KR20000022605A - 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체는 하기 화학식1로 표시된다. 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 를 포함하는 포토레지스트 조성물은 식각 내성이 크고 접착력이 우수할뿐만 아니라 콘트라스트 특성도 우수하다.
<화학식1>

Description

화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물{Photosensitive polymer for chemically amplified photoresist and chemically amplified photoresist composition having thereof}
본 발명은 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라, 포토리소그래피 공정에 있어서 미세 패턴의 형성이 필수적이다. 더욱이 1기가(giga) 비트급 이상의 소자에서는 서브 쿼터 마이크론 크기 이하의 패턴을 형성해야 하기 때문에 종래의 KrF 엑시머 레이저(248nm)보다 단파장인 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 노광원으로 사용하는 포토리소그래피 기술이 제안되었다. 따라서, ArF 엑시머 레이저에 적합한 새로운 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 포토레지스트 조성물의 개발이 요구되기 시작했다.
일반적으로, ArF 엑시머 레이저용 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 다음과 같은 요건을 만족해야 한다. (1)193nm의 파장에서 투명해야 하며 (2)열적 특성이 우수해야 하며(예: 유리 전이 온도가 높을것) (3) 막질에 대한 접착력이 우수해야 하며 (4)건식 식각에 대한 내성이 커야 하며 (5)현상시에는 반도체 소자의 제조 공정에서 널리 사용되는 현상액(예: 2.38중량%의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(tetramethyl ammonium hydroxide: 이하 TMAH))으로 용이하게 현상할 수 있어야 한다.
그런데 ArF 엑시머 레이저용 화학 증폭형 포토레지스트용 중합체로 널리 알려진 메틸메타아크릴산, t-부틸 메타아크릴산 및 메타아크릴산 모노머로 이루어진 3원 중합체는 상기 요건들을 다 만족시키지 못하는 단점이 있다. 특히, 식각에 대한 내성이 매우 약하고, 막질에 대한 접착력이 약하다는 단점을 가지고 있다. 또, 반도체 제조 공정에서 대부분의 포토레지스트막에 널리 사용되는 현상액을 사용할 경우, 중합체에 결합되어 있는 다량의 친수성(hydrophilic) 작용기, 예컨대 카르복실 그룹(carboxyl group)때문에 비노광부까지도 현상되어 패턴 임계 치수를 변화시키는 경향이 있다. 따라서, 매우 낮은 농도의 현상액을 별도로 준비하여 현상 공정을 진행해야 한다. 그런데 현상액의 농도가 매우 낮을 경우 농도 변화에 매우 민감하여 농도 편차가 조금만 발생하더라도 현상 결과물인 패턴의 임계 치수의 편차가 매우 크게 되는 경향이 발생한다.
따라서 최근에는 지방족 고리 화합물(alicyclic compound), 예컨대 이소보닐, 아다만틸, 트리시클로데카닐 그룹등을 중합체의 골격에 도입하여 식각 내성이 증대된 ArF 엑시머 레이저용 감광성 중합체를 형성하고자 하는 시도가 행해져 왔다. 그러나, 이들 중합체들 역시 몇가지 단점을 지니고 있다. 예를 들면, 건식 식각 내성이 여전히 만족스럽지 못하고 막질에 대한 접착 특성이 불량하여 포토레지스트 패턴들이 리프팅되는 현상이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 ArF 엑시머 레이저로 노광 가능하고, 건식 식각에 대한 내성이 큰 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 감광성 중합체를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 중합체이다.
상기 식중, R1은 -CH2OH,-COOH 또는 -CO2CH2CH2OH 이고, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 또는 1-알콕시에틸 그룹이고, l, m 및 n은 정수이고, l/(l+m+n)는 0.0 내지 0.4이고, m/(l+m+n)는 0.5이고, n/(l+m+n)는 0.1 내지 0.5이고, 상기 중합체의 중량 평균 분자량은 3,000 내지 100,000임.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 3원 공중합체의 중량을 기준으로 1 내지 15중량%의 비율로 혼합된 광산발생제를 포함한다.
상기 광산발생제로는 트리알릴술포늄염, 디아릴요도늄염, 술폰산염 또는 N-히드록시 숙신이미드가 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 0.01 내지 2.0중량%의 유기 염기를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체는 중합체의 골격이 고리 구조로 이루어져 있다. 따라서 이를 포함하는 포토레지스트 조성물의 식각 내성이 크다. 특히 곁사슬 그룹으로 지방족 고리 탄화수소 그룹이 결합되어 있기 때문에 식각 내성이 더욱 증가한다.
이하에서는 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물에 대하여 설명한다. 또, 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 이용한 바람직한 사진 식각 공정에 대하여도 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록하며, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체
본 발명의 일 실시예에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 중합체이다.
<화학식 1>
상기 식중, R1은 -CH2OH,-COOH 또는 -CO2CH2CH2OH 이고, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 또는 1-알콕시에틸 그룹이고, l, m 및 n은 정수이고, l/(l+m+n)는 0.0 내지 0.4이고, m/(l+m+n)는 0.5이고, n/(l+m+n)는 0.1 내지 0.5이고, 상기 중합체의 중량 평균 분자량은 3,000 내지 100,000임.
상기 감광성 중합체의 골격은 환(cyclic) 구조인 노르보난으로 구성되어 있다. 따라서 식각 내성이 크다. 특히, 시클로펜타디엔과 디알킬옥시카보닐 노르보넨이 반응하여 형성한 지방족 고리 화합물을 모노머로 사용하기 때문에 식각 내성이 더욱 증대한다. 그리고 두 개의 용해 억제 그룹(-COOR2)이 결합되어 있어서, 노광 전후의 용해도 차이가 크다. 또한, R1그룹에는 친수성 작용기인 히드록시(-OH)가 결합되어 있기 때문에 하부 막질에 대한 접착력 또한 크다.
화학 증폭형 포토레지스트 조성물
본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 상술한 감광성 중합체와 광산발생제(photoacid generator)로 구성된다.
광산발생제는 상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 1 내지 15중량%의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다. 광산발생제로는 높은 열적 안정성을 지니는 물질이 사용되는 것이 바람직하다. 따라서, 트리아릴술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴요도늄염(diaryliodonium salts ), 술폰산염(sulfonates) 또는 N-히드록시 숙신이미드염(N-hydroxysuccinimide salts)이 사용될 수 있다.
예를 들면, 트리아릴술포늄염으로는 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate) 또는 트리페닐술포늄 안티몬산염(triphenylsulfonium antimonate)이, 디아릴요도늄염으로는 디페닐요도늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요도늄 안티몬산염(diphenylidonium antimonate), 메톡시디페닐요도늄 트리플레이트(methoxydiphenyliodonium triflate ) 또는 디-t-부틸디페닐요도늄 트리플레이트(di-t-butyldiphenyliodonium triflate)가, 술폰산염으로는 2,6-디니트로벤질 술폰산염(2,6-dinitro benzyl sulfonate) 또는 피로갈롤 트리스(알킬술폰산염)(pyrogallol tris(alkyl- sulfonates))이, N-히드록시 숙신이미드염으로는 N-히드록시 숙신이미드 트리플레이트(N-hydroxysuccinimide triflate)등이 사용될 수 있다.
또, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 감광성 중합체의 총중량을 기준으로 0.01∼2.0중량%의 유기 염기를 더 포함한다. 유기 염기로는 트리에틸아민(triethylamine), 트리이소부틸아민(triisobutylamine), 트리이소옥틸아민(triiso- octylamine), 디에탄올아민 (diethanolamine) 또는 트리에탄올아민(triethanol- amine)이 사용된다. 유기 염기는 노광후, 노광부에 발생한 산이 비노광부로 확산되어 비노광부를 구성하는 포토레지스트 조성물 또한 가수분해(acidolysis)시켜 패턴을 변형시키는 문제점을 방지하기 위해 첨가한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 골격이 환(cyclic) 구조인 노르보난으로 구성되고, 지방족 고리 화합물이 곁사슬로 결합되어 있는 감광성 중합체를 포함한다. 따라서, 포토레지스트 조성물의 식각 내성이 크다. 그리고 노광전에는 벌키한 상태로 존재하나 노광에 의해 발생한 산에 의해 카르복시기를 형성하는 무수 말레산과 n×2개의 -COOR2 그룹이 결합되어 있으므로, 노광된 부분의 포토레지스트막의 극성과 비노광된 부분의 포토레지스트막의 극성이 현저하게 차이가 나게된다.
감광성 중합체의 제조 방법
1. 모노머의 제조
1-1. 디(알킬옥시카보닐) 노르보넨(III)의 제조
하기 반응식1과 같이 5-노르보넨-2,3-디카르보닐 염화물(I)과 알콕시화칼륨(potassium alkoxide)(II)를 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran : 이하THF) 용매에서 반응시켜, 디(알킬옥시카보닐)노르보넨(III)을 제조한다.
상기 식중, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 또는 1-알콕시에틸 그룹임.
1-2. 모노머(V)의 제조
하기 반응식2와 같이, 시클로펜타디엔(cyclopentadiene)(IV)을 유기 용매에 용해시킨 후, 디(알킬옥시카보닐)노르보넨(III)을 첨가하여 화합물 V를 제조한다.
2. 3원 중합체의 제조
하기 반응식3과 같이 앞서 제조한 모노머(V)와 알킬 노르보넨(VI) 및 무수 말레산(VII)을 유기 용매, 예컨대 톨루엔에 용해시킨 후, 중합개시제, 예컨대 아조비스이소부티로니트릴(azobisisobutyronitrile: 이하 AIBN)을 첨가하여 중합반응을 진행하여 중합체(VIII)를 제조한다.
상기 식중, R1은 -CH2OH,-COOH, -CO2CH2CH2OH 이고, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 그룹이고, l, m 및 n은 정수이고, l/(l+m+n)는 0.0 내지 0.4이고, m/(l+m+n)는 0.5이고, n/(l+m+n)는 0.1 내지 0.5이고, 상기 중합체의 중량 평균 분자량은 3,000 내지 100,000임.
화학 증폭형 포토레지스트 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법
본 발명의 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은, 상술한 제조 방법에 따라 제조된 화학식 1로 표시되는 감광성 중합체와 광산발생제를 적절한 용매에 용해시켜 혼합함으로써 제조한다.
이 때, 광산발생제는 중합체의 중량을 기준으로 1∼15 중량%의 비율로 혼합한다. 광산발생제로는 열적으로 안정한 트리아릴술포늄염, 디아릴요도늄염 또는 술폰산염을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 중합체의 중량을 기준으로 0.01∼2.0중량%의 유기 염기를 더 용해시켜 포토레지스트 조성물을 완성하는 것이 바람직하다. 유기 염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민을 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 방법에 따라 제조된 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 일반적인 사진 식각 공정에 사용될 수 있다. 특히 노광원으로 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 0.20㎛ 이하의 디자인 룰로 미세 패턴을 형성하는데 적합하다.
먼저, 패터닝하고자 하는 대상물이 형성되어 있는 기판상에 상술한 포토레지스트 조성물을 도포하여 소정 두께의 포토레지스트막을 형성한다. 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 구성하는 감광성 중합체에는 히드록시기가 결합되어 있어서 접착력이 크다. 따라서, 포토레지스트막의 도포가 용이하고 후속 공정을 거쳐 완성된 포토레지스트 패턴의 리프팅 또한 발생하지 않는다.
이어서 포토레지스트막에 대한 노광전 베이크(Pre-Bake)를 실시한다. 노광전 베이크 단계 후, 노광원으로서 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 소정의 패턴이 형성된 마스크를 사용하여 포토레지스트막을 노광시킨다. 노광에 의해 포토레지스트막내의 광산발생제로부터 산이 발생하고 이렇게 발생된 산이 촉매 작용을 하여 하기 반응식4와 같이 감광성 중합체를 가수분해하여 다량의 카르복시 그룹을 형성한다.
따라서 노광된 부분의 포토레지스트막의 극성과 비노광된 부분의 포토레지스트막의 극성이 현저하게 차이가 나게된다. 다시말하면, 콘트라스트가 현저하게 증가한다.
노광이 완료된후, 현상전에, 단시간동안 포토레지스트막을 다시 열처리한다(노광후 처리:Post-Exposure-Thermal treatment). 노광 후 열처리는 노광부내에서 산 촉매에 의한 가수분해(acidolysis) 반응을 더욱 활성화시켜, 감광성 중합체의 용해 억제 그룹들을 카르복시 그룹으로 가수분해시켜 콘트라스트를 증가시키기 위해서 실시하는 것이다.
다음에, 적절한 현상액을 사용하여 현상 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴을 완성한다. 이 때, 사용되는 현상액은 통상의 공정에 사용되는 농도의 현상액, 예컨대 2.38중량%의 TMAH를 사용한다.
포토레지스트 패턴을 형성한 후, 패터닝하고자 하는 막을 식각하여 원하는 패턴을 형성한다. 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴은 골격이 환 구조로 형성되고, 지방족 고리 탄화수소 곁사슬이 결합된 감광성 중합체로 이루어진 포토레지스트막으로 형성되기 때문에 식각시 내성이 크다. 따라서, 정확한 임계 치수를 지닌 양호한 프로파일의 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명은 하기의 실험예들(Example)을 참고로 더욱 상세히 설명되며, 이 실험예들이 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
<실험예 1: 모노머의 제조>
<실험예 1-1: 2,3-디-t-부톡시카보닐 5-노르보넨(2,3-di-t-butoxycarbonyl 5-norbornene)의 제조>
둥근 바닥 플라스크에 t-부톡시화칼륨(potassium t-butoxide)(0.3mol) 34g을 THF 250mL에 용해시킨 후, 이 용액에 5-노르보넨-2,3-디카보닐 염화물(5-norbornene-2,3-dicarbonyl chloride)(0.1mol) 22g을 상온에서 천천히 첨가한 다음, 45℃에서 약 12시간 정도 반응시켰다.
반응이 완료된 후, 반응물을 과량의 물에 용해시켜 침전물을 걸러낸 후, 염산을 이용해 중화시킨다음, 디에틸에테르를 이용하여 추출하였다. 추출물을 황산마스그네슘으로 건조시킨 후, n-헥산/메틸렌 염화물 용액에서 재결정 방법을 이용하여 반응 생성물을 분리하였다.(수율 80%)
<실험예 1-2: 모노머의 제조>
둥근 바닥 플라스크에 디시클로펜타디엔으로부터 증류를 통해 얻어낸 시클로펜타디엔(0.11mol) 7.3g을 염화 메틸렌 150mL에 용해시킨 후, 실험예 1-1에서 제조한 2,3-디-t-부톡시카보닐 5-노르보넨(0.1mol) 29.4g을 0℃에서 천천히 첨가한 다음, 상온에서 약 24시간 동안 반응시켰다.
반응이 완료된 후, 과량의 용매를 증발시킨 후, 반응 산물을 메탄올로 재결정한 후 정제하여 R2가 t-부틸 그룹인 화합물 III를 수득하였다. (수율 80%)
<실험예 2: 3원 중합체의 제조>
<실험예 2-1>
R1이 -CH2OH이고, R2가 t-부틸 그룹인 화학식 1의 중합체를 다음과 같이 제조하였다.
실험예 1-2에서 합성한 모노머(40mmol) 14.5g과 5-노르보넨-2-메탄올(10mmol) 1.3g 및 무수 말레산(50mmol) 4.9g을 디옥산(dioxane) 무수물 25g에 용해시켰다. 여기에 AIBN 0.16g을 첨가하고, 질소 가스로 1시간 정도 퍼지한 다음, 65℃의 온도에서 약 24시간동안 중합시켰다.
중합 반응 종료후, 반응물을 과량의 n-헥산에 침전시킨 후, 침전물을 THF에 다시 용해시킨 후, n-헥산에 재침전시켰다. 침전물을 유리 필터를 이용해 거른 다음, 50℃의 진공 오븐 내에서 약 24시간동안 건조시켜서 반응 생성물을 분리하였다.
얻어진 반응 생성물의 중량 평균 분자량은 13,600이었고, 다분산도는 2.2이었다.
<실험예 2-2>
R1이 -COOH이고, R2가 t-부틸 그룹인 화학식 1의 중합체를 다음과 같이 제조하였다.
실험예 1-2에서 합성한 모노머(45mmol) 16.3g, 5-노르보넨-2-카르복실산(5mmol) 0.7g 및 무수 말레산(50mmol) 4.9g을 사용하였다는 점을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하여 중합체를 제조하였다.
얻어진 반응 생성물의 중량 평균 분자량은 12,800이었고, 다분산도는 2.1이었다.
<실험예 3: 포토레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 사진 식각 공정>
<실험예 3-1>
감광성 중합체로서 실험예 2-1에서 제조한 3원 중합체로 l:m:n이 2:10:8이고 중량 평균 분자량이 13,600인 중합체 1.0g과 광산발생제로서 트리페닐술포늄 트리플레이트 0.02g을 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate) 6.0g에 용해시킨 후, 충분히 교반하였다. 이어서, 상기 혼합물을 0.2μm 필터를 이용하여 여과하여 포토레지스트 조성물을 얻었다.
패터닝하고자 하는 물질층 및 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazxane)이 도포되어 있는 웨이퍼상에 수득된 포토레지스트 조성물을 약 0.5μm의 두께로 스핀코팅하였다. 포토레지스트 조성물이 코팅된 상기 웨이퍼를 약 140℃의 온도에서 약 90초동안 소프트 베이킹하고, 0.30㎛ 선폭의 패턴을 정의하는 마스크와 노광원으로서 ArF 엑시머 레이저(개구수 0.6)를 이용하여 노광한 후, 약 140℃의 온도에서 약 90초동안 포스트 베이킹하였다. 그 후, 2.38중량%의 TMAH로 60초간 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
0.30㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 17mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다. 또, 이를 이용하여 패턴 프로파일이 우수한 물질층 패턴을 형성할 수 있었다.
<실험예 3-2>
유기 염기로 트리에탄올아민 2mg을 더 첨가하였다는 점 이외에는 실험예 3-1과 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고 사진 식각 공정을 실시하였다.
그 결과 0.30㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 26mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
<실험예 3-3>
감광성 중합체로 실험예 2-2에서 제조한 3원 중합체로 l:m:n이 1:10:9이고 중량 평균 분자량이 12,800인 중합체 1.0g을 사용하였다는 점을 제외하고는 실험예 3-1과 동일하게 사진 식각 공정을 실시하였다.
그 결과 0.30㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 13mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
<실험예 3-4>
유기 염기로 트리에탄올아민 2mg을 더 첨가하였다는 점을 제외하고는 실험예 3-3과 동일하게 사진 식각 공정을 실시하였다.
그 결과 0.30㎛ 선폭을 지니는 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 21mJ/㎠ 도우즈의 노광 에너지로 형성할 수 있었다.
본 발명에 따른 감광성 중합체의 골격은 환(cyclic) 구조인 노르보난으로 구성되어 있다. 따라서 식각 내성이 크다. 특히, 시클로펜타디엔과 디알킬옥시카보닐 노르보넨이 반응하여 형성한 지방족 고리 화합물을 모노머로 사용하기 때문에 식각 내성이 더욱 증대한다. 그리고 두 개의 용해 억제 그룹(-COOR2)이 결합되어 있어서, 노광 전후의 용해도 차이가 크다. 또한, R1그룹에는 친수성 작용기인 히드록시(-OH)가 결합되어 있기 때문에 하부 막질에 대한 접착력 또한 크다.
따라서 본 발명에 따른 감광성 중합체를 사용하여 포토레지스트 조성물을 형성하면, 포토레지스트 조성물의 식각 내성이 크게 되며, 노광된 부분의 포토레지스트막의 극성과 비노광된 부분의 포토레지스트막의 극성이 현저하게 차이가 나서 콘트라스트가 증가한다. 또 우수한 접착력으로 인해 포토레지스트 패턴의 리프팅이 발생하는 빈도가 현저하게 감소한다.

Claims (3)

  1. 하기 화학식1로 표시되는 3원 중합체; 및
    상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 1 내지 15중량%의 비율로 혼합된 광산발생제를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
    <화학식 1>
    상기 식중, R1은 -CH2OH,-COOH, -CO2CH2CH2OH 이고, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 또는 1-알콕시에틸 그룹이고, l, m 및 n은 정수이고, l/(l+m+n)는 0.0 내지 0.4이고, m/(l+m+n)는 0.5이고, n/(l+m+n)는 0.1 내지 0.5이고, 상기 중합체의 중량 평균 분자량은 3,000 내지 100,000임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광산발생제는 트리알릴술포늄염(triarylsulfonium salts), 디아릴요도늄염(diaryliodonium salts), 술폰산염(sulfonates) 또는 N-히드록시 숙신이미드(N-hydroxysuccinimide salts)인 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 감광성 중합체의 중량을 기준으로 0.01 내지 2.0중량%의 유기 염기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
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