JP2000098616A - 化学増幅型フォトレジスト用感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 - Google Patents
化学増幅型フォトレジスト用感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型フォトレジスト用感光性重合体及
びこれを含む組成物を提供する。 【解決手段】 式： 【化１】 (Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨまたは極性作用基を有す
るＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、Ｒ2はｔ-ブチル、テ
トラヒドロピラニルまたは１-アルコキシエチル基で、
ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃
至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１乃至０．５である）で表され、重量平均
分子量が３，０００乃至１００，０００である化学増幅
型フォトレジスト用感光性重合体。で表される化学増幅
型フォトレジスト用感光性重合体、および前記重合体と
光酸発生剤とを含む化学増幅型フォトレジスト組成物で
ある。
びこれを含む組成物を提供する。 【解決手段】 式： 【化１】 (Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨまたは極性作用基を有す
るＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、Ｒ2はｔ-ブチル、テ
トラヒドロピラニルまたは１-アルコキシエチル基で、
ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃
至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１乃至０．５である）で表され、重量平均
分子量が３，０００乃至１００，０００である化学増幅
型フォトレジスト用感光性重合体。で表される化学増幅
型フォトレジスト用感光性重合体、および前記重合体と
光酸発生剤とを含む化学増幅型フォトレジスト組成物で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学増幅型フォトレ
ジスト用感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォト
レジスト組成物に関する。
ジスト用感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォト
レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の集積度が増加することにつ
れ、フォトリソグラフィ工程における微細パターンの形
成が必須である。さらに１ギガビット級以上の素子では
サブクォーターミクロン以下のパターンを形成すべきな
ので、従来のＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）よ
り短波長のＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露
光源として使用するフォトリソグラフィ技術が提案され
た。従って、ＡｒＦエキシマレーザーに適した新たな化
学増幅型フォトレジスト用感光性重合体及びフォトレジ
スト組成物の開発が要求されている。
れ、フォトリソグラフィ工程における微細パターンの形
成が必須である。さらに１ギガビット級以上の素子では
サブクォーターミクロン以下のパターンを形成すべきな
ので、従来のＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）よ
り短波長のＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露
光源として使用するフォトリソグラフィ技術が提案され
た。従って、ＡｒＦエキシマレーザーに適した新たな化
学増幅型フォトレジスト用感光性重合体及びフォトレジ
スト組成物の開発が要求されている。
【０００３】一般に、ＡｒＦエキシマレーザー用化学増
幅型フォトレジスト組成物は次のような要件を満たすべ
きである。（１）１９３ｎｍの波長で透明であること、
（２）熱的特性に優れること（例えば、ガラス遷移温度
が高いこと）、（３）膜質に対する接着力に優れるこ
と、（４）乾式蝕刻に対する耐性が大きいこと、（５）
現像時には半導体素子の製造工程において広く使用され
る現像液（例えば、２．３８重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨと称する）で現
像しやすいこと、などが要求されている。
幅型フォトレジスト組成物は次のような要件を満たすべ
きである。（１）１９３ｎｍの波長で透明であること、
（２）熱的特性に優れること（例えば、ガラス遷移温度
が高いこと）、（３）膜質に対する接着力に優れるこ
と、（４）乾式蝕刻に対する耐性が大きいこと、（５）
現像時には半導体素子の製造工程において広く使用され
る現像液（例えば、２．３８重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨと称する）で現
像しやすいこと、などが要求されている。
【０００４】ところがＡｒＦエキシマレーザー用化学増
幅型フォトレジスト用重合体として広く知られたメチル
メタアクリル酸エステル、ｔ-ブチルメタアクリル酸エ
ステル及びメタアクリル酸モノマーよりなる三元重合体
は前記要件を全て満たせない短所がある。特に、乾式蝕
刻に対する耐性が極端に弱く、膜質に対する接着力が弱
いという短所を有している。また、半導体製造工程にお
いて大部のフォトレジスト膜に広く使用される現像液を
使用する場合、重合体に結合されている多量の親水性作
用基、例えばカルボキシル基によって非露光部までも現
像されてパターンの臨界寸法を変化させる傾向がある。
従って、非常に低い濃度の現像液を別に用意して現像工
程を進行すべきである。ところが現像液の濃度が極端に
低いと、濃度の変化に非常に敏感になり、わずかな濃度
の偏差にも現像結果物のパターンの臨界寸法の偏差が非
常に大きくなる傾向がある。
幅型フォトレジスト用重合体として広く知られたメチル
メタアクリル酸エステル、ｔ-ブチルメタアクリル酸エ
ステル及びメタアクリル酸モノマーよりなる三元重合体
は前記要件を全て満たせない短所がある。特に、乾式蝕
刻に対する耐性が極端に弱く、膜質に対する接着力が弱
いという短所を有している。また、半導体製造工程にお
いて大部のフォトレジスト膜に広く使用される現像液を
使用する場合、重合体に結合されている多量の親水性作
用基、例えばカルボキシル基によって非露光部までも現
像されてパターンの臨界寸法を変化させる傾向がある。
従って、非常に低い濃度の現像液を別に用意して現像工
程を進行すべきである。ところが現像液の濃度が極端に
低いと、濃度の変化に非常に敏感になり、わずかな濃度
の偏差にも現像結果物のパターンの臨界寸法の偏差が非
常に大きくなる傾向がある。
【０００５】従って、最近には脂環式化合物、例えばイ
ソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基
などを重合体の骨格に導入して耐蝕刻性に優れたＡｒＦ
エキシマレーザー用感光性重合体を形成しようとする試
みが行なわれてきた。しかしこのような重合体も、乾式
蝕刻に対する耐性及び膜質に対する接着特性が依然とし
て劣っており、フォトレジストパターンがリフティング
される現象が発生する等の短所を有しており、これらは
改善すべき重要な課題である。
ソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基
などを重合体の骨格に導入して耐蝕刻性に優れたＡｒＦ
エキシマレーザー用感光性重合体を形成しようとする試
みが行なわれてきた。しかしこのような重合体も、乾式
蝕刻に対する耐性及び膜質に対する接着特性が依然とし
て劣っており、フォトレジストパターンがリフティング
される現象が発生する等の短所を有しており、これらは
改善すべき重要な課題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、上記問題点を解決するために、ＡｒＦエキシマレー
ザーで露光可能で、乾式蝕刻に対する耐性に優れた化学
増幅型フォトレジスト用組成物を提供することである。
は、上記問題点を解決するために、ＡｒＦエキシマレー
ザーで露光可能で、乾式蝕刻に対する耐性に優れた化学
増幅型フォトレジスト用組成物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の前記目
的は式：
的は式：
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨま
たは極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
で、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-
アルコキシエチル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５
である）で表され、重量平均分子量が３，０００乃至１
００，０００である化学増幅型フォトレジスト用感光性
重合体によって達成することができる。
たは極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
で、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-
アルコキシエチル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５
である）で表され、重量平均分子量が３，０００乃至１
００，０００である化学増幅型フォトレジスト用感光性
重合体によって達成することができる。
【００１０】さらに本発明は、式：
【００１１】
【化４】
【００１２】（式中、Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨま
たは極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
で、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-
アルコキシエチル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５
である。）で表され、重量平均分子量が３，０００乃至
１００，０００である感光性重合体と、前記感光性重合
体の重量を基準として１乃至１５重量％の割合で混合さ
れた光酸発生剤を含む化学増幅型フォトレジスト組成物
である。
たは極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
で、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-
アルコキシエチル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５
である。）で表され、重量平均分子量が３，０００乃至
１００，０００である感光性重合体と、前記感光性重合
体の重量を基準として１乃至１５重量％の割合で混合さ
れた光酸発生剤を含む化学増幅型フォトレジスト組成物
である。
【００１３】さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリア
リールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、ス
ルホン酸塩またはＮ-ヒドロキシスクシンイミド塩であ
る化学増幅型フォトレジスト組成物である。
リールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、ス
ルホン酸塩またはＮ-ヒドロキシスクシンイミド塩であ
る化学増幅型フォトレジスト組成物である。
【００１４】さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリフ
ェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホ
ニウムアンチモン酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフ
レート、ジフェニルヨードニウムアンチモン酸塩、メト
キシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ-ｔ-ブチ
ルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６-ジニ
トロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アル
キルスルホン酸塩）、またはＮ-ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフレートである化学増幅型フォトレジスト組成
物である。
ェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホ
ニウムアンチモン酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフ
レート、ジフェニルヨードニウムアンチモン酸塩、メト
キシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ-ｔ-ブチ
ルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６-ジニ
トロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アル
キルスルホン酸塩）、またはＮ-ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフレートである化学増幅型フォトレジスト組成
物である。
【００１５】さらに本発明は、前記感光性重合体の重量
を基準として０．０１乃至２．０重量％の有機塩基をさ
らに含む化学増幅型フォトレジスト組成物である。
を基準として０．０１乃至２．０重量％の有機塩基をさ
らに含む化学増幅型フォトレジスト組成物である。
【００１６】さらに本発明は、前記有機塩基としてはト
リエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオク
チルアミン、ジエタノールアミンまたはトリエタノール
アミンである化学増幅型フォトレジスト組成物である。
リエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオク
チルアミン、ジエタノールアミンまたはトリエタノール
アミンである化学増幅型フォトレジスト組成物である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る化学増幅型フ
ォトレジスト組成物について説明する。また、化学増幅
型フォトレジスト組成物を用いた望ましい写真蝕刻工程
についても説明する。
ォトレジスト組成物について説明する。また、化学増幅
型フォトレジスト組成物を用いた望ましい写真蝕刻工程
についても説明する。
【００１８】化学増幅型フォトレジスト用感光性重合体 本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物を構成する感
光性重合体は下記化学式１で表される重合体である。
光性重合体は下記化学式１で表される重合体である。
【００１９】
【化５】
【００２０】前記式中、Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨ
または極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
が望ましい。前記極性作用基とは、−ＯＨ、−ＣＮ、−
ＮＨ2、アンヒドリドなどを指し、Ｒ1の前記脂肪族炭化
水素の具体例として、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＯ2ＣＨ2ＣＨ2
ＯＨなどが挙げられる。Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロ
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基などで、これら
は酸条件下で分解が容易なため望ましい。
または極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素
が望ましい。前記極性作用基とは、−ＯＨ、−ＣＮ、−
ＮＨ2、アンヒドリドなどを指し、Ｒ1の前記脂肪族炭化
水素の具体例として、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＯ2ＣＨ2ＣＨ2
ＯＨなどが挙げられる。Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロ
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基などで、これら
は酸条件下で分解が容易なため望ましい。
【００２１】ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．
５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５であり、上
記の範囲内にポリマーが構成されない場合、樹脂の接着
特性及び溶解度特性が劣化し好ましくない。
ｎ）は０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．
５、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５であり、上
記の範囲内にポリマーが構成されない場合、樹脂の接着
特性及び溶解度特性が劣化し好ましくない。
【００２２】また前記重合体の重量平均分子量は３，０
００乃至１００，０００であることが望ましい。前記重
量平均分子量が３，０００未満の場合、ガラス転移点
（Ｔｇ）が下がり、溶解度特性が劣化し、一方で１０
０，０００を超過する場合、樹脂の接着特性及び溶解度
特性が劣化し、いずれも好ましくない。
００乃至１００，０００であることが望ましい。前記重
量平均分子量が３，０００未満の場合、ガラス転移点
（Ｔｇ）が下がり、溶解度特性が劣化し、一方で１０
０，０００を超過する場合、樹脂の接着特性及び溶解度
特性が劣化し、いずれも好ましくない。
【００２３】前記感光性重合体の骨格は環構造のノルボ
ルナンから構成されているため、耐蝕刻性に優れる。特
に、シクロペンタジエンとジアルキルオキシカルボニル
ノルボルネンが反応して形成された脂環式化合物をモノ
マーとして使用するために耐蝕刻性がさらに向上され
る。そして、二つの溶解抑制基（-ＣＯＯＲ2）が結合し
ているため、露光前後の溶解度の差が大きい。また、Ｒ
1は親水性作用基の水酸基（-ＯＨ）、カルボキシル基、
またはＣ1〜Ｃ20の極性作用基を有する脂肪族炭化水素
であるため、下部膜質に対する接着力も優れる。
ルナンから構成されているため、耐蝕刻性に優れる。特
に、シクロペンタジエンとジアルキルオキシカルボニル
ノルボルネンが反応して形成された脂環式化合物をモノ
マーとして使用するために耐蝕刻性がさらに向上され
る。そして、二つの溶解抑制基（-ＣＯＯＲ2）が結合し
ているため、露光前後の溶解度の差が大きい。また、Ｒ
1は親水性作用基の水酸基（-ＯＨ）、カルボキシル基、
またはＣ1〜Ｃ20の極性作用基を有する脂肪族炭化水素
であるため、下部膜質に対する接着力も優れる。
【００２４】化学増幅型フォトレジスト組成物 本発明に係る化学増幅型フォトレジスト組成物は、前述
した感光性重合体と光酸発生剤（ＰＡＧ；ｐｈｏｔｏａ
ｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）とから構成される。光酸
発生剤は前記感光性重合体の重量を基準として１乃至１
５重量％の比率で混合されることが望ましい。前記含有
量が１％未満の場合、感度が低下し、解像度が不良であ
り、一方で１５％を超過する場合、透過度特性及び溶解
度特性が劣化し、ありいずれも好ましくない。
した感光性重合体と光酸発生剤（ＰＡＧ；ｐｈｏｔｏａ
ｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）とから構成される。光酸
発生剤は前記感光性重合体の重量を基準として１乃至１
５重量％の比率で混合されることが望ましい。前記含有
量が１％未満の場合、感度が低下し、解像度が不良であ
り、一方で１５％を超過する場合、透過度特性及び溶解
度特性が劣化し、ありいずれも好ましくない。
【００２５】光酸発生剤としては高い熱的安全性を有
し、オニウムソルト（ｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）系ＰＡＧ
と同じ性質を持つ高感度用の物質が使われることが望ま
しい。従って、トリアリールスルホニウム塩、ジアリー
ルヨードニウム塩、スルホン酸塩またはＮ-ヒドロキシ
スクシンイミド塩が使用されうる。例えば、トリアリー
ルスルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウム
トリフレートまたはトリフェニルスルホニウムアンチモ
ン酸塩、ジアリールヨードニウム塩としてはジフェニル
ヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムア
ンチモン酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムトリフ
レートまたはジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリ
フレート、スルホン酸塩としては２、６-ジニトロベン
ジルスルホン酸塩またはピロガロールトリス（アルキル
スルホン酸塩）が、Ｎ-ヒドロキシスクシンイミド塩と
してはＮ-ヒドロキシスクシンイミドトリフレート等が
使用されうる。
し、オニウムソルト（ｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）系ＰＡＧ
と同じ性質を持つ高感度用の物質が使われることが望ま
しい。従って、トリアリールスルホニウム塩、ジアリー
ルヨードニウム塩、スルホン酸塩またはＮ-ヒドロキシ
スクシンイミド塩が使用されうる。例えば、トリアリー
ルスルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウム
トリフレートまたはトリフェニルスルホニウムアンチモ
ン酸塩、ジアリールヨードニウム塩としてはジフェニル
ヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムア
ンチモン酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムトリフ
レートまたはジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリ
フレート、スルホン酸塩としては２、６-ジニトロベン
ジルスルホン酸塩またはピロガロールトリス（アルキル
スルホン酸塩）が、Ｎ-ヒドロキシスクシンイミド塩と
してはＮ-ヒドロキシスクシンイミドトリフレート等が
使用されうる。
【００２６】また、本発明に係るフォトレジスト組成物
は感光性重合体の総重量を基準として０．０１〜２．０
重量％の有機塩基をさらに含む。前記含有量が０．０１
％未満の場合、フォトレジストが環境に敏感になり、例
えばＴ−トッププロファイル減少が発生し、一方で２．
０％を超過する場合、感度が低下し、解像度が劣化し、
いずれも好ましくない。
は感光性重合体の総重量を基準として０．０１〜２．０
重量％の有機塩基をさらに含む。前記含有量が０．０１
％未満の場合、フォトレジストが環境に敏感になり、例
えばＴ−トッププロファイル減少が発生し、一方で２．
０％を超過する場合、感度が低下し、解像度が劣化し、
いずれも好ましくない。
【００２７】有機塩基としてはトリエチルアミン、トリ
イソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエタノ
ールアミンまたはトリエタノールアミンが使われる。こ
のような有機塩基は、露光後、露光部に発生した酸が非
露光部に拡散されて非露光部を構成するフォトレジスト
組成物も加水分解させてパターンを変形させる問題点を
防止するために添加する。
イソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエタノ
ールアミンまたはトリエタノールアミンが使われる。こ
のような有機塩基は、露光後、露光部に発生した酸が非
露光部に拡散されて非露光部を構成するフォトレジスト
組成物も加水分解させてパターンを変形させる問題点を
防止するために添加する。
【００２８】前述したように、本発明に係るフォトレジ
スト組成物は骨格が環構造のノルボルナンで構成され、
脂環式化合物が側鎖で結合されている感光性重合体を含
む。従って、フォトレジスト組成物の耐蝕刻性が向上さ
れる。そして、露光により発生した酸によりカルボキシ
基を形成するｎ×２個の-ＣＯＯＲ2基が結合されている
ので、露光部のフォトレジスト膜の極性と非露光部のフ
ォトレジスト膜の極性との間に著しい差が生じる。
スト組成物は骨格が環構造のノルボルナンで構成され、
脂環式化合物が側鎖で結合されている感光性重合体を含
む。従って、フォトレジスト組成物の耐蝕刻性が向上さ
れる。そして、露光により発生した酸によりカルボキシ
基を形成するｎ×２個の-ＣＯＯＲ2基が結合されている
ので、露光部のフォトレジスト膜の極性と非露光部のフ
ォトレジスト膜の極性との間に著しい差が生じる。
【００２９】感光性重合体の製造方法 １．モノマーの製造 １-１．ジ（アルキルオキシカルボニル）ノルボルネン
（III）の製造 下記反応式１のように５-ノルボルネン-２、３-ジカル
ボニル塩化物（Ｉ）とアルコキシドカリウム（ｐｏｔａ
ｓｓｉｕｍ ａｌｋｏｘｉｄｅ）（II）をテトラヒドロ
フラン（以下、ＴＨＦと称する）溶媒で反応させ、ジ
（アルキルオキシカルボニル）ノルボルネン（III）を
製造する。
（III）の製造 下記反応式１のように５-ノルボルネン-２、３-ジカル
ボニル塩化物（Ｉ）とアルコキシドカリウム（ｐｏｔａ
ｓｓｉｕｍ ａｌｋｏｘｉｄｅ）（II）をテトラヒドロ
フラン（以下、ＴＨＦと称する）溶媒で反応させ、ジ
（アルキルオキシカルボニル）ノルボルネン（III）を
製造する。
【００３０】
【化６】
【００３１】前記式中、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロ
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基である。
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基である。
【００３２】１-２．モノマー（Ｖ）の製造 下記反応式２のように、シクロペンタジエン（IV）を適
切な有機溶媒に溶解させた後、上記１−１で製造したジ
（アルキルオキシカルボニル）ノルボルネン（III）を
添加して化合物Ｖを製造する。
切な有機溶媒に溶解させた後、上記１−１で製造したジ
（アルキルオキシカルボニル）ノルボルネン（III）を
添加して化合物Ｖを製造する。
【００３３】
【化７】
【００３４】１−３．モノマー（Ｖ）の製造 さらに１−２と別の方法として、前記モノマー（Ｖ）は
下記反応式２’のようにジシクロペンタジエンとジアル
キルフマル酸エステルを１８０℃で反応させて製造でき
る。
下記反応式２’のようにジシクロペンタジエンとジアル
キルフマル酸エステルを１８０℃で反応させて製造でき
る。
【００３５】
【化８】
【００３６】２．三元重合体の製造 下記反応式３のように、上記１−２で既に製造したモノ
マー（Ｖ）とアルキルノルボルネン（VI）及び無水マレ
イン酸（VII）を有機溶媒、例えばトルエンに溶解させ
た後、重合開始剤、例えばアゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）を添加してランダム重合反応を進行して三
元重合体（VIII）を製造する。
マー（Ｖ）とアルキルノルボルネン（VI）及び無水マレ
イン酸（VII）を有機溶媒、例えばトルエンに溶解させ
た後、重合開始剤、例えばアゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）を添加してランダム重合反応を進行して三
元重合体（VIII）を製造する。
【００３７】
【化９】
【００３８】前記式中、Ｒ1は-ＯＨ、-ＣＯＯＨまたは
極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、
ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃
至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１乃至０．５で、前記重合体の重量平均分
子量は３、０００乃至１００、０００である。
極性作用基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、
ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０乃
至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／（ｌ＋ｍ
＋ｎ）は０．１乃至０．５で、前記重合体の重量平均分
子量は３、０００乃至１００、０００である。
【００３９】化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方
法及びこれを用いた写真蝕刻方法 本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、前述した
製造方法によって製造された化学式１で表される感光性
重合体と光酸発生剤を適切な溶媒に溶解させて混合する
ことによって製造する。また場合によって重合体の重量
を基準として０．０１〜２．０重量％の有機塩基をさら
に溶解させてフォトレジスト組成物を完成する。
法及びこれを用いた写真蝕刻方法 本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物は、前述した
製造方法によって製造された化学式１で表される感光性
重合体と光酸発生剤を適切な溶媒に溶解させて混合する
ことによって製造する。また場合によって重合体の重量
を基準として０．０１〜２．０重量％の有機塩基をさら
に溶解させてフォトレジスト組成物を完成する。
【００４０】前述した方法によって製造された化学増幅
型フォトレジスト組成物は一般の写真蝕刻工程に使用さ
れうる。特に、露光源としてＡｒＦエキシマレーザーを
使用して０．２０μｍ以下のデザインルールで微細パタ
ーンを形成する。
型フォトレジスト組成物は一般の写真蝕刻工程に使用さ
れうる。特に、露光源としてＡｒＦエキシマレーザーを
使用して０．２０μｍ以下のデザインルールで微細パタ
ーンを形成する。
【００４１】まず、パタニングしようとする対象物が形
成されている基板上に前記フォトレジスト組成物を塗布
して所定厚さのフォトレジスト膜を形成する。本発明に
係るフォトレジスト組成物を構成する感光性重合体には
水酸基が結合されているために接着力が良好である。従
って、フォトレジスト膜を塗布しやすく、後続工程を経
て完成されたフォトレジストパターンのリフティングも
発生しない。
成されている基板上に前記フォトレジスト組成物を塗布
して所定厚さのフォトレジスト膜を形成する。本発明に
係るフォトレジスト組成物を構成する感光性重合体には
水酸基が結合されているために接着力が良好である。従
って、フォトレジスト膜を塗布しやすく、後続工程を経
て完成されたフォトレジストパターンのリフティングも
発生しない。
【００４２】次いで、フォトレジスト膜に対する露光前
べーク（Ｐｒｅ-Ｂａｋｅ）を実施する。露光前べーク
の段階後、露光源としてＡｒＦエキシマレーザーを使用
して所定のパターンが形成されたマスクを用いてフォト
レジスト膜を露光させる。露光によりフォトレジスト膜
内の光酸発生剤から酸が発生し、その酸が触媒作用をし
て下記反応式４のように感光性重合体を加水分解して多
量のカルボキシ基を形成する。
べーク（Ｐｒｅ-Ｂａｋｅ）を実施する。露光前べーク
の段階後、露光源としてＡｒＦエキシマレーザーを使用
して所定のパターンが形成されたマスクを用いてフォト
レジスト膜を露光させる。露光によりフォトレジスト膜
内の光酸発生剤から酸が発生し、その酸が触媒作用をし
て下記反応式４のように感光性重合体を加水分解して多
量のカルボキシ基を形成する。
【００４３】従って、露光部のフォトレジスト膜と非露
光部のフォトレジスト膜との間に著しい極性の差が生じ
るることで、コントラストが著しく増加する。
光部のフォトレジスト膜との間に著しい極性の差が生じ
るることで、コントラストが著しく増加する。
【００４４】
【化１０】
【００４５】露光の完了後、現像前に、短時間フォトレ
ジスト膜を再び熱処理する（露光後処理：Ｐｏｓｔ-Ｅ
ｘｐｏｓｕｒｅ-Ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒｅａｔｍｅｎ
ｔ）。露光後熱処理は露光部内において酸触媒による加
水分解反応をさらに活性化させ、感光性重合体の溶解抑
制基（-ＣＯＯＲ2）をカルボキシ基で加水分解させてコ
ントラストを増加させるために実施する。
ジスト膜を再び熱処理する（露光後処理：Ｐｏｓｔ-Ｅ
ｘｐｏｓｕｒｅ-Ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒｅａｔｍｅｎ
ｔ）。露光後熱処理は露光部内において酸触媒による加
水分解反応をさらに活性化させ、感光性重合体の溶解抑
制基（-ＣＯＯＲ2）をカルボキシ基で加水分解させてコ
ントラストを増加させるために実施する。
【００４６】次いで、適切な現像液を使用して現象工程
を実施してフォトレジストパターンを完成する。この
際、用いられる現像液は通常の工程に用いられる濃度の
現像液、例えば２．３８重量％のＴＭＡＨを使用する。
を実施してフォトレジストパターンを完成する。この
際、用いられる現像液は通常の工程に用いられる濃度の
現像液、例えば２．３８重量％のＴＭＡＨを使用する。
【００４７】フォトレジストパターンを形成した後、パ
タニングしようとする膜を蝕刻して所望のパターンを形
成する。本発明に係るフォトレジストパターンは骨格が
環構造で形成され、脂肪族環炭化水素の側鎖が結合され
た感光性重合体よりなるフォトレジスト膜で形成される
ため耐蝕刻性に優れる。従って、正確な臨界寸法を有す
る良好なプロファイルのパターンを形成しうる。
タニングしようとする膜を蝕刻して所望のパターンを形
成する。本発明に係るフォトレジストパターンは骨格が
環構造で形成され、脂肪族環炭化水素の側鎖が結合され
た感光性重合体よりなるフォトレジスト膜で形成される
ため耐蝕刻性に優れる。従って、正確な臨界寸法を有す
る良好なプロファイルのパターンを形成しうる。
【００４８】
【実施例】本発明は下記実施例に基づいてさらに詳しく
説明されるが、本実施例は本発明の開示を完全にし、当
業者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるも
のであり、本発明は下記実施例に限定されず、相異なる
多様な形態で具現されるものである。
説明されるが、本実施例は本発明の開示を完全にし、当
業者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるも
のであり、本発明は下記実施例に限定されず、相異なる
多様な形態で具現されるものである。
【００４９】＜実施例１＞モノマーの製造：２，３-ジ-ｔ-ブトキシカルボニル−
５-ノルボルネンの製造 丸底フラスコにｔ-ブトキシドカリウム（ｐｏｔａｓｓ
ｉｕｍｔ-ｂｕｔｏｘｉｄｅ）３４ｇ（０．３ｍｏｌ）
をＴＨＦ２５０ｍＬに溶解させた後、この溶液に５-ノ
ルボルネン-２、３-ジカルボニル塩化物２２ｇ（０．１
ｍｏｌ）を常温で徐々に添加した後、４５℃で約１２時
間反応させた。
５-ノルボルネンの製造 丸底フラスコにｔ-ブトキシドカリウム（ｐｏｔａｓｓ
ｉｕｍｔ-ｂｕｔｏｘｉｄｅ）３４ｇ（０．３ｍｏｌ）
をＴＨＦ２５０ｍＬに溶解させた後、この溶液に５-ノ
ルボルネン-２、３-ジカルボニル塩化物２２ｇ（０．１
ｍｏｌ）を常温で徐々に添加した後、４５℃で約１２時
間反応させた。
【００５０】反応が完了した後、反応物を過量の水に溶
解させて沈殿物を濾過し、塩酸を用いて中和させた後、
ジエチルエーテルを用いて抽出した。反応産物を硫酸マ
グネシウムで乾燥させた後、ｎ-ヘキサン／メチレン塩
化物溶液に再溶解させた。最後に、再結晶方法で反応生
成物を分離した（収率８０％）。
解させて沈殿物を濾過し、塩酸を用いて中和させた後、
ジエチルエーテルを用いて抽出した。反応産物を硫酸マ
グネシウムで乾燥させた後、ｎ-ヘキサン／メチレン塩
化物溶液に再溶解させた。最後に、再結晶方法で反応生
成物を分離した（収率８０％）。
【００５１】＜実施例２＞モノマーの製造 丸底フラスコにジシクロペンタジエンか蒸留を通じて得
たシクロペンタジエン７．３ｇ（０．１１ｍｏｌ）を塩
化メチレン１５０ｍＬに溶解させた後、実施例１で製造
した２、３-ジ-ｔ-ブトキシカルボニル５-ノルボルネン
２９．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を０℃で徐々に添加した
後、常温で約２４時間反応させた。
たシクロペンタジエン７．３ｇ（０．１１ｍｏｌ）を塩
化メチレン１５０ｍＬに溶解させた後、実施例１で製造
した２、３-ジ-ｔ-ブトキシカルボニル５-ノルボルネン
２９．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を０℃で徐々に添加した
後、常温で約２４時間反応させた。
【００５２】反応の完了後、過量の溶媒を蒸発させて反
応産物をメタノールで再結晶した後精製してＲ2がｔ-ブ
チル基の化合物Ｖを収得した（収率８０％）。
応産物をメタノールで再結晶した後精製してＲ2がｔ-ブ
チル基の化合物Ｖを収得した（収率８０％）。
【００５３】＜実施例３＞モノマーの製造 高圧反応器にジシクロペンタジエン（０．３３モル）４
４ｇとジ−ｔ−ブチルフマル酸エステル（０．３モル）
６８．５ｇを共に入れ、１８０℃で２０時間反応させ
た。反応終了後、真空蒸留またはカラムクロマトグラフ
ィーを用いてＲ2がｔ−ブチル基のモノマー（Ｖ）を収
得した（収率３０％）。
４ｇとジ−ｔ−ブチルフマル酸エステル（０．３モル）
６８．５ｇを共に入れ、１８０℃で２０時間反応させ
た。反応終了後、真空蒸留またはカラムクロマトグラフ
ィーを用いてＲ2がｔ−ブチル基のモノマー（Ｖ）を収
得した（収率３０％）。
【００５４】＜実施例４＞三元重合体の製造 Ｒ1が-ＣＨ2ＯＨ、Ｒ2がｔ-ブチル基の化学式１の重合
体を次のように製造した。
体を次のように製造した。
【００５５】実施例２または３で合成したモノマー１
４．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-メタ
ノール１．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）及び無水マレイン酸
４．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）をジオキサン無水物２５ｇに
溶解させた。ここにＡＩＢＮ０．１６ｇを添加し、窒素
ガスで１時間パージした後、６５℃に約２４時間重合さ
せた。
４．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と５-ノルボルネン-２-メタ
ノール１．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）及び無水マレイン酸
４．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）をジオキサン無水物２５ｇに
溶解させた。ここにＡＩＢＮ０．１６ｇを添加し、窒素
ガスで１時間パージした後、６５℃に約２４時間重合さ
せた。
【００５６】重合反応終了後、反応物を過量のｎ-ヘキ
サンに沈殿させ、沈殿物をＴＨＦに再び溶解させた後、
ｎ-ヘキサンに再沈殿させた。沈殿物をガラスフィルタ
ーで濾過した後、５０℃の真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて反応生成物を分離した。
サンに沈殿させ、沈殿物をＴＨＦに再び溶解させた後、
ｎ-ヘキサンに再沈殿させた。沈殿物をガラスフィルタ
ーで濾過した後、５０℃の真空オーブン内で約２４時間
乾燥させて反応生成物を分離した。
【００５７】得られた反応生成物の重量平均分子量は１
３，６００で、多分散度は２．２であった。
３，６００で、多分散度は２．２であった。
【００５８】＜実施例５＞三元重合体の製造 Ｒ1が-ＣＯＯＨで、Ｒ2がｔ-ブチル基の化学式１の重合
体を次のように製造した。
体を次のように製造した。
【００５９】実施例２または３で合成したモノマー１
６．３ｇ（４５ｍｍｏｌ）、５-ノルボルネン-２-カル
ボキシル酸０．７ｇ（５ｍｍｏｌ）及び無水マレイン酸
４．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては実
施例４と同一に実施して重合体を製造した。
６．３ｇ（４５ｍｍｏｌ）、５-ノルボルネン-２-カル
ボキシル酸０．７ｇ（５ｍｍｏｌ）及び無水マレイン酸
４．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては実
施例４と同一に実施して重合体を製造した。
【００６０】得られた反応生成物の重量平均分子量は１
２，８００で、多分散度は２．１であった。
２，８００で、多分散度は２．１であった。
【００６１】＜実施例６＞フォトレジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻
工程 感光性重合体としてｌ：ｍ：ｎが２：１０：８で、重量
平均分子量が１３、６００の実施例３において製造した
三元重合体１．０ｇと、光酸発生剤のトリフェニルスル
ホニウムトリフレート０．０２ｇを、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート６．０ｇに溶解させ
た後、十分に攪拌した。次いで、前記混合物を０．２μ
ｍのフィルターで濾過してフォトレジスト組成物を得
た。
工程 感光性重合体としてｌ：ｍ：ｎが２：１０：８で、重量
平均分子量が１３、６００の実施例３において製造した
三元重合体１．０ｇと、光酸発生剤のトリフェニルスル
ホニウムトリフレート０．０２ｇを、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート６．０ｇに溶解させ
た後、十分に攪拌した。次いで、前記混合物を０．２μ
ｍのフィルターで濾過してフォトレジスト組成物を得
た。
【００６２】パタニングしようとする物質層及びヘキサ
メチルジシラザンが塗布されているウェーハ上に得られ
たフォトレジスト組成物を約０．５μｍの厚さにスピン
コーティングした。フォトレジスト組成物がコーティン
グされた前記ウェーハを約１４０℃で約９０秒間ソフト
ベイキングし、０．３０μｍラインアンドスペースパタ
ーンを定義するマスクと露光源としてＡｒＦエキシマレ
ーザー（開口数０．６）で露光した後、約１４０℃に約
９０秒間露光後ベイキングした。その後、２．３８重量
％のＴＭＡＨで６０秒間現像してフォトレジストパター
ンを形成した。
メチルジシラザンが塗布されているウェーハ上に得られ
たフォトレジスト組成物を約０．５μｍの厚さにスピン
コーティングした。フォトレジスト組成物がコーティン
グされた前記ウェーハを約１４０℃で約９０秒間ソフト
ベイキングし、０．３０μｍラインアンドスペースパタ
ーンを定義するマスクと露光源としてＡｒＦエキシマレ
ーザー（開口数０．６）で露光した後、約１４０℃に約
９０秒間露光後ベイキングした。その後、２．３８重量
％のＴＭＡＨで６０秒間現像してフォトレジストパター
ンを形成した。
【００６３】その結果、プロファイルが優れた０．３０
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
１７ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。また、これを用いてパターンプロファイルに優れた
物質層パターンを形成できた。
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
１７ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。また、これを用いてパターンプロファイルに優れた
物質層パターンを形成できた。
【００６４】＜実施例７＞フォトレジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻
工程 有機塩基としてトリエタノールアミン２ｍｇをさらに添
加したことを除いては実施例６と同様な方法でフォトレ
ジスト組成物を製造して写真蝕刻工程を実施した。
工程 有機塩基としてトリエタノールアミン２ｍｇをさらに添
加したことを除いては実施例６と同様な方法でフォトレ
ジスト組成物を製造して写真蝕刻工程を実施した。
【００６５】その結果、プロファイルが優れた０．３０
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
２６ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
２６ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
【００６６】＜実施例８＞フォトレジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻
工程 感光性重合体としてｌ：ｍ：ｎが１：１０：９で、重量
平均分子量が１２、８００の実施例５において製造した
三元重合体１．０ｇを使用したことを除いては実施例６
と同一に写真蝕刻工程を実施した。
工程 感光性重合体としてｌ：ｍ：ｎが１：１０：９で、重量
平均分子量が１２、８００の実施例５において製造した
三元重合体１．０ｇを使用したことを除いては実施例６
と同一に写真蝕刻工程を実施した。
【００６７】その結果、プロファイルが優れた０．３０
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
１３ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
１３ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
【００６８】＜実施例９＞フォトレジスト組成物の製造及びこれを用いた写真蝕刻
工程 有機塩基としてトリエタノールアミン２ｍｇをさらに添
加したことを除いては実施例８と同一に写真蝕刻工程を
実施した。
工程 有機塩基としてトリエタノールアミン２ｍｇをさらに添
加したことを除いては実施例８と同一に写真蝕刻工程を
実施した。
【００６９】その結果、プロファイルが優れた０．３０
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
２１ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
μｍラインアンドスペースフォトレジストパターンを、
２１ｍＪ／ｃｍ2ドーズの露光エネルギーで形成でき
た。
【００７０】
【発明の効果】本発明に係るフォトレジスト組成物を構
成する感光性重合体は、骨格が環構造のノルボルナンで
構成されているため、耐蝕刻性に優れる。特に、この感
光性重合体はシクロペンタジエンとジアルキルオキシカ
ルボニルノルボルネンとが反応し形成した脂環式化合物
をモノマーとして使用するため、耐蝕刻性に優れる。そ
して、二つの溶解抑制基（-ＣＯＯＲ2）が結合している
ため、露光前後の溶解度差を大きくすることができる。
また、Ｒ1に、親水性作用基の水酸基、カルボキシル
基、またＣ1〜Ｃ20の極性作用基を有する脂肪族炭化水
素を用いることにより、下部膜質に対する接着力も著し
く向上させることができる。
成する感光性重合体は、骨格が環構造のノルボルナンで
構成されているため、耐蝕刻性に優れる。特に、この感
光性重合体はシクロペンタジエンとジアルキルオキシカ
ルボニルノルボルネンとが反応し形成した脂環式化合物
をモノマーとして使用するため、耐蝕刻性に優れる。そ
して、二つの溶解抑制基（-ＣＯＯＲ2）が結合している
ため、露光前後の溶解度差を大きくすることができる。
また、Ｒ1に、親水性作用基の水酸基、カルボキシル
基、またＣ1〜Ｃ20の極性作用基を有する脂肪族炭化水
素を用いることにより、下部膜質に対する接着力も著し
く向上させることができる。
【００７１】従って、前述した感光性重合体を用いてフ
ォトレジスト組成物を形成すれば、フォトレジスト組成
物の耐蝕刻性が向上し、露光部のフォトレジスト膜の極
性と非露光部のフォトレジスト膜の極性との間に著しい
差が生じてコントラストが増加し、また優れた接着力に
よりフォトレジストパターンのリフティング現象が著し
く減少することから、本発明の化学増幅型フォトレジス
ト用感光性重合体及びフォトレジスト組成物はＡｒＦエ
キシマレーザーに適していることがわかる。
ォトレジスト組成物を形成すれば、フォトレジスト組成
物の耐蝕刻性が向上し、露光部のフォトレジスト膜の極
性と非露光部のフォトレジスト膜の極性との間に著しい
差が生じてコントラストが増加し、また優れた接着力に
よりフォトレジストパターンのリフティング現象が著し
く減少することから、本発明の化学増幅型フォトレジス
ト用感光性重合体及びフォトレジスト組成物はＡｒＦエ
キシマレーザーに適していることがわかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/42 Ｃ０８Ｋ 5/42 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５０３ ５０３Ａ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
Claims (6)
- 【請求項１】 式： 【化１】 （式中、Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨまたは極性作用
基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、Ｒ2はｔ-ブ
チル、テトラヒドロピラニルまたは１-アルコキシエチ
ル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５である）で表され、
重量平均分子量が３，０００乃至１００，０００である
化学増幅型フォトレジスト用感光性重合体。 - 【請求項２】 式： 【化２】 （式中、Ｒ1は水素、-ＯＨ、-ＣＯＯＨまたは極性作用
基を有するＣ1〜Ｃ20の脂肪族炭化水素で、Ｒ2はｔ-ブ
チル、テトラヒドロピラニルまたは１-アルコキシエチ
ル基で、ｌ、ｍ及びｎは整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．０乃至０．４、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．５、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１乃至０．５である。）で表さ
れ、重量平均分子量が３，０００乃至１００，０００で
ある感光性重合体と、 前記感光性重合体の重量を基準として１乃至１５重量％
の割合で混合された光酸発生剤を含む化学増幅型フォト
レジスト組成物。 - 【請求項３】 前記光酸発生剤はトリアリールスルホニ
ウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩また
はＮ-ヒドロキシスクシンイミド塩である請求項２に記
載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 - 【請求項４】 前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニ
ウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモ
ン酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェ
ニルヨードニウムアンチモン酸塩、メトキシジフェニル
ヨードニウムトリフレート、ジ-ｔ-ブチルジフェニルヨ
ードニウムトリフレート、２，６-ジニトロベンジルス
ルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキルスルホン酸
塩）、またはＮ-ヒドロキシスクシンイミドトリフレー
トである請求項３に記載の化学増幅型フォトレジスト組
成物。 - 【請求項５】 前記感光性重合体の重量を基準として
０．０１乃至２．０重量％の有機塩基をさらに含む請求
項２〜４のいずれか一項に記載の化学増幅型フォトレジ
スト組成物。 - 【請求項６】 前記有機塩基はトリエチルアミン、トリ
イソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエタノ
ールアミンまたはトリエタノールアミンである請求項５
に記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
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