に好ましくは、利用される露光波長において１ミクロン
あたり約４から１６以上の吸光度を有する。個々の樹脂
に対する高い吸光度の値は、樹脂における発色団単位の
パーセンテージを上げることにより得ることができる。

【００３４】そのような吸収性発色団を有する反射防止
組成物樹脂は一般的に好適であるが、本発明の反射防止
組成物は、コレジン（ｃｏ−ｒｅｓｉｎ）または単独の
樹脂バインダー成分として他の樹脂を含むことができ
る。例えば、ポリ（ビニルフェノール）およびノボラッ
クのような、フェノール類が使用できる。そのような樹
脂は、ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙのヨーロッパ特
許出願ＥＰ５４２００８およびＴｈａｃｈｅｒａｙｅ
ｔａｌの米国特許第５、８５１、７３８に開示されて
いる。フォトレジスト樹脂バインダーとして以下に述べ
る他の樹脂も本発明の反射防止組成物の樹脂バインダー
成分として使用することができる。

【００３５】本発明の反射防止組成物の樹脂成分の濃度
は比較的広い範囲において変化することができる。一般
的に樹脂バインダーは、反射防止組成物の乾燥成分全体
の約５０から９５重量パーセントの濃度において使用さ
れる。より典型的には、全乾燥成分（溶媒キャリアを除
いた全ての成分）の約６０から９０重量パーセントであ
る。

【００３６】様々な化合物が、本発明の反射防止組成物
の可塑剤として使用できる。可塑剤原料は、もし所望す
るなら露光放射線吸収発色団を含むこともできる。例え
ば、好適な可塑剤としては、アントラセン化合物、特に
フェニルまたはベンジル置換化合物、例えば、９−
（２’、４’−ジヒドロキシ−３−メチルベンジル）ア
ントラセン；多数のアリール置換基、特に（３−ヒドロ
キシフェニル；）［ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒ
ドロキシ−６−メチルフェニル；）］メタンのような多
数のフェニルまたは他のカルボシクリックアリール置換
基、を有する化合物；付加的なカルボシクリックアリー
ル置換基を有することができるフェノリック化合物、例
えば、２，６−ビス（２’、４’−ジヒドロキシベンジ
ル）４−メチルフェノール；及びこれらのようなものが
挙げられる。非ポリマー状可塑剤は多くの用途に好まし
い。しかしながら、上述のようにオリゴマー可塑剤も使
用することができる。好ましいオリゴマーとしては、エ
チルアクリレート／グリシジルアクリレートのオリゴマ
ーのようなアクリレートオリゴマー等が挙げられる。一
般的に、本発明のＡＲＣ組成物で使用されるオリゴマー
可塑剤は、約２，３，４，５，６または７の結合単位、
より典型的には約２，３，４または５の結合単位を有す
る。本発明のＡＲＣｓのオリゴマー可塑剤は、好ましく
は約３０００以下、より好ましくは約２，０００または
１，５００以下の分子量を有する。

【００３７】本発明のＡＲＣｓに使用する好ましい具体
的な可塑剤は以下の化合物１から６が挙げられる。４か
ら６はオリゴマーである。

【００３８】

【化１】

【００３９】可塑剤化合物は、ＡＲＣ組成物の全固形分
（溶媒キャリアを除くすべての成分）を基準として、約
５重量パーセントから約５０重量パーセントの量で存在
することが好ましい。より好ましくは、ＡＲＣ組成物の
全固形分の約１０から３０または４０重量パーセントで
ある。特に好ましくは、ＡＲＣ組成物の全固形分を基準
として、可塑剤が２０重量パーセント添加されているこ
とである。

【００４０】低Ｔｇ樹脂を含む本発明のＡＲＣは、低分
子量樹脂について上述したように、樹脂合成において軟
質モノマーを使用することにより一般的に調製されるこ
とができる。反応条件の例は以下の実施例３および４を
参照することができる。低Ｔｇ樹脂はここで述べられる
ように低分子量を有することもできる。上述したよう
に、適当な「軟質」モノマーは、例えば、ジエチレング
リコールメタクリレート及びジエチレングリコールアク
リレート；エチレングリコールメタクリレート及びエチ
レングリコールアクリレート；４以上の炭素、典型的に
は、４から約１６の炭素を有するアルキルアリーレー
ト、ｎ−ブチルアクリレート；およびヒドロキシアルキ
ル置換基が４から約１６の炭素を有するヒドロキシアル
キルメタクリレートまたはアクリレート、例えば、ＣＨ
_２＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ（ＣＨ_２ＣＨ _２Ｏ）ＣＨ_２ＣＨ
_２ＯＨ（「ＨＥＭＡ−５」として知られているモノマ
ー）；等を含む。

【００４１】本発明の架橋型反射防止組成物は、一般的
に更なる架橋剤成分を含んでいる。参考としてここに組
み込まれるＳｈｉｐｌｅｙのヨーロッパ特許出願第５４
２００８号に開示されている反射防止組成物架橋剤をは
じめとして様々な架橋剤が使用されることができる。例
えば、適当な反射防止組成物架橋剤としては、Ａｍｅｒ
ｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄによって製造され、Ｃｙｍ
ｅｌ３００，３０１，３０３，３５０，３７０，３８
０，１１１６および１１３０の商標で販売されているよ
うなメラミン樹脂を含むメラミン物質のようなアミンベ
ースの架橋剤が挙げられる。ＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａ
ｎａｍｉｄから入手できるグリコールウリル（ｇｌｕｃ
ｏｕｒｉｌｓ）をはじめとするグリコールウリル類が特
に好適である。Ｃｙｍｅｌ１１２３および１１２５の名
前でＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄから入手可能
なベンゾグアナミン樹脂、およびＢｅｅｔｌｅ６０，６
５および８０の名前でＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍ
ｉｄから入手できる尿素樹脂のような樹脂を含むベンゾ
グアナミン（ｂｅｎｚｏｑｕａｎａｍｉｎｅｓ）および
尿素ベースの物質もまた適当である。商業的に入手可能
なものに加えて、このようなアミンベースの樹脂は、例
えばアルコール含有溶液中でのホルムアルデヒドとアク
リルアミドまたはメタクリルアミドのコポリマーとの反
応により、あるいはＮ−アルコキシメチルアクリルアミ
ドまたはメタクリルアミドと他の適当なモノマーとのコ
ポリマー化によって調製することができる。

【００４２】メトキシメチレート化グリコールウリルの
ような低塩基度の反射防止組成物架橋剤は、特に好まし
い。特に好ましい架橋剤は次式（ＩＩＩ）に示されるメ
トキシメチレート化グリコールウリルである。

【００４３】

【化２】

【００４４】このメトキシメチレート化グリコールウリ
ルは公知の手段により調製することができる。この化合
物はまた、Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４の商標でＡｍ
ｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄＣｏ．から商業的に
入手できる。他の好適な低塩基度の架橋剤には、ヒドロ
キシ化合物、特に一以上のヒドロキシまたはＣ_１−８ヒ
ドロキシアルキル置換基のようなヒドロキシアルキル置
換基を有するフェニルまたは他の芳香族基のような多官
能性化合物を含む。近接する（１−２個の環内元素）ヒ
ドロキシ及びヒドロキシアルキル置換基を有する、ジ−
メタノールフェノール（Ｃ_６Ｈ_３（ＣＨ_２ＯＨ）_２Ｏ
Ｈ）および他の化合物、特に一以上のメタノールまたは
他のヒドロキシアルキル環置換基、およびそのようなヒ
ドロキシアルキル置換基と近接する少なくとも１のヒド
ロキシを有する、フェニルまたは他の芳香族化合物のよ
うなフェノール化合物は、一般的に好ましい。

【００４５】本発明の反射防止組成物で使用されるメト
キシメチレート化グリコールウリルのような低塩基度の
架橋剤は、上塗りされたフォトレジストのレリーフイメ
ージのフッティング（ｆｏｏｔｉｎｇ）またはアンダー
カット（ｕｎｄｅｒｃｕｔｔｉｎｇ）の著しい減少（Ｓ
ＥＭ試験）をはじめとする、優れたリソグラフィー動作
特性を提供することが発見された。一般的に本発明の反
射防止組成物の架橋剤成分は、反射防止組成物の全固形
分（溶媒キャリアを除くすべての成分）の５から５０重
量パーセントの量で存在する。さらに典型的には、全固
形分の約７から２５重量パーセントの量で存在する。

【００４６】本発明の架橋性反射防止組成物は、反射防
止組成物の被覆層を硬化する間に架橋を促進させまたは
触媒するために、さらに酸または酸発生化合物、特に熱
酸発生化合物、を含むことが好ましい。好ましくは、熱
酸発生剤、すなわち熱処理により酸が発生する化合物が
使用される。様々な公知の熱酸発生剤、例えば、２，
４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン（２，
４，４，６−ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｃｙｃｌｏｈｅｘａ
ｄｉｅｎｏｎｅ）、ベンゾイントシレート（ｂｅｎｚｏ
ｉｎｔｏｓｙｌａｔｅ）、４−ニトロベンジルトシレ
ート及び他の有機スルホン酸のアルキルエステル、が好
適に使用される。活性化により硫酸を発生する化合物が
一般に好ましい。典型的に、熱酸発生剤は、組成物の全
乾燥成分の約０．１から１０重量パーセントの濃度で反
射防止組成物に存在する。より好ましくは、全乾燥成分
の約２重量パーセントである。

【００４７】上述したように、低い流動熱処理（ｌｏｗ
ｆｌｏｗｔｈｅｒｍａｌｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を
行った後に高い温度で架橋処理をするという、本発明の
「多段硬化（ｍｕｌｔｉ−ｃｕｒｅ）」方法において
は、熱酸発生剤は比較的高い温度で活性化する（酸を発
生する）ものを使用することが好ましい。好ましい高温
活性熱酸発生剤には、次式に示される化合物のようなア
リールスルホン酸のアミン塩が含まれる：

【００４８】

【化３】

【００４９】ここで、Ｒはそれぞれ独立に、水素または
１から約６の炭素を有するアルキルであり、ｎは１また
は２であり、好ましくは２であり、ナフチル環は任意の
位置で例えば１から約１６の炭素を有するアルキル等に
より置換されることができる。

【００５０】特に好ましい熱酸発生剤は、次の構造式を
有す（Ｒは上記の定義と同様である）。これは、米国，
Ｎｏｒｗａｌｋ，ＣｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔのＫｉｎｇ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｉｎｃ．よりＮａｃｕｒｅＸ４
９−１１０の商品名で商業的に入手できる。

【００５１】

【化４】

【００５２】熱酸発生剤よりも、酸の方が、反射防止組
成物に簡単に配合することができる。特に、反射防止組
成物の使用の前に酸が組成物成分の望ましくない反応を
促進しないようにするため、酸の存在中で硬化のために
は加熱を必要とする反射防止組成物において配合され
る。好適な酸には、例えば、トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、トリフリック酸（ｔｒｉｆｌｉｃａｃ
ｉｄ）のようなスルホン酸のような強酸等、またはこれ
らの混合物が含まれる。

【００５３】本発明はまた、フォトレジスト組成物と使
用する際には有意の架橋をしない反射防止組成物を含
む。そのような非架橋性反射防止組成物は、架橋剤成分
または架橋反応を誘起または促進するための酸または熱
酸発生剤を含む必要はない。言い換えると、そのような
非架橋性反射防止組成物は、典型的に、架橋剤成分およ
び／または架橋反応を促進するための酸表面（ａｓｉｄ
ｓｕｒｆａｃｅ）が完全にないか、または本質的にな
い（すなわち約１または２重量パーセントより少な
い）。

【００５４】本発明の反射防止組成物はまた、上塗りさ
れるフォトレジスト層の望ましくないフッティングまた
はノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）を抑制または実質的
に防止するのに十分な量の一以上のフォト酸発生剤（す
なわち「ＰＡＧ」）を含む。本発明のこの態様では、フ
ォト酸発生剤は、架橋反応を促進するための酸ソース
（ｓｏｕｒｃｅ）として使用されない。好ましくは、架
橋性ＡＲＣの場合にフォト酸発生剤は反射防止組成物の
架橋の間、実質上活性化しない。特に、熱架橋される反
射防止組成物については、ＰＡＧは次の上塗りされたレ
ジスト層の露光の間に活性化し酸を発生するために、反
射防止組成物ＰＡＧは架橋反応の条件では実質的に安定
でなければならない。詳細には、好ましいＰＡＧｓは、
５から３０分以上の約１４０または１５０℃から１９０
℃の温度への曝露で実質的に分解または劣化しない。反
射防止被覆組成物中のこのようなＰＡＧおよびこれらの
使用は、ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙに譲渡された
Ｐａｖｅｌｃｈｅｋｅｔａｌの１９９７年２月６日に
出願された、出願番号第０８／７９７，７４１号の米国
特許出願及びこの対応日本特許出願平成１０年第６１８
４５号に開示されている。

【００５５】本発明の少なくともいくつかの反射防止組
成物のためには、界面活性剤として作用し、反射防止組
成物／レジスト被覆層の界面に近い反射防止組成物の上
側部分の近くに集まる反射防止組成物フォト酸発生剤が
好ましい。本発明の特に好ましい反射防止組成物フォト
酸発生剤は、反射防止組成物が上塗りされるディープＵ
Ｖフォトレジストと共に有効に使用されるように、ディ
ープＵＶ放射線、特に約２４８ｎｍ、約１９３ｎｍ及び
／または約１５７ｎｍ、の露光に活性である。好適な反
射防止組成物のフォト酸発生剤およびフォトレジスト組
成物のフォト酸発生剤は、同じ露光波長で活性化され
る。本発明の反射防止組成物を、フォトレジスト組成物
と共に使用する場合において、フォトレジスト層の照射
の際の活性化放射線の露光で、反射防止組成物光活性化
合物とフォトレジスト光活性化合物とが、同じまたはほ
ぼ同じ酸化合物（光生産物（ｐｈｏｔｏｐｒｏｄｕｃ
ｔ））を発生することがさらに好ましい。すなわち、前
記光生産物が、近似する拡散特性および近似する酸強度
を有することが好ましい。上記で引用した米国特許出願
番号０８／７９７，７４１および日本特許出願平成１０
年第６１８４５号を参照のこと。

【００５６】オニウム塩は、本発明の反射防止組成物の
光酸発生剤として使用することができる。好適なオニウ
ム塩の例は、上記で引用した米国特許出願０８／７９
７，７４１および日本特許出願平成１０年第６１８４５
号、ならびに米国特許第４，４４２，１９７号；第４，
６０３，１０１号および第４，６２４，９１２号に見る
ことができる。

【００５７】置換ジフェニルヨードニウムカンファー
（ｃａｍｐｈｏｒ）スルフォネート化合物は、本発明の
反射防止組成物のための好ましいオニウムＰＡＧｓであ
り、とくにスルフォネート塩が好ましい。特に好ましい
二つの物質は、次式ＰＡＧＳ１および２である：

【００５８】

【化５】

【００５９】このようなヨードニウム化合物は、上記Ｐ
ＡＧ１の合成を詳述している欧州特許出願９６１１８１
１１．２（公開番号０７８３１３６）に開示されている
ように調製される。

【００６０】他の好適なＰＡＧＳはスルフォネート化エ
ステルおよびスルフォニルオキシケトンを含む。ベンゾ
イントシレート、ｔ−ブチルフェニルアルファ−（ｐ
−トルエンスルフォニルオキシ）−アセテートおよびｔ
−ブチルアルファ−（ｐ−トルエンスルフォニルオキ
シ）−アセテートを含む、好適なスルフォネートＰＡＧ
Ｓを開示しているＪ．ｏｆＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ
ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、４
（３）：３３７−３４０（１９９１）を参照。好ましい
スルフォネートＰＡＧｓは、Ｓｉｎｔａｅｔａｌの
米国特許第５，３４４，７４２号にも開示されている。

【００６１】本発明の反射防止組成物に有用な他の酸発
生剤は、ニトロベンジルエステルのファミリーおよびｓ
−トリアジン誘導体を含む。適当なｓ−トリアジン酸発
生剤は、例えば、米国特許第４，１８９，３２３号に開
示されている。

【００６２】ハロゲン化、非イオン性、光酸発生化合物
もまた、本発明の反射防止組成物に好適である。例え
ば、１，１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，２，２
−トリクロロエタン（ＤＤＴ）；１，１−ビス［ｐ−メ
トキシフェニル］−２，２，２−トリクロロエタン；
１，２，５，６，９，１０−ヘキサブロモシクロデカ
ン；１，１０−ジブロモデカン；等が挙げられる。好適
な光酸発生剤はまた、Ｓｉｎｔａｅｔａｌの欧州特
許出願第０１６４２４８号および第０２３２９７２号；
および米国特許第５，３６２，６００号に開示されてい
る。

【００６３】本発明の反射防止組成物はまた、上塗りさ
れたフォトレジスト層の露光に使用される放射線を吸収
する染料化合物をさらに含むことができる。他の任意の
添加物は、表面平滑剤、例えば、ＵｎｉｏｎＣａｒｂ
ｉｄｅからＳｉｌｗｅｔ７６０４の商品名で入手できる
平滑剤、または３ＭＣｏｍｐａｎｙから入手できる界
面活性剤ＦＣ１７１またはＦＣ４３１、を含む。

【００６４】本発明のＡＲＣｓは、公知の手段により調
製されることができる。液状被覆組成物を作り、反射防
止組成物の成分をそのような適当な溶剤に溶解する。例
えば、エチルラクテートまたは２−メトキシエチルエー
テル（ｄｉｇｌｙｍｅ）、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルのような一以上のグリコールエーテル；メトキシ
ブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノー
ルおよびエトキシプロパノールのようなエーテルおよび
ヒドロキシ部位の両者を有する溶剤；メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなエ
ステルおよび二塩基エステル、プロピレンカーボネート
およびガンマ−ブチロラクトンのような他の溶剤が適当
である。溶剤における乾燥成分の濃度は、塗布の方法の
ようないくつかの要因により変化する。一般的には、反
射防止組成物の固形分含有量は、反射防止組成物の全重
量の約０．５から２０重量パーセントの間で変化する。
好ましくは、固形分含有量は、反射防止組成物の全重量
の約２から１０重量パーセントの間で変化する。

【００６５】様々なフォトレジスト組成物が、本発明の
反射防止組成物とともに使用することができる。該フォ
トレジスト組成物には、ポジ型およびネガ型の光酸発生
組成物が含まれる。本発明の反射防止組成物と共に使用
されるフォトレジストは、概して、樹脂バインダーとフ
ォト活性成分、典型的には、光酸発生剤化合物を含む。
好ましくは、フォトレジスト樹脂バインダーは、画像形
成されたレジスト組成物にアルカリ水溶液現像能を付与
するための官能基を有する。一般的に、本発明の反射防
止組成物と共に使用するための特に好ましいフォトレジ
ストは、ポジ型およびネガ型の化学的に増幅されるレジ
ストである。多くの化学的増幅レジスト組成物が、例え
ば米国特許４，９６８，５８１；４，８８３，７４０；
４，８１０，６１３；４，４９１，６２８および５，４
９２，７９３に記載されている。これらのすべては、化
学的増幅ポジ型レジストの製造および使用の示唆のため
の参考文献としてここに組み入れられる。本発明の反射
防止組成物と共に使用することに特に好ましい化学的増
幅フォトレジストは、光酸発生剤および、フェノール系
および非フェノール系単位の両方を含むコポリマーを含
む樹脂バインダーの混合物を含む。例えば、このような
コポリマーの一つの好ましい群は、実質的に、本質的に
または完全にコポリマーの非フェノール系単位にのみ酸
レイビル基（ａｃｉｄｌａｂｉｌｅｇｒｏｕｐ）を
有する。一つの特に好ましいコポリマーバインダーは、
次式の繰り返し単位ｘおよびｙを有する：

【００６６】

【化６】

【００６７】ここで、ヒドロキシ基はコポリマーの全体
にわたりオルト、メタまたはパラの位置で存在し、Ｒ’
は１から約１８の炭素原子を有する置換または非置換ア
ルキル、より一般的には、１から約６または８の炭素原
子を有する。Ｔｅｒｔ−ブチルが一般的に好ましいＲ’
基である。Ｒ’基は任意に、例えば、一以上のハロゲン
（特にＦ、ＣｌまたはＢｒ）、Ｃ_１−８アルコキシ、Ｃ
_２−８アルケニル等によって置換されることができる。
単位ｘおよびｙは、コポリマー中で規則正しく交互に、
またはポリマーを通じてランダムに存在することができ
る。そのようなコポリマーは容易に形成することができ
る。例えば、上記の式の樹脂については、ビニルフェノ
ールとｔ−ブチルアクリレート等のような置換または非
置換のアルキルアクリレートを当業者に知られているフ
リーラジカル条件の下で重合させることができる。置換
エステル部分、すなわちＲ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、アク
リレートの部分は、樹脂の酸レイビル基として作用し、
樹脂を含んでいるフォトレジストの被覆層の露光で光酸
に誘起された開裂を生ずる。好ましくは、コポリマーは
約８，０００から約５０，０００の分子量、より好まし
くは、約１５，０００から約３０，０００の分子量（Ｍ
ｗ）を有するとともに、約３以下の分子量分布、より好
ましくは、２以下の分子量分布を有する。非フェノール
性樹脂、例えば、ｔ−ブチルアクリレートまたはｔ−ブ
チルメタクリレートのようなアルキルメタクリレートと
ビニルノルボルニル（ｖｉｎｙｌｎｏｒｂｏｒｎｙ
ｌ）またはビニルシクロヘキサノール化合物のようなビ
ニルアリシクリック（ｖｉｎｙｌａｌｉｃｙｃｌｉｃ）
とのコポリマー、は本発明の組成物中の樹脂バインダー
として使用することができる。そのようなコポリマーは
そのようなフリーラジカル重合または他の公知の手段に
より調製されることができる。該コポリマーは、好適に
は約８，０００から約５０，０００の分子量（Ｍｗ）、
および約３以下の分子量分布を有する。さらなる好まし
い化学的増幅ポジ型レジストは、Ｓｉｎｔａｅｔａ
ｌの米国特許５，２５８，２５７；Ｔｈａｃｋｅｒａｙ
ｅｔａｌの米国特許５，７００，６２４；および
Ｂａｒｃｌａｙｅｔａｌの米国特許５，８６１，２
３１に開示されている。

【００６８】本発明の反射防止組成物はまた他のポジ型
レジストと使用することができる。ヒドロキシまたはカ
ルボキシレートのような極性官能基を有する樹脂バイン
ダーを含む組成物を含む。該樹脂バインダーは、アルカ
リ水溶液でレジストが現像できるようにするのに十分な
量でレジスト組成物に使用される。一般的に好まれるレ
ジスト樹脂バインダーは、ノボラック樹脂として当業者
に知られているフェノールアルデヒド縮合物、アルケニ
ルフェノールのホモおよびコポリマーおよびＮ−ヒドロ
キシフェニル−マレイミドのホモおよびコポリマーを含
むフェノール樹脂である。

【００６９】本発明の反射防止組成物と共に使用するた
めの好ましいネガ型レジスト組成物は、酸に露光するこ
とで硬化し、架橋しまたは固まる（ｈａｒｄｅｎ）物質
の混合物および光酸発生剤を含む。

【００７０】特に好ましいネガ型レジスト組成物は、フ
ェノール系樹脂のような樹脂バインダー、架橋剤成分お
よび本発明の光活性成分を含む。このような組成物およ
びその使用法については、Ｔｈａｃｋｅｒａｙｅｔ
ａｌの欧州特許出願０１６４２４８および０２３２９７
２および米国特許第５、１２８、２３２に開示されてい
る。樹脂バインダー成分として使用するのに好ましいフ
ェノール系樹脂は、上述したようなノボラック類および
ポリ（ビニルフェノール）類を含む。好ましい架橋剤に
は、メラミンをはじめとするアミンベースの物質、グリ
コールウリル、ベンゾグアナミンベースの物質および尿
素ベースの物質を含む。メラミンホルムアルデヒド樹脂
が一般的にもっとも好ましい。このような架橋剤は、商
業的に入手できる。例えば、メラミン樹脂は、Ａｍｅｒ
ｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄよりＣｙｍｅｌ３００、３
０１および３０３の商品名で売られている。グリコール
ウリル樹脂は、ＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄよ
りＣｙｍｅｌ１１７０、１１７１、１１７２、Ｐｏｗｄ
ｅｒｌｉｎｋ１１７４の商品名で販売されている。尿素
ベース樹脂は、Ｂｅｅｔｌｅ６０、６５、および８０の
商品名で販売され、ベンゾグアナミン樹脂はＣｙｍｅｌ
１１２３および１１２５の商品名で販売されている。

【００７１】本発明の反射防止組成物と共に使用される
適当な光酸発生剤化合物は、ここで参照され一部として
取り込まれる米国特許４４４２１９７、４６０３１０
１、および４６２４９１２に開示されているもののよう
なオニウム塩；およびＴｈａｃｋｅｒａｙｅｔａｌ
の米国特許５１２８２３２に開示されるハロゲン化光活
性成分及びスルホネート化エステルおよびスルホニルオ
キシケトンのようなスルホン酸塩光酸発生剤のような非
イオン性有機光活性化合物を含む。ベンゾイントシレー
ト、ｔ−ブチルフェニルアルファ−（ｐ−トルエンス
ルフォニルオキシ）−アセテートおよびｔ−ブチルア
ルファ−（ｐ−トルエンスルフォニルオキシ）−アセテ
ートをはじめとする適当なスルホン化ＰＡＧＳを開示す
る、Ｊ．ｏｆＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎ
ｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４（３）：３３
７―４４０（１９９１）を参照のこと。好ましいスルホ
ン酸塩ＰＡＧｓはまた、Ｓｉｎｔａｅｔａｌの米国
特許第５、３４４、７４２号にも開示されている。上記
のカンファースルホネートＰＡＧｓ１および２は、本発
明の反射防止組成物とともに使用されるレジスト組成物
のための好ましい光酸発生剤であり、特に、本発明の化
学的増幅樹脂において好ましい。

【００７２】本発明の反射防止組成物と共に使用される
フォトレジストはまた、他の物質を含むことができる。
例えば、他の任意の添加物として、アクチニック（ａｃ
ｔｉｎｉｃ）およびコントラスト染料（ｃｏｎｔｒａｓ
ｔｄｙｅｓ）、耐光条剤（ａｎｔｉ−ａｔｒｉａｔｉ
ｏｎａｇｅｎｔ）、可塑剤、スピードエンハンサー
（ｓｐｅｅｄｅｎｈａｎｃｅｒｓ）等を含む。このよ
うな任意の添加物は、例えば、レジストの乾燥成分の全
重量の５から３０重量パーセントの量の様な比較的に大
きな濃度で存在する充填剤（ｆｉｌｌｅｒｓ）及び染料
以外は、典型的には、フォトレジスト組成物中では少な
い濃度で存在する。

【００７３】適当なグリコールウリルのような低塩基性
架橋剤を含む本発明の反射防止組成物は、露光において
トリフリック酸、カンファースルホネート、または他の
スルホン酸、または２５℃で約２以下のｐＫａを有する
他の酸のような強酸光生産物を発生するフォトレジスト
に特に有用である。上述したＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐ
ａｎｙの欧州特許出願を参照のこと。

【００７４】使用において、本発明の反射防止組成物
は、スピンコーティングのような様々な方法により基体
に被覆層として適用される。一般に、反射防止組成物
は、約０．０２から０．５μｍの間の乾燥膜厚で基体上
に適用される。好ましくは、約０．０４から０．２０μ
ｍの乾燥膜厚である。基体は、フォトレジストを使用す
るプロセスにおいて使用されるいずれの基体でも適当で
ある。例えば、基体は、シリコン、二酸化シリコンまた
はアルミニウム−酸化アルミニウムマイクロエレクトロ
ニックウェーハであることができる。ガリウム砒素、セ
ラミック、石英または、銅基体もまた使用できる。液晶
ディスプレイまたは他のフラットパネルディスプレイ用
途に使用される基体もまた、好適に使用される。例え
ば、ガラス基体、インジウムスズ酸化物被覆基体等が
ある。光学および光学−電子ディバイス（たとえば導波
管（ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ））の基体もまた使用され
る。

【００７５】架橋性反射防止組成物を使用した場合、適
用された反射防止被覆層は、その上にフォトレジスト組
成物が適用される前に硬化されることが好ましい。硬化
条件は、反射防止組成物の成分により変化する。従っ
て、組成物が酸又は熱酸発生剤を含まない場合、硬化温
度および条件は、酸または酸発生剤化合物を含んでいる
組成物のそれよりもよりも激しくなる。典型的な硬化条
件は、約０．５から４０分間で約１２０℃から２２５℃
である。硬化条件は、反射防止組成物被覆層をアルカリ
水溶現像液およびフォトレジストの溶媒にも実質的に不
溶性とするようなものが望ましい。

【００７６】本発明の「多段硬化」方法を採用した場
合、すなわち上述した低流動熱処理の後に高い温度の架
橋処理をする場合、適用されたＡＲＣ組成物層は、ま
ず、流動性を変える低温の樹脂「流動」平坦化熱処理
（ｐｌａｎａｒｉｚｉｎｇｔｈｅｒｍａｌｔｒｅａ
ｔｍｅｎｔ）にさらされ、そしてＡＲＣ組成物の架橋温
度にさらされる。しかしながら、適当な流動平坦化熱処
理は約５０℃または６０℃で少なくとも約１から２分間
行われる。適当な流動平坦化処理は、個々のＡＲＣ組成
物について経験的に容易に決定されることができる。そ
の後、ＡＲＣ組成物層は、組成物を架橋するため高温で
処理される。

【００７７】このような硬化の後、フォトレジストは反
射防止組成物の表面上に適用される。反射防止組成物の
適用と同じように、フォトレジストはスピニング、ディ
ッピング、メニスカス（ｍｅｎｉｓｃｕｓ）またはロー
ルコーティングのような任意の標準的な手段により適用
され得る。適用に続いて、フォトレジスト被覆層は、典
型的には、溶剤を除去するため、好ましくはレジスト層
が非粘着性になるまで加熱される。最適なものとして、
反射防止組成物層とフォトレジスト層との混合は、本質
的に起きない。

【００７８】その後、レジスト層は、慣用方法によりマ
スクを通して活性化放射線で画像形成される。露光エネ
ルギーは、反射防止組成物層の厚さ方向の少なくとも一
部の光酸発生剤を活性化するとともに、レジストシステ
ムのフォト活性化合物を活性化し、レジスト被覆層にパ
ターン化された画像を提供するために反射防止組成物の
ＰＡＧから光発生した酸が、反射防止組成物／レジスト
被覆層の境界面に存在するのに十分なものである。露光
エネルギーは、典型的には、約１から３００ｍＪ／ｃｍ
^２の範囲であり、これは、いくぶん露光装置および使用
した具体的なレジストおよび用いられたレジストの使用
方法による。ＡＲＣが望ましくないノッチングおよびフ
ッティングを減らすため光酸発生剤を含んでいる場合、
一般にレジスト層の典型的な画像形成に用いられる露光
量は、下層の反射防止組成物層において酸の有効量を光
活性させるのに十分な量である。

【００７９】被覆層の露光された範囲と露光されなかっ
た範囲の間の溶解度の違いを発生させ、または大きくす
ることを望む場合、露光されたレジスト層は、露光後ベ
ーク（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅｂａｋｅ）にさら
されることができる。例えば、ネガ型酸硬化フォトレジ
ストは、典型的には、酸促進架橋反応を生じさせために
露光後加熱を必要とする、多くの化学的増幅ポジ型レジ
ストは、酸促進されるデプロテクション反応（ｄｅｐｒ
ｏｔｅｃｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｏｎ）を誘起するため
に露光後加熱を必要とする。典型的には、露光後ベーク
条件は、約５０℃以上の温度、より詳しくは、約５０℃
から１６０℃の範囲の温度である。

【００８０】露光されたレジスト被覆層は、その後、現
像される。好ましくは、テトラブチルアンモニウム、ハ
イドロオキサイド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水溶液等で例
示される無機アルカリのような水性塩基現像液で現像さ
れる。別法として、有機現像液も使用することができ
る。一般に、現像は、当業者に知られた方法にしたがっ
て行われる。現像に続いて、酸硬化フォトレジストの最
終ベークが、約１００から１５０℃の温度で、数分間行
われる。これにより、現像され露光された被覆層の領域
がさらに硬化する。

【００８１】現像された基体は、その後、フォトレジス
トのない基体の領域において選択的に処理が行われる。
例えば、当業者に公知の方法に従って、フォトレジスト
の無い基体領域に化学エッチングまたはメッキをする。
適当なエッチャントとしては、フッ化水素酸エッチング
液および酸素プラズマエッチのようなプラズマガスエッ
チがあげられる。プラズマガスエッチは、架橋されたア
ンチハレーション被覆層を除去することができる。

【００８２】ここに示した文献の全ては、参考としてこ
こに取り込まれる。次の制限的でない実施例は、本発明
を例示する。

【００８３】実施例１ＡＲＣポリマーの合成９−アントラセンメチルメタクリレート（１５５．６
３ｇ）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（６
５．０７ｇ）、およびメチルメタクリレート（６５．６
２ｇ）が１８５０ｇのエチルラクテートに溶解された。
該溶液は、乾燥窒素のストリームによって、１５分間脱
気され、５０℃に加熱された。重合開始剤（２、２’ア
ゾビス（２−メチルブタンニトリル））（２３．２１７
ｇ）が、１１０ｇのエチルラクテートに溶解され、該溶
液はフラスコに素早く添加された；８５℃を維持するよ
う加熱した。２４時間継続して８５℃に加熱し続けた。
該溶液を室温まで冷やした。ポリマー生産物は、１２Ｌ
の脱イオン水の中の沈殿させて単離し、それを真空乾燥
した。収率は１００％。ポリスチレン標準で分子量（Ｍ
ｗ）は８３５５、Ｔｇは１０３℃の物が得られた。

【００８４】実施例２連鎖移動剤を用いた低分子量Ａ
ＲＣポリマーの合成２００ｇのエチルラクテートに、９−アントラセンメチ
ルメタクリレート（１５．５６ｇ）、２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート（６．５１ｇ）およびメチルメ
タクリレート（６．５９ｇ）が溶解された。連鎖移動剤
として、ｔ−ドデシルチオールが２．０１ｇ添加され
た。該溶液は、乾燥窒素のストリームにより１０分間脱
気され、５０℃に加熱された。１．０１５ｇの重合開始
剤（２、２’アゾビス（２−メチルブタンニトリル））
が添加され、８５℃を維持するよう加熱された。溶液
は、２４時間８５℃に加熱された。溶液を室温まで冷却
し、５０ｇの更なるエチルラクテートで希釈した。ポリ
マー生産物は、２Ｌのヘキサン中で沈殿物として単離
し、それを真空乾燥した。収率は８６％であった。その
分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準とし６３０４、
Ｔｇは１０１℃であった。

【００８５】実施例３連鎖移動剤と低分子量ＡＲＣポ
リマーの合成２００ｇのエチルラクテートに、９−アントラセンメチ
ルメタクリレート（１５．５８ｇ）、２−ヒドロキシエ
チルメタクリレート（６．５１ｇ）、及びメチルメタク
リレート（６．５８ｇ）を溶解した。ｔ−ドデシルチオ
ール（４．０６ｇ）が、連鎖移動剤として添加された。
該溶液は、乾燥窒素のストリームで１０分間、脱気さ
れ、５０℃に加熱された；１．０１２ｇの重合開始剤
（２、２’アゾビス（２−メチルブタンニトリル））が
添加され、８５℃を維持するよう加熱された。溶液は、
８５℃で、２４時間加熱された。溶液は室温に冷やされ
た。反応溶液は、８００ｍＬのｔ−ブチルメチルエーテ
ル中で沈澱された。混合物はろ過され、集めたｌｉｇｏ
ｕｒｓは濃縮された。生じたオイルは３００ｍＬのヘプ
タン中で沈澱させられ、これを真空乾燥した。収率は、
２１％。ポリスチレン標準で分子量（Ｍｗ）は、２３３
７、Ｔｇは６０℃であった。

【００８６】実施例４Ｔｇの低いモノマーを用いたＡ
ＲＣポリマーの合成９−アントラセンメチルメタクリレート（３３．２１
ｇ）、ＨＥＭＡ−５（すなわちＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ
ＯＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_４ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）（１５．
３６ｇ）及びメチルメタクリレート（８．００ｇ）を４
３０ｇのエチルラクテートに溶解した。該溶液は乾燥窒
素のストリームで１０分間、脱気され、４５℃に加熱さ
れた。重合開始剤（２、２’アゾビス（２、４−ジメチ
ルペンタンニトリル））（５．５８ｇ）が添加され、８
５℃を維持するように加熱した。８５度の加熱は、２４
時間続けた。溶液は室温まで冷やされた。ポリマー生産
物は、２．５Ｌの脱イオン水中で沈殿として単離され、
真空乾燥された。収率は７９％。ポリスチレン標準で分
子量（Ｍｗ）が４９６３；Ｔｇは５０℃であった。

【００８７】実施例５本発明の低分子量樹脂ＡＲＣ組
成物の調製および使用低分子量ポリマーを有する本発明の好ましいＡＲＣ組成
物は、以下の成分を混合することにより調製される。成
分量は、液状反射防止被覆組成物の全固形分（溶媒キャ
リアを除く全ての成分）に基づいた重量部によってあら
わされる：（１）樹脂：８８％の上記実施例１のターポリマー（２）架橋剤：１１％のＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４
（ＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄ）（３）光酸発生剤：０．５％のジ−ｔ−ブチルジフェ
ニルヨードニウムカンファースルホネート（４）酸：０．３％のｐ−トルエンスルホン酸一水和物

【００８８】ＡＲＣ組成物は、エチルラクテートの溶剤
中で調製される。液状ＡＲＣ組成物はシリコンウェーハ
基体上にスピンコートされ、その後、１７５℃で６０秒
間、熱硬化される。この硬化ＡＲＣ層は、Ｓｈｉｐｌｅ
ｙＣｏｍｐａｎｙから入手できるポジ型フォトレジス
トＵＶ５により上塗りされる。レジスト層は、真空ホッ
トプレート上で、ソフトベーク（ｓｏｆｔｂａｋｅ）さ
れ、パターン化した放射線で露光され、露光後ベークさ
れ、そしてアルカリ水性溶液で現像される。下層のＡＲ
Ｃ層が、酸素／フルオロカーボンプラズマでエッチされ
る、基盤となる基体表面がプラズマエッチされる。

【００８９】実施例６可塑剤を含む本発明のＡＲＣ組
成物の製造および使用可塑剤を含む本発明の好ましいＡＲＣ組成物は、以下の
成分を混合することにより好適に調製される。成分量
は、液状反射防止被覆組成物の全固形分（溶媒キャリア
を除く全ての成分）に基づいた重量部によってあらわさ
れる：（１）樹脂：６８％の上記実施例１のターポリマー（２）可塑剤：２０％の２、６−ビス（２’、４’−ジ
ヒドロキシベンジル）４−メチルフェノール（３）架橋剤：１１％のＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４
（ＡｍｅｒｉｃａｎＣｙａｎａｍｉｄ）（４）光酸発生剤：０．５％のジ−ｔ−ブチルジフェ
ニルヨードニウムカンファースルホネート（５）酸：０．３％のｐ−トルエンスルホン酸一水和物

【００９０】ＡＲＣ組成物は、エチルラクテートの溶剤
中で調製される。液状ＡＲＣ組成物はシリコンウェーハ
基体上にスピンコートされ、その後、１７５℃で６０秒
間、熱硬化される。この硬化ＡＲＣ層は、Ｓｈｉｐｌｅ
ｙＣｏｍｐａｎｙから入手できるポジ型フォトレジス
トＵＶ５により上塗りされる。レジスト層は、真空ホッ
トプレート（ｖａｃｕｕｍｈｏｔｐｌａｔｅ）上
で、ソフトベーク（ｓｏｆｔｂａｋｅ）され、パターン
化した放射線で露光され、露光後ベークされ、そしてア
ルカリ水性溶液で現像される。下層のＡＲＣ層が、酸素
／フルオロカーボンプラズマでエッチされ、基盤となる
基体表面がプラズマエッチされる。

【００９１】実施例７二硬化システム本発明のＡＲＣ組成物は、次の成分を混合することで調
製される：９５．５重量％のプロピレングリコールモノ
エチルエーテル溶媒；４．５重量％の固形分。該固形分
は、８６．９５重量％の分子量（Ｍｗ）１２０００以下
のターポリマー（ＡＮＴＭＡ／ＨＥＭＡ／ＭＭＡ）、１
１重量％のＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４架橋剤、０．
８重量％の表面平滑剤（３ＭＣｏ．から入手できるＦ
Ｃ４３０）、０．５重量％のジｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニルヨードニウムカンファースルホネートのＰＡ
Ｇ、および０．７５％のＮａｃｕｒｅＸ４９（Ｋｉｎｇ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ）熱酸発生剤。

【００９２】このＡＲＣ組成物は、ウェーハ基体上に２
５００ｒｐｍでスピンコートされ、１２００オングスト
ロームの厚さとされ、その後、２００℃で硬化される。
これにより許容可能なレジストプロフィルが得られ、２
４８ｎｍ放射線で、０．５３ＮＡレンズにより９．２ｍ
Ｊ／ｃｍ^２で露光された。

【００９３】熱酸発生剤ＮａｃｕｒｅＸ４９を含む本発
明のＡＲＣｓの更なるテストによれば、１２５℃の硬化
の後は、わずかに架橋した。（エチルラクテートの溶剤
中に９０％喪失した）。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、ＡＲＣの平坦度を決定するための図式
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 61/20 Ｃ０８Ｌ 61/20 101/12 101/12 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７８ (71)出願人 596156668 455 ＦｏｒｅｓｔＳｔｒｅｅｔ，Ｍａｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者ティモシー・ジー・アダムズアメリカ合衆国マサチューセッツ州01776, サッドベリー，サットン・ロード・137 (72)発明者マニュエル・ドカントアメリカ合衆国マサチューセッツ州02072, ストートン，アトキンソン・アベニュー・ 59 (72)発明者スザンヌ・コーリーアメリカ合衆国マサチューセッツ州02048, マンスフィールド，ウィロー・ストリート・251 (72)発明者ジョージ・ジー・バークレーアメリカ合衆国マサチューセッツ州01522, ジェファーソン，メイン・ストリート・ 1566

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トポグラフィーを有する基体上にフォト
レジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）約８、０００以下の分子量を有するポリマーを含
む反射防止組成物の層を基体上に適用し、（ｂ）該反射
防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用
し、および（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層
を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、こと
を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方
法。
【請求項２】反射防止層がフォトレジスト組成物層を
適用する前に熱硬化されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】ポリマーが、約６、０００以下の分子量
である請求項１に記載の方法。
【請求項４】ポリマーが、約５、０００以下の分子量
である請求項１に記載の方法。
【請求項５】ポリマーが、約３、０００以下の分子量
である請求項１に記載の方法。
【請求項６】ポリマーが、アントラセニル単位また
は、フェニル単位を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】反射防止組成物が、シリコンの局部酸化
により形成され、０．８ミクロンの幅および２ミクロン
の中間点深さであるスロープ形状を有するステップに対
して約０．５０以上の平坦度を示す請求項１に記載の方
法。
【請求項８】反射防止組成物が架橋剤化合物をさらに
含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】反射防止組成物が可塑剤化合物をさらに
含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】可塑剤化合物が、非ポリマー状化合物
である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】可塑剤化合物が、フェニルまたはベン
ジル置換のアントラセン化合物；多数のアリール置換基
を有する化合物；またはフェノール系化合物である請求
項９に記載の方法。
【請求項１２】可塑剤化合物が、約２、０００以下の
分子量を有するオリゴマーである請求項９に記載の方
法。
【請求項１３】反射防止組成物が、反射防止組成物の
実質的な架橋が生じる温度よりも低いＴｇを有する樹脂
を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１４】反射防止組成物を適用した後、反射防
止組成物を反射防止組成物の実質的な架橋が起こらない
がおおむね樹脂のＴｇに加熱する請求項１３に記載の方
法。
【請求項１５】トポグラフィーを有する基体上にフォ
トレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の層を基体上
に適用し、（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジ
スト組成物の層を適用し、および（ｃ）活性化放射線に
よりフォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジ
スト層を現像することを含む、フォトレジストレリーフ
イメージの形成方法。
【請求項１６】トポグラフィーを有する基体上にフォ
トレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）可塑剤化合物を含む反射防止組成物の実質的な架
橋を生ずる温度より低いＴｇを有する樹脂を含む反射防
止組成物の層を基体上に適用し、および（ｂ）該反射防
止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、
（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、
露光されたフォトレジスト層を現像することを含む、フ
ォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１７】トポグラフィーを有する基体上にフォ
トレジストレリーフイメージを形成する方法であって、
（ａ）反射防止組成物の実質的な架橋を生ずる温度より
低いＴｇを有する樹脂を含む架橋性反射防止組成物の層
を基体上に適用し、（ｂ）該反射防止組成物層を、反射
防止組成物の実質的な架橋を生じないが、少なくともお
おむね該樹脂のＴｇに加熱し、（ｃ）該反射防止組成物
層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および
（ｄ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、
露光されたフォトレジスト層を現像することを含む、フ
ォトレジストレリーフイメージの形成方法。
【請求項１８】上塗りされるフォトレジストと共に用
いられる反射防止被覆組成物であって、１またはそれ以
上の（１）約８、０００以下の分子量を有するポリマ
ー、（２）可塑剤、（３）組成物の実質的な架橋を生ず
る温度より低いＴｇを有する樹脂、を含む組成物。
【請求項１９】ポリマーまたは樹脂が、アクリレート
単位を含む請求項１８に記載の反射防止被覆組成物。
【請求項２０】被覆された基体であって、（１）請求
項１７に記載の反射防止組成物の被覆層；および（２）
フォトレジストの被覆層をその上に有する基体。
【請求項２１】基体が、マイクロエレクトロニックウ
ェーハ基体である請求項２０の被覆された基体。
【請求項２２】基体が、フラットパネルディスプレイ
基体である請求項２０に記載の被覆された基体。