JP2000269087A - コンデンサの製造方法 - Google Patents

コンデンサの製造方法

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JP2000269087A JP11075224A JP7522499A JP2000269087A JP 2000269087 A JP2000269087 A JP 2000269087A JP 11075224 A JP11075224 A JP 11075224A JP 7522499 A JP7522499 A JP 7522499A JP 2000269087 A JP2000269087 A JP 2000269087A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での
安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコ
ンデンサを容易に得ることを目的とする。 【解決手段】 誘電体層の上に導電層を形成した後、チ
オフェン誘導体を乳化分散させた水媒体の電解液を用い
た電解重合によって、チオフェン誘導体を繰り返し単位
として含む導電性高分子層を形成するコンデンサの製造
方法であり、アニオン系面活性剤を添加した水媒体中で
の電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを導
入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び
環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ
高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サ、あるいはフィルムコンデンサを容易に得ることがで
きる。さらに、フェノ−ル誘導体あるいはニトロベンゼ
ン誘導体を含んだ電解液を用いるコンデンサの製造方法
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、周波数特性及び耐
熱耐湿性に優れた小型大容量コンデンサの製造方法に関
し、誘電体層の少なくとも一方の表面に、導電性高分子
層を備えたコンデンサの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電気機器のデジタル化に伴って、
コンデンサについても小型大容量で高周波領域でのイン
ピーダンスの低いものが要求されている。
【0003】従来、コンデンサの電解質に電気伝導度の
高い導電性高分子を用いて、高周波領域でのインピ−ダ
ンスを低くしたコンデンサが多く提案されている。
【0004】誘電体皮膜を設けたアルミニウムに3、4
ーエチレンジオキシチオフェンを繰り返し単位としp−
トルエンスルホン酸アニオンをド−パントとして含む導
電性高分子を化学重合により形成したコンデンサが提案
されている(特開平2−15611号公報)。3,4−
エチレンジオキシチオフェンモノマ−と酸化剤を溶媒に
より溶解した溶液を、酸化が施されたアルミニウム電極
に塗布し、次いで室温あるいは加熱して溶媒を除去し、
化学重合反応により導電性高分子層を形成し、次いで水
を用いて導電性高分子層から過剰な酸化剤を洗い去り、
最後に乾燥させてコンデンサを得る製造方法が記述され
ている。
【0005】また、3,4−エチレンジオキシチオフェ
ン及び過塩素酸テトラブチルアンモニウムをアセトニト
リルに溶解した電解液を用いて、白金電極上に電解重合
法によりポリチオフェン膜を得る方法が提案されている
(特開平1−313521号公報)。
【0006】また、3、4ーエチレンジオキシチオフェ
ンと酸化剤とを混合した混合溶液を、陽極電極箔と陰極
電極箔とをガラスペ−パ−からなるセパレ−タを介して
巻回したコンデンサ素子に含浸し、セパレ−タに浸透し
た混合溶液中の重合反応により生成したポリエチレンジ
オキシチオフェンを電解質層としてセパレ−タで保持し
た固体電解コンデンサが提案されている(特開平9−2
93639号公報)。
【0007】酸化剤にはp−トルエンスルホン酸第二鉄
を、溶媒にはエチレングリコ−ルを用い、混合溶液を含
浸したコンデンサ素子を、25℃ないし100℃の温度
に放置して、重合反応によりポリエチレンジオキシチオ
フェンからなる導電性高分子層を生成させ、次いで水、
有機溶媒等を用いて洗浄し、最後に乾燥させてコンデン
サを得る製造方法が提案されている。
【0008】さらに、化学重合によるポリピロ−ル膜上
に電解重合によるポリピロ−ル膜を形成するタンタル固
体電解コンデンサの製造方法が提案されている(特開平
3−18009号公報)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電体
層の上にチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む導
電性高分子層を化学重合のみにより形成する場合には、
重合速度が遅いため重合に長時間を要するという課題が
あった。
【0010】そこで、誘電体層の上に導電層を形成した
後に、電解重合法によりチオフェン誘導体を繰り返し単
位として含む導電性高分子層を形成しようとした場合、
チオフェン誘導体が水に溶け難いため、電解液の溶媒に
有機溶媒を用いる方法が知られている。有機溶媒には可
燃性のものが多く、電解重合法で大量生産を考慮した場
合、電気火花による引火を予防するための厳格な措置を
必要とするという課題があった。
【0011】また、低沸点溶媒を使用した場合、溶媒揮
散による電解液組成変化が大きく、定常状態で重合反応
を進行させることが困難で、安定した電気伝導度ならび
に環境安定性を有する導電性高分子が得られにくいとい
う課題も抱えていた。
【0012】本発明は、上記従来技術における課題を解
決するもので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するもので、本発明による第一のコンデンサの製造方
法は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少な
くても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学重合によ
り第1の導電性高分子層を形成する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重合に
より形成する工程とを備えた構成である。
【0014】誘電体層の上に第1の導電性高分子層を形
成し、それを導電層として用い、その上に水媒体の電解
重合によりチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む
導電性高分子層を容易に形成することができる。
【0015】チオフェン誘導体は、水に対する溶解度が
極めて低い。そこで、アニオン系界面活性剤とともに水
媒体中で撹拌することにより、界面活性剤で形成された
ミセル中に取り込まれる。その乳化した水媒体の溶液を
電解液として用いる。重合反応は重合性モノマ−がミセ
ル中に濃縮されているため、速やかに進行し、かつ重合
度の高い重合体が容易に得られる。そのため、得られた
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分
子は高収率でかつ電気伝導度が高い。また、無毒性かつ
不燃性の水を媒体として用いるため、生産プロセスの構
築が容易で、コンデンサの量産を容易にすることができ
る。
【0016】アニオン系界面活性剤としては、スルホン
酸系界面活性剤が使用され、さらには脱ド−プしにくい
嵩高な構造を有するアルキルナフタレンスルホン酸系界
面活性剤が好適に使用される。ド−パントとして取り込
まれた界面活性剤アニオンの嵩が大きいために脱ド−プ
が抑制される。これらによって、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サあるいはフィルムコンデンサを容易に得ることができ
る。
【0017】本発明による第二のコンデンサの製造方法
は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少なく
ても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学重合により
第1の導電性高分子層を形成する工程と、チオフェン誘
導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ
−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を
含有する水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフ
ェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分
子層を電解重合により形成する工程とを備えた構成であ
る。
【0018】フェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼン
またはその誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長
の発達した導電性高分子を生成できるため、電気伝導度
が高く、環境安定性の高い導電性高分子層を形成できる
ので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定
性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデ
ンサを容易に得ることができる。
【0019】以上の製造方法により、周波数特性に優
れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コ
ンデンサあるいはフィルムコンデンサを容易に得ること
ができる。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
誘電体層を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても
一方にマンガン酸化物層を形成する工程と、チオフェン
誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子層を電解重合により形
成する工程とを備えた構成としたものであり、誘電体層
の上に硝酸マンガン水溶液を塗布してから加熱処理によ
って、マンガン酸化物層を形成し、それを導電層として
用いる。
【0021】その上にアニオン系界面活性剤とともに水
媒体中で撹拌することによりチオフェン誘導体を乳化し
た水媒体の電解液を用意し、電解重合によりチオフェン
誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を形成
する。重合反応は重合性モノマ−がミセル中に濃縮され
ているために速やかに進行し、かつ重合度が高く、電気
伝導度の高い導電性高分子が得られる。また、嵩高な構
造を有するアニオン系界面活性剤を用いるために、ド−
パントとして取り込まれた界面活性剤アニオンの脱ド−
プを抑制できる。これによって、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サを容易に実現できる。
【0022】ここで、マンガン酸化物層は、過マンガン
酸カリウム水溶液を塗布してから還元処理によって形成
してもよい。
【0023】本発明の請求項2記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方にマ
ンガン酸化物層を形成する工程と、チオフェン誘導体を
アニオン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘
導体もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を含有す
る水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を電解重
合により形成する工程とを備えた構成としたものであ
り、フェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長の発達し
た導電性高分子を生成できるため、電気伝導度が高く、
環境安定性の高い導電性高分子層を形成できるので、周
波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れ
た固体電解コンデンサを容易に実現できる。
【0024】本発明の請求項3記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方に重
合性モノマ−と酸化剤との化学重合により第1の導電性
高分子層を形成する工程と、チオフェン誘導体をアニオ
ン系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意す
る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
程とを備えた構成としたものであり、誘電体層の上に化
学重合により第1の導電性高分子層を形成し、それを導
電層として用いる。その上に前記請求項1と同様にし
て、チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を形成する。
【0025】第2の導電性高分子層を形成する際、アニ
オン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に実現できる。
【0026】ここで、誘電体層が弁金属の酸化皮膜で構
成されるコンデンサでは、導電性高分子層は陰極を兼ね
た電解質として機能し、一方それが高分子薄膜で構成さ
れるフィルムコンデンサでは、単純な電極として機能す
る。
【0027】また、第1の導電性高分子層に用いる重合
性モノマ−としては、ピロ−ル、チオフェン、アニリン
または、それらの誘導体であることが好適である。ま
た、第1の導電性高分子層に用いる酸化剤としては、ア
ルキルベンゼンスルホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン
酸第二鉄、アルキルナフタレンスルホン酸第二鉄、アン
トラキノンスルホン酸第二鉄等が好適に用いられる。
【0028】本発明の請求項4記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方に重
合性モノマ−と酸化剤との化学重合により第1の導電性
高分子層を形成する工程と、チオフェン誘導体をアニオ
ン系界面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘導体も
しくはニトロベンゼンまたはその誘導体を含有する水媒
体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を
繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重
合により形成する工程とを備えた構成としたものであ
り、フェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を添加すると、規則性の高い、共役長の発達し
た導電性高分子を生成できるため、電気伝導度が高く、
環境安定性の高い導電性高分子層を形成できるので、周
波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れ
た固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデンサを容
易に実現できる。
【0029】本発明の請求項5記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、チオフェン誘導体をアニオン系界面
活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液を用意する
工程と、酸化剤溶液を用意する工程と、前記誘電体層の
少なくても一方に前記チオフェン誘導体と酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した
水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導
体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電
解重合により形成する工程とを備えた構成としたもので
あり、誘電体層の上にチオフェン誘導体をアニオン系界
面活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液と酸化剤
溶液との化学重合により第1の導電性高分子層を形成
し、それを導電層として用いる。その上に前記請求項1
と同様にして、チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を形成する。
【0030】第1の導電性高分子層を形成する際、水媒
体中の化学重合によって、高収率で、かつ、アニオン系
界面活性剤を添加した水媒体中での化学重合により、分
子サイズの大きなド−パントを導入することが可能で、
電気伝導度及び環境安定性に優れた導電性高分子層が得
られる。また、第2の導電性高分子層を形成する際、ア
ニオン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィル
ムコンデンサを容易に実現できる。
【0031】ここで、第1の導電性高分子層を形成する
際の酸化剤には、硫酸第二鉄、塩化第二鉄6水和物、硝
酸第二鉄9水和物、過塩素酸第二鉄、ヘキサシアノ鉄
(III)酸カリウム、二リン酸第二鉄等があげられる
が、好適には硫酸第二鉄が用いられる。
【0032】本発明の請求項6記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、チオフェン誘導体をアニオン系界面
活性剤により乳化した水媒体のモノマ−溶液を用意する
工程と、酸化剤溶液を用意する工程と、前記誘電体層の
少なくても一方に前記チオフェン誘導体と酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
た構成としたものであり、フェノ−ル誘導体もしくはニ
トロベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の
高い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるた
め、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子
層を形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
【0033】本発明の請求項7記載の発明は、誘電体層
を用意する工程と、前記誘電体層の少なくても一方にチ
オフェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液
を塗布する工程と、前記混合溶液が塗布された誘電体層
を前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記チオフェ
ン誘導体と前記酸化剤との化学重合により前記チオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子
層を形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン
系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意する
工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含
む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工程
とを備えた構成としたものであり、誘電体層の上にチオ
フェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液を
塗布してから溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、化学重
合によりチオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第
1の導電性高分子層を形成し、それを導電層として用い
る。その上に前記請求項1と同様にして、チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を
形成する。
【0034】第1の導電性高分子層を形成する際、コン
デンサ素子に混合溶液を塗布した後、溶媒の沸点以上に
速やかに加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発さ
せ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざり合った状態で重合
反応を進行させることによって、分子量が大きく、均一
で電気伝導度の高い導電性高分子層が得られる。また、
第2の導電性高分子層を形成する際、アニオン系面活性
剤を添加した水媒体中での電解重合により、分子サイズ
の大きなド−パントを導入することが可能で、導電性高
分子層の電気伝導度及び環境安定性が優れているため、
周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優
れた固体電解コンデンサあるいはフィルムコンデンサを
容易に実現できる。
【0035】ここで、塗布する工程としては、刷毛塗
り、浸漬塗布、滴下塗布、スプレ−塗布等があげられる
が、好適には浸漬塗布が用いうる。
【0036】また、速やかに加熱する工程として、コン
デンサ素子をオ−ブン中で加熱する方法や、コンデンサ
素子をホットプレ−ト上に接触させて加熱する方法が用
いうる。
【0037】また、酸化剤には、アルキルベンゼンスル
ホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、アルキル
ナフタレンスルホン酸第二鉄、アントラキノンスルホン
酸第二鉄等が好適に用いられる。
【0038】また、溶媒には、水、メタノ−ル、エタノ
−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル等があげられる
が、好適にはエタノ−ルが用いられる。本発明の請求項
8記載の発明は、誘電体層を用意する工程と、前記誘電
体層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶
媒により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合
溶液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速や
かに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化
学重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位とし
て含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チ
オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
た構成としたものであり、フェノ−ル誘導体もしくはニ
トロベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の
高い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるた
め、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子
層を形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
【0039】本発明の請求項9記載の発明は、誘電体層
が設けられた陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレ−タを
介して巻回したコンデンサ素子を用意する工程と、チオ
フェン誘導体と酸化剤を溶媒により溶解した混合溶液を
前記コンデンサ素子に含浸する工程と、前記溶媒の沸点
以上に速やかに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸
化剤との化学重合により、前記コンデンサ素子内に前記
チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第1の導電
性高分子層を形成する工程と、前記チオフェン誘導体を
アニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の電解液を
用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位
として含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成
する工程とを備えた構成としたものであり、巻回したコ
ンデンサ素子に、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒によ
り溶解した混合溶液を含浸してから溶媒の沸点以上に速
やかに加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との
化学重合により、コンデンサ素子内に前記チオフェン誘
導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
形成し、それを導電層として用いる。その上に前記請求
項1と同様にして、チオフェン誘導体を繰り返し単位と
して含む第2の導電性高分子層を形成する。
【0040】第1の導電性高分子層を形成する際、コン
デンサ素子に混合溶液を含浸させた後、溶媒の沸点以上
に速やかに加熱することにより、溶媒が蒸発して体積が
膨張し、陽極電極箔、セパレ−タ、及び陰極電極箔の間
隙を通って端面から噴出する。重合反応により生成され
た導電性高分子層が端面近傍に集まって端面を塞ごうと
しても、噴出する力により押し破り、導電性高分子層に
よって端面が塞がれることを防止できるので、次の工程
で、電解液をコンデンサ素子の中に含浸し、電解重合に
より第2の導電性高分子層を設けることができる。ま
た、溶媒の沸点以上に速やかに加熱することにより、溶
媒を速やかに蒸発させ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざ
り合った状態で重合反応を進行させることによって、分
子量が大きく、均一で電気伝導度の高い導電性高分子層
が得られる。また、第2の導電性高分子層を形成する
際、アニオン系面活性剤を添加した水媒体中での電解重
合により、分子サイズの大きなド−パントを導入するこ
とが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定
性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高
湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいは
フィルムコンデンサを容易に実現できる。
【0041】ここで、陽極電極箔と陰極電極箔には、ア
ルミニウム箔、タンタル箔、ニオブ箔、チタン箔等の弁
金属にエッチング処理が施され、陽極電極箔にはさらに
陽極酸化処理が施されたものが用いられる。
【0042】また、セパレ−タには、マニラ紙、クラフ
ト紙、合成繊維紙、ガラスペ−パ−等が用いられる。
【0043】また、速やかに加熱する工程として、コン
デンサ素子をオ−ブン中で加熱する方法や、コンデンサ
素子をホットプレ−ト上に接触させて加熱する方法が用
いうる。
【0044】また、酸化剤には、アルキルベンゼンスル
ホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、アルキル
ナフタレンスルホン酸第二鉄、アントラキノンスルホン
酸第二鉄等があげられるが、好適にはナフタレンスルホ
ン酸第二鉄が用いられる。
【0045】また、溶媒には、水、メタノ−ル、エタノ
−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル等があげられる
が、好適にはエタノ−ルが用いられる。本発明の請求項
10記載の発明は、誘電体層が設けられた陽極電極箔と
陰極電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ
素子を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶
媒により溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸
する工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前
記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、
前記コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返
し単位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程
と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤によ
り乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼ
ンまたはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意す
る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
程とを備えた構成としたものであり、フェノ−ル誘導体
もしくはニトロベンゼンまたはその誘導体を添加する
と、規則性の高い、共役長の発達した導電性高分子を生
成できるため、電気伝導度が高く、環境安定性の高い導
電性高分子層を形成できるので、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サあるいはフィルムコンデンサを容易に実現できる。
【0046】また、請求項11記載のように、誘電体層
が、弁金属の酸化物皮膜であってもよい。
【0047】また、請求項12記載のように、弁金属
が、アルミニウムまたはタンタルであることが好適であ
る。
【0048】また、請求項13記載のように、誘電体層
が、高分子膜であってもよく、この場合請求項14記載
のように、高分子が、ポリイミドまたはアクリル酸とメ
タクリル酸とスチレンの共重合体であることが好適であ
る。
【0049】また、請求項15記載のように、チオフェ
ン誘導体が、3,4−エチレンジオキシチオフェンまた
は3,4−エチレンジチアチオフェンであることが好適
である。
【0050】また、請求項16記載のように、アニオン
系界面活性剤が、スルホン酸系界面活性剤であることが
好適である。
【0051】また、請求項17記載のように、フェノ−
ル誘導体に、ニトロフェノ−ル、シアノフェノ−ル、ヒ
ドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェノ−ル、もしくはア
セトフェノ−ル、またはそれらの組み合せのものを用い
うる。
【0052】また、請求項18記載のように、ニトロベ
ンゼン誘導体に、ニトロベンジルアルコ−ルまたはニト
ロ安息香酸を用いうる。
【0053】以下、本発明の各実施の形態について詳細
に説明する。
【0054】(実施の形態1)以下、本発明の第1の実
施の形態について図1をもとに説明する。
【0055】縦8mm×横3.3mmのアルミニウムエ
ッチド箔1を、4mmと3mmの部分に仕切るように、
両面に渡って、幅1mmのポリイミドテープ2を貼付け
た。
【0056】次に、アルミニウムエッチド箔1の3mm
×3.3mmの部分に陽極リード線5を取り付け、アル
ミニウムエッチド箔1の4mm×3.3mmの部分を、
70℃の3%アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、ま
ず10mV/secの速度で0から10Vまで上げ、続
けて10Vの定電圧を40分間印加し、陽極酸化により
誘電体層3を形成した。そして、脱イオン水の流水によ
り10分洗浄してから、105℃で5分乾燥を行った。
この構成をコンデンサと見立て、化成液中の容量を測定
したところ、18μFであった。
【0057】30%硝酸マンガン水溶液の中に、アルミ
ニウムエッチド箔1の誘電体層3が設けられた部分を浸
漬し、自然乾燥させた後250℃で30分間加熱し熱分
解処理を行い、誘電体層上にマンガン酸化物層8を形成
した。
【0058】次に、前記陽極酸化と同じ条件で再化成を
行い、加熱により生じた欠陥部分を修復した。
【0059】次に、チオフェン誘導体である3,4−エ
チレンジオキシチオフェン(EDOT)0.2mol/
lとアニオン系界面活性剤であるアルキルナフタレンス
ルホン酸ナトリウム(平均分子量338)0.05mo
l/lを脱イオン水の中に入れ、スタ−ラで撹拌してE
DOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用意する。電
解液の中にマンガン酸化物層8まで形成したアルミニウ
ムエッチド箔1を浸漬し、不図示のステンレス製の電解
重合用電極をマンガン酸化物層8に近接するようにポリ
イミドテ−プ2に接触させ、電解重合用電極と隔離して
設けた不図示の電解重合用第二電極との間に3Vを30
分印加して、電解重合によりマンガン酸化物層8の上に
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PED
OT)からなる導電性高分子層4を形成した。
【0060】次に、脱イオン水の中にアルミニウムエッ
チド箔1を10分浸漬して洗浄を行った。そして、オ−
ブン中に入れて105℃で5分乾燥した。
【0061】導電性高分子層4形成の後、その上に、カ
−ボン層と銀ペイント層で陰極層7を形成すると共に、
陰極リ−ド線6を取り付けた。
【0062】さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してか
ら、エ−ジング処理を行い、合計で10個のコンデンサ
を完成させた。これら10個のコンデンサについて、1
kHzにおける容量、損失係数、及び400kHzにお
けるインピ−ダンスを各々測定した。さらに85℃85
%雰囲気中にさらし、500時間の耐熱・耐湿性試験を
行い、容量、損失係数、及びインピ−ダンスを測定し
た。それらの平均値を以下の(表1)に示した。
【0063】
【表1】 本実施の形態では、マンガン酸化物層を導電層として、
EDOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用いた電解
重合によってPEDOTからなる導電性高分子層を形成
するものであり、導電性高分子層を形成する際、スルホ
ン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安定性が優
れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下
での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易に実現で
きることが分かった。
【0064】(実施の形態2)以下、本発明の第2の実
施の形態について説明する。
【0065】本実施の形態では、実施の形態1の構成に
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのp−ニ
トロフェノ−ルを添加した以外は、実施の形態1と同様
にして10個のコンデンサを完成させた。
【0066】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる導電性高分子層の形成に要した電解重
合の重合時間は20分であった。
【0067】(表1)から理解されるように、本実施の
形態のコンデンサは、実施の形態1のコンデンサと比較
して、p−ニトロフェノ−ルの添加によって、損失係数
やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性
がさらに優れていることが分かった。 (実施の形態3)以下、本発明の第3の実施の形態につ
いて図2をもとに説明する。
【0068】アルミニウムエッチド箔1は、実施の形態
1と同じもので、同様に化成したものを用いた。
【0069】ピロ−ルモノマ−1mol/lをエタノ−
ルの溶媒で溶解したモノマ−溶液を用意する。ナフタレ
ンスルホン酸第二鉄0.5mol/lをエタノ−ルの溶
媒で溶解した酸化剤溶液を用意する。
【0070】アルミニウムエッチド箔1をモノマ−溶液
に5分間浸漬後、酸化剤溶液に10分間浸漬して、化学
重合によりポリピロ−ルからなる第1の導電性高分子層
10を形成した。
【0071】次に、エタノ−ルの洗浄を10分間行っ
た。続けて脱イオン水の洗浄を10分間行った。そし
て、オ−ブン中に入れて105℃で5分乾燥した。第1
の導電性高分子層が所定の厚さになるまで、浸漬から乾
燥までの一連の工程を2回繰り返した。
【0072】次に、不図示の電解重合用電極を第1の導
電性高分子層に近接するように配置して、実施の形態1
と同様の電解重合により、第1の導電性高分子層の上に
PEDOTからなる第2の導電性高分子層11を形成し
た。
【0073】他は実施の形態1と同様にして、コンデン
サを完成させた。
【0074】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0075】本実施の形態では、化学重合によってポリ
ピロ−ルからなる第1の導電性高分子層を形成し、それ
を導電層として、EDOTを乳化分散させた水媒体の電
解液を用いた電解重合によってPEDOTからなる第2
の導電性高分子層を形成するものであり、第2の導電性
高分子層を形成する際、スルホン酸系面活性剤を添加し
た水媒体中での電解重合により、分子サイズの大きなド
−パントを導入することが可能で、導電性高分子層の電
気伝導度及び環境安定性が優れているため、周波数特性
に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電
解コンデンサを容易に実現できることが分かった。
【0076】(実施の形態4)以下、本発明の第4の実
施の形態について説明する。
【0077】本実施の形態では、実施の形態3の構成に
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのp−シ
アノフェノ−ルを添加した以外は、実施の形態3と同様
にして10個のコンデンサを完成させた。
【0078】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
【0079】(表1)から理解されるように、本実施の
形態のコンデンサは、実施の形態3のコンデンサと比較
して、p−シアノフェノ−ルの添加によって、損失係数
やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性
がさらに優れていることが分かった。
【0080】(実施の形態5)以下、本発明の第5の実
施の形態について説明する。
【0081】大きさが3.6×2.9×1.4mmで、
タンタルのリ−ド線が配された重量約90mgのタンタ
ル焼結体のコンデンサ素子に対して、リン酸5mlを1
000mlの脱イオン水に溶解した約90℃の溶液を用
い、まず5mV/secの速度で0から42Vまで上
げ、続けて42Vの定電圧を3時間印加し、陽極酸化に
より酸化皮膜誘電体層を形成した。この構成をコンデン
サと見立て、化成液中の容量を測定したところ、68μ
Fであった。
【0082】EDOT0.2mol/lとアルキルナフ
タレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量338)0.
05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ−ラで撹
拌してEDOTを乳化分散させた25℃の水媒体のモノ
マ−溶液を用意する。硫酸第二鉄0.5mol/lを脱
イオン水に溶かした60℃の酸化剤溶液を用意する。
【0083】コンデンサ素子をモノマ−溶液に5分間浸
漬後、酸化剤溶液に20分間浸漬して、化学重合により
PEDOTからなる第1の導電性高分子層を形成した。
脱イオン水による洗浄を10分間した後、105℃のオ
−ブン中で乾燥を5分間行った。
【0084】コンデンサ素子の中にPEDOTが充填さ
れるまで、モノマ−溶液への浸漬から乾燥までの一連の
工程を10回繰り返した。
【0085】次に、EDOT0.2mol/lとアルキ
ルナフタレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量33
8)0.05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ
−ラで撹拌してEDOTを乳化分散させた水媒体の電解
液を用意する。電解液の中にコンデンサ素子を浸漬し、
第1の導電性高分子層に近接するように電解重合用電極
を配置し、電解重合用電極と隔離して設けた電解重合用
第二電極との間に3Vを30分印加して、電解重合によ
りPEDOTからなる第2の導電性高分子層を形成し
た。
【0086】次に、脱イオン水による洗浄を10分間し
た後、105℃のオ−ブン中で乾燥を5分間行った。
【0087】次に、第2の導電性高分子層の上にカ−ボ
ン層と銀ペイント層で陰極層を形成すると共に、陰極リ
−ド線を取り付けた。
【0088】さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してか
ら、エ−ジング処理を行い、合計で10個のコンデンサ
を完成させた。
【0089】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0090】本実施の形態では、EDOTを乳化分散さ
せた水媒体のモノマ−溶液と、水媒体の酸化剤溶液を用
いた化学重合によってPEDOTからなる第1の導電性
高分子層を形成し、それを導電層として、EDOTを乳
化分散させた水媒体の電解液を用いた電解重合によって
PEDOTからなる第2の導電性高分子層を形成するも
のであり、第1の導電性高分子層を形成する際、スルホ
ン酸系界面活性剤を添加した水媒体中での化学重合によ
り、分子サイズの大きなド−パントを導入することが可
能で、電気伝導度及び環境安定性に優れた導電性高分子
層が得られる。
【0091】また同様に、第2の導電性高分子層を形成
する際、スルホン酸系界面活性剤を添加した水媒体中で
の電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを導
入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び
環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ
高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサ
あるいはフィルムコンデンサを容易に実現できることが
分かった。
【0092】(実施の形態6)以下、本発明の第6の実
施の形態について説明する。
【0093】本実施の形態では、実施の形態5の構成に
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのヒドロ
キシ安息香酸を添加した以外は、実施の形態5と同様に
して10個のコンデンサを完成させた。
【0094】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
【0095】(表1)から理解されるように、本実施の
形態のコンデンサは、実施の形態5のコンデンサと比較
して、ヒドロキシ安息香酸の添加によって、損失係数や
インピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性が
さらに優れていることが分かった。
【0096】(実施の形態7)以下、本発明の第7の実
施の形態について説明する。アルミニウムエッチド箔
は、実施の形態1と同じもので、同様に化成したものを
用いた。EDOT1mol/lと酸化剤のナフタレンス
ルホン酸第二鉄0.2mol/lを、エタノ−ルと水の
重量比が約98対2の溶媒により溶解した混合溶液を用
意した。
【0097】混合溶液の中にアルミニウムエッチド箔の
誘電体層が設けられた部分を1分浸漬してから引き上
げ、溶媒の沸点より高い120℃のオ−ブン中に入れて
速やかに加熱し、20分放置した。加熱によって溶媒が
速やかに蒸発し、化学重合反応が進行して誘電体層の上
にPEDOTからなる第1の導電性高分子層を形成し
た。
【0098】次に、有機溶剤のエタノ−ルの中にアルミ
ニウムエッチド箔を10分浸漬して洗浄を行った。続け
て脱イオン水の中にアルミニウムエッチド箔を10分浸
漬して洗浄を行った。そして、オ−ブン中に入れて10
5℃で5分乾燥した。第1の導電性高分子層が所定の厚
さになるまで、浸漬塗布から乾燥までの一連の工程を3
回繰り返した。
【0099】次に、電解重合用電極を第1の導電性高分
子層に近接するように配置して、実施の形態1と同様の
電解重合により、第1の導電性高分子層の上にPEDO
Tからなる第2の導電性高分子層を形成した。
【0100】他は実施の形態1と同様にして、コンデン
サを完成させた。
【0101】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0102】本実施の形態では、誘電体層の上に混合溶
液を塗布してから溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、化
学重合によってPEDOTからなる第1の導電性高分子
層を形成し、それを導電層として、EDOTを乳化分散
させた水媒体の電解液を用いた電解重合によってPED
OTからなる第2の導電性高分子層を形成するものであ
り、第1の導電性高分子層を形成する際、アルミニウム
エッチド箔に混合溶液を塗布した後、溶媒の沸点以上に
速やかに加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発さ
せ、モノマ−と酸化剤が均一に混ざり合った状態で重合
反応を進行させることによって、分子量が大きく、均一
で電気伝導度の高い導電性高分子層が得られる。
【0103】また、第2の導電性高分子層を形成する
際、スルホン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解
重合により、分子サイズの大きなド−パントを導入する
ことが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安
定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・
高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易
に実現できることが分かった。
【0104】(実施の形態8)以下、本発明の第8の実
施の形態について説明する。
【0105】本実施の形態では、チオフェン誘導体のE
DOTに替えて3,4−エチレンジチアチオフェンを用
いて第1と第2の導電性高分子層を形成した以外、実施
の形態7と同様にしてコンデンサを完成させた。
【0106】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0107】チオフェン誘導体に3,4−エチレンジチ
アチオフェンを用いた場合にも、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サを容易に実現できることが分かった。
【0108】(実施の形態9)以下、本発明の第9の実
施の形態について説明する。
【0109】本実施の形態では、誘電体層として陽極酸
化皮膜に替えて高分子のポリイミドを用いた以外、実施
の形態7と同様にしてコンデンサを完成させた。
【0110】ポリイミドからなる誘電体層の形成方法を
以下に示す。
【0111】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp
−フェニレンジアミンをN−メチルピロリドン中、窒素
還流化で反応させてポリアミック酸を得た。このポリア
ミック酸をN,N−ジメチルアミドに希釈し、トリエチ
ルアミンを加えてポリアミック酸塩溶液を得た。そし
て、メタノ−ルを添加して最終的にポリアミック酸を
0.15%含むように調整し電着液とした。
【0112】この電着液にアルミニウムエッチド箔を浸
してこれを陽極とし、隔離して設けた電極との間に30
Vの電圧を印加してポリアミック酸膜を電着させた。そ
の後、250℃で1時間加熱してポリアミック酸をポリ
イミド化した。この電着並びに加熱を3回繰り返してポ
リイミドからなる誘電体層を形成した。
【0113】この構成をコンデンサと見立て、化成液中
の容量を測定したところ、0.35μFであった。
【0114】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0115】誘電体層にポリイミドを用いることによ
り、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度下での安定性
に優れたフィルムコンデンサを容易に実現できることが
分かった。
【0116】(実施の形態10)以下、本発明の第10
の実施の形態について説明する。
【0117】本実施の形態では、誘電体層として陽極酸
化皮膜に替えて高分子のアクリル酸とメタクリル酸とス
チレンの共重合体を用いた以外、実施の形態7と同様に
してコンデンサを完成させた。
【0118】アクリル酸とメタクリル酸とスチレンの共
重合体からなる誘電体層の形成方法を以下に示す。
【0119】用いた電着液組成は、固形分10重量%、
脱イオン水86重量%、ブチルセロソルブ4重量%であ
る。固形分として、分子量約3万のアクリル酸とメタク
リル酸とスチレンの共重合体とベンゾクアナミン系樹脂
を7対3で混合したものを用いた。この固形分を電着液
中に分散させるため、カルボン酸基の50%をトリメチ
ルアミンにより中和した。
【0120】この電着液にアルミニウムエッチド箔を浸
してこれを陽極とし、隔離して設けた電極との間に電圧
を印加し、0.3mA/cm2の電流密度で10Vに達
するまで定電流電着を行い、さらに10Vで15分間定
電圧電着を行った。
【0121】次に、80℃の脱イオン水による洗浄を2
0分間行ってから、180℃で30分間熱処理すること
により、ベンゾグアナミン系樹脂との間で架橋反応させ
た。
【0122】これら一連の処理を3回繰り返して誘電体
層を形成した。
【0123】この構成をコンデンサと見立て、化成液中
の容量を測定したところ、0.36μFであった。
【0124】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0125】誘電体層にアクリル酸とメタクリル酸とス
チレンの共重合体を用いることにより、周波数特性に優
れ、かつ高温・高湿度下での安定性に優れたフィルムコ
ンデンサを容易に実現できることが分かった。
【0126】(実施の形態11)以下、本発明の第11
の実施の形態について説明する。
【0127】本実施の形態では、実施の形態7の構成に
おいて、電解液に、さらに0.05mol/lのニトロ
ベンジルアルコ−ルを添加した以外は、実施の形態7と
同様にして10個のコンデンサを完成させた。
【0128】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は20分であった。
【0129】(表1)から理解されるように、本実施の
形態のコンデンサは、実施の形態7のコンデンサと比較
して、ニトロベンジルアルコ−ルの添加によって、損失
係数やインピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安
定性がさらに優れていることが分かった。
【0130】(実施の形態12)以下、本発明の第12
の実施の形態について図3をもとに説明する。
【0131】陽極電極箔21には、アルミニウムエッチ
ド箔の両面に陽極酸化によって誘電体層23が設けられ
たものを、幅2.3mm、長さ154mmの大きさに切
断して用いた。また、陰極電極箔24には、幅2.3m
m、長さ180mmのアルミニウムエッチド箔を用い
た。
【0132】次に、陽極電極箔21及び陰極電極箔24
を、厚さ40μmのマニラ紙からなるセパレ−タ25を
介して巻回し、巻き止めテ−プ26により止めて、コン
デンサ素子27を得る。ここで用いた巻回したコンデン
サ素子27の外形寸法は、直径が約7mm、端面上部2
8と端面下部29の両端面間の寸法が3.4mmのもの
である。なお、陽極電極箔21、陰極電極箔24には、
予め陽極リ−ド線30と陰極リ−ド線31が電気的に接
続されており、端面上部28から突出している。
【0133】次に、陽極電極箔21を形成したときの切
断面に陽極酸化処理を施した。陽極リ−ド線30を支持
して、コンデンサ素子27を70℃の3%アジピン酸ア
ンモニウム水溶液の中に浸漬させた。まず10mV/s
ecの速度で0から14Vまで上げ、続けて14Vの定
電圧を10分間印加し、陽極酸化により切断面に誘電体
層を形成した。そして、脱イオン水の流水により10分
洗浄してから、105℃で5分乾燥を行った。この構成
をコンデンサと見立て、化成液中の容量を測定したとこ
ろ、220μFであった。
【0134】EDOT1mol/lと酸化剤のナフタレ
ンスルホン酸第二鉄0.06mol/l及びトリイソプ
ロピルナフタレンスルホン酸第二鉄0.12mol/l
を、エタノ−ルと水の重量比が約99.5対0.5の溶
媒により溶解した混合溶液を用意した。
【0135】混合溶液の中にコンデンサ素子27を2分
浸漬して含浸させてから引き上げ、溶媒の沸点より高い
130℃のホットプレ−ト上にコンデンサ素子の端面下
部29を30秒接触させてから、130℃のオ−ブン中
に20分放置した。加熱によって溶媒が速やかに蒸発
し、化学重合反応が進行してコンデンサ素子27の内部
にPEDOTからなる第1の導電性高分子層32を形成
した。
【0136】次に、有機溶剤のエタノ−ルの中にコンデ
ンサ素子27を15分浸漬して洗浄を行った。続けて脱
イオン水の中にコンデンサ素子27を15分浸漬して洗
浄を行った。そして、オ−ブン中に入れて120℃で3
0分乾燥した。
【0137】第1の導電性高分子層32がコンデンサ素
子27の内部に所定の量形成されるまで、浸漬塗布から
乾燥までの一連の工程を3回繰り返した。
【0138】次に、EDOT0.2mol/lとアルキ
ルナフタレンスルホン酸ナトリウム(平均分子量33
8)0.05mol/lを脱イオン水の中に入れ、スタ
−ラで撹拌してEDOTを乳化分散させた水媒体の電解
液を用意する。電解液の中にコンデンサ素子27を浸漬
し、陽極電極箔21と、不図示の隔離して設けた電解重
合用第二電極との間に3Vを10分印加して、コンデン
サ素子27の内部に電解重合によりPEDOTからなる
第2の導電性高分子層33を形成した。
【0139】さらに、陰極電極箔24と、不図示の隔離
して設けた電解重合用第二電極との間に3Vを40分印
加して、コンデンサ素子27の内部に電解重合によりP
EDOTからなる第2の導電性高分子層33を形成し
た。
【0140】次に、脱イオン水による洗浄を15分間し
た後、120℃のオ−ブン中で乾燥を30分間行った。
【0141】次に、コンデンサ素子27を有底筒状のア
ルミニウムケ−スに収納し、その開口部をエポキシ樹脂
により封口してから、エ−ジング処理を行い、合計で1
0個のコンデンサを完成させた。
【0142】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。
【0143】本実施の形態では、巻回したコンデンサ素
子に、混合溶液を含浸してから溶媒の沸点以上に速やか
に加熱し、化学重合によってコンデンサ素子内にPED
OTからなる第1の導電性高分子層を形成し、さらに、
EDOTを乳化分散させた水媒体の電解液を用いた電解
重合によってコンデンサ素子内にPEDOTからなる第
2の導電性高分子層を形成するものであり、第1の導電
性高分子層を形成する際、コンデンサ素子に混合溶液を
含浸させた後、溶媒の沸点以上に速やかに加熱すること
により、溶媒が蒸発して体積が膨張し、陽極電極箔、セ
パレ−タ、及び陰極電極箔の間隙を通って端面から噴出
する。
【0144】重合反応により生成された導電性高分子層
が端面近傍に集まって端面を塞ごうとしても、噴出する
力により押し破り、導電性高分子層によって端面が塞が
れることを防止できるので、次の工程で、電解液をコン
デンサ素子の中に含浸し、電解重合により第2の導電性
高分子層を設けることができる。
【0145】また、溶媒の沸点以上に速やかに加熱する
ことにより、溶媒を速やかに蒸発させ、モノマ−と酸化
剤が均一に混ざり合った状態で重合反応を進行させるこ
とによって、分子量が大きく、均一で電気伝導度の高い
導電性高分子層が得られる。
【0146】また、第2の導電性高分子層を形成する
際、スルホン酸系面活性剤を添加した水媒体中での電解
重合により、分子サイズの大きなド−パントを導入する
ことが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及び環境安
定性が優れているため、周波数特性に優れ、かつ高温・
高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデンサを容易
に実現できることが分かった。
【0147】(実施の形態13)以下、本発明の第13
の実施の形態について説明する。
【0148】本実施の形態では、実施の形態12の構成
において、電解液に、さらに0.05mol/lのニト
ロ安息香酸を添加した以外は、実施の形態12と同様に
して10個のコンデンサを完成させた。
【0149】これらについて実施の形態1と同様の評価
を行い、その結果を前述の(表1)に示した。なお、P
EDOTからなる第2の導電性高分子層の形成に要した
電解重合の重合時間は、陽極電極箔と隔離して設けた電
解重合用第二電極との間で10分、陰極電極箔と隔離し
て設けた電解重合用第二電極との間で30分であった。
【0150】(表1)から理解されるように、本実施の
形態のコンデンサは、実施の形態12のコンデンサと比
較して、ニトロ安息香酸の添加によって、損失係数やイ
ンピ−ダンス特性、及び高温・高湿度下での安定性がさ
らに優れていることが分かった。
【0151】なお、実施の形態では、アニオン系界面活
性剤としてアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウムを
用いる場合について述べたが、嵩高なアニオン系界面活
性剤であれば他のものも用いることができ、本発明はそ
の種類に限定されない。
【0152】なお、実施の形態では、誘電体層となる高
分子として、ポリイミドと、アクリル酸とメタクリル酸
とスチレンの共重合体を用いる場合について述べたが、
薄膜を形成できる高分子材料であれば他のものも用いる
ことができ、本発明はその種類に限定されない。また、
アルミニウムエッチド箔に電着で設ける形成方法につい
て述べたが、薄膜を形成できる方法であれば他の方法で
も適用することができ、本発明はその形成方法に限定さ
れない。
【0153】なお実施の形態では、重合可能なモノマ−
として、3,4−エチレンジオキシチオフェンと3,4
−エチレンジチアチオフェンを用いた場合についてのみ
述べたが、その他の置換基を有する誘導体を用いること
もできる。
【0154】なお、上記実施の形態では、コンデンサの
一方の電極にのみ導電性高分子層が形成されたコンデン
サに関してのみ述べたが、両方の電極を導電性高分子層
で構成することもできる。
【0155】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体層の少な
くとも一方に、マンガン酸化物層を、重合性モノマ−と
酸化剤との化学重合によって導電性高分子層を、チオフ
ェン誘導体を乳化分散させた水媒体のモノマ−溶液と、
水媒体の酸化剤溶液を用いた化学重合によってチオフェ
ン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を、
あるいは混合溶液を塗布してから溶媒の沸点以上に速や
かに加熱し、化学重合によってチオフェン誘導体を繰り
返し単位として含む導電性高分子層を形成し、それらを
導電層として、チオフェン誘導体を乳化分散させた水媒
体の電解液を用いた電解重合によって、チオフェン誘導
体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を形成する
ものである。
【0156】スルホン酸系面活性剤を添加した水媒体中
での電解重合により、分子サイズの大きなド−パントを
導入することが可能で、導電性高分子層の電気伝導度及
び環境安定性が優れているため、周波数特性に優れ、か
つ高温・高湿度下での安定性に優れた固体電解コンデン
サ、あるいはフィルムコンデンサを容易に得ることがで
きる。
【0157】また、電解重合の際、無毒性かつ不燃性の
水を媒体として用いるため、生産プロセスの構築が容易
で、コンデンサの量産を容易にすることができる。
【0158】さらに、フェノ−ル誘導体もしくはニトロ
ベンゼンまたはその誘導体を添加すると、規則性の高
い、共役長の発達した導電性高分子を生成できるため、
電気伝導度が高く、環境安定性の高い導電性高分子層を
形成できるので、周波数特性に優れ、かつ高温・高湿度
下での安定性に優れた固体電解コンデンサあるいはフィ
ルムコンデンサを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるコンデンサの正
面図と断面図
【図2】本発明の実施の形態3におけるコンデンサの正
面図と断面図
【図3】本発明の実施の形態12におけるコンデンサ素
子の外観図と内部拡大図
【符号の説明】
1 アルミニウムエッチド箔 2 ポリイミドテ−プ 3、23 誘電体層 4 導電性高分子層 5、30 陽極リ−ド線 6、31 陰極リ−ド線 7 陰極層 8 マンガン酸化物層 10、32 第1の導電性高分子層 11、33 第2の導電性高分子層 21 陽極電極箔 24 陰極電極箔 25 セパレ−タ 26 巻き止めテ−プ 27 コンデンサ素子 28 端面上部 29 端面下部
フロントページの続き (72)発明者 松家 安恵 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 草柳 弘樹 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方にマンガン酸化物層を形成する工程
    と、チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
    化した水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェ
    ン誘導体を繰り返し単位として含む導電性高分子層を電
    解重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造
    方法。
  2. 【請求項2】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方にマンガン酸化物層を形成する工程
    と、チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
    化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンま
    たはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工
    程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む
    導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
    たコンデンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学
    重合により第1の導電性高分子層を形成する工程と、チ
    オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した
    水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導
    体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電
    解重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造
    方法。
  4. 【請求項4】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方に重合性モノマ−と酸化剤との化学
    重合により第1の導電性高分子層を形成する工程と、チ
    オフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、
    かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはそ
    の誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、
    前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の
    導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備え
    たコンデンサの製造方法。
  5. 【請求項5】 誘電体層を用意する工程と、チオフェン
    誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
    モノマ−溶液を用意する工程と、酸化剤溶液を用意する
    工程と、前記誘電体層の少なくても一方に前記チオフェ
    ン誘導体と酸化剤との化学重合により前記チオフェン誘
    導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
    形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界
    面活性剤により乳化した水媒体の電解液を用意する工程
    と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第
    2の導電性高分子層を電解重合により形成する工程とを
    備えたコンデンサの製造方法。
  6. 【請求項6】 誘電体層を用意する工程と、チオフェン
    誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水媒体の
    モノマ−溶液を用意する工程と、酸化剤溶液を用意する
    工程と、前記誘電体層の少なくても一方に前記チオフェ
    ン誘導体と酸化剤との化学重合により前記チオフェン誘
    導体を繰り返し単位として含む第1の導電性高分子層を
    形成する工程と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界
    面活性剤により乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくは
    ニトロベンゼンまたはその誘導体を含有する水媒体の電
    解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返
    し単位として含む第2の導電性高分子層を電解重合によ
    り形成する工程とを備えたコンデンサの製造方法。
  7. 【請求項7】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
    により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合溶
    液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速やか
    に加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学
    重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
    含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チオ
    フェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化した水
    媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェン誘導体
    を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子層を電解
    重合により形成する工程とを備えたコンデンサの製造方
    法。
  8. 【請求項8】 誘電体層を用意する工程と、前記誘電体
    層の少なくても一方にチオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
    により溶解した混合溶液を塗布する工程と、前記混合溶
    液が塗布された誘電体層を前記溶媒の沸点以上に速やか
    に加熱し、前記チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学
    重合により前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
    含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、前記チオ
    フェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳化し、か
    つフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼンまたはその
    誘導体を含有する水媒体の電解液を用意する工程と、前
    記チオフェン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導
    電性高分子層を電解重合により形成する工程とを備えた
    コンデンサの製造方法。
  9. 【請求項9】 誘電体層が設けられた陽極電極箔と陰極
    電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ素子
    を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒に
    より溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸する
    工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記チ
    オフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、前記
    コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返し単
    位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程と、
    前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤により乳
    化した水媒体の電解液を用意する工程と、前記チオフェ
    ン誘導体を繰り返し単位として含む第2の導電性高分子
    層を電解重合により形成する工程とを備えたコンデンサ
    の製造方法。
  10. 【請求項10】 誘電体層が設けられた陽極電極箔と陰
    極電極箔とをセパレ−タを介して巻回したコンデンサ素
    子を用意する工程と、チオフェン誘導体と酸化剤を溶媒
    により溶解した混合溶液を前記コンデンサ素子に含浸す
    る工程と、前記溶媒の沸点以上に速やかに加熱し、前記
    チオフェン誘導体と前記酸化剤との化学重合により、前
    記コンデンサ素子内に前記チオフェン誘導体を繰り返し
    単位として含む第1の導電性高分子層を形成する工程
    と、前記チオフェン誘導体をアニオン系界面活性剤によ
    り乳化し、かつフェノ−ル誘導体もしくはニトロベンゼ
    ンまたはその誘導体を含有する水媒体の電解液を用意す
    る工程と、前記チオフェン誘導体を繰り返し単位として
    含む第2の導電性高分子層を電解重合により形成する工
    程とを備えたコンデンサの製造方法。
  11. 【請求項11】 誘電体層が、弁金属の酸化物皮膜であ
    る請求項1から10のいずれかに記載のコンデンサの製
    造方法。
  12. 【請求項12】 弁金属が、アルミニウムまたはタンタ
    ルである請求項1から10のいずれかに記載のコンデン
    サの製造方法。
  13. 【請求項13】 誘電体層が、高分子誘電体である請求
    項1から10のいずれかに記載のコンデンサの製造方
    法。
  14. 【請求項14】 高分子が、ポリイミドまたはアクリル
    酸とメタクリル酸とスチレンの共重合体である請求項1
    から10のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  15. 【請求項15】 チオフェン誘導体が、3,4−エチレ
    ンジオキシチオフェンまたは3,4−エチレンジチアチ
    オフェンである請求項1から10のいずれかに記載のコ
    ンデンサの製造方法。
  16. 【請求項16】 アニオン系界面活性剤が、スルホン酸
    系界面活性剤である請求項1から10のいずれかに記載
    のコンデンサの製造方法。
  17. 【請求項17】 フェノ−ル誘導体が、ニトロフェノ−
    ル、シアノフェノ−ル、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
    シフェノ−ル、もしくはアセトフェノ−ル、またはそれ
    らの組み合せである請求項2、4、6、8、10のいず
    れかに記載のコンデンサの製造方法。
  18. 【請求項18】 ニトロベンゼン誘導体が、ニトロベン
    ジルアルコ−ルまたはニトロ安息香酸である請求項2、
    4、6、8、10のいずれかに記載のコンデンサの製造
    方法。
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