JP2006105870A - 温度センサおよび温度センサの補正方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ヒューズメモリを設けて初期値および補正値を格納し、該値によって測定値を補正することにより、測定値について、バラツキの補正をして精度の向上を図ることができる温度センサおよび温度センサの補正方法を提供する。
【解決手段】 温度センサ1において、コントロールロジック回路11は温度センサ1の制御を行う。温度センサ1の作り込みにおいて、コントロールロジック回路11は温度センサ回路12から周囲温度に対する特性を測定した結果を読み込み、その結果から初期値および補正値を得て、該値をヒューズメモリ13に記憶する。また、温度センサ1の動作時において、コントロールロジック回路11は、初期値および補正値をヒューズメモリ13から読み出し、該値を用いて温度センサ回路12の測定値を補正する。
【選択図】 図1
【解決手段】 温度センサ1において、コントロールロジック回路11は温度センサ1の制御を行う。温度センサ1の作り込みにおいて、コントロールロジック回路11は温度センサ回路12から周囲温度に対する特性を測定した結果を読み込み、その結果から初期値および補正値を得て、該値をヒューズメモリ13に記憶する。また、温度センサ1の動作時において、コントロールロジック回路11は、初期値および補正値をヒューズメモリ13から読み出し、該値を用いて温度センサ回路12の測定値を補正する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば、携帯電話機に搭載される方位測定用の地磁気センサの温度補償に用いられ、ヒューズメモリに格納された初期値および補正値を使用して測定値を補正する温度センサおよび温度センサの補正方法に関する。
従来、半導体チップ上に形成される温度センサには、例えば、図3に示す温度センサ回路12が用いられる。温度センサ回路12は、オペアンプOAと、ダイオードD1〜D2と、抵抗R1〜R3と、A/D(Analog/Digital)コンバータADCとから構成される。オペアンプOAおよびダイオードD1〜D2ならびに抵抗R1〜R3は一般的なバンドギャップリファレンス回路を構成する。
オペアンプOAの非反転入力端がダイオードD1のアノードに接続され、ダイオードD1のカソードが接地される。オペアンプOAの反転入力端が抵抗R3の一端に接続され、抵抗R3の他端がダイオードD2のアノードに接続され、ダイオードD2のカソードが接地される。オペアンプOAの出力端が抵抗R1を介して非反転入力端に接続されると共に、抵抗R2を介して反転入力端に接続される。
尚、オペアンプOAの出力端に、該バンドギャップリファレンス回路の出力電圧Vrefを出力する出力端OpVrefが接続され、オペアンプOAの非反転入力端に、ダイオードD1にかかる電圧Vbeを出力する出力端OpVbeが接続される。
尚、オペアンプOAの出力端に、該バンドギャップリファレンス回路の出力電圧Vrefを出力する出力端OpVrefが接続され、オペアンプOAの非反転入力端に、ダイオードD1にかかる電圧Vbeを出力する出力端OpVbeが接続される。
また、該バンドギャップリファレンス回路の出力端OpVrefがA/DコンバータADCの入力端IpVhに接続され、該バンドギャップリファレンス回路の出力端OpbeがA/DコンバータADCの入力端IpVlに接続される。A/DコンバータADCは、入力端IpVhにて入力した電圧と入力端IpVlにて入力した電圧との差の電圧VinをA/D(Analog/Digital)変換し、出力電圧の変換値である出力値Doutを出力する出力端OpDoutを設けている。尚、上述したA/DコンバータADCは電圧Vinの範囲を0〜1.25Vとし、該電圧Vinを1251ステップ(0〜1250)にてA/D変換して出力値Doutを出力する。
次に、温度センサ回路12の動作を説明する。オペアンプOAおよびダイオードD1〜D2ならびに抵抗R1〜R3から構成されるバンドギャップリファレンス回路が、電源電圧および温度依存性が少ない出力電圧Vref(=1.25V)を出力端OpVrefからA/DコンバータADCの入力端IpVhに出力し、約−2mV/℃の温度係数を有する出力電圧Vbeを出力端OpVbeからA/DコンバータADCの入力端IpVlに出力する。そして、A/DコンバータADCが、出力電圧Vrefと出力電圧Vbeとの差の電圧である電圧Vinを1251ステップにてA/D変換して出力値Doutを出力する。
このとき、出力電圧Vrefは電源電圧および温度依存性が少ないため、定数として扱うことができ、出力電圧Vbeは約−2mV/℃の温度係数を有するので、電圧Vinは出力電圧Vbeに応じて温度によって変化する。よって、出力値Doutが温度に応じて変化することになる。このとき、周囲温度Tが25℃のとき出力電圧Vbeが0.6Vであるとすると、出力値Doutは、下記の(式1)のようになる。
Dout=−2(T−25)+600 ・・・(式1)
(式1)より、周囲温度Tが30℃のときは出力電圧Vbeが0.59Vとなり、出力値Doutが590となる。
Dout=−2(T−25)+600 ・・・(式1)
(式1)より、周囲温度Tが30℃のときは出力電圧Vbeが0.59Vとなり、出力値Doutが590となる。
尚、本発明に関連する文献として、例えば、特許文献1には、ヒューズと抵抗群とを組み合わせたヒューズ回路により、該抵抗群の分圧比を調整し、該ヒューズ回路によって調整された出力電圧によって、製造プロセス変動の影響をなくし、高精度な温度補償を行うことができる温度センサ回路が記載されている。
特開2004−85384号公報
しかしながら、上述した温度センサ回路12においては、内部のバンドギャップリファレンス回路の出力電圧VrefおよびダイオードD1にかかる電圧Vbeについて、電圧値および温度特性が個体によるバラツキを有するため、測定値である出力値Doutの精度を向上させることが難しいという問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、ヒューズメモリを設けて初期値および補正値を格納し、該値によって測定値を補正することにより、測定値について、バラツキの補正をして精度の向上を図ることができる温度センサおよび温度センサの補正方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、この発明では、以下の手段を提案している。
請求項1に係る発明は、温度を検出する感温手段と、電流を流すことにより選択的に電気的切断が可能であり、その電気的切断状態により所定のデータを記憶するヒューズメモリと、製造時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記測定値に基づいて前記感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、前記測定値に基づいて前記感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む補正データ書込手段と、製造後の実使用時に、前記ヒューズメモリから前記初期値および補正値を読み出す補正データ読出手段と、前記実使用時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記補正データ読み出し手段によって読み出された初期値および補正値に基づいて前記感温手段の測定値の補正を行う補正手段とを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、温度センサの製造前において、補正データ書込手段が感温手段の測定値から感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、該測定値から感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めてヒューズメモリに書き込み、温度センサの実使用時において、補正データ読出手段がヒューズメモリから、初期値および補正値を読み出し、補正手段が該初期値および補正値に基づいて感温手段の測定値のバラツキを補正する。
請求項1に係る発明は、温度を検出する感温手段と、電流を流すことにより選択的に電気的切断が可能であり、その電気的切断状態により所定のデータを記憶するヒューズメモリと、製造時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記測定値に基づいて前記感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、前記測定値に基づいて前記感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む補正データ書込手段と、製造後の実使用時に、前記ヒューズメモリから前記初期値および補正値を読み出す補正データ読出手段と、前記実使用時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記補正データ読み出し手段によって読み出された初期値および補正値に基づいて前記感温手段の測定値の補正を行う補正手段とを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、温度センサの製造前において、補正データ書込手段が感温手段の測定値から感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、該測定値から感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めてヒューズメモリに書き込み、温度センサの実使用時において、補正データ読出手段がヒューズメモリから、初期値および補正値を読み出し、補正手段が該初期値および補正値に基づいて感温手段の測定値のバラツキを補正する。
請求項2に係る発明は、温度を検出する感温手段と、前記感温手段の測定値の処理を行う制御手段と、電流を流すことにより選択的に電気的切断が可能であり、その電気的切断状態により前記補正手段が補正に用いる補正データを記憶するヒューズメモリとを備えた温度センサにおける測定データを補正する温度センサの補正方法であって、製造時に、前記制御手段が前記感温手段の測定値を入力し、前記測定値に基づいて前記感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、前記測定値に基づいて前記感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む補正データ書込ステップと、製造後の実使用時に、前記制御手段が前記ヒューズメモリから前記初期値および補正値を読み出すステップと、前記実使用時に、前記制御手段が前記感温手段の測定値を入力し、前記補正データ読み出し手段によって読み出された初期値および補正値に基づいて前記感温手段の測定値の補正を行うステップとを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、温度センサの製造前において、補正データ書込手段が感温手段の測定値から感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、該測定値から感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めてヒューズメモリに書き込み、温度センサの実使用時において、補正データ読出手段がヒューズメモリから、初期値および補正値を読み出し、補正手段が該初期値および補正値に基づいて感温手段の測定値のバラツキを補正する。
この発明によれば、温度センサの製造前において、補正データ書込手段が感温手段の測定値から感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、該測定値から感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めてヒューズメモリに書き込み、温度センサの実使用時において、補正データ読出手段がヒューズメモリから、初期値および補正値を読み出し、補正手段が該初期値および補正値に基づいて感温手段の測定値のバラツキを補正する。
請求項3に係る発明は、請求項2に記載の温度センサの補正方法であって、前記補正データ書込ステップにて、前記感温手段の第1の温度に対する測定値から,予め定められた感温手段の第1の温度に対する理論値を減算して前記補正値を算出する処理と、前記感温手段の第2の温度に対する測定値から前記感温手段の第1の温度に対する測定値を減算した値を、前記第2の温度から前記第1の温度を減算した値によって除算し、予め定められた前記感温手段の理論上の感度によって除算して前記補正値を算出する処理と、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む処理とが行われることを特徴とする。
この発明によれば、補正データ書込ステップにて、第1の温度と第2の温度と、該温度における感温手段の測定値と、第1の温度における感温手段の理論値と、感温手段の感度の理論値によって、初期値および補正地が算出され、該値がヒューズメモリに書き込まれる。
この発明によれば、補正データ書込ステップにて、第1の温度と第2の温度と、該温度における感温手段の測定値と、第1の温度における感温手段の理論値と、感温手段の感度の理論値によって、初期値および補正地が算出され、該値がヒューズメモリに書き込まれる。
請求項1に記載の発明または請求項2に記載の発明によれば、ヒューズメモリによって記憶された感温手段の測定値の初期値および補正値に基づいて感温手段の測定値が補正され、感温手段の測定値を精度よく得ることができる効果がある。
請求項3に記載の発明によれば、第1の温度および第2の温度における測定値等により、感温手段の初期値および補正値が算出され、小容量のデータの記憶に有利なヒューズメモリに効率よく記憶させることができる効果がある。また、物理的にヒューズが切断されることにより初期値および補正値が記憶されるので、該初期値および補正値の変化を皆無にすることができる効果がある。
以下、図面を参照し、この発明の一実施形態について説明する。
図1に示すように、温度センサ1は、温度センサ1の制御を行うコントロールロジック回路11(補正データ書込手段)(補正データ読出手段)(補正手段)(制御手段)と、温度センサ回路12(感温手段)と、ヒューズメモリ13とからなり、1チップ上に構成される。コントロールロジック回路11は、温度センサ1の作り込みにおいて、温度センサ回路12から周囲温度に対する特性を測定した結果を読み込み、該結果に基づいて温度センサ回路12の測定値のバラツキを補正する 初期値を求め、また、該結果に基づいて温度センサ回路12の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、該値をヒューズメモリ13に記憶する。また、コントロールロジック回路11は、後述する、初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13から読み出し、該値を用いて温度センサ回路12からの測定値を補正する。尚、温度センサ回路12は従来によるものと同様のものである。
図1に示すように、温度センサ1は、温度センサ1の制御を行うコントロールロジック回路11(補正データ書込手段)(補正データ読出手段)(補正手段)(制御手段)と、温度センサ回路12(感温手段)と、ヒューズメモリ13とからなり、1チップ上に構成される。コントロールロジック回路11は、温度センサ1の作り込みにおいて、温度センサ回路12から周囲温度に対する特性を測定した結果を読み込み、該結果に基づいて温度センサ回路12の測定値のバラツキを補正する 初期値を求め、また、該結果に基づいて温度センサ回路12の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、該値をヒューズメモリ13に記憶する。また、コントロールロジック回路11は、後述する、初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13から読み出し、該値を用いて温度センサ回路12からの測定値を補正する。尚、温度センサ回路12は従来によるものと同様のものである。
ヒューズメモリ13は、コントロールロジック回路11からのある特定の入力信号に応じて、内部のワード線とビット線との交点に設けられたヒューズに過電流パルスを与えて溶断させることにより、該交点にデータを書き込む。また、コントロールロジック回路11からの別の入力信号に対して当該ワード線およびビット線との交点におけるヒューズの切断状態に応じて、該交点において書き込まれているデータを読み出し、コントロールロジック回路11に出力する。
次に、本実施形態による温度センサ1の作り込みにおいて、初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13に設定する動作を、図3(a)に示すフローチャートを参照して説明する。
先ず、温度センサ1の回路が形成されたウエハがチャック(ウエハを固定する治具)の上に置かれる。該チャックの底面には加熱用のヒータが取り付けられ、該ヒータは該チャックに接続されたテスタによって所望の熱を発生するように制御され、該ウエハを加熱する。次に、以下の手順にてセンサの特性の測定が行われる(ステップSa1)。
すなわち、ヒータがテスタによって温度T1(第1の温度)に制御される(ステップSa1)。次に、温度センサ回路12の特性の測定が行われる(ステップSa2)。そして、その結果をコントロールロジック回路11が、温度T1に対する温度センサ回路12の出力値Doutを出力値D1’(第1の温度に対する測定値)として、プローバを介して、テスタ内のメモリに一旦、入力する(ステップSa3)。次に、ヒータがテスタによって温度T2(第2の温度)に制御され(ステップSa4)、温度センサ回路12の特性の測定が行われ(ステップSa5)、その結果を、コントロールロジック回路11が、温度T2に対する温度センサ回路12の出力値Doutを出力値D2’(第1の温度に対する測定値)として、テスタ内のメモリに一旦、入力する(ステップSa6)。
次に、前述した(式1)を用いて、温度T1に対する出力値Doutの理論値D1(第1の温度に対する理論値)および温度T2に対する出力値Doutの理論値D2が算出される。そして、出力値D1’、D2’、理論値D1、温度T1、T2、(式1)の温度係数m(=−2)を用いて、以下のような演算にて、初期値ΔDおよび補正値Δkが算出される(ステップSa7)。
すなわち、初期値ΔDが、(式2)に示されるように、出力値D1’から理論値D1を減算することにより求められる。
ΔD=D1’−D1 ・・・(式2)
また、補正値Δkが、出力値D1’、D2’温度T1、T2、(式1)の温度係数mを用いて、(式3)に示される演算によって求められる。
Δk=(D2’−D1’)/〔(T2−T1)m 〕 ・・・(式3)
ΔD=D1’−D1 ・・・(式2)
また、補正値Δkが、出力値D1’、D2’温度T1、T2、(式1)の温度係数mを用いて、(式3)に示される演算によって求められる。
Δk=(D2’−D1’)/〔(T2−T1)m 〕 ・・・(式3)
次に、初期値ΔDおよび補正値Δkが、ヒューズメモリ13に記憶される(ステップSa8)。そして、初期値ΔDおよび補正値Δkを、ヒューズメモリ13に設定する動作が終了する。
次に、本実施形態による温度センサ1の実使用時の動作を説明する。尚、本実施形態においては、温度センサ1は測位動作を行う地磁気センサと共に携帯電話機に搭載され、該地磁気センサに付属する物理量センサとして該地磁気センサの温度補償に用いる周囲温度データを採取するのに用いられ、該地磁気センサの温度補償が必要になる場合のみ、該地磁気センサの指示によって動作する。
先ず、温度センサ1および地磁気センサを搭載した携帯電話機の電源が投入され、各部の動作が開始する。以下、図3(b)に示すフローチャートを参照して、温度センサ1の動作を説明する。尚、温度センサ1内のヒューズメモリ13には、前述した温度センサ回路12の初期値ΔDおよび補正値Δkが記憶されているものとする。
先ず、地磁気センサが、方位を測定する過程において方位測定データ温度補償を行うために、温度センサ1に現在の周囲温度の測定を指示する。そして、コントロールロジック回路11がヒューズメモリ13から初期値ΔDおよび補正値Δkを読み出す(ステップSb1)。次に、温度センサ回路12が温度測定を行う(ステップSb2)。次に、コントロールロジック回路11が、温度センサ回路12から温度測定データとして出力値Doutを読み出し、以下のような演算によって、前述した初期値ΔDおよび補正値Δkを用いて、出力値Doutを温度に変換した値である、温度出力値Toutが出力される(ステップSb3)。
すなわち、温度出力値Toutが、測定値D、理論値D1、初期値ΔD、補正値Δk、(式1)の温度係数mを用いて、(式4)に示される演算によって求められる。
Tout=〔D−(D1+ΔD)〕×〔1/(Δk×m)〕+T1(℃) ・・・(式4)
尚、初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13に設定する動作が温度T1を25℃として行われた場合、(式4)におけるT1は25℃となる。
Tout=〔D−(D1+ΔD)〕×〔1/(Δk×m)〕+T1(℃) ・・・(式4)
尚、初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13に設定する動作が温度T1を25℃として行われた場合、(式4)におけるT1は25℃となる。
そして、出力された温度出力値Toutが地磁気センサに出力され、方位データの温度補償が行われ、該方位データに基づいて、携帯電話機の表示画面上に地図データが表示される。そして、温度センサ1の動作が終了する。
以上のように、本実施形態によれば、温度センサ1の作り込み時において、コントロールロジック回路11が温度センサ回路12の初期値ΔDおよび補正値Δkをヒューズメモリ13に設定し、温度センサ1の実使用時において、コントロールロジック回路11がヒューズメモリ13から、ヒューズメモリ13に設定されている温度センサ回路12の初期値ΔDおよび補正値Δkを読み出して、該値により、温度出力値Toutの出力を行うことが可能になる。そのため、測定値について、個体によるバラツキの補正をして温度センサの測定値の精度の向上を図ることができる。
また、本実施形態においては、温度センサ回路12の感温素子としてサーミスタや熱電対を使用せず、ダイオードを使用しており、また、ヒューズをポリサイド(ポリシリコン)によって形成しているので、通常のCMOSプロセスによってメタルの配線層を新たに設けることなく、温度センサ1のチップを製造することができ、温度センサ1の製造工程を複雑にすることなくコストアップを回避することができる。
また、初期値ΔDおよび補正値Δkの格納用にヒューズメモリを用い、物理的にヒューズが切断されることにより初期値ΔDおよび補正値Δkが記憶されるので、該値の変化を皆無にすることができる。
また、初期値ΔDおよび補正値Δkを格納するためには32ビット程度の容量があればよいので、小容量(4〜数百ビット)のメモリを作り易いヒューズメモリは該値の格納用として好適である。
尚、本実施形態のように、地磁気センサと併用される温度センサについては、地磁気センサに2種類の金属が用いられるので、感温素子として該2種類の金属から形成される熱電対を使用してもよい。
また、本実施形態においては、温度センサ1を携帯電話機に搭載される地磁気センサの温度補償に用いることを想定したが、用途はこれには限定されず、温度センサ1を、温度補償を要する電子機器に用いてもよい。
また、温度センサ1の初期値ΔDおよび補正値Δkを算出するためのデータを一時的に記憶するためのメモリは、テスタ内のメモリに限らず、温度センサ1のチップ上にDRAMのキャッシュメモリや、別のヒューズメモリが形成され、上記のデータを一時的に記憶することが可能であるなら、それらのメモリを用いてもよい。
また、温度センサ1の初期値ΔDおよび補正値Δkを算出するためのデータの測定は、ウエハの製造工程の中において使用されるチャックを使用するため、他のテストのための機材を共用することができる。また、ウエハから切り分け(ダイシング)が行われたチップを、加熱用のヒータが設けられた試験用治具に装着して、ウエハと同様にプローバにて出力値を測定することもできる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での設計変更も含まれる。
1・・・温度センサ、11・・・コントロールロジック回路(補正データ書込手段)(補正データ読出手段)(補正手段)(制御手段)、12・・・温度センサ回路(感温手段)、13・・・ヒューズメモリ
Claims (3)
- 温度を検出する感温手段と、
電流を流すことにより選択的に電気的切断が可能であり、その電気的切断状態により所定のデータを記憶するヒューズメモリと、
製造時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記測定値に基づいて前記感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、前記測定値に基づいて前記感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む補正データ書込手段と、
製造後の実使用時に、前記ヒューズメモリから前記初期値および補正値を読み出す補正データ読出手段と、
前記実使用時に、前記感温手段の測定値を入力し、前記補正データ読み出し手段によって読み出された初期値および補正値に基づいて前記感温手段の測定値の補正を行う補正手段と、
を備えたことを特徴とする温度センサ。 - 温度を検出する感温手段と、前記感温手段の測定値の処理を行う制御手段と、電流を流すことにより選択的に電気的切断が可能であり、その電気的切断状態により前記補正手段が補正に用いる補正データを記憶するヒューズメモリとを備えた温度センサにおける測定データを補正する温度センサの補正方法であって、
製造時に、前記制御手段が前記感温手段の測定値を入力し、前記測定値に基づいて前記感温手段の測定値のバラツキを補正する初期値を求め、前記測定値に基づいて前記感温手段の感度のバラツキを補正する補正値を求めて、前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む補正データ書込ステップと、
製造後の実使用時に、前記制御手段が前記ヒューズメモリから前記初期値および補正値を読み出すステップと、
前記実使用時に、前記制御手段が前記感温手段の測定値を入力し、前記補正データ読み出し手段によって読み出された初期値および補正値に基づいて前記感温手段の測定値の補正を行うステップと、
を備えたことを特徴とする温度センサの補正方法。 - 前記補正データ書込ステップにて、
前記感温手段の第1の温度に対する測定値から,予め定められた感温手段の第1の温度に対する理論値を減算して前記補正値を算出する処理と、
前記感温手段の第2の温度に対する測定値から前記感温手段の第1の温度に対する測定値を減算した値を、前記第2の温度から前記第1の温度を減算した値によって除算し、予め定められた前記感温手段の理論上の感度によって除算して前記補正値を算出する処理と、
前記初期値および前記補正値に応じて前記ヒューズメモリの電気的切断を行うことにより、前記初期値および前記補正値を前記ヒューズメモリに書き込む処理と、
が行われることを特徴とする請求項2に記載の温度センサの補正方法。
Priority Applications (12)
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