JP2011114132A - 電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔と対向陰極箔との間に形成された隙間に、所望の特性を有する電解質を形成することができる電解コンデンサ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する少なくとも一方の表面には第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄが形成され、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの主表面６２Ａ〜６２Ｄには凹凸がそれぞれ形成され、当該凹凸により陽極化成箔１０と対向陰極箔２０との間に形成された隙間Ｃには、電解液８０または導電性高分子を含む第２固体電解質層７０が充填されている。
【選択図】図３

Description

この発明は、電解コンデンサおよびその製造方法に関し、特に、陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサおよびその製造方法に関する。

下記の特許文献１には、セパレータを含まない巻回式のコンデンサであって、陽極化成箔と、上記陽極化成箔とともに巻回される対向陰極箔とを備える電解コンデンサが開示されている。なお、セパレータとは、マニラ紙、クラフト紙、合成繊維紙、合成繊維不織布、ガラスペーパー等である。

特許文献１によれば、上記電解コンデンサは次のように製造される。まず、陽極化成箔を得るために、アルミニウム箔の表面をエッチング等により粗面化し、粗面化した表面に対し化成処理を行なう。当該化成処理により、粗面化した表面に誘電体酸化被膜が形成される。次に、誘電体酸化被膜の表面に導電性高分子をコーティングする。こうして、陽極化成箔を得ることができる。

対向陰極箔は、陽極化成箔と略同様に得ることができる。なお、対向陰極箔を構成するアルミニウム箔の表面に対し、エッチングや化成処理を行なわない場合もある。また、対向陰極箔を構成するアルミニウム箔の表面に対し、導電性高分子をコーティングしない場合もある。

上記のようにして得られた陽極化成箔と対向陰極箔とは、セパレータを介さずに巻回される。陽極化成箔と対向陰極箔とが巻回されることで、コンデンサ素子が構成される。当該コンデンサ素子に対し、切り口化成処理と熱処理とを行なう。切り口化成処理および熱処理を行なったコンデンサ素子の内部に、電解質を形成する。電解質は、モノマーとしての３，４−エチレンジオキシチオフェンと、酸化剤としてのｐ−トルエンスルホン酸第二鉄アルコール溶液とを、コンデンサ素子の内部に重合液として含浸させ、化学重合させることにより形成する。当該化学重合により、陽極化成箔と対向陰極箔との間に、電解質として導電性高分子層が形成される。

陽極化成箔と対向陰極箔との間に電解質（導電性高分子層）を形成したコンデンサ素子のリード線に、封止用ゴムを挿入する。コンデンサ素子をアルミケース内に収納し、アルミケースの開口部に対して、横絞り処理とカール処理とを行なう。次に、エージング処理を行ない、アルミケースに形成されたカール面にプラスチック製の座板を挿入し、リード線を電極端子としてプレス加工および折り曲げ加工を行なう。こうして、電解コンデンサが製造される。

特許文献１に開示されている電解コンデンサによれば、セパレータを用いなくても陽極と陰極との間の電気絶縁性を確保することができ、セパレータを備えた電解コンデンサと略同等の容量および略同等のリーク電流を有する電解コンデンサを得ることができる。

下記の特許文献２には、セパレータを用いた固体電解コンデンサ素子が開示されている。より具体的には、陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを介して巻回してなる箔巻回体を有し、上記箔巻回体に導電性高分子からなる電解質材料を含浸してなる固体電解コンデンサ素子が開示されている。

下記の特許文献２には、さらに、当該固体電解コンデンサ素子は、一方の面側が凸で他方の面側が凹となる幅方向に延びる溝が、陽極化成箔および対向陰極箔の長さ方向にわたって所定の間隔をもって形成されるという構成が開示されている。

国際公開第２００８／０６２６０４号 特開２００６−１８６２４８号公報

特許文献１に開示されている電解コンデンサによれば、陽極化成箔と対向陰極箔とが巻回されて構成されたコンデンサ素子に対し、所定の溶液などを含浸させることで、電解質を形成している。

ところで、陽極化成箔と対向陰極箔とが巻回された状態では、セパレータが存在しないために陽極化成箔と対向陰極箔とが極めて近い距離に位置している。したがって、陽極化成箔の表面に形成されている導電性高分子と、対向陰極箔の表面若しくは導電性高分子とが密着しているため、これらの間（隙間）に、所定の溶液などが十分に含浸されず、所望の電解質が形成されないという課題があった。

上記の特許文献２によれば、陽極化成箔と、対向陰極箔と、セパレータとを巻回して電解コンデンサ（コンデンサ素子）を形成している。さらに、一方の面側が凸で他方の面側が凹となる幅方向に延びる溝が、陽極化成箔および対向陰極箔の長さ方向にわたって所定の間隔をもって形成されている。各箔に形成された凹凸溝により、各箔間に所定の隙間を確保している。ところが、特許文献２による構成では、セパレータの厚さと、陽極化成箔および対向陰極箔に対して形成された凹凸溝の高さ（深さ）とにより、電解コンデンサの体積の増大を招いてしまう。

したがって、この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔と対向陰極箔との間に形成された隙間に、所望の特性を有する電解質を形成することができる電解コンデンサ、およびその製造方法を提供することを目的とする。

この発明に基づいた電解コンデンサにおいては、陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、上記陽極化成箔および上記対向陰極箔の表面のうち、上記陽極化成箔と上記対向陰極箔とが対向する少なくとも一方の表面には第１固体電解質層が形成され、上記第１固体電解質層の主表面には凹凸が形成され、上記凹凸により上記陽極化成箔と上記対向陰極箔との間に形成された隙間には、電解液または導電性高分子を含む第２固体電解質層が充填されている。

上記発明の他の形態においては、上記第１固体電解質層の厚さは０．１μｍ以上である。

上記発明の他の形態においては、上記凹凸における凸部の厚さに対する凹部の深さの比率は、０．０５以上０．９以下である。

上記発明の他の形態においては、上記凹凸は、上記第１固体電解質層の上記主表面の全面にわたって形成されている。

この発明に基づいた電解コンデンサの製造方法においては、陽極化成箔と対向陰極箔とを準備する工程と、主表面に凹凸を有する第１固体電解質層を、上記陽極化成箔および上記対向陰極箔の表面のうち、上記陽極化成箔と上記対向陰極箔とが巻回されることにより対向する少なくとも一方の表面に形成する工程と、上記陽極化成箔と上記対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回する工程と、上記陽極化成箔と上記対向陰極箔とを巻回した後、上記凹凸により上記陽極化成箔と上記対向陰極箔との間に形成された隙間に、電解液または導電性高分子を含む第２固体電解質層を充填する工程とを備える。

上記発明の他の形態においては、上記第１固体電解質層の厚さは０．１μｍ以上である。

上記発明の他の形態においては、上記凹凸における凸部の厚さに対する凹部の深さの比率は、０．０５以上０．９以下である。

上記発明の他の形態においては、上記凹凸は、上記第１固体電解質層の上記主表面の全面にわたって形成されている。

この発明によれば、陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔と対向陰極箔との間に形成された隙間に、所望の特性を有する電解質を形成することができる電解コンデンサ、およびその製造方法を得ることができる。

実施の形態１における電解コンデンサを構成するコンデンサ素子を、模式的に示した斜視図である。 実施の形態１における電解コンデンサを、模式的に示した断面図である。 図２におけるＩＩＩ線に関する部分拡大図（断面図）である。 実施の形態１における第１固体電解質層の表面に形成される凹凸を、模式的に示した断面図である。 図３に関し、実施の形態１の他の構成を示す部分拡大図（断面図）である。 図３に関し、実施の形態１のさらに他の構成を示す部分拡大図（断面図）である。 実施例１〜実施例９および比較例１、２による電解コンデンサの各電気特性を示す図である。 他の実施例による電解コンデンサの各電気特性を示す図である。 他の実施例による電解コンデンサの各電気特性を示すグラフである。

本発明に基づいた各実施の形態における電解コンデンサおよびその製造方法について、以下、図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。以下に説明する各実施の形態において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

（実施の形態１：電解コンデンサ）
（構成）
図１〜図３を参照して、本実施の形態における電解コンデンサの構成について説明する。なお、図１および図２を参照して、本実施の形態における電解コンデンサの全体構成について説明し、次に、図３を参照して、本実施の形態における陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の詳細な構成について説明する。

図１を参照して、本実施の形態における電解コンデンサは、コンデンサ素子１００を備えている。コンデンサ素子１００は、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを有している。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０は、重ね合わされた状態で、セパレータを介さずに巻回されている。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０は、たとえば対向陰極箔２０の一端に設けられた巻止テープ３０などにより巻回状態が保持されている。

陽極化成箔１０には、陽極側のリードタブ端子４０が接続され、陽極側のリードタブ端子４０には、陽極リード線４４が接続されている。同様に、対向陰極箔２０には、陰極側のリードタブ端子４２が接続され、陰極側のリードタブ端子４２には、陰極リード線４６が接続されている。なお、コンデンサ素子１００は、３つ以上のリードタブ端子およびリード線を備えていてもよい。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０などの詳細な構成については、後述する。

図２を参照して、上記のように構成されるコンデンサ素子１００は、ケース５６に収納されている。ケース５６は、たとえばアルミニウムから構成される。コンデンサ素子１００の、ケース５６の開口部側（図２紙面上方側）には、封止用ゴム４８が設けられている。封止用ゴム４８は、コンデンサ素子１００を、ケース５６の内部に封止している。

コンデンサ素子１００の、ケース５６のさらに開口部側には、座板５０が封止用ゴム４８を覆うように設けられている。座板５０には、開口部５２および開口部５４が設けられている。開口部５２および開口部５４を通して、陽極リード線４４および陰極リード線４６がそれぞれ座板５０の表面に露出するように設けられている。陽極リード線４４および陰極リード線４６は、座板５０の表面を沿うように折り曲げられている。以上のようにして、本実施の形態における電解コンデンサ１が構成されている。

（陽極化成箔１０・対向陰極箔２０・第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄ）
図３を参照して、本実施の形態における陽極化成箔１０、対向陰極箔２０および第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの詳細な構成について説明する。陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とは、コンデンサ素子１００を構成するために、重ね合わされた状態で（セパレータを介さずに）巻回されている。したがって、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とは、コンデンサ素子１００の半径方向（図３紙面左右方向）に、所定の間隙を隔てて交互に並んで複数配置されている。

本実施の形態における陽極化成箔１０は、金属箔１１と、誘電体酸化被膜１２Ａ，１２Ｂとから構成されている。陽極化成箔１０を構成する金属箔１１は、たとえば約０．０５ｍｍ〜約０．１１ｍｍのアルミニウム箔である。誘電体酸化被膜１２Ａ，１２Ｂは、金属箔１１の表面１１Ａ，１１Ｂをエッチング等により粗面化し、粗面化した表面１１Ａ，１１Ｂに対し化成処理を行なうことで形成されている。

本実施の形態における対向陰極箔２０は、金属箔から構成されている。対向陰極箔２０を構成する金属箔は、たとえば約０．０２ｍｍ〜約０．０５ｍｍのアルミニウム箔である。対向陰極箔２０は、陽極化成箔１０と略同様な構成であってもよい。

陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の双方に、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄがそれぞれ形成されている。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを機械的に分離するとともに、後述する電解質（第２固体電解質層７０若しくは電解液８０）を保持する。当該分離および保持のために、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する少なくとも一方の表面に形成されていればよい。

より具体的には、本実施の形態においては、陽極化成箔１０の表面１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｂが形成されている。対向陰極箔２０の表面２０Ａに、第１固体電解質層６０Ｃが形成されている。陽極化成箔１０の表面１０Ｂと、対向陰極箔２０の表面２０Ａとは対向している。陽極化成箔１０の表面１０Ａに、第１固体電解質層６０Ａが形成されている。対向陰極箔２０の表面２０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｄが形成されている。陽極化成箔１０の表面１０Ａと、対向陰極箔２０の表面２０Ｂとは対向している。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは導電性高分子から構成されている。導電性高分子としては、脂肪族系、芳香族系、または複素環式系を単独、混合物または複合物として含んでいるとよい。脂肪族系、芳香族系、または複素環式系の導電性高分子は、たとえばポリピロール系、ポリチオフェン系、ポリフラン系、またはポリアニリン系などである。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面（本発明における「主表面」）には、凹凸が形成されている。より具体的には、第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａには、凹凸が形成されている。第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂにも、凹凸が形成されている。第１固体電解質層６０Ｃの表面６２Ｃにも、凹凸が形成されている。第１固体電解質層６０Ｄの表面６２Ｄにも、凹凸が形成されている。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面（本発明における「主表面」）に形成されている凹凸とは、たとえば当該表面を粗面化した形状、当該表面に細かい突起物が格子状に設けられている形状、または当該表面に無数の細かい突起物が不規則に設けられた形状のことである。この凹凸は、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの（主）表面の全面にわたって形成されていてもよい。なお、全面にわたってとは、あくまでも後述する隙間Ｃを形成させることが必要な表面の全面という意味であり、隙間Ｃが形成されていない表面が一部でも存在すれば本発明の技術的範囲に属しないとするものではない。

なお図３においては、第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａに形成された凹凸と、第１固体電解質層６０Ｄの表面６２Ｄに形成された凹凸とは離間して図示されているが、実際には、第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａに形成された一部の凸部と、第１固体電解質層６０Ｄの表面６２Ｄに形成された一部の凸部とは接している。

同様に、第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂに形成された凹凸と、第１固体電解質層６０Ｃの表面６２Ｃに形成された凹凸とは離間して図示されているが、実際には、第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂに形成された一部の凸部と、第１固体電解質層６０Ｃの表面６２Ｃに形成された一部の凸部とは接している。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面６２Ａ〜６２Ｄに形成された凹凸により、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが巻回されることで、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０との間には、隙間Ｃが形成される。

隙間Ｃには、電解質としての第２固体電解質層７０が形成されている。第２固体電解質層７０は、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄと同様に導電性高分子から構成されている。導電性高分子としては、脂肪族系、芳香族系、または複素環式系を単独、混合物または複合物として含む導電性高分子から構成されているとよい。脂肪族系、芳香族系、または複素環式系の導電性高分子とは、たとえばポリピロール系、ポリチオフェン系、ポリフラン系、またはポリアニリン系などである。

なお、隙間Ｃには、電解液８０が充填されていてもよい。電解液８０は、たとえばγーブチロラクトンと有機アミン塩とを含むものがある。本実施の形態における電解コンデンサ１は、以上のように構成されている。

（効果）
本実施の形態における電解コンデンサによれば、対向する第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂおよび第１固体電解質層６０Ｃの表面６２Ｃ、ならびに、対向する第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａおよび第１固体電解質層６０Ｄの表面６２Ｄにそれぞれ形成された凹凸により、これらの間に隙間Ｃが形成されている。隙間Ｃが形成されていることにより、巻回後において、対向する表面６２Ｂ，６２Ｃおよび対向する表面６２Ａ，６２Ｄが密着することを抑制している。

対向する表面６２Ｂ，６２Ｃおよび対向する表面６２Ａ，６２Ｄが密着していないため、隙間Ｃに設けられている第２固体電解質層７０若しくは電解液８０は、隙間Ｃを利用して十分に含浸若しくは充填された上で設けられている。したがって、本実施の形態における電解コンデンサによれば、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子１００を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０との間に形成された隙間Ｃに、所望の特性を十分に発揮することができる電解質を形成することを可能としている。なお、当該所望の特性については、実施例として詳細に後述する。

また、本実施の形態における電解コンデンサによれば、セパレータを用いていないため、電解コンデンサの体積が増大することも抑制している。つまり、従来のセパレータを用いた電解コンデンサと同じ体積を有する本実施の形態における電解コンデンサを作製した場合、従来の電解コンデンサよりも高い容量を得ることができる。従来のセパレータを用いた電解コンデンサと同じ容量を有する本実施の形態における電解コンデンサを作製した場合、従来の電解コンデンサよりも小さな体積で作製することができる。

（実施の形態１の他の構成）
上述した実施の形態１（特に、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０）の、他の構成について説明する。図４は、第１固体電解質層６０および、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸を模式的に示した断面図である。図４における第１固体電解質層６０は、上記の実施の形態１における第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄに相当している。図４における表面６２は、上記の実施の形態１における表面６２Ａ〜６２Ｄに相当している。

図４を参照して、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率が、約０．０５以上約０．９以下であるとよい。より具体的には、第１固体電解質層６０の厚さＴに対し、凹部の深さＤは、約５％≦（Ｄ／Ｔ×１００）≦約９０％の式を満足するように構成するとよい。以下、Ｄ／Ｔ×１００の値を、比率（Ｄ／Ｔ値）と称する。

比率（Ｄ／Ｔ値）が約５％未満となると、等価直列抵抗ＥＳＲが急峻に高くなる。一方、比率（Ｄ／Ｔ値）が約９０％を超えると、第１固体電解質層（６０Ａ〜６０Ｄ）の表面に形成する凹凸が大きくなり、凸部を中心に被膜破壊が発生する。したがって、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率が、約０．０５以上約０．９以下であるとよい。

より好ましくは、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率が、約０．３以上約０．７以下であるとよい。

第１固体電解質層６０の厚さＴは、約０．１μｍ以上にするとよい。第１固体電解質層６０の厚さＴが、約０．１μｍ未満となると、第１固体電解質層６０の厚さＴに対し、凹部の深さＤが、約５％≦比率（Ｄ／Ｔ値）≦約９０％の式を満足している場合であっても、十分な隙間Ｃが形成されない場合があるからである。したがって、第１固体電解質層６０の厚さＴは、約０．１μｍ以上にするとよい。

第１固体電解質層６０の厚さＴは、約１００μｍ以下にするとよい。第１固体電解質層６０の厚さＴが約１００μｍを超えると、隙間Ｃに十分な第２固体電解質層７０若しくは電解液８０を設けることが可能となるが、電解コンデンサとしての電気特性が低下するためである。その理由は次の通りである。

本発明においては、セパレータを介さずに陽極化成箔と対向陰極箔とを巻回している。一般的なセパレータの厚さよりも、第１固体電解質層の厚さと電解質の厚さとを合わせた膜厚が大きくなると、一般的なセパレータを備えた電解コンデンサに比べて、陽極化成箔と対向陰極箔との巻数が少なくなる。

陽極化成箔と対向陰極箔との巻数が少なくなると、静電容量（Ｃａｐ）が減少する。したがって、一般的なセパレータの膜厚は約２００μｍであることから、第１固体電解質層６０の厚さＴは、その半分である約１００μｍ未満にするとよい。

より好ましくは、第１固体電解質層６０の厚さＴは、約５μｍ以上約２０μｍ未満にするとよい。一般的な低等価直列抵抗（ＥＳＲ）用の電解コンデンサには、膜厚が約４０μｍのセパレータが用いられているからである。

また、上述した実施の形態１では、図３を参照して、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の双方に、第１固体電解質層（６０Ａ〜６０Ｄ）が形成されている場合について説明した。本発明は、この場合に限られない。

図５または図６を参照して、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の一方に、第１固体電解質層が形成されていてもよい。

より具体的には、図５においては、対向する陽極化成箔１０の表面１０Ｂおよび対向陰極箔２０の表面２０Ａのうち、陽極化成箔１０の表面１０Ｂにのみ、第１固体電解質層６０Ｂが形成されている。そして、対向する陽極化成箔１０の表面１０Ａおよび対向陰極箔２０の表面２０Ｂのうち、陽極化成箔１０の表面１０Ａにのみ、第１固体電解質層６０Ａが形成されている。

また、図６においては、対向する陽極化成箔１０の表面１０Ｂおよび対向陰極箔２０の表面２０Ａのうち、陽極化成箔１０の表面１０Ｂにのみ、第１固体電解質層６０Ａが形成されている。そして、対向する陽極化成箔１０の表面１０Ａおよび対向陰極箔２０の表面２０Ｂのうち、対向陰極箔２０の表面２０Ｂにのみ、第１固体電解質層６０Ｂが形成されている。

上記の実施の形態１と同様に、図５および図６においては、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂの表面（本発明における「主表面」）に、凹凸が形成されている。より具体的には、第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａ，および第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂに、凹凸が形成されている。陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とは巻回されているため、上記の実施の形態と同様に、第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａに形成された凹凸，および第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂに形成された凹凸により、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０との間には、隙間Ｃが形成されている。

隙間Ｃが形成されていることにより、図５に示すように、対向する表面６２Ａ，２０Ｂおよび対向する表面６２Ｂ，２０Ａが密着することを抑制している。また、隙間Ｃが形成されていることにより、図６に示すように、対向する表面６２Ａ，２０Ａおよび対向する表面６２Ｂ，１０Ａが密着することを抑制している。隙間Ｃ（図５および図６）には、第２固体電解質層７０が形成されている。なお、隙間Ｃには、電解液８０が充填されていてもよい。電解コンデンサは、以上のように構成されていてもよく、上記実施の形態１で説明した効果と同様の効果を得ることが可能となる。

（実施の形態２：電解コンデンサの製造方法）
図３を参照して、本実施の形態における電解コンデンサの製造方法について説明する。本実施の形態における電解コンデンサ１は、次のように製造される。

（陽極化成箔１０・対向陰極箔２０）
まず、陽極化成箔１０を準備する。陽極化成箔１０を得るために、アルミニウムなどの金属を、所定の寸法の金属箔１１として裁断する。金属箔１１の表面１１Ａ，１１Ｂをエッチング等により粗面化し、粗面化した表面１１Ａ，１１Ｂに対し化成処理を行なう。当該化成処理により、粗面化した表面１１Ａ，１１Ｂに誘電体酸化被膜１２Ａ，１２Ｂが形成される。

当該化成処理は、アルミニウムなどの金属を、金属箔１１として裁断する前に行なわれるとなおよい。裁断する前のアルミニウムなどの金属の表面を、エッチング等により粗面化し、粗面化した表面に対して化成処理を行なう。当該化成処理により、粗面化した表面に誘電体酸化被膜が形成されたアルミニウムなどの金属を、金属箔１１として裁断する。以上のようにして、陽極化成箔１０を準備することができる。

次に、対向陰極箔２０を準備する。対向陰極箔２０は、金属箔（２０）の表面２０Ａ，２０Ｂに対し、化成処理を行なわずに準備される。なお、対向陰極箔２０は、陽極化成箔１０と略同様に準備されていてもよい。以上のようにして、対向陰極箔２０を準備することができる。

（第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄ）
陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを準備した後、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが巻回されることにより対向する少なくとも一方の表面に、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄを形成する。本実施の形態においては、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の双方に、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄがそれぞれ形成されている。なお、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０を準備するとき、金属箔として裁断する前に、上記一方（若しくは双方）の表面を構成する陽極化成箔１０または対向陰極箔２０の表面に、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄを形成してもよい。

陽極化成箔１０または対向陰極箔２０の表面に形成される第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０を、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子の分散体（微粒子）からなる分散体溶液に含浸または塗布した後、乾燥させることによって導電性高分子層として形成することができる。

陽極化成箔１０または対向陰極箔２０の表面に形成される第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０を、ポリアニリンを溶媒に溶かした分散液（可溶体溶液）に含浸または塗布した後、乾燥させることによって導電性高分子層として形成してもよい。

陽極化成箔１０または対向陰極箔２０の表面に形成される第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０に対して、電解重合により導電性高分子層として形成してもよい。たとえば、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０を、モノマーとしてのピロールまたはチオフェンと、導電性高分子に導電性を付与するドーパントとを含む重合液に浸漬した状態で電圧を印加することにより、導電性高分子層を形成することができる。

陽極化成箔１０または対向陰極箔２０の表面に形成される第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０に対して、化学重合により導電性高分子層として形成してもよい。たとえば、陽極化成箔１０または対向陰極箔２０を、モノマーとしてのピロールまたはチオフェンと、酸化剤（兼ドーパント）とを含む重合液に浸漬させた後、引き上げてから加熱することによって重合反応を完了させることにより、導電性高分子層を形成することができる。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄは、実施の形態１（図３）、および実施の形態１の他の構成（図５，図６）で説明したように、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の双方に形成されていてもよく、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面のうち、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とが対向する表面の一方に形成されていてもよい。

（第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面に形成される凹凸）
陽極化成箔１０の表面または対向陰極箔２０の表面に、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄを形成した後、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの（主）表面に凹凸を形成する。この凹凸は、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの（主）表面の全面にわたって形成してもよい。なお、全面にわたってとは、あくまでも後述する隙間Ｃを形成させることが必要な表面の全面という意味であり、隙間Ｃが形成されていない表面が一部でも存在すれば本発明の技術的範囲に属しないとするものではない。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面に形成される凹凸は、導電性高分子の分散体溶液または可溶体溶液を用いて、ドクターブレード法により形成することができる。

第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面に形成される凹凸は、導電性高分子の分散体溶液または可溶体溶液を用いて、インクジェット法により第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの表面に塗布する（吹き付ける）ことにより形成してもよい。

なお、実施の形態１（図４）で説明したのと同様に、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率は、約０．０５以上約０．９以下であるとよい。より好ましくは、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率が、約０．３以上約０．７以下であるとよい。

（巻回・電解質形成）
図１を再び参照して、第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの（主）表面に凹凸を形成した後、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを重ね合わせた状態で、セパレータを介さずに巻回する。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０を巻回した後、たとえば対向陰極箔２０の一端に設けられた巻止テープ３０などで、陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の巻回状態を保持する。

陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを巻回するとき、陽極化成箔１０に陽極側のリードタブ端子４０を接続し、陽極側のリードタブ端子４０に陽極リード線４４を接続する。同様に、対向陰極箔２０に陰極側のリードタブ端子４２を接続し、陰極側のリードタブ端子４２に陰極リード線４６を接続する。以上により、コンデンサ素子１００を得ることができる。

コンデンサ素子１００に対し、切り口化成処理と熱処理とを行なう。切り口化成処理および熱処理を行なったコンデンサ素子１００の内部（上記凹凸により陽極化成箔と対向陰極箔との間に形成された隙間Ｃ）に、電解質を形成する。

隙間Ｃに形成する電解質は、化学重合させることにより、導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成する。たとえば、コンデンサ素子１００の内部に、モノマーとしてのピロールまたはチオフェンと、酸化剤（兼ドーパント）とを含む重合液を含浸させた後、コンデンサ素子１００を引き上げてから加熱することによって重合反応を完了させることにより、導電性高分子層を形成することができる。

隙間Ｃに形成する電解質は、隙間Ｃにポリチオフェンまたはポリピロールの分散体（微粒子）からなる分散体溶液を含浸させた後、乾燥させることによって導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成してもよい。

隙間Ｃに形成する電解質は、隙間Ｃにポリアニリンを溶媒に溶かした分散液（可溶体溶液）に含浸させた後、乾燥させることにより導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成してもよい。

隙間Ｃに形成する電解質は、隙間Ｃをモノマーとしてのピロールまたはチオフェンと、導電性高分子に導電性を付与するドーパントとを含む重合液に浸漬した状態で、電圧を印加することにより電解重合させて導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成してもよい。

隙間Ｃに形成する電解質は、隙間Ｃにγーブチロラクトンと有機アミン塩とを含む電解液８０を充填させることにより形成してもよい。

隙間Ｃに第２固体電解質層７０が形成され、または隙間Ｃに電解液８０が充填されたコンデンサ素子１００を、ケース５６（図２）に収納する。コンデンサ素子１００をケース５６に収納した後、封止用ゴム４８をコンデンサ素子１００を覆うように、ケース５６の開口部側に挿入する。

封止用ゴム４８を挿入した後、ケース５６の開口部に対して、横絞り処理とカール処理とを行ない、封止用ゴム４８を固定する。次に、エージング処理を行ない、ケース５６に形成されたカール面にプラスチック製の座板５０を挿入し、各リード線４４，４６を電極端子としてプレス加工および折り曲げ加工を行なう。以上のようにして、電解コンデンサ１が製造される。

（効果）
本実施の形態における電解コンデンサの製造方法によれば、実施の形態１の効果で説明したのと同様に、対向する第１固体電解質層６０Ｂの表面６２Ｂおよび第１固体電解質層６０Ｃの表面６２Ｃ、ならびに、対向する第１固体電解質層６０Ａの表面６２Ａおよび第１固体電解質層６０Ｄの表面６２Ｄにそれぞれ形成された凹凸により、隙間Ｃが形成されている。隙間Ｃが形成されていることにより、対向する表面６２Ｂ，６２Ｃおよび対向する表面６２Ａ，６２Ｄが密着することを抑制している。

対向する表面６２Ｂ，６２Ｃおよび対向する表面６２Ａ，６２Ｄが密着していないため、隙間Ｃに設けられている第２固体電解質層７０若しくは電解液８０は、隙間Ｃを利用して十分に含浸若しくは充填された上で設けられている。したがって、本実施の形態における電解コンデンサの製造方法によれば、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子１００を備える電解コンデンサの製造方法であって、陽極化成箔１０と対向陰極箔２０との間に形成された隙間Ｃに、所望の特性を十分に発揮することができる電解質を形成することを可能としている。なお、当該所望の特性については、実施例として詳細に後述する。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例・比較例）
以下、図７を参照して、本発明に係る実施例１〜実施例９、および本発明に関する比較例１および比較例２について、詳細に説明する。実施例１〜実施例９、および比較例１、２は、いずれもセパレータを介さずに巻回された電解コンデンサである。実施例１〜実施例９、および比較例１、２による電解コンデンサの各電気特性は、以下にそれぞれ説明している構成に基づき作成した電解コンデンサの３０個の平均値を示している。当該電解コンデンサの大きさは、φ約８ｍｍ×高さ約１２．０ｍｍである。

図７において、電解コンデンサの電気特性として示している静電容量Ｃａｐ（μＦ）および損失角の正接ｔａｎδ（％）は、約１２０Ｈｚの周波数で測定した結果である。等価直列抵抗ＥＳＲ（ｍΩ）は、約１００ｋＨｚの周波数で測定した結果である。リーク電流ＬＣ（μＡ）は、定格電圧４．０Ｖを印加した後、約２分後の値である。

（実施例１）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０（図３）の表面１０Ａ，１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂとして、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体を含む分散体溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層を形成した。対向陰極箔２０の表面２０Ａ，２０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｃ，６０Ｄとして、陽極化成箔１０と同様に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体を含む分散体溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層を形成した。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの膜厚は、それぞれ約０．１μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約５％とした。

隙間Ｃに形成する電解質は、モノマーとしての３，４−エチレンジオキシチオフェンと、酸化剤（兼ドーパント）としてのｐ−トルエンスルホン酸第二鉄アルコール溶液とを、コンデンサ素子の内部に重合液として含浸させ、化学重合させることにより、導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成した。

（実施例２）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別は、実施例１と同様にした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの膜厚は、それぞれ約５μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約５０％とした。隙間Ｃに形成する電解質は、実施例１と同様にした。

（実施例３）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別は、実施例１と同様にした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの膜厚は、それぞれ約２０μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約９０％とした。隙間Ｃに形成する電解質は、実施例１と同様にした。

（実施例４）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０（図３）の表面１０Ａ，１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂとして、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体を含む溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層を形成した。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｂの膜厚は、それぞれ約５μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｂの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約９０％とした。なお、対向陰極箔２０の表面２０Ａ，２０Ｂには、第１固体電解質層を形成していない。隙間Ｃに形成する電解質は、実施例１と同様にした。

（実施例５）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０（図３）の表面１０Ａ，１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂとして、ポリピロールの分散体を含む溶液を含浸させることにより導電性高分子層を形成した。対向陰極箔２０の表面２０Ａ，２０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｃ，６０Ｄとして、陽極化成箔１０と同様に、ポリピロールを電解重合させることにより、導電性高分子層を形成した。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの膜厚は、それぞれ約５μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約５０％とした。隙間Ｃに形成する電解質は、実施例１と同様にした。

（実施例６）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０（図３）の表面１０Ａ，１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂとして、ポリアニリンを含む溶液を含浸または塗布することにより、導電性高分子層を形成した。対向陰極箔２０の表面２０Ａ，２０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｃ，６０Ｄとして、陽極化成箔１０と同様に、ポリアニリンを含浸または塗布することにより、導電性高分子層を形成した。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの膜厚は、それぞれ約５μｍとした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約５０％とした。隙間Ｃに形成する電解質は、実施例１と同様にした。

（実施例７）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別、膜厚、および比率（Ｄ／Ｔ値）は、実施例２と同様にした。隙間Ｃに形成する電解質は、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体溶液を含浸させることにより、導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成した。

（実施例８）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別、膜厚、および比率（Ｄ／Ｔ値）は、実施例６と同様にした。隙間Ｃに形成する電解質は、ポリアニリンの可溶体溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成した。

（実施例９）
本実施例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別、膜厚、および比率（Ｄ／Ｔ値）は、実施例２と同様にした。隙間Ｃに形成する電解質は、γーブチロラクトンの電解液８０を充填させることにより形成した。

（比較例１）
本比較例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別、膜厚は、実施例２と同様にした。第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの厚さＴに対する凹部の深さＤの比率（Ｄ／Ｔ値）は、約４％とした。隙間Ｃに形成する電解質は、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体溶液を含浸させることにより、導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成した。

（比較例２）
本比較例における電解コンデンサは、次のように構成した。陽極化成箔１０および対向陰極箔２０の表面にそれぞれ形成した第１固体電解質層６０Ａ〜６０Ｄの種別、膜厚、および比率（Ｄ／Ｔ値）は、比較例１と同様にした。隙間Ｃに形成する電解質は、電解液８０を充填させることにより形成した。

上記の実施例・比較例（図７）から、比率（Ｄ／Ｔ値）が約５％未満となると、実施例１と、比較例１および比較例２とを比較すると明らかなとおり、等価直列抵抗ＥＳＲが急峻に高くなる。一方、比率（Ｄ／Ｔ値）が約９０％を超えると、第１固体電解質層（６０Ａ〜６０Ｄ）の表面に形成する凹凸が大きくなり、凸部を中心に被膜破壊が発生する。したがって、実施例１〜実施例９にも示しているとおり、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部に対する凹部の深さの比率が、約０．０５以上約０．９以下であるとよいことがわかる。また、実施例１〜実施例９にも示しているとおり、第１固体電解質層６０の厚さＴは、約０．１μｍ以上にするとよいことがわかる。

（他の実施例）
以下、図４，図８および図９を参照して、本発明に係る他の実施例について説明する。図４を参照して、当該他の実施例においては、第１固体電解質層６０の厚さＴと、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸の凹部の深さＤとの関係（Ｄ／Ｔ値）から得られる等価直列抵抗ＥＳＲ特性の推移について説明する。

具体的には、図８を参照して、第１固体電解質層６０の膜厚Ｔを０．１μｍ，５μｍ，および２０μｍに設定し、それぞれの膜厚Ｔに対して、Ｄ／Ｔ値を５％未満，５％，１０％〜９０％，および９０％超に設定して電解コンデンサを作製した。

また、当該電解コンデンサにおいては、陽極化成箔１０（図３）の表面１０Ａ，１０Ｂに、第１固体電解質層６０Ａ，６０Ｂとして、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体を含む分散体溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層を形成した。対向陰極箔２０の表面２０Ａ，２０Ｂに、第１固体電解質層６０Ｃ，６０Ｄとして、陽極化成箔１０と同様に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンの分散体を含む分散体溶液を含浸または塗布することにより導電性高分子層を形成した。また、隙間Ｃに形成する電解質は、モノマーとしての３，４−エチレンジオキシチオフェンと、酸化剤（兼ドーパント）としてのｐ−トルエンスルホン酸第二鉄アルコール溶液とを、コンデンサ素子の内部に重合液として含浸させ、化学重合させることにより、導電性高分子層（第２固体電解質層７０）として形成した。

上記の各場合における電解コンデンサの等価直列抵抗ＥＳＲを測定した。図９は、図８をグラフ化したものを示している。図８および図９を参照して、第１固体電解質層６０の膜厚Ｔが０．１μｍ，５μｍ，および２０μｍのいずれの場合においても、Ｄ／Ｔ比率が５％未満となると、等価直列抵抗ＥＳＲが急峻に高くなることがわかる。

また、第１固体電解質層６０の膜厚Ｔが０．１μｍ，５μｍ，および２０μｍのいずれの場合においても、Ｄ／Ｔ比率が５％以上２０％未満、および８０％以上９０％未満のときは、あまり等価直列抵抗ＥＳＲに変化は見られない。一方、Ｄ／Ｔ比率が３０％以上約７０％以下のときは、等価直列抵抗ＥＳＲが低下する傾向にあることがわかる。したがって、第１固体電解質層６０の表面６２に形成される凹凸は、その凸部の厚さに対する凹部の深さの比率が、約３０％以上約７０％以下であるとよいことがわかる。

以上、本発明の発明を実施するための形態について説明したが、今回開示された形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 電解コンデンサ、１０ 陽極化成箔、１０Ａ，１０Ｂ，１１Ａ，１１Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，６２，６２Ａ〜６２Ｄ 表面、１１ 金属箔、１２Ａ，１２Ｂ 誘電体酸化被膜、２０ 対向陰極箔、３０ 巻止テープ、４０，４２ リードタブ端子、４４ 陽極リード線、４６ 陰極リード線、４８ 封止用ゴム、５０ 座板、５２，５４ 開口部、５６ ケース、６０，６０Ａ〜６０Ｄ 第１固体電解質層、７０ 第２固体電解質層、８０ 電解液、１００ コンデンサ素子、Ｃ 隙間。

Claims (8)

1. 陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、
   前記陽極化成箔および前記対向陰極箔の表面のうち、前記陽極化成箔と前記対向陰極箔とが対向する少なくとも一方の表面には第１固体電解質層が形成され、
   前記第１固体電解質層の主表面には凹凸が形成され、
   前記凹凸により前記陽極化成箔と前記対向陰極箔との間に形成された隙間には、電解液または導電性高分子を含む第２固体電解質層が充填されている、
   電解コンデンサ。
2. 前記第１固体電解質層の厚さは０．１μｍ以上である、請求項１に記載の電解コンデンサ。
3. 前記凹凸における凸部の厚さに対する凹部の深さの比率は、０．０５以上０．９以下である、請求項１または２に記載の電解コンデンサ。
4. 前記凹凸は、前記第１固体電解質層の前記主表面の全面にわたって形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の電解コンデンサ。
5. 陽極化成箔と対向陰極箔とを準備する工程と、
   主表面に凹凸を有する第１固体電解質層を、前記陽極化成箔および前記対向陰極箔の表面のうち、前記陽極化成箔と前記対向陰極箔とが巻回されることにより対向する少なくとも一方の表面に形成する工程と、
   前記陽極化成箔と前記対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回する工程と、
   前記陽極化成箔と前記対向陰極箔とを巻回した後、前記凹凸により前記陽極化成箔と前記対向陰極箔との間に形成された隙間に、電解液または導電性高分子を含む第２固体電解質層を充填する工程とを備える、電解コンデンサの製造方法。
6. 前記第１固体電解質層の厚さは０．１μｍ以上である、請求項５に記載の電解コンデンサの製造方法。
7. 前記凹凸における凸部の厚さに対する凹部の深さの比率は、０．０５以上０．９以下である、請求項５または６に記載の電解コンデンサの製造方法。
8. 前記凹凸は、前記第１固体電解質層の前記主表面の全面にわたって形成されている、請求項５から７のいずれかに記載の電解コンデンサの製造方法。

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