JP2002373832A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体電解コンデンサの製造方法において、高
い容量達成率と高耐圧の固体電解コンデンサが得られる
製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 陽極酸化皮膜が形成された陽極箔や陰極
箔と導電性高分子層の間に導電性組成物層を設けること
により、被覆性が向上するために容量達成率の高い固体
電解コンデンサが得られる。また、アルキルナフタレン
スルホン酸アニオンをドーパントとして用いた場合、少
なくとも水を含む化成溶液中で修復化成を施す際、化成
溶液中に溶けだしたアルキルナフタレンスルホン酸アニ
オンの影響によって酸化皮膜が腐食され難く、また化成
電流が大きくならず、強い酸化皮膜を形成できるため
に、かつ導電性組成物層には絶縁性のバインダーが含ま
れているために、耐圧の高い固体電解コンデンサが得ら
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サの製造方法に関し、特にアルキルナフタレンスルホン
酸アニオンをドーパントとする導電性高分子層を固体電
解質として備えた固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ポリアニリン、ポリピロール
やポリチオフェンに代表される導電性高分子は、化学重
合及び電解重合で作製することができる。係る導電性高
分子を固体電解コンデンサの陰極導電層として応用する
場合には、陽極酸化皮膜からなる誘電体層に損傷を与え
難いドーパントを用いて、漏れ電流が低く、耐熱・耐湿
性の高いコンデンサを得ることが重要である。誘電体層
に損傷を与えにくい嵩の大きなアルキルナフタレンスル
ホン酸アニオンを含む遷移金属塩からなる酸化剤を用い
て、その場化学重合により、アルキルナフタレンスルホ
ン酸アニオンがドープされた導電性高分子からなる陰極
導電層を形成する固体電解コンデンサの製造方法が提供
されている（特開平１０−９４３２０号公報参照）。

【０００３】また、誘電体層上に導電性高分子層を形成
した後に、誘電体層の欠陥部分を修復する修復化成の方
法が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルキ
ルナフタレンスルホン酸アニオンを含む遷移金属塩を酸
化剤に用いて化学重合により誘電体層上に導電性高分子
層からなる陰極導電層を形成した場合、遷移金属塩ある
いはドーパントの嵩が大きいために高い容量達成率が得
られないという課題を抱えていた。

【０００５】また、嵩の小さな例えばパラトルエンスル
ホン酸第二鉄やナフタレンスルホン酸第二鉄を酸化剤と
して化学重合により導電性高分子層を形成した場合、導
電性高分子層形成後に化成溶液中での修復化成を実施す
る際に導電性高分子層中の酸化剤が溶けだし、水系の化
成溶液であると酸化皮膜が腐食されて化成電流が大きく
なり修復化成を施すことができないという課題があっ
た。

【０００６】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
もので、高い容量達成率と高耐圧の固体電解コンデンサ
を得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻
回したコンデンサ素子を用意する工程と、可溶性導電性
高分子が溶媒に溶解された溶液組成物にバインダーを添
加、または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散された
分散液状組成物にバインダーを添加して導電性組成物前
駆体を用意する工程と、前記コンデンサ素子に前記導電
性組成物前駆体を含浸させる工程と、前記導電性組成物
前駆体から前記溶媒または前記分散媒を除去して導電性
組成物層を形成する工程と、前記コンデンサ素子内に化
学重合によりアルキルナフタレンスルホン酸アニオンを
ドーパントとする導電性高分子層を形成する工程とを有
する構成である。

【０００８】陽極酸化皮膜が形成された陽極箔や陰極箔
と導電性高分子層の間に導電性組成物層を設けることに
より、被覆性が向上するために容量達成率の高い固体電
解コンデンサが得られる。そしてアルキルナフタレンス
ルホン酸アニオンをドーパントとして用いた場合、陽極
酸化皮膜からなる誘電体層に損傷を与え難く、かつ導電
性組成物層には絶縁性のバインダーが含まれているため
に、漏れ電流が低く、耐湿性の高い固体電解コンデンサ
が得られる。

【０００９】また、本発明は、陽極箔と陰極箔とをセパ
レータを介して巻回したコンデンサ素子を用意する工程
と、可溶性導電性高分子が溶媒に溶解された溶液組成物
にバインダーを添加、または導電性高分子微粒子が分散
媒中に分散された分散液状組成物にバインダーを添加し
て導電性組成物前駆体を用意する工程と、前記コンデン
サ素子に前記導電性組成物前駆体を含浸させる工程と、
前記導電性組成物前駆体から前記溶媒または前記分散媒
を除去して導電性組成物層を形成する工程と、前記コン
デンサ素子内に化学重合によりアルキルナフタレンスル
ホン酸アニオンをドーパントとする導電性高分子層を形
成する工程と、少なくとも溶媒として水を含む化成溶液
を用いて修復化成を施す工程とを有する構成である。

【００１０】アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを
ドーパントとして用いた場合、導電性高分子層形成後に
少なくとも水を含む化成溶液中で修復化成を施す際、化
成溶液中に溶けだしたアルキルナフタレンスルホン酸ア
ニオンの影響によって酸化皮膜が腐食され難く、また化
成電流が大きくならず、強い酸化皮膜を形成できるため
に、かつ導電性組成物層には絶縁性のバインダーが含ま
れているために、耐圧の高い固体電解コンデンサが得ら
れる。また、陽極酸化皮膜が形成された陽極箔や陰極箔
と導電性高分子層の間に導電性組成物層を設けることに
より、被覆性が向上するために容量達成率の高い固体電
解コンデンサが得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。

【００１２】（実施の形態１）本発明の請求項１記載の
発明は、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回し
たコンデンサ素子を用意する工程と、可溶性導電性高分
子が溶媒に溶解された溶液組成物にバインダーを添加、
または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散された分散
液状組成物にバインダーを添加して導電性組成物前駆体
を用意する工程と、前記コンデンサ素子に前記導電性組
成物前駆体を含浸させる工程と、前記導電性組成物前駆
体から前記溶媒または前記分散媒を除去して導電性組成
物層を形成する工程と、前記コンデンサ素子内に化学重
合によりアルキルナフタレンスルホン酸アニオンをドー
パントとする導電性高分子層を形成する工程とを有する
固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、陽極
酸化皮膜が形成された陽極箔や陰極箔と導電性高分子層
の間に導電性組成物層を設けることにより、被覆性が向
上するために容量達成率の高い固体電解コンデンサが得
られる。そしてアルキルナフタレンスルホン酸アニオン
をドーパントとして用いた場合、陽極酸化皮膜からなる
誘電体層に損傷を与え難く、かつ導電性組成物層には絶
縁性のバインダーが含まれているために、漏れ電流が低
く、耐湿性の高い固体電解コンデンサが得られる。

【００１３】ここで、陽極箔と陰極箔には、アルミニウ
ム箔、タンタル箔、ニオブ箔、チタン箔等の弁金属にエ
ッチング処理が施され、陽極箔にはさらに陽極酸化皮膜
が形成されたものが用いられる。また、薄い陽極酸化皮
膜が形成されたものを陰極箔として用いることもでき
る。

【００１４】また、セパレータには、マニラ紙、クラフ
ト紙、合成繊維紙、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート等からなる合成
繊維不織布、ガラスペーパー等が用いられる。

【００１５】また、可溶性導電性高分子が溶媒に溶解さ
れた溶液組成物または導電性高分子微粒子が分散媒中に
分散された分散液状組成物は、製造方法が種々開示され
ており、それらを用いて容易に製造することができる。

【００１６】例えば、ポリピロール類については、特開
平６−２０６９８６号公報およびＥ．Ｅ．Ｈａｖｉｎｇ
ａ他著ケミストリーオブマテリアル誌（アメリカンケミ
カルソサイアティ１９８９年発行）１巻６号６５０頁に
記載されている方法で作製することができる。

【００１７】また、ポリチオフェン類については、Ｓ．
Ｈｏｔｔａ他著シンシテックメタルズ誌（エルゼビア発
行）２６巻２６７頁およびＦ．Ｊｏｎａｓ他著シンシテ
ックメタルズ誌（エルゼビア発行）８５巻１３９７頁に
開示されている。

【００１８】また、ポリアニリン溶液の作製法について
は、米国特許５２３２６３１号公報およびＳ．Ｓｈｉｍ
ｉｚｕ他著シンシテックメタルズ誌（エルゼビア発行）
８５巻１３３７頁に記載されている。また、ポリアニリ
ン溶液は三菱レイヨン社より、アクアセーブという商品
名で市販されている。

【００１９】また、バインダーには媒体に分散する高分
子や結着剤を用いることができる。例えば、ポリビニル
ピロリドン、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエステ
ル、水溶性アクリル樹脂、カルボキシメチルセルロー
ス、ポリビニルスルホン酸塩、ポリスチレンスルホン酸
塩、アルコキシシラン等が挙げられる。

【００２０】また、導電性高分子層としては、化学重合
により形成されたポリチオフェン、ポリピロール、ポリ
アニリンまたは、それらの誘導体が用いられる。

【００２１】アルキルナフタレンスルホン酸アニオンの
アルキル基としては、炭素総数３以上のものが用いう
る。

【００２２】（実施の形態２）本発明の請求項２記載の
発明は、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回し
たコンデンサ素子を用意する工程と、可溶性導電性高分
子が溶媒に溶解された溶液組成物にバインダーを添加、
または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散された分散
液状組成物にバインダーを添加して導電性組成物前駆体
を用意する工程と、前記コンデンサ素子に前記導電性組
成物前駆体を含浸させる工程と、前記導電性組成物前駆
体から前記溶媒または前記分散媒を除去して導電性組成
物層を形成する工程と、前記コンデンサ素子内に化学重
合によりアルキルナフタレンスルホン酸アニオンをドー
パントとする導電性高分子層を形成する工程と、少なく
とも溶媒として水を含む化成溶液を用いて修復化成を施
す工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法とした
ものであり、アルキルナフタレンスルホン酸アニオンを
ドーパントとして用いた場合、導電性高分子層形成後に
少なくとも水を含む化成溶液中で修復化成を施す際、化
成溶液中に溶けだしたアルキルナフタレンスルホン酸ア
ニオンの影響によって酸化皮膜が腐食され難く、また化
成電流が大きくならず、強い酸化皮膜を形成できるため
に、かつ導電性組成物層には絶縁性のバインダーが含ま
れているために、耐圧の高い固体電解コンデンサが得ら
れる。また、陽極酸化皮膜が形成された陽極箔や陰極箔
と導電性高分子層の間に導電性組成物層を設けることに
より、被覆性が向上するために容量達成率の高い固体電
解コンデンサが得られる。

【００２３】ここで、化成溶液の電解質には、リン酸、
アジピン酸、ホウ酸、酢酸、またはそれらの塩を用いる
ことができる。

【００２４】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。

【００２５】（実施例１）最初に、本発明の第１の実施
例について図１を参照しながら説明する。

【００２６】厚さ０．１ｍｍのエッチドアルミニウム箔
を７０℃のアジピン酸アンモニウム３％水溶液に浸し、
まず２０ｍＶ／ｓｅｃの速度で０から９０Ｖまで上げ、
続けて９０Ｖの定電圧を３０分間印加して陽極酸化皮膜
を形成し、２．３×１５５ｍｍの寸法に切断後アルミニ
ウムタブ１を介して陽極リード２を取り付けた陽極箔３
を用意した。また、０．０５ｍｍのエッチドアルミニウ
ムを２．３×１８０ｍｍの寸法に切断し、アルミニウム
タブ４を介して陰極リード５を取り付けた陰極箔６を用
意した。

【００２７】図１のように、両箔を２．５×２２０ｍｍ
のポリアミド不織布製セパレータ７を介して巻回した
後、終末部を粘着テープ８で止めた。そして、７０℃の
アジピン酸アンモニウム３％水溶液に浸し、まず２０ｍ
Ｖ／ｓｅｃの速度で０から８０Ｖまで上げ、続けて８０
Ｖの定電圧を３０分間印加して、再度陽極酸化皮膜形成
処理を行った。このコンデンサ素子９の液中容量は、２
５μＦであった。

【００２８】次に、約１重量％のコロイド状ポリ（３，
４−エチレンジオキシチオフェン）微粒子が含まれる水
分散液状組成物を用意した。これは、Ｆ．Ｊｏｎａｓ他
著シンシテックメタルズ誌（エルゼビア発行）８５巻１
３９７頁に開示されている方法に準じて作製した。この
水分散液状組成物に、バインダーの水溶性アクリル樹脂
を３重量％添加して、導電性組成物前駆体を作製した。

【００２９】次に、コンデンサ素子９を導電性組成物前
駆体に浸漬して減圧含浸後、引き上げてから５０℃で６
０分、さらに１３０℃で２０分加熱して媒体を除去し、
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とバイン
ダーからなる導電性組成物層を形成した。これを、陰極
導電層の下地層として用いた。

【００３０】次に、トリイソプロピルナフタレンスルホ
ン酸第二鉄０．６ｍｏｌ／ｌをメタノールの中に入れて
溶かしてから、３，４−エチレンジオキシチオフェンモ
ノマ−１ｍｏｌ／ｌを加えて混合した重合溶液にコンデ
ンサ素子９を浸漬して減圧含浸後、５０℃で３０分、９
０℃で３０分の熱処理と洗浄・乾燥を施し、ポリ（３，
４−エチレンジオキシチオフェン）層からなる導電性高
分子層を形成した。このようにして、下地層と導電性高
分子層からなる陰極導電層を形成した。

【００３１】次に、アルミケースの中に封口ゴムを取り
付けたコンデンサ素子を入れてから封止した。

【００３２】次に、エージングを施して１０個のコンデ
ンサを完成させた。

【００３３】このコンデンサの容量、漏れ電流を測定し
た結果の平均値を（表１）に示す。また、アルミケース
に入れずに裸のコンデンサ素子を相対湿度が９０％で６
０℃の雰囲気中で２５Ｖを印加した負荷寿命試験を行っ
た結果、数十時間では容量や等価直列抵抗がほとんど劣
化せず高い耐湿性を示した。

【００３４】

【表１】

【００３５】本実施例によれば、陽極箔や陰極箔と導電
性高分子層の間に導電性組成物層を設けることにより被
覆性が向上するため、（表１）に示すように容量達成率
の高い固体電解コンデンサが得られる。

【００３６】そしてアルキルナフタレンスルホン酸アニ
オンをドーパントとして用いた場合、陽極酸化皮膜から
なる誘電体層に損傷を与え難く、かつ導電性組成物層に
は絶縁性のバインダーが含まれているために、（表１）
に示すように漏れ電流が低く、耐湿性の高い固体電解コ
ンデンサが得られる。

【００３７】（比較例１）比較例１として、下地層の導
電性組成物層を形成しないで、導電性高分子層のみを陰
極導電層として形成した以外、実施例１と同様にしてコ
ンデンサを作製した。なお、導電性高分子層は、実施例
１と同様にして形成した。

【００３８】容量と漏れ電流を測定した結果を前述の
（表１）に示す。比較例１では、陽極箔や陰極箔と導電
性高分子層の間に導電性組成物層を設けていないため
に、導電性高分子層の被覆性が悪く、（表１）に示すよ
うに容量達成率の高いコンデンサを得ることができな
い。また、導電性組成物層を設けていない場合には、重
合溶液の減圧含浸と熱処理を繰り返しても、遷移金属塩
の嵩が大きいために高い容量達成率を得ることはできな
かった。さらに、絶縁性のバインダーを含む導電性組成
物層を設けていない場合には、（表１）に示すように、
実施例１のように漏れ電流の低いコンデンサを得ること
ができない。

【００３９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。

【００４０】本実施例では、ポリ（３，４−エチレンジ
オキシチオフェン）微粒子が含まれる水分散液状組成物
に替えて、スルホン化ポリアニリン水溶液組成物を用い
た以外、実施例１と同様にしてコンデンサを作製した。
スルホン化ポリアニリン水溶液組成物は、シンシテック
メタルズ誌（エルゼビア発行）８５巻１３３７頁に開示
されている方法で、約５重量％の可溶性導電性高分子が
溶解されたスルホン化ポリアニリン水溶液組成物を作製
した。

【００４１】実施例１と同様の測定を行い、結果を前述
の（表１）に示した。

【００４２】本実施例によるコンデンサは比較例１と比
較して、容量達成率が高く、かつ漏れ電流が低く、本発
明の優れた効果が実証された。

【００４３】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。

【００４４】本実施例では、トリイソプロピルナフタレ
ンスルホン酸第二鉄の酸化剤に替えて、ｎ−ブチルナフ
タレンスルホン酸第二鉄を用いて導電性高分子層を形成
した以外、実施例１と同様にしてコンデンサを作製し
た。導電性高分子層の作製方法を説明する。ｎ−ブチル
ナフタレンスルホン酸第二鉄０．６ｍｏｌ／ｌをメタノ
ールの中に入れて溶かしてから、３，４−エチレンジオ
キシチオフェンモノマ−１ｍｏｌ／ｌを加えて混合した
重合溶液にコンデンサ素子を浸漬して減圧含浸後、５０
℃で３０分、９０℃で３０分の熱処理と洗浄・乾燥を施
し、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）層か
らなる導電性高分子層を形成した。

【００４５】実施例１と同様の測定を行い、結果を前述
の（表１）に示した。

【００４６】本実施例によるコンデンサは比較例１と比
較して、容量達成率が高く、かつ漏れ電流が低く、本発
明の優れた効果が実証された。

【００４７】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について説明する。

【００４８】本実施例では、ポリ（３，４−エチレンジ
オキシチオフェン）層からなる導電性高分子層に替え
て、ポリピロール層からなる導電性高分子層を用いた以
外、実施例１と同様にしてコンデンサを作製した。ポリ
ピロール層からなる導電性高分子層の作製方法を説明す
る。トリイソプロピルナフタレンスルホン酸第二鉄０．
６ｍｏｌ／ｌをメタノールの中に入れて溶かしてから−
２０℃に冷却した。それに、−２０℃に冷却したピロー
ルモノマ−１ｍｏｌ／ｌを加えて混合した重合溶液にコ
ンデンサ素子９を浸漬して減圧含浸後、４０℃で３０
分、９０℃で３０分の熱処理と洗浄・乾燥を施し、ポリ
ピロール層からなる導電性高分子層を形成した。

【００４９】実施例１と同様の測定を行い、結果を前述
の（表１）に示した。

【００５０】本実施例によるコンデンサは比較例１と比
較して、容量達成率が高く、かつ漏れ電流が低く、本発
明の優れた効果が実証された。

【００５１】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について説明する。

【００５２】本実施例では、実施例１と同様にして下地
層と導電性高分子層からなる陰極導電層を形成し、熱処
理と洗浄・乾燥を施した後に、水を溶媒とした化成溶液
中で修復化成を施してコンデンサを作製した。修復化成
を説明する。７０℃のアジピン酸アンモニウム６％水溶
液に浸し、まず２０ｍＶ／ｓｅｃの速度で０から６０Ｖ
まで上げ、続けて６０Ｖの定電圧を３０分間印加して修
復化成を施した。修復化成後に洗浄、乾燥を施した。

【００５３】アルミケースの中に封口ゴムを取り付けた
コンデンサ素子を入れてから封止し、エージングを施し
てコンデンサを完成させた。

【００５４】１０５℃雰囲気中にコンデンサを入れて、
０．１Ｖ／ｓｅｃで電圧をスイープさせ、破壊電圧を測
定した。１０個の平均値が約６７．３Ｖであった。

【００５５】本実施例によれば、アルキルナフタレンス
ルホン酸アニオンをドーパントとして用いた場合、導電
性高分子層形成後に少なくとも水を含む化成溶液中で修
復化成を施す際、化成溶液中に溶けだしたアルキルナフ
タレンスルホン酸アニオンの影響によって酸化皮膜が腐
食され難く、また化成電流が大きくならず、強い酸化皮
膜を形成できるために、かつ導電性組成物層には絶縁性
のバインダーが含まれているために、耐圧の高い固体電
解コンデンサを得られる。また、陽極酸化皮膜が形成さ
れた陽極箔や陰極箔と導電性高分子層の間に導電性組成
物層を設けることにより、被覆性が向上するために容量
達成率の高い固体電解コンデンサを得られる。

【００５６】また、化成溶液の溶媒として、エチレング
リコール１００％ならびにエチレングリコール５０重量
％と水５０重量％を用いた場合、破壊電圧は約４５．１
Ｖと約５８．６Ｖであった。化成溶液の溶媒として水の
割合を多くした方が強い酸化皮膜が形成され、耐圧が高
くなるものと考えられる。

【００５７】（比較例２）比較例２として、トリイソプ
ロピルナフタレンスルホン酸第二鉄に替えてパラトルエ
ンスルホン酸第二鉄を酸化剤として用いた以外、実施例
１と同様にして下地層と導電性高分子層からなる陰極導
電層を形成し、熱処理と洗浄・乾燥を施した後に、水を
溶媒とした化成溶液中で実施の形態５と同様にして修復
化成を施した。導電性高分子層の作製方法を説明する。
パラトルエンスルホン酸第二鉄０．６ｍｏｌ／ｌをメタ
ノールの中に入れて溶かしてから、３，４−エチレンジ
オキシチオフェンモノマ−１ｍｏｌ／ｌを加えて混合し
た重合溶液にコンデンサ素子を浸漬して減圧含浸後、５
０℃で３０分、９０℃で３０分の熱処理と洗浄・乾燥を
施し、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）層
からなる導電性高分子層を形成した。

【００５８】比較例２では、パラトルエンスルホン酸ア
ニオンをドーパントとして用いた場合、導電性高分子層
形成後に水を溶媒とした化成溶液中で修復化成を施す
際、溶けだしたパラトルエンスルホン酸アニオンの影響
により酸化皮膜が腐食されて化成電流が大きくなり、極
端なものではショートが生じ、耐圧の高い固体電解コン
デンサを得ることはできなかった。

【００５９】なお、実施の形態及び実施例ではアルキル
ナフタレンスルホン酸アニオンとしてトリイソプロピル
ナフタレンスルホン酸アニオンとｎ−ブチルナフタレン
スルホン酸アニオンを用いた場合について述べたが、そ
れ以外のモノイソプロピルナフタレンスルホン酸アニオ
ン、ジブチルナフタレンスルホン酸アニオン、トリイソ
プロピルナフタレンジスルホン酸アニオン等も用いるこ
ともでき、本発明はその種類に限定されない。

【００６０】また、実施の形態及び実施例では修復化成
の化成溶液の電解質としてアジピン酸アンモニウムを用
いた場合について述べたが、リン酸、ホウ酸、酢酸、ま
たはそれらの塩を用いることができ、本発明はその種類
に限定されない。

【００６１】また、実施の形態及び実施例では陽極箔と
陰極箔とをセパレータを介して巻回した場合について述
べたが、平板状のアルミニウムエッチド箔をセパレータ
を介して積層したコンデンサにも適用でき、本発明は電
極形状に限定されない。

【００６２】また、実施の形態及び実施例では弁金属が
アルミニウムの場合についてのみ述べたが、その他タン
タル、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、及びチタン
さらにはそれらの金属間化合物等も使用可能である。

【００６３】また、実施の形態及び実施例では可溶性導
電性高分子としてスルホン化ポリアニリンを、導電性高
分子微粒子としてポリ（３，４−エチレンジオキシチオ
フェン）を用いたが、可溶性の、あるいは分散可能な導
電性高分子であればそれ以外の材料も用いることもで
き、本発明はその種類に限定されない。

【００６４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、陽極箔や
陰極箔と導電性高分子層の間に導電性組成物層を設ける
ことにより被覆性が向上するため、容量達成率の高い固
体電解コンデンサを得ることができるという有利な効果
が得られる。

【００６５】また、アルキルナフタレンスルホン酸アニ
オンをドーパントとして用いた場合、陽極酸化皮膜から
なる誘電体層に損傷を与え難く、かつ導電性組成物層に
は絶縁性のバインダーが含まれているために、漏れ電流
が低く、耐湿性の高い固体電解コンデンサを得ることが
できるという有利な効果が得られる。

【００６６】さらに、本発明によれば、アルキルナフタ
レンスルホン酸アニオンをドーパントとして用いた場
合、導電性高分子層形成後に少なくとも水を含む化成溶
液中で修復化成を施す際、化成溶液中に溶けだしたアル
キルナフタレンスルホン酸アニオンの影響によって酸化
皮膜が腐食され難く、また化成電流が大きくならず、強
い酸化皮膜を形成できるために、かつ導電性組成物層に
は絶縁性のバインダーが含まれているために、耐圧の高
い固体電解コンデンサを得ることができるという有利な
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるコンデンサ素子を示す
外観図

【符号の説明】

１ アルミニウムタブ ２ 陽極リード ３ 陽極箔 ４ アルミニウムタブ ５ 陰極リード ６ 陰極箔 ７ セパレータ ８ 粘着テープ ９ コンデンサ素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松家 安恵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
   巻回したコンデンサ素子を用意する工程と、可溶性導電
   性高分子が溶媒に溶解された溶液組成物にバインダーを
   添加、または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散され
   た分散液状組成物にバインダーを添加して導電性組成物
   前駆体を用意する工程と、前記コンデンサ素子に前記導
   電性組成物前駆体を含浸させる工程と、前記導電性組成
   物前駆体から前記溶媒または前記分散媒を除去して導電
   性組成物層を形成する工程と、前記コンデンサ素子内に
   化学重合によりアルキルナフタレンスルホン酸アニオン
   をドーパントとする導電性高分子層を形成する工程とを
   有する固体電解コンデンサの製造方法。
2. 【請求項２】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
   巻回したコンデンサ素子を用意する工程と、可溶性導電
   性高分子が溶媒に溶解された溶液組成物にバインダーを
   添加、または導電性高分子微粒子が分散媒中に分散され
   た分散液状組成物にバインダーを添加して導電性組成物
   前駆体を用意する工程と、前記コンデンサ素子に前記導
   電性組成物前駆体を含浸させる工程と、前記導電性組成
   物前駆体から前記溶媒または前記分散媒を除去して導電
   性組成物層を形成する工程と、前記コンデンサ素子内に
   化学重合によりアルキルナフタレンスルホン酸アニオン
   をドーパントとする導電性高分子層を形成する工程と、
   少なくとも溶媒として水を含む化成溶液を用いて修復化
   成を施す工程とを有する固体電解コンデンサの製造方
   法。