JP2002008946A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含
む遷移金属塩を酸化剤に用いて化学重合により導電性高
分子層を形成した場合、遷移金属塩あるいはド−パント
の嵩が大きいために、容量達成率の高い固体電解コンデ
ンサが得られないという課題を抱えていた。 【解決手段】 アルキルナフタレンスルホン酸あるいは
その塩が含まれた導電性組成物層４を下地層として形成
するか、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含む
化成溶液を用いて化成を施すことにより、嵩の小さなア
ニオンによる誘電体層３の損傷を抑制できるので、嵩の
小さなアニオンを有する遷移金属塩を酸化剤に用いて化
学重合により導電性高分子層５を形成し、漏れ電流が低
く、耐熱・耐湿性及び容量達成率の高い固体電解コンデ
ンサが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【本発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデ
ンサの製造方法に関し、特に誘電体層の修復能力の高い
電解質を用いた化成方法と、誘電体層に損傷を与え難い
導電性組成物層を備えた固体電解コンデンサの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ポリアニリン、ポリピロ−ル
やポリチオフェンに代表される導電性高分子は、化学重
合及び電解重合で作製することができる。係る導電性高
分子を固体電解コンデンサの陰極導電層として応用する
場合には、陽極酸化皮膜からなる誘電体層に損傷を与え
難いド−パントを用いて、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿
性の高いコンデンサを得ることが重要である。特開平１
０−９４３２０号公報において、誘電体層に損傷を与え
にくい嵩の大きなアルキルナフタレンスルホン酸アニオ
ンを含む遷移金属塩からなる酸化剤を用いて、その場化
学重合により、アルキルナフタレンスルホン酸アニオン
がド−プされた導電性高分子からなる陰極導電層を形成
する固体電解コンデンサの製造方法が提供されている。

【０００３】また、弁金属の表面を化成する化成溶液の
電解質、あるいは誘電体層上に導電性高分子層を形成し
た後に誘電体層を再化成する化成溶液の電解質には、リ
ン酸、アジピン酸、ホウ酸、酢酸、またはそれらの塩が
用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルキ
ルナフタレンスルホン酸アニオンを含む遷移金属塩を酸
化剤に用いて化学重合により導電性高分子層からなる陰
極導電層を形成した場合、遷移金属塩あるいはド−パン
トの嵩が大きいために高い容量達成率が得られないとい
う課題を抱えていた。

【０００５】また、誘電体層上に導電性高分子層を形成
した後に、漏れ電流を低くするために施す再化成の化成
溶液の電解質にアジピン酸アンモニウムを、媒体にエチ
レングリコ−ルを用いた場合、アジピン酸アンモニウム
の修復化成能力が低いために、再化成時に大きな電流が
流れて導電性高分子層が分解され、損失係数やインピ−
ダンスが劣化するという課題を抱えていた。

【０００６】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
もので、高容量達成率で漏れ電流特性に優れた固体電解
コンデンサを得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するもので、本発明第一の固体電解コンデンサの製造
方法は、弁金属の表面を化成し誘電体層を形成する工程
と、可溶性導電性高分子が溶媒中に溶解された溶液組成
物または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散された分
散液状組成物の中にアルキルナフタレンスルホン酸アニ
オンを含む導電性組成物前駆体を用意する工程と、前記
誘電体層上に前記導電性組成物前駆体を塗布する工程
と、前記導電性組成物前駆体から前記溶媒又は分散媒を
除去して導電性組成物層を形成する工程と、前記導電性
組成物層上に導電性高分子層を形成する工程とを有する
構成である。

【０００８】アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを
含む導電性組成物前駆体を誘電体層上に塗布した後、導
電性組成物前駆体から媒体を除去すると、アルキルナフ
タレンスルホン酸あるいはアルキルナフタレンスルホン
酸塩が含まれた導電性組成物層が形成される。導電性組
成物層に含まれたアルキルナフタレンスルホン酸あるい
はアルキルナフタレンスルホン酸塩は、嵩の小さなアニ
オン、例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタ
レンスルホン酸アニオンによる誘電体層の損傷を抑制で
きるため、それらを有する遷移金属塩を酸化剤に用いて
導電性組成物層上に導電性高分子層を形成しても、漏れ
電流が低く、耐熱・耐湿性の高い固体電解コンデンサが
得られる。また、嵩の小さなアニオン、例えばパラトル
エンスルホン酸アニオンやナフタレンスルホン酸アニオ
ンを有する酸化剤を用いた場合には、高い容量達成率の
固体電解コンデンサが得られることから、漏れ電流が低
く、耐熱・耐湿性及び容量達成率の高い固体電解コンデ
ンサが得られる。

【０００９】本発明第二の固体電解コンデンサの製造方
法は、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含む化
成溶液を用いて弁金属の表面を化成し誘電体層を形成す
る工程と、前記誘電体層上に導電性高分子層を形成する
工程とを有する構成である。

【００１０】アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを
含む化成溶液を用いて弁金属の表面を化成すると、誘電
体層の表面近傍にアルキルナフタレンスルホン酸アニオ
ンが取り込まれる。誘電体層の表面近傍に取り込まれ
た、あるいは存在するアルキルナフタレンスルホン酸ア
ニオンは、嵩の小さなアニオン、例えばパラトルエンス
ルホン酸アニオンやナフタレンスルホン酸アニオンによ
る誘電体層の損傷を抑制できるため、それらを有する遷
移金属塩を酸化剤に用いて誘電体層の上に導電性高分子
層を形成しても、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性の高い
固体電解コンデンサが得られる。また、嵩の小さなアニ
オン、例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタ
レンスルホン酸アニオンを有する酸化剤を用いた場合に
は、高い容量達成率の固体電解コンデンサが得られるこ
とから、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成率
の高い固体電解コンデンサが得られる。

【００１１】本発明第三の固体電解コンデンサの製造方
法は、弁金属の表面を化成し誘電体層を形成する工程
と、前記誘電体層上に導電性高分子層を形成する工程
と、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含む化成
溶液を用いて前記導電性高分子層が形成された誘電体層
を再化成する工程とを有する構成である。

【００１２】アルキルナフタレンスルホン酸アニオンの
修復化成能力が高いために、再化成時に大きな電流が流
れず、導電性高分子層が分解されないので、損失係数や
インピ−ダンスを劣化させることなく漏れ電流の低い固
体電解コンデンサが得られる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
弁金属の表面を化成し誘電体層を形成する工程と、可溶
性導電性高分子が溶媒中に溶解された溶液組成物または
導電性高分子微粒子が分散媒中に分散された分散液状組
成物の中にアルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含
む導電性組成物前駆体を用意する工程と、前記誘電体層
上に前記導電性組成物前駆体を塗布する工程と、前記導
電性組成物前駆体から前記溶媒又は分散媒を除去して導
電性組成物層を形成する工程と、前記導電性組成物層上
に導電性高分子層を形成する工程とを有する固体電解コ
ンデンサの製造方法であり、導電性組成物層に含まれた
アルキルナフタレンスルホン酸あるいはアルキルナフタ
レンスルホン酸塩が、嵩の小さなアニオン、例えばパラ
トルエンスルホン酸アニオンやナフタレンスルホン酸ア
ニオンによる誘電体層の損傷を抑制できるため、それら
を有する遷移金属塩を酸化剤に用いて導電性組成物層上
に導電性高分子層を形成しても、漏れ電流が低く、耐熱
・耐湿性の高い固体電解コンデンサが得られる。また、
嵩の小さなアニオン、例えばパラトルエンスルホン酸ア
ニオンやナフタレンスルホン酸アニオンを有する酸化剤
を用いた場合には、高い容量達成率の固体電解コンデン
サが得られることから、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性
及び容量達成率の高い固体電解コンデンサを実現でき
る。

【００１４】ここで、アルキルナフタレンスルホン酸ア
ニオンとしては、フリ−の酸、ナトリウム塩、あるいは
アンモニウム塩を添加して用いることができる。

【００１５】また、アルキル基としては、炭素総数３以
上のものが用いうる。

【００１６】また、請求項２記載のように、可溶性導電
性高分子または導電性高分子微粒子として、ポリピロ−
ル、ポリチオフェンもしくはポリアニリン又はそれらの
誘導体を用いることができる。可溶性導電性高分子溶液
または導電性高分子微粒子分散液の製造方法が種々開示
されており、それらを用いて容易に製造することができ
る。

【００１７】例えば、ポリピロール類については、特開
平６−２０６９８６号公報およびケミストリーオブマテ
リアル誌（アメリカンケミカルソサイアティ１９８９年
発行）１巻６号６５０頁に記載されている方法で作製す
ることができる。

【００１８】また、ポリチオフェン類については、シン
シテックメタルズ誌（エルゼビア発行）２６巻２６７頁
およびシンシテックメタルズ誌（エルゼビア発行）８５
巻１３９７頁に開示されている。

【００１９】また、ポリアニリン溶液の作製法について
は、米国特許５２３２６３１号公報およびシンシテック
メタルズ誌（エルゼビア発行）８５巻１３３７頁に記載
されている。また、ポリアニリン溶液は三菱レイヨン社
より、アクアセーブという商品名で市販されている。

【００２０】また、導電性組成物前駆体の中にバインダ
−として、媒体に分散する高分子や結着剤を添加しても
よい。例えば、水溶性ポリエステルや水溶性アクリル樹
脂、アルコキシシラン等が上げられる。

【００２１】また、導電性高分子層としては、化学重合
や電解重合により形成されたポリチオフェン、ポリピロ
−ル、ポリアニリンまたは、それらの誘導体が用いられ
る。

【００２２】本発明の請求項３記載の発明は、アルキル
ナフタレンスルホン酸アニオンを含む化成溶液を用いて
弁金属の表面を化成し誘電体層を形成する工程と、前記
誘電体層上に導電性高分子層を形成する工程とを有する
固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、化成
によって誘電体層の表面近傍に取り込まれた、あるいは
存在するアルキルナフタレンスルホン酸アニオンが、嵩
の小さなアニオン、例えばパラトルエンスルホン酸アニ
オンやナフタレンスルホン酸アニオンによる誘電体層の
損傷を抑制できるため、それらを有する遷移金属塩を酸
化剤に用いて誘電体層の上に導電性高分子層を形成して
も、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性の高い固体電解コン
デンサが得られる。また、嵩の小さなアニオン、例えば
パラトルエンスルホン酸アニオンやナフタレンスルホン
酸アニオンを有する酸化剤を用いた場合には、高い容量
達成率の固体電解コンデンサが得られることから、漏れ
電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成率の高い固体電
解コンデンサを実現できる。

【００２３】本発明の請求項４記載の発明は、弁金属の
表面を化成し誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層
上に導電性高分子層を形成する工程と、アルキルナフタ
レンスルホン酸アニオンを含む化成溶液を用いて前記導
電性高分子層が形成された誘電体層を再化成する工程と
を有する固体電解コンデンサの製造方法としたものであ
り、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンの修復化成
能力が高いために、再化成時に大きな電流が流れず、導
電性高分子層が分解されないので、損失係数やインピ−
ダンスを劣化させることなく漏れ電流の低い固体電解コ
ンデンサを実現できる。

【００２４】以下、本発明の各実施の形態について詳細
に説明する。

【００２５】（実施の形態１）以下、本発明第１の実施
の形態について図１を用いて説明する。同図において、
（ａ）はコンデンサ素子の平面図、（ｂ）は断面図を示
す。

【００２６】縦８ｍｍ×横３．３ｍｍの弁金属であるア
ルミニウムエッチド箔１を、４ｍｍと３ｍｍの部分に仕
切るように、両面に渡って、幅１ｍｍのポリイミドテー
プ２を貼付けた。

【００２７】次に、アルミニウムエッチド箔１の３ｍｍ
×３．３ｍｍの部分に陽極リ−ド線７を取り付け、アル
ミニウムエッチド箔１の４ｍｍ×３．３ｍｍの部分を、
７０℃の３％アジピン酸アンモニウム水溶液を用い、ま
ず１０ｍＶ／ｓの速度で０から１０Ｖまで上げ、続けて
１０Ｖの定電圧を４０分間印加し、陽極酸化により誘電
体層３を形成した。

【００２８】そして、脱イオン水の流水により１０分洗
浄してから、１０５℃で３０分間乾燥を行った。この構
成をコンデンサと見立て、化成溶液中の容量を測定した
ところ、１８μＦであった。

【００２９】次に、シンシテックメタルズ誌（エルゼビ
ア発行）８５巻１３３７頁に開示されている方法で、約
５重量％の可溶性導電性高分子が溶解されたスルホン化
ポリアニリン水溶液組成物を作製した。スルホン化ポリ
アニリン水溶液組成物に、トリイソプロピルナフタレン
スルホン酸を０．０１ｍｏｌ／ｌ添加して、導電性組成
物前駆体を作製した。

【００３０】次に、アルミニウムエッチド箔１の４ｍｍ
×３．３ｍｍの部分に、導電性組成物前駆体を塗布後、
５０℃で６０分、さらに１５０℃で１０分加熱して媒体
を除去し、ポリアニリンとトリイソプロピルナフタレン
スルホン酸からなる導電性組成物層４を形成した。

【００３１】次に、導電性組成物層４の上に化学重合に
より導電性高分子層５を形成する。まず、重合性モノマ
−の３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）
原液のモノマ−溶液を用意する。次にナフタレンスルホ
ン酸第二鉄をメタノ−ルの中に入れ、スタ−ラで撹拌し
て溶かした酸化剤溶液を用意する。モノマ−溶液と酸化
剤溶液を混合した混合溶液を用意する。このとき、混合
溶液としたときにＥＤＯＴ１．６ｍｏｌ／ｌ、ナフタレ
ンスルホン酸第二鉄０．８ｍｏｌ／ｌの濃度となるよう
に調合した。混合溶液の中にアルミニウムエッチド箔１
の導電性組成物層４が設けられた部分を１分浸漬してか
ら引き上げ、５０℃で３０分、１００℃で３０分熱処理
を施した。化学重合により導電性組成物層４の上に導電
性高分子層５を形成した。

【００３２】次に、洗浄と乾燥を施した。導電性高分子
層５が所定の厚さになるまで、浸漬塗布から乾燥までの
処理を１０回繰り返した。

【００３３】次に、導電性高分子層５の上にカ−ボン層
と銀ペイント層からなる集電体層６を形成するととも
に、その上に陰極リ−ド線８を取り付けた。

【００３４】さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してか
らエ−ジング処理を行い、合計で１０個のコンデンサを
完成させた。

【００３５】これら１０個のコンデンサについて、１ｋ
Ｈｚにおける容量、損失係数、４００ｋＨｚにおけるイ
ンピ−ダンス及び定格電圧６．３Ｖ印加２分後の漏れ電
流を各々測定した。さらに８５℃８５％雰囲気中にさら
し、定格電圧を印加しての負荷耐熱・耐湿性試験を行
い、容量、損失係数、インピ−ダンス、及び漏れ電流を
測定した。それらの平均値を以下の図２に示した。

【００３６】本実施の形態によれば、導電性組成物層に
含まれたトリイソプロピルナフタレンスルホン酸が、嵩
の小さなナフタレンスルホン酸アニオンによる誘電体層
の損傷を抑制できるため、図２に示すように、漏れ電流
が低く、耐熱・耐湿性の高い固体電解コンデンサが得ら
れる。また、嵩の小さなナフタレンスルホン酸アニオン
を有する酸化剤を用いた場合には、図２に示すように、
高い容量達成率の固体電解コンデンサが得られることか
ら、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成率の高
い固体電解コンデンサを得ることができる。

【００３７】（比較例１）比較例１として、導電性組成
物層を形成しないで、誘電体層の上に導電性高分子層を
直接形成した以外、第１の実施の形態と同様にしてコン
デンサを作製した。なお、導電性高分子層は、第１の実
施の形態と同様にして形成した。

【００３８】特性を測定した結果を前述の図２に示す。

【００３９】比較例１では、ナフタレンスルホン酸アニ
オンによって誘電体層が損傷を受けるために、図２に示
すように漏れ電流が高く、負荷耐熱・耐湿性試験によっ
て特性が劣化しており、特性の優れたコンデンサを得る
ことができない。

【００４０】（実施の形態２）以下、本発明第２の実施
の形態について説明する。

【００４１】本実施の形態では、スルホン化ポリアニリ
ン水溶液組成物に替えて、ポリ（３，４−エチレンジオ
キシチオフェン）微粒子が含まれる水分散液状組成物を
用いて導電性組成物前駆体を作製した以外、第１の実施
の形態と同様にしてコンデンサを作製した。導電性組成
物前駆体の作り方を説明する。約０．４重量％のコロイ
ド状ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）微粒
子が含まれる水分散液状組成物は、シンシテックメタル
ズ誌（エルゼビア発行）８５巻１３９７頁に開示されて
いる方法に準じて作製した。上記水分散液状組成物に、
トリイソプロピルナフタレンスルホン酸を０．０１ｍｏ
ｌ／ｌと、バインダ−としてアルコキシシランを０．５
重量％添加して、導電性組成物前駆体を作製した。

【００４２】第１の実施の形態と同様の測定を行い、結
果を前述の図２に示した。

【００４３】本実施の形態によるコンデンサは比較例１
と比較して、漏れ電流が低く、高い耐熱・耐湿性及び容
量達成率を有することが明らかであり、本発明の優れた
効果が実証された。

【００４４】（実施の形態３）以下、本発明第３の実施
の形態について説明する。

【００４５】７０℃のトリイソプロピルナフタレンスル
ホン酸アンモニウム水溶液０．０５ｍｏｌ／ｌからなる
化成溶液を用いて、第１の実施の形態と同様にしてアル
ミニウムエッチド箔の表面を化成して誘電体層を形成し
た。化成溶液中の容量を測定したところ、１７．８μＦ
であった。

【００４６】次に、誘電体層の上に第１の実施の形態と
同様に、重合性モノマ−にはＥＤＯＴを、酸化剤にはナ
フタレンスルホン酸第二鉄を用いて、化学重合により導
電性高分子層を形成した。

【００４７】次に、導電性高分子層の上にカ−ボン層と
銀ペイント層からなる集電体層を形成するとともに、そ
の上に陰極リ−ド線を取り付けた。

【００４８】さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してか
らエ−ジング処理を行い、合計で１０個のコンデンサを
完成させた。

【００４９】第１の実施の形態と同様の測定を行い、結
果を前述の図２に示した。

【００５０】本実施の形態によれば、化成により誘電体
層の表面近傍に取り込まれた、あるいは存在するトリイ
ソプロピルナフタレンスルホン酸アニオンが、ナフタレ
ンスルホン酸アニオンによる誘電体層の損傷を抑制でき
るため、図２に示すように、漏れ電流が低く、耐熱・耐
湿性の高い固体電解コンデンサを得ることができる。

【００５１】また、嵩の小さなナフタレンスルホン酸ア
ニオンを有する酸化剤を用いた場合には、図２に示すよ
うに、高い容量達成率の固体電解コンデンサが得られる
ことから、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成
率の高い固体電解コンデンサを得ることができる。

【００５２】（実施の形態４）以下、本発明第４の実施
の形態について説明する。

【００５３】まず、第１の実施の形態と同様にしてアル
ミニウムエッチド箔の表面を化成し誘電体層を形成し
た。

【００５４】次に、誘電体層の上に第１の実施の形態と
同様に、重合性モノマ−にはＥＤＯＴを、酸化剤にはナ
フタレンスルホン酸第二鉄を用いて、化学重合により導
電性高分子層を形成した。

【００５５】次に、エチレングリコ−ルに、トリイソプ
ロピルナフタレンスルホン酸０．１ｍｏｌ／ｌを溶かし
た化成溶液を用いて再化成を施した。アルミニウムエッ
チド箔の導電性高分子層が形成された部分を、７０℃の
化成溶液に浸漬し、まず１０ｍＶ／ｓの速度で０から
８．５Ｖまで上げ、続けて８．５Ｖの定電圧を４０分間
印加して再化成を施した。

【００５６】次に、洗浄と乾燥を施した。

【００５７】次に、導電性高分子層の上にカ−ボン層と
銀ペイント層からなる集電体層を形成するとともに、そ
の上に陰極リ−ド線を取り付けた。

【００５８】さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してか
らエ−ジング処理を行い、合計で１０個のコンデンサを
完成させた。

【００５９】第１の実施の形態と同様の測定を行い、結
果を前述の図２に示した。

【００６０】本実施の形態によれば、トリイソプロピル
ナフタレンスルホン酸アニオンの修復化成能力が高いた
めに、再化成時に大きな電流が流れず、導電性高分子層
が分解されないので、図２に示すように、損失係数やイ
ンピ−ダンスを劣化させることなく漏れ電流の低い固体
電解コンデンサを得ることができる。

【００６１】（比較例２）比較例２として、トリイソプ
ロピルナフタレンスルホン酸に替えて、アジピン酸アン
モニウム０．５ｍｏｌ／ｌを用いて再化成を施した以
外、実施の形態４と同様にしてコンデンサを作製した。

【００６２】特性を測定した結果を前述の図２に示す。

【００６３】比較例２では、アジピン酸アンモニウムの
修復化成能力が低いために、再化成時に大きな電流が流
れ、導電性高分子層が分解され、図２に示すように、損
失係数やインピ−ダンスを劣化させることなく漏れ電流
の低い固体電解コンデンサを得ることができない。

【００６４】なお、実施の形態ではアルキルナフタレン
スルホン酸アニオンとしてトリイソプロピルナフタレン
スルホン酸アニオンを用いた場合について述べたが、そ
れ以外のモノイソプロピルナフタレンスルホン酸アニオ
ン、ｎ−ブチルナフタレンスルホン酸アニオン、ジブチ
ルナフタレンスルホン酸アニオン、トリイソプロピルナ
フタレンジスルホン酸アニオン等も用いることもでき、
本発明はその種類に限定されない。

【００６５】また、実施の形態では嵩の小さなアニオン
を有する酸化剤としてナフタレンスルホン酸第二鉄を用
いた場合について述べたが、それ以外のベンゼンスルホ
ン酸第二鉄、ベンゼンジスルホン酸第二鉄、エチルベン
ゼンスルホン酸第二鉄、ドデシルベンゼンスルホン酸第
二鉄、パラトルエンスルホン酸第二鉄等も用いることも
でき、本発明はその種類に限定されない。

【００６６】また、実施の形態では化成溶液の電解質と
してトリイソプロピルナフタレンスルホン酸アンモニウ
ムとトリイソプロピルナフタレンスルホン酸を各々単体
で用いた場合について述べたが、他の電解質、例えばア
ジピン酸、ホウ酸、酢酸、リン酸及びそれらの塩等と混
合して用いてもよい。

【００６７】また、実施の形態では重合性モノマ−には
ＥＤＯＴを、酸化剤にはナフタレンスルホン酸第二鉄を
用いて、化学重合により導電性高分子層を形成した場合
について述べたが、他の重合性モノマ−や酸化剤を用い
ることもでき、本発明はその種類に限定されない。

【００６８】また、実施の形態では導電性高分子層を化
学重合により形成した場合について述べたが、化学重合
の後に電解重合を施し、積層からなる導電性高分子層を
形成してもよい。

【００６９】また、実施の形態では平板状のアルミニウ
ムエッチド箔を用いた場合について述べたが、多孔質焼
結体を用いた、あるいは陽極箔と陰極箔をセパレ−タを
介して巻回したコンデンサにも適用でき、本発明は電極
形状に限定されない。

【００７０】また、実施の形態では弁金属がアルミニウ
ムの場合についてのみ述べたが、その他タンタル、ジル
コニウム、ニオブ、ハフニウム、及びチタンさらにはそ
れらの金属間化合物等も使用可能である。

【００７１】また、実施の形態では可溶性導電性高分子
としてスルホン化ポリアニリンを、導電性高分子微粒子
としてポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を
用いたが、可溶性の、あるいは分散可能な導電性高分子
であればそれ以外の材料も用いることもでき、本発明は
その種類に限定されない。

【００７２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電性組
成物層に含まれたアルキルナフタレンスルホン酸あるい
はアルキルナフタレンスルホン酸塩が、嵩の小さなアニ
オン、例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタ
レンスルホン酸アニオンによる誘電体層の損傷を抑制で
きるため、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性の高い固体電
解コンデンサが得られる。また、嵩の小さなアニオン、
例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタレンス
ルホン酸アニオンを有する酸化剤を用いた場合には、高
い容量達成率の固体電解コンデンサが得られることか
ら、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成率の高
い固体電解コンデンサを得ることができるという有利な
効果が得られる。

【００７３】また、本発明によれば、化成により誘電体
層の表面近傍に取り込まれた、あるいは存在するアルキ
ルナフタレンスルホン酸アニオンが、嵩の小さなアニオ
ン、例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタレ
ンスルホン酸アニオンによる誘電体層の損傷を抑制でき
るため、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性の高い固体電解
コンデンサを得ることができる。また、嵩の小さなアニ
オン、例えばパラトルエンスルホン酸アニオンやナフタ
レンスルホン酸アニオンを有する酸化剤を用いた場合に
は、高い容量達成率の固体電解コンデンサが得られるこ
とから、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿性及び容量達成率
の高い固体電解コンデンサを得ることができるという有
利な効果が得られる。

【００７４】さらに、本発明によれば、アルキルナフタ
レンスルホン酸アニオンの修復化成能力が高いために、
再化成時に大きな電流が流れず、導電性高分子層が分解
されないので、損失係数やインピ−ダンスを劣化させる
ことなく漏れ電流の低い固体電解コンデンサを得ること
ができるという有利な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の実施の形態におけるコンデンサ素
子の外観図と断面図

【図２】本発明第１の実施の形態におけるコンデンサ素
子の特性を示す図

【符号の説明】

１ アルミニウムエッチド箔 ２ ポリイミドテープ ３ 誘電体層 ４ 導電性組成物層 ５ 導電性高分子層 ６ 集電体層 ７ 陽極リ−ド線 ８ 陰極リ−ド線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 草柳 弘樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松家 安恵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弁金属の表面を化成し誘電体層を形成す
   る工程と、可溶性導電性高分子が溶媒中に溶解された溶
   液組成物または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散さ
   れた分散液状組成物の中にアルキルナフタレンスルホン
   酸アニオンを含む導電性組成物前駆体を用意する工程
   と、前記誘電体層上に前記導電性組成物前駆体を塗布す
   る工程と、前記導電性組成物前駆体から前記溶媒又は分
   散媒を除去して導電性組成物層を形成する工程と、前記
   導電性組成物層上に導電性高分子層を形成する工程とを
   有する固体電解コンデンサの製造方法。
2. 【請求項２】 可溶性導電性高分子または導電性高分子
   微粒子が、ポリピロ−ル、ポリチオフェンもしくはポリ
   アニリンまたはそれらの誘導体を含む請求項１記載の固
   体電解コンデンサの製造方法。
3. 【請求項３】 アルキルナフタレンスルホン酸アニオン
   を含む化成溶液を用いて弁金属の表面を化成し誘電体層
   を形成する工程と、前記誘電体層上に導電性高分子層を
   形成する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方
   法。
4. 【請求項４】 弁金属の表面を化成し誘電体層を形成す
   る工程と、前記誘電体層上に導電性高分子層を形成する
   工程と、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを含む
   化成溶液を用いて前記導電性高分子層が形成された誘電
   体層を再化成する工程とを有する固体電解コンデンサの
   製造方法。