JP2001019761A - ポリマー及びポリマーの製造方法 - Google Patents

ポリマー及びポリマーの製造方法

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JP2001019761A JP2000155817A JP2000155817A JP2001019761A JP 2001019761 A JP2001019761 A JP 2001019761A JP 2000155817 A JP2000155817 A JP 2000155817A JP 2000155817 A JP2000155817 A JP 2000155817A JP 2001019761 A JP2001019761 A JP 2001019761A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱に安定で、電気絶縁性で、機械的強度が大
きく、インキジェットプリントヘッドに適し、光パター
ン形成が可能である、架橋可能又は鎖延長可能なポリマ
ーを提供する。 【解決手段】 次の構造式で示されるポリマーを提供す
る。 【化1】 式中、Aは、次の構造式で示される基、 【化2】 又は、次の構造式で示される基の混合物であり、 【化3】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
それらの混合物であり、Bは、次の構造式で示される特
定の基のいずれか、又はそれらの混合物であり、 【化4】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高性能ポリマーと
その製造法に関するものである。更に詳細に述べるなら
ば、本発明は、フォトレジスト、超小型電子装置、イン
キジェットプリントヘッド、電子写真用画像形成部材等
の用途に適する高性能ポリマーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】超小型電子技術的用途において、層間誘
電層や、超小型回路を保護する不動態層として用いるた
めの、比誘電率が低く、ガラス転移温度が高く、熱的に
安定で、光パターン形成が可能なポリマーが強く求めら
れている。この要求を満たすため、ポリイミド類が広く
用いられているが、この素材には、水の収着が比較的大
きく、加水分解し易いといった欠点がある。このため、
効率の良い光パターン形成と高解像度の現像を可能とす
る高性能ポリマーが求められている。
【0003】このような材料は、インキジェットプリン
トヘッドの製造には特に必要とされる。
【0004】本発明の光パターン形成ポリマーは、他の
フォトレジストの用途、例えば、他の超小型電子技術的
用途、プリント回路板、リソグラフィ印刷法、層間誘電
体等にも適している。
【0005】米国特許第5,994,425号では、モ
ノマー繰り返し単位の少なくとも一部に感光性付与置換
基を含む、光パターン形成可能なポリマーを含んだ、改
良された組成物を開示している。この光パターン形成ポ
リマーは次の一般式で示される。
【0006】
【化69】 又は、
【化70】 式中、xは0又は1の整数であり、Aは例えば次の式で
示される基であり、
【化71】 Bは次の式で示される基のいずれか、又はそれらの混合
物である。
【0007】
【化72】 nは、繰り返しモノマー単位の数を示す整数である。ま
た本願には、前述のポリマーを用いたサーマルインキジ
ェットプリントヘッドの製造法と、上述の構造式の架橋
又は鎖延長ポリマーの層を含むサーマルインキジェット
プリントヘッドも開示されている。
【0008】米国特許第5,814,426号では、伝
導性基材と、光発生材料と、次の構造式I、II、III 、
IV、V、VI、VII 、VIII、IX、又はXのポリマーを含ん
だバインダとを含む、画像形成部材を開示している。
【0009】
【化73】
【化74】
【化75】
【化76】
【化77】
【化78】 式中、xは0又は1の整数であり、Aは、次の式で示さ
れる基又はそれらの混合物であり、
【化79】
【化80】 Bは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化81】
【化82】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化83】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化84】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化85】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化86】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化87】
【化88】 Cは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化89】 式中、Rは、アルキル基、アリール基、アリールアルキ
ル基、又はそれらの混合物であり、m及びnは、繰り返
し単位の数を示す整数である。
【0010】米国特許第5,882,814号では、伝
導性基材と、光発生層と、次の構造式I、II、III 、I
V、V、VI、VII 、VIII、IX、又はXのポリマーを含ん
だ電荷輸送層とを含む、画像形成部材を開示している。
【0011】
【化90】
【化91】
【化92】
【化93】
【化94】 式中、xは0又は1の整数であり、Aは、次の式で示さ
れる基又はそれらの混合物であり、
【化95】
【化96】 Bは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化97】
【化98】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化99】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化100】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化101】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化102】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化103】
【化104】 又は、
【化105】 であり、式中、(1)Zは、
【化106】 又は、
【化107】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化108】 又は、
【化109】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化110】 又は、
【化111】 であり、(5)Xは、
【化112】
【化113】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化114】 又は、
【化115】 であり、(6)qは0又は1であり、B基の少なくとも
一部は、次の構造式で示されるものであり、
【化116】 Cは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化117】 式中、Rは、アルキル基、アリール基、アリールアルキ
ル基、又はそれらの混合物であり、m及びnは、繰り返
し単位の数を示す整数である。
【0012】米国特許第5,874,192号では、伝
導性基材と、光発生材料と、電荷輸送材料と、ポリマー
バインダとを含む画像形成部材を開示している。このポ
リマーバインダは、(a)ポリカーボネートを含む第1
ポリマーと、(b)次の構造式I、II、III 、IV、V、
VI、VII 、VIII、IX、又はXの第2ポリマーとを含むも
のである。
【0013】
【化118】
【化119】
【化120】
【化121】
【化122】 式中、xは0又は1の整数であり、Aは、次の式で示さ
れる基又はそれらの混合物であり、
【化123】
【化124】 Bは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化125】
【化126】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化127】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化128】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化129】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化130】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化131】
【化132】 Cは、次の式で示される基又はそれらの混合物であり、
【化133】 式中、Rは、アルキル基、アリール基、アリールアルキ
ル基、又はそれらの混合物であり、m及びnは、繰り返
し単位の数を示す整数である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】既知の組成物及び製造
法はその意図する目的には適しているが、超小型電子技
術的用途に適した、改良された素材が求められている。
またより優れたインキジェットプリントヘッドも求めら
れている。更に、熱に安定で、電気絶縁性、また機械的
強度が大きく、インキジェットインキ組成物に用いる材
料に対して化学的に不活性で、超小型電子装置の製造に
おける後硬化工程での収縮が小さく、また貯蔵寿命が比
較的長いなどの特長を持つ、架橋可能又は鎖延長可能な
ポリマー材料が求められている。また、比較的低い露光
エネルギーでパターン形成が可能な、光パターン形成ポ
リマー材料が求められている。更に、硬化後の形態での
耐溶剤性が良好で、スピンキャスティング法で超小型電
子装置に塗布及び硬化した場合に、稜線のビードが少な
く、また膨らみや窪みがなく、比誘電率が比較的低く、
水の収着が少なく、特にアルカリ性溶液に暴露した場合
に加水分解しにくいなどの特長を持つ、架橋可能又は鎖
延長可能なポリマー材料が求められている。また、高
温、典型的には約150℃以上でも安定で、ガラス転移
温度が高く、又は十分に架橋しているため露光後の低温
相転移が無く、熱膨張率が小さいなどの特長を持つ、光
パターン形成可能なポリマー材料も求められている。更
に、熱的に安定で、約30μm又はそれ以上の厚いフィ
ルムに成型でき、露光前のTgが低く、比誘電率が低
く、水の収着が少なく、膨張率が小さく、所望の機械的
特性及び接着性を持ち、層間誘電体、例えば高温で使用
される層間誘電体として一般に望ましく、また光パター
ン形成が可能であるポリマーが求められている。また加
工性に優れたフォトレジスト組成物も求められている。
更にまた、改良された感光性画像形成部材も求められて
いる。また、感光性画像形成部材に用いられる改良され
たバインダも求められている。更に、画像形成部材の光
発生層や電荷輸送層での使用に適し、ガラス転移温度が
高く、電荷輸送材料や可塑剤を大量に混ぜることがで
き、フィルム特性が良好で、画像形成部材の基材への接
着性が良いなどの特長を持つポリマーバインダが求めら
れている。また、様々な溶媒に対して強い耐性を持つ画
像形成部材用ポリマーバインダが求められている。更
に、あまり可塑化を起こさずに、N,N´−ジフェニル
−N,N´−ビス(3´´−メチルフェニル)−(1,
1´−ビフェニル)−4,4´−ジアミン[別名:N,
N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3−メチルフェニ
ル)ベンジジン]などの電荷輸送材料を50重量%以上
混合できる、画像形成部材の電荷輸送層に適したポリマ
ーバインダが求められている。感光性画像形成部材上
に、様々な溶媒からの塗布が可能で、電荷輸送分子の結
晶化が少なく、又は無く、広く使用されている感光体バ
インダポリマーに比べて結晶化しにくい、などの特長を
持つポリマーバインダも求められている。また、耐摩耗
性で、オーブン乾燥後も平らである光導電性画像形成部
材も求められている。光導電性画像形成部材に一般に使
用されている既知のポリマーに比べて耐摩耗性に優れた
ポリマーバインダ及び(電荷)輸送ポリマーも求められ
ている。また、塗布用溶媒の除去後も反りが無く、応力
がかからない光導電性画像形成部材も求められている。
更に、光導電性画像形成部材の接着層材料や、保護用上
塗り層材料としての使用に適し、また、溶媒と混合して
画像形成部材上に塗布する場合、特に、本発明のポリマ
ーを含む層の上に、その層が乾燥する前に上塗りを行う
単回乾燥法において、光導電性画像形成部材の上塗りと
して通常使用される材料(ラックアミド(LUCKAM
IDE)など)との接着性が良いポリマーが求められて
いる。光導電性画像形成部材に混合した場合、バイアス
荷電ロールに対しての耐摩耗性に優れ、一般的に用いら
れる、1,1−シクロヘキシル−4,4´−ビスフェノ
ールを基にしたポリカーボネートなどの、2倍近い耐摩
耗性を示すポリマーが求められている。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は次の構造式で示
されるポリマーに関するものである。
【0016】
【化134】 式中、Aは、次の式で示される基、
【化135】 又は次の式で示される基の混合物であり、
【化136】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
それらの混合物であり、Bは、次の式で示される基、
【化137】
【化138】
【化139】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化140】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化141】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化142】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化143】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
であり、
【化144】 式中、pは0又は1の整数であり、
【化145】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化146】 式中、(1)Zは、
【化147】 又は、
【化148】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化149】 又は、
【化150】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化151】 又は、
【化152】 であり、(5)Xは、
【化153】
【化154】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化155】 又は、
【化156】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
れらの混合物であり、nは繰り返しモノマー単位の数を
示す整数である。本発明の他の態様は、次の構造式で示
されるポリマーに関するものである。
【0017】
【化157】 式中、Pは、ポリマーの架橋を可能とする置換基であ
り、a、b、c、dは各々、0、1、2、3、又は4の
整数で、ポリマーのモノマー繰り返し単位の少なくとも
一部では、a、b、c、dの一つ以上は1以上であり、
A及びBは先に定義したとおりであり、nは繰り返しモ
ノマー単位の数を示す整数である。更に、本発明の他の
態様は、末端基とモノマー繰り返し単位を持つ前駆体ポ
リマーを架橋又は鎖延長させることにより生成した、架
橋又は鎖延長ポリマーに関するものである。前記前駆体
ポリマーは次の構造式で示される。
【0018】
【化158】 式中、Pは、ポリマーの架橋を可能とする置換基であ
り、a、b、c、dは各々、0、1、2、3、又は4の
整数で、ポリマーのモノマー繰り返し単位の少なくとも
一部では、a、b、c、dの一つ以上は1以上であり、
A及びBは先に定義したとおりであり、nは繰り返しモ
ノマー単位の数を示す整数である。架橋又は鎖延長は、
前駆体ポリマーのモノマー繰り返し単位の少なくとも一
部に含まれる架橋置換基によって行われる。また、本発
明の更に他の態様は、(i)前駆体ポリマーを製造する
工程と、(ii)前駆体ポリマーをボランと反応させ、ポ
リマーを生成する工程とを含む、ポリマーの製造方法に
関するものである。前駆体ポリマーは次の構造式で示さ
れる。
【0019】
【化159】 式中、Aは、次の式で示される基であり、
【化160】 Bは、次の式で示される基、
【化161】
【化162】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化163】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化164】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化165】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化166】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
であり、
【化167】 式中、pは0又は1の整数であり、
【化168】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化169】 式中、(1)Zは、
【化170】 又は、
【化171】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化172】 又は、
【化173】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化174】 又は、
【化175】 であり、(5)Xは、
【化176】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化177】 又は、
【化178】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
れらの混合物であり、nは繰り返しモノマー単位の数を
示す整数である。生成するポリマーは次の構造式で示さ
れる。
【0020】
【化179】 式中、Aは、次の式で示される基、
【化180】 又は次の式で示される基の混合物であり、
【化181】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
それらの混合物である。本発明のまた更に他の態様は、
(i)前駆体ポリマーを製造する工程と、(ii)前駆体
ポリマーを、構造式がRMgXである試薬と反応させる
工程と、(iii)次に、このポリマーに水又は酸を加え
て、ポリマーを生成する工程とを含む、ポリマーの製造
方法に関するものである。RMgXのRは、水素原子、
アルキル基、アリール基、又はそれらの混合物であり、
Xはハロゲン原子である。前駆体ポリマーは次の構造式
で示される。
【0021】
【化182】 式中、Aは、次の式で示される基であり、
【化183】 Bは、次の式で示される基、
【化184】
【化185】
【化186】 式中、vは1〜約20の整数であり、
【化187】 式中、zは2〜約20の整数であり、
【化188】 式中、uは1〜約20の整数であり、
【化189】 式中、wは1〜約20の整数であり、
【化190】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
であり、
【化191】 式中、pは0又は1の整数であり、
【化192】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、
【化193】 式中、(1)Zは、
【化194】 又は、
【化195】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化196】 又は、
【化197】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化198】 又は、
【化199】 であり、(5)Xは、
【化200】
【化201】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化202】 又は、
【化203】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
れらの混合物であり、nは繰り返しモノマー単位の数を
示す整数である。生成するポリマーは次の構造式で示さ
れる。
【0022】
【化204】 式中、Aは、次の式で示される基、
【化205】 又は次の式で示される基の混合物である。
【0023】
【化206】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
それらの混合物である。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明は、次の一般式で示される
ポリマー類に関するものである。
【0025】
【化207】 式中、Aは、次の式で示される基、
【化208】 又は次の式で示される基の混合物である。
【0026】
【化209】 式中、Rは、(a)水素原子、(b)非置換アルキル基
と、ヒドロキシアルキル基などの置換アルキル基とを含
むアルキル基(炭素数は、望ましくは1〜約20、より
望ましくは1〜約10、更に望ましくは1〜約5である
が、この範囲を越えても良い)、(c)非置換アリール
基と、ヒドロキシアリール基などの置換アリール基とを
含むアリール基(炭素数は、望ましくは6〜約18、よ
り望ましくは6〜約12、更に望ましくは6であるが、
この範囲を越えても良い)、又は(d)それらの混合物
である。Bは、次の式で示される基、
【化210】
【化211】
【化212】 式中、vは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化213】 式中、zは、望ましくは2〜約20、より望ましくは2
〜約10の整数であり、
【化214】 式中、uは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化215】
【化216】 式中、wは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化217】
【化218】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、(a)水素原
子、(b)非置換アルキル基と、ヒドロキシアルキル基
などの置換アルキル基とを含むアルキル基(炭素数は、
望ましくは1〜約20、より望ましくは1〜約10、更
に望ましくは1〜約5であるが、この範囲を越えても良
い)、(c)非置換アリール基と、ヒドロキシアリール
基などの置換アリール基とを含むアリール基(炭素数
は、望ましくは6〜約18、より望ましくは6〜約1
2、更に望ましくは6であるが、この範囲を越えても良
い)、又は(d)それらの混合物であり、pは、0又は
1の整数であり、
【化219】 式中、pは、0又は1の整数であり、
【化220】−(CH2O)t− 式中、tは、1〜約20の整数であり、
【化221】 式中、(1)Zは、
【化222】 又は、
【化223】−Ar−(X)p −Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化224】 又は、
【化225】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化226】 又は、
【化227】 であり、(5)Xは、
【化228】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化229】 又は、
【化230】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
物、あるいはそれらのヒドロキシ置換誘導体、それらの
ヒドロキシアルキル置換誘導体、それらのヒドロキシア
リール置換誘導体、若しくはそれらの混合物である。ヒ
ドロキシアルキル置換基の炭素数は、望ましくは1〜約
20、より望ましくは1〜約10、更に望ましくは1〜
約5であるが、この範囲を越えても良い。ヒドロキシア
リール置換基の炭素数は、望ましくは6〜約18、より
望ましくは6〜約12、更に望ましくは約6であるが、
この範囲を越えても良い。nは繰り返しモノマー単位の
数を示す整数である。望ましい置換誘導体の特定例を次
に幾つか挙げるが、これらに限るものではない。
【0027】
【化231】 式中、m及びnは各々、0、1、又は2の整数である。
【0028】
【化232】 式中、m及びnは各々、0、1、又は2の整数である。
【0029】
【化233】 式中、m、n、p、qは各々、0、1、又は2の整数で
ある。
【0030】
【化234】 式中、m及びnは各々、0、1、又は2の整数である。
【0031】望ましいnの値と、それに対応する重量平
均分子量及び数平均分子量は、そのポリマーを希望する
用途によって変わる。例えば、感光性付与基などの架橋
基を備え、フォトレジストやインキジェットプリントヘ
ッドなどに用いられるポリマーでは、nは、この素材の
重量平均分子量が約1,000〜約10万、望ましくは
約1,000〜約65,000、より望ましくは約1,
000〜約4万、更に望ましくは約3,000〜約2
5,000となるような値が望ましいが、重量平均分子
量はこの範囲を越えるものでも良い。望ましくは、nは
約2〜約70、より望ましくは約5〜約70、更に望ま
しくは約8〜約50の整数であるが、この範囲を越えて
も良い。例えば、このポリマーを画像形成部材のバイン
ダポリマーとして用いる場合(架橋基で置換、非置換の
いずれの場合も)、nは、望ましくはこの素材の数平均
分子量(Mn)が、約1万〜約10万、より望ましくは
約3万〜約10万、更に望ましくは約3万〜約6万であ
り、重量平均分子量(Mw)が、望ましくは約2万〜約
35万、より望ましくは約10万〜約25万であり、多
分散性(Mw/Mn)が通常、約2〜約9、望ましくは約
3となるような値であるが、Mn及びMwはこの範囲を越
えても良く、また多分散値がこれより大きい又は小さい
ものも使用できる。フェニル基とA及び/又はB基も置
換され得るが、ポリマー上に架橋官能基を導入する場
合、B基上に酸素基に対しo−位(オルト位)に2個以
上の置換基があると、置換は困難となる。置換基は、架
橋官能基をポリマーへ導入する前でも後でも導入可能で
あり、また架橋官能基をポリマーへ導入する際に導入す
ることもできる。置換基及び/又は架橋基は、次の基本
構造式で示されるポリマーの調製前、調製中、あるいは
調製後に導入することができる。
【0032】
【化235】 適当な置換基の例としては、望ましくは炭素数1〜約6
の、飽和、不飽和、環状アルキル基などのアルキル基、
望ましくは炭素数1〜約6の、飽和、不飽和、環状置換
アルキル基などの置換アルキル基、望ましくは炭素数6
〜約24のアリール基、望ましくは炭素数6〜約24の
置換アリール基、望ましくは炭素数7〜約30のアリー
ルアルキル基、望ましくは炭素数7〜約30の置換アリ
ールアルキル基、望ましくは炭素数1〜約6のアルコキ
シ基、望ましくは炭素数1〜約6の置換アルコキシ基、
望ましくは炭素数6〜約24のアリールオキシ基、望ま
しくは炭素数6〜約24の置換アリールオキシ基、望ま
しくは炭素数7〜約30のアリールアルキルオキシ基、
望ましくは炭素数7〜約30の置換アリールアルキルオ
キシ基、ヒドロキシ基、等が挙げられるが、これらに限
定するものではない。
【0033】本発明の望ましい実施の形態の一つは、次
の構造式で示されるポリマーに関するものである。
【0034】
【化236】 式中、nは、繰り返しモノマー単位の数を示す整数であ
る。本発明の他の望ましい実施の形態は、次の構造式で
示されるポリマーに関するものである。
【0035】
【化237】 式中、nは、繰り返しモノマー単位の数を示す整数であ
る。
【0036】本発明のポリマーは、所望の又は適当な方
法により調製可能である。例えば次に示すように、対応
するポリ(アリーレンエーテルケトン)を製造し、次に
このポリ(アリーレンエーテルケトン)をボランで還元
してポリ(アリーレンエーテルアルコール)を生成する
ことにより、本ポリマーを調製できる。
【0037】
【化238】 典型的には、対応するポリ(アリーレンエーテルケト
ン)約10重量部を、テトラヒドロフランなどの適当な
溶媒約100重量部に溶解し、アルゴンなどの不活性雰
囲気中で機械撹拌しながら、これに1モル濃度のボラン
−テトラヒドロフラン錯体のテトラヒドロフラン溶液
(例えば、ウィスコンシン州ミルウォーキー、アルドリ
ッチ ケミカル社(Aldrich Chemical
Co.)より入手可)を加える。通常、カルボニル基
を完全に還元するには、ポリマーの各カルボニル基に対
し、1モルのボラン−テトラヒドロフラン錯体を加え
る。ボラン−テトラヒドロフラン錯体の添加量によっ
て、ケト基の一部又は全てを還元することができる。全
てのカルボニル基をアルコール基に還元しない場合に
は、カルボニル基の望ましくは約0.1%以上、より望
ましくは約10%以上、更に望ましくは約25%以上を
還元する。最も望ましくは、カルボニル基のほぼ100
%を還元する。
【0038】始発物質として、次に示すような、例えば
アセチル基で置換した対応するポリ(アリーレンエーテ
ルケトン)を用いることにより、ポリマー上にヒドロキ
シメチル基を導入することも可能である。
【0039】
【化239】 ポリマー骨格のカルボニル基は、25℃でボラン−テト
ラヒドロフラン錯体で還元されるが、側鎖のアセチル基
は通常、高めた温度(例えば、テトラヒドロフランの沸
点で約2時間還流)で還元される。1モルのボラン−テ
トラヒドロフラン錯体を加えて、1モルのアセチル基を
対応するヒドロキシメチル基に還元する。
【0040】本発明のポリマーはまた、グリニャール法
でも調製可能である。詳細に述べるならば、外界温度
(約25℃)、アルゴンなどの不活性雰囲気中で機械撹
拌しながら、約100重量部の乾燥テトラヒドロフラン
に溶解した、約10重量部のポリマーを、1モル当量の
グリニャール試薬(RMgX、Rは最終的にポリマーの
カルボニル結合に付加する基であり、Xは、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲンである)と反応させ、次に水
又は酸を加えて生成物とする。この反応は次のとおりで
ある。
【0041】
【化240】 対応するポリ(アリーレンエーテルケトン)は、所望の
又は適当な方法で調製できる。この物質の製造方法は公
知であり、例えば、米国特許第5,849,809号、
米国特許第5,739,254号、米国特許第5,75
3,783号、米国特許第5,761,809号、米国
特許第5,863,963号、米国特許第5,814,
426号、米国特許第5,874,192号などに開示
されている。
【0042】置換ポリ(アリーレンエーテルアルコー
ル)もまた、この方法で調製可能である。例えば次のよ
うに、ハロアルキル化ポリ(アリーレンエーテルケト
ン)又はアクリロイル化ポリ(アリーレンエーテルケト
ン)をボランと反応させ、対応するポリ(アリーレンエ
ーテルアルコール)を生成することができる。
【0043】
【化241】 アセチル基又はアセトキシ基は、約70〜約80℃でボ
ランとの反応を続けることにより、次のようにヒドロキ
シル基に転化できる。
【0044】
【化242】 幾つかの例において、最終的なポリマー上に必要とされ
る置換基は、還元前のケトン型前駆体ポリマー上に存在
することができる。例えば、ハロアルキル基又はシアノ
基は、還元処理の間も変化せずポリマー上に存在可能で
ある。これ以外の基はボラン還元剤と反応してしまい、
例えば、アミド基は還元されてアミン基となり、ヒドロ
キシル基はホウ酸エステルに転化し、酸基とエステル基
はアルコールに還元される。
【0045】ポリ(アリーレンエーテルアルコール)は
更に、ジイソシアナート、アクリロイル=クロリドなど
のアクリロイル=ハライド、メタクリロイル=クロリド
などのメタクリロイル=ハライド、アクリル酸イソシア
ナトエチル部分、メタクリル酸イソシアナトエチル部分
などと反応し、変性樹脂の熱及び/又は光化学的架橋を
生じることができる。通常、1モル当量のヒドロキシ置
換ポリマーは、1モル当量のイソシアナートなどの反応
試剤と化合し、また反応は、テトラヒドロフランや他の
極性非プロトン性溶媒等の溶媒中、外界温度(約25
℃)で約16時間行う。例えば、ポリ(アリーレンエー
テルアルコール)とメタクリル酸イソシアナトエチルと
の反応は、次のとおりである。
【0046】
【化243】 ヒドロキシメチル置換ポリ(アリーレンエーテルアルコ
ール)は次の構造式で示される。
【0047】
【化244】 また、次の構造式である特定例は、フェノール樹脂に似
ており、更に修飾、特に酸性触媒を用いた修飾を行わな
くても熱硬化できる。特にこの場合には、光活性化され
たカチオン開始剤が使用可能である。
【0048】
【化245】 本発明のポリマーは、フォトレジストとしての使用や、
化学線照射、加熱、架橋剤、又はそれらを組み合わせた
ものでポリマーの架橋又は鎖延長を起こす他の応用法に
適しており、このポリマーは、モノマー繰り返し単位の
少なくとも一部に、化学線が照射されるとポリマーの架
橋又は鎖延長を可能とする架橋置換基を含んでいる。架
橋置換基としては、化学線を照射するとポリマーの架橋
又は鎖延長を生じる感光性付与置換基や、熱にさらされ
るとポリマーの架橋又は鎖延長を生じる感熱性付与置換
基や、架橋剤と反応させるとポリマーの架橋又は鎖延長
を生じる化学架橋置換基や、ポリマーの架橋又は鎖延長
を起こすために、化学線照射、加熱、及び/又は架橋剤
との接触の2つ以上を必要とする置換基などが挙げられ
る。このポリマーは、より一般的には次の構造式で示さ
れるが、
【化246】 より詳しくは、次の構造式で示される。
【0049】
【化247】 式中、Pはポリマーの架橋を可能とする置換基であり、
a、b、c、dは各々、0、1、2、3、又は4の整数
である。ポリマーのモノマー繰り返し単位の少なくとも
一部において、a、b、c、dの一つ以上は1以上であ
る。Aは、次の式で示される基、
【化248】 又は次の式で示される基の混合物である。
【0050】
【化249】 式中、Rは、(a)水素原子、(b)非置換アルキル基
と、ヒドロキシアルキル基などの置換アルキル基と、を
含むアルキル基(炭素数は、望ましくは1〜約20、よ
り望ましくは1〜約10、更に望ましくは1〜約5)、
(c)非置換アリール基と、ヒドロキシアリール基など
の置換アリール基と、を含むアリール基(炭素数は、望
ましくは6〜約18、より望ましくは6〜約12、更に
望ましくは6)、又は(d)それらの混合物である。B
は、次の式で示される基、
【化250】
【化251】 式中、vは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化252】 式中、zは、望ましくは2〜約20、より望ましくは2
〜約10の整数であり、
【化253】 式中、uは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化254】 式中、wは、望ましくは1〜約20、より望ましくは1
〜約10の整数であり、
【化255】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、(a)水素原
子、(b)非置換アルキル基と、ヒドロキシアルキル基
などの置換アルキル基とを含むアルキル基(炭素数は、
望ましくは1〜約20、より望ましくは1〜約10、更
に望ましくは1〜約5であるが、この範囲を越えても良
い)、(c)非置換アリール基と、ヒドロキシアリール
基などの置換アリール基とを含むアリール基(炭素数
は、望ましくは6〜約18、より望ましくは6〜約1
2、更に望ましくは6であるが、この範囲を越えても良
い)、又は(d)それらの混合物であり、pは、0又は
1の整数であり、
【化256】 式中、pは、0又は1の整数であり、
【化257】−(CH2O)t− 式中、tは、1〜約20の整数であり、
【化258】 式中、(1)Zは、
【化259】 又は、
【化260】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、
【化261】 又は、
【化262】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
り、(4)Ar´は、
【化263】 又は、
【化264】 であり、(5)Xは、
【化265】
【化266】 式中、sは0、1、又は2であり、
【化267】 又は、
【化268】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
物、それらのヒドロキシ置換誘導体、それらのヒドロキ
シアルキル置換誘導体、それらのヒドロキシアリール置
換誘導体、あるいはそれらの混合物である。ヒドロキシ
アルキル置換基の炭素数は、望ましくは1〜約20、よ
り望ましくは1〜約10、更に望ましくは1〜約5であ
るが、この範囲を越えても良い。ヒドロキシアリール置
換基の炭素数は、望ましくは6〜約18、より望ましく
は6〜約12、更に望ましくは約6であるが、この範囲
を越えても良い。nは繰り返しモノマー単位の数を示す
整数である。
【0051】感光性付与架橋基の架橋又は鎖延長を活性
化する化学線放射は、可視光、赤外光、紫外光、電子ビ
ーム放射、x−線放射など、あるいはこれらに限らず、
どのような所望の光源、また所望の波長も使用可能であ
る。適当な感光性付与基の例としては、アクリロイル
基、メタクリロイル基、シンナモイル基、クロトノイル
基、エタクリロイル基(2−エチル−2−プロペノイル
基)、オレオイル基、リノレオイル基、マレオイル基、
フマロイル基、イタコノイル基、シトラコノイル基、フ
ェニルマレオイル基、3−ヘキセン−1,6−ジカルボ
ン酸のエステルなどの、不飽和エステル基が挙げられ
る。またアルキルカルボキシメチレン及びエーテル基も
適している。電子ビーム、遠紫外線、又はx−線放射な
ど、ある一定の条件下で画像形成を行う場合には、ハロ
メチル基も光活性である。エポキシ基、アリルエーテル
基、ヒドロキシアルキル基、不飽和アンモニウム、ホス
ホニウム、エーテル基も、適当な光活性基である。
【0052】これらの基を含む光パターン形成可能なポ
リマーは、適当な又は所望の方法で調製できる。例え
ば、米国特許第5,889,077号に開示されている
ように、ポリマーに、(i)ホルムアルデヒド源を反応
させる工程と、(ii)酸触媒の存在下で不飽和酸を反応
させて、不飽和エステル基を持つ硬化可能なポリマーを
生成する工程とを含む方法により、感光性基を持たない
ポリマーへ直接不飽和エステル基を導入することが可能
である。
【0053】あるいは、1つ以上の中間体の調製も可能
である。例えば、ポリマー骨格の誘導体化を容易にす
る、ヒドロキシル基、カルボキシル基、クロロメチル基
などのハロアルキル基、ヒドロキシメチル基などのヒド
ロキシアルキル基、メトキシメチル基、アルキルカルボ
キシメチレン基、等の置換基で、ポリマー骨格に反応性
を持たせることができる。米国特許第5,739,25
4号に開示されているように、例えば、最初にハロアル
キル化誘導体を調製し、次にハロアルキル基の少なくと
も一部を不飽和エステル基で置き換えることにより、不
飽和エステル基などの感光性付与基でポリマーを置換で
きる。例えば、ハロアルキル化ポリマーを、溶液中で不
飽和エステル塩と反応させて、ハロアルキル化ポリマー
に不飽和エステル基を導入することができる。エーテル
基とアルキルカルボキシメチレン基も、反応物として対
応するアルキルカルボン酸又はアルコキシドの塩を用い
る以外は、不飽和エステル基と同様な方法でハロアルキ
ル化ポリマーに導入可能である。ハロアルキル基の一部
又は全てを、不飽和エステル、エーテル、又はアルキル
カルボキシメチレン置換基で置き換えられる。一般に反
応時間が長いほど、不飽和エステル、エーテル、又はア
ルキルカルボキシメチレン置換基による、ハロアルキル
基の置換度が高くなる。
【0054】ハロアルキル化ポリマーは、アリルエーテ
ルで置換、あるいはエポキシ化することができる。これ
には、米国特許第5,945,253号、米国特許第
5,753,783号に開示されているように、まず、
ハロアルキル化ポリマーを、溶液中でアリルアルコール
塩などの不飽和アルコール塩と反応させてアリル置換ポ
リマーとし、所望ならば、このアリル置換ポリマーを、
過酸化水素、m−クロロ過安息香酸、過酸化ジアセチル
などの過酸化物、またそれらの混合物と反応させて、エ
ポキシ置換ポリマーに転化し、エポキシ化ポリアリーレ
ンエーテルを生成する。ハロアルキル基の一部又は全て
を、アリルエーテル又はエポキシ置換基で置き換えられ
る。一般に反応時間が長いほど、アリルエーテル又はエ
ポキシ置換基による、ハロアルキル基の置換度が大きく
なる。前述の参照文献にも開示されているように、ハロ
アルキル化ポリマーと、グリシドール塩などのエポキシ
基を含むアルコール塩、又は先に述べたような不飽和ア
ルコール塩とを、層間移動条件下、不飽和アルコール塩
又はエポキシ基含有アルコール塩に対して1モル濃度過
剰の、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリ
ウム、第4級アルキルアンモニウム塩などの塩基の存在
下で反応させても、エポキシ化ポリマーが調製可能であ
る。不飽和又はアリルエーテル基は、グリニャール反
応、ウィッティッヒ反応などの他の方法でも、ハロアル
キル化ポリマー上へ導入できる。
【0055】米国特許第6,007,877号に開示さ
れているように、ハロアルキル化ポリマーと、不飽和ア
ミン、ホスフィン、又はアルコールとを反応させて、ハ
ロアルキル化ポリマーを感光性付与基、水溶性(又は水
分散性)向上基で置換できる。ハロアルキル基の一部又
は全てを、感光性付与置換基、水溶性(又は水分散性)
向上置換基で置き換えられる。一般に反応時間が長いほ
ど、感光性付与置換基、水溶性(又は水分散性)向上置
換基による、ハロアルキル基の置換度が高くなる。ま
た、前述の参照文献にも開示されているように、非置換
ポリマーは、二つの異なる官能基、一方はポリマーに感
光性を与え、もう一方は水溶性又は水分散性を与えるも
ので置換することができる。ポリマーと反応して、適当
な水溶性向上基又は水分散性向上基でポリマーを置換す
る反応物の例としては、第3級アミン、第3級ホスフィ
ン、アルキルチオエーテルなどが挙げられる。これらの
水溶性付与置換基又は水分散性付与置換基は、適当な又
は所望の方法でポリマー上に導入できる。例えば、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル
ピロリドン、ジメチルホルムアミドなどの極性非プロト
ン性溶媒中、25℃で、2当量の求核試薬(アミン、ホ
スフィン、又はチオエーテル)を、1当量のハロアルキ
ル化ポリマーと反応させる。溶媒中の反応物濃度は、固
体が約30重量%である。反応時間は、約1〜約24時
間で、通常2時間である。あるいは、水溶性付与基又は
水分散性付与基は非イオン性であっても良い。非イオン
性置換基は、例えば、テトラヒドロフラン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルホルムアミドなどの極性非プロトン性溶
媒中、約2当量以上の水酸化ナトリウム、約1当量以上
の水素化ナトリウムなどの塩基の存在下、約80℃で約
16時間、約2〜約10ミリ当量の非イオン性基の塩
(アルカリ金属塩など)を、1当量のハロアルキル化ポ
リマーと反応させて、ポリマー上に導入することができ
る。ポリ(ビニルベンジルクロリド)ポリマーのポリエ
ーテル鎖での置換については、例えば特開昭53−79
833号公報に更に詳細に開示されている。一般に、ハ
ロアルキル化度を高くすると、水溶性付与基又は水分散
性付与基による置換度を高くできる。
【0056】米国特許第5,849,809号に開示さ
れているように、上記構造式のポリマーのヒドロキシメ
チル化は、溶液中で、ホルムアルデヒド又はパラホルム
アルデヒドと、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウム、水酸化アンモニウム、テトラメチルア
ンモニウム=ヒドロキシドなどの塩基と、ポリマーとを
反応させて行う。一般に、反応時間が長いとヒドロキシ
メチル化度が高くなる。前述の参照文献にも開示されて
いるように、最初にハロアルキル化誘導体を調製し、次
にハロアルキル基の少なくとも一部をヒドロキシアルキ
ル基で置き換えることにより、非置換ポリマーをヒドロ
キシアルキル化することもできる。一般に、ハロアルキ
ル化度を高くすることにより、ヒドロキシアルキル基で
の置換度を高くでき、これによりポリマーの感光度を上
げることができる。ハロアルキル基の一部又は全てをヒ
ドロキシアルキル置換基で置き換えられる。一般に反応
時間が長いほど、ヒドロキシアルキル置換基によるハロ
アルキル基の置換度が高くなる。
【0057】中間誘導体も適当な又は所望の方法で調製
可能である。例えば、ポリマーの適当なハロアルキル化
法は、通常、ルイス酸触媒の存在下、ホルムアルデヒド
と、塩酸、ビスクロロメチルエーテル、クロロメチル=
メチル=エーテル、クロロメチル=オクチル=エーテル
等と、ポリマーとの反応を含むものである。ポリマー上
のメチル基の臭素化も、元素状臭素を用いて、例えば過
酸化物開始剤又は光により開始されるフリーラジカル反
応によって行うことができる。例えば、適当なハロゲン
化水素酸又はハロゲン化物塩との反応により、既にハロ
メチル基上にあるハロゲンと、他のハロゲン原子との交
換が可能である。ポリマーのハロアルキル化法について
は、例えば、W.H.ダレイらによる、“Chloro
methylation of Condensati
on Polymers Containing an
Oxy−1,4−Phenylene Backbo
ne”,Polymer Preprints,20巻
1号、835(1979)にも開示されている。ポリマ
ーのハロアルキル化に適した方法の一つは、米国特許第
5,739,254号、米国特許第5,753,783
号に開示されているように、ハロゲン含有ルイス酸触媒
の存在下、塩化アセチルなどのハロゲン化アセチルとジ
メトキシメタンとをポリマーに反応させるものである。
【0058】感熱性付与基も、本発明のポリマーの架橋
基として適している。感熱性付与架橋基の例は、特開平
10−097073号公報(特願平09−233820
号)に開示されているものなどである。感熱性付与基
は、適当な又は所望の合成法によりポリマー上に導入す
ることができる。本発明のポリマー上に感光性付与架橋
基と感熱性付与架橋基の両方がある場合、このポリマー
は、(a)ポリマーに化学線を照射し、感光性付与基に
よる架橋又は鎖延長を生じる露光工程と、次に、(b)
感熱性付与基が反応を起こすのに十分な温度にポリマー
を加熱し、感熱性付与基によって更にポリマーの架橋又
は鎖延長を起こす加熱工程とを含む、2段階工程で硬化
することも可能である。
【0059】適当な感熱性付与基の例は、エチニル基、
エチレン結合含有基、ビニル基、ビニルエーテル基、エ
ポキシ基、ハロメチル基、ヒドロキシメチル基、ベンゾ
シクロブテン基、フェノール基、マレイミド基、ビフェ
ニレン基、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイ
ミド(ナジミド(nadimide))基、アルキルカ
ルボン酸エステル基などである。エチニル基は、例えば
次の構造式で示される。
【0060】
【化269】 式中、Rは、
【化270】 又は、
【化271】 であり、aは0又は1の整数であり、R´は水素原子又
はフェニル基である。エチレン結合含有基は、例えば次
の構造式で示されるアリル基などである。
【0061】
【化272】 式中、X及びYは各々互いに独立して、水素原子又は、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子であ
る。ビニル基は、例えば次の構造式で示される。
【0062】
【化273】−R−CH=CH2 式中、Rは、飽和、不飽和、直鎖、分枝、環状アルキル
基などの、望ましくは炭素数1〜約30、より望ましく
は1〜約11、更に望ましくは1〜約5であるアルキル
基、置換アルキル基、望ましくは炭素数6〜約24、よ
り望ましくは6〜約18であるアリール基、置換アリー
ル基、望ましくは炭素数7〜約30、より望ましくは7
〜約19であるアリールアルキル基、又は置換アリール
アルキル基である。置換アルキル基、置換アリール基、
置換アリールアルキル基、置換アルコキシ基、置換アリ
ールオキシ基、置換アリールアルキルオキシ基上の置換
基は、ヒドロキシ基、アミン基、イミン基、アンモニウ
ム基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アル
デヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン
酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸基、スル
ホン酸基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン
基、ホスホニウム基、リン酸基、シアノ基、ニトリル
基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、そ
れらの混合物などであるが、これらに限定されるもので
はない。また、二つ以上の置換基が互いに結合して環を
形成しても良い。ビニルエーテル基は、次の構造式で示
される。
【0063】
【化274】−O−CH=CH2 エポキシ基は、例えば次の構造式で示される。
【0064】
【化275】 Rは、飽和、不飽和、直鎖、分枝、環状アルキル基など
の、望ましくは炭素数1〜約30、より望ましくは1〜
約11、更に望ましくは1〜約5であるアルキル基、置
換アルキル基、望ましくは炭素数6〜約24、より望ま
しくは6〜約18であるアリール基、置換アリール基、
望ましくは炭素数7〜約30、より望ましくは7〜約1
9であるアリールアルキル基、又は置換アリールアルキ
ル基である。置換アルキル基、置換アリール基、置換ア
リールアルキル基、置換アルコキシ基、置換アリールオ
キシ基、置換アリールアルキルオキシ基上の置換基は、
ヒドロキシ基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、
ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド
基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、
カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸基、スルホン酸
基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホ
スホニウム基、リン酸基、シアノ基、ニトリル基、メル
カプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スル
ホン基、アシル基、酸無水物基、アジド基、それらの混
合物などであるが、これらに限定されるものではない。
また、二つ以上の置換基が互いに結合して環を形成して
も良い。ハロメチル基は、フルオロメチル基、クロロメ
チル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基などである。
ベンゾシクロブテン基は、次の構造式で示される。
【0065】
【化276】 フェノール基(−φ−OH)は、ハロメチル基又はヒド
ロキシメチル基と共に存在し、ハロメチル基又はヒドロ
キシメチル基は、フェノール基が付いているのと同じポ
リマー上に、又は異なるポリマー上に、あるいはフェノ
ール基が置換したポリマーと共に存在するモノマー種上
にある。マレイミド基は、次の構造式で示される。
【0066】
【化277】 ビフェニレン基は、次の構造式で示される。
【0067】
【化278】 5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド(ナジ
ミド)基は、次の構造式で示される。
【0068】
【化279】 アルキルカルボン酸エステル基は、次の構造式で示され
る。
【0069】
【化280】 式中、Rは、飽和、不飽和、環状アルキル基などの、炭
素数が望ましくは1〜約30、より望ましくは1〜約6
であるアルキル基、置換アルキル基、炭素数が望ましく
は6〜約30、より望ましくは1〜約2であるアリール
基、置換アリール基、炭素数が望ましくは7〜約35、
より望ましくは7〜約15であるアリールアルキル基、
又は置換アリールアルキル基である。置換アルキル、ア
リール、アリールアルキル基上の置換基は、炭素数が望
ましくは1〜約6であるアルコキシ基、炭素数が望まし
くは6〜約24であるアリールオキシ基、炭素数が望ま
しくは7〜約30であるアリールアルキルオキシ基、ヒ
ドロキシ基、アミン基、イミン基、アンモニウム基、ピ
リジン基、ピリジニウム基、エーテル基、エステル基、
アミド基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸基、
スルホン酸基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフ
ィン基、ホスホニウム基、リン酸基、メルカプト基、ニ
トロソ基、スルホン基、アシル基、酸無水物基、アジド
基、等であるが、これらに限定されるものではない。ま
た、二つ以上の置換基が互いに結合して環などを形成し
ても良い。所望の又は適当な置換度のものが使用でき
る。望ましい置換度は、繰り返しモノマー単位当たり、
感熱性付与基が約1〜約4であるが、この範囲を越えて
も良い。また、感熱性付与基の置換度は、望ましくはポ
リマー1g当たり約0.5〜約5ミリ当量、より望まし
くは約0.75〜約1.5ミリ当量であるが、この範囲
を越えても良い。
【0070】熱架橋に用いる温度は通常、ポリマー上に
ある感熱性付与基によって決まる。例えば、エチニル基
では、硬化温度は約150〜約300℃が望ましく、ハ
ロメチル基では約150〜約260℃、ヒドロキシメチ
ル基では約150〜約250℃、フェニルエチニルフェ
ニル基では約250℃以上、ビニル基では約80〜約2
50℃、アリル基では約200℃以上、エポキシ基では
約150℃、マレイミド基では約200〜約300℃、
ベンゾシクロブテン基では約200℃以上、5−ノルボ
ルネン−2,3−ジカルボキシイミド基では約200〜
約300℃、ビニルエーテル基では約150℃、ヒドロ
キシメチル又はハロメチル基存在下のフェニル基では約
150〜約210℃、アルキルカルボン酸エステル基で
は約150〜約250℃が望ましい。硬化温度は通常、
約400℃を越えることはないが、ポリマーの分解が起
こらなければ、より高い温度とすることもできる。高温
での硬化は、望ましくは酸素を排除した環境中で行う。
【0071】適当な架橋基の更に別の例としては、イソ
シアナート基、アクリロイル=クロリド基などのアクリ
ロイル=ハライド基、ビニルベンジル=クロリド基など
のビニルベンジル=ハライド基、エチニルベンジル=ク
ロリド基などのエチニルベンジル=ハライド基、メタク
リロイル=クロリド基などのメタクリロイル=ハライド
基、メタクリル酸2−イソシアナトエチル基、トルエン
=ジイソシアナート、ヘキサン=ジイソシアナートなど
のジイソシアナート基、等、また、化学線照射、熱、架
橋剤、それらを組み合わせたものなどによるポリマーの
架橋又は鎖延長を可能とする、他の適当な官能基などが
挙げられる。
【0072】架橋基が感光性付与基である場合、光パタ
ーン形成ポリマーは、ポリマーの架橋又は鎖延長を起こ
すことのできる波長及び/又はエネルギーレベルの化学
線で均一に照射することにより、感光性付与基の部分で
硬化可能である。あるいは、感光性付与基が感度を持つ
波長及び/又はエネルギーレベルの放射で、この材料を
画像の形に露光し、光パターン形成ポリマーを現像す
る。通常、フォトレジスト組成物は、光パターン形成可
能なポリマーと、必要に応じて光パターン形成ポリマー
のための溶媒と、必要に応じて増感剤と、必要に応じて
光開始剤とを含むものである。特に、架橋していない光
パターン形成ポリマーのTgが高い場合には、溶媒が必
要である。溶媒と光パターン形成ポリマーとの比率は通
常、溶媒が0〜約99重量%で、ポリマーが約1〜10
0重量%、望ましくは溶媒が約20〜約60重量%で、
ポリマーが約40〜約80重量%、更に望ましくは溶媒
が約30〜約60重量%で、ポリマーが約40〜約70
重量%であるが、この範囲を越える比率でも良い。
【0073】本発明の架橋可能又は鎖延長可能なポリマ
ー材料は、インキジェットプリントヘッドの成分として
使用できる。本発明のプリントヘッドは、適当であれば
どのような形状も可能である。本発明のポリマー材料
は、架橋又は鎖延長基が置換されていてもいなくても、
感光性画像形成部材の成分として使用可能である。本発
明の画像形成部材は、どの様な適当な形状にもすること
ができる。
【0074】
【実施例】実施例1.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0075】
【化281】 式中、nは繰り返しモノマー単位の数を示し、その値は
約130である。以後、このポリマーを、ポリ(4−F
PK−FBPA)と呼ぶ。ディーン−スタークトラップ
(Dean−Stark trap)(バレット(Ba
rrett)トラップ)、凝縮器、撹拌機、アルゴン流
入装置、栓を取り付けた、1リットルの三つ口丸底フラ
スコをシリコーン油浴中に置いた。このフラスコに、4
3.47g(0.1992モル)の4,4´−ジフルオ
ロベンゾフェノン(ウィスコンシン州ミルウォーキー、
アルドリッチ ケミカル社製)と、75.06g(0.
2145モル)の9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)フルオレノン(アルドリッチ社製)と、65.56
gの炭酸カリウムと、300mlの無水N,N−ジメチ
ルアセトアミドと、52mlのトルエンとを加え、17
5℃(油浴温度)に加熱して、揮発性トルエン成分を捕
集して除去した。撹拌を続けながら175℃で5時間加
熱後、反応混合物を25℃まで放冷した。固体化した塊
をジクロロメタンで抽出し、ろ過し、メタノールに加え
てポリマーを沈殿させた。これをろ過して集め、水で洗
い、次にメタノールで洗った。真空乾燥して得られた生
成物、ポリ(4−FPK−FBPA)の収量は71.7
gであった。このポリマーを、溶離液としてテトラヒド
ロフランを用いて、ゲル浸透クロマトグラフィで分析し
たところ、次のような結果であった。Mn =59,10
0、Mpeak=144,000、Mw =136,100。
このポリマーのガラス転移温度を、昇温速度20℃/分
で示差走査熱量測定法により測定したところ、240℃
であった。ジクロロメタンからの溶液成形フィルムは、
透明で強靭、可撓性であった。反応に用いた化学量論の
結果より、このポリマーは、フルオレノンビスフェノー
ルから誘導されたヒドロキシル末端基を持つと考えられ
る。
【0076】実施例2.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0077】
【化282】 凝縮器、撹拌機、アルゴン流入装置、ゴム製セプタムを
取り付けた、1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコ
ーン油浴中に置いた。これに、200gのテトラヒドロ
フランに溶解した、10gのポリ(4−FPK−FBP
A)(実施例1で調製)を入れ、次に、83.5gの1
モル濃度のボラン−テトラヒドロフラン錯体(ウィスコ
ンシン州ミルウォーキー、アルドリッチ ケミカル社
製)を加えたところ、溶液はゲル化した。このゲルを撹
拌装置で撹拌しながら2時間還流した後、反応混合物を
放冷し、25℃で16時間置いた。次にメタノールを慎
重に滴下しながら加え、残ったボランを反応させた。固
体残留物をろ過し、水で洗い、次に真空乾燥した。30
0mlのテトラヒドロフランをこの固体に加えたとこ
ろ、20mlの酢酸を加えるまで溶解しなかった。この
ポリマー溶液各25mlずつを、それぞれ750mlの
水に加え、ワーリングブレンダを用いて白色のポリマー
を沈殿させた。このポリマーをろ過し、水で良く洗い、
ろ過し、メタノールで洗い、ろ過し、次に真空乾燥し
た。このポリマーは、テトラヒドロフランには溶解した
が、ジクロロメタン、酢酸エチル、トルエン、メチルイ
ソブチルケトンには不溶であった。8.5gのテトラヒ
ドロフランに、1.2gのヒドロキシル化ポリマーと、
1.2gのN,N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3
´´−メチルフェニル)−(1,1´−ビスフェノー
ル)−4,4´−ジアミン[別名:N,N´−ジフェニ
ル−N,N´−ビス(3−メチルフェニル)ベンジジ
ン]とを溶解したものを用いて、ヒドロキシガリウムフ
タロシアニン光発生層を備えた有機感光体に、厚さ25
μmの電荷(正孔)輸送層を被覆した。更に、上記の被
覆用溶液に0.1gのヘキサン=ジイソシアナートを加
えたところ、装置の電気的特性の著しい向上が見られ
た。
【0078】400gのテトラヒドロフランに溶解し
た、19.7gのポリ(4−FPK−FBPA)と、2
15gの1モル濃度のボラン−テトラヒドロフラン錯体
/テトラヒドロフランを用いて、上記の反応を繰り返し
た。2時間還流後、25℃で16時間置き、この反応混
合物をメタノールで、次に酢酸で慎重に処理し、次に水
に加えてポリマーを再沈殿させた。ポリマーをろ過し、
水で洗い、メタノールで洗い、次に真空乾燥した。
【0079】実施例3.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0080】
【化283】 撹拌機、還流冷却器、アルゴン流入装置、栓を取り付け
た、5リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーン油浴
中に置き、これに順に、388g(320ml)の塩化
アセチルと、450mlのジメトキシメタンと、12.
5mlのメタノールと、500mlのテトラクロロエタ
ンと、1,250mlのテトラクロロエタンに溶解した
100gのポリ(4−FPK−FBPA)(サイエンテ
ィフィック・ポリマー・プロダクツ(Scientif
ic Polymer Products)製)とを加
えた。この混合物に、次に気密シリンジを用いて5ml
の塩化スズ(IV)を加えた。反応混合物を、油浴設定温
度90〜100℃で、2時間加熱した。25℃に放冷
後、この反応混合物をメタノールに加え、繰り返し単位
当り0.96のクロロメチル基を持ったポリマーを再沈
殿させた。
【0081】実施例4.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0082】
【化284】 1,967gのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解し
た、78.5gのクロロメチル化ポリ(4−FPK−F
BPA)(実施例3で調製)を、撹拌機、アルゴン流入
装置、凝縮器を取り付け、シリコーン油浴中に置いた5
リットルの三つ口丸底フラスコに入れた。これに78.
5gの酢酸ナトリウムを加え、反応混合物を100℃で
24時間加熱した。次に反応溶液を水に加えてポリマー
生成物を沈殿させ、これをろ過し、メタノールで洗っ
た。同様にして、700gのN,N−ジメチルアセトア
ミドに溶解した、25gのクロロメチル化ポリ(4−F
PK−FBPA)(実施例3で調製)と、15gの酢酸
ナトリウム(アルドリッチ社製)とを、25℃で1か月
間、マグネチックスターラで撹拌して、同じポリマーを
調製した。次に、反応溶液を遠心分離にかけ、沈降させ
た不溶塩類をデカンテーションして除いた。この溶液を
メタノールに加えて白色のポリマーを沈殿させ、これを
ろ過し、水で洗い、メタノールで洗い、次に真空乾燥し
た。収量は12.2gであった。
【0083】実施例5.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0084】
【化285】 2kgのテトラヒドロフランに溶解した、50gのアセ
チル化ポリマー(実施例4で調製)を、250mlの1
モル濃度のボラン−テトラヒドロフラン錯体/テトラヒ
ドロフラン(アルドリッチ社製)と1時間還流して反応
させた。反応容器は、撹拌機、凝縮器、アルゴン流入装
置、ゴム製セプタムを取り付け、シリコーン油浴中に置
いた、5リットルの三つ口丸底フラスコであった。メタ
ノールを加えて未反応ボランを中和し、酢酸を加えてポ
リマー溶液とした。次に反応混合物を水に加えて白色の
ポリマーを沈殿させ、これをろ過し、水で洗い、メタノ
ールで洗い、次に真空乾燥した。ポリマー生成物は、テ
トラヒドロフランに溶け、またエタノール1部とテトラ
ヒドロフラン9部とから成る溶液にも溶解した。
【0085】実施例6.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0086】
【化286】 ディーン−スターク(バレット)トラップ、凝縮器、撹
拌機、アルゴン流入装置、栓を取り付けた、5リットル
の三つ口丸底フラスコをシリコーン油浴中に置いた。こ
のフラスコに、403.95gの4,4´−ジクロロベ
ンゾフェノン(アルドリッチ社製)と、340.87g
のビスフェノールA(アルドリッチ社製)と、491.
7gの炭酸カリウムと、2,250mlの無水N,N−
ジメチルアセトアミドと、412.5ml(359.2
5g)のトルエンとを加え、170℃ (油浴温度)に
加熱して、揮発性トルエン成分を捕集して除去した。撹
拌を続けながら170℃で48時間加熱後、反応混合物
を25℃まで放冷した。次に、この反応混合物をろ過し
て不溶塩類を除き、溶液を次にメタノールに加えてポリ
マーを沈殿させた。ろ過してポリマーを取り出し、水で
洗い、メタノールで洗い、次に真空乾燥した。
【0087】実施例7.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0088】
【化287】 50mlのジオキサンに溶解した、5gのポリ(アリー
レンエーテルケトン)(実施例6で調製)を、50ml
の1モル濃度のボラン−テトラヒドロフラン錯体/テト
ラヒドロフランで処理した。撹拌しながら70℃で約4
時間加熱した。全部のボラン溶液を加えてから10分以
内に、25℃でポリマー溶液はゲル化した。盛んな気体
の発生が見られた。このポリマーをメタノールで処理し
たところ、気体を発生しながら溶解した。この反応混合
物をロータリーエバポレータで濃縮し、水に加えてポリ
マーを沈殿させ、これを水で良く洗い、次にメタノール
で洗った。真空乾燥後のポリマーの収量は4.6gであ
った。
【0089】実施例8.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0090】
【化288】 0.18gのメタクリル酸2−イソシアナトエチル(ア
ルドリッチ社製)を、3.76gのテトラヒドロフラン
に溶解した、0.5gのポリ(アリーレンエーテルアル
コール)(実施例7で調製)に加えた。この溶液に、
0.5gのN,N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3
´´−メチルフェニル)−(1,1´−ビスフェノー
ル)−4,4´−ジアミン[別名:N,N´−ジフェニ
ル−N,N´−ビス(3−メチルフェニル)ベンジジ
ン]を加え、感光体の電荷輸送層用溶液とした。ヒドロ
キシガリウムバインダ発生層上に、厚さ29μm(±5
μm)に塗布し、これを平板電子写真スキャナで試験し
たところ、V0 が1,020V、暗失活が60V、露光
後の残留電圧が60Vであった。
【0091】実施例9.次の構造式で示されるポリマー
を、以下のように調製した。
【0092】
【化289】 撹拌機、還流冷却器、アルゴン流入装置、栓を取り付け
た、5リットルの三つ口丸底フラスコを氷浴中に置き、
これに順に、184gの塩化アセチルと、225ml
(193g)のジメトキシメタンと、6.25mlのメ
タノールと、500mlのジクロロメタンと、625m
lのジクロロメタンに溶解した75gのポリ(4−CP
K−BPA)(実施例8(または6)で調製)とを加え
た。この混合物に、次に気密シリンジを用いて6.5m
lの塩化スズ(IV)を加えた。反応混合物を、油浴設定
温度55℃で、4時間加熱した。25℃に放冷後、この
反応混合物をメタノールに加え、繰り返し単位当り0.
96のクロロメチル基を持ったポリマーを再沈殿させ
た。
【0093】実施例10.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0094】
【化290】 ディーン−スターク(バレット)トラップ、凝縮器、撹
拌機、アルゴン流入装置、栓を取り付けた、500ml
の三つ口丸底フラスコをシリコーン油浴中に置いた。こ
のフラスコに、21.82gの4,4´−ジフルオロベ
ンゾフェノン(アルドリッチ社製)と、22.64gの
ビスフェノールA(アルドリッチ社製)と、40gの炭
酸カリウムと、300mlの無水N,N−ジメチルアセ
トアミドと、52mlのトルエンとを加え、175℃
(油浴温度)に加熱して、揮発性トルエン成分を捕集し
て除去した。撹拌を続けながら175℃で5時間加熱
後、5gのフェノールを加え、反応混合物を撹拌しなが
ら175℃で更に30分間加熱した。次に、反応混合物
を25℃まで放冷した。固体化した塊を500mlのジ
クロロメタンで抽出し、ろ過して不溶塩類を除いた。ロ
ータリーエバポレータを用いてこの溶液を濃縮し、次に
メタノールに加えてポリマーを沈殿させた。ろ過してポ
リマーを取り出し、水で洗い、メタノールで洗い、次に
真空乾燥した。生成物、ポリ(4−FPK−BPA)の
収量は40gであった。
【0095】実施例11.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0096】
【化291】 撹拌機、還流冷却器、アルゴン流入装置、栓を取り付け
た、1リットルの三つ口丸底フラスコをシリコーン油浴
中に置き、これに順に、140.1g(128ml)の
塩化アセチルと、157.6gのジメトキシメタンと、
5mlのメタノールと、500mlのテトラクロロエタ
ンと、500mlのテトラクロロエタンに溶解した40
gのポリ(4−FPK−BPA)(実施例10で調製)
とを加えた。この混合物に、次に気密シリンジを用いて
0.6mlの塩化スズ(IV)を加えた。反応混合物を、
油浴設定温度110℃で、2時間加熱した。25℃に放
冷後、この反応混合物をメタノールに加え、繰り返し単
位当り1.44のクロロメチル基を持ったポリマーを再
沈殿させた。
【0097】実施例12.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0098】
【化292】 300mlのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解し
た、15gのクロロメチル化ポリマー(実施例9で調
製)と、9gの酢酸ナトリウム(アルドリッチ社製)と
を、1か月間マグネチックスターラで撹拌した。次に、
反応混合物を遠心分離にかけ、反応溶液をデカンテーシ
ョンして残留塩類と分けた。この溶液を水に加えて、白
色のポリマーを沈殿させた。これをろ過し、水で洗い、
メタノールで洗い、次に真空乾燥した。
【0099】実施例13.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0100】
【化293】 283gのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解した、
15gのクロロメチル化ポリマー(1.44CH2Cl
基/繰り返し単位、実施例11で調製)と、9gの酢酸
ナトリウム(アルドリッチ社製)とを、1か月間マグネ
チックスターラで撹拌した。次に、反応混合物を遠心分
離にかけ、反応溶液をデカンテーションして残留塩類と
分けた。この溶液を水に加えて、白色のポリマーを沈殿
させた。これをろ過し、水で洗い、メタノールで洗い、
次に真空乾燥した。このポリマーをジクロロメタンに溶
解し、メタノール中で再沈殿させ、ろ過し、次に真空乾
燥した。
【0101】実施例14.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0102】
【化294】 50mlのジオキサンに溶解した、2gのクロロメチル
化ポリマー(実施例11で調製)に、50mlの1モル
濃度のボラン−テトラヒドロフラン錯体を加えた。この
溶液は25℃において10分以内にゲル化した。この反
応混合物を、70〜80℃で2時間加熱した。メタノー
ルを慎重に加えたところ、盛んに気体が発生した。得ら
れた溶液を水に加えて、ポリマー生成物を沈殿させた。
白色のポリマーをろ過し、水で洗い、メタノールで洗
い、次に真空乾燥した。4.5gのテトラヒドロフラン
に溶解した0.5gのポリマーを、0.5gの二酸化チ
タン(MT500)と、60gのステンレススチール製
ショットと共に、16時間ロールミルにかけた。この分
散液を、0.5ミル(12.7μm)のバード(Bir
d)アプリケータを用いて、金属化ポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に塗布し、40〜150℃で40分
以上加熱した。ヒドロキシガリウムフタロシアニンをト
ルエン中のポリ(スチレン−ビニルピリジン)に分散さ
せた、光発生体層用分散液を、0.25ミル(6.4μ
m)のバードアプリケータを用いて塗布し、これを13
5℃で5分間加熱した。1.2gのN,N´−ジフェニ
ル−N,N´−ビス(3´´−メチルフェニル)−
(1,1´−ビスフェノール)−4,4´−ジアミン
[別名:N,N´−ジフェニル−N,N´−ビス(3−
メチルフェニル)ベンジジン]と、1.2gのポリカー
ボネートと、13.45gのジクロロメタンとから成る
電荷輸送層用溶液を、4ミル(101.6μm)のバー
ドアプリケータを用いて光発生体層上に塗布した。この
装置を40〜100℃で30分以上乾燥した。
【0103】実施例15.次の構造式で示されるポリマ
ーを、以下のように調製した。
【0104】
【化295】 1.0gのヒドロキシメチル化ポリ(アリーレンエーテ
ルアルコール)(実施例14で調製)を、9gのN−メ
チルピロリドンに溶解した、1.10gのメタクリル酸
2−イソシアナトエチルと、16時間反応させた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エフ ヤヌス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター リトル バードフィールド ロー ド 924 (72)発明者 ダモダー エム パイ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 フェア ポート シャグバーク ウェイ 72 (72)発明者 マーカス アール シルベストリー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 フェア ポート クラークス クロッシング 29 (72)発明者 ラム エス ナラン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 マセダ ン ヒルサイド サークル 390 (72)発明者 ウィリアム ダブリュ リンバーグ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ペンフ ィールド クリアビュー ドライブ 66 (72)発明者 デール エス レンファー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター アダムス ロード 498

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次の構造式で示されるポリマーであっ
    て、 【化1】 式中、Aが、次の式で示される基、 【化2】 又は次の式で示される基の混合物であり、 【化3】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
    それらの混合物であり、Bが、次の式で示される基、 【化4】 【化5】 【化6】 式中、vは1〜約20の整数であり、 【化7】 式中、zは2〜約20の整数であり、 【化8】 式中、uは1〜約20の整数であり、 【化9】 式中、wは1〜約20の整数であり、 【化10】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
    ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
    であり、 【化11】 式中、pは0又は1の整数であり、 【化12】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、 【化13】 式中、(1)Zは、 【化14】 又は、 【化15】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、 【化16】 又は、 【化17】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
    ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
    り、(4)Ar´は、 【化18】 又は、 【化19】 であり、(5)Xは、 【化20】 式中、sは0、1、又は2であり、 【化21】 又は、 【化22】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
    物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
    キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
    れらの混合物であり、nが繰り返しモノマー単位の数を
    示す整数であることを特徴とするポリマー。
  2. 【請求項2】 ポリマーの製造方法であって、(i)次
    の構造式で示される前駆体ポリマーを製造する工程であ
    り、 【化23】 式中、Aが、次の式で示される基であり、 【化24】 Bが、次の式で示される基、 【化25】 【化26】 式中、vは1〜約20の整数であり、 【化27】 式中、zは2〜約20の整数であり、 【化28】 式中、uは1〜約20の整数であり、 【化29】 式中、wは1〜約20の整数であり、 【化30】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
    ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
    であり、 【化31】 式中、pは0又は1の整数であり、 【化32】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、 【化33】 式中、(1)Zは、 【化34】 又は、 【化35】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、 【化36】 又は、 【化37】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
    ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
    り、(4)Ar´は、 【化38】 又は、 【化39】 であり、(5)Xは、 【化40】 式中、sは0、1、又は2であり、 【化41】 又は、 【化42】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
    物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
    キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
    れらの混合物であり、nが繰り返しモノマー単位の数を
    示す整数である工程と、(ii)前駆体ポリマーをボラン
    と反応させて、次の構造式で示されるポリマーを生成す
    る工程であり、 【化43】 式中、Aが、次の式で示される基、 【化44】 又は次の式で示される基の混合物であり、 【化45】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
    それらの混合物である工程と、を含むことを特徴とする
    ポリマーの製造方法。
  3. 【請求項3】 ポリマーの製造方法であって、(i)次
    の構造式で示される前駆体ポリマーを製造する工程であ
    り、 【化46】 式中、Aが、次の式で示される基であり、 【化47】 Bが、次の式で示される基、 【化48】 【化49】 式中、vは1〜約20の整数であり、 【化50】 式中、zは2〜約20の整数であり、 【化51】 式中、uは1〜約20の整数であり、 【化52】 式中、wは1〜約20の整数であり、 【化53】 式中、R1及びR2は各々互いに独立して、水素原子、ア
    ルキル基、又はアリール基であり、pは0又は1の整数
    であり、 【化54】 式中、pは0又は1の整数であり、 【化55】−(CH2O)t− 式中、tは1〜約20の整数であり、 【化56】 式中、(1)Zは、 【化57】 又は、 【化58】−Ar−(X)p−Ar− であり、式中、pは0又は1であり、(2)Arは、 【化59】 又は、 【化60】 であり、(3)Gは、約2〜約10の炭素原子を含むア
    ルキル又はイソアルキル基より選ばれるアルキル基であ
    り、(4)Ar´は、 【化61】 又は、 【化62】 であり、(5)Xは、 【化63】 式中、sは0、1、又は2であり、 【化64】 又は、 【化65】 であり、(6)qは0又は1であり、又はそれらの混合
    物、あるいはそれらのヒドロキシ置換、ヒドロキシアル
    キル置換、ヒドロキシアリール置換誘導体、若しくはそ
    れらの混合物であり、nが繰り返しモノマー単位の数を
    示す整数である工程と、(ii)前記前駆体ポリマーを、
    構造式がRMgXであって、式中、Rが、水素原子、ア
    ルキル基、アリール基、又はそれらの混合物であり、X
    がハロゲン原子である試薬と反応させる工程と、(ii
    i)次に、前記ポリマーに水又は酸を加えて、次の構造
    式で示されるポリマーを生成する工程であり、 【化66】 式中、Aが、次の式で示される基、 【化67】 又は次の式で示される基の混合物であり、 【化68】 式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、又は
    それらの混合物である工程と、を含むことを特徴とする
    ポリマーの製造方法。
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