JP2000269481A - 高電子移動度トランジスタ - Google Patents
高電子移動度トランジスタInfo
- Publication number
- JP2000269481A JP2000269481A JP11076736A JP7673699A JP2000269481A JP 2000269481 A JP2000269481 A JP 2000269481A JP 11076736 A JP11076736 A JP 11076736A JP 7673699 A JP7673699 A JP 7673699A JP 2000269481 A JP2000269481 A JP 2000269481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- mobility transistor
- mixed crystal
- crystal ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 9
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高出力かつ高利得で高効率な動作
を実現する高電子移動度トランジスタを提供することを
目的とする。 【解決手段】ｎ型半導体層５ａとノンドープ半導体層４
ａとからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高
電子移動度トランジスタにおいて、ｎ型半導体層５ａは
アルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガ
リウムで形成され、ノンドープ半導体層４ａは砒化アル
ミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミ
ニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から
間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特
徴とする高電子移動度トランジスタを提供する。
を実現する高電子移動度トランジスタを提供することを
目的とする。 【解決手段】ｎ型半導体層５ａとノンドープ半導体層４
ａとからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高
電子移動度トランジスタにおいて、ｎ型半導体層５ａは
アルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガ
リウムで形成され、ノンドープ半導体層４ａは砒化アル
ミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミ
ニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から
間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特
徴とする高電子移動度トランジスタを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、さらに詳しくは高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）に関するものである。
し、さらに詳しくは高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話や衛星放送や衛星通信な
どで、マイクロ波やミリ波といった高周波での通信シス
テムが飛躍的に発展している。これらのシステムにおい
て、信号送信部には高出力増幅器が不可欠であるが、シ
ステムの高周波化に伴い、高周波特性に優れたデバイス
として高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が高出力
用素子として使用される機会がますます増えている。
どで、マイクロ波やミリ波といった高周波での通信シス
テムが飛躍的に発展している。これらのシステムにおい
て、信号送信部には高出力増幅器が不可欠であるが、シ
ステムの高周波化に伴い、高周波特性に優れたデバイス
として高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が高出力
用素子として使用される機会がますます増えている。
【０００３】以下において、高周波高出力用に用いられ
る従来のＨＥＭＴの構造および動作を図面を参照して説
明する。図１は、従来のＨＥＭＴの構造を示す断面図で
ある。図１に示されるように、従来のＨＥＭＴは、半絶
縁性ＧａＡｓ基板１の上に電子走行層としてのノンドー
プＧａＡｓ層２、スペーサ層としてのノンドープＡｌ x
Ｇａ1-x Ａｓ層４、電子供給層としてのｎ+ - Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ層５、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層６、
ノンドープＧａＡｓ層７、ｎ+ - ＧａＡｓ層８が順次積
層され、さらにゲート電極９とソース電極１０及びドレ
イン電極１１が形成されている。また、ノンドープＧａ
Ａｓ層２とノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層４との間に
は、二次元電子ガス層３が形成される。このように、高
出力増幅に用いられるＨＥＭＴでは、ゲート耐圧の向上
を意図してゲート電極９の直下やゲート電極９の横に
は、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層６やノンドープＧ
ａＡｓ層７のようにノンドープ層 （もしくはｎ- 層）
を用いることが多い。また、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層４やｎ+ - Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５に用いられる
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓのｘの値としては、２次元電子ガス
の面密度を向上させるためにはある程度大きな値が望ま
しいが、逆に大きすぎるとドナー不純物準位が深くなっ
て二次元電子ガス層３の電子濃度は頭打ちになり、か
つ、光応答特性をもつなど動作が不安定になるため0.2
〜0.3 程度が選ばれることが多い。
る従来のＨＥＭＴの構造および動作を図面を参照して説
明する。図１は、従来のＨＥＭＴの構造を示す断面図で
ある。図１に示されるように、従来のＨＥＭＴは、半絶
縁性ＧａＡｓ基板１の上に電子走行層としてのノンドー
プＧａＡｓ層２、スペーサ層としてのノンドープＡｌ x
Ｇａ1-x Ａｓ層４、電子供給層としてのｎ+ - Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ層５、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層６、
ノンドープＧａＡｓ層７、ｎ+ - ＧａＡｓ層８が順次積
層され、さらにゲート電極９とソース電極１０及びドレ
イン電極１１が形成されている。また、ノンドープＧａ
Ａｓ層２とノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層４との間に
は、二次元電子ガス層３が形成される。このように、高
出力増幅に用いられるＨＥＭＴでは、ゲート耐圧の向上
を意図してゲート電極９の直下やゲート電極９の横に
は、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層６やノンドープＧ
ａＡｓ層７のようにノンドープ層 （もしくはｎ- 層）
を用いることが多い。また、ノンドープＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層４やｎ+ - Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５に用いられる
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓのｘの値としては、２次元電子ガス
の面密度を向上させるためにはある程度大きな値が望ま
しいが、逆に大きすぎるとドナー不純物準位が深くなっ
て二次元電子ガス層３の電子濃度は頭打ちになり、か
つ、光応答特性をもつなど動作が不安定になるため0.2
〜0.3 程度が選ばれることが多い。
【０００４】図２は、この従来のＨＥＭＴの熱平衡状態
でのエネルギーバンドを示す図である。図２において
は、価電子帯Ｅｖと伝導帯Ｅｃとフェルミ準位ＥF 及び
基底状態のエネルギー準位Ｅ0 や第一励起状態のエネル
ギー準位Ｅ1 の関係が示される。また図３は、この従来
のＨＥＭＴの熱平衡状態での電子濃度分布を示す図であ
る。なお、この例ではノーマリ・オン型の素子の場合が
示される。そして、図４は３端子動作でのドレイン電流
を増加させるためにゲートを順方向にバイアスした状態
でのＨＥＭＴのエネルギーバンドを示す図である。ま
た、図５は上記バイアス状態でのＨＥＭＴの電子濃度分
布を示す図である。図２及び図３に示される熱平衡状態
では電子供給層であるｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５は
完全に空乏化していたが、ゲート電極９に印加する順方
向電圧が増加するにつれ、このｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ層５の中に電荷中性領域が出現しその領域が拡大して
いく。すなわち、図５に示されるように、ｎ+ −Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓ層５の電子濃度が高くなっていく。ここ
で、電子供給層であるｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５中
では電子のドリフト速度が電子走行層であるノンドープ
ＧａＡｓ層２に比べ低くなり、また、電子は電子供給層
５からゲート電極９へと流れるため、伝達コンダクタン
スｇm の急激な低下が引き起こされる。図６は、伝達コ
ンダクタンスｇm のゲート電圧Ｖｇ依存性を示す図であ
る。図６において、破線６０が従来のＨＥＭＴの特性を
表しており、実線６１が後記する本発明の実施の形態に
かかるＨＥＭＴの特性を表している。
でのエネルギーバンドを示す図である。図２において
は、価電子帯Ｅｖと伝導帯Ｅｃとフェルミ準位ＥF 及び
基底状態のエネルギー準位Ｅ0 や第一励起状態のエネル
ギー準位Ｅ1 の関係が示される。また図３は、この従来
のＨＥＭＴの熱平衡状態での電子濃度分布を示す図であ
る。なお、この例ではノーマリ・オン型の素子の場合が
示される。そして、図４は３端子動作でのドレイン電流
を増加させるためにゲートを順方向にバイアスした状態
でのＨＥＭＴのエネルギーバンドを示す図である。ま
た、図５は上記バイアス状態でのＨＥＭＴの電子濃度分
布を示す図である。図２及び図３に示される熱平衡状態
では電子供給層であるｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５は
完全に空乏化していたが、ゲート電極９に印加する順方
向電圧が増加するにつれ、このｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ層５の中に電荷中性領域が出現しその領域が拡大して
いく。すなわち、図５に示されるように、ｎ+ −Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓ層５の電子濃度が高くなっていく。ここ
で、電子供給層であるｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５中
では電子のドリフト速度が電子走行層であるノンドープ
ＧａＡｓ層２に比べ低くなり、また、電子は電子供給層
５からゲート電極９へと流れるため、伝達コンダクタン
スｇm の急激な低下が引き起こされる。図６は、伝達コ
ンダクタンスｇm のゲート電圧Ｖｇ依存性を示す図であ
る。図６において、破線６０が従来のＨＥＭＴの特性を
表しており、実線６１が後記する本発明の実施の形態に
かかるＨＥＭＴの特性を表している。
【０００５】さらに、従来のＨＥＭＴにおいては、上記
の電子濃度の頭打ちを回避し、光応答特性を改良するた
めに図１に示される電子供給層としてのｎ+ −Ａｌx Ｇ
ａ1- x Ａｓ層５のかわりにｎ+ −ＧａＡｓとｉ−ＡｌＡ
ｓとからなる超格子構造を用いたものが考案されてい
る。すなわち、ドナー不純物準位が深くなるのは、アル
ミニウム原子とドナーであるシリコン原子の相互作用で
あるから、アルミニウム原子とシリコン原子を空間的に
分離してやれば、この問題を回避できる。
の電子濃度の頭打ちを回避し、光応答特性を改良するた
めに図１に示される電子供給層としてのｎ+ −Ａｌx Ｇ
ａ1- x Ａｓ層５のかわりにｎ+ −ＧａＡｓとｉ−ＡｌＡ
ｓとからなる超格子構造を用いたものが考案されてい
る。すなわち、ドナー不純物準位が深くなるのは、アル
ミニウム原子とドナーであるシリコン原子の相互作用で
あるから、アルミニウム原子とシリコン原子を空間的に
分離してやれば、この問題を回避できる。
【０００６】図７は、ｎ+ −ＧａＡｓ１３とｉ−ＡｌＡ
ｓ１２とからなる超格子構造を有する電子供給層のエネ
ルギーバンドを、バンドの曲がりを省略して示したもの
である。図７に示されるように、この電子供給層の実効
的なエネルギーバンドギャップＥｇは超格子構造により
量子化された電子の基底状態のエネルギー準位ＥQeとホ
ールの基底状態のエネルギー準位ＥQhとの差で定義さ
れ、ｎ+ −ＧａＡｓ１３の層の厚さを適当な値に選べ
ば、ｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５においてｘが0.3 程
度の場合と同様かそれ以上の大きさとすることができ
る。よって、このような超格子構造とされたＨＥＭＴの
電子供給層では、熱平衡状態において超格子の井戸部
（ｎ+ −ＧａＡｓ層）に電子が局在することはない。な
お図７において、ｉ−ＡｌＡｓ１２の伝導帯Ｅｃのレベ
ルはΓ点での値に基づくものである。
ｓ１２とからなる超格子構造を有する電子供給層のエネ
ルギーバンドを、バンドの曲がりを省略して示したもの
である。図７に示されるように、この電子供給層の実効
的なエネルギーバンドギャップＥｇは超格子構造により
量子化された電子の基底状態のエネルギー準位ＥQeとホ
ールの基底状態のエネルギー準位ＥQhとの差で定義さ
れ、ｎ+ −ＧａＡｓ１３の層の厚さを適当な値に選べ
ば、ｎ+ −Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層５においてｘが0.3 程
度の場合と同様かそれ以上の大きさとすることができ
る。よって、このような超格子構造とされたＨＥＭＴの
電子供給層では、熱平衡状態において超格子の井戸部
（ｎ+ −ＧａＡｓ層）に電子が局在することはない。な
お図７において、ｉ−ＡｌＡｓ１２の伝導帯Ｅｃのレベ
ルはΓ点での値に基づくものである。
【０００７】しかしながら、かかる構成においても高ド
レイン電流時には二次元電子ガス層３中の電子が加速さ
れて電子供給層に流れ込んでしまい、伝達コンダクタン
スｇ m の急激な低下を引き起こす。 また図８は、従来
のＨＥＭＴの３端子特性と、高出力動作時の負荷線８０
を示す図である。図８において、高電流域８１では伝達
コンダクタンスｇm が低下するため、出力電力は低下す
る。また、おおよそ負荷線８０全体にわたっての伝達コ
ンダクタンスｇm の平均値で決まる電力利得も低下する
こととなる。さらには、肩電圧（Ｋnee voltage ）近傍
で伝達コンダクタンスｇm が低下することにより、ドレ
イン効率や電力付加効率の低下も引き起こされる。そし
てこれらの欠点は、ＨＥＭＴを高出力増幅用に用いる場
合には大きな問題となる。
レイン電流時には二次元電子ガス層３中の電子が加速さ
れて電子供給層に流れ込んでしまい、伝達コンダクタン
スｇ m の急激な低下を引き起こす。 また図８は、従来
のＨＥＭＴの３端子特性と、高出力動作時の負荷線８０
を示す図である。図８において、高電流域８１では伝達
コンダクタンスｇm が低下するため、出力電力は低下す
る。また、おおよそ負荷線８０全体にわたっての伝達コ
ンダクタンスｇm の平均値で決まる電力利得も低下する
こととなる。さらには、肩電圧（Ｋnee voltage ）近傍
で伝達コンダクタンスｇm が低下することにより、ドレ
イン効率や電力付加効率の低下も引き起こされる。そし
てこれらの欠点は、ＨＥＭＴを高出力増幅用に用いる場
合には大きな問題となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解消するためになされたものであり、高出力かつ高利
得で高効率な動作を実現する高電子移動度トランジスタ
を提供することを目的とする。
を解消するためになされたものであり、高出力かつ高利
得で高効率な動作を実現する高電子移動度トランジスタ
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ｎ型半導
体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有す
る電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおい
て、ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の
砒化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導
体層は、砒化アルミニウムガリウムで形成されるととも
に、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比
は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍
とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタを
提供することによって達成される。
体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有す
る電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおい
て、ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の
砒化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導
体層は、砒化アルミニウムガリウムで形成されるととも
に、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比
は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍
とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタを
提供することによって達成される。
【００１０】また上記目的は、さらに上記ノンドープ半
導体層が、該ノンドープ半導体層のΓ点における伝導帯
のエネルギーレベルをＸ点やＬ点におけるエネルギーレ
ベルよりも低くする組成を持った砒化アルミニウムガリ
ウムで形成された高電子移動度トランジスタを提供する
ことによって達成される。また上記目的は、さらに上記
ノンドープ半導体層を形成する砒化アルミニウムガリウ
ムのアルミニウム混晶比が0.4 〜0.5 である高電子移動
度トランジスタを提供することによって達成される。
導体層が、該ノンドープ半導体層のΓ点における伝導帯
のエネルギーレベルをＸ点やＬ点におけるエネルギーレ
ベルよりも低くする組成を持った砒化アルミニウムガリ
ウムで形成された高電子移動度トランジスタを提供する
ことによって達成される。また上記目的は、さらに上記
ノンドープ半導体層を形成する砒化アルミニウムガリウ
ムのアルミニウム混晶比が0.4 〜0.5 である高電子移動
度トランジスタを提供することによって達成される。
【００１１】また上記目的は、電子走行層と、ｎ型半導
体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有す
る電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおい
て、ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.3 以下の砒
化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導体
層はアルミニウム混晶比が0.4 〜0.5 の砒化アルミニウ
ムガリウムで形成され、電子走行層はインジウム混晶比
が0.1 〜0.3 の砒化インジウムガリウムで形成されるこ
とを特徴とする高電子移動度トランジスタを提供するこ
とにより達成される。
体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有す
る電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおい
て、ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.3 以下の砒
化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導体
層はアルミニウム混晶比が0.4 〜0.5 の砒化アルミニウ
ムガリウムで形成され、電子走行層はインジウム混晶比
が0.1 〜0.3 の砒化インジウムガリウムで形成されるこ
とを特徴とする高電子移動度トランジスタを提供するこ
とにより達成される。
【００１２】本発明におけるこれらの手段によれば、大
きなドレイン電流が流れる時においても伝達コンダクタ
ンスが高い値に維持される高電子移動度トランジスタを
得ることができる。
きなドレイン電流が流れる時においても伝達コンダクタ
ンスが高い値に維持される高電子移動度トランジスタを
得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態を図面を参照して詳しく説明する。図９は、本発明の
実施の形態にかかる高周波高出力増幅用の高電子移動度
トランジスタの構造を示す断面図である。図９に示され
るように、この高電子移動度トランジスタは、図１に示
された従来の高電子移動度トランジスタと同様な構造を
有するが、電子走行層をより高い移動度及びドリフト速
度が期待できるＩｎ0. 2 Ｇａ0.8 Ａｓで形成することと
している。より具体的には、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の
上にｉ―ＧａＡｓ層からなる厚さ5000Åのバッファ層１
ａ、ノンドープＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ130
Åの電子走行層２ａ、二次元電子ガス層３、ノンドープ
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる厚さ40Åのスペーサ層４
ａ、ｎ+- Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ40Åでキ
ャリア濃度が２ｘ１０18ｃｍ-3の電子供給層５ａ、Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ200 Åでキャリア濃度が
２ｘ１０16ｃｍ-3の障壁層６ａ、ＧａＡｓからなる厚さ
300 Åでキャリア濃度が２ｘ１０16ｃｍ-3のキャップ層
７ａ、ｎ+ - Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ20Åで
キャリア濃度が２ｘ１０18ｃｍ-3のエッチング・ストッ
パ層７ｂ、ＧａＡｓからなる厚さ800 Åでキャリア濃度
が２ｘ１０18ｃｍ-3のオーミック・コンタクト層８ａ、
ＳｉＮからなる表面保護膜１７が順次積層され、ゲート
電極９とソース電極１０及びドレイン電極１１が形成さ
れる。
態を図面を参照して詳しく説明する。図９は、本発明の
実施の形態にかかる高周波高出力増幅用の高電子移動度
トランジスタの構造を示す断面図である。図９に示され
るように、この高電子移動度トランジスタは、図１に示
された従来の高電子移動度トランジスタと同様な構造を
有するが、電子走行層をより高い移動度及びドリフト速
度が期待できるＩｎ0. 2 Ｇａ0.8 Ａｓで形成することと
している。より具体的には、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の
上にｉ―ＧａＡｓ層からなる厚さ5000Åのバッファ層１
ａ、ノンドープＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ130
Åの電子走行層２ａ、二次元電子ガス層３、ノンドープ
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる厚さ40Åのスペーサ層４
ａ、ｎ+- Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ40Åでキ
ャリア濃度が２ｘ１０18ｃｍ-3の電子供給層５ａ、Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ200 Åでキャリア濃度が
２ｘ１０16ｃｍ-3の障壁層６ａ、ＧａＡｓからなる厚さ
300 Åでキャリア濃度が２ｘ１０16ｃｍ-3のキャップ層
７ａ、ｎ+ - Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる厚さ20Åで
キャリア濃度が２ｘ１０18ｃｍ-3のエッチング・ストッ
パ層７ｂ、ＧａＡｓからなる厚さ800 Åでキャリア濃度
が２ｘ１０18ｃｍ-3のオーミック・コンタクト層８ａ、
ＳｉＮからなる表面保護膜１７が順次積層され、ゲート
電極９とソース電極１０及びドレイン電極１１が形成さ
れる。
【００１４】また、ゲート電極９はゲート長が0.25μｍ
でＷＳｉ／ＡｕのＴ型ゲート構造とし、ソース電極１０
とドレイン電極１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕで形成する
とともにこれらの電極間の距離を４μｍとした。このよ
うな高電子移動度トランジスタのパワー特性を２０ＧＨ
ｚで評価したところ、従来の高電子移動度トランジスタ
と比べて、利得で約１ｄＢ、出力電力で約0.5 ｄＢ、電
力付加効率で約５％の改善がみられた。
でＷＳｉ／ＡｕのＴ型ゲート構造とし、ソース電極１０
とドレイン電極１１はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕで形成する
とともにこれらの電極間の距離を４μｍとした。このよ
うな高電子移動度トランジスタのパワー特性を２０ＧＨ
ｚで評価したところ、従来の高電子移動度トランジスタ
と比べて、利得で約１ｄＢ、出力電力で約0.5 ｄＢ、電
力付加効率で約５％の改善がみられた。
【００１５】なお、本発明においては、電子走行層をｉ
−ＧａＡｓで形成した高電子移動度トランジスタも同様
に考えることができるが、以下においては、この場合の
高電子移動度トランジスタの性質について説明する。図
１０は、本発明の実施の形態にかかる高電子移動度トラ
ンジスタが熱平衡状態にあるときのエネルギーバンドを
示す図である。また、図１１は、その高電子移動度トラ
ンジスタの高ドレイン電流時のエネルギーバンドを示す
図であり、電子供給層側における電子の基底状態のエネ
ルギー準位ＥQeが図示される。ここで、電子供給層を超
格子構造とすれば、後で説明するようにスペーサ層４ａ
のバリア高さを最大化できるため、高ドレイン電流時に
おいてエネルギー準位ＥQeを二次元電子ガス層３中の電
子のエネルギーよりも高い値に設定でき、その結果とし
て電子濃度分布は図１２に示されるようになる。すなわ
ち、電子供給層における電子の存在確率が従来より低く
なる。また、二次元電子ガス層の電子濃度はより高い値
となるため、図６の実線６１に示されるように、大きな
ドレイン電流が流れる状態においても高い伝達コンダク
タンスを維持することができる。
−ＧａＡｓで形成した高電子移動度トランジスタも同様
に考えることができるが、以下においては、この場合の
高電子移動度トランジスタの性質について説明する。図
１０は、本発明の実施の形態にかかる高電子移動度トラ
ンジスタが熱平衡状態にあるときのエネルギーバンドを
示す図である。また、図１１は、その高電子移動度トラ
ンジスタの高ドレイン電流時のエネルギーバンドを示す
図であり、電子供給層側における電子の基底状態のエネ
ルギー準位ＥQeが図示される。ここで、電子供給層を超
格子構造とすれば、後で説明するようにスペーサ層４ａ
のバリア高さを最大化できるため、高ドレイン電流時に
おいてエネルギー準位ＥQeを二次元電子ガス層３中の電
子のエネルギーよりも高い値に設定でき、その結果とし
て電子濃度分布は図１２に示されるようになる。すなわ
ち、電子供給層における電子の存在確率が従来より低く
なる。また、二次元電子ガス層の電子濃度はより高い値
となるため、図６の実線６１に示されるように、大きな
ドレイン電流が流れる状態においても高い伝達コンダク
タンスを維持することができる。
【００１６】図１３に示されるように、Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ系においては、混晶比ｘの値が大きくなるにつれて
Γ点での伝導帯Ｅｃ（Γ）のレベルは高くなっていく
が、Ｘ, Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）のレベルは逆に
低くなって行く。そして、混晶比ｘが臨界混晶比ｘｃ
（〜0.5 ）以上ではΓ点の伝導帯Ｅｃ（Γ）よりもＸ,
Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）の方が低いエネルギーと
なっている。ここにおいて、臨界混晶比ｘｃ以下の混晶
比では直接遷移形であり、臨界混晶比ｘｃ以上の混晶比
では間接遷移形となる。
Ａｓ系においては、混晶比ｘの値が大きくなるにつれて
Γ点での伝導帯Ｅｃ（Γ）のレベルは高くなっていく
が、Ｘ, Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）のレベルは逆に
低くなって行く。そして、混晶比ｘが臨界混晶比ｘｃ
（〜0.5 ）以上ではΓ点の伝導帯Ｅｃ（Γ）よりもＸ,
Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）の方が低いエネルギーと
なっている。ここにおいて、臨界混晶比ｘｃ以下の混晶
比では直接遷移形であり、臨界混晶比ｘｃ以上の混晶比
では間接遷移形となる。
【００１７】ここで、電子供給層の超格子構造におい
て、バンドギャップが広い方の材料（本実施の形態にお
いてはノンドープＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ）はできるだけ
伝導帯Ｅｃのレベルが高い方がスペーサ層４ａのバリア
高さを高くできるという点で望ましいが、上記のように
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系の場合に混晶比ｘの値を臨界混晶
比ｘｃより大きくすると、Γ点の伝導帯Ｅｃ（Γ）より
もＸ, Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）の方がレベルが低
くなり実効的な伝導帯の値が小さくなってしまう。した
がって、ｘの値としては0.5 程度が最適である。また、
バンドギャップが狭い方の材料（本実施の形態において
はｎ+ - Ａｌ0. 2 Ｇａ0.8 Ａｓ）も、二次元電子ガス層
３中の電子を効果的に閉じ込めるためには伝導帯Ｅｃの
レベルが高い方がよいが、この層にはドナー不純物（Ｓ
ｉ）がドーピングされるため、混晶比ｘの値を大きくし
すぎると不純物準位が深くなるという問題が生じる。こ
のことから、ｎ型半導体層のアルミニウム混晶比ｘは0.
2程度が最適である。なお、本発明の実施の形態をｎ+ -
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓとｉ- Ａｌ0.5 Ｇａ 0.5 Ａｓの
超格子構造で説明したが、半導体材料はＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ系に限られるものではない。
て、バンドギャップが広い方の材料（本実施の形態にお
いてはノンドープＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ）はできるだけ
伝導帯Ｅｃのレベルが高い方がスペーサ層４ａのバリア
高さを高くできるという点で望ましいが、上記のように
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系の場合に混晶比ｘの値を臨界混晶
比ｘｃより大きくすると、Γ点の伝導帯Ｅｃ（Γ）より
もＸ, Ｌ点での伝導帯Ｅｃ（Ｘ, Ｌ）の方がレベルが低
くなり実効的な伝導帯の値が小さくなってしまう。した
がって、ｘの値としては0.5 程度が最適である。また、
バンドギャップが狭い方の材料（本実施の形態において
はｎ+ - Ａｌ0. 2 Ｇａ0.8 Ａｓ）も、二次元電子ガス層
３中の電子を効果的に閉じ込めるためには伝導帯Ｅｃの
レベルが高い方がよいが、この層にはドナー不純物（Ｓ
ｉ）がドーピングされるため、混晶比ｘの値を大きくし
すぎると不純物準位が深くなるという問題が生じる。こ
のことから、ｎ型半導体層のアルミニウム混晶比ｘは0.
2程度が最適である。なお、本発明の実施の形態をｎ+ -
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓとｉ- Ａｌ0.5 Ｇａ 0.5 Ａｓの
超格子構造で説明したが、半導体材料はＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓ系に限られるものではない。
【００１８】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、高出力か
つ高利得で高効率な動作を実現する高電子移動度トラン
ジスタを得ることができる。
つ高利得で高効率な動作を実現する高電子移動度トラン
ジスタを得ることができる。
【図１】図１は、従来のＨＥＭＴの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図２は、従来のＨＥＭＴの熱平衡状態でのエネ
ルギーバンドを示す図である。
ルギーバンドを示す図である。
【図３】図３は、従来のＨＥＭＴの熱平衡状態での電子
濃度分布を示す図である。
濃度分布を示す図である。
【図４】図４は、３端子動作でのドレイン電流を増加さ
せるためにゲートを順方向にバイアスした状態での従来
のＨＥＭＴのエネルギーバンドを示す図である。
せるためにゲートを順方向にバイアスした状態での従来
のＨＥＭＴのエネルギーバンドを示す図である。
【図５】図５は、バイアス状態での従来のＨＥＭＴの電
子濃度分布を示す図である。
子濃度分布を示す図である。
【図６】図６は、伝達コンダクタンスのゲート電圧依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図７】図７は、ｎ+ −ＧａＡｓとｉ−ＡｌＡｓとから
なる超格子構造を有する電子供給層のエネルギーバンド
を、バンドの曲がりを省略して示したものである。
なる超格子構造を有する電子供給層のエネルギーバンド
を、バンドの曲がりを省略して示したものである。
【図８】図８は、従来のＨＥＭＴの３端子特性と、高出
力動作時の負荷線を示す図である。
力動作時の負荷線を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態にかかる高周波高
出力増幅用の高電子移動度トランジスタの構造を示す断
面図である。
出力増幅用の高電子移動度トランジスタの構造を示す断
面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態にかかる高電
子移動度トランジスタが熱平衡状態にあるときのエネル
ギーバンドを示す図である。
子移動度トランジスタが熱平衡状態にあるときのエネル
ギーバンドを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態にかかる高電
子移動度トランジスタの高ドレイン電流時のエネルギー
バンドを示す図である。
子移動度トランジスタの高ドレイン電流時のエネルギー
バンドを示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態にかかる高電
子移動度トランジスタの高ドレイン電流時の電子濃度分
布を示す図である。
子移動度トランジスタの高ドレイン電流時の電子濃度分
布を示す図である。
【図１３】図１３は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系における伝
導帯の混晶比依存性を示す図である。
導帯の混晶比依存性を示す図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 １ａ バッファ層 ２ ノンドープＧａＡｓ層 ２ａ 電子走行層 ３ 二次元電子ガス層 ４ ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層 ４ａ スペーサ層 ５ n + - Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層 ５ａ 電子供給層 ６ ノンドープＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層 ６ａ 障壁層 ７ ノンドープＧａＡｓ層 ７ａ キャップ層 ７ｂ エッチング・ストッパ層 ８ ｎ+ −ＧａＡｓ層 ８ａ オーミック・コンタクト層 ９ ゲート電極 １０ ソース電極 １１ ドレイン電極 １２ ｉ−ＡｌＡｓ １３ ｎ+ −ＧａＡｓ １７ 表面保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ｎ型半導体層とノンドープ半導体層とか
らなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高電子移
動度トランジスタにおいて、 前記ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の
砒化アルミニウムガリウムで形成され、 前記ノンドープ半導体層は、砒化アルミニウムガリウム
で形成されるとともに、該砒化アルミニウムガリウムの
アルミニウム混晶比は直接遷移形から間接遷移形へ移行
する臨界混晶比近傍とされたことを特徴とする高電子移
動度トランジスタ。 - 【請求項２】 前記ノンドープ半導体層は、該ノンドー
プ半導体層のΓ点における伝導帯のエネルギーレベルを
Ｘ点やＬ点におけるエネルギーレベルよりも低くする組
成を持った砒化アルミニウムガリウムで形成された請求
項１に記載の高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項３】 前記ノンドープ半導体層を形成する砒化
アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比が0.4 〜0.
5 である請求項２に記載の高電子移動度トランジスタ。 - 【請求項４】 電子走行層と、ｎ型半導体層とノンドー
プ半導体層とからなる超格子構造を有する電子供給層を
備えた高電子移動度トランジスタにおいて、 前記ｎ型半導体層はアルミニウム混晶比が0.3 以下の砒
化アルミニウムガリウムで形成され、 前記ノンドープ半導体層はアルミニウム混晶比が0.4 〜
0.5 の砒化アルミニウムガリウムで形成され、 前記電子走行層はインジウム混晶比が0.1 〜0.3 の砒化
インジウムガリウムで形成されることを特徴とする高電
子移動度トランジスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07673699A JP3429700B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 高電子移動度トランジスタ |
| US09/443,210 US6242766B1 (en) | 1999-03-19 | 1999-11-18 | High electron mobility transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07673699A JP3429700B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 高電子移動度トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269481A true JP2000269481A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3429700B2 JP3429700B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=13613888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07673699A Expired - Fee Related JP3429700B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 高電子移動度トランジスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6242766B1 (ja) |
| JP (1) | JP3429700B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043156A2 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hemt and communication system using the same |
| JP2007103425A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体からなる電界効果トランジスタ |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242776B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device improvement by lowering LDD resistance with new silicide process |
| US6489639B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-12-03 | Raytheon Company | High electron mobility transistor |
| US6452221B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-09-17 | Trw Inc. | Enhancement mode device |
| WO2003015174A2 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-20 | Jan Kuzmik | High electron mobility devices |
| US7086003B2 (en) * | 2003-06-13 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Attaching multiple files to an electronic document |
| US7550783B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates |
| US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
| US9773877B2 (en) * | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
| US7229903B2 (en) * | 2004-08-25 | 2007-06-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Recessed semiconductor device |
| US11791385B2 (en) * | 2005-03-11 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Wide bandgap transistors with gate-source field plates |
| US8283699B2 (en) * | 2006-11-13 | 2012-10-09 | Cree, Inc. | GaN based HEMTs with buried field plates |
| US10497829B2 (en) | 2009-12-04 | 2019-12-03 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor material doping |
| US9634183B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-04-25 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor material doping |
| US9679981B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
| US9847411B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-12-19 | Cree, Inc. | Recessed field plate transistor structures |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196768A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6196769A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 電界効果トランジスタ |
| JPS61198784A (ja) | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
| JPS6235678A (ja) | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | ダブル・ヘテロ型電界効果トランジスタ |
| JPS632384A (ja) | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2716136B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US4912451A (en) * | 1988-03-28 | 1990-03-27 | Nippon Soken, Inc. | Heterojunction magnetic field sensor |
| JPH0714850A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| JP2661556B2 (ja) * | 1994-07-25 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 電界効果型半導体装置 |
| JP3604502B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2004-12-22 | 本田技研工業株式会社 | 高電子移動度トランジスタ |
| JPH10125901A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ，及びその製造方法 |
| JP3458349B2 (ja) * | 1996-11-19 | 2003-10-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07673699A patent/JP3429700B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-18 US US09/443,210 patent/US6242766B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043156A2 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hemt and communication system using the same |
| WO2002043156A3 (en) * | 2000-11-21 | 2002-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hemt and communication system using the same |
| US6903383B2 (en) | 2000-11-21 | 2005-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a high breakdown voltage for use in communication systems |
| JP2007103425A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体からなる電界効果トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3429700B2 (ja) | 2003-07-22 |
| US6242766B1 (en) | 2001-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wu et al. | Bias dependent microwave performance of AlGaN/GaN MODFET's up to 100 V | |
| US7825434B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JP3429700B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| EP0514079B1 (en) | High electron mobility transistor and method of manufacture | |
| US7355215B2 (en) | Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies | |
| US7144765B2 (en) | Semiconductor device with Schottky electrode including lanthanum and boron, and manufacturing method thereof | |
| US9786743B2 (en) | Semiconductor device with electron supply layer | |
| JP2000349096A (ja) | 化合物電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP4913324B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH06188271A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US5751029A (en) | Field-effect semiconductor device having heterojunction | |
| Pao et al. | Impact of surface layer on In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InP high electron mobility transistors | |
| JP2002313815A (ja) | 電界効果トランジスタ及び高周波モジュール | |
| JP3383057B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0261149B2 (ja) | ||
| JPH0669246A (ja) | 電界効果型化合物半導体装置 | |
| JPH09307100A (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JP2581423B2 (ja) | ヘテロ接合ｆｅｔ | |
| JP2000294767A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP3122474B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2876749B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003347307A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05251473A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2010267817A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2003234358A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |