JP2000269087A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JP2000269087A JP2000269087A JP11075224A JP7522499A JP2000269087A JP 2000269087 A JP2000269087 A JP 2000269087A JP 11075224 A JP11075224 A JP 11075224A JP 7522499 A JP7522499 A JP 7522499A JP 2000269087 A JP2000269087 A JP 2000269087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- derivative
- conductive polymer
- thiophene derivative
- capacitor
- polymer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 154
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 130
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims abstract description 97
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000005181 nitrobenzenes Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 53
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 51
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 42
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 39
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 29
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 28
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical group O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 22
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 18
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 14
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SLAMLWHELXOEJZ-UHFFFAOYSA-N 2-nitrobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O SLAMLWHELXOEJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUZLXCQFXTZASF-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanol Chemical group [O-][N+](=O)C(O)C1=CC=CC=C1 XUZLXCQFXTZASF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CHZCERSEMVWNHL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzonitrile Chemical compound OC1=CC=CC=C1C#N CHZCERSEMVWNHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 2-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- ZYUVGYBAPZYKSA-UHFFFAOYSA-N 5-(3-hydroxybutan-2-yl)-4-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)C1=CC(O)=CC(O)=C1C ZYUVGYBAPZYKSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NHADDZMCASKINP-HTRCEHHLSA-N decarboxydihydrocitrinin Natural products C1=C(O)C(C)=C2[C@H](C)[C@@H](C)OCC2=C1O NHADDZMCASKINP-HTRCEHHLSA-N 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 29
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 14
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 abstract 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 9
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-M naphthalene-1-sulfonate Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-M 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonate Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)[O-] JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 3
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- -1 toluenesulfonic acid anion Chemical class 0.000 description 3
- CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 4-cyanophenol Chemical compound OC1=CC=C(C#N)C=C1 CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTJIUGUIPKRLHP-UHFFFAOYSA-N 4-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 BTJIUGUIPKRLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229940044631 ferric chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- 235000007144 ferric diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011706 ferric diphosphate Substances 0.000 description 1
- CADNYOZXMIKYPR-UHFFFAOYSA-B ferric pyrophosphate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O CADNYOZXMIKYPR-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- NQXWGWZJXJUMQB-UHFFFAOYSA-K iron trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].Cl[Fe+]Cl NQXWGWZJXJUMQB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K iron(3+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+3].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SZQUEWJRBJDHSM-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate;nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O SZQUEWJRBJDHSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000462 iron(III) oxide hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AWDBHOZBRXWRKS-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;iron(6+);hexacyanide Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[Fe+6].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] AWDBHOZBRXWRKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/52—Separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコ
ンデンサを容易に得ることを目的とする。 【解決手段】 誘電体層の上に導電層を形成した後、チ
オフェン誘導体を乳化分散させた水媒体の電解液を用い
た電解重合によって、チオフェン誘導体を繰り返し単位
として含む導電性高分子層を形成するコンデンサの製造
方法であり、アニオン系面活性剤を添加した水媒体中で
の電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを導
入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び
環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ
高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サ、あるいはフィルムコンデンサを容易に得ることがで
きる。さらに、フェノ−ル誘導体あるいはニトロベンゼ
ン誘導体を含んだ電解液を用いるコンデンサの製造方法
である。
Description
熱耐湿性に優れた小型大容量コンデンサの製造方法に関
し、誘電体層の少なくとも一方の表面に、導電性高分子
層を備えたコンデンサの製造方法に関するものである。
コンデンサについても小型大容量で高周波領域でのイン
ピーダンスの低いものが要求されている。
高い導電性高分子を用いて、高周波領域でのインピ−ダ
ンスを低くしたコンデンサが多く提案されている。
ーエチレンジオキシチオフェンを繰り返し単位としp−
トルエンスルホン酸アニオンをド−パントとして含む導
電性高分子を化学重合により形成したコンデンサが提案
されている(特開平2−15611号公報)。3,4−
エチレンジオキシチオフェンモノマ−と酸化剤を溶媒に
より溶解した溶液を、酸化が施されたアルミニウム電極
に塗布し、次いで室温あるいは加熱して溶媒を除去し、
化学重合反応により導電性高分子層を形成し、次いで水
を用いて導電性高分子層から過剰な酸化剤を洗い去り、
最後に乾燥させてコンデンサを得る製造方法が記述され
ている。
ン及び過塩素酸テトラブチルアンモニウムをアセトニト
リルに溶解した電解液を用いて、白金電極上に電解重合
法によりポリチオフェン膜を得る方法が提案されている
(特開平1−313521号公報)。
ンと酸化剤とを混合した混合溶液を、陽極電極箔と陰極
電極箔とをガラスペ−パ−からなるセパレ−タを介して
巻回したコンデンサ素子に含浸し、セパレ−タに浸透し
た混合溶液中の重合反応により生成したポリエチレンジ
オキシチオフェンを電解質層としてセパレ−タで保持し
た固体電解コンデンサが提案されている(特開平9−2
93639号公報)。
を、溶媒にはエチレングリコ−ルを用い、混合溶液を含
浸したコンデンサ素子を、25℃ないし100℃の温度
に放置して、重合反応によりポリエチレンジオキシチオ
フェンからなる導電性高分子層を生成させ、次いで水、
有機溶媒等を用いて洗浄し、最後に乾燥させてコンデン
サを得る製造方法が提案されている。
に電解重合によるポリピロ−ル膜を形成するタンタル固
体電解コンデンサの製造方法が提案されている(特開平
3−18009号公報)。
層の上にチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む導
電性高分子層を化学重合のみにより形成する場合には、
重合速度が遅いため重合に長時間を要するという課題が
あった。
後に、電解重合法によりチオフェン誘導体を繰り返し単
位として含む導電性高分子層を形成しようとした場合、
チオフェン誘導体が水に溶け難いため、電解液の溶媒に
有機溶媒を用いる方法が知られている。有機溶媒には可
燃性のものが多く、電解重合法で大量生産を考慮した場
合、電気火花による引火を予防するための厳格な措置を
必要とするという課題があった。
散による電解液組成変化が大きく、定常状態で重合反応
を進行させることが困難で、安定した電気伝導度ならび
に環境安定性を有する導電性高分子が得られにくいとい
う課題も抱えていた。
決するもので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に得ることを目的とする。
決するもので、本発明による第一のコンデンサの製造方
法は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少な
くても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学重合によ
り第1の導電性高分子層を形成する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重合に
より形成する工程とを備えた構成である。
成し、それを導電層として用い、その上に水媒体の電解
重合によりチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む
導電性高分子層を容易に形成することができる。
極めて低い。そこで、アニオン系界面活性剤とともに水
媒体中で撹拌することにより、界面活性剤で形成された
ミセル中に取り込まれる。その乳化した水媒体の溶液を
電解液として用いる。重合反応は重合性モノマ−がミセ
ル中に濃縮されているため、速やかに進行し、かつ重合
度の高い重合体が容易に得られる。そのため、得られた
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分
子は高収率でかつ電気伝導度が高い。また、無毒性かつ
不燃性の水を媒体として用いるため、生産プロセスの構
築が容易で、コンデンサの量産を容易にすることができ
る。
酸系界面活性剤が使用され、さらには脱ド−プしにくい
嵩高な構造を有するアルキルナフタレンスルホン酸系界
面活性剤が好適に使用される。ド−パントとして取り込
まれた界面活性剤アニオンの嵩が大きいために脱ド−プ
が抑制される。これらによって、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サあるいはフィルムコンデンサを容易に得ることができ
る。
は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少なく
ても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学重合により
第1の導電性高分子層を形成する工程と、チオフェン誘
導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ
−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を
含有する水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフ
ェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分
子層を電解重合により形成する工程とを備えた構成であ
る。
またはその誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長
の発達した導電性高分子を生成できるため、電気伝導度
が高く、環境安定性の高い導電性高分子層を形成できる
ので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定
性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデ
ンサを容易に得ることができる。
れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コ
ンデンサあるいはフィルムコンデンサを容易に得ること
ができる。
誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても
一方にマンガン酸化物層を形成する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子層を電解重合により形
成する工程とを備えた構成としたものであり、誘電体層
の上に硝酸マンガン水溶液を塗布してから加熱処理によ
って、マンガン酸化物層を形成し、それを導電層として
用いる。
媒体中で撹拌することによりチオフェン誘導体を乳化し
た水媒体の電解液を用意し、電解重合によりチオフェン
誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を形成
する。重合反応は重合性モノマ−がミセル中に濃縮され
ているために速やかに進行し、かつ重合度が高く、電気
伝導度の高い導電性高分子が得られる。また、嵩高な構
造を有するアニオン系界面活性剤を用いるために、ド−
パントとして取り込まれた界面活性剤アニオンの脱ド−
プを抑制できる。これによって、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サを容易に実現できる。
酸カリウム水溶液を塗布してから還元処理によって形成
してもよい。
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方にマ
ンガン酸化物層を形成する工程と、チオフェン誘導体を
アニオン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘
導体もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を含有す
る水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を電解重
合により形成する工程とを備えた構成としたものであ
り、フェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長の発達し
た導電性高分子を生成できるため、電気伝導度が高く、
環境安定性の高い導電性高分子層を形成できるので、周
波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れ
た固体電解コンデンサを容易に実現できる。
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方に重
合性モノマ−と酸化剤との化学重合により第1の導電性
高分子層を形成する工程と、チオフェン誘導体をアニオ
ン系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意す
る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
程とを備えた構成としたものであり、誘電体層の上に化
学重合により第1の導電性高分子層を形成し、それを導
電層として用いる。その上に前記請求項1と同様にし
て、チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を形成する。
オン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に実現できる。
成されるコンデンサでは、導電性高分子層は陰極を兼ね
た電解質として機能し、一方それが高分子薄膜で構成さ
れるフィルムコンデンサでは、単純な電極として機能す
る。
性モノマ−としては、ピロ−ル、チオフェン、アニリン
または、それらの誘導体であることが好適である。ま
た、第1の導電性高分子層に用いる酸化剤としては、ア
ルキルベンゼンスルホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン
酸第二鉄、アルキルナフタレンスルホン酸第二鉄、アン
トラキノンスルホン酸第二鉄等が好適に用いられる。
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方に重
合性モノマ−と酸化剤との化学重合により第1の導電性
高分子層を形成する工程と、チオフェン誘導体をアニオ
ン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘導体も
しくはニトロベンゼンまたはその誘導体を含有する水媒
体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を
繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重
合により形成する工程とを備えた構成としたものであ
り、フェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長の発達し
た導電性高分子を生成できるため、電気伝導度が高く、
環境安定性の高い導電性高分子層を形成できるので、周
波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れ
た固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデンサを容
易に実現できる。
を用意する工程と、チオフェン誘導体をアニオン系界面
活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液を用意する
工程と、酸化剤溶液を用意する工程と、前記誘電体層の
少なくても一方に前記チオフェン誘導体と酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した
水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導
体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電
解重合により形成する工程とを備えた構成としたもので
あり、誘電体層の上にチオフェン誘導体をアニオン系界
面活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液と酸化剤
溶液との化学重合により第1の導電性高分子層を形成
し、それを導電層として用いる。その上に前記請求項1
と同様にして、チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を形成する。
体中の化学重合によって、高収率で、かつ、アニオン系
界面活性剤を添加した水媒体中での化学重合により、分
子サイズの大きなド−パントを導入することが可能で、
電気伝導度及び環境安定性に優れた導電性高分子層が得
られる。また、第2の導電性高分子層を形成する際、ア
ニオン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に実現できる。
際の酸化剤には、硫酸第二鉄、塩化第二鉄6水和物、硝
酸第二鉄9水和物、過塩素酸第二鉄、ヘキサシアノ鉄
(III)酸カリウム、二リン酸第二鉄等があげられる
が、好適には硫酸第二鉄が用いられる。
を用意する工程と、チオフェン誘導体をアニオン系界面
活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液を用意する
工程と、酸化剤溶液を用意する工程と、前記誘電体層の
少なくても一方に前記チオフェン誘導体と酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
た構成としたものであり、フェノ−ル誘導体もしくはニ
トロベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の
高い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるた
め、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子
層を形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方にチ
オフェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液
を塗布する工程と、前記混合溶液が塗布された誘電体層
を前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記チオフェ
ン誘導体と前記酸化剤との化学重合により前記チオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子
層を形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン
系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意する
工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含
む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工程
とを備えた構成としたものであり、誘電体層の上にチオ
フェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液を
塗布してから溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、化学重
合によりチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第
1の導電性高分子層を形成し、それを導電層として用い
る。その上に前記請求項1と同様にして、チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を
形成する。
デンサ素子に混合溶液を塗布した後、溶媒の沸点以上に
速やかに加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発さ
せ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざり合った状態で重合
反応を進行させることによって、分子量が大きく、均一
で電気伝導度の高い導電性高分子層が得られる。また、
第2の導電性高分子層を形成する際、アニオン系面活性
剤を添加した水媒体中での電解重合により、分子サイズ
の大きなド−パントを導入することが可能で、導電性高
分子層の電気伝導度及び環境安定性が優れているため、
周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優
れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデンサを
容易に実現できる。
り、浸漬塗布、滴下塗布、スプレ−塗布等があげられる
が、好適には浸漬塗布が用いうる。
デンサ素子をオ−ブン中で加熱する方法や、コンデンサ
素子をホットプレ−ト上に接触させて加熱する方法が用
いうる。
ホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、アルキル
ナフタレンスルホン酸第二鉄、アントラキノンスルホン
酸第二鉄等が好適に用いられる。
−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル等があげられる
が、好適にはエタノ−ルが用いられる。本発明の請求項
8記載の発明は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電
体層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶
媒により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合
溶液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速や
かに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
た構成としたものであり、フェノ−ル誘導体もしくはニ
トロベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の
高い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるた
め、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子
層を形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
が設けられた陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレ−タを
介して巻回したコンデンサ素子を用意する工程と、チオ
フェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液を
前記コンデンサ素子に含浸する工程と、前記溶媒の沸点
以上に速やかに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸
化剤との化学重合により、前記コンデンサ素子内に前記
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第1の導電
性高分子層を形成する工程と、前記チオフェン誘導体を
アニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を
用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位
として含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成
する工程とを備えた構成としたものであり、巻回したコ
ンデンサ素子に、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒によ
り溶解した混合溶液を含浸してから溶媒の沸点以上に速
やかに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との
化学重合により、コンデンサ素子内に前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
形成し、それを導電層として用いる。その上に前記請求
項1と同様にして、チオフェン誘導体を繰り返し単位と
して含む第2の導電性高分子層を形成する。
デンサ素子に混合溶液を含浸させた後、溶媒の沸点以上
に速やかに加熱することにより、溶媒が蒸発して体積が
膨張し、陽極電極箔、セパレ−タ、及び陰極電極箔の間
隙を通って端面から噴出する。重合反応により生成され
た導電性高分子層が端面近傍に集まって端面を塞ごうと
しても、噴出する力により押し破り、導電性高分子層に
よって端面が塞がれることを防止できるので、次の工程
で、電解液をコンデンサ素子の中に含浸し、電解重合に
より第2の導電性高分子層を設けることができる。ま
た、溶媒の沸点以上に速やかに加熱することにより、溶
媒を速やかに蒸発させ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざ
り合った状態で重合反応を進行させることによって、分
子量が大きく、均一で電気伝導度の高い導電性高分子層
が得られる。また、第2の導電性高分子層を形成する
際、アニオン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重
合により、分子サイズの大きなド−パントを導入するこ
とが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定
性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
ルミニウム箔、タンタル箔、ニオブ箔、チタン箔等の弁
金属にエッチング処理が施され、陽極電極箔にはさらに
陽極酸化処理が施されたものが用いられる。
ト紙、合成繊維紙、ガラスペ−パ−等が用いられる。
デンサ素子をオ−ブン中で加熱する方法や、コンデンサ
素子をホットプレ−ト上に接触させて加熱する方法が用
いうる。
ホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、アルキル
ナフタレンスルホン酸第二鉄、アントラキノンスルホン
酸第二鉄等があげられるが、好適にはナフタレンスルホ
ン酸第二鉄が用いられる。
−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル等があげられる
が、好適にはエタノ−ルが用いられる。本発明の請求項
10記載の発明は、誘電体層が設けられた陽極電極箔と
陰極電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ
素子を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶
媒により溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸
する工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前
記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、
前記コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返
し単位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程
と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤によ
り乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼ
ンまたはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意す
る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
程とを備えた構成としたものであり、フェノ−ル誘導体
もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を添加する
と、規則性の高い、共役長の発達した導電性高分子を生
成できるため、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導
電性高分子層を形成できるので、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サあるいはフィルムコンデンサを容易に実現できる。
が、弁金属の酸化物皮膜であってもよい。
が、アルミニウムまたはタンタルであることが好適であ
る。
が、高分子膜であってもよく、この場合請求項14記載
のように、高分子が、ポリイミドまたはアクリル酸とメ
タクリル酸とスチレンの共重合体であることが好適であ
る。
ン誘導体が、3,4−エチレンジオキシチオフェンまた
は3,4−エチレンジチアチオフェンであることが好適
である。
系界面活性剤が、スルホン酸系界面活性剤であることが
好適である。
ル誘導体に、ニトロフェノ−ル、シアノフェノ−ル、ヒ
ドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェノ−ル、もしくはア
セトフェノ−ル、またはそれらの組み合せのものを用い
うる。
ンゼン誘導体に、ニトロベンジルアルコ−ルまたはニト
ロ安息香酸を用いうる。
に説明する。
施の形態について図1をもとに説明する。
ッチド箔1を、4mmと3mmの部分に仕切るように、
両面に渡って、幅1mmのポリイミドテープ2を貼付け
た。
×3.3mmの部分に陽極リード線5を取り付け、アル
ミニウムエッチド箔1の4mm×3.3mmの部分を、
70℃の3%アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、ま
ず10mV/secの速度で0から10Vまで上げ、続
けて10Vの定電圧を40分間印加し、陽極酸化により
誘電体層3を形成した。そして、脱イオン水の流水によ
り10分洗浄してから、105℃で5分乾燥を行った。
この構成をコンデンサと見立て、化成液中の容量を測定
したところ、18μFであった。
ニウムエッチド箔1の誘電体層3が設けられた部分を浸
漬し、自然乾燥させた後250℃で30分間加熱し熱分
解処理を行い、誘電体層上にマンガン酸化物層8を形成
した。
行い、加熱により生じた欠陥部分を修復した。
チレンジオキシチオフェン(EDOT)0.2mol/
lとアニオン系界面活性剤であるアルキルナフタレンス
ルホン酸ナトリウム(平均分子量338)0.05mo
l/lを脱イオン水の中に入れ、スタ−ラで撹拌してE
DOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用意する。電
解液の中にマンガン酸化物層8まで形成したアルミニウ
ムエッチド箔1を浸漬し、不図示のステンレス製の電解
重合用電極をマンガン酸化物層8に近接するようにポリ
イミドテ−プ2に接触させ、電解重合用電極と隔離して
設けた不図示の電解重合用第二電極との間に3Vを30
分印加して、電解重合によりマンガン酸化物層8の上に
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PED
OT)からなる導電性高分子層4を形成した。
チド箔1を10分浸漬して洗浄を行った。そして、オ−
ブン中に入れて105℃で5分乾燥した。
−ボン層と銀ペイント層で陰極層7を形成すると共に、
陰極リ−ド線6を取り付けた。
ら、エ−ジング処理を行い、合計で10個のコンデンサ
を完成させた。これら10個のコンデンサについて、1
kHzにおける容量、損失係数、及び400kHzにお
けるインピ−ダンスを各々測定した。さらに85℃85
%雰囲気中にさらし、500時間の耐熱・耐湿性試験を
行い、容量、損失係数、及びインピ−ダンスを測定し
た。それらの平均値を以下の(表1)に示した。
EDOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用いた電解
重合によってPEDOTからなる導電性高分子層を形成
するものであり、導電性高分子層を形成する際、スルホ
ン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易に実現で
きることが分かった。
施の形態について説明する。
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのp−ニ
トロフェノ−ルを添加した以外は、実施の形態1と同様
にして10個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる導電性高分子層の形成に要した電解重
合の重合時間は20分であった。
形態のコンデンサは、実施の形態1のコンデンサと比較
して、p−ニトロフェノ−ルの添加によって、損失係数
やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性
がさらに優れていることが分かった。 (実施の形態3)以下、本発明の第3の実施の形態につ
いて図2をもとに説明する。
1と同じもので、同様に化成したものを用いた。
ルの溶媒で溶解したモノマ−溶液を用意する。ナフタレ
ンスルホン酸第二鉄0.5mol/lをエタノ−ルの溶
媒で溶解した酸化剤溶液を用意する。
に5分間浸漬後、酸化剤溶液に10分間浸漬して、化学
重合によりポリピロ−ルからなる第1の導電性高分子層
10を形成した。
た。続けて脱イオン水の洗浄を10分間行った。そし
て、オ−ブン中に入れて105℃で5分乾燥した。第1
の導電性高分子層が所定の厚さになるまで、浸漬から乾
燥までの一連の工程を2回繰り返した。
電性高分子層に近接するように配置して、実施の形態1
と同様の電解重合により、第1の導電性高分子層の上に
PEDOTからなる第2の導電性高分子層11を形成し
た。
サを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
ピロ−ルからなる第1の導電性高分子層を形成し、それ
を導電層として、EDOTを乳化分散させた水媒体の電
解液を用いた電解重合によってPEDOTからなる第2
の導電性高分子層を形成するものであり、第2の導電性
高分子層を形成する際、スルホン酸系面活性剤を添加し
た水媒体中での電解重合により、分子サイズの大きなド
−パントを導入することが可能で、導電性高分子層の電
気伝導度及び環境安定性が優れているため、周波数特性
に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電
解コンデンサを容易に実現できることが分かった。
施の形態について説明する。
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのp−シ
アノフェノ−ルを添加した以外は、実施の形態3と同様
にして10個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
形態のコンデンサは、実施の形態3のコンデンサと比較
して、p−シアノフェノ−ルの添加によって、損失係数
やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性
がさらに優れていることが分かった。
施の形態について説明する。
タンタルのリ−ド線が配された重量約90mgのタンタ
ル焼結体のコンデンサ素子に対して、リン酸5mlを1
000mlの脱イオン水に溶解した約90℃の溶液を用
い、まず5mV/secの速度で0から42Vまで上
げ、続けて42Vの定電圧を3時間印加し、陽極酸化に
より酸化皮膜誘電体層を形成した。この構成をコンデン
サと見立て、化成液中の容量を測定したところ、68μ
Fであった。
タレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量338)0.
05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ−ラで撹
拌してEDOTを乳化分散させた25℃の水媒体のモノ
マ−溶液を用意する。硫酸第二鉄0.5mol/lを脱
イオン水に溶かした60℃の酸化剤溶液を用意する。
漬後、酸化剤溶液に20分間浸漬して、化学重合により
PEDOTからなる第1の導電性高分子層を形成した。
脱イオン水による洗浄を10分間した後、105℃のオ
−ブン中で乾燥を5分間行った。
れるまで、モノマ−溶液への浸漬から乾燥までの一連の
工程を10回繰り返した。
ルナフタレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量33
8)0.05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ
−ラで撹拌してEDOTを乳化分散させた水媒体の電解
液を用意する。電解液の中にコンデンサ素子を浸漬し、
第1の導電性高分子層に近接するように電解重合用電極
を配置し、電解重合用電極と隔離して設けた電解重合用
第二電極との間に3Vを30分印加して、電解重合によ
りPEDOTからなる第2の導電性高分子層を形成し
た。
た後、105℃のオ−ブン中で乾燥を5分間行った。
ン層と銀ペイント層で陰極層を形成すると共に、陰極リ
−ド線を取り付けた。
ら、エ−ジング処理を行い、合計で10個のコンデンサ
を完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
せた水媒体のモノマ−溶液と、水媒体の酸化剤溶液を用
いた化学重合によってPEDOTからなる第1の導電性
高分子層を形成し、それを導電層として、EDOTを乳
化分散させた水媒体の電解液を用いた電解重合によって
PEDOTからなる第2の導電性高分子層を形成するも
のであり、第1の導電性高分子層を形成する際、スルホ
ン酸系界面活性剤を添加した水媒体中での化学重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、電気伝導度及び環境安定性に優れた導電性高分子
層が得られる。
する際、スルホン酸系界面活性剤を添加した水媒体中で
の電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを導
入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び
環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ
高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサ
あるいはフィルムコンデンサを容易に実現できることが
分かった。
施の形態について説明する。
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのヒドロ
キシ安息香酸を添加した以外は、実施の形態5と同様に
して10個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
形態のコンデンサは、実施の形態5のコンデンサと比較
して、ヒドロキシ安息香酸の添加によって、損失係数や
インピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性が
さらに優れていることが分かった。
施の形態について説明する。アルミニウムエッチド箔
は、実施の形態1と同じもので、同様に化成したものを
用いた。EDOT1mol/lと酸化剤のナフタレンス
ルホン酸第二鉄0.2mol/lを、エタノ−ルと水の
重量比が約98対2の溶媒により溶解した混合溶液を用
意した。
誘電体層が設けられた部分を1分浸漬してから引き上
げ、溶媒の沸点より高い120℃のオ−ブン中に入れて
速やかに加熱し、20分放置した。加熱によって溶媒が
速やかに蒸発し、化学重合反応が進行して誘電体層の上
にPEDOTからなる第1の導電性高分子層を形成し
た。
ニウムエッチド箔を10分浸漬して洗浄を行った。続け
て脱イオン水の中にアルミニウムエッチド箔を10分浸
漬して洗浄を行った。そして、オ−ブン中に入れて10
5℃で5分乾燥した。第1の導電性高分子層が所定の厚
さになるまで、浸漬塗布から乾燥までの一連の工程を3
回繰り返した。
子層に近接するように配置して、実施の形態1と同様の
電解重合により、第1の導電性高分子層の上にPEDO
Tからなる第2の導電性高分子層を形成した。
サを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
液を塗布してから溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、化
学重合によってPEDOTからなる第1の導電性高分子
層を形成し、それを導電層として、EDOTを乳化分散
させた水媒体の電解液を用いた電解重合によってPED
OTからなる第2の導電性高分子層を形成するものであ
り、第1の導電性高分子層を形成する際、アルミニウム
エッチド箔に混合溶液を塗布した後、溶媒の沸点以上に
速やかに加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発さ
せ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざり合った状態で重合
反応を進行させることによって、分子量が大きく、均一
で電気伝導度の高い導電性高分子層が得られる。
際、スルホン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解
重合により、分子サイズの大きなド−パントを導入する
ことが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安
定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・
高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易
に実現できることが分かった。
施の形態について説明する。
DOTに替えて3,4−エチレンジチアチオフェンを用
いて第1と第2の導電性高分子層を形成した以外、実施
の形態7と同様にしてコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
アチオフェンを用いた場合にも、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サを容易に実現できることが分かった。
施の形態について説明する。
化皮膜に替えて高分子のポリイミドを用いた以外、実施
の形態7と同様にしてコンデンサを完成させた。
以下に示す。
−フェニレンジアミンをN−メチルピロリドン中、窒素
還流化で反応させてポリアミック酸を得た。このポリア
ミック酸をN,N−ジメチルアミドに希釈し、トリエチ
ルアミンを加えてポリアミック酸塩溶液を得た。そし
て、メタノ−ルを添加して最終的にポリアミック酸を
0.15%含むように調整し電着液とした。
してこれを陽極とし、隔離して設けた電極との間に30
Vの電圧を印加してポリアミック酸膜を電着させた。そ
の後、250℃で1時間加熱してポリアミック酸をポリ
イミド化した。この電着並びに加熱を3回繰り返してポ
リイミドからなる誘電体層を形成した。
の容量を測定したところ、0.35μFであった。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
り、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性
に優れたフィルムコンデンサを容易に実現できることが
分かった。
の実施の形態について説明する。
化皮膜に替えて高分子のアクリル酸とメタクリル酸とス
チレンの共重合体を用いた以外、実施の形態7と同様に
してコンデンサを完成させた。
重合体からなる誘電体層の形成方法を以下に示す。
脱イオン水86重量%、ブチルセロソルブ4重量%であ
る。固形分として、分子量約3万のアクリル酸とメタク
リル酸とスチレンの共重合体とベンゾクアナミン系樹脂
を7対3で混合したものを用いた。この固形分を電着液
中に分散させるため、カルボン酸基の50%をトリメチ
ルアミンにより中和した。
してこれを陽極とし、隔離して設けた電極との間に電圧
を印加し、0.3mA/cm2の電流密度で10Vに達
するまで定電流電着を行い、さらに10Vで15分間定
電圧電着を行った。
0分間行ってから、180℃で30分間熱処理すること
により、ベンゾグアナミン系樹脂との間で架橋反応させ
た。
層を形成した。
の容量を測定したところ、0.36μFであった。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
チレンの共重合体を用いることにより、周波数特性に優
れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れたフィルムコ
ンデンサを容易に実現できることが分かった。
の実施の形態について説明する。
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのニトロ
ベンジルアルコ−ルを添加した以外は、実施の形態7と
同様にして10個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
形態のコンデンサは、実施の形態7のコンデンサと比較
して、ニトロベンジルアルコ−ルの添加によって、損失
係数やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安
定性がさらに優れていることが分かった。
の実施の形態について図3をもとに説明する。
ド箔の両面に陽極酸化によって誘電体層23が設けられ
たものを、幅2.3mm、長さ154mmの大きさに切
断して用いた。また、陰極電極箔24には、幅2.3m
m、長さ180mmのアルミニウムエッチド箔を用い
た。
を、厚さ40μmのマニラ紙からなるセパレ−タ25を
介して巻回し、巻き止めテ−プ26により止めて、コン
デンサ素子27を得る。ここで用いた巻回したコンデン
サ素子27の外形寸法は、直径が約7mm、端面上部2
8と端面下部29の両端面間の寸法が3.4mmのもの
である。なお、陽極電極箔21、陰極電極箔24には、
予め陽極リ−ド線30と陰極リ−ド線31が電気的に接
続されており、端面上部28から突出している。
断面に陽極酸化処理を施した。陽極リ−ド線30を支持
して、コンデンサ素子27を70℃の3%アジピン酸ア
ンモニウム水溶液の中に浸漬させた。まず10mV/s
ecの速度で0から14Vまで上げ、続けて14Vの定
電圧を10分間印加し、陽極酸化により切断面に誘電体
層を形成した。そして、脱イオン水の流水により10分
洗浄してから、105℃で5分乾燥を行った。この構成
をコンデンサと見立て、化成液中の容量を測定したとこ
ろ、220μFであった。
ンスルホン酸第二鉄0.06mol/l及びトリイソプ
ロピルナフタレンスルホン酸第二鉄0.12mol/l
を、エタノ−ルと水の重量比が約99.5対0.5の溶
媒により溶解した混合溶液を用意した。
浸漬して含浸させてから引き上げ、溶媒の沸点より高い
130℃のホットプレ−ト上にコンデンサ素子の端面下
部29を30秒接触させてから、130℃のオ−ブン中
に20分放置した。加熱によって溶媒が速やかに蒸発
し、化学重合反応が進行してコンデンサ素子27の内部
にPEDOTからなる第1の導電性高分子層32を形成
した。
ンサ素子27を15分浸漬して洗浄を行った。続けて脱
イオン水の中にコンデンサ素子27を15分浸漬して洗
浄を行った。そして、オ−ブン中に入れて120℃で3
0分乾燥した。
子27の内部に所定の量形成されるまで、浸漬塗布から
乾燥までの一連の工程を3回繰り返した。
ルナフタレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量33
8)0.05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ
−ラで撹拌してEDOTを乳化分散させた水媒体の電解
液を用意する。電解液の中にコンデンサ素子27を浸漬
し、陽極電極箔21と、不図示の隔離して設けた電解重
合用第二電極との間に3Vを10分印加して、コンデン
サ素子27の内部に電解重合によりPEDOTからなる
第2の導電性高分子層33を形成した。
して設けた電解重合用第二電極との間に3Vを40分印
加して、コンデンサ素子27の内部に電解重合によりP
EDOTからなる第2の導電性高分子層33を形成し
た。
た後、120℃のオ−ブン中で乾燥を30分間行った。
ルミニウムケ−スに収納し、その開口部をエポキシ樹脂
により封口してから、エ−ジング処理を行い、合計で1
0個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
子に、混合溶液を含浸してから溶媒の沸点以上に速やか
に加熱し、化学重合によってコンデンサ素子内にPED
OTからなる第1の導電性高分子層を形成し、さらに、
EDOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用いた電解
重合によってコンデンサ素子内にPEDOTからなる第
2の導電性高分子層を形成するものであり、第1の導電
性高分子層を形成する際、コンデンサ素子に混合溶液を
含浸させた後、溶媒の沸点以上に速やかに加熱すること
により、溶媒が蒸発して体積が膨張し、陽極電極箔、セ
パレ−タ、及び陰極電極箔の間隙を通って端面から噴出
する。
が端面近傍に集まって端面を塞ごうとしても、噴出する
力により押し破り、導電性高分子層によって端面が塞が
れることを防止できるので、次の工程で、電解液をコン
デンサ素子の中に含浸し、電解重合により第2の導電性
高分子層を設けることができる。
ことにより、溶媒を速やかに蒸発させ、モノマ−と酸化
剤が均一に混ざり合った状態で重合反応を進行させるこ
とによって、分子量が大きく、均一で電気伝導度の高い
導電性高分子層が得られる。
際、スルホン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解
重合により、分子サイズの大きなド−パントを導入する
ことが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安
定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・
高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易
に実現できることが分かった。
の実施の形態について説明する。
において、電解液に、さらに0.05mol/lのニト
ロ安息香酸を添加した以外は、実施の形態12と同様に
して10個のコンデンサを完成させた。
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は、陽極電極箔と隔離して設けた電
解重合用第二電極との間で10分、陰極電極箔と隔離し
て設けた電解重合用第二電極との間で30分であった。
形態のコンデンサは、実施の形態12のコンデンサと比
較して、ニトロ安息香酸の添加によって、損失係数やイ
ンピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性がさ
らに優れていることが分かった。
性剤としてアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを
用いる場合について述べたが、嵩高なアニオン系界面活
性剤であれば他のものも用いることができ、本発明はそ
の種類に限定されない。
分子として、ポリイミドと、アクリル酸とメタクリル酸
とスチレンの共重合体を用いる場合について述べたが、
薄膜を形成できる高分子材料であれば他のものも用いる
ことができ、本発明はその種類に限定されない。また、
アルミニウムエッチド箔に電着で設ける形成方法につい
て述べたが、薄膜を形成できる方法であれば他の方法で
も適用することができ、本発明はその形成方法に限定さ
れない。
として、3,4−エチレンジオキシチオフェンと3,4
−エチレンジチアチオフェンを用いた場合についてのみ
述べたが、その他の置換基を有する誘導体を用いること
もできる。
一方の電極にのみ導電性高分子層が形成されたコンデン
サに関してのみ述べたが、両方の電極を導電性高分子層
で構成することもできる。
くとも一方に、マンガン酸化物層を、重合性モノマ−と
酸化剤との化学重合によって導電性高分子層を、チオフ
ェン誘導体を乳化分散させた水媒体のモノマ−溶液と、
水媒体の酸化剤溶液を用いた化学重合によってチオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を、
あるいは混合溶液を塗布してから溶媒の沸点以上に速や
かに加熱し、化学重合によってチオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子層を形成し、それらを
導電層として、チオフェン誘導体を乳化分散させた水媒
体の電解液を用いた電解重合によって、チオフェン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を形成する
ものである。
での電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを
導入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及
び環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サ、あるいはフィルムコンデンサを容易に得ることがで
きる。
水を媒体として用いるため、生産プロセスの構築が容易
で、コンデンサの量産を容易にすることができる。
ベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の高
い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるため、
電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子層を
形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度
下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィ
ルムコンデンサを容易に得ることができる。
面図と断面図
面図と断面図
子の外観図と内部拡大図
Claims (18)
- 【請求項1】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方にマンガン酸化物層を形成する工程
と、チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
化した水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を電
解重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造
方法。 - 【請求項2】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方にマンガン酸化物層を形成する工程
と、チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンま
たはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工
程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
たコンデンサの製造方法。 - 【請求項3】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学
重合により第1の導電性高分子層を形成する工程と、チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した
水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導
体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電
解重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造
方法。 - 【請求項4】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学
重合により第1の導電性高分子層を形成する工程と、チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
たコンデンサの製造方法。 - 【請求項5】 誘電体層を用意する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
モノマ−溶液を用意する工程と、酸化剤溶液を用意する
工程と、前記誘電体層の少なくても一方に前記チオフェ
ン誘導体と酸化剤との化学重合により前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界
面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意する工程
と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第
2の導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを
備えたコンデンサの製造方法。 - 【請求項6】 誘電体層を用意する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
モノマ−溶液を用意する工程と、酸化剤溶液を用意する
工程と、前記誘電体層の少なくても一方に前記チオフェ
ン誘導体と酸化剤との化学重合により前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界
面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくは
ニトロベンゼンまたはその誘導体を含有する水媒体の電
解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返
し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重合によ
り形成する工程とを備えたコンデンサの製造方法。 - 【請求項7】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合溶
液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速やか
に加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学
重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チオ
フェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水
媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体
を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解
重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造方
法。 - 【請求項8】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合溶
液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速やか
に加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学
重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チオ
フェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、か
つフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはその
誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、前
記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導
電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備えた
コンデンサの製造方法。 - 【請求項9】 誘電体層が設けられた陽極電極箔と陰極
電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ素子
を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒に
より溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸する
工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記チ
オフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、前記
コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返し単
位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、
前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
化した水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子
層を電解重合により形成する工程とを備えたコンデンサ
の製造方法。 - 【請求項10】 誘電体層が設けられた陽極電極箔と陰
極電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ素
子を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
により溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸す
る工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記
チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、前
記コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返し
単位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程
と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤によ
り乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼ
ンまたはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意す
る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
程とを備えたコンデンサの製造方法。 - 【請求項11】 誘電体層が、弁金属の酸化物皮膜であ
る請求項1から10のいずれかに記載のコンデンサの製
造方法。 - 【請求項12】 弁金属が、アルミニウムまたはタンタ
ルである請求項1から10のいずれかに記載のコンデン
サの製造方法。 - 【請求項13】 誘電体層が、高分子誘電体である請求
項1から10のいずれかに記載のコンデンサの製造方
法。 - 【請求項14】 高分子が、ポリイミドまたはアクリル
酸とメタクリル酸とスチレンの共重合体である請求項1
から10のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項15】 チオフェン誘導体が、3,4−エチレ
ンジオキシチオフェンまたは3,4−エチレンジチアチ
オフェンである請求項1から10のいずれかに記載のコ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項16】 アニオン系界面活性剤が、スルホン酸
系界面活性剤である請求項1から10のいずれかに記載
のコンデンサの製造方法。 - 【請求項17】 フェノ−ル誘導体が、ニトロフェノ−
ル、シアノフェノ−ル、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
シフェノ−ル、もしくはアセトフェノ−ル、またはそれ
らの組み合せである請求項2、4、6、8、10のいず
れかに記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項18】 ニトロベンゼン誘導体が、ニトロベン
ジルアルコ−ルまたはニトロ安息香酸である請求項2、
4、6、8、10のいずれかに記載のコンデンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07522499A JP3551070B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07522499A JP3551070B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269087A true JP2000269087A (ja) | 2000-09-29 |
JP3551070B2 JP3551070B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=13570053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07522499A Expired - Fee Related JP3551070B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3551070B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135212A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
WO2011108254A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 国立大学法人東京工業大学 | 重合液及びその製造方法、この重合液から得られた透明フィルム及び透明電極 |
WO2012118161A1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 日本ケミコン株式会社 | 重合液、この重合液から得られた導電性ポリマーフィルム、ポリマー電極及び固体電解コンデンサ |
WO2012118162A1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 日本ケミコン株式会社 | 重合液、この重合液から得られた導電性ポリマーフィルム及び固体電解コンデンサ |
WO2012133859A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 日本ケミコン株式会社 | 太陽電池用電極体及びその製造方法、この電極体を備えた太陽電池 |
WO2012133858A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 日本ケミコン株式会社 | 太陽電池用電極体及びその製造方法、この電極体を備えた太陽電池 |
US9536675B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-01-03 | Nippon Chemi-Con Corporation | Polymerization liquid, conductive polymer film obtained from polymerization liquid, and solid electrolytic capacitor |
JP2018117123A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-26 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用重合液、この重合液を用いた電解コンデンサ用陰極及び電解コンデンサの製造方法 |
CN113990670A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 赣州市柏瑞凯电子科技有限公司 | 一种高压叠层片式固态铝电解电容器的制造方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07522499A patent/JP3551070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135212A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
WO2011108254A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 国立大学法人東京工業大学 | 重合液及びその製造方法、この重合液から得られた透明フィルム及び透明電極 |
US8927683B2 (en) | 2010-03-01 | 2015-01-06 | Nippon Chemi-Con Corporation | Polymerization fluid, method for producing the polymerization fluid, transparent film and transparent electrode made from the polymerization fluid |
WO2012118162A1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 日本ケミコン株式会社 | 重合液、この重合液から得られた導電性ポリマーフィルム及び固体電解コンデンサ |
WO2012118161A1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 日本ケミコン株式会社 | 重合液、この重合液から得られた導電性ポリマーフィルム、ポリマー電極及び固体電解コンデンサ |
US9558891B2 (en) | 2011-03-01 | 2017-01-31 | Nippon Chemi-Con Corporation | Polymerization solution, conductive polymer film obtained from the polymerization solution, and solid electrolytic capacitor |
US9562293B2 (en) | 2011-03-01 | 2017-02-07 | Nippon Chemi-Con Corporation | Polymerization solution, conductive polymer film obtained from the polymerization solution, polymer electrode, and solid electrolytic capacitor |
WO2012133859A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 日本ケミコン株式会社 | 太陽電池用電極体及びその製造方法、この電極体を備えた太陽電池 |
WO2012133858A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 日本ケミコン株式会社 | 太陽電池用電極体及びその製造方法、この電極体を備えた太陽電池 |
US9184401B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-11-10 | Nippon Chemi-Con Corporation | Electrode body for solar cell, method for producing the electrode body, and solar cell provided with the electrode body |
US9419234B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-08-16 | Nippon Chemi-Con Corporation | Electrode body for solar cell, method for producing the electrode body, and solar cell provided with the electrode body |
US9536675B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-01-03 | Nippon Chemi-Con Corporation | Polymerization liquid, conductive polymer film obtained from polymerization liquid, and solid electrolytic capacitor |
JP2018117123A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-26 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用重合液、この重合液を用いた電解コンデンサ用陰極及び電解コンデンサの製造方法 |
JP7081161B2 (ja) | 2017-01-13 | 2022-06-07 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用重合液、この重合液を用いた電解コンデンサ用陰極及び電解コンデンサの製造方法 |
CN113990670A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 赣州市柏瑞凯电子科技有限公司 | 一种高压叠层片式固态铝电解电容器的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3551070B2 (ja) | 2004-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6154358A (en) | Solid electrolytic capacitor using a conducting polymer | |
JP2828035B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
US4959753A (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
JP3202668B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
KR20000070516A (ko) | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
JP3551070B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JP3520688B2 (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH1145824A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2001155966A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
KR20000053593A (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
JP3671828B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
WO2011052237A1 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH10247612A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2000269070A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JPH11312626A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3846760B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
KR20010023348A (ko) | 도전성중합체, 고체전해콘덴서 및 그의 제조방법 | |
JP2000299253A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JP3223790B2 (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3568382B2 (ja) | 有機固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3551118B2 (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2002008946A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2001085275A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JPH1036667A (ja) | 導電性ポリアニリン組成物及びこれを固体電解質とする固体電解コンデンサ | |
JP2000106329A (ja) | コンデンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040412 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |