KR102421597B1 - 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102421597B1
KR102421597B1 KR1020150099736A KR20150099736A KR102421597B1 KR 102421597 B1 KR102421597 B1 KR 102421597B1 KR 1020150099736 A KR1020150099736 A KR 1020150099736A KR 20150099736 A KR20150099736 A KR 20150099736A KR 102421597 B1 KR102421597 B1 KR 102421597B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
resist underlayer
underlayer film
aryl
alkyl
Prior art date
Application number
KR1020150099736A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170008488A (ko
Inventor
정민호
심유나
이건표
함진수
황수영
Original Assignee
에스케이이노베이션 주식회사
에스케이지오센트릭 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이이노베이션 주식회사, 에스케이지오센트릭 주식회사 filed Critical 에스케이이노베이션 주식회사
Priority to KR1020150099736A priority Critical patent/KR102421597B1/ko
Priority to US15/207,817 priority patent/US9996007B2/en
Priority to CN201610557190.6A priority patent/CN106565952B/zh
Publication of KR20170008488A publication Critical patent/KR20170008488A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102421597B1 publication Critical patent/KR102421597B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
    • C08G65/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols from phenols (I) and other compounds (II), e.g. OH-Ar-OH + X-Ar-X, where X is halogen atom, i.e. leaving group
    • C08G65/4012—Other compound (II) containing a ketone group, e.g. X-Ar-C(=O)-Ar-X for polyetherketones
    • C08G65/4018—(I) or (II) containing halogens other than as leaving group (X)
    • C08G65/4025—(I) or (II) containing fluorine other than as leaving group (X)
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G10/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with aromatic hydrocarbons or halogenated aromatic hydrocarbons only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
    • C08G65/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols from phenols (I) and other compounds (II), e.g. OH-Ar-OH + X-Ar-X, where X is halogen atom, i.e. leaving group
    • C08G65/4012—Other compound (II) containing a ketone group, e.g. X-Ar-C(=O)-Ar-X for polyetherketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/48—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D149/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more carbon-to-carbon triple bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D171/00—Coating compositions based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D171/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching

Abstract

본 발명은 반도체 및 디스플레이 제조 공정에 사용하는 신규한 구조의 중합체, 이를 포함하는 반도체 및 디스플레이 제조 공정용 하층막 조성물 및 이를 이용한 반도체 및 디스플레이 제조 공정용 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 본 발명의 신규 중합체는 최적화된 에치 선택비와 평탄화 특성, 및 우수한 내열성을 동시에 가지고 있으므로, 이를 포함하는 하층막 조성물은 반도체 다층 리소그래피(lithography) 공정에 하드마스크로서 사용될 수 있다.

Description

신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법{Novel polymer for preparing resist underlayer film, resist underlayer film composition containing the polymer and process for forming resist pattern using the composition}
본 발명은 반도체 및 디스플레이 제조 공정에 사용하는 신규한 구조의 중합체, 이를 포함하는 반도체 및 디스플레이 제조 공정용 하층막 조성물 및 이를 이용한 반도체 및 디스플레이 제조 공정용 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 본 발명의 신규 중합체는 최적화된 에치 선택비와 평탄화 특성 및 우수한 내열성을 동시에 가지고 있으므로, 이를 포함하는 하층막 조성물은 반도체 다층 리소그래피(lithography) 공정에 하드마스크로서 사용될 수 있다.
반도체 소자의 소형화 및 고집적화에 따라 패턴의 크기가 급속도로 작아짐에 따라, 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상이 가장 큰 공정상의 난점으로 부각되었고, 이에 따라 필연적으로 고해상성을 이루고자 포토레지스트 막 두께가 점점 얇아지게 되었다. 그러나, 얇아진 포토레지스트를 가지고 형성된 패턴을 사용하여 충분한 에치 선택비를 갖고 피식각층을 식각하는 것은 매우 어렵게 되었고, 이에 따라 포토레지스트와 피식각층 사이에 식각(에치(etch)) 내성이 강한 무기물 혹은 유기물 막질을 도입하게 되었다. 이 막질을 하드마스크라 칭하며, 하드마스크 공정은 통상적으로 포토레지스트 패턴을 이용하여 하드마스크를 식각하여 패터닝한 후 하드마스크의 패턴을 이용하여 피식각층을 식각하는 공정을 말한다. 상기 하드마스크 공정에 이용되는 하드마스크의 재질은 다양한 막질이 이용되고 있으며 예로는 폴리실리콘, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 티타늄 나이트라이드, 무정형 탄소(amorphous carbon) 등이 있으며, 통상적으로 화학증기증착법(chemical vapor deposition: CVD)으로 제조된다.
상기 화학증기증착법에 의해 생성된 하드마스크는 에치 선택성이나 에치 내성에서 좋은 물성을 가지고 있으나, 파티클(particle) 발생, 단차가 큰 부분에서의 공극(void) 등의 문제점을 안고 있으며, 특히 높은 초기장비 투자비문제가 가장 초점이 되고 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로서, 상기 증착식 하드마스크 대신에, 반도체 라인 내, 포토 공정에서 사용되고 있는 트랙장비를 이용하여 쉽게 스핀 도포가 가능한 스핀온(spin on) 하드마스크 조성물의 개발 필요성이 대두되었고 이를 위한 구체적인 물질의 개발이 본격화 되고 있는 상황이다. 상기 스핀 코팅을 통해 형성되는 하드마스크(스핀온 하드마스크)는 에칭(etching) 내성 측면에서는 CVD공정을 통한 하드마스크와 같은 성능을 갖기에 난점을 지니고 있으나, 용액 상태의 코팅을 통하여 좀더 쉬운 박막 형성과, 향상된 코팅 균일성 및 박막 표면의 거칠기가 개선되는 등의 장점을 가지고 있다. 또한, 화학증기증착법 대비 초기 투자 비용이 적게 든다는 이점을 갖고 있기도 하다.
상기 언급한 바와 같이 최근 LSI(large scale integrated circuit)의 지속적인 고집적화에 따른 리소그라피 공정의 미세화는 기존의 가장 선단에 있는 아르곤 플루오라이드 액침 노광 포토레지스트로도 구현하는데 한계에 도달했고, 특히 30nm node 이하의 초미세패턴 공정을 진행하기 위해서는 리소그라피 공정에서 사용하는 포토레지스트의 해상도가 결정적인 중요인자로서 작용하게 되었다. 그러나 기존의 포토레지스트로서는 30nm 이하의 패턴을 구현하는데 한계가 있어 새로운 추가공정을 개발하여 이를 극복하고 있는 상황이다.
현재 개발된 많은 공정기술 중 실제 공정에 적용이 되고 있는 것은 두 번의 노광과 에칭 공정을 진행하는 더블패터닝 방법과 스페이서를 이용한 더블패터닝 공정(SPT)이 주류를 이루고 있으며 이 추가공정에 하드마스크의 역할로 사용하는 재료를 통칭적으로 하층막 조성물이라고 명명하고 있다. 주목할 점은 초기의 무정형 탄소를 대치하여 하드마스크로서 사용하고자 하는 것 외에도 새로운 고해상도를 구현하기 위한 공정인 더블패터닝(Double patterning) 공정이 ArF 리소그라피 공정의 전반을 주도하고 있는 상황에서 새로운 하드마스크 물질로서 사용량이 급격히 늘어나고 있다는 것이다 .이러한 하층막에 요구되는 가장 큰 물성으로는 높은 식각 내성 및 열적안정성, 일반적인 유기 용매에 대한 우수한 용해성, 저장안정성, 접착성 등의 특성과 더불어 우수한 코팅 균일도 등이 있다. 열안정성이 요구되는 이유는 하층막을 형성한 후 상부에 후속공정으로 고온에서의 진공증착 공정을 진행하기 때문이며, 일반적으로 내열성은 안정한 진공 증착 공정을 위해 400℃에서 낮은 고분자의 분해와 5% 이하의 막 감소를 요구하고 있다. 에칭 내성은 하층막으로서 최소 두께를 가지고 하부층을 식각하기 위한 또 하나의 매우 중요한 요소이다. 막의 두께가 두꺼울수록 자연적으로 패턴이 공정 중에 넘어질 수 있는 위험이 증가하기 때문이다. 에칭 내성은 중합체의 탄소함량이 높을수록 유리하지만 용매에 대한 용해도와 코팅 균일도 등을 고려할 때 82%이상이 적절하다.
종래에는 이와 같은 하층막 재료의 특성을 만족시키기 위하여, 조성물에 있어 고분자 물질은 주로, 탄소 함유량 및 극성이 높고, 열적 안정성이 높은 고분자가 주로 연구되었고 특히 폴리아마이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아릴에테르, 그외 페놀계고분자 등등 다양한 연구가 이뤄지고 있다. 상기의 고분자들 중 일부는 충분한 고온안정성과 막 형성능력을 지니고 있는 것으로 확인되었으나 에칭 내성과 관련하여 원하는 수준의 탄소함량을 지닐 경우 급격한 용해도의 저하로 인하여 저장안정성 측면과 라인 내 혼용성 및 코팅균일도 측면에서 문제점을 나타내기도 한다. 이들 중 내열성 측면에서 부족한 물질은 낮은 열안정성으로 인해 공정 중에 가스발생량이 많은 단점을 또한 안고 있기도 하다.
즉, 하층막 조성물의 물성은 중합체의 특성에 따라 좌우된다. 특히 열안정성과 에칭 내성의 경우 중합체의 특성이 그대로 하층막 조성물의 특성에 반영된다. 열안정성의 경우 중합체 주쇄의 안정성에 의해 좌우되고, 에칭 내성의 경우 중합체에 존재하는 탄소의 함량이 높을수록 우수하다. 내열성이 우수한 중합체로는 폴리이미드, 폴리아마이드, 폴리아릴케톤 에테르 등을 들 수 있으나, 에칭 내성이 떨어지거나 일반적인 유기용매에 대하여 용해도가 낮아 하층막 재료로 사용하는데 한계가 있다.
또한, 표면의 평탄화성과 패턴 가장자리의 균일성은 첨가제나 고분자의 분자량으로 조절할 수 있다. 그 외 패턴의 기계적인 물성도 고분자의 종류와 구조에 의해 결정된다.
한국 공개특허 10-2014-0123368 한국 공개특허 10-2007-0113998
본 발명자들은 상기한 문제점을 보완하기 위해 열안정성과 코팅 균일도가 우수하면서 에칭내성을 향상시킬 수 있는 신규 중합체를 합성하였고, 상기 중합체가 우수한 열 안정성, 에칭 내성 및 코팅 균일도 특성을 가짐과 동시에 높은 탄소함량에도 불구하고 통상적으로 반도체 공정에서 사용하는 유기용매에 대한 용해도가 높아 저장안정성 및 라인 혼용성의 특성을 획기적으로 향상시켰음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 우수한 열안정성, 에칭 내성 및 코팅 균일도가 뛰어난 하층막 형성용 중합체를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 하층막 형성용 중합체를 포함하여 열적 안정성, 에칭 내성, 표면 평탄화도 및 갭필(gap fill) 특성이 우수하고 패턴의 기계적 물성이 뛰어난 하층막 조성물을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 하층막 조성물을 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112015067982642-pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar은 (C10-C100)아릴렌이고, 상기 Ar의 아릴렌은 카보닐, 아미노, 산소, 황을 더 포함할 수 있고, 상기 Ar의 아릴렌은 (C1-C20)알킬, (C3-C20)사이클로알킬, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)사이클로알케닐, (C2-C20)알키닐, 4원 내지 10원의 헤테로사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C3-C20)헤테로아릴, 할로겐, 시아노, 하이드록시, (C1-C20)알콕시, (C3-C20)사이클로알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C20)알킬티오, (C3-C20)사이클로알킬티오, (C6-C20)아릴티오, (C1-C20)알킬카보닐, (C2-C20)알케닐카보닐, (C6-C20)아릴카보닐, (C3-C20)사이클로알킬카보닐 및 (C3-C20)사이클로알케닐카보닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
L은
Figure 112015067982642-pat00002
,
Figure 112015067982642-pat00003
또는
Figure 112015067982642-pat00004
이고;
Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
Ar5는 3가의 (C6-C30)아릴렌이고;
Ar6는 (C6-C30)아릴이고;
상기 Ar3, Ar4 및 Ar5의 아릴렌, 및 Ar6의 아릴은 각각 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C1-C10)알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C10)알킬(C6-C20)아릴 및 (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
R은 수소, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
w는 1 내지 5의 정수이고;
u는 0 또는 1의 정수이고;
상기 헤테로아릴 및 헤테로사이클로알킬은 B, N, O, S, P(=O), Si, Se 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체; 및 유기용매;를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 a) 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체; 및 유기용매;를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 기판 상부에 도포하는 단계; 및 b) 상기 a) 단계의 기판을 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계;를 포함하는 레지스트 하층막의 형성 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 1) 상기 레지스트 하층막 조성물을 기판의 상부에 도포하고 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계; 2) 상기 1) 단계의 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 3) 상기 2) 단계의 레지스트 하층막과 포토레지스트 막이 피복된 기판을 노광시킨 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 4) 상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 레지스트 하층막을 식각하여 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및 5) 상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계;를 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 신규 중합체는 적어도 두 개의 하이드록시기를 가지고 있어 최적화된 에치 선택비와 평탄화 특성 이외에 우수한 내열성을 나타내므로, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물은 반도체 다층 리소그래피(lithography) 공정에서 스핀 도포에 의해 하드마스크(스핀 온 카본(spin on carbon: SOC) 하드마스크)를 형성할 수 있고, 400℃로 가열하는 후공정에서 흄 발생이 적어 고온 SOC 물질로서도 유용하다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 신규 중합체로 인하여 우수한 에칭 내성, 열안정성 및 코팅 균일도를 보이고, 특히 높은 탄소함량에도 불구하고 유기용매에 대한 우수한 용해도를 지녀 저장안정성과 반도체 공정에서의 라인 혼용성을 획기적으로 향상시키는 효과를 나타낸다.
또한 본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은 열안정정이 우수하며, 단차가 있는 웨이퍼에 도포 시에도 갭필(gap fill) 특성이 우수하여 평탄화도가 우수한 장점이 있다. 또한, 본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은 에칭 내성이 우수하여, 드라이 에칭공정 시 일정한 패턴의 모양을 형성하기 위한 보호막(하드마스크) 역할을 하며, 레지스트 막질의 에칭 속도를 빠르게 하거나 늦출수록 마스크의 손실을 최소화 할 수 있고, 하부막질의 식각량(에칭량)을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성한 후 포토리소그라피 공정 및 에칭 공정을 실시한 경우에도 패턴 구현도(pattern fidelity), CD(critical dimension) 균일도, 표면거칠기(surface roughness) 등의 측면에서 우수한 결과를 보였다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 제조 공정에서 사용되는 우수한 하층막 물성을 갖는 조성물을 제조하기 위한 핵심 재료로, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112015067982642-pat00005
상기 화학식 1에서,
Ar은 (C10-C100)아릴렌이고, 상기 Ar의 아릴렌은 카보닐, 아미노, 산소, 황을 더 포함할 수 있고, 상기 Ar의 아릴렌은 (C1-C20)알킬, (C3-C20)사이클로알킬, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)사이클로알케닐, (C2-C20)알키닐, 4원 내지 10원의 헤테로사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C3-C20)헤테로아릴, 할로겐, 시아노, 하이드록시, (C1-C20)알콕시, (C3-C20)사이클로알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C20)알킬티오, (C3-C20)사이클로알킬티오, (C6-C20)아릴티오, (C1-C20)알킬카보닐, (C2-C20)알케닐카보닐, (C6-C20)아릴카보닐, (C3-C20)사이클로알킬카보닐 및 (C3-C20)사이클로알케닐카보닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
L은
Figure 112015067982642-pat00006
,
Figure 112015067982642-pat00007
또는
Figure 112015067982642-pat00008
이고;
Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
Ar5는 3가의 (C6-C30)아릴렌이고;
Ar6는 (C6-C30)아릴이고;
상기 Ar3, Ar4 및 Ar5의 아릴렌, 및 Ar6의 아릴은 각각 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C1-C10)알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C10)알킬(C6-C20)아릴 및 (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
R은 수소, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
w는 1 내지 5의 정수이고;
u는 0 또는 1의 정수이고;
상기 헤테로아릴 및 헤테로사이클로알킬은 B, N, O, S, P(=O), Si, Se 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
보다 바람직하게 본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체는 하기 화학식 2, 3 또는 4의 반복단위를 포함하는 중합체일 수 있다:
[화학식 2]
Figure 112015067982642-pat00009
[화학식 3]
Figure 112015067982642-pat00010
[화학식 4]
Figure 112015067982642-pat00011
(상기 Ar, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6, R, w 및 u는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.)
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체는 에칭 내성 및 코팅 균일도가 우수할 뿐만 아니라, 반복 단위 내에 적어도 두 개의 하이드록시기를 가지고 있어 우수한 열안정성을 가지고 있고, 높은 탄소 함량을 가지고 있음에도 불구하고 유기 용매에 대해 우수한 용해도를 가지고 있어 스핀-온 코팅 방법으로 효과적으로 레지스트 하층막을 형성할 수 있다. 또한, 소정의 패턴을 가지는 하부막 위에 스핀-온 코팅 방법으로 형성될 때 패턴들 사이의 갭을 채울 수 있는 갭-필 특성 및 평탄화 특성 또한 우수하고, 반도체 다층 리소그래피(lithography) 공정에 하드마스크로 사용가능하다. 또한, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체는 높은 탄소 함량을 지님에도 불구하고 유기 용매에 대한 용해도가 우수하여 저장안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 기재된 「알킬」 및 「알콕시」는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.
본 발명에 기재된 「아릴」은 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 각 고리에 적절하게는 4 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 다수개의 아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다. 융합 고리계는 포화 또는 부분적으로 포화된 고리와 같은 지방족 고리를 포함할 수 있고, 반드시 하나 이상의 방향족 고리를 포함하고 있다. 또한 상기 지방족 고리는 질소, 산소, 황, 카보닐 등을 고리 내에 포함할 수도 있다. 상기 아릴 라디칼의 구체적인 예로서는 페닐, 나프틸, 비페닐, 인데닐(indenyl), 플루오레닐, 페난트레닐, 안트라세닐, 트라이페닐레닐, 파이레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 9,10-다이하이드로안트라세닐 등을 포함한다.
본 발명에 기재된 「아릴렌」은 두개의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼이며, 「3가의 아릴렌」은 세개의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼이다.
본 발명에 기재된 「헤테로아릴」은 방향족 고리 골격 원자로서 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택되는 1 내지 4개의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 방향족 고리 골격 원자가 탄소인 아릴 그룹을 의미하는 것으로, 5 내지 6원 단환 헤테로아릴, 및 하나 이상의 벤젠환과 축합된 다환식 헤테로아릴이며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본 발명에서의 헤테로아릴은 하나 이상의 헤테로아릴이 단일결합으로 연결된 형태도 포함한다. 상기 헤테로아릴 라디칼의 예는 이미다졸릴, 옥사졸릴, 피라지닐, 티오페닐, 퀴놀릴, 벤조푸릴, 피리디일, 인돌릴, 피롤릴, 피라닐, 나프티리디닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 기재된 「사이클로알킬」는 하나의 고리로 구성된 1가의 지환족 알킬 라디칼을 의미하는 것으로, 사이클로알킬의 예는 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐, 사이클로데실 등을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 기재된 「헤테로사이클로알킬」은 헤테로 원자로서 고리 내에 N, O, S, P(=O), Si, Se 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 완전히 포화 및 부분적으로 불포화된 단일환 또는 다환의 탄화수소 고리를 의미하며, 헤테로원자의 개수는 1-4이며, 바람직하게는 1-2이다. 상기 헤테로사이클로알킬 라디칼의 예는 모르폴리닐, 피페라지닐, 피페리디닐, 피롤리디닐, 테트라하이드로피라닐, 티오모르폴리닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 기재된 「알케닐」은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 직쇄 또는 분지쇄의 탄화수소 라디칼을 의미하는 것으로, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 기재된 「알키닐」은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 함유하는 직쇄 또는 분지쇄의 탄화수소 라디칼을 의미하는 것으로, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 기재된 「사이클로알케닐」는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 비방향족 단일환 또는 다환의 탄화수소 고리 라디칼을 의미하는 것으로, 사이클로알케닐 기의 예로는 비 제한적으로 사이클로펜테닐, 사이클로부테닐, 사이클로헥세닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 500 이상이나, 하층막 조성물의 제조 및 취급의 용이성, 막 형성, 코팅 균일도, 홀 매립 특성 및 용해도를 향상시키기 위한 측면에서 중합체의 중량평균 분자량은 500 내지 50,000, 더욱 바람직하게는 700 내지 20,000이다. 상기 중합체의 중량평균 분자량이 500 미만이면, 코팅 균일도가 떨어지는 단점이 있다.
상기 화학식 1에서 Ar은 탄소수 10 내지 100의 아릴렌으로, 각 고리에 적절하게는 4 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 다수개의 아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다. 융합 고리계는 포화 또는 부분적으로 포화된 고리와 같은 지방족 고리를 포함할 수 있고, 반드시 두개 이상의 방향족 고리를 포함하고 있다. 또한 상기 지방족 고리는 질소, 산소, 황, 카보닐 등을 고리 내에 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체에서, 상기
Figure 112015067982642-pat00012
는 하기 구조에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
Figure 112015067982642-pat00013
(Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 C=O, NRa, O, S 또는 CRbRc이고; Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, 할로겐, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴이고, 상기 알킬, 사이클로알킬 및 아릴은 할로겐, (C1-C10)알킬, 할로(C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴로 더 치환될 수 있다.)
또한, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체에서, 상기 Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 페닐렌, 나프틸렌, 바이페닐렌, 플루오레닐렌,트라이페닐렌, 안트릴렌, 파이레닐렌, 크라이세닐렌 또는 나프타세닐렌이고; Ar5는 3가의 페닐렌, 나프틸렌, 바이페닐렌, 플루오레닐렌,트라이페닐렌, 안트릴렌, 파이레닐렌, 크라이세닐렌 또는 나프타세닐렌이고; Ar6는 페닐, 나프틸, 바이페닐, 플루오레닐,트라이페닐, 안트릴, 파이레닐, 크라이세닐 또는 나프타세닐이고; R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 페닐, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오레닐, 페난트레닐, 안트라세닐, 트라이페닐레닐, 파이레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 벤질, 나프틸메틸, 안트릴메틸, 파이레닐메틸, 트라이페닐메틸 또는 톨릴이고; w는 1 또는 2의 정수이고; u는 0 또는 1의 정수일 수 있다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체는 하기 구조로부터 선택되는 반복단위를 포함하는 중합체로 예시될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
Figure 112015067982642-pat00014
Figure 112015067982642-pat00015
Figure 112015067982642-pat00016
Figure 112015067982642-pat00017
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 중합체는 공지의 화학 반응을 통해 합성될 수 있으며, 이의 제조과정을 화학식 1의 L에 따라 하기 반응식 1 내지 3에 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
L이
Figure 112015067982642-pat00018
인 경우 하기 반응식 1에 도시한 바와 같이, 1) 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1) 및 비스(할로아릴)메타논 유도체(S2-1)를 이용하여 폴리아릴케톤 에테르 중합체(P1-1)를 제조하는 단계; 및 2) 상기 제조된 폴리아릴케톤 에테르(P1-1)의 케톤 작용기를 알코올 기로 환원시켜 화학식 1-1 또는 1-2의 반복단위를 포함하는 중합체를 제조하는 단계로 이루어지는 총 두 단계 반응을 통해 제조할 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112015067982642-pat00019
[상기 반응식 1에서, Ar, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4 및 w는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고, R은 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고; X1 내지 X3는 서로 독립적으로 할로겐이다.]
L이
Figure 112015067982642-pat00020
인 경우 하기 반응식 2에 도시한 바와 같이, 1) 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1) 및 (다이할로아릴)(아릴)메타논 유도체(S2-2)를 이용하여 폴리아릴케톤 에테르 중합체(P1-2)를 제조하는 단계; 및 2) 상기 제조된 폴리아릴케톤 에테르(P1-2)의 케톤 작용기를 알코올 기로 환원시켜 화학식 1-3 또는 1-4의 반복단위를 포함하는 중합체를 제조하는 단계로 이루어지는 총 두 단계 반응을 통해 제조할 수 있다.
[반응식 2]
Figure 112015067982642-pat00021
[상기 반응식 2에서, Ar, Ar1, Ar2, Ar5, Ar6 및 w는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고, R은 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고; X1 내지 X3는 서로 독립적으로 할로겐이다.]
L이
Figure 112015067982642-pat00022
인 경우 하기 반응식 3에 도시한 바와 같이, 1) 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1) 및 다이할로아릴 유도체(S2-3)를 이용하여 폴리아릴케톤 에테르 중합체(P1-3)를 제조하는 단계; 및 2) 상기 제조된 폴리아릴케톤 에테르(P1-3)의 케톤 작용기를 알코올 기로 환원시켜 화학식 1-5 또는 1-6의 반복단위를 포함하는 중합체를 제조하는 단계로 이루어지는 총 두 단계 반응을 통해 제조할 수 있다.
[반응식 3]
Figure 112015067982642-pat00023
[상기 반응식 3에서, Ar, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4 및 u는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하고, R은 (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고; X1 내지 X3는 서로 독립적으로 할로겐이다.]
상기 반응식 1 내지 3에 예시한 바와 같이, 폴리아릴케톤 에테르 중합체(P1-1, P1-2, P1-3)는 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1)와 비스(할로아릴)메타논 유도체(S2-1) 또는 (다이할로아릴)(아릴)메타논 유도체(S2-2) 또는 다이할로아릴 유도체(S2-3)를 이용하여 합성할 수 있다.
상기 비스(할로아릴)메타논 유도체(S2-1) 또는 (다이할로아릴)(아릴)메타논 유도체(S2-2) 또는 다이할로아릴 유도체(S2-3)의 사용량은 상기 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1) 1 몰에 대하여 0.5 내지 3.5몰, 바람직하게는 1 내지 2.5몰이다. 상기 비스(할로아릴)메타논 유도체(S2-1) 또는 (다이할로아릴)(아릴)메타논 유도체(S2-2) 또는 다이할로아릴 유도체(S2-3)의 사용량이 3.5몰을 초과하는 경우 분자량이 급격히 증가해 분자량 조절이 어렵고, 0.5몰 미만인 경우 분자량이 너무 낮아 중합체를 얻을 수 없다.
일반적으로 사용하는 반응 촉매는 염기성 화합물로 K2CO3, NaOH, KOH, LiOH 등을 들 수 있으며, 상기 염기성 화합물 촉매의 사용량은 상기 두 개의 하이드록시기를 갖는 아릴케톤 유도체(S1) 1 몰에 대하여 0.1 내지 10몰, 바람직하게 0.5 내지 5몰이다. 상기 염기성 화합물 촉매의 사용량이 10몰을 초과하면, 부반응이 일어나는 문제가 있고, 0.1몰 미만이면, 반응 진행 속도가 느려지고, 반응 시간이 많이 소요될 우려가 있고, 중합체를 얻지 못할 수도 있다.
상기 중합반응은 용매 없이도 행해지지만, 통상 용매를 이용하여 행해진다. 사용 가능한 용매로는 반응을 저해하지 않으면서 상기 단량체 등을 용해시킬 수 있는 통상적인 유기용매라면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 디메틸포름아미드, 테트라하이드로퓨란, 디옥산, 톨루엔, 자일렌, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌(1,2,3,4-tetra hydronaphthalene: THN) 등의 유기용매를 사용할 수 있다. 상기 중합반응 온도는 통상 50℃ 내지 200℃이며, 반응시간은 반응온도에 따라 다양하게 선택가능하다.
상기 폴리아릴케톤 에테르(P1-1, P1-2, P1-3)의 케톤 작용기는 일반적으로 반응성이 우수한 것으로 알려져 있으며, 환원제를 이용하여 알코올 기로 환원된다. 상기 환원제로는 금속 수소화물(S3) 또는 그린너드 시약(Grignard reagent, S4)을 사용할 수 있다.
상기 환원반응 온도는 10℃에서 80℃까지 다양하게 진행시킬 수 있다.
상기 환원 반응에 사용하는 용매는 통상 용매를 이용하여 행해진다. 사용 가능한 용매로는 반응을 저해하지 않는 통상적인 유기용매라면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 디메틸포름아미드, 테트라하이드로퓨란, 디옥산, 톨루엔, 자일렌, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌(1,2,3,4-tetra hydronaphthalene: THN) 등의 유기용매를 사용할 수 있다.
상기 환원제로 금속 수소화물(S3)을 사용하는 경우 폴리아릴케톤 에테르(P1-1, P1-2, P1-3)의 케톤 작용기는 2차 알코올 형태로 환원되어 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체(1-1, 1-3, 1-5)을 제조할 수 있다. 상기 금속 수소화물(S3)는 알루미늄 수소화물 또는 붕소 수소화물로, LiBH, LiAlH, NaAlH, NaBH, NaBH4, NaAlH4, LiBH4, LiAlH4 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 환원제로 그린너드 시약(Grignard reagent, S4)을 사용하는 경우 폴리아릴케톤 에테르(P1-1, P1-2, P1-3)의 케톤 작용기는 알코올 기로 환원됨과 동시에 탄소 함량을 증가시켜 주는 탄화수소 치환체 R이 도입된 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체(1-2, 1-4, 1-6)을 제조할 수 있다.
상기 환원 반응이 끝난 후에는 비극성 용매인 헥산에서 침전시켜 여과한 후 진공 건조로 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체(1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5 및 1-6)를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공하는 것으로, 본 발명의 하층막 조성물은 반도체 다층 리소그래피(lithography) 공정에 하드마스크로서 사용될 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 실리콘 웨이퍼 등의 기판 위에 스핀 코팅(spin coating, 스핀 온 카본(spin on carbon)) 방법 등으로 하층막을 형성할 수 있는 것으로서, 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체를 포함하고 있어 에칭 내성, 열안정성, 코팅 균일도, 표면 평탄화성, 패턴 가장자리의 균일성 및 패턴의 기계적 물성이 뛰어나 하드 마스크 공정 또는 웨이퍼 표면을 평탄하게 만드는 공정에 적용가능하다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체 및 유기용매를 포함한다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물에 있어서, 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체는 상기 화학식 2, 3 또는 4의 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체이다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물에 있어서, 상기 레지스트 하층막 형성용 중합체의 함량은 전체 레지스트 하층막 조성물에 대하여 0.5 내지 50중량%, 바람직하게는 1 내지 30 중량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 중량%이다. 상기 범위로 사용됨으로써 레지스트 하층막 조성물의 용해도 및 막 형성시 코팅성이 우수해질 수 있다. 상기 레지스트 하층막 형성용 중합체의 함량이 0.5중량% 미만이면, 원하는 두께의 하층막을 형성되지 않는 문제점이 발생될 수 있고, 50중량% 초과하면, 하층막이 균일하게 형성되지 않는 문제가 발생될 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 가교제, 산 촉매, 산 발생제, 소포제 및 계면활성제로부터 선택되는 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체를 상기 유기용매에 녹여 웨이퍼 상에 코팅한 후, 높은 온도에서 자체적으로 가교 반응을 진행할 수도 있지만, 일반적으로 가교제와 촉매를 첨가하여 가교반응을 진행하게 된다. 상기 중합체와 가교제 및 촉매를 용매에 녹인 조성물은 여과 과정을 거쳐 입자성 불순물을 완전히 제거해 준다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물에 사용가능한 유기용매로는 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체와 가교제, 산 촉매 또는 산 발생제를 잘 녹이는 것이면 어떤 것이든 무관하지만, 일반적으로 반도체 제조 공정에 사용하는 유기 용매로서, 사이클로헥사논, 2-헵탄논, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 감마-부티로락톤, 에틸 락테이트, 디메틸 술폭사이드, 디메틸 아세트아마이드, N-메틸피롤리돈 등을 사용할 수 있다.
상기 가교제는 가교 반응을 유도하여 하층막을 더욱 경화시키기 위한 것으로서, 본 발명의 레지스트 하층막 조성물에 사용가능한 가교제로는 한정이 있는 것은 아니나, 일례로 하기 화학식 5 내지 11로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112015067982642-pat00024
[화학식 6]
Figure 112015067982642-pat00025
[화학식 7]
Figure 112015067982642-pat00026
상기 화학식 7에서, R21 및 R22는 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이고, R23은 (C1-C10)알킬기이다.
[화학식 8]
Figure 112015067982642-pat00027
[화학식 9]
Figure 112015067982642-pat00028
상기 화학식 9에서, R24, R25, R26 및 R27은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이고, R28 및 R29는 각각 독립적으로 수소원자, (C1-C10)알킬기 또는 할로(C1-C10)알킬기이다.
[화학식 10]
Figure 112015067982642-pat00029
상기 화학식 10에서 R30, R31, R32 및 R33은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이다.
[화학식 11]
Figure 112015067982642-pat00030
상기 화학식 11에서 R34, R35, R36, R37, R38 및 R39은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이다.
본 발명에서 사용가능한 가교제는 구체적으로 하기 구조로 예시될 수 있다.
Figure 112015067982642-pat00031
상기 가교제의 사용량은 종류에 따라 약간의 차이가 있지만, 본 발명의 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체 100 중량부에 대해 0.1 내지 30 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 20 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10 중량부가 적절하다. 가교제를 너무 적게 사용하면 가교가 충분히 진행되지 않아 상부 유기물 코팅 공정에서 용매에 녹는 단점이 있고, 너무 많이 사용하면 가교제가 가교 후에도 남아 있어 흄(Fume)이 많이 발생되어 레지스트의 안정성을 저하시키는 단점이 있다.
가교 공정에서 가교 속도를 높이기 위해 가교 촉매를 사용할 수도 있다. 가교 촉매는 염기성 촉매보다 산 촉매 또는 산 발생제가 더 유리하게 작용한다. 상기 산 발생제는 열 분해에 의해서 산을 발생하는 것, 광 조사에 의해서 산을 발생하는 것 모두 사용가능하다.
상기 산 촉매 또는 산 발생제는 중합체의 가교 반응의 온도를 낮추어 주고 가교율을 향상시키기 위하여 첨가되는 것으로, 본 발명에서 사용가능한 상기 산 촉매 또는 산 발생제로는 한정이 있는 것은 아니나, 일례로 하기 화학식 12 내지 17로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
[화학식 12]
Figure 112015067982642-pat00032
[화학식 13]
Figure 112015067982642-pat00033
[화학식 14]
Figure 112015067982642-pat00034
[화학식 15]
Figure 112015067982642-pat00035
[화학식 16]
Figure 112015067982642-pat00036
[화학식 17]
Figure 112015067982642-pat00037
상기 산 촉매는 톨루엔 술폰닉산과 같은 강산과, 열에 의해 분해되어 산이 발생되는 잠재성 산 발생제로 나눌 수 있다. 조성물 제조에 있어서는 톨루엔술폰닉 산과 같은 강산을 사용하는 것보다 잠재성 산 발생제를 사용하는 것이 보관 안정성 면에서 유리하다. 강산을 사용할 경우 레지스트 하층막 조성물의 보관안정성이 저하되는 단점이 있다. 상기 산 촉매 또는 산 발생제의 사용량은 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 중합체 100 중량부에 대해 0.01 내지 10 중량부가 적절하고 바람직하게는 0.05내지 5중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부가 적절하다. 이 또한 너무 적게 사용하면 경화속도가 느리게 진행되는 단점이 있는 반면에, 너무 많이 사용하면 경화물의 물성을 떨어지게 하는 단점이 있다. 특히 산의 세기가 크거나 많으면 흄이 많이 발생되는 단점이 있다.
상기 계면활성제는 레지스트 하층막 형성시, 코팅 균일성을 향상시키기 위해 사용할 수 있으며, 예를 들면, 상용화된 계면활성제인 에어프로덕트사의 설피놀 계열, DIC사의 F-시리즈(F-410, F-444, F-477, R-08, R-30 등) 등을 사용할 수 있다. 상기 계면활성제를 사용할 경우, 상기 계면활성제의 함량은 전체 레지스트 하층막 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부, 바람직하게는 0.2 내지 0.8 중량부이다. 상기 계면활성제의 함량이 전체 레지스트 하층막 조성물 100 중량부에 대하여, 1 중량부를 초과하면, 레지스트 막질이 불량해질 우려가 있다. 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물은 상기 성분들을 통상의 방법으로 블렌딩하여 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 하층막 조성물은 통상의 스핀 코팅에 의해 막을 형성할 수 있는 막 형성(film-forming) 특성을 가진다.
또한, 본 발명은 상기 레지스트 하층막 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성하는 방법을 제공한다. 구체적으로 레지스트 하층막 형성 방법은, 상기 레지스트 하층막 조성물을 기판 상부에 도포하는 단계; 및 상기 레지스트 하층막 조성물이 도포된 웨이퍼를 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 레지스트 하층막 조성물을 스핀 코팅(spin-coating) 방식으로 기판 상부에 도포되며, 코팅 두께는 특별히 한정되지 않으나, 50 내지 20,000 Å 두께로 기판 상부에 스핀 코팅될 수 있다. 또한, 가열 온도 200 내지 450℃, 바람직하게 300 내지 400℃에서 30초 내지 5분간 가열하여 기판 상부에 레지스트 하층막을 형성할 수 있다. 가열 과정을 마친 기판은 다음 공정을 위해 사용된다. 또한, 코팅 공정, 하층막의 두께, 가열 온도 및 시간은 상기 범위로 한정되는 것이 아니라, 목적하고자 하는 바에 따라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 상기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체를 포함하고 있어 에칭 내성, 열안정성, 코팅 균일도, 표면 평탄화성, 패턴 가장자리의 균일성 및 패턴의 기계적 물성이 뛰어나 하드 마스크 공정 또는 웨이퍼 표면을 평탄하게 만드는 공정에 적용가능하다. 또한, 본 발명의 레지스트 하층막 조성물은 상기 화학식 1의 반복단위를 갖는 레지스트 하층막 형성용 중합체의 높은 탄소 함량에도 불구하고 유기용매에 대한 용해도가 우수하여 획기적으로 향상된 저장안정성과 반도체 공정에서의 라인 혼용성을 가진다.
또한, 본 발명은 상기 레지스트 하층막 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. 구체적으로 상기 패턴 형성 방법은 1) 기판의 상부에 본 발명의 레지스트 하층막 조성물을 도포하고 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계; 2) 상기 1) 단계의 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 3) 상기 2) 단계의 레지스트 하층막과 포토레지스트 막이 피복된 기판을 노광시킨 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 4) 상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 레지스트 하층막을 식각하여 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및 5) 상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계;를 포함한다.
상기 기판은 통상적으로 사용가능한 것으로, 실리콘웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 2) 단계 이전에, 상기 1) 단계의 레지스트 하층막 상부에 통상의 실리콘 함유 레지스트 하층막(무기물 하층막) 또는 바닥반사방지막(bottom anti-refractive coating; BARC)을 더욱 형성시킬 수도 있다. 상기 실리콘 함유 레지스트 하층막(무기물 하층막)은 예를 들면 질화규소, 산화규소 또는 산화질화규소(SiON)로 만들어질 수 있다. 또한 상기 실리콘 함유 레지스트 하층막 위에 바닥반사방지막(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 중 노광 전 및/또는 노광 후에 각각 가열할 수 있으며, 상기 노광은 ArF, KrF, EUV를 포함하는 원자외선 (DUV; Deep Ultra Violet), 전자빔(Electron beam), X-선 및 이온빔으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상을 사용하여 수행될 수 있다. 또한 상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴 형성은 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 현상액(developer) 등의 통상적인 알칼리 수용액을 이용한 현상(develop)에 의하여 수행될 수 있고, 상기 4) 단계의 하층막의 제거는 CHF3/CF4 혼합가스 등을 이용한 드라이 에칭에 의하여 수행될 수 있으며, 상기 5) 단계의 기판의 에칭은 Cl2 또는 HBr 가스를 이용한 플라즈마 에칭에 의하여 수행될 수 있다. 여기서, 에칭 방법 등은 상기 내용으로 한정되는 것이 아니라, 공정 조건에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은 우수한 열안정성, 에칭 내성 및 코팅 균일도가 뛰어난 상기 화학식 1의 반복단위를 갖는 중합체에 의해 형성되는 것으로서, 열안정성, 에칭 내성 및 코팅 균일도가 우수하다. 또한, 상기 중합체의 높은 탄소 함량에도 불구하고 유기용매에 대한 용해도가 우수하여 획기적으로 향상된 저장안정성과 반도체 공정에서의 라인 혼용성을 가진다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 중합체 (I)의 제조
Figure 112015067982642-pat00038
화합물 (I-a)의 제조
플라스크에 알루미늄 클로라이드 8.2 g, 파이렌 5 g, 디클로로에탄 50 mL을 투입 후 질소 분위기를 조성한다. 반응물을 0 ℃로 냉각하고 4-메톡시벤조일클로라이드 8.4 g을 디클로로에탄 10 mL에 녹여 천천히 투입한다. 투입이 끝나면 상온에서 6시간 동안 교반시킨다. 반응 진행이 완료되면 0 ℃로 냉각한 증류수 50 mL에 반응 혼합물을 천천히 투입하여 교반한다. 반응물에 1.0 M 수산화나트륨 수용액 50 mL을 추가로 투입하여 30 분 동안 교반하고
층분리한다. 분리해낸 유기층은 암모늄 클로라이드 포화 수용액 100 mL로 2회 씻어준 후 감압 증류로 용매를 제거한다. 얻어진 고체는 실리카 크로마토그래피로 정제하고 건조시켜 연노랑 고체의 화합물 (I-a)를 얻었다(4.8 g).
화합물 (I-b)의 제조
플라스크에 화합물 (I-a) 4.8 g, 1-도데칸싸이올 7.8 g, 수산화칼륨 2.1 g을 투입하고 DMF 50 mL에 녹인 후 120℃에서 6시간 동안 교반한다. 반응 진행이 완료되면 0 ℃로 냉각 후 1.0M 염산 수용액 50 mL을 천천히 투입한다. 에틸아세테이트 50mL을 추가 투입하여 유기층으로 2회 추출한다. 층 분리 후 유기층은 염화나트륨 포화수용액 50 mL 으로 2회 씻고 감압 증류로 용매를 제거하여 연노랑 고체의 화합물 (I-b)을 얻었다(3 g).
중합체 (I-c)의 제조
플라스크에 화합물 (I-b) 23.7 g, 4,4-디플루오로벤조페논 4.8 g, 포타슘카보네이트 9.0 g을 디메틸포름아마이드 300 mL에 녹인 후 150℃에서 6시간 동안 교반시켰다. 반응 진행이 완료되면 상온으로 냉각한 후 반응 혼합물을 과량의 1% 염산 수용액에 서서히 첨가하여 생성된 중합체를 침전시켰다. 침전된 중합체를 여과하고 과량의 탈이온수로 세척해준 후 여과하여 얻은 고체 성분을 90℃ 진공오븐에서 24시간 이상 건조시켜 중합체 (I-c)를 20 g 얻었다. 상기 건조된 중합체 (I-c)를 GPC로 분석한 결과 폴리스티렌환산 중량평균 분자량이 2,700 이었다.
중합체 (I)의 제조
중합체 (I-c) 20 g과 테트라하이드로퓨란 100 g을 플라스크에 투입 후 교반하며 0 ℃로 냉각시킨다. 반응액에 1.0 M 메틸마그네슘브로마이드 테르라하이드로퓨란 용액 46 mL를 투입하고 상온에서 12 시간 교반시킨다. 반응 진행이 완료되면 0 ℃로 냉각 후, 암모늄클로라이드 포화 수용액 100 mL를 반응물에 투입하고, 에틸아세테이트 50 mL 를 투입 하여 중합체를 유기층으로 추출한다. 층분리 후 유기층은 암모늄 클로라이드 포화 수용액 100 mL로 1회, 염화나트륨 포화수용액 100 mL로 1회 씻어준 후, 감압 증류로 800 mL 내외 용매를 제거한다. 남은 유기층은 0 ℃로 냉각한 헥산 200 mL에 투입하여 중합체를 침전시킨다. 침전된 중합체를 여과하고 과량의 탈이온수로 세척해준 후 여과하여 얻은 고체 성분을 90℃ 진공오븐에서 24시간 이상 건조시켜 중합체 (I)를 15g 얻었다. 상기 건조된 중합체 (I)를 GPC로 분석한 결과 폴리스티렌환산 중량평균 분자량이 2,900 이었다.
[실시예 2 및 비교예 1]
하기 표 1에 기재된 조성에 따라, 용매(50g)에 중합체, 가교제 및 산촉매를 용해시킨 후 0.05 ㎛ 필터로 여과하여 입자성 불순물이 완전히 제거된 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다.
중합체로는 중합체 I 및 중합체 I-c을 사용하였다. 가교제로는 화학식 5의 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리코루릴(1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril)을 사용하였고, 산 촉매로는 화학식 13의 피리디늄 톨루엔술폰네이트(pyridinium p-toluenesulfonate)를 사용하였다. 용매로는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)를 사용하였다.
중합체 가교제 촉매
실시예 2 I (5g) 화학식 5 (0.5g) 화학식 13 (0.05g)
비교예 1 I-c (5g) 화학식 5 (0.5g) 화학식 13 (0.05g)
[시험예 1] 레지스트 하층막의 제조 및 평가
상기 실시예 2 및 비교예 1의 하층막 조성물을 각각 실리콘 웨이퍼 위에 스핀코팅한 후 400℃에서 120초간 가열하여 2800 Å 두께의 레지스트 하층막을 형성하였다.
실리콘 웨이퍼 상에 형성된 레지스트 하층막 표면을 육안 또는 SEM(Scanning Electron Microscope) 등을 이용하여 관찰하였다. 표면 관찰을 통해, 가교 정도, 표면 균일도, 크랙 유무, 패턴 거칠기 및 흄 발생(400℃)에 대해 ◎ : 매우 우수, ○ : 우수, △ : 중간, × : 좋지 않음으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다. 또한, 용해도에 대해 PMA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate), PM(Propylene Glycol Methyl Ether), EEP(Ethyl 3-ethoxypropionate) 또는 PMA/PM(부피비 3/7)의 혼합용매에 20중량%로 각각 용해시켰을 때 각 용액의 투명한 정도를 ◎ : 매우 우수, ○ : 우수, △ : 중간, × : 좋지 않음으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
레지스트 하층막 조성물 가교 정도 표면균일도 크랙유무 에칭
내성		 용해도
실시예 2 ◎ ◎ 무 ◎ ◎
비교예 1 △ △ 무 △ △
평가 1: 가교 정도
상기 제조된 레지스트 하층막의 가교능을 확인하기 위해서, 상기 가열 공정 진행 후, 하층막 두께를 측정하고, 하층막이 형성된 웨이퍼를 에틸락테이트 용액에 1분간 담근 후, 에틸락테이트를 완전히 제거하기 위해 증류수를 이용하여 세척하고, 100℃의 핫플레이트에서 10초간 베이크한 후 다시 하층막의 두께를 측정하여, 레지스트 하층막 용해도를 확인하였다.
평가 2: 갭-필 특성 및 평탄화 특성
상기 실시예 2 및 비교예 1의 하층막 조성물을 패턴이 식각되어 있는 실리콘 웨이퍼 위에 스핀-코팅하고, 400℃에서 120초동안 열처리시켜 하층막을 형성한 후, 전계방출 전자주사전자현미경(field emission scanning electron microscope: FE-SEM)을 이용하여 갭-필 특성 및 평탄화 특성을 관찰하였다. 갭-필 특성은 패턴 단면을 FE-SEM으로 관찰하여 보이드(void) 발생 유무로 판별하였고, 평탄화 특성은 FE-SEM으로 관찰된 패턴 단면의 이미지로부터 하층막의 두께를 측정하여 하기 계산식 1로 수치화하였다. 평탄화 특성은 h1 및 h2의 차이가 크기 않을수록 우수한 것이므로 그 수치가 작을수록 평탄화 특성이 우수한 것이다.
[계산식 1]
Figure 112015067982642-pat00039
레지스트 하층막 조성물 평탄화 특성 갭필 특성
실시예 2 10.5 Void free
비교예 1 15.1 Void 발생
평가 3: 열안정성
상기 실시예 2 및 비교예 1의 하층막 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀-온 코팅 방법으로 도포한 후, 핫플레이트 위에서 240℃로 1분간 열처리하여 박막을 형성하였다. K-MAC社의 박막두께측정기로 상기 박막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 박막을 400℃에서 2분 동안 다시 열처리한 후 박막의 두께를 측정하였다.
레지스트 하층막 조성물 박막 두께 감소율 (%)
실시예 2 -3.8
비교예 1 -10
평가 4: 에칭내성
상기 실시예 2 및 비교예 1의 하층막 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀-온 코팅 방법으로 도포한 후, 400℃로 2분간 열처리(bake)하여 하층막을 형성하였다. 이어서 상기 하층막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 하층막에 N2/O2 혼합 가스 및 CFx 가스를 사용하여 각각 60초 및 100초 동안 건식 식각한 후 하층막의 두께를 다시 측정하였다. 건식 식각 전후의 하층막의 두께와 식각 시간으로부터 하기 계산식 2에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.
[계산식 2]
(초기 박막 두께 - 식각 후 박막 두께)/식각 시간 (Å/s)
레지스트 하층막 조성물 N2/O2 식각율(Å/s) CFx 식각율(Å/s)
실시예 2 24.7 27.1
비교예 1 27.1 27.5
평가 5: 용해도 및 저장안정성
PGMEA 20% 용액에 대하여 아래의 테스트 용매 각각을 1:1로 혼합하여 시간에 따른 침전물의 생성 여부 확인 및 경시 변화를 50℃에서 21일간 추적 평가하였다.
테스트 용매: E/L(Ethyl lactate), PGME, C/H(Cyclohexanone), PGME/PGMEA : 70/30 또는 EEP(Ethyl 3-etoxy propionate), 용해도 및 저장안정성 정도를 ◎ : 매우 우수, ○ : 우수, △ : 중간, × : 좋지 않음으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 6에 기재하였다.
레지스트 하층막 조성물 용해도 저장안정성
실시예 2 ◎ ◎
비교예 1 △ △
[시험예 2] 패턴의 형성
상기 실시예 2의 하층막 조성물을 웨이퍼 위에 스핀코팅한 후 250℃에서 60초간 베이킹하여 두께 130 nm의 하층막을 형성한 후 상기 하층막 위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃ 에서 60초간 베이킹하여 두께 90nm의 포토레지스트층을 형성하였다. 상기 포토레지스트층을 ArF 엑시머 레이저 스캐너((주)니콘 제조, NSR-S305B, NA=0.68, σ=0.85)를 사용해 노광(exposure)하고, 90℃에서 90초간 베이킹하였다. 그 후 TMAH(2.38wt% 수용액) 현상액(developer)으로 60초간 현상(develop)하여 포토레지스트 패턴을 얻었다. 상기 얻어진 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하층막을 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 BCl3/Cl2 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 다시 진행하였다. 마지막으로 O2가스를 사용하여 남아 있는 유기물을 모두 제거하였다.
상기 포토리소그라피 공정 후 및 에칭 공정 후 패턴 단면을 FE-SEM으로 관찰하였으며, 이로부터 수직모양의 하드매스크 층 패턴 모양 및 패턴 구현도(pattern fidelity), CD 균일도, Line width 거칠기(roughness)등의 측면에서 우수한 성질을 보임을 알 수 있었다.

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체:
    [화학식 1]
    Figure 112022048966573-pat00040

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 하기 구조에서 선택되며;
    Figure 112022048966573-pat00069

    Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 C=O, NRa, O, S 또는 CRbRc이고; Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, 할로겐, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴이고, 상기 알킬, 사이클로알킬 및 아릴은 할로겐, (C1-C10)알킬, 할로(C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴로 더 치환될 수 있고;
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
    L은
    Figure 112022048966573-pat00041
    ,
    Figure 112022048966573-pat00042
    또는
    Figure 112022048966573-pat00043
    이고;
    Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
    Ar5는 3가의 (C6-C30)아릴렌이고;
    Ar6는 (C6-C30)아릴이고;
    상기 Ar3, Ar4 및 Ar5의 아릴렌, 및 Ar6의 아릴은 각각 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C1-C10)알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C10)알킬(C6-C20)아릴 및 (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
    R은 수소, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
    w는 1 내지 5의 정수이고;
    u는 0 또는 1의 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    하기 화학식 2, 3 또는 4의 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체:
    [화학식 2]
    Figure 112015067982642-pat00044

    [화학식 3]
    Figure 112015067982642-pat00045

    [화학식 4]
    Figure 112015067982642-pat00046

    (상기 Ar, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6, R, w 및 u는 청구항 제1항의 화학식 1에서의 정의와 동일하다.)
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 중합체의 중량평균 분자량은 500 이상인 레지스트 하층막 형성용 중합체.
  4. 삭제
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 페닐렌, 나프틸렌, 바이페닐렌, 플루오레닐렌,트라이페닐렌, 안트릴렌, 파이레닐렌, 크라이세닐렌 또는 나프타세닐렌이고; Ar5는 3가의 페닐렌, 나프틸렌, 바이페닐렌, 플루오레닐렌,트라이페닐렌, 안트릴렌, 파이레닐렌, 크라이세닐렌 또는 나프타세닐렌이고; Ar6는 페닐, 나프틸, 바이페닐, 플루오레닐,트라이페닐, 안트릴, 파이레닐, 크라이세닐 또는 나프타세닐이고; R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 페닐, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오레닐, 페난트레닐, 안트라세닐, 트라이페닐레닐, 파이레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 벤질, 나프틸메틸, 안트릴메틸, 파이레닐메틸, 트라이페닐메틸 또는 톨릴이고; w는 1 또는 2의 정수이고; u는 0 또는 1의 정수인 레지스트 하층막 형성용 중합체.
  6. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체; 및 유기용매;를 포함하는 레지스트 하층막 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112022048966573-pat00049

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 하기 구조에서 선택되며;
    Figure 112022048966573-pat00070

    Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 C=O, NRa, O, S 또는 CRbRc이고; Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, 할로겐, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴이고, 상기 알킬, 사이클로알킬 및 아릴은 할로겐, (C1-C10)알킬, 할로(C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴로 더 치환될 수 있고;
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
    L은
    Figure 112022048966573-pat00050
    ,
    Figure 112022048966573-pat00051
    또는
    Figure 112022048966573-pat00052
    이고;
    Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 (C6-C30)아릴렌이고;
    Ar5는 3가의 (C6-C30)아릴렌이고;
    Ar6는 (C6-C30)아릴이고;
    상기 Ar3, Ar4 및 Ar5의 아릴렌, 및 Ar6의 아릴은 각각 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬, (C6-C20)아릴, (C1-C10)알콕시, (C6-C20)아릴옥시, (C1-C10)알킬(C6-C20)아릴 및 (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
    R은 수소, (C1-C20)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 또는 (C6-C20)아릴이고, R의 알킬, 사이클로알킬 또는 아릴은 (C1-C10)알킬, (C3-C10)사이클로알킬 및 (C6-C20)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환체로 더 치환될 수 있고;
    w는 1 내지 5의 정수이고;
    u는 0 또는 1의 정수이다.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 형성용 중합체는 하기 화학식 2, 3 또는 4의 반복단위를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112015067982642-pat00053

    [화학식 3]
    Figure 112015067982642-pat00054

    [화학식 4]
    Figure 112015067982642-pat00055

    (상기 Ar, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6, R, w 및 u는 청구항 제6항의 화학식 1에서의 정의와 동일하다.)
  8. 제 6항에 있어서,
    전체 레지스트 하층막 조성물에 대하여 상기 화학식 1의 레지스트 하층막 형성용 중합체 0.5 내지 50 중량% 및 유기용매 50 내지 99.5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 유기용매는 사이클로헥사논, 2-헵탄논, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 감마-부티로락톤, 에틸 락테이트, 디메틸 술폭사이드, 디메틸 아세트아마이드 및 N-메틸 피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물.
  10. 제 6항에 있어서,
    가교제, 산 촉매, 산 발생제, 소포제 및 계면활성제로부터 선택되는 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 가교제는 하기 화학식 5 내지 11로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물.
    [화학식 5]
    Figure 112015067982642-pat00056

    [화학식 6]
    Figure 112015067982642-pat00057

    [화학식 7]
    Figure 112015067982642-pat00058

    상기 화학식 7에서, R21 및 R22는 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이고, R23은 (C1-C10)알킬기이다.
    [화학식 8]
    Figure 112015067982642-pat00059

    [화학식 9]
    Figure 112015067982642-pat00060

    상기 화학식 9에서, R24, R25, R26 및 R27은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이고, R28 및 R29는 각각 독립적으로 수소원자, (C1-C10)알킬기 또는 할로(C1-C10)알킬기이다.
    [화학식 10]
    Figure 112015067982642-pat00061

    상기 화학식 10에서 R30, R31, R32 및 R33은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이다.
    [화학식 11]
    Figure 112015067982642-pat00062

    상기 화학식 11에서 R34, R35, R36, R37, R38 및 R39은 각각 독립적으로 하이드록시기 또는 (C1-C3)알콕시기이다.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 산 촉매 또는 산 발생제는 하기 화학식 12 내지 17로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 조성물.
    [화학식 12]
    Figure 112015067982642-pat00063

    [화학식 13]
    Figure 112015067982642-pat00064

    [화학식 14]
    Figure 112015067982642-pat00065

    [화학식 15]
    Figure 112015067982642-pat00066

    [화학식 16]
    Figure 112015067982642-pat00067

    [화학식 17]
    Figure 112015067982642-pat00068
  13. a) 제 6항 내지 제 12항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 레지스트 하층막 조성물을 기판 상부에 도포하는 단계; 및
    b) 상기 a) 단계의 기판을 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계;
    를 포함하는 레지스트 하층막의 형성 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 b) 단계의 가열은 200 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막의 형성 방법.
  15. 1) 제 6항 내지 제 12항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 레지스트 하층막 조성물을 기판의 상부에 도포하고 가열하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계;
    2) 상기 1) 단계의 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
    3) 상기 2) 단계의 레지스트 하층막과 포토레지스트 막이 피복된 기판을 노광시킨 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    4) 상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 레지스트 하층막을 식각하여 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및
    5) 상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계;
    를 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 2) 단계 이전에, 상기 1) 단계의 레지스트 하층막 상부에 무기물 레지스트 하층막 또는 바닥반사방지막(bottom anti-refractive coating; BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 3) 단계의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 중 노광 전 및/또는 노광 후에 각각 가열하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 노광은 ArF, KrF, EUV를 포함하는 원자외선 (DUV; Deep Ultra Violet), 전자빔(Electron beam), X-선 및 이온빔으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
KR1020150099736A 2015-07-14 2015-07-14 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 KR102421597B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150099736A KR102421597B1 (ko) 2015-07-14 2015-07-14 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
US15/207,817 US9996007B2 (en) 2015-07-14 2016-07-12 Polymer for preparing resist underlayer film, resist underlayer film composition containing the polymer and method for manufacturing semiconductor device using the composition
CN201610557190.6A CN106565952B (zh) 2015-07-14 2016-07-14 用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，含有其的组合物及使用该组合物制造半导体装置的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150099736A KR102421597B1 (ko) 2015-07-14 2015-07-14 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170008488A KR20170008488A (ko) 2017-01-24
KR102421597B1 true KR102421597B1 (ko) 2022-07-18

Family

ID=57774810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150099736A KR102421597B1 (ko) 2015-07-14 2015-07-14 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9996007B2 (ko)
KR (1) KR102421597B1 (ko)
CN (1) CN106565952B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6652747B2 (ja) * 2014-11-04 2020-02-26 日産化学株式会社 アリーレン基を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
KR101970325B1 (ko) * 2017-01-20 2019-08-13 동우 화인켐 주식회사 흑색 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 화상표시장치용 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 및 블랙 매트릭스 일체형 컬럼 스페이서
KR102047538B1 (ko) * 2017-02-03 2019-11-21 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102351175B1 (ko) * 2017-07-25 2022-01-14 에스케이이노베이션 주식회사 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
WO2019043140A1 (en) * 2017-09-04 2019-03-07 Solvay Specialty Polymers Italy S.P.A. POLYARYLENE-ETHER FLUORÉ RETICULABLE
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
US11609498B2 (en) 2017-12-20 2023-03-21 Merck Patent Gmbh Ethynyl derived composite, a composition comprising thereof, a method for manufacturing a coating by it, and a method for manufacturing a device comprising the coating
US11022882B2 (en) 2018-06-20 2021-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Compound and composition for forming organic film
US20220197143A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Adhesion promoting photoresist underlayer composition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001019761A (ja) * 1999-06-04 2001-01-23 Xerox Corp ポリマー及びポリマーの製造方法
JP2012237975A (ja) 2011-04-28 2012-12-06 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP2013167669A (ja) 2012-02-14 2013-08-29 Shin Etsu Chem Co Ltd ケイ素含有表面改質剤、これを含むレジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316165B1 (en) * 1999-03-08 2001-11-13 Shipley Company, L.L.C. Planarizing antireflective coating compositions
US6927273B2 (en) * 2002-12-17 2005-08-09 Xerox Corporation Process for preparing substituted polyarylene ethers
JP4662063B2 (ja) 2006-05-25 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
CN101735591B (zh) * 2009-11-20 2011-08-10 清华大学 有机无机杂化交联磺化聚芳醚酮聚合物电解质材料及其制备方法
KR101432506B1 (ko) * 2010-09-09 2014-08-21 에스케이이노베이션 주식회사 교차연결된 분자량이 큰 사슬을 포함하는 폴리(알킬렌 카보네이트)의 제조 방법
KR101866828B1 (ko) * 2010-10-14 2018-06-14 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
CN103221888B (zh) * 2010-11-17 2016-06-29 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
JP5589019B2 (ja) * 2011-06-14 2014-09-10 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法
KR101531610B1 (ko) * 2011-12-30 2015-06-24 제일모직주식회사 하드마스크 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스
JP6311703B2 (ja) * 2013-03-29 2018-04-18 Jsr株式会社 組成物、パターンが形成された基板の製造方法、並びに膜及びその形成方法
KR101666483B1 (ko) 2013-04-12 2016-10-14 제일모직 주식회사 레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스
US9601325B2 (en) 2014-06-24 2017-03-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic resins for underlayers
KR102385375B1 (ko) * 2015-07-13 2022-04-11 에스케이이노베이션 주식회사 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001019761A (ja) * 1999-06-04 2001-01-23 Xerox Corp ポリマー及びポリマーの製造方法
JP2012237975A (ja) 2011-04-28 2012-12-06 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP2013167669A (ja) 2012-02-14 2013-08-29 Shin Etsu Chem Co Ltd ケイ素含有表面改質剤、これを含むレジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9996007B2 (en) 2018-06-12
CN106565952A (zh) 2017-04-19
CN106565952B (zh) 2020-07-24
US20170015779A1 (en) 2017-01-19
KR20170008488A (ko) 2017-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102421597B1 (ko) 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR102385375B1 (ko) 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR101566533B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법
KR102350796B1 (ko) 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102324658B1 (ko) 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 레지스트 하층막의 형성 방법
JP7273023B2 (ja) 新規のレジスト下層膜形成用重合体、これを含むレジスト下層膜形成用組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
KR20130078432A (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
TWI535697B (zh) 硬罩幕組成物與其使用的單體及其圖案形成方法
KR101497132B1 (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR102543300B1 (ko) 반도체 제조 공정에 사용하는 열안정성 및 저장안정성이 우수한 신규한 중합체, 이를 포함하는 하층막 조성물 및 이를 이용한 하층막의 형성 방법
KR102148772B1 (ko) 신규한 중합체, 이를 포함하는 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 방법
WO2017126780A1 (ko) 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR102101275B1 (ko) 신규 중합체 및 이를 포함하는 반도체 제조용 레지스트 하층막 조성물
KR101984867B1 (ko) 플루오렌 화합물을 포함하는 반도체 제조용 레지스트 하층막 조성물
KR101693612B1 (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
CN111542558B (zh) 聚合物、有机层组成物及形成图案的方法
KR102632885B1 (ko) 플루오렌계 유기 화합물, 이를 포함하는 유기막 및 응용
JP7353445B2 (ja) ハードマスク組成物、ハードマスク層およびパターン形成方法
KR101804260B1 (ko) 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR20150013415A (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101599958B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR20230101485A (ko) 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
KR20170135653A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 반도체 제조용 하층막 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant