JP2000269070A - コンデンサの製造方法 - Google Patents

コンデンサの製造方法

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JP2000269070A
JP2000269070A JP11075223A JP7522399A JP2000269070A JP 2000269070 A JP2000269070 A JP 2000269070A JP 11075223 A JP11075223 A JP 11075223A JP 7522399 A JP7522399 A JP 7522399A JP 2000269070 A JP2000269070 A JP 2000269070A
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manufacturing
conductive
capacitor
conductive polymer
dielectric layer
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JP11075223A
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English (en)
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Yasuo Kudo
康夫 工藤
Kenji Akami
研二 赤見
Yasue Matsuka
安恵 松家
Hiroki Kusayanagi
弘樹 草柳
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 拡面化処理された箔状電極の少なくても一方
に誘電体皮膜を形成し捲回してなるコンデンサの製造方
法に関し、容量達成率及び損失特性の優れたコンデンサ
を容易に得ることを目的とする。 【解決手段】 誘電体層を形成した電極箔表面または両
方の電極箔表面に第一に導電性高分子層を形成後捲回
し、さらに両電極間隙に導電性高分子または電解液から
なる第二の導電層を形成することにより、容量達成率の
高いかつ損失特性に優れたコンデンサが得られる。ま
た、上記構成により、捲回時にセパレータを省略するこ
ともでき、さらに導電性高分子と複合化した導電性セパ
レータを用いることもでき、いずれも本発明の構成によ
り特性の優れたコンデンサが容易に得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサの製造
方法に関し、特に、周波数特性に優れた小型大容量のコ
ンデンサを容易に実現するための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電気機器のデジタル化に伴って、
コンデンサについても、小型大容量かつ高周波領域での
インピーダンスの低いものが要求されている。
【0003】従来、高周波領域で使用されるコンデンサ
には、プラスチックコンデンサ、マイカコンデンサ、積
層セラミックコンデンサがあるが、これらのコンデンサ
では、形状が大きくなり大容量化が難しい。
【0004】一方、大容量のコンデンサとしては、アル
ミニウム乾式電解コンデンサ、またはアルミニウムもし
くはタンタル固体電解コンデンサ等の電解コンデンサが
存在する。
【0005】これらのコンデンサでは、誘電体となる酸
化皮膜が極めて薄いために、大容量化が実現できるので
あるが、一方酸化皮膜の損傷が起こり易いために、それ
を修復するための真の陰極を兼ねた電解質を設ける必要
がある。
【0006】例えば、アルミニウム乾式コンデンサで
は、エッチングを施した陽極、陰極アルミニウム箔をセ
パレータを介して巻取り、液状の電解質をセパレータに
含浸して用いている。
【0007】この液状電解質は、イオン伝導性で比抵抗
が100Ωcm程度と大きいため、損失が大きく、イン
ピーダンスの周波数特性が著しく劣るという課題を有す
る。
【0008】また、タンタル固体電解コンデンサでは、
マンガン酸化物を電解質として用いているため、温度特
性及び容量、損失等の経時変化についての課題は改善さ
れるが、マンガン酸化物の比抵抗が10Ωcm程度と比
較的高いため損失、インピーダンスの周波数特性が、積
層セラミックコンデンサ、あるいはフィルムコンデンサ
と比較して劣っていた。
【0009】さらに加えて、タンタル固体電解コンデン
サでは、マンガン酸化物からなる電解質の形成に当り、
硝酸マンガン溶液に浸漬後、300℃程度の温度で熱分
解するという工程を数回から十数回繰り返して行う必要
があり、形成工程が煩雑であった。
【0010】そこで、近年、金属、導電性を有する金属
酸化物、ポリピロール等の導電性高分子を誘電体皮膜上
に形成後、それらの導電層を経由して電解重合により、
比抵抗の低いポリピロール等の導電性高分子を形成して
なる固体電解コンデンサが提案されてきている(特開昭
63−158829号公報、特開昭63−173313
号公報及び特開平1−253226号公報等)。
【0011】さらに、セパレータを介して陰極と誘電体
皮膜が形成された陽極を捲回してなる素子の間隙に3、
4エチレンジオキシチオフェンを化学重合によって形成
してなる捲回型アルミニウム固体電解コンデンサが提案
されている(特公平9−293639号公報)。
【0012】さらに、また、エッチドアルミ箔上に電着
ポリイミド薄膜からなる誘電体を形成した後、化学重合
及び電解重合により、順次導電性高分子層を形成して電
極とする平板型フィルムコンデンサが提案されている
(電気化学会第58回大会講演要旨集251〜252頁
(1991年))。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マンガ
ン酸化物のような導電性の熱分解金属酸化物を経由して
電解重合高分子を形成する場合には、熱による誘電体皮
膜の損傷がおこるため、高耐圧のコンデンサを得るため
には、電解重合前に再度化成を行い、その修復を行うこ
とが必要でもあり、工程がさらに複雑になるという課題
を有していた。
【0014】さらに、タンタル固体電解コンデンサで
は、マンガン酸化物からなる電解質を、熱分解を繰り返
して形成しており、生じた皮膜損傷を修復するために熱
分解の都度化成が必要で、工程がより複雑になるという
課題を有していた。
【0015】加えて、ピロールを用いて化学重合で導電
性高分子層を形成する場合、室温付近における重合速度
大きいため、既にエッチドアルミニウム電極箔をセパレ
ータを介して捲回されたコンデンサ素子及びタンタル焼
結体コンデンサ素子においては、重合溶液が該コンデン
サ素子の深部まで浸透する前に重合が進行する結果、高
被覆率の導電性高分子層を形成することは困難であっ
た。
【0016】また、重合が比較的緩やかに進行する3、
4―エチレンジオキシチオフェンを用いた場合において
すら、セパレータを介してエッチド箔から成る陽極と陰
極が捲回された構造の大容量コンデンサでは、重合溶液
を該素子の深部にまで十分に浸透させてから重合反応を
進行させることはやはり困難で容量達成率の高いコンデ
ンサを実現することは困難であった。
【0017】この課題は重合溶液中の重合性モノマー及
び酸化剤濃度を下げるか、重合温度を下げることにより
ある程度解決可能であるが、導電性高分子層形成に要す
る処理繰り返し回数が多くなるまたは重合に要する時間
が長くなるといった新たな課題が生じるため、効率的な
コンデンサの作製が難しくなるという新たな課題が発生
してしまう。
【0018】本発明は、上記従来技術における各課題を
解決するもので、小型大容量のフィルムコンデンサを簡
便に得ることならびに高周波特性に優れかつ容量達成率
の高い捲回型の固体電解コンデンサを簡便に得ることを
目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明は、図1に示すよ
うに、拡面化された1対の金属箔電極1.2の少なくて
も一方の表面に誘電体層3と導電性高分子からなる第一
の導電層4を形成した後捲回し、さらにその間隙を導電
性高分子もしくはイオン性塩を溶媒に溶解した電解液か
らなる第二の導電層5で充填してなるコンデンサの製造
方法である。
【0020】誘電体の形成には、高分子フィルムを例え
ば電着により形成する方法と電極箔に弁金属を用いてそ
の酸化皮膜を例えば陽極酸化によって形成する方法があ
る。
【0021】電着法により形成可能な高分子フィルム誘
電体として例えばアクリル酸、メタクリル酸、スチレン
からなる共重合体ならびにポリイミドを用いることがで
きる。
【0022】導電性高分子層形成のため、ポリピロー
ル、ポリアニリン、ポリチオフェンもしくはこれらの誘
導体を用いることができる。
【0023】導電性高分子層の形成法としては、導電性
高分子が分散または溶解された液を、誘電体層が形成さ
れた電極箔に塗布後乾燥する方法を取ることができる。
【0024】また、適当な酸化剤を用いた化学重合また
は電解重合によって誘電体が形成された電極箔表面にそ
の場重合させて形成することも可能である。
【0025】ここで、図2に示すように、一対に金属箔
間に多孔質基体からなるセパレータ6を介在させること
もできる。このセパレータ6によって、誘電体表面に形
成された導電性高分子層が薄い場合に起こりがちな両電
極間の短絡を防止することができる。
【0026】さらに、両電極箔間にセパレータ6を介在
させた場合、セパレータの空隙以外の部分は抵抗として
働くためにコンデンサの等価直列抵抗を大きくさせる
が、この抵抗を、セパレータを導電性高分子で複合化し
て導電性を付与することにより下げることが可能であ
る。
【0027】導電性セパレータの作製は、導電性高分子
が分散または溶解された液を塗布することによって行う
ほか、適当な酸化剤を用いた酸化重合によってその場重
合で行うこともまた可能である。導電性高分子層として
は、誘電体層上に形成する導電性高分子と同様の種類の
ものを用いることができる。また、異なるものであって
もよい。
【0028】イオン性塩を溶媒に溶解した電解質を用い
て捲回された両金属箔電極間を充填した場合において
も、例えばエッチングによって拡面化された電極箔のエ
ッチングピット部分が、後述するようにイオン性の塩を
溶解してなる電解液より遥かに電気伝導度が大きい導電
性高分子で充填されているため、陰極導電層部分の抵抗
が全体とした小さくでき、コンデンサの高周波特性の向
上が達成される。
【0029】
【発明の実施の形態】請求項1記載の本発明は、拡面化
された1対の金属箔電極を用意する工程と前記電極箔の
少なくても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からな
る第一の導電層を順次形成する工程と前記1対の金属箔
電極を捲回する工程と前記捲回素子の間隙を導電性高分
子からなる第二の導電層を形成する工程を備えたコンデ
ンサの製造方法である。
【0030】ここで、請求項2記載のように、誘電体層
となる高分子層を電着で形成することができる。
【0031】さらにここで、請求項3記載のように 高
分子層として、電着で形成するアクリル酸、メタクリル
酸、スチレンからなる共重合体もしくはポリイミドが好
適に用いられる。
【0032】またここで、請求項4記載のように、誘電
体層を金属箔電極の陽極酸化皮膜で形成することができ
る。
【0033】この場合、請求項5記載のように、金属箔
電極が弁金属で構成されることが望ましい。
【0034】そしてこの場合、請求項6記載のように、
弁金属としてアルミニウムが好適に用いられる。
【0035】誘電体上への導電性高分子層の形成を、請
求項7記載のように該導電性高分子の分散液または溶解
液を塗布することにより行うことができる。また誘電体
への導電性高分子からなる第一の送電層の形成を、請求
項8記載のように重合性モノマーを化学重合することに
より行ってもよい。
【0036】誘電体上に形成する導電性高分子からなる
第一の導電層として、請求項9記載のようにポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘
導体のいずれかを用いることができる。
【0037】誘電体ならびに第一の導電層が形成された
電極箔が捲回されたコンデンサ素子の間隙を導電性高分
子からなる第二の導電層で充填する際、請求項10記載
のように、化学重合法を用いることができる。
【0038】ここで用いる導電性高分子として、請求項
11記載のようにポリアニリン、ポリピロール、ポリチ
オフェンもしくはこれらの誘導体のいずれかを用いるこ
とが好適である。
【0039】請求項12記載の本発明は、拡面化された
1対の金属箔電極を用意する工程と前記電極箔の少なく
ても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からなる第一
の導電層を順次形成する工程と前記1対の金属箔電極を
多孔質基体で形成されるセパレータを介して捲回する工
程と前記捲回素子の間隙を導電性高分子からなる第二の
導電層で充填する工程を備えたコンデンサの製造方法で
ある。
【0040】ここで、請求項13記載のように、誘電体
層を高分子の電着法で形成することができる。
【0041】ここで高分子誘電体として、請求項14記
載のように、アクリル酸、メタクリル酸、スチレンから
なる共重合体もしくはポリイミドを用いることが好適で
ある。
【0042】またここで、請求項15記載のように、誘
電体層を陽極酸化皮膜で形成することもできる。
【0043】この場合請求項16記載のように、金属箔
が弁金属で構成されることが望ましい。
【0044】さらにこの場合請求項17記載のように、
弁金属がアルミニウムであることが好適である。
【0045】誘電体上への導電性高分子層の形成を、請
求項18記載のように該導電性高分子の分散液または溶
液を塗布することにより行うことができる。
【0046】ここで、誘電体上への導電性高分子からな
る第一の導電層の形成を、請求項19記載にように、重
合性モノマーの化学重合により行ってもよい。
【0047】またここで、誘電体上へ形成する導電性高
分子からなる第一の導電層として、請求項20記載のよ
うにポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンもし
くはこれらの誘導体のいずれかを用いることができる。
【0048】誘電体ならびに導電性高分子層が形成され
た電極箔が捲回されたコンデンサ素子の間隙を導電性高
分子からなる第二の導電層の形成に際して、請求項21
記載のように化学重合法を用いることが好適である。
【0049】ここで、導電性高分子として、請求項22
記載のようにポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフ
ェンもしくはこれらの誘導体のいずれかを用いることが
できる。
【0050】誘電体ならびに第一の導電層が形成された
電極箔の捲回に際し、請求項23記載のように、介在さ
せるセパレータに紙を用いることができる。
【0051】請求項24記載の本発明は、拡面化された
1対の金属箔電極を用意する工程と前記電極箔の少なく
ても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からなる導電
層を順次形成する工程と前記1対の金属箔電極を多孔質
基体と導電性高分子が複合化された導電性セパレータを
介して捲回する工程と前記捲回素子の間隙を導電性高分
子層で充填する工程を備えたコンデンサの製造方法であ
る。
【0052】ここで、請求項25記載のように、高分子
からなる誘電体層の形成に際し、電着を用いることがで
きる。
【0053】またここで、請求項26記載のように、誘
電体を形成する高分子として、アクリル酸、メタクリル
酸、スチレンからなる共重合体もしくはポリイミドが好
適に用いられる。
【0054】さらにここで、請求項27記載のように、
誘電体層を陽極酸化皮膜で形成することもできる。
【0055】この場合、請求項28記載のように、金属
箔に弁金属が好適に用いられる。
【0056】さらにここで、請求項29記載のように、
弁金属としてアルミニウムを用いることができる。
【0057】誘電体層上に導電性高分子からなる第一の
導電層を形成する際、請求項30記載のように、該導電
性高分子の分散液または溶液を塗布することにより行う
ことができる。
【0058】さらに、誘電体層上に導電性高分子からな
る第一の導電層の形成を、請求項31記載のように、重
合性モノマーを化学重合することにより行うことができ
る。
【0059】ここで、請求項32記載のように、誘電体
層上に形成する導電性高分子からなる第一の導電層とし
てポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンもしく
はこれらの誘導体が好適に用いられる。
【0060】誘電体ならびに導電性高分子層が形成され
た電極箔が捲回されたコンデンサ素子の間隙を導電性高
分子で充填する際、請求項33記載のように、該導電性
高分子を化学重合で形成することができる。
【0061】ここで、請求項34記載のように、捲回素
子の間隙を充填する第二の導電層としてポリアニリン、
ポリピロール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体
が好適に用いられる。
【0062】ここで、導電性セパレータを、請求項35
記載のように、紙とポリアニリン、ポリピロール、ポリ
チオフェンもしくはこれらの誘導体からなる導電性高分
子との複合体で構成することができる。
【0063】請求項36記載の本発明は、拡面化された
1対の弁金属箔電極を用意する工程と前記弁電極箔の少
なくても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からなる
第一の導電層を順次形成する工程と前記1対の金属箔電
極を捲回する工程と前記捲回素子の間隙をイオン性塩が
溶解されてなる電解液からなる第二の導電層で充填する
工程を備えたコンデンサの製造方法である。
【0064】ここで、請求項37記載のように、誘電体
層を陽極酸化皮膜で形成することができる。
【0065】さらにここで、請求項38記載のように、
弁金属にアルミニウムが好適に用いられる。
【0066】誘電体上への第一の導電層の形成を、請求
項39記載のように該導電性高分子の分散液または溶液
を塗布することにより行うことができる。
【0067】ここで、請求項40記載のように、誘電体
上への第一の導電層の形成を、重合性モノマーを化学重
合することにより行ってもよい。
【0068】さらにここで、請求項41記載のように、
誘電体層上に形成する第一の導電層を構成する導電性高
分子としてポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェ
ンもしくはこれらの誘導体のいずれかが好適に用いう
る。
【0069】さらにここで、請求項42記載のように、
電解液にγ―ブチロラクトンとフタル酸塩を実質的に含
むものが好適に用いられる。
【0070】請求項43記載の本発明は、拡面化された
1対の弁金属箔電極を用意する工程と前記弁電極箔の少
なくても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からなる
第一の導電層を順次形成する工程と前記1対の金属箔電
極を多孔質基体からなるセパレータを介して捲回する工
程と前記捲回素子の間隙をイオン性塩が溶解されてなる
電解液からなる第二の導電層で充填する工程を備えたコ
ンデンサの製造方法である。
【0071】ここで、請求項44記載のように、誘電体
層は好適には陽極酸化皮膜で形成される。
【0072】さらにここで、請求項45記載のように、
弁金属としてアルミニウムを用いるができる。
【0073】ここで、誘電体上への第一の導電層の形成
を、請求項46記載のように該導電性高分子の分散液ま
たは溶液を塗布することにより行うことができる。
【0074】またここで、請求項47記載のように、誘
電体上への第一の導電層の形成を、重合性モノマーを化
学重合することにより行ってもよい。
【0075】さらにここで、請求項48記載のように、
誘電体層上に形成する導電性高分子からなる第一の導電
層として、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェ
ンもしくはこれらの誘導体のいずれかが好適にを用いら
れる。
【0076】さらにここで、請求項49記載のように、
捲回される両電極箔間に介在させるセパレータに紙を用
いることができる。
【0077】さらにここで、請求項50記載のように、
電解液にγ―ブチロラクトンとフタル酸塩を実質的に含
むものが好適に用いられる。
【0078】請求項51記載の本発明は、拡面化された
1対の金属箔電極を用意する工程と前記電極箔の少なく
ても一方の表面に誘電体層と導電性高分子からなる第一
の導電層を順次形成する工程と前記1対の金属箔電極を
多孔質基体と導電性高分子が複合化された導電性セパレ
ータを介して捲回する工程と前記捲回素子の間隙をイオ
ン性塩が溶解されてなる電解液からなる第二の導電層で
充填する工程を備えたコンデンサの製造方法であるここ
で、請求項52記載のように、誘電体層として陽極酸化
皮膜が用いうる。
【0079】さらにここで、請求項53記載のように、
弁金属としてアルミニウムが好適に用いられる。
【0080】ここで、誘電体上への第一の導電層の形成
を、請求項54記載のように該導電性高分子の分散液ま
たは溶液を塗布することにより行うことができる。
【0081】またここで、請求項55記載のように、誘
電体上への第一の導電層の形成を、重合性モノマーを化
学重合することにより行ってもよいさらにここで、請求
項56記載のように、誘電体層上に形成する第一の導電
層を構成する導電性高分子として、ポリアニリン、ポリ
ピロール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体が好
適に用いうる。
【0082】さらにここで、請求項57記載のように、
導電性セパレータとして紙とポリアニリン、ポリピロー
ル、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいずれか
の複合体で構成されたものが好適に用いられる。
【0083】さらにここで、請求項58記載のように、
電解液にγ―ブチロラクトンとフタル酸塩を実質的に含
むものが好適に用いられる。
【0084】本発明の各実施の形態について、以下図を
参照しながら詳細に説明をする。
【0085】(実施の形態1)本実施の形態において
は、アルミニウムタブを介してリードを取り付けた0.
1mm×2.3mm×155mmのエッチド電極箔1と
0.05mm×2.3mm×180mmのエッチド電極
箔2を用意した。
【0086】その後、厚い方の電極箔に電着によりアク
リル酸系の誘電体薄膜3を形成した。
【0087】用いた電着液組成は、固形分が10重量
%、イオン交換水86重量%、ブチルセロソルブ4重量
%である。
【0088】ここで固形分として、分子量約3万のアク
リル酸とメタクリル酸とスチレンの共重合体とベンゾグ
アナミン系樹脂が重量比で7:3で混合したものを用い
た。
【0089】この固形分を液中に分散させるため、カル
ボン酸基の50%をトリメチルアミンにより中和した。
【0090】上記電着液に、電極箔を浸し、0.3mA
/cm2の電流密度で10Vに達するまで定電流電着を
行い、さらに10Vで15分間定電圧電着を行った。次
に、アクリル酸系の高分子薄膜が形成された電極箔を水
洗後80℃で20分間、180℃で30分間熱処理する
ことにより、ベンゾグアナミン系樹脂との間で架橋反応
させた。以上述べた一連の処理を3回繰り返した後、バ
イトロンP(バイエル社製:ポリエチレンジオキシチオ
フェン分散液)を塗布乾燥してポリエチレンジオキシチ
オフェンからなる第一の導電性高分子層4を形成した。
ポリエチレンジオキシチオフェンを.05mmの厚さに
形成したときの比抵抗を、4端子法で測定したところ
0.75Ωcmであった。
【0091】このバイトロンP層を同様にもう一方の電
極箔2にも形成した後、図1に示すように電極箔1とと
もに捲回してコンデンサ素子を作製した。
【0092】このコンデンサの液中容量は、120Hz
で19.5μFであった。
【0093】さらに、この素子にエチレンジオキシチオ
フェン10gとp−トルエンスルホン酸第二鉄40gを
100gのエタノールに溶解した溶液に浸した後引き上
げて風乾して、ポリエチレンジオキシチオフェンからな
る第二の導電層5を形成させた。この処理を3回繰り返
した後洗浄乾燥して5個のコンデンサを乾燥させた。
【0094】これら5個の素子について、1kHzにお
ける容量及び損失係数を各々測定し、それらの平均値を
以下の(表1)に示した。
【0095】
【表1】
【0096】(比較例1)次に、比較のため、比較例1
として、第一の導電層をを設けずに帯状電極箔を捲回し
た以外は、実施の形態1と同様にして5個のコンデンサ
を作製した。
【0097】これらのコンデンサはいずれももショート
不良状態にあり、コンデンサ特性の測定は不可能であっ
た。
【0098】つまり比較例1の場合は、電極箔捲回前に
第一の導電性高分子層を形成していないために、誘電体
層が捲回時の機械的ストレスで破損してショートに至っ
たものと考えられる。これに対して実施の形態1の場合
には、捲回前に予め第一の導電性高分子層が電極箔表面
に形成されているため、ショート発生のないコンデンサ
が得られたものである。また、後述する比較例2との比
較から明らかなように、実施の形態1では、予め導電性
高分子層からなる第一の導電層でエッチングピット部分
が充填されているため、容量達成率(第二の導電層形成
後得られる容量と化成液液中で得られる容量との比)の
高いコンデンサが得られる。すなわち、エッチングピッ
トに空隙が存在したまま導電性高分子層形成のためのモ
ノマーと酸化剤からなる重合液に浸漬した場合、重合液
が十分に浸透する前に重合反応が起こり、誘電体皮膜の
導電性高分子による被覆が大きくならないものと考えら
れる。これらの比較例との比較から明らかなように、実
施の形態1によれば容量が高く、初期特性の優れたコン
デンサが得られる。
【0099】(実施の形態2)本実施の形態では、実施
の形態1において、誘電体の形成に電着ポリアクリル酸
共重合を用いることに代えて、電着ポリイミドを用いた
以外は実施の形態1と同様にしてコンデンサを5個完成
させた。
【0100】その後やはり実施の形態1と同様の評価を
行い、その結果を(表1)に示した。
【0101】ポリイミド電着膜形成の1例を以下に示
す。
【0102】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp
―フェニレンジアミンをN−メチルピロリドン中で、窒
素還流下で反応させてポリアミック酸を得た。
【0103】このポリアミック酸をN,N−ジメチルア
ミドに希釈し、トリエチルアミンを加えてポリアミック
酸塩溶液を得た。
【0104】上記溶液にメタノールを添加して最終的に
ポリアミック酸を0.15%含むように調整を電着液と
した。
【0105】この溶液にコンデンサ素子を浸し、これを
陽極として前記コンデンサ素子と離隔して設けた陰極間
に30Vの電圧を印可してポリアミック酸膜を析出させ
た。
【0106】その後、250℃で1時間加熱してポリア
ミック酸をポリイミド化した。
【0107】この電着並びに加熱を3回繰り返した後導
電性高分子層形成を行った。(表1)の結果から、容量
達成率の高いコンデンサが得られていることが示され、
本実施の形態においても、初期コンデンサ特性の優れた
コンデンサが得られることが分かる。
【0108】(実施の形態3)本実施の形態では、実施
の形態1において、エッチング倍率30倍の中高圧箔を
用いさらに誘電体の形成に電着ポリアクリル酸共重合を
用いることに代えて、エッチング倍率100倍の低圧箔
を用いさらに厚い方の電極箔に陽極酸化皮膜を形成した
以外は実施の形態1と同様にしてコンデンサを5個完成
させた。
【0109】その後やはり実施の形態1と同様の評価を
行い、その結果を(表1)に示した。
【0110】陽極酸化皮膜形成の1例を以下に示す。
【0111】エッチドアルミニウム箔を、70℃のアジ
ピン酸アンモニウム3%水溶液化成液に浸し、陽陰極間
に20V印加して陽極酸化皮膜を作製した。
【0112】化成液中で測定して得られた容量は平均2
21μFであった。(表1)から、容量達成率の高いコ
ンデンサが得られていることが示され、本実施の形態に
おいても、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得
られることが明らかである。
【0113】(実施の形態4)本実施の形態では、バイ
トロンPに代えて、エチレンジオキシチフェン2.8g
とパラトルエンスルホン酸第二鉄5.7gをエタノール
100gに溶解した溶液を塗布してポリエチ塩ジオキシ
チオフェン層を形成した以外、実施の形態3と同様にし
て5個のコンデンサを作製した。上述の配合処方で、別
途作製したポリエチレンジオキシチオフェンの比抵抗
を、300kg/cm2の圧力で加圧して作製したペレ
ットを用い、4端子法で測定したところ0.1Ωcmで
あった。
【0114】このコンデンサの評価を実施の形態1と同
様にして行い、表Iにその結果を示した。(表1)か
ら、容量達成率の高いコンデンサが得られていることが
示され、本実施の形態においても、初期コンデンサ特性
の優れたコンデンサが得られることが明らかである。
【0115】(実施の形態5)本実施の形態では、バイ
トロンPに代えて、ピロールモノマー5重量%水溶液と
ナフタレンジスルホン酸第二鉄20%水溶液に順次浸漬
してポリピロール層を形成した以外実施の形態3と同様
にして5個のコンデンサを作製した。上述の配合処方
で、別途作製したポリピロールの比抵抗を、実施の形態
4に記載の方法と同様にして測定したところ、0.06
7Ωcmであった。
【0116】このコンデンサの評価を実施の形態1と同
様にして行い、表Iにその結果を示した。
【0117】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0118】(実施の形態6)本実施の形態では、バイ
トロンPに代えて、XICP−OS01(モンサント社
製:可溶性ポリアニリン)を塗布してポリピロール層を
形成した以外実施の形態3と同様にして5個のコンデン
サを作製した。XICP−OS01を0.1mmの膜状
に成形して4端子法で比抵抗を測定したところ、0.2
Ωcmであった。
【0119】このコンデンサの評価を実施の形態1と同
様にして行い、表Iにその結果を示した。
【0120】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0121】(実施の形態7)本実施の形態では、陽・
陰極アルミニウム箔にポリエチレンジオキシチオフェン
層を形成する代わりに、陽極箔一方にのみ形成した以外
は、実施の形態4と同様にして5個のコンデンサを作製
した。
【0122】このコンデンサの評価を実施の形態1と同
様にして行い、表Iにその結果を示した。
【0123】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0124】(実施の形態8)本実施の形態では、実施
の形態3のと同様にして作製した捲回素子を用い、両電
極箔間にポリエチレンジオキシチオフェン形成すること
に代えてポリピロールを形成した以外は、実施の形態3
と同様にして5個のコンデンサを作製した。
【0125】ポリピロールの形成法の一例を以下に示
す。ピロールモノマー10g、トリイソプロピルナフタ
レンスルホン酸ナトリウム5gを100gの水に溶解し
た溶液と硫酸第二鉄10gを100gの水に溶解した溶
液に順次浸してポリピロール層陽。陰極間に形成した。
この配合処方で、別途作製したポリピロールの比抵抗
を、実施の形態4と同様にして測定したところ、0.0
5Ωcmであった。
【0126】なお、これは単にポリピロール層形成の一
形態を示したもので、他の酸化剤を用いることもでき、
また他の有機媒体系で重合させることもでき、本発明は
その方法に限定されないことは云うまでもない。このコ
ンデンサの評価を実施の形態1と同様にして行い、(表
1)にその結果を示した。
【0127】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0128】(実施の形態9)本実施の形態では、実施
の形態3のと同様にして作製した捲回素子を用い、両電
極箔間にポリエチレンジオキシチオフェン形成すること
に代えて実施の形態6と同様にしてポリアニリンを形成
した以外は、実施の形態3と同様にして5個のコンデン
サを作製した。このコンデンサの評価を実施の形態1と
同様にして行い、表Iにその結果を示した。
【0129】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0130】(実施の形態10)本実施の形態では、図
2に示すように、実施の形態1と同様にして誘電体層及
び導電層を形成した一対の電極箔を、マニラ紙からなる
0.03mm×2.7mm×190mmのセパレータ5
を介して捲回し、さらに実施の形態1と同様にして両電
極間に導電性高分子層を形成し、5個のコンデンサを作
製した。使用したセパレータ紙の空隙率は約50%であ
った。
【0131】このコンデンサの評価を実施の形態1と同
様にして行い、(表1)にその結果を示した。
【0132】(比較例2)次に、比較のため比較例2と
して、バイトロンP層を設けずに帯状電極箔を捲回した
以外は、実施の形態10と同様にして5個のコンデンサ
を作製した。
【0133】これら5個の素子について、120Hzに
おける容量および損失係数を各々測定し、それらの平均
値を(表1)に示した。
【0134】実施の形態10と本比較例との結果を検討
すると、容量、損失特性及びインピーダンス特性は実施
の形態10で得られたコンデンサの方が優れていること
が分かる。
【0135】つまり比較例2の場合は、電極箔捲回後に
導電性高分子層を形成しているために、エッチングピッ
ト内部に重合溶液が浸透する前に重合反応が起こって、
その部分の被覆が妨げられ容量が高くならないものと考
えられる。
【0136】これに対して実施の形態10の場合には、
捲回前に予めエッチングピット内部に導電性高分子層が
形成されているため、被覆率が高くなったための効果で
ある。
【0137】(実施の形態11)本実施の形態では、実
施の形態10において、エッチング倍率30倍の中高圧
箔を用いさらに誘電体の形成に電着ポリアクリル酸共重
合を用いることに代えて、エッチング倍率100倍の低
圧箔を用い、さらに実施の形態3と同様にして厚い方の
電極箔に陽極酸化皮膜を形成した以外は実施の形態10
と同様にしてコンデンサを5個完成させた。
【0138】その後やはり実施の形態1と同様の評価を
行い、その結果を(表1)に示した。
【0139】(表1)から、容量達成率の高いコンデン
サが得られていることが示され、本実施の形態において
も、初期コンデンサ特性の優れたコンデンサが得られる
ことが明らかである。
【0140】(実施の形態12)本実施の形態では、実
施の形態10のセパレータに替えて、ポリピロールを複
合化して導電性を付与したセパレータを用いた以外実施
の形態10と同様にして5個のコンデンサを作製した。
その後実施の形態1と同様の評価を行い、その結果を
(表1)に示した。ポリピロール複合化導電性セパレー
タの作製法の一例を次に示す。パラトルエンスルホン酸
第二鉄1Mエタノール溶液にセパレータ紙を浸漬後引き
上げ風乾する。その後、ピロールモノマー1Mノルマル
ヘキサン溶液に、該セパレータ紙を浸漬して、セパレー
タ紙繊維内部及び表面にポリピロールが形成された導電
性セパレータを得た。その後エタノール洗浄により反応
残滓を除去し乾燥して用いた。なお、得られた導電性セ
パレータのシート抵抗をダイアインスツルメント社製ロ
レスタSPで測定したところ2100Ω/□であった。
(表1)から、容量達成率の高いコンデンサが得られて
いることが示され、本実施の形態においても、初期コン
デンサ特性の優れたコンデンサが得られることが明らか
である。
【0141】(実施の形態13)本実施の形態では、実
施の形態12において、電着ポリアクリル酸共重合体層
を形成したエッチング倍率30倍の中高圧箔を用いる替
わりに、陽極酸化皮膜を形成したエッチング倍率100
倍の低圧箔を用いた以外は実施の形態12と同様にして
コンデンサを5個完成させた。
【0142】コンデンサ完成後、実施の形態1と同様の
評価を行い、その結果を(表1)に示した。(表1)か
ら、容量達成率の高いコンデンサが得られていることが
示され、本実施の形態においても、初期コンデンサ特性
の優れたコンデンサが得られることが明らかである。 (実施の形態14)本実施の形態では、実施の形態12
のポリピロールを複合化した導電性セパレータに替えて
ポリエチレンジオキシチオフェンを複合化したした導電
性セパレータを用いた以外、実施の形態12と同様にし
て5個のコンデンサを完成させた。ポリエチレンジオキ
シチオフェン複合化導電性セパレータの作製法の一例を
次に示す。パラトルエンスルホン酸第二鉄1Mエタノー
ル溶液にセパレータ紙を浸漬後引き上げ風乾する。その
後、エチレジオキシチオフェンモノマー1Mノルマルヘ
キサン溶液に、該セパレータ紙を浸漬して、セパレータ
紙繊維内部及び表面にポリエチレンジオキシチオフェン
が形成された導電性セパレータを得た。その後エタノー
ル洗浄により反応残滓を除去し乾燥して用いた。ここで
得られた導電性セパレータのシート抵抗を実施の形態1
2と同様に測定したところ、1500Ω/□であった。
コンデンサ完成後、実施の形態1と同様の評価を行い、
その結果を(表1)に示した。(表1)から、容量達成
率の高いコンデンサが得られていることが示され、本実
施の形態においても、初期コンデンサ特性の優れたコン
デンサが得られることが明らかである。
【0143】(実施の形態15)本実施の形態では、実
施の形態12のポリピロールを複合化した導電性セパレ
ータに替えてポリアニリンを複合化した導電性セパレー
タを用いた以外、実施の形態12と同様にして5個のコ
ンデンサを完成させた。ポリアニリン複合化導電性セパ
レータの作製法の一例を次に示す。XICP−OS01
(モンサント社製:可溶性ポリアニリン)を同重量のキ
シレンに溶解した溶液に、セパレータ紙を浸漬後乾燥し
た。ここで得られた導電性セパレータのシート抵抗を実
施の形態12と同様に測定したところ、2600Ω/□
であった。コンデンサ完成後、実施の形態1と同様の評
価を行い、その結果を(表1)に示した。(表1)か
ら、容量達成率の高いコンデンサが得られていることが
示され、本実施の形態においても、初期コンデンサ特性
の優れたコンデンサが得られることが明らかである。
【0144】(実施の形態16)本実施の形態では、実
施の形態3のポリエチレンジオキシチオフェンに替えて
電解液を用いた以外、実施の形態3と同様にして5個の
コンデンサを完成させた。電解液としては、フタル酸モ
ノメチルトリエチルアンモニウムを20%含むγ―ブチ
ロラクトン溶液を用いた。この電解液の比抵抗を、東亜
電波製伝導度計CM−60Sで測定したところ、98Ω
cmであった。コンデンサ完成後、実施の形態1と同様
の評価を行い、その結果を(表1)に示した。(表1)
から、容量達成率の高いコンデンサが得られていること
が示され、本実施の形態においても、初期コンデンサ特
性の優れたコンデンサが得られることが明らかである。
【0145】(実施の形態17)本実施の形態では、セ
パレータを挟んで一対の電極箔を捲回した以外は、実施
の形態16と同様にして5個のコンデンサを完成させ
た。コンデンサ完成後、実施の形態1と同様の評価を行
い、その結果を(表1)に示した。(表1)から、容量
達成率の高いコンデンサが得られていることが示され、
本実施の形態においても、初期コンデンサ特性の優れた
コンデンサが得られることが明らかである。
【0146】(比較例3)比較のため、比較例5とし
て、バイトロンP層を形成しない電極箔を用いた以外、
実施の形態17と同様にして5個のコンデンサを完成さ
せた。これは取りも直さず、通常のアルミニウム電解コ
ンデンサの基本的構成をなすものである。コンデンサ完
成後、実施の形態1と同様の評価を行い、その結果を
(表1)に示した。
【0147】実施の形態17と本比較例との結果を検討
すると、損失特性は実施の形態17で得られたコンデン
サの方が優れていることが分かる。つまり実施の形態1
7の場合は、電気伝導度の高い導電性高分子層がエッチ
ングピット中に形成された電極箔を用いているために、
陰極導電層部分全体の抵抗が小さくなった効果が現れた
ものである。
【0148】(実施の形態18)本実施の形態では、実
施の形態17のセパレータに替えて実施の形態12で述
べたポリピロールを複合化した導電性セパレータを用い
た以外、実施の形態17と同様にして5個のコンデンサ
を完成させた。コンデンサ完成後、実施の形態1と同様
の評価を行い、その結果を(表1)に示した。(表1)
から、本実施の形態においても、初期コンデンサ特性の
優れたコンデンサが得られることが明らかである。
【0149】
【発明の効果】以上のように、コンデンサの製造方法に
係る本発明は、誘電体層と導電性高分子層が少なくても
一方に形成された一対の拡面化処理された電極箔を捲回
して、導電性高分子またはイオン性塩溶液からなる導電
層を形成したものであり、電極間の抵抗が小さいため、
損失の小さいコンデンサが得られるという効果を奏す
る。また、導電性高分子が予めエッチングピット内部に
形成されているために、捲回後に両電極間に導電性高分
子層を形成する場合より、高い容量達成率のコンデンサ
が容易に得られる。また、導電性高分子層が予め形成さ
れた電極箔を捲回するため、セパレータを省略すること
ができるため、損失の一層の低減が得られる。また、誘
電体と導電性高分子が少なくても一方に形成された一対
のエッチド箔電極箔を、セパレータを介して捲回した構
成を取ることもでき、さらに該セパレータに導電性高分
子を複合化した導電性セパレータを用いることもでき、
いずれも、高導電性の導電性高分子層が予め形成されて
いるため、損失の小さいコンデンサが得られるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態におけるコンデンサ
の構造を示す図
【図2】本発明の第10の実施の形態におけるコンデン
サの構造を示す図
【符号の説明】
1、2 拡面化処理された電極箔 - 3 誘電体層 4 第一の導電層 5 第二の導電層 6 セパレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松家 安恵 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 草柳 弘樹 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 Fターム(参考) 5E082 AB04 AB09 BC30 BC39 EE03 EE15 EE23 EE24 FG03 FG19 FG27 FG34 FG37 FG38 FG60 GG07 LL04 LL21

Claims (58)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 拡面化された1対の金属箔電極を用意す
    る工程と前記電極箔の少なくても一方の表面に誘電体層
    と導電性高分子からなる第一の導電層を順次形成する工
    程と前記1対の金属箔電極を捲回する工程と前記捲回素
    子の間隙を導電性高分子層からなる第二の導電層で充填
    する工程を備えたコンデンサの製造方法。
  2. 【請求項2】 誘電体層が電着高分子層で形成される請
    求項1記載のコンデンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 電着高分子にアクリル酸、メタクリル
    酸、スチレンからなる共重合体もしくはポリイミドを用
    いる請求項1または2記載のコンデンサの製造方法。
  4. 【請求項4】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される請
    求項1記載のコンデンサの製造方法。
  5. 【請求項5】 表面に誘電体が形成される金属箔が弁金
    属である請求項1または4いずれかに記載のコンデンサ
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 弁金属がアルミニウムである請求項5記
    載のコンデンサの製造方法。
  7. 【請求項7】 導電性高分子の分散液または溶解液を塗
    布することにより誘電体層上に導電性高分子からなる第
    一の導電層を形成する請求項1から6いずれかに記載の
    コンデンサの製造方法。
  8. 【請求項8】 重合性モノマーを化学重合することによ
    り誘電体層上に第一の導電性高分子導電層を形成する請
    求項1から6いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  9. 【請求項9】 誘電体層上に形成する第一の導電層を構
    成する導電性高分子として、ポリアニリン、ポリピロー
    ル、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいずれか
    を用いる請求項1から8いずれかに記載のコンデンサの
    製造方法。
  10. 【請求項10】 捲回素子の間隙を構成する導電性高分
    子からなる第二の導電層を化学重合で形成する請求項1
    から9のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  11. 【請求項11】 捲回素子の間隙を構成する導電性高分
    子からなる第二の導電層を、ポリアニリン、ポリピロー
    ル、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいずれか
    を用いる請求項1から10いずれかに記載のコンデンサ
    の製造方法。
  12. 【請求項12】 拡面化された1対の金属箔電極を用意
    する工程と前記電極箔の少なくても一方の表面に誘電体
    層と導電性高分子からなる第一の導電層を順次形成する
    工程と前記1対の金属箔電極を多孔質基体で形成される
    セパレータを介して捲回する工程と前記捲回素子の間隙
    を導電性高分子層からなる第二の導電層で充填する工程
    を備えたコンデンサの製造方法。
  13. 【請求項13】 誘電体層が電着高分子層で形成される
    請求項12記載のコンデンサの製造方法。
  14. 【請求項14】 電着高分子にアクリル酸、メタクリル
    酸、スチレンからなる共重合体もしくはポリイミドを用
    いる請求項12または13記載のコンデンサの製造方
    法。
  15. 【請求項15】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される
    請求項12記載のコンデンサの製造方法。
  16. 【請求項16】 表面に誘電体が形成される金属箔が弁
    金属である請求項12または15いずれかに記載のコン
    デンサの製造方法。
  17. 【請求項17】 弁金属がアルミニウムである請求項1
    6記載のコンデンサの製造方法。
  18. 【請求項18】 導電性高分子の分散液または溶解液を
    塗布することにより誘電体層上に導電性高分子からなる
    第一の導電層を形成する請求項12から17いずれかに
    記載のコンデンサの製造方法。
  19. 【請求項19】 重合性モノマーを化学重合することに
    より誘電体層上に導電性高分子からなる第一の導電層を
    形成する請求項12から17いずれかに記載のコンデン
    サの製造方法。
  20. 【請求項20】 誘電体層上に形成する第一の導電層を
    構成する導電性高分子として、ポリアニリン、ポリピロ
    ール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいずれ
    かを用いる請求項12から19いずれかに記載のコンデ
    ンサの製造方法。
  21. 【請求項21】 捲回素子の間隙を充填する導電性高分
    子からなる第二の導電層を化学重合で形成する請求項1
    2から20のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  22. 【請求項22】 捲回素子の間隙に形成する導電性高分
    子からなる第二の導電層として、ポリアニリン、ポリピ
    ロール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいず
    れかを用いる請求項12から21いずれかに記載のコン
    デンサの製造方法。
  23. 【請求項23】 セパレータに紙を用いる請求項12か
    ら22いずれか記載のコンデンサの製造方法。
  24. 【請求項24】 拡面化された1対の金属箔電極を用意
    する工程と前記電極箔の少なくても一方の表面に誘電体
    層と導電性高分子からなる第一の導電層と導電層を順次
    形成する工程と前記1対の金属箔電極を多孔質基体と導
    電性高分子が複合化された導電性セパレータを介して捲
    回する工程と前記捲回素子の間隙を導電性高分子からな
    る第二の導電層で充填する工程を備えたコンデンサの製
    造方法。
  25. 【請求項25】 誘電体層が電着高分子層で形成される
    請求項24記載のコンデンサの製造方法。
  26. 【請求項26】 電着高分子にアクリル酸、メタクリル
    酸、スチレンからなる共重合体もしくはポリイミドを用
    いる請求項24または25記載のコンデンサの製造方
    法。
  27. 【請求項27】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される
    請求項24記載のコンデンサの製造方法。
  28. 【請求項28】 表面に誘電体が形成される金属箔が弁
    金属である請求項24または27いずれかに記載のコン
    デンサの製造方法。
  29. 【請求項29】 弁金属がアルミニウムである請求項2
    8記載のコンデンサの製造方法。
  30. 【請求項30】 導電性高分子の分散液または溶解液を
    塗布することにより誘電体層上に導電性高分子からなる
    第一の導電層を形成する請求項24から29いずれかに
    記載のコンデンサの製造方法。
  31. 【請求項31】 重合性モノマーを化学重合することに
    より誘電体層上に導電性高分子導電からなる第一の導電
    層を形成する請求項24から29いずれかに記載のコン
    デンサの製造方法。
  32. 【請求項32】 誘電体層上に形成する第一の導電層を
    構成する導電性高分子として、ポリアニリン、ポリピロ
    ール、ポリチオフェンもしくはこれらの誘導体のいずれ
    かを用いる請求項24から31いずれかに記載のコンデ
    ンサの製造方法。
  33. 【請求項33】 捲回素子の間隙を充填する導電性高分
    子からなる第二の導電層を化学重合で形成する請求項2
    4から32のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  34. 【請求項34】 捲回素子の間隙を構成する第二の導電
    層として、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェ
    ンもしくはこれらの誘導体のいずれかを用いる請求項2
    4から33いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  35. 【請求項35】 導電性セパレータとして紙とポリアニ
    リン、ポリピロール、ポリチオフェンもしくはこれらの
    誘導体のいずれかの複合体で構成されたものを用いる請
    求項24記載のコンデンサの製造方法。
  36. 【請求項36】 拡面化された1対の弁金属箔電極を用
    意する工程と前記弁電極箔の少なくても一方の表面に誘
    電体層と導電性高分子からなる第一の導電層を順次形成
    する工程と前記1対の金属箔電極を捲回する工程と前記
    捲回素子の間隙をイオン性塩を溶解した電解液からなる
    第二の導電層を設ける工程を備えたコンデンサの製造方
    法。
  37. 【請求項37】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される
    請求項36記載のコンデンサの製造方法。
  38. 【請求項38】 弁金属がアルミニウムである請求項3
    6または37記載のコンデンサの製造方法。
  39. 【請求項39】 導電性高分子の分散液または溶解液を
    塗布することにより誘電体層上に導電性高分子導電から
    なる第一の導電層を形成する請求項36から38いずれ
    かに記載のコンデンサの製造方法。
  40. 【請求項40】 重合性モノマーを化学重合することに
    より誘電体層上に導電性高分子からなる第一の導電層を
    形成する請求項36から39いずれかに記載のコンデン
    サの製造方法。
  41. 【請求項41】 誘電体層上に形成する第一の導電層と
    して、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンも
    しくはこれらの誘導体のいずれかを用いる請求項36か
    ら40いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  42. 【請求項42】 γ―ブチロラクトンとフタル酸塩から
    実質的に成る電解液を第二の導電層に用いる請求項36
    から41いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  43. 【請求項43】 拡面化された1対の弁金属箔電極を用
    意する工程と前記弁電極箔の少なくても一方の表面に誘
    電体層と導電性高分子からなる第一の導電層を順次形成
    する工程と前記1対の金属箔電極を多孔質基体からなる
    セパレータを介して捲回する工程と前記捲回素子の間隙
    をイオン性塩を溶解した電解液からなる第二の導電層を
    設ける工程を備えたコンデンサの製造方法。
  44. 【請求項44】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される
    請求項43記載のコンデンサの製造方法。
  45. 【請求項45】 弁金属がアルミニウムである請求項4
    3または44記載のコンデンサの製造方法。
  46. 【請求項46】 導電性高分子の分散液または溶解液を
    塗布することにより誘電体層上に導電性高分子からなる
    第一の導電層を形成する請求項43から45いずれかに
    記載のコンデンサの製造方法。
  47. 【請求項47】 重合性モノマーを化学重合することに
    より誘電体層上に導電性高分子からなる第一の導電層を
    形成する請求項43から46いずれかに記載のコンデン
    サの製造方法。
  48. 【請求項48】 誘電体層上に形成する第一の導電層と
    して、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンも
    しくはこれらの誘導体のいずれかを用いる請求項43か
    ら47いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  49. 【請求項49】 セパレータに紙を用いる請求項43か
    ら48いずれか記載のコンデンサの製造方法。
  50. 【請求項50】 γ―ブチロラクトンとフタル酸塩から
    実質的に成る電解液を用いる請求項43から49いずれ
    かに記載のコンデンサの製造方法。
  51. 【請求項51】 拡面化された1対の金属箔電極を用意
    する工程と前記電極箔の少なくても一方の表面に誘電体
    層と導電性高分子からなる第一の導電層を順次形成する
    工程と前記1対の金属箔電極を多孔質基体と導電性高分
    子が複合化された導電性セパレータを介して捲回する工
    程と前記捲回素子の間隙をイオン性塩を溶解した電解液
    からなる第二の導電層を設ける工程を備えたコンデンサ
    の製造方法。
  52. 【請求項52】 誘電体層が陽極酸化皮膜で形成される
    請求項51記載のコンデンサの製造方法。
  53. 【請求項53】 弁金属がアルミニウムである請求項5
    1または52記載のコンデンサの製造方法。
  54. 【請求項54】 導電性高分子の分散液または溶解液を
    塗布することにより誘電体層上に導電性高分子からなる
    第一の導電層を形成する請求項51から53いずれかに
    記載のコンデンサの製造方法。
  55. 【請求項55】 重合性モノマーを化学重合することに
    より誘電体層上に導電性高分子からなる第一の導電層を
    形成する請求項51から54いずれかに記載のコンデン
    サの製造方法。
  56. 【請求項56】 誘電体層上に形成する第一の導電層と
    して、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンも
    しくはこれらの誘導体のいずれかを用いる請求項51か
    ら55いずれかに記載のコンデンサの製造方法。
  57. 【請求項57】 導電性セパレータとして紙とポリアニ
    リン、ポリピロール、ポリチオフェンもしくはこれらの
    誘導体のいずれかの複合体で構成されたものを用いる請
    求項51から56いずれか記載のコンデンサの製造方
    法。
  58. 【請求項58】 γ―ブチロラクトンとフタル酸塩から
    実質的に成る電解液を用いる請求項51から57いずれ
    かに記載のコンデンサの製造方法。
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