JP2000241202A - センサ装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L27/00—Testing or calibrating of apparatus for measuring fluid pressure
- G01L27/002—Calibrating, i.e. establishing true relation between transducer output value and value to be measured, zeroing, linearising or span error determination
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D18/00—Testing or calibrating apparatus or arrangements provided for in groups G01D1/00 - G01D15/00
- G01D18/008—Testing or calibrating apparatus or arrangements provided for in groups G01D1/00 - G01D15/00 with calibration coefficients stored in memory
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01D3/02—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups with provision for altering or correcting the law of variation
- G01D3/022—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups with provision for altering or correcting the law of variation having an ideal characteristic, map or correction data stored in a digital memory
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
- G01L9/065—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサ出力の高精度化を確実に実現するこ
と。 【解決手段】 センサ回路部１において、信号処理回路
１２は、圧力検出用ブリッジ回路３からの検出信号Ｓｄ
を増幅したデータ信号ＳＤを出力し、調整回路１３は、
データ信号ＳＤの大きさが予め設定された目標値となる
ように、入力端子Ｖｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる
電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔに基づいた調整処理を
行う。データ発生部２において、第１のＥＰＲＯＭ１４
は、各電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔの大きさをそれ
ぞれ設定するための最大で１２ビット程度の特性調整用
量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔを記憶可能に構成
され、第２のＥＰＲＯＭ１５は、第１のＥＰＲＯＭ１４
から読み出された特性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、
Δｚ、Δｔに対しそれぞれ加減算される最大で３ビット
程度の微調整用量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、
Δｔ′を記憶可能に構成されている。
と。 【解決手段】 センサ回路部１において、信号処理回路
１２は、圧力検出用ブリッジ回路３からの検出信号Ｓｄ
を増幅したデータ信号ＳＤを出力し、調整回路１３は、
データ信号ＳＤの大きさが予め設定された目標値となる
ように、入力端子Ｖｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる
電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔに基づいた調整処理を
行う。データ発生部２において、第１のＥＰＲＯＭ１４
は、各電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔの大きさをそれ
ぞれ設定するための最大で１２ビット程度の特性調整用
量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔを記憶可能に構成
され、第２のＥＰＲＯＭ１５は、第１のＥＰＲＯＭ１４
から読み出された特性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、
Δｚ、Δｔに対しそれぞれ加減算される最大で３ビット
程度の微調整用量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、
Δｔ′を記憶可能に構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサ出力の大き
さを予め設定された目標値に調整できるようにしたセン
サ装置に関する。
さを予め設定された目標値に調整できるようにしたセン
サ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、圧力や加速度などの物理量を検出
するためのセンサ装置においては、そのセンサ出力の高
精度化が要望されている。これに対して、センサ装置の
製造過程では、物理量検出のために設けられたセンサ要
素に種々の応力（熱応力も含む）が作用する関係上、セ
ンサ出力の大きさが設計値から変動することが避けられ
ない。このため、センサ出力の大きさが完成したセンサ
装置毎にばらつくことになり、そのままではセンサ出力
の高精度化が困難になる。
するためのセンサ装置においては、そのセンサ出力の高
精度化が要望されている。これに対して、センサ装置の
製造過程では、物理量検出のために設けられたセンサ要
素に種々の応力（熱応力も含む）が作用する関係上、セ
ンサ出力の大きさが設計値から変動することが避けられ
ない。このため、センサ出力の大きさが完成したセンサ
装置毎にばらつくことになり、そのままではセンサ出力
の高精度化が困難になる。
【０００３】そこで、従来では、センサ装置中に、セン
サ出力の大きさを調整するための特性調整用量子化デー
タを書き込むための記憶回路（例えばＥＰＲＯＭ）と、
この記憶回路から読み出した量子化データに基づいてセ
ンサ出力の大きさを調整するための調整回路とを設ける
構成とすることが広く行われている。このような構成を
採用する場合には、センサ装置のための一連の組み付け
工程が終了した後に、そのセンサ出力が目標値となるよ
うな大きさの特性調整用量子化データを前記記憶回路に
書き込むという調整工程を行うことになる。
サ出力の大きさを調整するための特性調整用量子化デー
タを書き込むための記憶回路（例えばＥＰＲＯＭ）と、
この記憶回路から読み出した量子化データに基づいてセ
ンサ出力の大きさを調整するための調整回路とを設ける
構成とすることが広く行われている。このような構成を
採用する場合には、センサ装置のための一連の組み付け
工程が終了した後に、そのセンサ出力が目標値となるよ
うな大きさの特性調整用量子化データを前記記憶回路に
書き込むという調整工程を行うことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば車載
用のセンサ装置においては、その使用環境条件が民生品
より厳しいため、上記のような調整工程の実行後におい
て、常温での特性検査の他に、高温及び低温の各雰囲気
での特性検査をそれぞれ行う場合がある。このため、上
記のような特性検査に伴う熱履歴の影響によってセンサ
出力が変動することがあり、場合によっては、不良品が
発生して歩留まりが低下する。また、高感度のセンサ装
置では、上記高温及び低温の雰囲気での特性検査を行わ
ない場合（熱履歴の影響を受けない場合）でも、調整工
程の実行後における微妙な熱履歴や組み付け応力（例え
ば、センサ要素の搭載のために接着剤を使用した場合に
時間の経過に伴って接着剤部分で発生する応力）の影響
によってセンサ出力が変動する恐れがあり、センサ出力
を十分に高精度化することが困難であった。
用のセンサ装置においては、その使用環境条件が民生品
より厳しいため、上記のような調整工程の実行後におい
て、常温での特性検査の他に、高温及び低温の各雰囲気
での特性検査をそれぞれ行う場合がある。このため、上
記のような特性検査に伴う熱履歴の影響によってセンサ
出力が変動することがあり、場合によっては、不良品が
発生して歩留まりが低下する。また、高感度のセンサ装
置では、上記高温及び低温の雰囲気での特性検査を行わ
ない場合（熱履歴の影響を受けない場合）でも、調整工
程の実行後における微妙な熱履歴や組み付け応力（例え
ば、センサ要素の搭載のために接着剤を使用した場合に
時間の経過に伴って接着剤部分で発生する応力）の影響
によってセンサ出力が変動する恐れがあり、センサ出力
を十分に高精度化することが困難であった。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、従来以上にセンサ出力の高精度化を
確実に実現できるようになるセンサ装置を提供すること
にある。
あり、その目的は、従来以上にセンサ出力の高精度化を
確実に実現できるようになるセンサ装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載した手段を採用できる。この手段によ
れば、信号処理回路は、センサ要素が発生する検出信号
を所定の出力信号として出力する構成となっており、ま
た、調整回路は、上記のような信号処理回路からの出力
信号の大きさが予め設定された目標値となるように、第
１記憶回路に記憶されている特性調整用データに基づい
た調整処理を行う構成となっている。従って、例えば、
センサ装置を完成させるのに必要な一連の組み付け工程
が終了した後に、第１記憶回路に対して、上記のような
調整処理後の出力信号の大きさが予め設定された目標値
となるような特性調整用データを書き込んでおけば、そ
の出力信号の大きさが目標値と合致した状態となるよう
に調整できる。これにより検出精度が向上するようにな
る。
に請求項１に記載した手段を採用できる。この手段によ
れば、信号処理回路は、センサ要素が発生する検出信号
を所定の出力信号として出力する構成となっており、ま
た、調整回路は、上記のような信号処理回路からの出力
信号の大きさが予め設定された目標値となるように、第
１記憶回路に記憶されている特性調整用データに基づい
た調整処理を行う構成となっている。従って、例えば、
センサ装置を完成させるのに必要な一連の組み付け工程
が終了した後に、第１記憶回路に対して、上記のような
調整処理後の出力信号の大きさが予め設定された目標値
となるような特性調整用データを書き込んでおけば、そ
の出力信号の大きさが目標値と合致した状態となるよう
に調整できる。これにより検出精度が向上するようにな
る。
【０００７】また、上記のような第１記憶回路の他に、
当該第１記憶回路に記憶される特性調整用データを微調
整するための微調整用データを記憶する第２記憶回路が
設けられているから、例えば、センサ装置の製造工程の
最終段階において前記調整処理後の出力信号の大きさが
目標値から変動した状況となった場合には、当該第２記
憶回路に対し微調整用データを書き込むことによって、
上記のような出力信号の変動を補正するための微調整を
実行できる。
当該第１記憶回路に記憶される特性調整用データを微調
整するための微調整用データを記憶する第２記憶回路が
設けられているから、例えば、センサ装置の製造工程の
最終段階において前記調整処理後の出力信号の大きさが
目標値から変動した状況となった場合には、当該第２記
憶回路に対し微調整用データを書き込むことによって、
上記のような出力信号の変動を補正するための微調整を
実行できる。
【０００８】従って、センサ装置の製造過程における種
々のセンサ出力変動要因を排除できて、当該センサ装置
の出荷直前の段階でその出力調整状態を最適なものとす
ることができるため、センサ出力を十分に高精度化でき
るようになる。しかも、上記微調整用データのデータ量
はきわめて少なくて済むから、これを記憶するための第
２記憶回路として容量が小さいものを利用できて、安価
な構成とすることができる。
々のセンサ出力変動要因を排除できて、当該センサ装置
の出荷直前の段階でその出力調整状態を最適なものとす
ることができるため、センサ出力を十分に高精度化でき
るようになる。しかも、上記微調整用データのデータ量
はきわめて少なくて済むから、これを記憶するための第
２記憶回路として容量が小さいものを利用できて、安価
な構成とすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体圧力センサ
装置に適用した一実施例について、図面を参照しながら
説明する。全体の電気的構成を示す図１において、本実
施例による半導体圧力センサ装置は、圧力検出用のセン
サ回路部１と、この前段にセンサ回路部１の感度調整や
ゼロオフセット調整に必要なデータを出力するためのデ
ータ発生部２とを備えた構成となっている。この場合、
センサ回路部１が有する入力端子Ｖｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖ
ｔには、データ発生部２から後述のように出力される感
度調整用の電圧信号Ｓｋ、この感度の温度特性補正用の
電圧信号Ｓｘ、ゼロオフセット調整用の電圧信号Ｓｚ、
このゼロオフセットの温度特性補正用の電圧信号Ｓｔが
それぞれ与えられるようになっている。
装置に適用した一実施例について、図面を参照しながら
説明する。全体の電気的構成を示す図１において、本実
施例による半導体圧力センサ装置は、圧力検出用のセン
サ回路部１と、この前段にセンサ回路部１の感度調整や
ゼロオフセット調整に必要なデータを出力するためのデ
ータ発生部２とを備えた構成となっている。この場合、
センサ回路部１が有する入力端子Ｖｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖ
ｔには、データ発生部２から後述のように出力される感
度調整用の電圧信号Ｓｋ、この感度の温度特性補正用の
電圧信号Ｓｘ、ゼロオフセット調整用の電圧信号Ｓｚ、
このゼロオフセットの温度特性補正用の電圧信号Ｓｔが
それぞれ与えられるようになっている。
【００１０】上記センサ回路部１が有する圧力検出用ブ
リッジ回路３（本発明でいうセンサ要素に相当：以下、
単にブリッジ回路と呼ぶ）は、半導体チップに設けたダ
イヤフラム上に拡散抵抗より成るピエゾ抵抗素子ＲＡ、
ＲＢ、ＲＣ、ＲＤを図示のようにブリッジ接続した周知
のものである。抵抗素子ＲＡ、ＲＤの抵抗値は、ダイヤ
フラムに作用する圧力（本発明でいう所定の物理量に相
当）の増大に応じて減少し、抵抗ＲＢ、ＲＣの抵抗値
は、ダイヤフラムに作用する圧力の増大に応じて増加す
る。
リッジ回路３（本発明でいうセンサ要素に相当：以下、
単にブリッジ回路と呼ぶ）は、半導体チップに設けたダ
イヤフラム上に拡散抵抗より成るピエゾ抵抗素子ＲＡ、
ＲＢ、ＲＣ、ＲＤを図示のようにブリッジ接続した周知
のものである。抵抗素子ＲＡ、ＲＤの抵抗値は、ダイヤ
フラムに作用する圧力（本発明でいう所定の物理量に相
当）の増大に応じて減少し、抵抗ＲＢ、ＲＣの抵抗値
は、ダイヤフラムに作用する圧力の増大に応じて増加す
る。
【００１１】このブリッジ回路３には、電源端子＋Ｖcc
からカレントミラー回路４内のｐｎｐ型トランジスタ４
ａを通じて電流が供給されるようになっており、その電
流供給状態では、当該ブリッジ回路３の一方の出力端子
Ｑ１（抵抗素子ＲＡ及びＲＢの共通接続点）の電位が印
加圧力の増大に応じて上昇し、また、他方の出力端子Ｑ
２（抵抗素子ＲＣ及びＲＤの共通接続点）の電位が印加
圧力の増大に応じて低下する。従って、出力端子Ｑ１及
びＱ２間からは、印加圧力に応じた信号量（電圧レベ
ル）の検出信号Ｓｄが出力されることになる。
からカレントミラー回路４内のｐｎｐ型トランジスタ４
ａを通じて電流が供給されるようになっており、その電
流供給状態では、当該ブリッジ回路３の一方の出力端子
Ｑ１（抵抗素子ＲＡ及びＲＢの共通接続点）の電位が印
加圧力の増大に応じて上昇し、また、他方の出力端子Ｑ
２（抵抗素子ＲＣ及びＲＤの共通接続点）の電位が印加
圧力の増大に応じて低下する。従って、出力端子Ｑ１及
びＱ２間からは、印加圧力に応じた信号量（電圧レベ
ル）の検出信号Ｓｄが出力されることになる。
【００１２】センサ回路部１は、上記カレントミラー回
路４の他に、以下に述べるようなアナログ回路要素を備
えている。尚、これらの回路要素は、前記ブリッジ回路
とは異なる半導体チップ上に形成されたものである。
路４の他に、以下に述べるようなアナログ回路要素を備
えている。尚、これらの回路要素は、前記ブリッジ回路
とは異なる半導体チップ上に形成されたものである。
【００１３】高入力インピーダンス差動増幅回路５は、
オペアンプ５ａ、５ｂ及び抵抗５ｃ、５ｄ、５ｅを組み
合わせて成る周知のもので、前記ブリッジ回路３から出
力される検出信号Ｓｄを増幅する。増幅された検出信号
Ｓｄは、オペアンプ６ａ及びその帰還抵抗６ｂより成る
補正演算回路６で増幅された後に、電圧レベルのデータ
信号ＳＤとして出力端子Ｖout から出力される。尚、上
記データ信号ＳＤの大きさは、上記オペアンプ６ａの反
転入力端子に接続された基準電位端子Ｖgnd との間の電
位差で示される。
オペアンプ５ａ、５ｂ及び抵抗５ｃ、５ｄ、５ｅを組み
合わせて成る周知のもので、前記ブリッジ回路３から出
力される検出信号Ｓｄを増幅する。増幅された検出信号
Ｓｄは、オペアンプ６ａ及びその帰還抵抗６ｂより成る
補正演算回路６で増幅された後に、電圧レベルのデータ
信号ＳＤとして出力端子Ｖout から出力される。尚、上
記データ信号ＳＤの大きさは、上記オペアンプ６ａの反
転入力端子に接続された基準電位端子Ｖgnd との間の電
位差で示される。
【００１４】基準電圧発生回路７は、ブリッジ回路３に
対する印加圧力及び温度と無関係に一定レベルの基準電
圧信号Ｓａに基づく信号を発生するためもので、電源端
子＋Ｖcc及びグランド端子間に直列接続された抵抗７
ａ、７ｂ、オペアンプ７ｃ及びその帰還抵抗７ｄより成
る。オペアンプ７ｃから出力される基準電圧信号Ｓａに
基づく信号は、補正演算回路６内のオペアンプ６ａに対
して、回路定数のばらつきなどに起因した誤差を補正す
るための信号として与えられる。尚、差動増幅回路５の
増幅出力電圧は、基準電圧発生回路７の出力電圧相当値
だけ持ち上げられる回路構成となる。
対する印加圧力及び温度と無関係に一定レベルの基準電
圧信号Ｓａに基づく信号を発生するためもので、電源端
子＋Ｖcc及びグランド端子間に直列接続された抵抗７
ａ、７ｂ、オペアンプ７ｃ及びその帰還抵抗７ｄより成
る。オペアンプ７ｃから出力される基準電圧信号Ｓａに
基づく信号は、補正演算回路６内のオペアンプ６ａに対
して、回路定数のばらつきなどに起因した誤差を補正す
るための信号として与えられる。尚、差動増幅回路５の
増幅出力電圧は、基準電圧発生回路７の出力電圧相当値
だけ持ち上げられる回路構成となる。
【００１５】電圧−電流変換回路８は、前記カレントミ
ラー回路４のミラー電流の大きさが所定レベルとなるよ
うに調整するためのもので、入力端子Ｖｋに与えられる
前記感度調整用の電圧信号Ｓｋを受けるオペアンプ８ａ
と、このオペアンプ８ａの出力がベースに接続されたｎ
ｐｎ型トランジスタ８ｂと、このトランジスタ８ｂのエ
ミッタ及びグランド端子間に接続された抵抗８ｃより成
る。この場合、カレントミラー回路４内のｐｎｐ型トラ
ンジスタ４ｂのコレクタ電流は、上記トランジスタ８ｂ
及び抵抗８ｃを通じて流れる。
ラー回路４のミラー電流の大きさが所定レベルとなるよ
うに調整するためのもので、入力端子Ｖｋに与えられる
前記感度調整用の電圧信号Ｓｋを受けるオペアンプ８ａ
と、このオペアンプ８ａの出力がベースに接続されたｎ
ｐｎ型トランジスタ８ｂと、このトランジスタ８ｂのエ
ミッタ及びグランド端子間に接続された抵抗８ｃより成
る。この場合、カレントミラー回路４内のｐｎｐ型トラ
ンジスタ４ｂのコレクタ電流は、上記トランジスタ８ｂ
及び抵抗８ｃを通じて流れる。
【００１６】このように構成された電圧−電流変換回路
８にあっては、トランジスタ８ｂ及び抵抗８ｃに流れる
電流ｉ１を、オペアンプ８ａに与えられる電圧信号Ｓｋ
に応じた大きさとなるように制御するものであり、前記
ブリッジ回路３には、上記電流ｉ１に比例したレベルの
電流Ｉがカレントミラー回路４を通じて供給されること
になる。従って、データ発生部２から入力端子Ｖｋに与
える電圧信号Ｓｋのレベルを変化させることにより、ブ
リッジ回路３のセンサ感度を調整できる。
８にあっては、トランジスタ８ｂ及び抵抗８ｃに流れる
電流ｉ１を、オペアンプ８ａに与えられる電圧信号Ｓｋ
に応じた大きさとなるように制御するものであり、前記
ブリッジ回路３には、上記電流ｉ１に比例したレベルの
電流Ｉがカレントミラー回路４を通じて供給されること
になる。従って、データ発生部２から入力端子Ｖｋに与
える電圧信号Ｓｋのレベルを変化させることにより、ブ
リッジ回路３のセンサ感度を調整できる。
【００１７】第１の温度検出回路９は、入力端子Ｖｘに
与えられる前記感度の温度特性補正用の電圧信号Ｓｘを
受けるオペアンプ９ａの他に、前記入力端子Ｖｋ及びト
ランジスタ８ｂのエミッタに対して図示のように接続さ
れた抵抗９ｂ〜９ｆ及びオペアンプ９ｇを備えたもの
で、抵抗９ｂ（オペアンプ９ｇの帰還抵抗）は温度特性
を有した温度補償用の抵抗（例えば拡散抵抗）、抵抗９
ｃ〜９ｆは温度特性がない抵抗（例えばＣｒＳｉ）であ
る。この場合、各抵抗９ｃ〜９ｆの抵抗値は、センサ回
路部１が予め決められた基準温度にある状態において第
１の温度検出回路９からの出力電流ｉｘがゼロとなるよ
うに設定される。
与えられる前記感度の温度特性補正用の電圧信号Ｓｘを
受けるオペアンプ９ａの他に、前記入力端子Ｖｋ及びト
ランジスタ８ｂのエミッタに対して図示のように接続さ
れた抵抗９ｂ〜９ｆ及びオペアンプ９ｇを備えたもの
で、抵抗９ｂ（オペアンプ９ｇの帰還抵抗）は温度特性
を有した温度補償用の抵抗（例えば拡散抵抗）、抵抗９
ｃ〜９ｆは温度特性がない抵抗（例えばＣｒＳｉ）であ
る。この場合、各抵抗９ｃ〜９ｆの抵抗値は、センサ回
路部１が予め決められた基準温度にある状態において第
１の温度検出回路９からの出力電流ｉｘがゼロとなるよ
うに設定される。
【００１８】このように構成された第１の温度検出回路
９にあっては、入力端子Ｖｘに電圧信号Ｓｘが与えられ
ると、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ９ａに
よって、当該温度検出回路９に流れ込む電流が当該電圧
信号Ｓｘに応じたレベルとなるように制御される。この
場合、センサ回路部１の温度が上記基準温度と異なる状
態では、ｉｘ≠０になるため、抵抗８ｃに電流ｉｘが流
れる。この電流ｉｘによって、カレントミラー回路４を
通じてブリッジ回路３に流れ込む前記電流Ｉが補正され
る。従って、データ発生部２から入力端子Ｖｘに与える
電圧信号Ｓｘのレベルを変化させることにより、ブリッ
ジ回路３の感度についての温度特性の補正を行い得る。
９にあっては、入力端子Ｖｘに電圧信号Ｓｘが与えられ
ると、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ９ａに
よって、当該温度検出回路９に流れ込む電流が当該電圧
信号Ｓｘに応じたレベルとなるように制御される。この
場合、センサ回路部１の温度が上記基準温度と異なる状
態では、ｉｘ≠０になるため、抵抗８ｃに電流ｉｘが流
れる。この電流ｉｘによって、カレントミラー回路４を
通じてブリッジ回路３に流れ込む前記電流Ｉが補正され
る。従って、データ発生部２から入力端子Ｖｘに与える
電圧信号Ｓｘのレベルを変化させることにより、ブリッ
ジ回路３の感度についての温度特性の補正を行い得る。
【００１９】電圧入力回路１０は、入力端子Ｖｚに与え
られる前記ゼロオフセット調整用の電圧信号Ｓｚを受け
るオペアンプ１０ａと、このオペアンプ１０ａの出力側
に接続された抵抗１０ｂより成る。
られる前記ゼロオフセット調整用の電圧信号Ｓｚを受け
るオペアンプ１０ａと、このオペアンプ１０ａの出力側
に接続された抵抗１０ｂより成る。
【００２０】このように構成された電圧入力回路１０に
あっては、入力端子Ｖｚに電圧信号Ｓｚが与えられる
と、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ１０ａに
よって、当該電圧入力回路１０に流れ込む電流が当該電
圧信号Ｓｚに応じたレベルとなるように制御される。こ
の電流は、抵抗１０ｂを通じて前記補正演算回路６の帰
還抵抗６ｂ並びに基準電位端子Ｖgnd に与えられること
によって、出力端子Ｖout から出力されるデータ信号Ｓ
Ｄの電位を変化させる。従って、データ発生部２から入
力端子Ｖｚに与える電圧信号Ｓｚのレベルを変化させる
ことにより、センサ出力（データ信号ＳＤ）のゼロオフ
セットを調節できる。
あっては、入力端子Ｖｚに電圧信号Ｓｚが与えられる
と、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ１０ａに
よって、当該電圧入力回路１０に流れ込む電流が当該電
圧信号Ｓｚに応じたレベルとなるように制御される。こ
の電流は、抵抗１０ｂを通じて前記補正演算回路６の帰
還抵抗６ｂ並びに基準電位端子Ｖgnd に与えられること
によって、出力端子Ｖout から出力されるデータ信号Ｓ
Ｄの電位を変化させる。従って、データ発生部２から入
力端子Ｖｚに与える電圧信号Ｓｚのレベルを変化させる
ことにより、センサ出力（データ信号ＳＤ）のゼロオフ
セットを調節できる。
【００２１】第２の温度検出回路１１は、入力端子Ｖｔ
に与えられる前記ゼロオフセットの温度特性補正用の電
圧信号Ｓｔを受けるオペアンプ１１ａの他に、前記基準
電圧発生回路７の出力端子及び基準電位端子Ｖgnd に対
して図示のように接続された抵抗１１ｂ〜１１ｆ及びオ
ペアンプ１１ｇを備えたもので、抵抗１１ｂ（オペアン
プ１１ｇの帰還抵抗）は温度特性を有した温度補償用の
抵抗（例えば拡散抵抗）、抵抗１１ｃ〜１１ｆは温度特
性がない抵抗（例えばＣｒＳｉ）である。この場合、各
抵抗１１ｃ〜１１ｆの抵抗値は、センサ回路部１が予め
決められた基準温度にある状態において第２の温度検出
回路１１からの出力電流ｉｔがゼロとなるように設定さ
れる。
に与えられる前記ゼロオフセットの温度特性補正用の電
圧信号Ｓｔを受けるオペアンプ１１ａの他に、前記基準
電圧発生回路７の出力端子及び基準電位端子Ｖgnd に対
して図示のように接続された抵抗１１ｂ〜１１ｆ及びオ
ペアンプ１１ｇを備えたもので、抵抗１１ｂ（オペアン
プ１１ｇの帰還抵抗）は温度特性を有した温度補償用の
抵抗（例えば拡散抵抗）、抵抗１１ｃ〜１１ｆは温度特
性がない抵抗（例えばＣｒＳｉ）である。この場合、各
抵抗１１ｃ〜１１ｆの抵抗値は、センサ回路部１が予め
決められた基準温度にある状態において第２の温度検出
回路１１からの出力電流ｉｔがゼロとなるように設定さ
れる。
【００２２】このように構成された第２の温度検出回路
１１にあっては、入力端子Ｖｔに電圧信号Ｓｔが与えら
れると、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ１１
ａによって、当該温度検出回路１１に流れ込む電流が当
該電圧信号Ｓｔに応じたレベルとなるように制御され
る。この場合、センサ回路部１の温度が上記基準温度と
異なる状態では、ｉｔ≠０になるため、その電流ｉｔが
補正演算回路６内の帰還抵抗６ｂ並びに基準電位端子Ｖ
gnd に与えられることによって、出力端子Ｖoutから出
力されるデータ信号ＳＤの電位を変化させる。従って、
データ発生部２から入力端子Ｖｔに与える電圧信号Ｓｔ
のレベルを変化させることにより、センサ出力（データ
信号ＳＤ）のゼロオフセットについての温度特性の補正
を行い得る。
１１にあっては、入力端子Ｖｔに電圧信号Ｓｔが与えら
れると、ボルテージフォロワを構成するオペアンプ１１
ａによって、当該温度検出回路１１に流れ込む電流が当
該電圧信号Ｓｔに応じたレベルとなるように制御され
る。この場合、センサ回路部１の温度が上記基準温度と
異なる状態では、ｉｔ≠０になるため、その電流ｉｔが
補正演算回路６内の帰還抵抗６ｂ並びに基準電位端子Ｖ
gnd に与えられることによって、出力端子Ｖoutから出
力されるデータ信号ＳＤの電位を変化させる。従って、
データ発生部２から入力端子Ｖｔに与える電圧信号Ｓｔ
のレベルを変化させることにより、センサ出力（データ
信号ＳＤ）のゼロオフセットについての温度特性の補正
を行い得る。
【００２３】上述した上記したカレントミラー回路４、
差動増幅回路５、補正演算回路６、基準電圧発生回路７
によって、本発明でいう信号処理回路１２が構成される
ものであり、この信号処理回路１２は、ブリッジ回路３
からの検出信号Ｓｄを増幅して、出力端子Ｖout からア
ナログ電圧値のデータ信号ＳＤとして出力することにな
る。また、上述した電圧−電流変換回路８、第１の温度
検出回路９、電圧入力回路１０、第２の温度検出回路１
１によって、本発明でいう調整回路１３が構成されるも
のであり、この調整回路１３は、上記データ信号ＳＤの
大きさが予め設定された目標値となるように、データ発
生部２から与えられる電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔ
に基づいた調整処理を行うことになる。
差動増幅回路５、補正演算回路６、基準電圧発生回路７
によって、本発明でいう信号処理回路１２が構成される
ものであり、この信号処理回路１２は、ブリッジ回路３
からの検出信号Ｓｄを増幅して、出力端子Ｖout からア
ナログ電圧値のデータ信号ＳＤとして出力することにな
る。また、上述した電圧−電流変換回路８、第１の温度
検出回路９、電圧入力回路１０、第２の温度検出回路１
１によって、本発明でいう調整回路１３が構成されるも
のであり、この調整回路１３は、上記データ信号ＳＤの
大きさが予め設定された目標値となるように、データ発
生部２から与えられる電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔ
に基づいた調整処理を行うことになる。
【００２４】一方、上記データ発生部２は、以下のよう
な構成となっている。第１のＥＰＲＯＭ１４（本発明で
いう第１記憶回路に相当）には、前記各電圧信号Ｓｋ、
Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔの大きさをそれぞれ設定するための所
定データ量（例えば最大で１２ビット程度）の特性調整
用量子化データ（特性調整用データ）Δｋ、Δｘ、Δ
ｚ、Δｔを記憶できるように構成されている。また、上
記第１のＥＰＲＯＭ１４とは独立した状態で設けられた
第２のＥＰＲＯＭ１５（本発明でいう第２記憶回路に相
当）には、上記第１のＥＰＲＯＭ１４から読み出された
特性調整用量子化データ（微調整用データ）Δｋ、Δ
ｘ、Δｚ、Δｔに対しそれぞれ加減算される所定データ
量（例えば最大で３ビット程度）の微調整用量子化デー
タΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を記憶できるように
構成されている。
な構成となっている。第１のＥＰＲＯＭ１４（本発明で
いう第１記憶回路に相当）には、前記各電圧信号Ｓｋ、
Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔの大きさをそれぞれ設定するための所
定データ量（例えば最大で１２ビット程度）の特性調整
用量子化データ（特性調整用データ）Δｋ、Δｘ、Δ
ｚ、Δｔを記憶できるように構成されている。また、上
記第１のＥＰＲＯＭ１４とは独立した状態で設けられた
第２のＥＰＲＯＭ１５（本発明でいう第２記憶回路に相
当）には、上記第１のＥＰＲＯＭ１４から読み出された
特性調整用量子化データ（微調整用データ）Δｋ、Δ
ｘ、Δｚ、Δｔに対しそれぞれ加減算される所定データ
量（例えば最大で３ビット程度）の微調整用量子化デー
タΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を記憶できるように
構成されている。
【００２５】コントロールブロック１６は、上記各ＥＰ
ＲＯＭ１４、１５に対するデータ書き込み及びデータ読
み出し制御などを行うためのものであり、また、加減算
回路１７は、第１のＥＰＲＯＭ１４から読み出された特
性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔの各々に
対し、第２のＥＰＲＯＭ１５から読み出された微調整用
量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を個別に
加減算するようになっており、各演算結果は、ＡＤ変換
回路群１８を介して前記センサ回路部１の各入力端子Ｖ
ｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる。
ＲＯＭ１４、１５に対するデータ書き込み及びデータ読
み出し制御などを行うためのものであり、また、加減算
回路１７は、第１のＥＰＲＯＭ１４から読み出された特
性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔの各々に
対し、第２のＥＰＲＯＭ１５から読み出された微調整用
量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を個別に
加減算するようになっており、各演算結果は、ＡＤ変換
回路群１８を介して前記センサ回路部１の各入力端子Ｖ
ｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる。
【００２６】従って、センサ回路部１の各入力端子Ｖ
ｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる電圧信号Ｓｋ、Ｓ
ｘ、Ｓｚ、Ｓｔのレベルは、第１のＥＰＲＯＭ１４に記
憶する特性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔ
によって広い範囲で変更設定できるものであり、また、
その設定後の各電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔのレベ
ルを、第２のＥＰＲＯＭ１５に記憶する微調整用量子化
データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′によって微調整
できる。
ｋ、Ｖｘ、Ｖｚ、Ｖｔに与えられる電圧信号Ｓｋ、Ｓ
ｘ、Ｓｚ、Ｓｔのレベルは、第１のＥＰＲＯＭ１４に記
憶する特性調整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔ
によって広い範囲で変更設定できるものであり、また、
その設定後の各電圧信号Ｓｋ、Ｓｘ、Ｓｚ、Ｓｔのレベ
ルを、第２のＥＰＲＯＭ１５に記憶する微調整用量子化
データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′によって微調整
できる。
【００２７】上記第１及び第２のＥＰＲＯＭ１４及び１
５の各々に対する量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔ
及びΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′の書き込みは、例
えば半導体圧力センサ装置の製造工程中で行うものであ
る。以下、そのデータ書き込みタイミングの一例を図２
に基づいて説明する。
５の各々に対する量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔ
及びΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′の書き込みは、例
えば半導体圧力センサ装置の製造工程中で行うものであ
る。以下、そのデータ書き込みタイミングの一例を図２
に基づいて説明する。
【００２８】即ち、図２は製造工程の流れを概略的に示
すものであり、半導体圧力センサ装置を完成させるのに
必要な一連の組み付け工程Ｓ１が終了した後に、第１の
ＥＰＲＯＭ１４に対して特性調整用量子化データΔｋ、
Δｘ、Δｚ、Δｔを書き込むための調整工程Ｓ２を行
う。この調整工程Ｓ２では、信号処理回路１２から出力
されるアナログ電圧値のデータ信号ＳＤの大きさが、調
整回路１３による調整処理に応じて予め設定された目標
値（設計値）となるような特性調整用量子化データΔ
ｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔを書き込むものである。これによ
り、センサ出力の感度調整及びその温度特性が補正され
ると共に、センサ出力のゼロオフセット調整及びその温
度特性が補正され、ブリッジ回路３に対する印加圧力の
検出精度が向上するようになる。
すものであり、半導体圧力センサ装置を完成させるのに
必要な一連の組み付け工程Ｓ１が終了した後に、第１の
ＥＰＲＯＭ１４に対して特性調整用量子化データΔｋ、
Δｘ、Δｚ、Δｔを書き込むための調整工程Ｓ２を行
う。この調整工程Ｓ２では、信号処理回路１２から出力
されるアナログ電圧値のデータ信号ＳＤの大きさが、調
整回路１３による調整処理に応じて予め設定された目標
値（設計値）となるような特性調整用量子化データΔ
ｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔを書き込むものである。これによ
り、センサ出力の感度調整及びその温度特性が補正され
ると共に、センサ出力のゼロオフセット調整及びその温
度特性が補正され、ブリッジ回路３に対する印加圧力の
検出精度が向上するようになる。
【００２９】上記のような調整工程Ｓ２の実行後には、
低温雰囲気でセンサ出力特性などを検査する低温検査工
程Ｓ３、高温雰囲気でセンサ出力特性など検査する高温
検査工程Ｓ５、室温雰囲気でセンサ出力特性などを検査
する室温検査工程Ｓ６が順次実行される。そして、上記
室温検査工程Ｓ５では、データ信号ＳＤのレベルが初期
設定値（前記調整工程Ｓ２で設定した目標値）に対し許
容値以上変動した半導体圧力センサ装置を抽出するもの
である。抽出した圧力センサ装置には、最終微調整工程
Ｓ６において、第２のＥＰＲＯＭ１５に対し微調整量子
化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を書き込むこ
とによって、上記のようなデータ信号ＳＤの初期設定値
からの変動を補正するものである。具体的には、例え
ば、ゼロオフセット調整のための特性調整用量子化デー
タΔｚが「５２５（デシマル値）」に設定された状態時
に、当該量子化データΔｚの１ビット当たりのオフセッ
ト調整量が１ｍＶであった場合を想定する。この場合に
おいて、室温検査工程Ｓ５においてデータ信号のレベル
が５ｍＶ低下したことが判明したときには、第２のＥＰ
ＲＯＭ１５に対し微調整量子化データΔｚ′として
「５」相当値を書き込むことで、ゼロオフセット調整の
ための特性調整用量子化データΔｚは、「５３０」（＝
５２５＋５）という値に変更される。
低温雰囲気でセンサ出力特性などを検査する低温検査工
程Ｓ３、高温雰囲気でセンサ出力特性など検査する高温
検査工程Ｓ５、室温雰囲気でセンサ出力特性などを検査
する室温検査工程Ｓ６が順次実行される。そして、上記
室温検査工程Ｓ５では、データ信号ＳＤのレベルが初期
設定値（前記調整工程Ｓ２で設定した目標値）に対し許
容値以上変動した半導体圧力センサ装置を抽出するもの
である。抽出した圧力センサ装置には、最終微調整工程
Ｓ６において、第２のＥＰＲＯＭ１５に対し微調整量子
化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′を書き込むこ
とによって、上記のようなデータ信号ＳＤの初期設定値
からの変動を補正するものである。具体的には、例え
ば、ゼロオフセット調整のための特性調整用量子化デー
タΔｚが「５２５（デシマル値）」に設定された状態時
に、当該量子化データΔｚの１ビット当たりのオフセッ
ト調整量が１ｍＶであった場合を想定する。この場合に
おいて、室温検査工程Ｓ５においてデータ信号のレベル
が５ｍＶ低下したことが判明したときには、第２のＥＰ
ＲＯＭ１５に対し微調整量子化データΔｚ′として
「５」相当値を書き込むことで、ゼロオフセット調整の
ための特性調整用量子化データΔｚは、「５３０」（＝
５２５＋５）という値に変更される。
【００３０】従って、本実施例のように、センサ出力
（データ信号ＳＤ）の目標値を設定するために使用され
る第１のＥＰＲＯＭ１４の他に、その設定目標値の変動
を補正するために使用される第２のＥＰＲＯＭ１５を設
けた半導体圧力センサ装置によれば、その半導体圧力セ
ンサ装置の製造過程における種々のセンサ出力変動要因
を排除できて、当該センサ装置の出荷直前の段階でその
出力調整状態を最適なものとすることができるため、セ
ンサ出力を十分に高精度化できる。また、センサ出力の
変動に対処するために、第１のＥＰＲＯＭ１４のデータ
を紫外線照射により一旦消去して再書き込みするという
手法を採用した場合には、その再書き込み所要時間が長
くなるという問題点が出てくるが、本実施例によれば、
このような長時間を要する工程が不要となるから、製造
所要時間の短縮も実現できる。
（データ信号ＳＤ）の目標値を設定するために使用され
る第１のＥＰＲＯＭ１４の他に、その設定目標値の変動
を補正するために使用される第２のＥＰＲＯＭ１５を設
けた半導体圧力センサ装置によれば、その半導体圧力セ
ンサ装置の製造過程における種々のセンサ出力変動要因
を排除できて、当該センサ装置の出荷直前の段階でその
出力調整状態を最適なものとすることができるため、セ
ンサ出力を十分に高精度化できる。また、センサ出力の
変動に対処するために、第１のＥＰＲＯＭ１４のデータ
を紫外線照射により一旦消去して再書き込みするという
手法を採用した場合には、その再書き込み所要時間が長
くなるという問題点が出てくるが、本実施例によれば、
このような長時間を要する工程が不要となるから、製造
所要時間の短縮も実現できる。
【００３１】しかも、上記した調整工程Ｓ２において感
度調整やゼロオフセット調整などが行われた場合、その
後におけるセンサ出力の変動量は、半導体圧力センサ装
置の製造過程で生ずるセンサ出力のばらつき量に比べて
きわめて小さいため、第２のＥＰＲＯＭ１５に記憶する
微調整用量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′
のデータ量は、第１のＥＰＲＯＭ１４に記憶する特性調
整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔに比べて大幅
に小さくなる（当該量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δ
ｔが１０ビットであった場合、２〜３ビット程度）。従
って、第２のＥＰＲＯＭ１５として容量が小さいものを
利用できて、装置全体を安価な構成とすることができ
る。
度調整やゼロオフセット調整などが行われた場合、その
後におけるセンサ出力の変動量は、半導体圧力センサ装
置の製造過程で生ずるセンサ出力のばらつき量に比べて
きわめて小さいため、第２のＥＰＲＯＭ１５に記憶する
微調整用量子化データΔｋ′、Δｘ′、Δｚ′、Δｔ′
のデータ量は、第１のＥＰＲＯＭ１４に記憶する特性調
整用量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δｔに比べて大幅
に小さくなる（当該量子化データΔｋ、Δｘ、Δｚ、Δ
ｔが１０ビットであった場合、２〜３ビット程度）。従
って、第２のＥＰＲＯＭ１５として容量が小さいものを
利用できて、装置全体を安価な構成とすることができ
る。
【００３２】尚、本発明は上記した実施例に限定される
ものではなく、次のような変形または拡張が可能であ
る。信号処理回路１２と調整回路１３とをそれぞれ別個
に設ける構成としたが、ブリッジ回路３からの検出信号
Ｓｄを、直接或いは増幅回路で増幅した後にＡＤ変換回
路によりデジタル値の信号に変換して演算処理する回路
構成とする場合などには、上記信号処理回路１２及び調
整回路１３の機能を同一のデジタル演算回路（例えばマ
イクロコンピュータ）によって実現する構成とすること
ができる。
ものではなく、次のような変形または拡張が可能であ
る。信号処理回路１２と調整回路１３とをそれぞれ別個
に設ける構成としたが、ブリッジ回路３からの検出信号
Ｓｄを、直接或いは増幅回路で増幅した後にＡＤ変換回
路によりデジタル値の信号に変換して演算処理する回路
構成とする場合などには、上記信号処理回路１２及び調
整回路１３の機能を同一のデジタル演算回路（例えばマ
イクロコンピュータ）によって実現する構成とすること
ができる。
【００３３】また、被検出物理量の信号量を示す検出信
号として、アナログ電圧値の検出信号Ｓｄを得る構成と
したが、検出信号の形態はこのような電圧値に限られる
ものではなく、例えば時間信号（パルス周期或いは周波
数）のような形態の検出信号を得る構成としても良い。
さらに、センサ要素による検出対象は、上記実施例のよ
うな圧力に限定されるものではなく、加速度、角速度、
トルク、速度、磁束、湿度、流量、濃度などのような他
の物理量を検出対象とすることも可能である。記憶回路
及び補助記憶回路をＥＰＲＯＭにより構成したが、例え
ばフラッシュメモリなど他の不揮発性メモリにより構成
しても良いことは勿論である。
号として、アナログ電圧値の検出信号Ｓｄを得る構成と
したが、検出信号の形態はこのような電圧値に限られる
ものではなく、例えば時間信号（パルス周期或いは周波
数）のような形態の検出信号を得る構成としても良い。
さらに、センサ要素による検出対象は、上記実施例のよ
うな圧力に限定されるものではなく、加速度、角速度、
トルク、速度、磁束、湿度、流量、濃度などのような他
の物理量を検出対象とすることも可能である。記憶回路
及び補助記憶回路をＥＰＲＯＭにより構成したが、例え
ばフラッシュメモリなど他の不揮発性メモリにより構成
しても良いことは勿論である。
【図１】本発明の一実施例の電気的構成を示す図
【図２】製造工程の内容を概略的に示すフローチャート
１はセンサ回路部、２はデータ発生部、３は圧力検出用
ブリッジ回路（センサ要素）、４はカレントミラー回
路、５は差動増幅回路、６は補正演算回路、７は基準電
圧発生回路、８は電圧−電流変換回路、９は第１の温度
検出回路、１０は電圧入力回路、１１は第２の温度検出
回路、１２は信号処理回路、１３は調整回路、１４は第
１のＥＰＲＯＭ（第１記憶回路）、１５は第２のＥＰＲ
ＯＭ（第２記憶回路）、１７は加減算回路を示す。
ブリッジ回路（センサ要素）、４はカレントミラー回
路、５は差動増幅回路、６は補正演算回路、７は基準電
圧発生回路、８は電圧−電流変換回路、９は第１の温度
検出回路、１０は電圧入力回路、１１は第２の温度検出
回路、１２は信号処理回路、１３は調整回路、１４は第
１のＥＰＲＯＭ（第１記憶回路）、１５は第２のＥＰＲ
ＯＭ（第２記憶回路）、１７は加減算回路を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の物理量を検出して検出信号を発生
するセンサ要素と、 前記検出信号を処理して所定の出力信号を出力する信号
処理回路と、 センサ出力特性を調整するための特性調整用データを記
憶する第１記憶回路と、 前記信号処理回路からの出力信号の大きさが予め設定さ
れた目標値となるように、前記第１記憶回路に記憶され
る特性調整用データに基づいた調整処理を行う調整回路
と、 前記第１記憶回路に記憶される前記特性調整用データを
微調整するための微調整用データを記憶する第２記憶回
路とを設けたことを特徴とするセンサ装置。 - 【請求項２】 前記第１記憶回路と前記第２記憶回路は
異なる回路として構成され、両回路は独立した回路素子
により形成されるものであることを特徴とする請求項１
記載のセンサ装置。 - 【請求項３】 前記第１記憶回路に記憶される特性調整
用データに対して前記第２記憶回路に記憶される微調整
用データを選択的に加算若しくは減算する演算を行う加
減算回路を備え、この加減算回路による演算結果を前記
調整回路に前記調整処理用のデータとして与えることを
特徴とする請求項１または２記載のセンサ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046561A JP2000241202A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | センサ装置 |
| US09/512,274 US6456954B1 (en) | 1999-02-24 | 2000-02-24 | Sensing apparatus for detecting a physical quantity, including memory circuits storing characteristics adjusting data |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046561A JP2000241202A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241202A true JP2000241202A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12750744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046561A Withdrawn JP2000241202A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | センサ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6456954B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000241202A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014102095A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | センサ閾値決定回路 |
| CN111442876A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-07-24 | 武汉钢铁有限公司 | 一种变送器智能校验系统 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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