TWI253544B - Planarizing antireflective coating compositions - Google Patents

Planarizing antireflective coating compositions Download PDF

Info

Publication number
TWI253544B
TWI253544B TW089103901A TW89103901A TWI253544B TW I253544 B TWI253544 B TW I253544B TW 089103901 A TW089103901 A TW 089103901A TW 89103901 A TW89103901 A TW 89103901A TW I253544 B TWI253544 B TW I253544B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
composition
photoresist
substrate
layer
resin
Prior art date
Application number
TW089103901A
Other languages
English (en)
Inventor
Edward K Pavelchek
Timothy G Adams
Manuel Docanto
Suzanne Coley
George G Barclay
Original Assignee
Shipley Co Llc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23004401&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI253544(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Shipley Co Llc filed Critical Shipley Co Llc
Application granted granted Critical
Publication of TWI253544B publication Critical patent/TWI253544B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/151—Matting or other surface reflectivity altering material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

J253544 A7 五、發明說明（1 ) [發明背景] [發明領域] (請先閲讀背面之>i意事項再填寫本頁) 本發明係有關減少曝光輻射從基板反射回外敷光阻層 内之組成物。特定言之，本發明係有關可被塗敷成為與其 下面之基板一樣平坦之塗覆層之抗反射塗覆組成物。 [背景技藝] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光阻係用於將影像轉移至基板的感光性薄膜。先於基 板上形成光阻塗覆層，然後將該光阻層透過光罩曝光於活 化輻射源。此光罩具有活化輻射穿不透之區域，及活化輻 射可牙透之其他區域。藉由曝光於活化輻射下，使光阻塗 覆層進行光誘導化學轉換，因而將光罩圖案轉移到經塗覆 光阻之基板上。曝光後，該光阻經顯影提供浮凸影像（reUef image)而可對基板進行選擇性加工處理。光阻組成物一般 為此項技藝所悉知，並見述於1975年由紐約McGrawHiU Book Company出版，Deforest所著之”光阻材料及製程 {Photoresist Materials and Processes)^ 一 書中第 2 章，及由 紐約Plenum Press出版，Moreau所著之，，半導體微影原 理·、f 绦瓦材斜{Semiconductor Lithographyt PrincipUs， /Vacizces 一 書中第 2 及 4 章。 光阻主要用於半導體之製造上，其目的在將經高度抛 光之半導體晶片（例如矽或砷化鎵）轉變成執行迴路功能之 電子導電途徑（較好具有微米或次微米幾何）之複雜美質。 適當的光阻製程為達成此目的之關鍵。雖然各種光二=程 步驟間強烈地互相依賴，惟曝光被認為是獲得高解析光阻 91583 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 1253544 A7 B7 五、發明說明（2 ) 影像較重要的步驟之一。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於將光阻曝光的活化輻射之反射時常使該光阻層成. 像圖案之解析度受到限制。自基板/光阻界面之輻射反射會 使光阻之輻射強度產生立體差異（Spatiai variations)，於顯 景’時造成不均一之光阻線寬。輻射也會自基板/光阻界面散 射入不擬曝光之光阻區域，又造成線寬差異。輻射在光阻 各區域間之散射及反射量通常有所不同，進一步造成線寬 之不均一性。基板表面形態（topography)之差異也會引起使 解析度受限之反射問題。 因此，新穎之抗反射塗覆組成物為業界所需求。 [發明概述] 申請人發現抗反射塗層通常在反射表面上方四分之一 波厚處（quarter wave thicknesses)功能最適當。因此，在許 多情形下，喜用保形（conformal)抗反射塗覆組成物。 然而，在某些應用中，較不喜用保形塗層。舉例而言， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當晶圓或其他基板表面形態具有垂直階梯時，即無法維持 所需之四分之一波塗層厚。於該情形下，較好使用平坦化 抗反射塗覆組成物，因其使垂直階梯形體之光阻厚無差 異。如此均一之光阻厚使CD差異成為極小，且由於所有 光阻置於相同高度而可能增進焦點之有效深度。此外，在 此等表面形態上使用平坦化ARC使得蝕刻過程之曝光相 當均一，於清除側壁期間，不致使溝渠中心曝露於抗反射 钱刻。 本發明提供適用為抗反射塗覆組成物（ARC)之新穎輻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 91583 1253544 A7 ____ B7 _ 五、發明說明（3 ) 射吸收組成物以及光阻組成物。本發明之Arc可被二 坦化，因此可應用於如上述之用途。 本發明之第一態樣係提供包括樹脂黏合劑成^ 射組成物，該樹脂黏合劑成分含有分子量相當低 物，例如Mw為約8,000道耳吞或更少、更佳Mw為約一 6,000或5,000道耳吞或更少之聚合物。mw為約β 3,000或2,000道耳吞或更少之聚合物或募聚物也可 明之平坦化ARC中使用。一般而言，本發明之此態 低分子量樹脂具有至少約1〇〇〇或15〇〇道耳呑之 书吾用含有丙稀酸酿單元之樹脂。
頃發現具有如此低分子量樹脂成分之本發明A 應用在基板表面時，可表現出良好之平坦化性質。 。本發明之ARC可塗覆於例如垂直及傾斜階梯之 面形態，而於其上提供相當均一、平坦化之表面。 本發明之又一態樣係提供包括相當低分子量增 〇物之平坦化ARC。本發明ARC組成物較佳之增 合物包含非聚合性化合物，惟亦可使用多種寡聚物 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 明arc所用之增塑劑一般具有少於約2,〇〇〇或15匚 吞之刀子里’更佳為少於約1，〇〇〇、8〇〇或5〇〇道耳 子量。較佳之增塑劑亦具有足夠之分子量而於微影 間較不揮發，例如至少約150或200道耳吞之分子± 或具有超過約160。〇、更佳為超過約18(TC或約200-點。 舉例而言，適合之增塑劑包含蒽化合物，特別—
915 = 1253544 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 基或苯甲基取代之化合物，例如9_(2，，4，_二羥基_3_甲基笨甲基)蒽·'具有多個芳基取代、特別是多個苯基或其他碳環 芳基取代之化合物，例如（3-羥笨基）[雙（3_環己基_4_羥基_ 6-甲苯基）]甲⑨：可具有附加之碳環芳基取狀紛型化合 物’例如2,6-雙（2’,4，-二經苯甲基M•甲笨酚；酿酸烧醋化合物，例如酞酸二（C2-Cl6烷基）酯化合物，如酞酸二辛酯 等。寡聚物之實例包含丙烯酸酯募聚物，例如丙烯酸乙酯/ 丙稀酸縮水甘油醋之募聚物等。 頃發現含有此等增塑劑化合物之本發明ARC，於應用 在基板表面（包含具有例如垂直及傾斜階梯之顯著表面形 態之基板表面）時’可表現出良好之平坦化性質。 本發明亦提供組合本發明上述二態樣（亦即含有低分 子量樹脂以及增塑劑化合物）之平坦化Arc。 本發明亦常喜用交聯性arc。於交聯系統中，有一或 夕種成分此夠使施敷之ARC塗層進行交聯或硬化之某種 反應。此等交聯型組成物較好包含酸或酸產生劑化合物（例 如受熱酸產生劑），以誘發或促進ARC之一或多種成分之 此等交聯作用。通常較佳之交聯性抗反射組成物包括分離 之交聯劑成分，例如以胺為主之材料。本發明亦包含在與 光阻組成物之意指用途期間，不進行顯著交聯之抗反射組 成物。 本發明之又一態樣係提供平坦化arc組成物之施敷 方法。彼等方法通常包含在基板上施敷arc組成物，加熱 該經施敷之ARC塗覆層，使組成物流動而增進平坦化。然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 91583 (請先閲讀背面之沒意事項再填寫本頁) 裝 訂ίι^—丨 蠢 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 後在ARC塗覆層上施敷光阻。 於彼等方法中，如果ARC組成物為交聯性組成物，則 流動溫度應低於可誘發該ARC組成物顯著交聯之溫度。舉 例而言，此等平坦化交聯型AkC可包括玻璃轉移溫度（Tg) 低於誘發ARC組成物實質交聯溫度之樹脂。使用此等
ARC，則可將經施敷之ARC加熱至大約樹脂之Tg，使ARC 組成物流動及達成增進之平坦度，惟未使組成物顯著地交 聯。其後，ARC組成物可在高於樹脂Tg之溫度進一步加 熱，以誘發顯著之交聯。較好ARC樹脂Tg比誘發ARC組 成物顯著交聯之溫度低至少約l〇°C、15°C或20°C，更好 ARC樹脂Tg比誘發ARC組成物顯著交聯之溫度低至少約 25°C、30°C、3 5°C或40°C。通常較喜用含有丙晞酸酯單元 之低Tg樹脂。本文所稱之”誘發ARC組成物發生顯著交聯 之溫度”或其他類似術語，係界定為意指曝露於該溫度60 秒時，該ARC組成物之交聯劑成分至少約20莫耳％已經 反應之溫度。 具有此等低Tg樹脂之ARC可藉由許多策略來提供。 例如，可使用包括可降低樹脂Tg之較”撓性”單體之聚合單 元之ARC樹脂。撓性單體之實例包含甲基丙晞酸二乙二醇 酯、丙烯酸二乙二醇酯及對應之低級烷基（例如Ch4)醚， 特別是甲酯，例如 ch2=c(ch3)c(o)och2ch2och3、 ch2=chc(o)och2ch2och3、ch2=chc(o)och2ch2och2ch2och3、 ch2=c(ch3)c(o)och2ch2och2ch2och3 等；甲基丙烯酸 乙二醇酯及丙烯酸乙二醇酯；具有4個或4個以上碳原子 -----------裝--------訂ii-------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 91583 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6 ) (一般為4至約16個碳原子）之丙烯酸烷酯，如丙烯酸正丁 酉旨，及其羥烷基取代基具有4至约16個碳原子之甲基丙稀 酸羥烷酯或丙烯酸羥烷酯等。 ARC組成物流動及交聯間之此等溫度差異可藉由數 個不同策略來提供。於一較佳方法中，ARC組成物於酸存 在下發生交聯，且組成物含有只在曝露於ARC樹脂Tg以 上之相當咼溫度才會產生酸之受熱酸產生劑。舉例而言， 用於本發明此一態樣之較佳受熱酸產生劑在至少約7〇〇c 或80°c，更佳為至少約90°C或10(TC，又更佳為至少約uo C或1 2 0 c ’延長（例如至少約3 0秒）曝露而被活化（產生 酸）。 本發明亦包含具有此等低Tg樹脂以及上述本發明其 他一或兩種態樣（亦即低分子量樹脂及/或增塑劑化合物） 之ARC組成物。 本發明之抗反射組成物對正作用型光阻及負作用型光 阻組成物均適用。 本發明進一步提供形成光阻浮凸影像之方法，及包括 以本發明抗反射組成物單獨或組合光阻組成物所塗覆之基 板之新穎製造物件。塗覆本發明抗反射組成物之典型基板 包含如微電子晶圓及平面顯示基板（例如液晶顯示基板）。 茲揭示本發明之其他態樣於下。 [圖式簡單說明] 第1圖示出測定ARC平坦度之概要圖。 [發明之詳細說明] ------------ΦΜ------- —訂--------- (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適财®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公羞I 6 91583 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1253544 五、發明說明（7 如上述，第一悲樣中，本發明之抗反射組成物包括低 分子量聚合物。該低分子量聚合物能夠提供高度平坦化之 塗覆。 塗覆層平坦化之一度量為”平坦度，，或”D〇pn，本文對 既定階梯表面形態之DOP作如丁之界定： DOP = 1 - Rj/R2 式中1為覆於該階梯形體上的ARC組成物之最大，，凹陷深 度’ R2為階梯深度。計算DOP之該等關係進一步示於第 1圖式，其中基板10具有傾斜階梯（例如可能由於矽製程 之局部氧化而形成）及ARC層12。該 所述值之商數即等於塗層之DOP。本文所用二坦度及， 或”D〇P”等詞係指如上述並示於第i圖之ι減去队除以 R2)的值。 本發明較佳之ARC可顯示至少約〇5之D〇p之階梯 形體’該階梯形體具有由石夕製程之局部氧化(L〇c〇s)所形 成之傾斜剖面且具有0.8微米寬及2微米中點深度，此等 形體更佳為具有至少約〇.55或0 6()之D〇p，此等形體又 更佳為具有約0.65之DOP。 如上述，本發明之第一態樣係提供含有低Mw樹脂之 平坦化ARC。多種不同材料可作為arc之低分子聚合物 使用。低分子聚合物較好在意指用途中展現適當特性者， 特別疋能夠溶於選定溶劑中之聚合物。 至於本發明之交聯性ARC，該聚合物可適當地含有斑 其他组成物成分反應以引起交聯之部位，惟其他繼成分 本紙張尺_ _~ii5TCNS)A4 規格(21〇7^— 7 91583 -----------Aw --------^------1— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 ) 亦可作為交聯物質，例如另一聚合物。 於冰备、外線應用時，抗反射組成物之聚合物較好有效 地吸收深紫外線範圍（一般為約1〇〇至3〇〇nm)之反射。因 此，該聚合物較好含有深紫外線發色團之單元，亦即吸收 深紫外線輻射之單亓。古# & ^ A , # 早70冋度共軛之部分通常為適當之發色 團。芳族基，特別是多環烴或雜環單元，一般為較佳之深 紫外線發色團，例如具有二至三或四個稠合或分開之環、 各環為具有〇至3個仏〇或s原子之3至8員環之基團。 此等發+色團包含經取代或未經取代之菲基、經取代或未經 取代^蒽基、經取代或未經取代之〇丫咬、經取代或未經取 代之萘基、經取代或未經取代之喹啉基、及環_取代之喹啉 基（例如羥喹啉基）。其中以經取代或未經取代之蒽基為特 佳。較佳之樹脂黏合劑具有側出之蒽基。較佳之樹脂包含 揭示於希普列公司（Shlpley c〇mpany)歐洲公開申請案 813114A2第4頁之式][者。 ” 另一較佳之樹脂黏合劑包括具有一或多個N、〇或§ 壞原子之經取代或未經取代之喹啉基或喹啉基衍生物，例 如羥喹啉基。此聚合物可含有自聚合物主鏈側出之其他單 =，例如羧基及/或烷醋單元。特佳之抗反射組成物樹脂為 含有該等單元之丙烯酸聚合物，例如揭示於希普列公司歐 洲公開申請案813114A2第4至5頁之式樹脂。 於193 nm成像時，ARC組成物較好含有具苯基發色 團單元之樹脂。例如，與193 nm成像之光阻使用之較佳 ARC樹脂為苯乙烯、甲基丙烯酸2_羥乙酯及甲基丙烯酸 - -----I I I I — ^--------^---------. (請先閱讀背面之庄意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 8 91583 1253544 A7 B7 五、發明說明（9 ) 醋⑽38:32莫耳比）聚合單元级成之三元共聚物。該等苯 基樹脂及其於八仏組成物中之用途已揭示於希普列公司 於1998年9月15日申請之美國申請案序號〇9/1 53 575 (請先閱讀背面之庄音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明抗反射組成物之低分子量樹脂較好藉由聚合二 或多種不同單體予以合成，Μ至少—種單^含例 基、喹啉基或羥喹啉基之發色團。可適當使用自由基聚合 作用’例如，於自由基引發劑存在下，較好於惰性氛圍（例 如比或氬氣）及升高之溫度（例如約5〇χ：或高於5〇。〇μ雖然 反應溫度可視所用特定試劑之反應性及反應溶劑（如果使 用溶劑）之沸點而異]，使大量單體反應而提供各種單元。 可使用多種溶劑，例如丙醇類與丁醇類及芳族溶劑，例如 苯、氣苯、？苯及二曱苯。三甲亞楓、二子基甲酿胺、丙 二醇單甲基醚、乳酸乙醋及THF亦適用。溶劑較好於添加 試劑前先除氣。亦可使用鏈轉移試劑，例如第三（十二烷基） 硫醇任何特疋系統之適當反應溫度可由熟習此項技藝者 依據本揭示内容輕易地憑經驗決定。多種自由基引發劑可 用於製備本發明之共聚物。例如，可使用偶氮化合物，例 如2,2，·偶氮雙（2_甲基丁腈）、2,2，_偶氮雙（2,4_二甲基戊 腈）、偶氮-雙·2,2’-異丁腈（ΑΙΒΝ)及1,1’_偶氮雙（環己烷 腈）。亦可使用過氧化物、過氧酸酯、過氧酸及過氧硫酸鹽。 參見下文為反應條件例示之實施例1至4。 同時，雖然較不喜用，惟預塑之樹脂亦可藉發色團予 以官能化。例如，縮水甘油基酚型樹脂（例如縮水甘油基酚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 9 91583 1253544 A7
五、發明說明（10 ) 駿清漆）可與蒽基羧酸反應。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之抗反射組成物樹脂較好於深紫外線波長（例· 如在100至約300 nm之範圍内）展現良好之吸收。更詳言 之，本發明較佳之樹脂黏合劑於所用曝光波長（例如約248 nm或約193 nm)之光密度為每微米約3個吸收單位（吸收單 位/μ)，較好於所用曝光波長為每微米約5至2〇或2〇個以 上之吸收單位，更好於所用曝光波長為每微米約4至16 或1 6個以上之吸收單位。對於特定樹脂而言，藉由增加樹 脂之發色團單元百分比可獲得較高之吸收值。 雖然一般較喜用具有此等吸收發色團之抗反射組成物 樹脂，惟本發明之抗反射組成物亦可包括其他樹脂作為共 樹脂或唯一之樹脂黏合劑成分之用。舉例而言，可使用盼 類，例如聚（乙烯苯酚類）及酚醛清漆類。該等樹脂揭示於 希普列公司歐洲申請案ΕΡ 542008及頒給Thackeray等人 之美國專利案5,851，738。下文所述作為光阻樹脂黏合劑之 其他樹脂亦可於本發明抗反射組成物之樹脂黏合劑成分中 使用。 本發明抗反射組成物樹脂成分之濃度可於相當寬廣範 圍内有所不同，通常所用樹脂黏合劑之濃度為抗反射組成 物乾燥成分總量之約50至95重量％，更典型地為乾燥成 分總量（除了溶劑載體以外之所有成分）之約60至90重量 % 〇 多種化合物可作為本發明抗反射組成物之增塑劑用。 若需要，則增塑劑材料亦可包含曝光輻射吸收發色圍。舉 — — — — — — — — — — 1AW i — — — — — — ^*— — 1 —--- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 10 91583 1253544
五、發明說明（11 ) 例而言，適合之增塑劑包含蒽化合物，特別是經笨基或苯 甲基取代之化合物，例如9-(2，，4，-二羥基甲基笨甲美> 蒽；具有多個芳基取代、特別是多個苯基或其他碳環芳基 取代之化合物，例如（3-羥苯基）[雙（3_環己基羥基_6•甲 苯基）]甲烷；可具有另外之碳環芳基取代之酚型化合物， 例如2,6-雙（2，，4，-二羥苯甲基）_4•甲苯酚等。於許多應用中 喜用非聚合性增塑劑。然而’如上述，亦可使用寡聚物增 塑劑。較佳之寡聚物包含丙烯酸酯寡聚物，例如丙烯酸乙 醋/丙烯酸縮水甘油酯之寡聚物等。一般而言，本發明arc 組成物所用之寡聚物增塑劑具有約2、3、4、5、6或7個 連接單元，更典型為約2、3、4或5個連接單元。本發明 ARC之券聚物增塑劑較好具有約3〇〇〇或少於3〇〇〇、更好 約2,000或1，500或少於1，500道耳吞之Mw。 本發明ARC中使用的若干特佳之增塑劑包含下述化 合物：L至么，其中包含募聚合物t至么。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 91583 1253544 A7 B7 五、發明說明（12
ch3ch2c 6 HO.
OH
Avg Μη 二 i 0004
CHatOCHeCH^xOH
Avg. Mw 2000 1 CH3CH2'
CH^CHoOH Avg. Mn ~ 1000 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
增塑劑化合物存在之量以arc組成物總固體（除了溶 劑载體以外之所有成分）量計，較好約5重量％至約50重 里％，更好約10至3〇或4〇重量％。特佳者以ARC組成物 總固體量計，為増塑劑之2〇重量％載荷。 含有低Tg樹脂之本發明arc通常可藉由如上述低 Mw樹脂之製法，於樹脂合成中使用撓性單體予以製備。 參見下文為反應條件例示之實施例3與4。如本文所述， 低Tg樹脂亦可具有低。如上述，適合之"撓性"單體包 含例如甲基丙烯酸二乙二醇酯及丙烯酸二乙二醇酯；甲基 丙稀酸乙二醇酯及丙烯酸乙二醇酯；具有4或4個以上碳 (一般為4至約16個碳）之丙烯酸烷酯，如丙烯酸正丁酯； 及其經烷基取代基具有4至約16個碳原子之甲基丙稀酸羧 烷酯或丙烯酸羥烷酯，例如CH2=C(CH3)C〇〇(CH2CH2〇)4CH2CH 〇H 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 91583 -----------AW ^--------訂---------, (請先閱讀背面之沒音？事項再填寫本頁) 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -Ο
J A7 五、發明說明（13 ) (該單體即所謂，ΉΕΜΑ-5，，）等。 本發明之父聯型抗反射組成物通常亦含有另外的交聯 劑成分。可使用多種交聯劑，包含揭示於併入本文供參考 之希普列公司歐洲申請案EP 542008中之彼等抗反射組成 物交聯劑。舉例而言，適合之抗反射組成物交聯劑包含以 胺為主之交聯劑，例如三聚氰胺材料，包含三聚氰胺樹脂， 例如由 American Cyanamid 製造並以 Cymel 3〇〇、3〇1、 303、350、370、380、1116及113〇之商品名出售者。特 佳者為乙炔脲類，包含可得自American Cyanamid之乙炔 脲類。苯并關胺（benzoquanamine)及以脲為主之材料亦適 合，包含例如可得自American Cyanamid公司、商品名為
Cymelll23& 1125之苯并關胺樹脂，及可得自八则士⑽ Cyanamid公司、商品名為Beetle6〇、65& 8〇之脲樹脂等 樹脂。此等以胺為主之樹脂除了市售可得外，可藉由例如 丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺共聚物與▼醛於含醇溶液中之反 應，或者藉由N-烷氧甲基丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺與其他 適合單體之共聚作用予以製備。 特佳者為低鹼度抗反射組成物交聯劑，例如甲氧甲義 化之乙炔脲。一特佳之交聯劑為對應於下面結構（πι)之甲 氧甲基化之乙炔脲： h3co
Ji απ> JNf h3co 91583 ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1253544 A7 --------- 五、發明說明（14 ) 此甲氧甲基化之乙炔脲可藉已知方法予以製備。此化 合物亦為American cyanamid公司以商品名p〇wderlink 1174市售可得者。 其他適合之低鹼度交聯劑包含羥基化合物，特別是多 官能化合物，例如具有一或多個羥基或羥烷基取代基（例如 C1 ^餐烧基取代基）之苯基或其他芳族基。通常較佳者為苯 酚化合物，例如二-甲醇苯酚具有相 鄰（於1至2個環原子内）羥基及羥烷基取代之其他化合 物，特別是具有一或多個甲醇或其他羥烷基環取代基且至 少一個羥基緊鄰此羥烷基取代基之苯基或其他芳族化合 物0 頃發現本發明抗反射組成物中所用之低驗度交聯劑， 例如甲氧甲基化之乙炔脲’可提供極佳之微影操作性能’ 包含顯著減少（SEM檢查）外敷光阻浮凸影像之下挖 (undercutting)或下腳（footing)現象。 本發明抗反射組成物交聯劑成分存在之量為抗反射組 成物總固體（除了溶劑載體以外之所有成分）量之5至重 量％之間’其存在量更典型為總固體量之約7至25重量 % 〇 本發明之交聯型抗反射組成物較好進一步包括酸或酸 產生劑化合物，特別是受熱酸產生劑化合物，以於抗反射 組成物塗覆層固化期間催化或促進交聯。較好使用受熱酸 產生劑，亦即，於加熱處理時可產生酸之化合物。多種已 知之受熱酸產生劑均適用，例如2，4，4，6 -四溴環己二烯酿I、 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 χ 297公餐） ^一' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ---- ---訂-----I--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ch3(ch2)8 1253544 A7 -----—_gl_____ 五、發明說明（15 ) 安息香甲苯磺酸酯（benzoin tosylate)、甲苯磺酸4-硝基笨 甲酯及有機磺酸之其他烷酯類。活化時可產生磺酸之化入 物通常亦適合。抗反射組成物中，受熱酸產生劑存在之遭 度典型為組成物乾燥成分總量之約〇 · 1至1 〇重量％，更好 為乾燥成分總量之約2重量％。 如上述’本發明之”多固化（111111^丨-()1^6)”方法一先進行 較低溫之流動加熱處理，然後進行較高溫之交聯處理〜 中’較好使用於較高溫可被活化（產生酸）之受熱酸產生 劑。較佳之高溫活化受熱酸產生劑包含芳基磺酸胺鹽，例 如具下式之化合物：
(SO/NRsH )n 式中各R分別獨立為氫或具1至約6個碳之烷基，！！為i 或2且較好為2,及該萘環可視需要於有效位置被例如具1 至約16個碳之烷基等所取代。 特佳之受熱酸產生劑具有下面通式之結構（R之定義 同上），且為美國康乃狄格州挪瓦克市國王工業公司（King
Industries，Inc·)以商品名 Nacure X49-110 市售可得者： CH3(CH2)8
so3 nr3h+ S〇3 nr3h 除了受熱酸產生劑外，亦可僅將酸調配於抗反射組成 物中’特別是需要於酸存在下加熱固化之抗反射組成物， 因此在使用抗反射組成物之前，酸不會促進組成物成分不 ----------I ^ ml — ^Nil —--I I a Aw i讀先閱讀背面之*!意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用3國家標準（CNS)h規格⑽X 297公釐） 15 91583 1253544 ___B7 五、發明說明（Μ ) :所欲之反應。適合之酸包含強酸如續酸，例如甲苯磺酸' 甲燒確酸、三氟甲燒碳酸等或其特料之混合物。 本發明亦包含在與光阻組成物之意指用途中，不進行 =者父聯之抗反射組成物。此等非交聯型抗反射組成物不 需包含用於誘發或促進交聯反應之交聯劑成分或酸或受熱 酸產生劑。換言之’此等非交聯型抗反射組成物通常基^ 上不含（亦即少於約重量％)或完全不含用於促進交聯|寒 反應之交聯劑成分及/或酸表面。 本發明之抗反射組成物較好亦包括一或多種光酸產生|寺 劑（亦即"PAG”），其用量足以抑制或實際上防止外敷光阻層 不為所欲之下凹或下腳現象。本發明之此一態樣中，光酸 產生劑並非作為促進父聯反應之酸源，因此較好該光酸產 生劑於抗反射組成物交聯（於交聯性arc之情形下）期間， 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 實際上不被活化。特別是對於受熱交聯型抗反射組成物而 言’該抗反射組成物PAG必須對交聯反應條件實際上很穩 定，因此PAG可於隨後外敷光阻層曝光時被活化及產生 酸。詳言之，較佳之PAG在約140或150至190°C之溫度 曝露5至30分鐘或更久時，實際上不會分解或裂解。此等 PAG及其於抗反射塗覆組成物之用途揭示於希普列公司 Pavelchek等人於1997年2月6日申請之美國專利申請序 號08/797,741及對應之日本專利申請案10-61845中。 對於本發明之至少若干抗反射組成物而言，較喜用可 作為界面活性劑及在接近該抗反射組成物上層部分、緊鄰 抗反射組成物/光阻塗覆層界面處聚集之抗反射組成物光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 91583 1253544 A7 五、發明說明（17 ) 酸產生劑。本發明特佳之抗反射組成物光酸產生劑可在曝 路於深糸外線輻射’特別是約248 nm、約1 93 nm及/或約 157 nm時被活化，使得該抗反射組成物可有效地與外敷之 深紫外線光阻一起使用。較適者為抗反射組成物之光酸產 生劑與光阻組成物之光酸產生劑可於相同曝光波長被活 化。又較佳為本發明之抗反射組成物與光阻組成物一起使 用，且在照射光阻層而曝光於活化輻射時，抗反射組成物 光活性化合物及光阻光活性化合物可產生相同或大概相同 之酸化合物（光產物），亦即較好為具有相似擴散特性及相|貪 似酸強度之光產物。參見上文引用之美國專利申請序號 08/7 97,741及日本專利申請案1〇_61845。 鎢鹽可作為本發明抗反射組成物之光酸產生劑用。適 合之較佳鎗鹽之實例見於美國專利案4,4423 97、4,6〇3，1〇1 及4,624,912，以及上文引用之美國專利申請序號 08/797,741及日本專利申請案1〇_61845。 經取代之樟腦磺酸二苯基鐫化合物為本發明抗反射組 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成物較佳之&類PAG，特別是碍酸鹽。兩種特佳試劑為下 述之PAG1及2 :
〇
•03S
〇
•03S 91583 1253544 A7 _—— B7______ 五、發明說明（18 ) 此等鏔化合物可如歐洲專利申請案96118111 ·2(公告 號碼0783136)揭示之内容予以製備，該案詳細記載上述· PAG 1之合成。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 其他適合之PAG包含磺酸化酯類及磺醯氧酮類。參見 °f Photopolymer Science and Technologhy 4(3):337-3 40(1991)，其中揭示適合之PAG，包含安息香甲苯磺酸 酯、α -(對甲苯磺醯氧基乙酸第三丁基苯酯及α兴對甲苯 磺醯氧基）-乙酸第三丁酯。較佳之磺酸鹽PAG亦揭示於頒 給Sinta等人之美國專利案5 344 742中。 本發明抗反射組成物之其他有用之酸產生劑包含硝基 苯甲基酯族化合物及第二-三哄衍生物。適合之第二-三畊 酸產生劑揭示於例如美國專利案4，189,323中。 鹵化之非離子性光酸產生化合物亦適用於本發明之抗 反射組成物，舉例而言，如，1，1 _雙[對氣苯基]_2,2,2_三氣 乙烧（DDT)、1,1-雙[對甲氡苯基卜2,2,2-三氣乙烷、 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1，2,5,6,9，1〇-六溴環癸烷、1，1〇_二溴癸燒等。適合之光酸 產生劑亦揭示於歐洲專利申請案0164248與0232972，及 頒給Sinta等人之美國專利案5,362,600中。 本發明抗反射組成物亦可含有吸收用於外敷光阻層曝 光之輻射之附加染料化合物。其他視需要之添加劑包含表 面調平劑，例如，由Union Carbide以商名品silwet 7604 市售可得之調平劑，或購自3M公司之界面活性劑Fc 171 或 FC 43 1。 本發明之ARC可藉一般已知方法予以製備。製造液態 91583 1253544 A7 五、發明說明（19 /
注 意 I 塗覆纟且成物時’將抗反射組成物之諸成分溶於適當溶劑 中’溶劑如乳酸乙醋或一或多種乙二醇ϋ，例如2 -甲氧基. 乙基醚（二乙二醇二甲醚）、乙二醇單甲基醚、及丙二醇單 甲基醚；具有醚及羥基部分之溶劑，例如甲氧丁醇、乙氧 丁醇、甲氧丙醇及乙氧丙醇；酯類，例如乙酸甲基赛路蘇 酯、乙酸乙基賽路蘇酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二丙二 醇單甲基醚乙酸酯；及其他溶劑例如二元酯、碳酸丙烯醋 及r -丁内酯。乾燥成分於溶劑中之濃度可視例如施敷方法 等數個因素而定。一般而言，抗反射組成物之固體含量自 抗反射組成物總重之約0.5至20重量％不等，較好固體含 量自抗反射組成物總重之約2至1 〇重量❶/❻不等。 多種光阻組成物，包含正作用型光阻及負作用型光阻 光酸產生組成物，可與本發明之抗反射組成物一起使用。 與本發明抗反射組成物一起使用之光阻一般包括樹脂黏合 劑及光活性成分，通常為光酸產生劑化合物。較妤之光阻 樹月曰黏a劑具有賦與成像之光阻組成物驗性水溶顯影性之 B月b基。一般而言，與本發明抗反射組成物一起使用之特 佳光阻為正作用型及負作用型化學倍增式光阻。許多化學 倍增式光阻組成物見述於美國專利案4,968,581、 4,883,740、4,810,613、4 491 628 及 5 492 793，其中有關 合 社 印 製 製造及使用化學倍增式正作用型光阻之教示均併入本文以 兹參考。與本發明抗反射組成物一起使用之特佳化學倍增 弋光P匕括摻合光酸產生劑與樹脂黏合劑，該樹脂黏合劑 丨t 3 # I»型及非酚型兩種單元之共聚物。例如，此等共 91583 ^張尺度適财國規格⑵G x 297公爱· 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------- R7___ 五、發明說明（20 ) ^
㈣之較佳基團實質上 '基本上或完全僅在共聚物之非紛 型早儿上具有酸不穩定基。一特佳之共聚物 式之重複單元X及^ T
其中在整個共聚物中，羥基可出現於鄰位、間位或對 位’ R’為具1至約18個碳原子（更典型為1至約6至8個 奴原子）之經取代或未經取代之烷基。通常較好之r，基為 第一 丁基。R’基可視需要被例如一或多個鹵素（特別是F、 C1或Br)、Cis烷氧基、CM烯基等所取代。共聚物中，X 與y早το可有規則地交替，或於聚合物無規散佈。此等共 聚物可輕易製得。例如，對於上式之樹脂而言，可使乙烯 苯酚類與經取代或未經取代之丙烯酸烷酯（例如丙烯酸第 一丁 δ曰）等，於此項技藝中悉知之自由基條件下予以縮合。 經取代之酯部分，亦即R，_〇_c( = 〇)_，丙烯酸酯單元部分， 供作樹脂之酸不穩定基，於含該樹脂之光阻塗覆層曝光 夺P進行光酸誘發之裂解。較好該共聚物具有約8，000 至約50,〇00之Mw，更佳為約15 〇〇〇至約3〇 〇〇〇，且具有 約3或更少之分子量分布，更佳為約2或更少之分子量分 布非紛型樹脂，如丙烯酸燒酯（例如丙浠酸第三丁酯或甲 基丙酸第二丁酯）及乙烯基脂環（例如乙烯基去甲萡基或乙 本紙&度適用Tiiii^_CNS)A4規格⑽x 297公复)~----- 裝--------訂·--------AW 1. C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1253544
91583 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 91583 A7 五、發明說明（22 ) 主之材料。通常最佳為三聚氰胺_曱醛樹脂。此等交聯劑為 市售可得，例如，American Cyanamid公司以商品名Cymel 3 00、301及303出售之三聚氰胺樹脂。乙炔脲類樹脂由 American Cyanamid 公司以商品名 Cymel i i 7〇、j j 7 i、 1172、Powdedink 1174出售；以脲為主之樹脂以商品名 Beetle 60、65及80出售；及苯并關胺樹脂以商品名Cymej 1123及1125出售。 與本發明抗反射組成物一起使用之光阻之適合光酸產 生劑化合物包含鎗鹽，例如揭示於美國專利案4,442，^ 、 4,603，101及4,624,912者，其各併入本文以兹參考；非離 子性有機光活性化合物，例如頒給Thackeray等人之美國 專利案5，128,232中之豳化之光活性化合物，及包含磺酸 化酯類及磺醯氧酮類之磺酸鹽光酸產生劑。參見人〜 Photopolymer Science and Technologh, 4(3):337-340(1991) ^ 其中揭示適合之磺酸鹽PAG，包含安息香甲苯磺酸酯、“ =對甲苯磺醯氧基）_乙酸第三丁基苯醋及(對甲苯磺醯 乳基乙酸第三丁酯。較佳之磺酸鹽PAG亦揭示於頒給 inta等人之美國專利案5,344,742中。上述之樟腦石黃酸鹽 AG 1及2亦為與本發明抗反射組成物一起使用的光阻組 成物（特別是本發明之化學倍增式光阻）之較佳光酸產生 劑。 與本發明抗反射組成物一起使用之光阻亦可含有其他 材料。舉例而言，其他視需要之添加劑包含光化及對比染 料、抗條紋劑、增塑劑、速度加強劑等。該視需要之添加 μ氏張尺度適家標準（CNS)A4規格（ χ挪公董 -----------裝------II 訂---------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1253544 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（23 ) 劑-般在光阻纪成物令以相當低濃度存在，惟填充劑及染 料可以相當高濃度存在，例如為光阻乾燥成分總重之約5 至30重量％。 包含低驗度交聯谢（例如適合之乙块脲）之本發明抗反 射’且成物對於曝光時可產生強酸光產物(例如三氟甲烷磺 酸、樟腦續酸鹽或其他續酸、或pKa(25t)為約2或更小 之其他酸）之光阻特別有用。參見上述希普列公司之歐洲公 開申請案。 使用時將本發明之抗反射組成物藉由多種方法（例如 旋轉塗覆法）施敷於基板上成為塗覆層。施敷於基板上之抗 反射組成物通常具有介於約〇〇2至〇5^m間之乾燥層 厚，較佳為介於約0.04至間之乾燥層厚。基板可 適當地為與光阻相關方法中所用之任何基板。例如，基板 可為矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓，亦可使用砷化 鎵、陶瓷、石英或銅基板。用於液晶顯示器及其他平面顯 示器之基板亦適用，如玻璃基板、經塗覆氧化銦錫之基板 等。亦可使用光學及光學-電子裝置（例如波導）之基板。 右使用交聯性抗反射組成物，較好於施敷光阻組成物 於抗反射組成物上之前，將已施敷之抗反射組成物先予固 化。固化條件視抗反射組成物之成分而定。如果組成物不 含酸或受熱酸產生劑，則其固化溫度及條件將比含酸或受 熱酸產生劑化合物之組成物更為劇烈。一般固化條件為約 120 C至225 C，約0·5至40分鐘。固化條件較好使抗反 射组成物塗覆層實際上不溶於光阻溶劑以及鹼性顯影水溶
Aw Μ--------------->. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 23 91583 1253544 A7 五、發明說明（24 ) 液中。 (清先閱讀背面之庄意事項再填寫本頁) 若使用本發明之多固化方法，先進行較低溫之流動加 熱處理，然後進行較高溫之交聯處理，如上述，則使已施 敷之ARC組成物層先進行較低溫之樹脂，，流動”平坦化加 …、處理如此將改變該ARC紕成物之流動及交聯溫度。然 而，適合之流動平坦化加熱處理可為約5〇(>c或6(rc，至少 約1至2分鐘。對任何特定之ARC組成物而言，適當之流 動平坦化處理條件可容易地以實驗確定。其後，可於較高 溫處理該ARC組成物層以使組成物交聯。 經上述固化後，將光阻施敷於抗反射組成物表面。如 同抗反射組成物之施敷，可藉由例如旋轉、浸潰、彎月形 或滾筒塗覆之任何標準方式施敷光阻。施敷後，光阻塗覆 層通常藉加熱乾燥以移除溶劑直到較好此光阻層不黏為 止。最好是’抗反射組成物層與光阻層基本上不發生互混。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後透過光罩，以活化輻射藉習知方法使光阻層成 像。曝光能量應足以有效活化光阻系統之光活性成分，以 於光阻塗覆層產生圖案影像，及活化抗反射組成物層至少 一部分厚度之光酸產生劑，使得自抗反射組成物PAG之光 產生酸存在於抗反射組成物/光阻塗覆層界面。曝光能量隨 曝光器具及特定光阻與所用光阻製程部分而不同，一般介 於約1至300 mJ/cm2之間。若ARC亦含有減少不為所欲 之下凹或下腳現象之光酸產生劑，則一般光阻層成像所用 之曝光劑量，通常即足以使位於下面抗反射組成物層中之 酸有效量予以光活化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 24 91583 1253544 A7 五、發明說明（25 如果需要，則可將已曝光之光阻層進行曝光後之烘 烤’以產生或增進塗覆層已曝光與未曝光區域間之溶解度‘ 差異。舉例而言，酸-硬化性負光阻一般需要曝光後之加 熱’以誘發由酸促進之交聯反應；許多化學倍增式正作用 型光阻則需要曝光後之加熱，以誘發由酸促進之脫保護反 應。曝光後之烘烤條件一般包含約5〇它或更高之溫度，更 詳言之，為約50°C至160°C之溫度範圍内。 然後使已曝光之光阻塗覆層顯影，較好使用水性鹼性 顯影劑’例如無機驗，其例示如氫氧化四丁銨、氫氧化納、 氫氧化卸、碳酸納、碳酸氫鈉、碎酸納、偏碎酸鈉、氨水 等。或者，可使用有機顯影劑。一般而言，係依據此項技 藝中公認之程序予以顯影。顯影之後，常於約1 〇〇 t至約 1 50°c之溫度進行酸-硬化性光阻之最後烘烤數分鐘，使已 曝光顯影之塗覆層區域進一步固化。 經顯影之基板接著可於無光阻區域之基板進行選擇性 處理，例如，依據此項技藝中悉知之程序於無光阻之基板 區域進行化學蝕刻或電鍍。適合之蝕刻劑包含氫氟酸蝕刻 溶液及電漿氣體蝕刻，例如氧氣電漿蝕刻。電漿氣體蝕刻 可移除經交聯之抗散光塗覆層。 本文提及之所有文件全部併入本文以茲參考。茲以下 列非限制性實施例說明本發明。 實施例1 - ARC聚合物之合成 使甲基丙烯酸9-蒽甲酯（1 55.63 g)、甲基丙烯酸2-經 乙酯（65·07 g)及甲基丙烯酸甲酯（65.62 g)溶於1850 g乳酸 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ， t - _ 裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 91583 1253544 A7 五、發明說明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙酯中。此溶液以無水氮氣流除氣15分鐘並加熱至50°C。 使聚合作用引發劑[2，2’-偶氮雙（2-甲基丁腈）](2 3.2 17 g)溶· 於11 0 g乳酸乙酯中，將此溶液迅速加至反應瓶中；繼續 加熱至85C。於85C持續加熱24小時後，冷卻溶液至室 溫。聚合產物於12L去離子水中以沉澱法單離，並真空乾 燥。產率100%。分子量（Mw)(相對於聚苯乙烯標準）8355 ; Tg 103〇C 〇 宜例2 -使用鏈轉移劑之低Mw ARC聚合物之合成 使甲基丙烯酸9-蒽甲酯（15.56 g)、甲基丙烯酸2-羥乙 酯（6·51 g)及甲基丙烯酸甲酯（6.59 g)溶於200 g乳酸乙酯 中。添加第三（十二烧基）硫醇（2.0 1 g)作為鏈轉移劑。此溶 液以無水氮氣流除氣10分鐘並加熱至50°C ;添加1.015 g 聚合作用引發劑[2,2’_偶氮雙（2-甲基丁腈）]，並繼績加熱至 85°C。此溶液於85°C加熱24小時後，冷卻溶液至室溫， 另以50 g乳酸乙酯予以稀釋。聚合產物於2L己烷中以沉 澱法單離，並真空乾燥。產率86%。分子量（Mw)(相對於 聚苯乙烯標準）6304 ; Tg l〇rc。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 實施例3 -使用鏈轉移劑之低Mw ARC聚合物之合成 使甲基丙烯酸9-蒽甲酯（15.58 g)、甲基丙烯酸2-羥乙 酯（6.51 g)及甲基丙烯酸甲酯（6.58 g)溶於200 g乳酸乙酯 中。添加第三（十二烷基）硫醇（4.06g)作為鏈轉移劑。此溶 液以無水氮氣流除氣10分鐘並加熱至50°C ;添加l.〇12g 聚合作用引發劑[2,2’_偶氮雙（2 -甲基丁腈）]，並繼續加熱至 85°C。此溶液於85 °C加熱24小時後，冷卻溶液至室溫。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 91583 1253544 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（27 ) 使反應溶液於800 mL第三丁基甲基醚中沉澱。過濾混合 物’濃縮收集之液體，使產物油於300 mL庚烷中沉澱， 並真空乾燥。產率21%。分子量（Mw)(相對於聚苯乙烯標 準）2337 ; Tg 60°C。 -使用低Tg單體之ARC聚合物之合成 使甲基丙烯酸9-蒽甲酯（33.21 g)、HEMA-5(亦即 cH2-C(CH3)COO(CH2CH20)4CH2CH2OH)( 15.36 g)及甲基 丙烯酸甲酯（8·00 g)溶於430 g乳酸乙酯中。此溶液以無水 氮氣流除氣10分鐘並加熱至45°C。添加聚合作用引發劑 [2,2f-偶氮雙（2,4_二甲基戊腈）](5.58 g)，並繼續加熱至85 °C。於85 °C持續加熱24小時後，冷卻溶液至室溫。聚合 產物於2.5 L去離子水中以沉澱法單離，並真空乾燥。產 率79%。分子量（Mw)(相對於聚苯乙烯標準）4963 ; Tg 50 〇C。 例5 -本發明低分子詈嶎脂ARC組成物之製備奧處理 藉由混合下列成分，適當地製備具有低分子聚合物之 本發明較佳之ARC組成物，其中成分量係以液態抗反射塗 覆組成物總固體量（除了溶劑載體以外之所有成分）計之重 量份表示： 1) 樹脂：88%上述實施例1之三元共聚物 2) 父聯劑：11% p〇wderiink 1174(American Cyanamid) 3) 光酸產生劑：〇·5%樟腦磺酸二（第三丁基）二苯基鐄 4) 酸：0.3%對甲苯磺酸單水合物 於乳酸乙酯溶劑中調配ARC組成物。將液態ARC組 ------ — i — ！^^裝！ -----訂-----I---.1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 27 91583 1253544 Α7 Β7 五、、發明說明（28 ) 成物旋轉塗覆於矽晶圓基板上，然後於175°C加熱固化60 秒。經固化之ARC層再以得自希普列公司（美國麻薩諸塞. 州馬堡市）之正作用型光阻UV5外敷。於真空熱板上將光 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 阻層低烘烤（softbake)，輻射曝光形成圖案，進行曝光後烘 烤’然後以鹼性水溶液顯影。以氧/氟碳電漿蝕刻下方之 ARC層，並於主基板表面進行電漿蝕刻。 6 -含有增塑劑之本發明ARC組成物之Μ借斑虛裡 藉由混合下列成分，適當地製備具有增塑劑之本發明 較佳之ARC組成物，其中成分量係以液態抗反射塗覆組成 物總固體量（除了溶劑載體以外之所有成分）計之重量份表 示： 1) 樹脂：68%上述實施例1之三元共聚物 2) 增塑劑：20% 2,6-雙（2’，4’_二羥苯甲基）-4_甲苯酚 3) 交聯劑：11 % Powderlink 1174(American Cyanamid) 4) 光酸產生劑：0.5%樟腦磺酸二（第三丁基）二苯基錤 5) 酸·· 0.3%對甲苯磺酸單水合物 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於乳酸乙酯溶劑中調配ARC組成物。將液態ARC組 成物旋轉塗覆於矽晶圓基板上，然後於175°C加熱固化60 秒。經固化之ARC層再以得自希普列公司（美國麻薩諸塞 州馬堡市）之正作用型光阻UV5外敷。於真空熱板上將光 阻層低烘烤（softbake)，輻射曝光形成圖案，進行曝光後烘 烤’然後以鹼性水溶液顯影。以氧/氟碳電漿蝕刻下方之 ARC層，並於主基板表面進行電漿蝕刻。 實施例7 _雨插固化系統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） π 1253544 A7 B7 五、發明說明（29 ) (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 製備含有下列混合物成分之本發明ARC組成物：95 · 5 重量0/〇丙二醇單甲基醚溶劑；及4.5重量％固體，該固體含. 有下列組成：86·95重量％ Mw為約12000之三元共聚物 (ANTMA/HEMA/MMA)、11 重量％ powderlink 1174 交聯 劑、0.8重量％表面調平劑（得自3M公司之FC 430)、0.5 重ϊ%樟腦績酸二（第三丁基）苯基錤、及075重量％Nacure X49(國王工業公司）受熱酸產生劑。 此ARC組成物以2500rpm旋轉塗覆於晶圓基板上至 厚度為1200埃，然後於200°C固化。如此於其得到可接受 之光阻外形，以248 nm輻射及0.53NA透鏡於9.2mJ/cm2 曝光。 含有Nacure X49受熱酸產生劑之本發明ARC組成物 之附加試驗顯示：於125 °C固化後，僅有微量交聯（喪失90% 於乳酸乙醋溶劑中）。 上文之陳述僅為本發明之說明，故須知在不脫離本發 明下揭請求專利範圍之精神與範脅下，可進行各種改變及 修飾。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) 29 91583

Claims (1)

1253544 η H3 「一一—，一一一一一___ ^ _—.., 第89 L〇j9〇| ’號專利_:舞 申凊專利範圍修正本 (93年3月11曰） K 一種在具有表面形態（toP〇gaphy)之基板上形成光 阻〉予凸影像（relief image)之方法，該方法包括·· a) 於基板上施敷由分子量（Mw)為8,〇⑼或更小 之聚合物組成之抗反射組成物層；該聚合物包括蒽 基單元或苯基單元；該抗反射組成物可顯示至少 〇·5之平坦度之階梯形體，該階梯形體具有由矽製 程之局部氧化所形成之傾斜剖面且具有0.8微米寬 及2微米中點深度 b) 於該抗反射組成物層上施敷光阻組成物 層；及 Ο以活化輻射使該光阻層曝光並使經曝光之 光阻層顯影。 ，其中該抗反射層於 予以加熱固化。 ，其中該聚合物之分 經濟部中夬標準局員工福利委員會印製 2·如申睛專利範圍第1項之方法 敷β光阻組成物層之前，先 3 ·如申請專利範圍第1項之方法 子量（Mw)為6,〇〇〇或更小。 4.如申請專利範圍第丨項之方法，其中該聚合物之分 子量（Mw)為5,〇〇〇或更小。 5·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該聚合物之分 子量（Mw)為3,〇〇〇或更小。 6.如申請專利範圍第丨項之方法，其中該抗反射組成 物進一步包括交聯劑化合物。 本紙張尺度_巾關家縣（CNS) A4iF(2W X 297^t") 91583(修正版) 1253544 7 — — H3 — ^中晴專利範圍第1項之方法，其中該抗反射組成 物進一步包括增塑劑化合物。 •如申請專利範圍第7項之方法，其中該增塑劑化合 物為非聚合性化合物。 9 丄 •如申請專利範圍第7項之方法，其中該增塑劑化合 物為經苯基或苯曱基取代之蒽化合物；具有多個芳 基取代之化合物；或酚型化合物。 1 0.如申請專利範圍第7項之方法，其中該增塑劑化合 物係Mw為2,〇〇〇或更少之寡聚物。 1 1 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中該抗反射組成 物包括玻璃轉移溫度（Tg)低於誘發該抗反射組成 物實質交聯溫度之樹脂。 1 2·如申請專利範圍第11項之方法，其中於施敷該抗 反射組成物後，將該抗反射組成物加熱至樹脂之 丁g，惟未使該抗反射組成物實質交聯。 1 3 · —種在具有表面形態之基板上形成光阻浮凸影像 之方法，該方法包括： 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 a) 於基板上施敷包括增塑劑化合物之抗反射 组成物層； b) 於該抗反射組成物層上施敷光阻組成物 層；及 c) 以活化輻射使該光阻層曝光並使經曝光之 光阻層顯影。 14. 一種在具有表面形態之基板上形成光阻浮凸影像 之方法，該方法包括： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公楚） 2 91583(修正版) 1253544 a) 於基板上施敷包括Tg低於誘發該抗反射組 成物增塑劑化合物實質交聯溫度之樹脂之抗反射 組成物層； b) 於該抗反射組成物層上施敷光阻組成物 層；及 c) 以活化輻射使該光阻層曝光並使經曝光之 光阻層顯影。 1 5 · —種在具有表面形態之基板上形成光阻浮凸影像 之方法，該方法包括： a) 於基板上施敷包括τg低於誘發該抗反射組 成物實質交聯溫度之樹脂之交聯性抗反射組成物 層； b) 將該抗反射組成物層加熱到至少樹脂之 Tg ’惟未誘發該抗反射組成物實質交聯； c) 於該抗反射組成物層上施敷光阻組成物 層；及 d) 以活化輻射使該光阻層曝光並使經曝光之 光阻層顯影。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 1 6. —種與外敷之光阻一起使用之抗反射塗覆組成 物’包括一或多種下列成分：〇分子量（Mw)為8,000 或更小之聚合物、2)增塑劑及3)Tg低於誘發該組 成物實質交聯溫度之樹脂，其中該組成物係使用於 申晴專利範圍第1項之方法。 1 7·如申請專利範圍第1 6項之抗反射塗覆組成物，其 中該聚合物或樹脂含有丙烯酸酯單元。 令戒張尺度適用中國國家標準（CNS (210 X 297^1~)~ 一 一 3 91583(修正版) 1253544 H3 1 8 . —種經塗覆之基板，包括： 其上具有 1) 如申請專利範圍第1 6項之抗反射組成物塗 覆層；及 2) 光阻塗覆層之基板。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之經塗覆之基板，其中該 基板為微電子晶圓基板。 2 0.如申請專利範圍第18項之經塗覆之基板，其中該 基板為平面顯示基板。 經濟部中夬標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 91583(修正版)
TW089103901A 1999-03-08 2000-03-04 Planarizing antireflective coating compositions TWI253544B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/264,061 US6316165B1 (en) 1999-03-08 1999-03-08 Planarizing antireflective coating compositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI253544B true TWI253544B (en) 2006-04-21

Family

ID=23004401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089103901A TWI253544B (en) 1999-03-08 2000-03-04 Planarizing antireflective coating compositions

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6316165B1 (zh)
EP (1) EP1035442B1 (zh)
JP (1) JP4789300B2 (zh)
KR (1) KR100869484B1 (zh)
DE (1) DE60042353D1 (zh)
TW (1) TWI253544B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9170493B2 (en) 2011-02-28 2015-10-27 Jsr Corporation Resist underlayer film-forming composition, pattern-forming method and resist underlayer film

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165697A (en) * 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US6773864B1 (en) * 1991-11-15 2004-08-10 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US6472128B2 (en) * 1996-04-30 2002-10-29 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US6528235B2 (en) 1991-11-15 2003-03-04 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
US6316165B1 (en) * 1999-03-08 2001-11-13 Shipley Company, L.L.C. Planarizing antireflective coating compositions
US6323287B1 (en) * 1999-03-12 2001-11-27 Arch Specialty Chemicals, Inc. Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography
KR100465864B1 (ko) * 1999-03-15 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP2003502449A (ja) 1999-06-10 2003-01-21 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
US6890448B2 (en) * 1999-06-11 2005-05-10 Shipley Company, L.L.C. Antireflective hard mask compositions
US6883520B2 (en) * 1999-08-18 2005-04-26 Intrinsic Therapeutics, Inc. Methods and apparatus for dynamically stable spinal implant
CN1196180C (zh) * 1999-08-26 2005-04-06 部鲁尔科学公司 改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料
US20040034134A1 (en) * 1999-08-26 2004-02-19 Lamb James E. Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes
KR100557585B1 (ko) * 1999-10-29 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 컨택홀의 형성방법
JP4654544B2 (ja) * 2000-07-12 2011-03-23 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物
TW556047B (en) 2000-07-31 2003-10-01 Shipley Co Llc Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition
WO2002014954A2 (en) 2000-08-17 2002-02-21 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
KR100734249B1 (ko) * 2000-09-07 2007-07-02 삼성전자주식회사 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
TWI281940B (en) * 2000-09-19 2007-06-01 Shipley Co Llc Antireflective composition
US7132219B2 (en) * 2001-02-02 2006-11-07 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
KR20030006956A (ko) * 2001-05-11 2003-01-23 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. 반사방지 코팅 조성물
TW576859B (en) * 2001-05-11 2004-02-21 Shipley Co Llc Antireflective coating compositions
GB0114265D0 (en) * 2001-06-12 2001-08-01 Ciba Sc Holding Ag Polymeric material containing a latent acid
US6703169B2 (en) * 2001-07-23 2004-03-09 Applied Materials, Inc. Method of preparing optically imaged high performance photomasks
US7326509B2 (en) * 2001-08-20 2008-02-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming anti-reflective coating for use in lithography
TW591341B (en) * 2001-09-26 2004-06-11 Shipley Co Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP3918942B2 (ja) 2001-10-10 2007-05-23 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物
KR20040066124A (ko) 2001-11-15 2004-07-23 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 포토리소그라피용 스핀온 반사 방지 피막
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
EP1484645A4 (en) * 2002-02-19 2008-12-17 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING ANTIREFLECTION COATING
TW523807B (en) * 2002-03-21 2003-03-11 Nanya Technology Corp Method for improving photolithography pattern profile
US8012670B2 (en) 2002-04-11 2011-09-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist systems
US6852474B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-08 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
US7265431B2 (en) * 2002-05-17 2007-09-04 Intel Corporation Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography
JP3852593B2 (ja) 2002-07-17 2006-11-29 日産化学工業株式会社 反射防止膜形成組成物
JP3597523B2 (ja) * 2002-08-27 2004-12-08 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用下地材
US20050173803A1 (en) * 2002-09-20 2005-08-11 Victor Lu Interlayer adhesion promoter for low k materials
US20040067437A1 (en) * 2002-10-06 2004-04-08 Shipley Company, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US7323289B2 (en) * 2002-10-08 2008-01-29 Brewer Science Inc. Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties
KR20040044369A (ko) 2002-11-20 2004-05-28 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. 다층 포토레지스트 시스템
KR20040044368A (ko) * 2002-11-20 2004-05-28 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. 다층 포토레지스트 시스템
CN100570483C (zh) 2003-02-21 2009-12-16 日产化学工业株式会社 含有丙烯酸类聚合物的光刻用形成填隙材料的组合物
US7794919B2 (en) 2003-04-02 2010-09-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound
US7365023B2 (en) 2003-04-17 2008-04-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Porous underlayer coating and underlayer coating forming composition for forming porous underlayer coating
JP4105036B2 (ja) * 2003-05-28 2008-06-18 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4069025B2 (ja) * 2003-06-18 2008-03-26 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
TWI363251B (en) 2003-07-30 2012-05-01 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
US7361447B2 (en) * 2003-07-30 2008-04-22 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7303855B2 (en) * 2003-10-03 2007-12-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoresist undercoat-forming material and patterning process
TWI360726B (en) * 2003-10-30 2012-03-21 Nissan Chemical Ind Ltd Sublayer coating-forming composition containing de
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
JP4612672B2 (ja) * 2004-03-12 2011-01-12 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド リソグラフィ用途のための熱硬化性アンダーコート
US20050255410A1 (en) 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
CN1758141B (zh) * 2004-05-18 2013-12-11 罗姆及海斯电子材料有限公司 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
US7427464B2 (en) * 2004-06-22 2008-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and undercoat-forming material
JP4697467B2 (ja) 2004-11-01 2011-06-08 日産化学工業株式会社 シクロデキストリン化合物を含有するリソグラフィー用下層膜形成組成物
US20060255315A1 (en) * 2004-11-19 2006-11-16 Yellowaga Deborah L Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
US10509320B2 (en) 2005-01-21 2019-12-17 Nissan Chemical Industries, Ltd. Underlying coating forming composition for lithography containing compound having protected carboxyl group
EP1691238A3 (en) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
TWI340296B (en) * 2005-03-20 2011-04-11 Rohm & Haas Elect Mat Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US8426111B2 (en) 2005-04-19 2013-04-23 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer coating forming composition for forming photo-crosslinking cured resist underlayer coating
EP1762895B1 (en) * 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflective Hard Mask Compositions
KR100696539B1 (ko) * 2005-10-11 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
JP4666166B2 (ja) * 2005-11-28 2011-04-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
WO2007066597A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成組成物
US7745104B2 (en) 2006-08-10 2010-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Bottom resist layer composition and patterning process using the same
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
CN101506736B (zh) 2006-08-28 2013-07-10 日产化学工业株式会社 含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物及下层膜形成方法、半导体装置制造方法
CN104765252A (zh) 2006-10-12 2015-07-08 日产化学工业株式会社 使用通过光交联固化形成的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法
US7727705B2 (en) * 2007-02-23 2010-06-01 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. High etch resistant underlayer compositions for multilayer lithographic processes
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP4809376B2 (ja) 2007-03-09 2011-11-09 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料およびこれを用いたパターン形成方法
JP4809378B2 (ja) 2007-03-13 2011-11-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法
US8017296B2 (en) * 2007-05-22 2011-09-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition comprising fused aromatic rings
WO2008143302A1 (ja) 2007-05-23 2008-11-27 Jsr Corporation レジスト下層膜形成用組成物
KR101647158B1 (ko) 2008-01-29 2016-08-09 브레우어 사이언스 인코포레이션 다중 다크 필드 노출에 의한, 하드마스크 패턴화를 위한 온-트랙 공정
JP5378420B2 (ja) * 2008-02-25 2013-12-25 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 加工可能な無機及び有機ポリマー配合物、それらの製造方法及び使用
US7989144B2 (en) * 2008-04-01 2011-08-02 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating composition
US7932018B2 (en) * 2008-05-06 2011-04-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition
US20100119980A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US20100119979A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Rahman M Dalil Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings
US9640396B2 (en) 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US20100316949A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Rahman M Dalil Spin On Organic Antireflective Coating Composition Comprising Polymer with Fused Aromatic Rings
US8486609B2 (en) * 2009-12-23 2013-07-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
JP6146305B2 (ja) * 2011-10-12 2017-06-14 Jsr株式会社 パターン形成方法
CN104428379B (zh) 2012-04-23 2019-11-01 布鲁尔科技公司 光敏性、可溶于显影剂的底部减反射涂层材料
EP2770373A1 (en) 2013-02-20 2014-08-27 Imec Conformal anti-reflective coating
KR101988193B1 (ko) * 2013-11-08 2019-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 화학적 폴리싱 및 평탄화를 위한 방법
JP2015152745A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 大日本印刷株式会社 光配向性を有する熱硬化性組成物、配向層、配向層付基材、位相差板およびデバイス
JP5668881B1 (ja) * 2014-04-14 2015-02-12 大日本印刷株式会社 光配向性を有する熱硬化性組成物、配向層、配向層付基材、位相差板およびデバイス
US9601325B2 (en) * 2014-06-24 2017-03-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic resins for underlayers
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング
KR102421597B1 (ko) * 2015-07-14 2022-07-18 에스케이이노베이션 주식회사 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060656A (en) 1973-04-02 1977-11-29 Teijin Limited Support for photosensitive resin
US4370405A (en) 1981-03-30 1983-01-25 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye
US4362809A (en) 1981-03-30 1982-12-07 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye
US4910122A (en) 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4621042A (en) * 1985-08-16 1986-11-04 Rca Corporation Absorptive planarizing layer for optical lithography
US4668606A (en) * 1985-11-20 1987-05-26 Eastman Kodak Company Positive photoresist with antireflection coating having thermal stability
AU4349489A (en) 1988-09-28 1990-04-18 Brewer Science, Inc. Multifunctional photolithographic compositions
US5281690A (en) † 1989-03-30 1994-01-25 Brewer Science, Inc. Base-soluble polyimide release layers for use in microlithographic processing
US6165697A (en) * 1991-11-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Antihalation compositions
WO1994019396A1 (en) 1992-02-12 1994-09-01 Brewer Science, Inc. Polymers with intrinsic light-absorbing properties
US5234990A (en) * 1992-02-12 1993-08-10 Brewer Science, Inc. Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
SG52770A1 (en) 1992-07-10 1998-09-28 Hoechst Celanese Corp Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists
US5498748A (en) * 1993-07-20 1996-03-12 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Anthracene derivatives
JP3382028B2 (ja) * 1993-09-10 2003-03-04 株式会社東芝 薄膜形成方法
JP2803549B2 (ja) 1993-12-21 1998-09-24 信越化学工業株式会社 光反射性防止材料及びパターン形成方法
US5597868A (en) 1994-03-04 1997-01-28 Massachusetts Institute Of Technology Polymeric anti-reflective compounds
JP2953562B2 (ja) † 1994-07-18 1999-09-27 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料
US5607824A (en) 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
US5663036A (en) * 1994-12-13 1997-09-02 International Business Machines Corporation Microlithographic structure with an underlayer film comprising a thermolyzed azide
US5837417A (en) * 1994-12-30 1998-11-17 Clariant Finance (Bvi) Limited Quinone diazide compositions containing low metals p-cresol oligomers and process of producing the composition
JPH08241858A (ja) * 1995-01-25 1996-09-17 Toshiba Corp 半導体の反射防止膜及びこの反射防止膜を用いた半導体の製造方法
US5693691A (en) 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
JP3781471B2 (ja) * 1996-03-13 2006-05-31 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 反射防止組成物及びこれを用いる感光膜の形成方法
JP3827762B2 (ja) * 1996-03-26 2006-09-27 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 反射防止組成物及びレジストパターン形成方法
US5741626A (en) * 1996-04-15 1998-04-21 Motorola, Inc. Method for forming a dielectric tantalum nitride layer as an anti-reflective coating (ARC)
US5886102A (en) * 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
US5652317A (en) * 1996-08-16 1997-07-29 Hoechst Celanese Corporation Antireflective coatings for photoresist compositions
US5652297A (en) 1996-08-16 1997-07-29 Hoechst Celanese Corporation Aqueous antireflective coatings for photoresist compositions
EP0861855B1 (en) * 1996-09-18 2006-06-21 AZ Electronic Materials USA Corp. Light-absorbing polymer, method for synthesizing the same, and film-forming composition and antireflection film prepared using said polymer
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
JPH10120940A (ja) * 1996-10-18 1998-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止膜用組成物
US6468718B1 (en) * 1999-02-04 2002-10-22 Clariant Finance (Bvi) Limited Radiation absorbing polymer, composition for radiation absorbing coating, radiation absorbing coating and application thereof as anti-reflective coating
JP3851414B2 (ja) * 1997-06-04 2006-11-29 富士写真フイルム株式会社 反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP3473887B2 (ja) † 1997-07-16 2003-12-08 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
US5919599A (en) 1997-09-30 1999-07-06 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet
JP4053631B2 (ja) * 1997-10-08 2008-02-27 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体
US5935760A (en) * 1997-10-20 1999-08-10 Brewer Science Inc. Thermosetting polyester anti-reflective coatings for multilayer photoresist processes
WO1999025766A2 (en) * 1997-11-13 1999-05-27 H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. Radiation curable compositions comprising metallocene polyolefins
US6391786B1 (en) * 1997-12-31 2002-05-21 Lam Research Corporation Etching process for organic anti-reflective coating
US6410209B1 (en) * 1998-09-15 2002-06-25 Shipley Company, L.L.C. Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm
JP3852889B2 (ja) * 1998-09-24 2006-12-06 富士写真フイルム株式会社 フォトレジスト用反射防止膜材料組成物
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
US6316165B1 (en) * 1999-03-08 2001-11-13 Shipley Company, L.L.C. Planarizing antireflective coating compositions
US6106995A (en) * 1999-08-12 2000-08-22 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating material for photoresists
TW556047B (en) * 2000-07-31 2003-10-01 Shipley Co Llc Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9170493B2 (en) 2011-02-28 2015-10-27 Jsr Corporation Resist underlayer film-forming composition, pattern-forming method and resist underlayer film
TWI632431B (zh) * 2011-02-28 2018-08-11 Jsr股份有限公司 Photoresist underlayer film forming composition, pattern forming method and photoresist underlayer film

Also Published As

Publication number Publication date
EP1035442A2 (en) 2000-09-13
JP4789300B2 (ja) 2011-10-12
KR20010006699A (ko) 2001-01-26
US6855466B2 (en) 2005-02-15
DE60042353D1 (de) 2009-07-23
KR100869484B1 (ko) 2008-11-19
EP1035442B1 (en) 2009-06-10
JP2000294504A (ja) 2000-10-20
US6316165B1 (en) 2001-11-13
US20020022196A1 (en) 2002-02-21
EP1035442A3 (en) 2001-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI253544B (en) Planarizing antireflective coating compositions
US6653049B2 (en) High conformality antireflective coating compositions
EP0813114B1 (en) Antireflective coating compositions
US5939236A (en) Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
TWI223128B (en) Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
KR101241468B1 (ko) 포지티브형 광이미지화 가능한 하부 반사 방지 코팅
TWI252963B (en) Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
KR101203219B1 (ko) 반사방지 코팅 조성물
TWI477915B (zh) 與塗覆於上面的光阻併用之塗覆組成物
JP2002072489A (ja) 反射防止組成物
TW200301847A (en) Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP5139018B2 (ja) フォトリソグラフィー用コーティング組成物
TWI254192B (en) Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same
WO2002073307A2 (en) Thermally cured underlayer for lithographic application
KR20030006956A (ko) 반사방지 코팅 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees