JP2000162771A - フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。 - Google Patents

フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。

Info

Publication number
JP2000162771A
JP2000162771A JP33866199A JP33866199A JP2000162771A JP 2000162771 A JP2000162771 A JP 2000162771A JP 33866199 A JP33866199 A JP 33866199A JP 33866199 A JP33866199 A JP 33866199A JP 2000162771 A JP2000162771 A JP 2000162771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
polymer
following formula
represented
embedded image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33866199A
Other languages
English (en)
Inventor
Geun Su Lee
根守 李
Min Ho Jung
▲みん▼鎬 鄭
Jae Chang Jung
載昌 鄭
Cheol Kyu Bok
卜▲ちょる▼圭
Ki Ho Baik
基鎬 白
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of JP2000162771A publication Critical patent/JP2000162771A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Pyrane Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光敏感性のエポキシ基を含むフォトレジスト
ポリマーを製造可能であり、光酸発生剤を用いないか、
或いは最小限度で含みながらも、極短波長に対し高い感
度で反応する高性能のフォトレジスト組成物に利用可能
な新規のフォトレジスト用単量体を提供する。 【解決手段】 下記式（１）で示されることを特徴と
するフォトレジスト用単量体である。 【化１】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
キル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規のフォトレジス
ト用単量体、フォトレジスト用共重合体、及びこれを利
用したフォトレジスト組成物に関し、より詳しくは、遠
紫外線光源、特にArF光源を用いるリソグラフィー工程
に適したフォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重
合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレ
ジストパターンの形成方法、及び、半導体素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体素子の微細パターン形成工
程での高感度を達成するため、化学増幅性のＤＵＶ（De
ep Ultra Violet）フォトレジストが脚光を浴びてい
る。その組成は、光酸発生剤（photoacid generater）
と酸に敏感に反応する構造のマトリックス高分子化合物
を配合して製造されるものが主である。
【０００３】このようなフォトレジストの作用を説明す
ると、光酸発生剤が光源から紫外線光を受けると酸を発
生させ、このように発生した酸によりマトリックス高分
子化合物の主鎖、又は側鎖が反応して分解されたり架橋
結合しながら高分子化合物の極性が大きく変化し、露光
部位と非露光部位とが、現像液に対して互いに異なる溶
解度を有することになる。
【０００４】即ち、ポジティブフォトレジストの場合、
露光部位では酸によりマトリックス高分子化合物の主鎖
又は側鎖が分解され、現像液に溶解して無くなる一方、
非露光部位は本来の高分子化合物構造をそのまま有する
ため現像液に溶解されない。その結果、マスクの像を基
板上にポジ画像として残すことになる。これと逆に、ネ
ガティブフォトレジストの場合、露光部位で酸によりマ
トリックス高分子化合物の主鎖又は側鎖が架橋結合を形
成し、光を受けた部分が現像液に溶解しなくなる。この
ようにしてマスクの像を基板上にネガ画像で残すことが
できるようになる。
【０００５】このように、これまで用いられてきた化学
増幅型フォトレジストは、一定量の光酸発生剤を必須要
素として含んでいる。しかし、前記光酸発生剤は、
（１）フォトレジスト組成物の保管安定性問題、ガス発
生問題、酸拡散によるティ−トッピング（Ｔ−toppin
g）の誘発、高いポストベーク温度による問題等、いろ
いろな問題点を引き起こす。（２）また、酸拡散を考慮
してフォトレジストパターンのＥ／Ｌ（energy latitut
e）マージンを減縮しなければならないため、半導体素
子の高集積化が制限される。（３）さらに、発生した酸
と大気中に存在するアミン化合物との結合によりフォト
レジスト組成物が汚染され、これによりパターンが変形
したり線幅が変化する現象が生じることもある。
【０００６】また、従来のネガティブ型フォトレジスト
組成物は、現像液にキシレン等の有機溶媒を用いるた
め、現像工程時に現像液がフォトレジストの露光部位に
滲み込みフォトレジスト膜が膨張するスウェーリング
（swelling）現像が発生することがあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記課題を解決するた
め、本発明は、光敏感性のエポキシ基を含むフォトレジ
ストポリマーを製造できる新規のフォトレジスト用単量
体を提供することを目的とする。また、本発明は、前記
新規のフォトレジスト用単量体から製造されるフォトレ
ジスト用重合体を提供することを目的とする。さらに、
本発明は前記フォトレジスト用重合体を含み、光酸発生
剤を用いないか、或いは最小限度で含みながらも、極短
波長に対し高い感度で反応する高性能のフォトレジスト
組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべく
請求項１記載の発明のフォトレジスト用単量体は、下記
式（１）で示される化合物を含むことを特徴としてい
る。
【化１３】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のフォトレジスト用単量体において、前記フォトレジ
スト用単量体は、下記式（５）又は式（７）で示される
ことを特徴としている。
【化１４】
【化１５】
【００１０】請求項３記載の発明のフォトレジスト用重
合体は、請求項１記載のフォトレジスト用単量体を利用
して製造された下記式（１６）で示される繰返し単位を
含むことを特徴としている。
【化１６】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項３記載のフ
ォトレジスト用重合体において、前記フォトレジスト用
重合体は、下記式（８）で示されることを特徴としてい
る。
【化１７】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項４記載のフ
ォトレジスト用重合体において、前記式中、ａ：ｂ：ｃ
の比は、モル％を基準に１−２０：５０：３０−４９で
あることを特徴としている。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項３から５の
いずれかに記載のフォトレジスト用重合体において、前
記重合体は、下記式（１５）で示されることを特徴とし
ている。
【化１８】 前記式で、ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００１４】請求項７記載の発明のフォトレジスト用重
合体の製造方法は、（ａ）下記式（１）で示される化合
物と、下記式（９）で示される化合物と、下記式（１
０）で示される化合物とを重合有機溶媒に溶解する段階
と、（ｂ）前記結果物溶液に重合開始剤を添加して重合
反応させることにより、下記式（１１）で示される重合
体を得る段階と、（ｃ）得られた下記式（１１）で示さ
れる重合体をエポキシ化反応させることにより、下記式
（８）で示される重合体を得る段階と、を含むことを特
徴としている。
【化１９】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【化２０】 前記式で、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。
【化２１】 前記式で、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｎは１〜３
中で選択される整数である。
【化２２】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示し、例えば、ａ：
ｂ：ｃ＝１−２０モル％：５０モル％：３０−４９モル
％である。
【化２３】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項７記載のフ
ォトレジスト用重合体の製造方法において、前記重合有
機溶媒は、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
（dimethylformamide）、ジメチルスルホキシド（dimet
hyl sulfoxide）、ジオキサン（dioxane）、メチルエチ
ルケトン、ベンゼン（benzene）、トルエン（toluen
e）、及び、キシレン（xylene）でなる群から選択され
た１又は２以上でなることを特徴としている。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項７または８
記載のフォトレジスト用重合体の製造方法において、前
記重合開始剤は、２，２−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）、アセチルパーオキサイド、ラウリルパー
オキサイド、及び、ｔ−ブチルパーオキサイドでなる群
から選択された１又は２以上であることを特徴としてい
る。
【００１７】請求項１０記載の発明のフォトレジスト組
成物は、（ａ）下記式（１６）で示される繰返し単位を
含む重合体と、（ｂ）有機溶媒と、を含むことを特徴と
している。
【化２４】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【００１８】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、プ
ロピレングリコール メチル エーテル アセテート、エ
チル−３−エトキシプロピオネート、メチル−３−メト
キシプロピオネート、及び、シクロヘキサノンでなる群
から選択された１又は２以上であることを特徴としてい
る。
【００１９】請求項１２記載の発明は、請求項１０また
は１１記載のフォトレジスト組成物において、前記重合
体と前記有機溶媒との混合比率は、前記有機溶媒を基準
として前記重合体が１〜３０重量％となる量で用いられ
ることを特徴としている。
【００２０】請求項１３記載の発明は、請求項１０から
１２のいずれかに記載のフォトレジスト組成物におい
て、前記フォトレジスト組成物は、光酸発生剤をさらに
含むことを特徴としている。
【００２１】請求項１４記載の発明は、請求項１３記載
のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、
ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ ホスフェート、ジ
フェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アルセネート、ジフ
ェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アンチモネート、ジフ
ェニルパラメトキシフェニル トリフレート、ジフェニ
ルパラトルエニル トリフレート、ジフェニルパライソ
ブチルフェニル トリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−
ブチルフェニル トリフレート、トリフェニルスルホニ
ウム ヘキサフルオロ ホスフェート、トリフェニルスル
ホニウム ヘキサフルオロ アルセネート、トリフェニル
スルホニウム ヘキサフルオロ アンチモネート、トリフ
ェニルスルホニウム トリフレート、及び、ジブチルナ
フチルスルホニウム トリフレートでなる群から選択さ
れた１または２以上であることを特徴としている。
【００２２】請求項１５記載の発明は、請求項１３また
は１４記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸
発生剤の含量は、前記重合体の重量を基準として０.０
５〜１０重量％であることを特徴としている。
【００２３】請求項１６記載の発明のフォトレジストパ
ターンの形成方法は、（ａ）請求項１０から１５のいず
れかに記載のフォトレジスト組成物を所定の被エッチン
グ層の上部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階
と、（ｂ）露光装置を利用し、前記フォトレジスト膜を
露光する段階と、（ｃ）前記結果物を現像し、ネガティ
ブパターンを得る段階と、を含むことを特徴としてい
る。
【００２４】請求項１７記載の発明は、請求項１６記載
のフォトレジストパターンの形成方法において、前記露
光装置は、ArF（１９３nm（ナノメートル））、KrF（２
４８nm）、Ｅ−beam（電子ビーム）、ＥＵＶ、及び、イ
オンビームのいずれかを光源に採用するものであること
を特徴としている。
【００２５】請求項１８記載の発明は、請求項１６また
は１７記載のフォトレジストパターンの形成方法におい
て、前記（ｂ）段階の前、及び／又は後にベーキング工
程を行う段階をさらに含むことを特徴としている。
【００２６】請求項１９記載の発明は、請求項１８記載
のフォトレジストパターンの形成方法において、前記ベ
ーキング工程は、５０〜２００℃で行われることを特徴
としている。
【００２７】請求項２０記載の発明は、請求項１６から
１９のいずれかに記載のフォトレジストパターンの形成
方法において、前記現像工程は、ＴＭＡＨ（テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド）水溶液を利用して行われ
ることを特徴としている。
【００２８】請求項２１記載の発明のフォトレジストパ
ターンの形成方法は、（ａ）請求項１０から１５のいず
れかに記載のフォトレジスト組成物を所定の被エッチン
グ層上部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階
と、（ｂ）露光装置を利用し、前記フォトレジスト膜を
露光する段階と、（ｃ）シリレーション工程を行い、非
露光領域にのみシリコン酸化膜を形成する段階と、
（ｄ）前記シリコン酸化膜をエッチングマスクとするエ
ッチング工程を行い、ポジティブパターンを得る段階
と、を含むことを特徴としている。
【００２９】請求項２２記載の発明は、請求項２１記載
のフォトレジストパターンの形成方法において、前記
（ｃ）シリレーション工程は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチル
ジシラザン：hexamethyl disilazane）、ＴＭＤＳ（テ
トラメチル ジシラザン：tetramethyl disilazane）及
びＤＭＳＤＭＡ（dimethylsilyl dimethylamine）でな
る群から選択された１又は２以上のシリレーション試薬
を利用して行うことを特徴としている。
【００３０】請求項２３記載の発明は、請求項２１また
は２２記載のフォトレジストパターンの形成方法におい
て、前記（ｄ）エッチング工程はＯ2プラズマガスを利
用して行われることを特徴としている。
【００３１】請求項２４記載の発明の半導体素子は、請
求項１０から１５のいずれかに記載のフォトレジスト組
成物を利用して製造されたことを特徴としている。
【００３２】従って、本発明に係るフォトレジスト組成
物は、光酸発生剤を含んでいないか、又は極少量のみ含
んでいるので、多量の光酸発生剤により引き起こされる
問題点が生じないという利点を有する。特に、露光部の
パターンが架橋結合によって強化されるため、現像工程
時にパターン崩壊現象が生じる可能性が少なく、従っ
て、より高密度のパターンを形成することができる。ま
た、酸拡散の問題がないため、Ｅ／Ｌマージンを十分に
確保することができるので、より信頼性のある素子を製
造することができる。
【００３３】一方、従来のネガティブ型フォトレジスト
組成物とは別に、通常のアルカリ性現像液、例えば２.
３８wt％のＴＭＡＨ水溶液に現像可能であるため、有機
性現像液の使用に伴う問題点を解決することができる。
さらに、シリレーションによりポジティブ型フォトレジ
ストにも用いることができるため、望むパターンの特性
に従いフォトレジストの種類を選択することができる利
点がある。そして、本発明に係るフォトレジスト用単量
体、及びこれを含むフォトレジスト用重合体は、短波長
光源、例えばKrF（２４８nm）、ArF（１９３nm）、Ｅ−
beam、ion−beam、又はＥＵＶの光源を用いた光リソグ
ラフィー工程に特に有用である。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態例に
ついて説明する。上記目的の達成のため、本発明はフォ
トレジスト用単量体として下記式（１）で示される化合
物を提供する。
【化２５】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【００３５】さらに、本発明では前記式（１）で示され
る化合物を利用して製造された下記式（１６）で示され
る繰返し単位を含むフォトレジスト用重合体を提供す
る。
【化２６】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【００３６】ここで、前記フォトレジスト用重合体の好
ましい例としては、例えば下記式（８）で示される共重
合体が挙げられる。
【化２７】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００３７】さらに、本発明では、前記フォトレジスト
用重合体と、光酸発生剤と通常の有機溶媒とを含むフォ
トレジスト組成物が提供される。
【００３８】ここで、露光により容易に架橋結合を形成
するフォトレジスト重合体を製造するのに用いられる単
量体として、下記式（１）で示される化合物を合成し
た。
【化２８】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【００３９】本発明に係る前記新規のフォトレジスト用
単量体は、重合体を形成したあと容易にエポキシ化さ
れ、生成されたエポキシ基によって、露光時に容易に架
橋結合（cross−linking）が形成される。
【００４０】ここで、前記式（１）で示される化合物
は、下記式（２）で示されるシクロアルケン化合物と、
下記式（３）で示される化合物とを、ベンゼン溶媒中で
ディールス−アルダー反応させることによって製造でき
る。
【化２９】 前記式で、ｍは１又は２のいずれかの数である。
【化３０】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基である。
【００４１】また、本発明者等は、本発明に係る前記式
（１）で示される化合物を利用してフォトレジスト用共
重合体を合成した。本発明に係る好ましいフォトレジス
ト用共重合体としては、例えば、下記式（８）で示され
る化合物が挙げられる。
【化３１】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００４２】さらに、前記式（８）で示される化合物と
しては、式中、ａ：ｂ：ｃ＝１−２０モル％：５０モル
％：３０−４９モル％であるものが好ましく、また、前
記式（８）で示される共重合体の分子量は４，０００〜
１０，０００であるのが好ましい。
【００４３】前記式（８）で示される共重合体は、第２
単量体として、下記式（９）で示される化合物を含んで
いるが、これは前記式（１）で示される単量体相互間の
結合を容易にする。また、基板とフォトレジスト間の結
合力を高めるため、下記式（１０）で示される化合物が
第３単量として用いられている。
【化３２】 前記式で、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。
【化３３】 前記式で、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｎは１〜３
中で選択される整数である。
【００４４】本発明に係る前記式（８）で示される共重
合体の製造について説明する。先ず、前記式（１）、式
（９）、及び式（１０）で示される各単量体を、重合開
始剤の存在下で通常の有機溶媒中で重合反応させ、下記
式（１１）で示される重合体を得る。
【化３４】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１又
は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択される
整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示し、ａ：ｂ：ｃ＝１
−２０モル％：５０モル％：３０−４９モル％である。
【００４５】このとき、重合溶媒としては、テトラヒド
ロフラン、ジメチルホルムアミド（dimethyl formamid
e）、ジメチルスルホキシド（dimethyl sulfoxide）、
ジオキサン（dioxane）、メチルエチルケトン、ベンゼ
ン（benzene）、トルエン（toluene）、又はキシレン
（xylene）等を用いることができ、重合開始剤として
は、２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイ
ド、ｔ−ブチルパーオキサイド等の一般的なラジカル重
合開始剤を用いることができる。
【００４６】次いで、前記式（１１）で示される化合物
を有機溶媒に溶解した後、その結果物溶液を３−クロロ
ペルベンゾ酸（３−chloroperbenzoic acid）と反応さ
せ、前記式（１１）で示される化合物の、下記式（１
７）で示される部分におけるＣ＝Ｃ二重結合をエポキシ
化（epoxylation）することにより、前記式（８）で示
される化合物を得ることができる。
【化３５】 前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアルキ
ル基である。
【００４７】また、本発明に係るフォトレジスト用重合
体を、通常の有機溶媒と混合してフォトレジスト組成物
を製造することができる。
【００４８】ここで、有機溶媒としては、プロピレング
リコール メチル エーテル アセテートの他に、エチル
−３−エトキシプロピオネート、メチル−３−メトキシ
プロピオネート、シクロヘキサノン等を用いることがで
きる。このとき、重合体と有機溶媒の比率は、有機溶媒
を１００とした場合、前記フォトレジスト用重合体を１
〜３０重量％で用いるのが好ましい。
【００４９】また、少量の光増幅型フォトレジストを添
加することもできる。この際、光酸発生剤としては、硫
化塩系、又はオニウム塩系、例えば前記光酸発生剤はジ
フェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ ホスフェート、ジフ
ェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アルセネート、ジフェ
ニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アンチモネート、ジフェ
ニルパラメトキシフェニル トリフレート、ジフェニル
パラトルエニル トリフレート、ジフェニルパライソブ
チルフェニル トリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブ
チルフェニル トリフレート、トリフェニルスルホニウ
ム ヘキサフルオロ ホスフェート、トリフェニルスルホ
ニウム ヘキサフルオロ アルセネート、トリフェニルス
ルホニウム ヘキサフルオロ アンチモネート、トリフェ
ニルスルホニウム トリフレート、ジブチルナフチル ス
ルホニウム トリフレート中から選択された１又は２以
上を用いることができる。なお、光酸発生剤の含量は、
用いられた重合体の重量を基準として０.０５〜１０重
量％、より好ましくは０.１〜５重量％の比率で少量添
加するのが好ましい。
【００５０】上記の方法により得られたフォトレジスト
組成物を、シリコンウェーハにスピン塗布してフォトレ
ジスト薄膜を製造する。次いで、８０〜１５０℃のオー
ブン又は熱板で１〜５分間ソフトベークし、遠紫外線露
光装置又はエキシマレーザ露光装置を利用して露光す
る。この際、露光源にはArF、KrF、Ｅ−beam、ＥＵＶ、
イオンビーム等を用いることができる。
【００５１】さらにその後、前記フォトレジスト薄膜を
１００〜２００℃でポストベークする。これにより、露
光部位の共重合体は架橋結合により現像液に対する不溶
性を帯びることになる一方、架橋結合が発生しない非露
光部位は現像液に溶解可能であるため、前記結果物を
２.３８wt％ ＴＭＡＨ水溶液に１分３０秒間沈漬して現
像すれば、露光部位は溶解されず、非露光部位のフォト
レジストが溶解され、ネガティブ画像が得られる。
【００５２】一方、ポジティブパターンに比べネガティ
ブパターンでは、一般に、現像液に対する露光部位と非
露光部位の溶解度の差が大きいため、パターン崩壊（pa
ttern collapse）現像をより効果的に防止することがで
きる。
【００５３】また、前記のフォトレジスト組成物を所定
の基板に塗布した後、シリレーション工程を追加的に行
うことにより、ポジティブ型フォトレジストパターンを
製造することもできる。
【００５４】即ち、後述する実施例４で得られるフォト
レジスト組成物を、シリコンウェーハにスピンコーティ
ングした後、５０−２００℃で３０〜２００秒間ソフト
ベークする。次いでArFレーザ露光装置で０.１〜４０mJ
／(の露光エネルギーを照射した後、プレシリレーショ
ンベーク工程（ＰＳＢ：pre−silylation baking）を行
う。次いで、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：hexa
methyl disilazane）、ＴＭＤＳ（テトラメチルジシラ
ザン：tetramethyl disilazane）又はＤＭＳＤＭＡ（di
methylsilyl dimethylamine）等のシリレーション試薬
を利用したシリレーション工程を行って、非露光領域に
シリコン酸化膜（SiOX）を形成し、これをエッチングマ
スクにしてＯ2プラズマを利用し乾式エッチングするこ
とによって露光領域をエッチングすれば、ポジティブパ
ターンが得られる。
【００５５】以下、本発明に係る実施例を開示して具体
的かつ詳細に説明するが、本発明がこれに限られるもの
ではない。
【００５６】
【実施例】実施例１：新規のフォトレジスト用単量体の
合成 下記式（４）で示されるシクロペンタジエン ０.１モル
（mole）と、下記式（１８）で示される化合物０.１モ
ルとをベンゼン中でディールス−アルダー反応させ、反
応後、ベンゼンを蒸留除去して下記式（５）で示される
化合物を得た。
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【００５７】実施例２ シクロペンタジエンの代わりに下記式（６）で示される
シクロヘキサジエンを用いることを除いては、実施例１
と同一方法により、下記式（７）で示される化合物を得
た（収率 ９９％）。
【化３９】
【化４０】
【００５８】実施例３：フォトレジスト用重合体の合成 実施例１で得られた前記式（５）で示される化合物０.
０９モルと、下記式（１２）で示される化合物０.０１
モルと、下記式（１３）で示される化合物０.１モルと
を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶媒に溶解した後、
重合開始剤としてのＡＩＢＮ ０.３ｇを添加して、６０
−７０℃で１２時間の間反応させた後、ＴＨＦを蒸留さ
せ、結果物をメタノール２００ml（ミリリットル）で洗
浄して、下記式（１４）で示される化合物を固体で得
た。このように得られた前記式（１４）で示される化合
物を乾燥させた後、ＴＨＦ中で ３−クロロペルベンゾ
酸（３−chloroperbenzoic acid）とともに０−１０℃
で２時間反応させた。次いで、ＴＨＦを蒸留させてから
結果物をエーテルで固体化させた後濾過した。さらに、
得られた固体をメタノールで数回洗浄し、下記式（１
５）で示される共重合体を得た（収率３２％）。
【化４１】
【化４２】
【化４３】 前記式で、ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【化４４】 前記式で、ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。
【００５９】実施例４：フォトレジスト組成物の製造、
及びこれを利用したネガティブパターン形成 前記実施例３で得られたフォトレジスト共重合体５ｇを
エチル−３−エトキシプロピオネート２５ｇに溶解した
後、光酸発生剤としてのトリフェニル スルホニウム ト
リフレート、又はジブチル ナフチル スルホニウム ト
リフレート０.０２ｇを投入して攪拌した。次いで、０.
１０μｍ（マイクロメートル）フィルターで前記結果物
溶液を濾過させて、フォトレジスト溶液を得た。得られ
たフォトレジスト溶液をシリコンウェーハ上にスピンコ
ーティングした後、１１０℃で９０秒間ソフトベークし
た。次いで、ArFレーザ露光装置で０.１−４０mJ／cm２
の露光エネルギーを照射した後、１１０℃で９０秒間再
びポストベークを行った。ポストベーク終了後、２.３
８wt％のＴＭＡＨ水溶液で ４０秒間現像した結果、
０.１４μｍのＬ／Ｓパターンが得られた。
【００６０】
【発明の効果】本発明に係るフォトレジスト組成物は光
酸発生剤を含んでいないか、又は極少量のみ含んでいる
ので、多量の光酸発生剤により引き起こされる問題点が
生じないという利点を有する。特に、露光部のパターン
が架橋結合によって強化されるため、現像工程時にパタ
ーン崩壊現象が生じる可能性が少なく、従って、より高
密度のパターンを形成することができる。また、酸拡散
の問題がないため、Ｅ／Ｌマージンを十分に確保するこ
とができるので、より信頼性のある素子を製造すること
ができる。
【００６１】一方、従来のネガティブ型フォトレジスト
組成物とは別に、通常のアルカリ性現像液、例えば２.
３８wt％のＴＭＡＨ水溶液に現像可能であるため、有機
性現像液の使用に伴う問題点を解決することができる。
さらに、シリレーションによりポジティブ型フォトレジ
ストにも用いることができるため、望むパターンの特性
に従いフォトレジストの種類を選択することができる利
点がある。そして、本発明に係るフォトレジスト用単量
体、及びこれを含むフォトレジスト用重合体は、短波長
光源、例えばKrF（２４８nm）、ArF（１９３nm）、Ｅ−
beam、ion−beam、又はＥＵＶの光源を用いた光リソグ
ラフィー工程に特に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/027 ５１５ Ｇ０３Ｆ 7/027 ５１５ (72)発明者 鄭 載昌 大韓民国京畿道利川市大月面巳洞里 現代 電子社員アパート 107−1304 (72)発明者 卜▲ちょる▼圭 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里 現代 電子社員アパート 104−509 (72)発明者 白 基鎬 大韓民国京畿道利川市倉前洞 現代アパー ト 202−403

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記式（１）で示されることを特徴とする
    フォトレジスト用単量体。 【化１】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。）
  2. 【請求項２】前記フォトレジスト用単量体は、下記式
    （５）又は式（７）で示されることを特徴とする請求項
    １記載のフォトレジスト用単量体。 【化２】 【化３】
  3. 【請求項３】請求項１記載のフォトレジスト用単量体を
    利用して製造された下記式（１６）で示される繰返し単
    位を含むことを特徴とするフォトレジスト用重合体。 【化４】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。）
  4. 【請求項４】前記フォトレジスト用重合体は、下記式
    （８）で示されることを特徴とする請求項３記載のフォ
    トレジスト用重合体。 【化５】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１
    又は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択され
    る整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
    ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。）
  5. 【請求項５】前記式中、ａ：ｂ：ｃの比は、モル％を基
    準に１−２０：５０：３０−４９であることを特徴とす
    る請求項４記載のフォトレジスト用重合体。
  6. 【請求項６】前記重合体は、下記式（１５）で示される
    ことを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のフ
    ォトレジスト用重合体。 【化６】 （前記式で、ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。）
  7. 【請求項７】（ａ）下記式（１）で示される化合物と、
    下記式（９）で示される化合物と、下記式（１０）で示
    される化合物とを重合有機溶媒に溶解する段階と、
    （ｂ）前記結果物溶液に重合開始剤を添加して重合反応
    させることにより、下記式（１１）で示される重合体を
    得る段階と、（ｃ）得られた下記式（１１）で示される
    重合体をエポキシ化反応させることにより、下記式
    （８）で示される重合体を得る段階と、を含むことを特
    徴とするフォトレジスト用重合体の製造方法。 【化７】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。） 【化８】 （前記式で、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。） 【化９】 （前記式で、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｎは１〜
    ３中で選択される整数である。） 【化１０】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１
    又は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択され
    る整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
    ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。） 【化１１】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、Ｒ´はＨ又は−ＣＯＯＨであり、ｍは１
    又は２のいずれかの数を示し、ｎは１〜３中で選択され
    る整数を示し、ＸはＣＨ2、ＮＨ又はＯである。また、
    ａ，ｂ，ｃは各繰返し単位の数を示す。）
  8. 【請求項８】前記重合有機溶媒は、テトラヒドロフラ
    ン、ジメチルホルムアミド（dimethylformamide）、ジ
    メチルスルホキシド（dimethyl sulfoxide）、ジオキサ
    ン（dioxane）、メチルエチルケトン、ベンゼン（benze
    ne）、トルエン（toluene）、及び、キシレン（xylen
    e）でなる群から選択された１又は２以上でなることを
    特徴とする請求項７記載のフォトレジスト用重合体の製
    造方法。
  9. 【請求項９】前記重合開始剤は、２，２−アゾビスイソ
    ブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アセチルパーオキサイ
    ド、ラウリルパーオキサイド、及び、ｔ−ブチルパーオ
    キサイドでなる群から選択された１又は２以上であるこ
    とを特徴とする請求項７または８記載のフォトレジスト
    用重合体の製造方法。
  10. 【請求項１０】（ａ）下記式（１６）で示される繰返し
    単位を含む重合体と、（ｂ）有機溶媒と、を含むことを
    特徴とするフォトレジスト組成物。 【化１２】 （前記式で、ＲはＣ1−Ｃ10（炭素数１〜１０）のアル
    キル基であり、ｍは１又は２のいずれかの数である。）
  11. 【請求項１１】前記有機溶媒は、プロピレングリコール
    メチル エーテル アセテート、エチル−３−エトキシ
    プロピオネート、メチル−３−メトキシプロピオネー
    ト、及び、シクロヘキサノンでなる群から選択された１
    又は２以上であることを特徴とする請求項１０記載のフ
    ォトレジスト組成物。
  12. 【請求項１２】前記重合体と前記有機溶媒との混合比率
    は、前記有機溶媒を基準として前記重合体が１〜３０重
    量％となる量で用いられることを特徴とする請求項１０
    または１１記載のフォトレジスト組成物。
  13. 【請求項１３】前記フォトレジスト組成物は、光酸発生
    剤をさらに含むことを特徴とする請求項１０から１２の
    いずれかに記載のフォトレジスト組成物。
  14. 【請求項１４】前記光酸発生剤は、ジフェニルヨウ素塩
    ヘキサフルオロ ホスフェート、ジフェニルヨウ素塩
    ヘキサフルオロ アルセネート、ジフェニルヨウ素塩 ヘ
    キサフルオロ アンチモネート、ジフェニルパラメトキ
    シフェニル トリフレート、ジフェニルパラトルエニル
    トリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニル ト
    リフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニル ト
    リフレート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
    ロ ホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフ
    ルオロ アルセネート、トリフェニルスルホニウム ヘキ
    サフルオロ アンチモネート、トリフェニルスルホニウ
    ム トリフレート、及び、ジブチルナフチルスルホニウ
    ム トリフレートでなる群から選択された１または２以
    上であることを特徴とする請求項１３記載のフォトレジ
    スト組成物。
  15. 【請求項１５】前記光酸発生剤の含量は、前記重合体の
    重量を基準として０.０５〜１０重量％であることを特
    徴とする請求項１３または１４記載のフォトレジスト組
    成物。
  16. 【請求項１６】（ａ）請求項１０から１５のいずれかに
    記載のフォトレジスト組成物を所定の被エッチング層の
    上部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階と、
    （ｂ）露光装置を利用し、前記フォトレジスト膜を露光
    する段階と、（ｃ）前記結果物を現像し、ネガティブパ
    ターンを得る段階と、を含むことを特徴とするフォトレ
    ジストパターンの形成方法。
  17. 【請求項１７】前記露光装置は、ArF（１９３nm）、KrF
    （２４８nm）、Ｅ−beam、ＥＵＶ、及び、イオンビーム
    のいずれかを光源に採用するものであることを特徴とす
    る請求項１６記載のフォトレジストパターンの形成方
    法。
  18. 【請求項１８】前記（ｂ）段階の前、及び／又は後にベ
    ーキング工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする
    請求項１６または１７記載のフォトレジストパターンの
    形成方法。
  19. 【請求項１９】前記ベーキング工程は、５０〜２００℃
    で行われることを特徴とする請求項１８記載のフォトレ
    ジストパターンの形成方法。
  20. 【請求項２０】前記現像工程は、ＴＭＡＨ（テトラメチ
    ルアンモニウムヒドロキシド）水溶液を利用して行われ
    ることを特徴とする請求項１６から１９のいずれかに記
    載のフォトレジストパターンの形成方法。
  21. 【請求項２１】（ａ）請求項１０から１５のいずれかに
    記載のフォトレジスト組成物を所定の被エッチング層上
    部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階と、
    （ｂ）露光装置を利用し、前記フォトレジスト膜を露光
    する段階と、（ｃ）シリレーション工程を行い、非露光
    領域にのみシリコン酸化膜を形成する段階と、（ｄ）前
    記シリコン酸化膜をエッチングマスクとするエッチング
    工程を行い、ポジティブパターンを得る段階と、を含む
    ことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
  22. 【請求項２２】前記（ｃ）シリレーション工程は、ＨＭ
    ＤＳ（ヘキサメチル ジシラザン：hexamethyl disilaza
    ne）、ＴＭＤＳ（テトラメチル ジシラザン：tetrameth
    yl disilazane）及びＤＭＳＤＭＡ（dimethylsilyl dim
    ethylamine）でなる群から選択された１又は２以上のシ
    リレーション試薬を利用して行うことを特徴とする請求
    項２１記載のフォトレジストパターンの形成方法。
  23. 【請求項２３】前記（ｄ）エッチング工程はＯ2プラズ
    マガスを利用して行われることを特徴とする請求項２１
    または２２記載のフォトレジストパターンの形成方法。
  24. 【請求項２４】請求項１０から１５のいずれかに記載の
    フォトレジスト組成物を利用して製造されたことを特徴
    とする半導体素子。
JP33866199A 1998-11-27 1999-11-29 フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。 Pending JP2000162771A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1998P-51353 1998-11-27
KR10-1998-0051353A KR100400291B1 (ko) 1998-11-27 1998-11-27 신규의포토레지스트용단량체,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000162771A true JP2000162771A (ja) 2000-06-16

Family

ID=19560096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33866199A Pending JP2000162771A (ja) 1998-11-27 1999-11-29 フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6235448B1 (ja)
JP (1) JP2000162771A (ja)
KR (1) KR100400291B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504656A (ja) * 2003-09-04 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機半導体を含む電子デバイス

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332463B1 (ko) * 1999-12-20 2002-04-13 박찬구 노보난계 저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물
JP3997387B2 (ja) * 2001-04-09 2007-10-24 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規テトラヒドロフラン化合物
US7138218B2 (en) * 2001-12-18 2006-11-21 Hynix Semiconductor Inc. Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator
US6858378B1 (en) * 2002-04-17 2005-02-22 Sandia National Laboratories Photoimageable composition
US20040018450A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 United Microlectronics Corp. Method for transferring patterns
US7338742B2 (en) * 2003-10-08 2008-03-04 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7270937B2 (en) * 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｕｖ용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
KR100678647B1 (ko) 2006-01-23 2007-02-06 삼성전자주식회사 포토레지스트용 감광성 고분자 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물
US7745339B2 (en) * 2006-02-24 2010-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
KR100694412B1 (ko) * 2006-02-24 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US8313876B2 (en) * 2006-07-20 2012-11-20 Hynix Semiconductor Inc. Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR100849800B1 (ko) * 2006-07-20 2008-07-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7790357B2 (en) 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device
US7959818B2 (en) 2006-09-12 2011-06-14 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
KR100861173B1 (ko) * 2006-12-01 2008-09-30 주식회사 하이닉스반도체 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876816B1 (ko) * 2007-06-29 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101037528B1 (ko) * 2008-10-16 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3865919B2 (ja) * 1998-02-03 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物
US6048664A (en) * 1999-03-12 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504656A (ja) * 2003-09-04 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機半導体を含む電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US6235448B1 (en) 2001-05-22
KR20000034146A (ko) 2000-06-15
KR100400291B1 (ko) 2004-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4665043B2 (ja) フォトレジストパターン形成方法
JP4127941B2 (ja) フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子の製造方法
JP5687442B2 (ja) 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP2000162771A (ja) フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。
JP2000080124A (ja) フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ン形成方法、および、半導体素子
JP4213838B2 (ja) フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP2000109525A (ja) 感放射線性レジスト製造用重合体及びこれを含有するレジスト組成物
JP2001106737A (ja) フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP3587739B2 (ja) フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト共重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP2000199951A (ja) フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ンの形成方法、及び、半導体素子。
JP4527827B2 (ja) フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子
JP2000162772A (ja) フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ン形成方法、及び半導体素子
JP3943445B2 (ja) フォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物
JP2001081142A (ja) フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP3641748B2 (ja) フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
KR100520163B1 (ko) 니트로기를 포함하는 신규의 포토레지스트 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP3989087B2 (ja) フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
KR100636938B1 (ko) 포토레지스트 조성물
KR100682168B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR100732284B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP4041335B2 (ja) フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子
KR100636937B1 (ko) 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
JP2002351080A (ja) ポジ型感放射線性組成物
JP3989088B2 (ja) フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
KR100583094B1 (ko) 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090609