JP2001089534A - 感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 - Google Patents
感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｒＦエキシマレーザーによるリソグラフィ
技術に適した感光性ポリマーと、これより得られるレジ
スト組成物を提供する。 【解決手段】 化学式１： 【化１】 （式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、
１-アルコキシエチル基、または１-アルコキシメチル基
であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−ＣＮ）、ヒドロ
キシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２-ヒ
ドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカル
ボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ3は水素原
子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２-ヒドロキ
シエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマン
チル基、ノルボルニル基、またはメンチル基である。ま
た、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５であり、
ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であり、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、ｐ／（ｌ
＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で示される
重量平均分子量が３，０００〜１００，０００である感
光性ポリマーである。
技術に適した感光性ポリマーと、これより得られるレジ
スト組成物を提供する。 【解決手段】 化学式１： 【化１】 （式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、
１-アルコキシエチル基、または１-アルコキシメチル基
であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−ＣＮ）、ヒドロ
キシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２-ヒ
ドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカル
ボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ3は水素原
子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２-ヒドロキ
シエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマン
チル基、ノルボルニル基、またはメンチル基である。ま
た、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５であり、
ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であり、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、ｐ／（ｌ
＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で示される
重量平均分子量が３，０００〜１００，０００である感
光性ポリマーである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学増幅型レジスト
組成物に係り、特にバックボーンが環状構造を有する感
光性ポリマーと、これより得られるＡｒＦエキシマレー
ザ用レジスト組成物に関する。
組成物に係り、特にバックボーンが環状構造を有する感
光性ポリマーと、これより得られるＡｒＦエキシマレー
ザ用レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の複雑化及び半導体素子
の高集積化が進むにつれて、さらなる微細パターンの形
成が要されている。さらに、半導体素子の容量が１ＧＢ
級以上である素子において、デザインルールが０．２μ
ｍ以下であるパターンサイズが必要であり、この理由か
ら、既存のＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を用い
たレジスト材料を使用するには限界がある。このため、
新たなエネルギー露光源であるＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が開発されて
いる。前述したようなＡｒＦエキシマレーザを用いたリ
ソグラフィに用いられるレジスト材料は、既存のレジス
ト材料に比べて工業的に実施するには多くの問題点があ
る。中でも、ポリマーの透過度及びドライエッチングに
対する耐性が代表的な問題点として挙げられる。
の高集積化が進むにつれて、さらなる微細パターンの形
成が要されている。さらに、半導体素子の容量が１ＧＢ
級以上である素子において、デザインルールが０．２μ
ｍ以下であるパターンサイズが必要であり、この理由か
ら、既存のＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を用い
たレジスト材料を使用するには限界がある。このため、
新たなエネルギー露光源であるＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が開発されて
いる。前述したようなＡｒＦエキシマレーザを用いたリ
ソグラフィに用いられるレジスト材料は、既存のレジス
ト材料に比べて工業的に実施するには多くの問題点があ
る。中でも、ポリマーの透過度及びドライエッチングに
対する耐性が代表的な問題点として挙げられる。
【０００３】今まで知られている通常のＡｒＦレジスト
として、アクリル系またはメタクリル系ポリマーが主と
して使用されてきた。その代表例としては、ＩＢＭ社の
ターポリマーシステムであるポリ（メチルメタクリレー
ト-ｔ-ブチルメタクリレート-メタクリル酸）が挙げら
れる。このようなポリマーの深刻な問題は、ドライエッ
チングに対する耐性に極めて劣っているということであ
る。
として、アクリル系またはメタクリル系ポリマーが主と
して使用されてきた。その代表例としては、ＩＢＭ社の
ターポリマーシステムであるポリ（メチルメタクリレー
ト-ｔ-ブチルメタクリレート-メタクリル酸）が挙げら
れる。このようなポリマーの深刻な問題は、ドライエッ
チングに対する耐性に極めて劣っているということであ
る。
【０００４】これにより、ドライエッチングに対する耐
性を強化させるために、ドライエッチングに対する耐性
に優れた脂環式炭化水素基、例えば、イソボルニル基、
アダマンチル基、トリシクロデカニル基などをポリマー
の主鎖に導入する方法が利用されている。しかし、これ
らは依然として、ドライエッチングに対する耐性に劣っ
ている。
性を強化させるために、ドライエッチングに対する耐性
に優れた脂環式炭化水素基、例えば、イソボルニル基、
アダマンチル基、トリシクロデカニル基などをポリマー
の主鎖に導入する方法が利用されている。しかし、これ
らは依然として、ドライエッチングに対する耐性に劣っ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、ドライエッチングに対する耐性が十分確保できるよ
うに、ポリマーの主鎖が環状構造の一部を含みながら脂
環式炭化水素を含有する感光性ポリマーを提供すること
にある。
は、ドライエッチングに対する耐性が十分確保できるよ
うに、ポリマーの主鎖が環状構造の一部を含みながら脂
環式炭化水素を含有する感光性ポリマーを提供すること
にある。
【０００６】本発明の他の目的は、ＡｒＦエキシマレー
ザを用いるリソグラフィ工程において、ドライエッチン
グに対する耐性が強化できるように、前述した感光性ポ
リマーを含有するレジスト組成物を提供することにあ
る。
ザを用いるリソグラフィ工程において、ドライエッチン
グに対する耐性が強化できるように、前述した感光性ポ
リマーを含有するレジスト組成物を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従って本発明の前記目的
は、化学式１：
は、化学式１：
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロ
ピラニル基、１-アルコキシエチル基、または１-アルコ
キシメチル基であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−Ｃ
Ｎ）、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン
酸基、２-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブ
トキシカルボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ
3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２
-ヒドロキシエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、
アダマンチル基、ノルボルニル基、またはメンチル基で
ある。また、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５
であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であ
り、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、
ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で
示される重量平均分子量が３，０００〜１００，０００
の感光性ポリマーによって達成される。
ピラニル基、１-アルコキシエチル基、または１-アルコ
キシメチル基であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−Ｃ
Ｎ）、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン
酸基、２-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブ
トキシカルボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ
3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２
-ヒドロキシエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、
アダマンチル基、ノルボルニル基、またはメンチル基で
ある。また、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５
であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であ
り、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、
ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で
示される重量平均分子量が３，０００〜１００，０００
の感光性ポリマーによって達成される。
【００１０】さらに本発明は、前記Ｒ1は１-エトキシエ
チル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメチル基、
またはメトキシメチル基である前記感光性ポリマーであ
る。
チル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメチル基、
またはメトキシメチル基である前記感光性ポリマーであ
る。
【００１１】さらに本発明は、前記Ｒ2はイソボルニル
オキシカルボニル基である前記感光性ポリマーである。
オキシカルボニル基である前記感光性ポリマーである。
【００１２】また本発明の前記他の目的は、（ａ）化学
式１：
式１：
【００１３】
【化４】
【００１４】（式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロ
ピラニル基、１-アルコキシエチル基、または１-アルコ
キシメチル基であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−Ｃ
Ｎ）、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン
酸基、２-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブ
トキシカルボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ
3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２
-ヒドロキシエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、
アダマンチル基、ノルボルニル基、またはメンチル基で
ある。また、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５
であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であ
り、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、
ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で
示される重量平均分子量が３，０００〜１００，０００
の感光性ポリマーと、（ｂ）光酸発生剤とからなるレジ
スト組成物によって達成される。
ピラニル基、１-アルコキシエチル基、または１-アルコ
キシメチル基であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−Ｃ
Ｎ）、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン
酸基、２-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブ
トキシカルボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ
3は水素原子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２
-ヒドロキシエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、
アダマンチル基、ノルボルニル基、またはメンチル基で
ある。また、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５
であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であ
り、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、
ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で
示される重量平均分子量が３，０００〜１００，０００
の感光性ポリマーと、（ｂ）光酸発生剤とからなるレジ
スト組成物によって達成される。
【００１５】さらに本発明は、前記Ｒ1は１-エトキシエ
チル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメチル基、
またはメトキシメチル基である前記レジスト組成物であ
る。
チル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメチル基、
またはメトキシメチル基である前記レジスト組成物であ
る。
【００１６】さらに本発明は、前記Ｒ2はイソボルニル
オキシカルボニルである前記レジスト組成物である。
オキシカルボニルである前記レジスト組成物である。
【００１７】さらに本発明は、前記光酸発生剤の含量
は、前記ポリマーの質量を基準として１〜１５質量％で
ある前記レジスト組成物である。
は、前記ポリマーの質量を基準として１〜１５質量％で
ある前記レジスト組成物である。
【００１８】さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリア
リールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、ス
ルホネートまたはその混合物である前記レジスト組成物
である。
リールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、ス
ルホネートまたはその混合物である前記レジスト組成物
である。
【００１９】さらに本発明は、有機塩基をさらに含む前
記レジスト組成物である。
記レジスト組成物である。
【００２０】さらに本発明は、前記有機塩基の含量は、
前記ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量
％である前記レジスト組成物である。
前記ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量
％である前記レジスト組成物である。
【００２１】さらに本発明は、前記有機塩基は、トリエ
チルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチル
アミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンま
たはその混合物である前記レジスト組成物である。
チルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチル
アミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンま
たはその混合物である前記レジスト組成物である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による感光性ポリマ
ー及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物につ
いて説明する。
ー及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物につ
いて説明する。
【００２３】本発明の感光性ポリマーは、下記化学式１
によって表される。
によって表される。
【００２４】
【化５】
【００２５】具体的には、式中、Ｒ1はｔ−ブチル基、
テトラヒドロピラニル基、１-アルコキシエチル基、ま
たは１-アルコキシメチル基である。好ましくは、１-エ
トキシエチル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメ
チル基、またはメトキシメチル基である。
テトラヒドロピラニル基、１-アルコキシエチル基、ま
たは１-アルコキシメチル基である。好ましくは、１-エ
トキシエチル基、１-エトキシプロピル基、エトキシメ
チル基、またはメトキシメチル基である。
【００２６】Ｒ2は水素原子、シアノ基（−ＣＮ）、ヒ
ドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２
-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカ
ルボニル基、またはシクロペンチル基、シクロヘキシル
基等の脂環式炭化水素であある。好ましくは、イソボル
ニルオキシカルボニル基である。
ドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２
-ヒドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカ
ルボニル基、またはシクロペンチル基、シクロヘキシル
基等の脂環式炭化水素であある。好ましくは、イソボル
ニルオキシカルボニル基である。
【００２７】Ｒ3は水素原子またはメチル基である。
【００２８】Ｒ4は水素原子、２-ヒドロキシエチル基、
ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマンチル基、ノル
ボルニル基、またはメンチル基である。
ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマンチル基、ノル
ボルニル基、またはメンチル基である。
【００２９】また前記感光性ポリマーにおいては、樹脂
の接着特性及び溶解度特性の観点から、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ
は整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．
５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５で
あり、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であ
り、ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であるこ
とが好ましい。
の接着特性及び溶解度特性の観点から、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ
は整数であり、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．
５であり、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５で
あり、ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であ
り、ｐ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であるこ
とが好ましい。
【００３０】前記ポリマーの重量平均分子量は３，００
０〜１００，０００である。ここで重量平均分子量が
３，０００未満の場合、ガラス転移点（Ｔｇ）が下がり
溶解度特性が劣化するため好ましくなく、重量平均分子
量が１００，０００を超える場合、樹脂の接着特性及び
溶解度特性が劣化するため好ましくない。
０〜１００，０００である。ここで重量平均分子量が
３，０００未満の場合、ガラス転移点（Ｔｇ）が下がり
溶解度特性が劣化するため好ましくなく、重量平均分子
量が１００，０００を超える場合、樹脂の接着特性及び
溶解度特性が劣化するため好ましくない。
【００３１】次に本発明による化学増幅型フォトレジス
ト組成物の説明をする。
ト組成物の説明をする。
【００３２】本発明による化学増幅型フォトレジスト組
成物は、前述した感光性重合体及び前記感光性重合体の
質量を基準として１〜１５質量％の割合で混合された光
酸発生剤（Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏ
ｒ：以降、ＰＡＧとする）を含む。ここで光酸発生剤の
含有量が１％未満の場合、感度が低下し、解像度が落ち
るため好ましくない。また１５％を超過する場合、透過
度特性及び溶解度特性が劣化し好ましくない。
成物は、前述した感光性重合体及び前記感光性重合体の
質量を基準として１〜１５質量％の割合で混合された光
酸発生剤（Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏ
ｒ：以降、ＰＡＧとする）を含む。ここで光酸発生剤の
含有量が１％未満の場合、感度が低下し、解像度が落ち
るため好ましくない。また１５％を超過する場合、透過
度特性及び溶解度特性が劣化し好ましくない。
【００３３】本発明による化学増幅型フォトレジスト組
成物は、前記感光性重合体の質量を基準として１〜５０
質量％の溶解抑制剤をさらに含むことができる。
成物は、前記感光性重合体の質量を基準として１〜５０
質量％の溶解抑制剤をさらに含むことができる。
【００３４】光酸発生剤としては、高い熱的安定性を有
する物質を使用することが好ましい。したがって、トリ
アリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、
スルホネートまたはＮ-ヒドロキシスクシンイミッドト
リフレートが使用できる。例えば、トリアリールスルホ
ニウム塩としては、トリフェニルスルホニウムまたはト
リフェニルスルホニウムアンチモン酸塩が使用される。
ジアリールヨードニウム塩としては、ジフェニルヨード
ニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモ
ン酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート
またはジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、またはこれらの混合物が使用される。
する物質を使用することが好ましい。したがって、トリ
アリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、
スルホネートまたはＮ-ヒドロキシスクシンイミッドト
リフレートが使用できる。例えば、トリアリールスルホ
ニウム塩としては、トリフェニルスルホニウムまたはト
リフェニルスルホニウムアンチモン酸塩が使用される。
ジアリールヨードニウム塩としては、ジフェニルヨード
ニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモ
ン酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート
またはジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト、またはこれらの混合物が使用される。
【００３５】具体的には、トリアリールスルホニウム
塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはそ
の混合物等が好ましい。
塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはそ
の混合物等が好ましい。
【００３６】また、前記感光性重合体の質量を基準とし
て０．０１〜２．０質量％の有機塩基をさらに含むこと
ができる。ここで有機塩基の含有量が０．０１％未満の
場合、フォトレジストが環境に敏感になり、例えばＴ−
トッププロファイル減少が発生するため好ましくない。
また、２．０％を超過する場合、感度の低下や解像度の
劣化が発生するため好ましくない。
て０．０１〜２．０質量％の有機塩基をさらに含むこと
ができる。ここで有機塩基の含有量が０．０１％未満の
場合、フォトレジストが環境に敏感になり、例えばＴ−
トッププロファイル減少が発生するため好ましくない。
また、２．０％を超過する場合、感度の低下や解像度の
劣化が発生するため好ましくない。
【００３７】本発明の有機塩基とは、有機化合物のうち
塩基性を持つものをいい、具体的には第一アミン、第二
アミン、第三アミン、芳香族アミン、環状有機塩基、ヒ
ドラジン誘導体などがあり、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミンまたはその
混合物が使用される。有機塩基は、露光後、露光部に発
生した酸が非露光部に拡散されて非露光部を構成するフ
ォトレジスト組成物をも加水分解させてパターンを変形
させる問題点を防止するために添加される。本発明の感
光性ポリマーおよびそれを用いた化学増幅型フォトレジ
スト組成物は、通常の技術によって製造することができ
る。
塩基性を持つものをいい、具体的には第一アミン、第二
アミン、第三アミン、芳香族アミン、環状有機塩基、ヒ
ドラジン誘導体などがあり、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミンまたはその
混合物が使用される。有機塩基は、露光後、露光部に発
生した酸が非露光部に拡散されて非露光部を構成するフ
ォトレジスト組成物をも加水分解させてパターンを変形
させる問題点を防止するために添加される。本発明の感
光性ポリマーおよびそれを用いた化学増幅型フォトレジ
スト組成物は、通常の技術によって製造することができ
る。
【００３８】以下に本発明の感光性ポリマーの製造方法
の例を説明する。
の例を説明する。
【００３９】Ｉ．モノマーの製造：５−ノルボルネン−
２，３−ジカルボン酸エステルの製造 本発明の感光性ポリマーに使用されるモノマーは、適切
な溶媒を用いて５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン
酸化合物および付加させたい構造を有する化合物を反応
させる。反応終了後、溶媒を揮発させ、残留した結果物
を過量の水に注ぎ、その後、過量の水に注ぎ、中和・抽
出し、さらにカラムクロマトグラフィー等の任意の方法
を用いて目的の５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン
酸エステルを分離する。
２，３−ジカルボン酸エステルの製造 本発明の感光性ポリマーに使用されるモノマーは、適切
な溶媒を用いて５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン
酸化合物および付加させたい構造を有する化合物を反応
させる。反応終了後、溶媒を揮発させ、残留した結果物
を過量の水に注ぎ、その後、過量の水に注ぎ、中和・抽
出し、さらにカラムクロマトグラフィー等の任意の方法
を用いて目的の５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン
酸エステルを分離する。
【００４０】II−１．コポリマーの製造 前述したモノマーが、ｌ、ｍが上述の範囲になるような
量で、有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤（例えば
アゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢＮ）を添加
して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜きをし、適
切な条件下で重合反応を行う。その後、得られた反応物
を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して沈殿させ、
任意の方法で精製して目的のポリマーを分離する。
量で、有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤（例えば
アゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢＮ）を添加
して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜きをし、適
切な条件下で重合反応を行う。その後、得られた反応物
を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して沈殿させ、
任意の方法で精製して目的のポリマーを分離する。
【００４１】II−２．ターポリマーの製造 前述したモノマーが、ｌ、ｍ、ｎ、ｐが上述の範囲にな
るような量で有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤
（例えばアゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢ
Ｎ）を添加して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜
きをし、適切な条件下で重合反応を行う。その後、得ら
れた反応物を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して
沈殿させ、任意の方法で精製して目的のポリマーを分離
する。
るような量で有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤
（例えばアゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢ
Ｎ）を添加して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜
きをし、適切な条件下で重合反応を行う。その後、得ら
れた反応物を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して
沈殿させ、任意の方法で精製して目的のポリマーを分離
する。
【００４２】II−３．テトラポリマーの製造 前述したモノマーが、ｌ、ｍ、ｎ、ｐが上述の範囲にな
るような量で有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤
（例えばアゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢ
Ｎ）を添加して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜
きをし、適切な条件下で重合反応を行う。その後、得ら
れた反応物を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して
沈殿させ、任意の方法で精製して目的のポリマーを分離
する。
るような量で有機溶媒に溶解させた後に、重合開始剤
（例えばアゾビスイソブチロニトリル；以下、ＡＩＢ
Ｎ）を添加して、アンプルを用い、凍結方法にてガス抜
きをし、適切な条件下で重合反応を行う。その後、得ら
れた反応物を過量の用場（例えばヘキサン）に滴下して
沈殿させ、任意の方法で精製して目的のポリマーを分離
する。
【００４３】III．化学増幅型フォトレジスト組成物の
製造方法及びこれを用いた写真食刻方法 本発明において、パターン形成工程に用いられるレジス
ト組成物を製造するために、例えば以下のような工程を
用いる。
製造方法及びこれを用いた写真食刻方法 本発明において、パターン形成工程に用いられるレジス
ト組成物を製造するために、例えば以下のような工程を
用いる。
【００４４】本発明の感光性ポリマー１．０ｇを、ＰＡ
Ｇであるトリフェニルスルホニウムトリフレート２０ｍ
ｇ及び有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍｇと共
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）６．０ｇ溶液に完全に溶かす。しかる
後、前記溶液を０．２μｍのメンブレインフィルターを
使ってろ過を行い、レジスト組成物を得る。
Ｇであるトリフェニルスルホニウムトリフレート２０ｍ
ｇ及び有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍｇと共
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）６．０ｇ溶液に完全に溶かす。しかる
後、前記溶液を０．２μｍのメンブレインフィルターを
使ってろ過を行い、レジスト組成物を得る。
【００４５】前述した方法により得られたレジスト組成
物を使ってパターンを形成するために、以下のような工
程を用いる。
物を使ってパターンを形成するために、以下のような工
程を用いる。
【００４６】上面にシリコン酸化膜が形成されているシ
リコンウェーハを用意し、前記シリコンウェーハをヘキ
サメチルジシラザンを使って処理する。しかる後、前記
シリコン酸化膜上に前記レジスト組成物を約０．４μｍ
の厚さでコーティングする。
リコンウェーハを用意し、前記シリコンウェーハをヘキ
サメチルジシラザンを使って処理する。しかる後、前記
シリコン酸化膜上に前記レジスト組成物を約０．４μｍ
の厚さでコーティングする。
【００４７】レジスト組成物がコーティングされた前記
シリコンウェーハを１００〜１３０℃の温度範囲で６０
〜１２０秒間プリベークし、開口数（ＮＡ）が０．４５
であるＫｒＦエキシマレーザーまたは開口数（ＮＡ）が
０．６であるＡｒＦエキシマレーザーを用いて露光した
後、１００〜１４０℃の温度範囲で６０〜１２０秒間Ｐ
ＥＢ（露光後焼成：ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａ
ｋｉｎｇ）を施す。
シリコンウェーハを１００〜１３０℃の温度範囲で６０
〜１２０秒間プリベークし、開口数（ＮＡ）が０．４５
であるＫｒＦエキシマレーザーまたは開口数（ＮＡ）が
０．６であるＡｒＦエキシマレーザーを用いて露光した
後、１００〜１４０℃の温度範囲で６０〜１２０秒間Ｐ
ＥＢ（露光後焼成：ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａ
ｋｉｎｇ）を施す。
【００４８】しかる後、２．３８質量％のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を使って約
２０〜６０秒間現像を行なう。その結果として得られた
レジストパターンをマスクとして特定のエッチングガス
を用い、前記シリコン酸化膜をエッチングする。次に、
ストリッパーを使ってウェーハ上に残留しているレジス
トパターンを取り除き、所望のシリコン酸化膜パターン
を形成する。
アンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を使って約
２０〜６０秒間現像を行なう。その結果として得られた
レジストパターンをマスクとして特定のエッチングガス
を用い、前記シリコン酸化膜をエッチングする。次に、
ストリッパーを使ってウェーハ上に残留しているレジス
トパターンを取り除き、所望のシリコン酸化膜パターン
を形成する。
【００４９】フォトレジストパターンを形成した後に、
パターニングしようとする膜をエッチングして所望のパ
ターンを形成する。本発明によるフォトレジストパター
ンは、感光性重合体の主鎖に構成単位の環状構造の一部
が含まれており、さらに側鎖に脂環式炭化水素基が結合
された感光性重合体よりなっているので、耐エッチング
性が大きい。したがって、パターンを正確な臨界寸法で
良好なプロファイルのパターンを高い解像度で形成でき
る。
パターニングしようとする膜をエッチングして所望のパ
ターンを形成する。本発明によるフォトレジストパター
ンは、感光性重合体の主鎖に構成単位の環状構造の一部
が含まれており、さらに側鎖に脂環式炭化水素基が結合
された感光性重合体よりなっているので、耐エッチング
性が大きい。したがって、パターンを正確な臨界寸法で
良好なプロファイルのパターンを高い解像度で形成でき
る。
【００５０】
【実施例】実施例１：２，３-ジ-ｔ-ブトキシカルボニ
ル-５-ノルボルネンの合成
ル-５-ノルボルネンの合成
【００５１】
【化６】
【００５２】丸いフラスコ内でカリウムｔ-ブトキシド
３４ｇ（０．３モル）をジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）
２００ｍｌに溶かした後、ここに５-ノルボルネン-２，
３-ジカルボニルクロライド２２ｇ（０．１モル）をゆ
っくり加え、４５℃で約１２時間反応させた。
３４ｇ（０．３モル）をジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）
２００ｍｌに溶かした後、ここに５-ノルボルネン-２，
３-ジカルボニルクロライド２２ｇ（０．１モル）をゆ
っくり加え、４５℃で約１２時間反応させた。
【００５３】反応が終わった後、過量の溶剤を揮発さ
せ、残留した結果物を過量の水に注ぎ、ＨＣｌを使って
中和させた。しかる後、ジエーテルを使って抽出し、Ｍ
ｇＳＯ 4により乾燥を行なった後、真空蒸留法を利用し
て生成物を分離した。（収率：６５％）実施例２：２，３-ジ-テトラヒドロピラニルオキシカル
ボニル-５-ノルボルネンの合成 丸いフラスコ内で５-ノルボルネン-２，３-ジカルボン
酸１８．２ｇ（０．１モル）及び２，３-ジヒドロピラ
ン３４ｇ（０．４モル）をメチレンクロライド１５０ｍ
ｌに溶かした後、ここに少量のｐ-トルエンスルホン酸
を加え、還流状態下で約１２時間反応させた。
せ、残留した結果物を過量の水に注ぎ、ＨＣｌを使って
中和させた。しかる後、ジエーテルを使って抽出し、Ｍ
ｇＳＯ 4により乾燥を行なった後、真空蒸留法を利用し
て生成物を分離した。（収率：６５％）実施例２：２，３-ジ-テトラヒドロピラニルオキシカル
ボニル-５-ノルボルネンの合成 丸いフラスコ内で５-ノルボルネン-２，３-ジカルボン
酸１８．２ｇ（０．１モル）及び２，３-ジヒドロピラ
ン３４ｇ（０．４モル）をメチレンクロライド１５０ｍ
ｌに溶かした後、ここに少量のｐ-トルエンスルホン酸
を加え、還流状態下で約１２時間反応させた。
【００５４】反応後に得られた結果物を過量の水に注
ぎ、炭酸カリウムを使って中和させた。しかる後、塩化
メチレンを使って抽出し、カラムクロマトグラフィ（エ
チルアセテート：ｎ-ヘキサン＝１：３）法により生成
物を分離した。（収率：８０％）実施例３：２，３-ジ-１-エトキシエチルオキシカルボ
ニル-５-ノルボルネンの合成 エチルビニルエーテル（０．４モル）を用い、実施例２
の方法と同様にして反応させ、真空蒸留法により生成物
を分離した。（収率７５％）実施例４：コポリマーの合成 本発明によるコポリマーを生成する反応式を以下に示
す。
ぎ、炭酸カリウムを使って中和させた。しかる後、塩化
メチレンを使って抽出し、カラムクロマトグラフィ（エ
チルアセテート：ｎ-ヘキサン＝１：３）法により生成
物を分離した。（収率：８０％）実施例３：２，３-ジ-１-エトキシエチルオキシカルボ
ニル-５-ノルボルネンの合成 エチルビニルエーテル（０．４モル）を用い、実施例２
の方法と同様にして反応させ、真空蒸留法により生成物
を分離した。（収率７５％）実施例４：コポリマーの合成 本発明によるコポリマーを生成する反応式を以下に示
す。
【００５５】
【化７】
【００５６】実施例４-１：コポリマーの合成（Ｒ＝ｔ-
ブチル） 実施例１で合成したモノマー１５ｇ（５０ミリモル）及
び無水マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）をアゾビス
（イソブチルロニトリル）（以下、ＡＩＢＮ）０．１７
ｇと共に無水ジオキサン１０ｇに溶かした後、アンプル
を用い、凍結方法によりガス抜きを施した。しかる後、
反応物を７０℃の温度で約２４時間重合させた。
ブチル） 実施例１で合成したモノマー１５ｇ（５０ミリモル）及
び無水マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）をアゾビス
（イソブチルロニトリル）（以下、ＡＩＢＮ）０．１７
ｇと共に無水ジオキサン１０ｇに溶かした後、アンプル
を用い、凍結方法によりガス抜きを施した。しかる後、
反応物を７０℃の温度で約２４時間重合させた。
【００５７】重合が終わった後、反応物を過量のｎ-ヘ
キサンにゆっくり滴下しながら沈殿させ、沈殿物を再び
ＴＨＦに溶かした後に、補助溶剤（ｎ-ヘキサン：イソ
プロピルアルコール＝８：２）で再殿物を行い、ポリマ
ーを得た。（収率：４０％）このとき、得られた生成物
の重量平均分子量は１２，６００で、多分散度は１．８
であった。
キサンにゆっくり滴下しながら沈殿させ、沈殿物を再び
ＴＨＦに溶かした後に、補助溶剤（ｎ-ヘキサン：イソ
プロピルアルコール＝８：２）で再殿物を行い、ポリマ
ーを得た。（収率：４０％）このとき、得られた生成物
の重量平均分子量は１２，６００で、多分散度は１．８
であった。
【００５８】実施例４-２：コポリマーの合成（Ｒ＝テ
トラヒドロピラニル） 実施例２で合成したモノマー（５０ミリモル）及び無水
マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）を用い、実施例４
-１の方法と同様にして重合させた後に、実施例４-１の
方法と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
トラヒドロピラニル） 実施例２で合成したモノマー（５０ミリモル）及び無水
マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）を用い、実施例４
-１の方法と同様にして重合させた後に、実施例４-１の
方法と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
【００５９】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３，１００で、多分散度は１．９であった。
量は１３，１００で、多分散度は１．９であった。
【００６０】実施例４-３：コポリマーの合成（Ｒ＝１-
エトキシエチル） 実施例３で合成したモノマー（５０ミリモル）及び無水
マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）を用い、実施例４
-１の方法と同様にして重合を行なった後に、実施例４-
１の沈殿方法と同様にしてポリマーを得た。
エトキシエチル） 実施例３で合成したモノマー（５０ミリモル）及び無水
マレイン酸４．９ｇ（５０ミリモル）を用い、実施例４
-１の方法と同様にして重合を行なった後に、実施例４-
１の沈殿方法と同様にしてポリマーを得た。
【００６１】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３，１００で、多分散度は１．９であった。
量は１３，１００で、多分散度は１．９であった。
【００６２】実施例５：ターポリマーの合成 本発明によるターポリマーを生成する反応式を以下に示
す。
す。
【００６３】
【化８】
【００６４】実施例５-１：ターポリマーの合成（Ｒ1＝
ｔ-ブチル、Ｒ2＝ヒドロキシメチル 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-メタノール（１０ミリモル）と、無水
マレイン酸（５０ミリモル）をＡＩＢＮ０．１７ｇと共
に無水ジオキサン（×０．５倍）に溶かした後に、アン
プルを用い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を
７０℃の温度で約２４時間重合させた。
ｔ-ブチル、Ｒ2＝ヒドロキシメチル 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-メタノール（１０ミリモル）と、無水
マレイン酸（５０ミリモル）をＡＩＢＮ０．１７ｇと共
に無水ジオキサン（×０．５倍）に溶かした後に、アン
プルを用い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を
７０℃の温度で約２４時間重合させた。
【００６５】重合が終わった後、反応物を過量のｎ-ヘ
キサンにゆっくり滴下しながら沈殿させた後に、沈殿物
を再びＴＨＦに溶かし、補助溶剤（ｎ-ヘキサン：イソ
プロピルアルコール＝９：１）で再沈殿を行い、ポリマ
ーを得た。（収率：４０％）このとき、得られた生成物
の重量平均分子量は１２，６００で、多分散度は１．８
であった。
キサンにゆっくり滴下しながら沈殿させた後に、沈殿物
を再びＴＨＦに溶かし、補助溶剤（ｎ-ヘキサン：イソ
プロピルアルコール＝９：１）で再沈殿を行い、ポリマ
ーを得た。（収率：４０％）このとき、得られた生成物
の重量平均分子量は１２，６００で、多分散度は１．８
であった。
【００６６】実施例５-２：ターポリマーの合成（Ｒ1＝
ｔ-ブチル、Ｒ2＝カルボン酸） 実施例１で合成したモノマー（４５ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-カルボン酸（５ミリモル）と、無水マ
レイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例５-１の方法
と同様にして重合させた後に、実施例５-１の方法と同
様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
ｔ-ブチル、Ｒ2＝カルボン酸） 実施例１で合成したモノマー（４５ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-カルボン酸（５ミリモル）と、無水マ
レイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例５-１の方法
と同様にして重合させた後に、実施例５-１の方法と同
様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
【００６７】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３，７００で、多分散度は１．９であった。
量は１３，７００で、多分散度は１．９であった。
【００６８】実施例５-３：ターポリマーの合成（Ｒ1＝
テトラヒドロピラニル、Ｒ2＝２-ヒドロキシエチルオキ
シカルボニル） 実施例２で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチル５-ノルボルネン-２-カルボン酸（１
０ミリモル）、無水マレイン酸（５０ミリモル）を用
い、実施例５-１の方法と同様にして重合させた後に、
実施例５-１の方法と同様にして沈殿を行い、ポリマー
を得た。
テトラヒドロピラニル、Ｒ2＝２-ヒドロキシエチルオキ
シカルボニル） 実施例２で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチル５-ノルボルネン-２-カルボン酸（１
０ミリモル）、無水マレイン酸（５０ミリモル）を用
い、実施例５-１の方法と同様にして重合させた後に、
実施例５-１の方法と同様にして沈殿を行い、ポリマー
を得た。
【００６９】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３，３００で、多分散度は２．０であった。
量は１３，３００で、多分散度は２．０であった。
【００７０】実施例５-４：ターポリマーの合成（Ｒ1＝
１-エトキシエチル、Ｒ2＝水素） 実施例３で合成したモノマー（４０ミリモル）と、ノル
ボルネン（１０ミリモル）と、無水マレイン酸（５０ミ
リモル）を用い、実施例５-１の方法と同様にして重合
させた後に、実施例５-１の方法と同様にして沈殿を行
い、ポリマーを得た。
１-エトキシエチル、Ｒ2＝水素） 実施例３で合成したモノマー（４０ミリモル）と、ノル
ボルネン（１０ミリモル）と、無水マレイン酸（５０ミ
リモル）を用い、実施例５-１の方法と同様にして重合
させた後に、実施例５-１の方法と同様にして沈殿を行
い、ポリマーを得た。
【００７１】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１２，３００で、多分散度は２．２であった。
量は１２，３００で、多分散度は２．２であった。
【００７２】実施例６：ターポリマーの合成 本発明によるターポリマーを生成する反応式を以下に示
す。
す。
【００７３】
【化９】
【００７４】実施例６-１：ターポリマーの合成（Ｒ1＝
ｔ-ブチル、Ｒ2＝水素、Ｒ3＝ヒドロキシエチル） 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルアクリル酸（１０ミリモル）と、無水
マレイン酸（５０ミリモル）をＡＩＢＮ０．１７ｇと共
に無水ジオキサン（×１．０倍）に溶かした後に、アン
プルを用い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を
７０℃の温度で約２４時間重合させた。重合が終わった
後、反応物を過量のｎ-ヘキサンにゆっくり滴下しなが
ら沈殿させた後に、沈殿物を再びＴＨＦに溶かし、補助
溶剤（ｎ-ヘキサン：イソプロピルアルコール＝９：
１）で再沈殿を行い、ポリマーを得た。（収率：４５
％）このとき、得られた生成物の重量平均分子量は１
２、６００で、多分散度は２．０であった。
ｔ-ブチル、Ｒ2＝水素、Ｒ3＝ヒドロキシエチル） 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルアクリル酸（１０ミリモル）と、無水
マレイン酸（５０ミリモル）をＡＩＢＮ０．１７ｇと共
に無水ジオキサン（×１．０倍）に溶かした後に、アン
プルを用い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を
７０℃の温度で約２４時間重合させた。重合が終わった
後、反応物を過量のｎ-ヘキサンにゆっくり滴下しなが
ら沈殿させた後に、沈殿物を再びＴＨＦに溶かし、補助
溶剤（ｎ-ヘキサン：イソプロピルアルコール＝９：
１）で再沈殿を行い、ポリマーを得た。（収率：４５
％）このとき、得られた生成物の重量平均分子量は１
２、６００で、多分散度は２．０であった。
【００７５】実施例６−２：ターポリマーの合成（Ｒ1
＝ｔ-ブチル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝水素） 実施例１で合成したモノマー（４５ミリモル）と、メチ
ルメタクリレート（５ミリモル）と、無水マレイン酸
（５０ミリモル）を用い、実施例６-１の方法と同様に
して重合させた後に、実施例６-１の方法と同様にして
沈殿を行い、ポリマーを得た。
＝ｔ-ブチル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝水素） 実施例１で合成したモノマー（４５ミリモル）と、メチ
ルメタクリレート（５ミリモル）と、無水マレイン酸
（５０ミリモル）を用い、実施例６-１の方法と同様に
して重合させた後に、実施例６-１の方法と同様にして
沈殿を行い、ポリマーを得た。
【００７６】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３、７００で、多分散度は２．２であった。
量は１３、７００で、多分散度は２．２であった。
【００７７】実施例６−３：ターポリマーの合成（Ｒ1
＝テトラヒドロピラニル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝２-ヒド
ロキシエチル） 実施例２で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルメタクリレート（１０ミリモル）と、
無水マレイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例６-１
の方法と同様にして重合させた後に、実施例６-１の方
法と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
＝テトラヒドロピラニル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝２-ヒド
ロキシエチル） 実施例２で合成したモノマー（４０ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルメタクリレート（１０ミリモル）と、
無水マレイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例６-１
の方法と同様にして重合させた後に、実施例６-１の方
法と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
【００７８】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３、３００で、多分散度は２．１であった。
量は１３、３００で、多分散度は２．１であった。
【００７９】実施例６−４：ターポリマーの合成（Ｒ1
＝１-エトキシエチル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝２-ヒドロキ
シエチル） 実施例３で合成したモノマー（４５ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルメタクリレート（５ミリモル）と、無
水マレイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例６-１の
方法と同様にして重合させた後に、実施例６-１の方法
と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
＝１-エトキシエチル、Ｒ2＝メチル、Ｒ3＝２-ヒドロキ
シエチル） 実施例３で合成したモノマー（４５ミリモル）と、２-
ヒドロキシエチルメタクリレート（５ミリモル）と、無
水マレイン酸（５０ミリモル）を用い、実施例６-１の
方法と同様にして重合させた後に、実施例６-１の方法
と同様にして沈殿を行い、ポリマーを得た。
【００８０】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１２、３００で、多分散度は２．２であった。
量は１２、３００で、多分散度は２．２であった。
【００８１】実施例７：テトラポリマーの合成 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-メタノール（１０ミリモル）と、イソ
ボルニルアクリル酸（５ミリモル）、及び無水マレイン
酸（５０ミリモル）を１モル％のＡＩＢＮと共に無水ジ
オキサン（×１．０倍）に溶かした後に、アンプルを用
い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を７０℃の
温度で約２４時間重合させた。重合が終わった後、反応
物を過量のｎ−ヘキサンにゆっくり滴下しながら沈殿さ
せた後に、沈殿物を再びＴＨＦに溶かし、補助溶剤（ｎ
-ヘキサン：イソプロピルアルコール＝９：１）で再沈
殿を行なってポリマーを得た。（収率：４５％） このとき、得られた生成物の重量平均分子量は１２、６
００で、多分散度は２．２であった。
ノルボルネン-２-メタノール（１０ミリモル）と、イソ
ボルニルアクリル酸（５ミリモル）、及び無水マレイン
酸（５０ミリモル）を１モル％のＡＩＢＮと共に無水ジ
オキサン（×１．０倍）に溶かした後に、アンプルを用
い、凍結方法によりガス抜きを施し、反応物を７０℃の
温度で約２４時間重合させた。重合が終わった後、反応
物を過量のｎ−ヘキサンにゆっくり滴下しながら沈殿さ
せた後に、沈殿物を再びＴＨＦに溶かし、補助溶剤（ｎ
-ヘキサン：イソプロピルアルコール＝９：１）で再沈
殿を行なってポリマーを得た。（収率：４５％） このとき、得られた生成物の重量平均分子量は１２、６
００で、多分散度は２．２であった。
【００８２】実施例８：テトラポリマーの合成 実施例１で合成したモノマー（４０ミリモル）と、５-
ノルボルネン-２-カルボン酸（１０ミリモル）と、イソ
ボルニルアクリル酸（１０ミリモル）、及び無水マレイ
ン酸（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にして重
合させた後に、実施例７の方法ど同様にして沈殿を行
い、ポリマーを得た。
ノルボルネン-２-カルボン酸（１０ミリモル）と、イソ
ボルニルアクリル酸（１０ミリモル）、及び無水マレイ
ン酸（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にして重
合させた後に、実施例７の方法ど同様にして沈殿を行
い、ポリマーを得た。
【００８３】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１３、１００で、多分散度は２．１であった。
量は１３、１００で、多分散度は２．１であった。
【００８４】実施例９：テトラポリマーの合成 実施例１で合成したモノマー（３０ミリモル）と、アク
リル酸（１０ミリモル）と、２-イソボルニル ５-ノル
ボルネン-２-カルボン酸（１０ミリモル）、及び無水マ
レイン酸（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にし
て重合させた後に、実施例７の方法と同様にして沈殿を
行い、ポリマーを得た。
リル酸（１０ミリモル）と、２-イソボルニル ５-ノル
ボルネン-２-カルボン酸（１０ミリモル）、及び無水マ
レイン酸（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にし
て重合させた後に、実施例７の方法と同様にして沈殿を
行い、ポリマーを得た。
【００８５】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１４、１００で、多分散度は２．３であった。
量は１４、１００で、多分散度は２．３であった。
【００８６】実施例１０：テトラポリマーの合成 実施例１で合成したモノマー（３０ミリモル）と、ノル
ボルネン（２０ミリモル）と、２-ヒドロキシエチルメ
タクリレート（２０ミリモル）、及び無水マレイン酸
（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にして重合さ
せた後に、実施例７の方法と同様にして沈殿を行い、ポ
リマーを得た。
ボルネン（２０ミリモル）と、２-ヒドロキシエチルメ
タクリレート（２０ミリモル）、及び無水マレイン酸
（５０ミリモル）を実施例７の方法と同様にして重合さ
せた後に、実施例７の方法と同様にして沈殿を行い、ポ
リマーを得た。
【００８７】このとき、得られた生成物の重量平均分子
量は１２、１００で、多分散度は２．１であった。
量は１２、１００で、多分散度は２．１であった。
【００８８】実施例１１：レジスト組成物を用いたパタ
ーン形成工程 次に、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を
製造した後に、これを使ってパターンを形成した具体的
な例を説明する。
ーン形成工程 次に、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を
製造した後に、これを使ってパターンを形成した具体的
な例を説明する。
【００８９】実施例１１−１ 実施例４-２で合成したポリマー１．０ｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【００９０】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされたウェーハを１００℃の温度で９０秒間プレベ
ークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエキシ
マレーザーを使って露光を行なった後に、１００℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされたウェーハを１００℃の温度で９０秒間プレベ
ークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエキシ
マレーザーを使って露光を行なった後に、１００℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【００９１】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【００９２】露光ドーズ量を約２３ｍＪ／ｃｍ2とした
とき、０．５μｍラインアンドスペースパターンが得ら
れることが確認できた。
とき、０．５μｍラインアンドスペースパターンが得ら
れることが確認できた。
【００９３】実施例１１−２ 実施例５-１で合成したポリマー１．０ｇと、ＰＡＧで
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート３０ｍｇ、
及び有機塩基であるトリエタノールアミン３ｍｇを用
い、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製
造し、得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティ
ングした。
あるトリフェニルスルホニウムトリフレート３０ｍｇ、
及び有機塩基であるトリエタノールアミン３ｍｇを用
い、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製
造し、得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティ
ングした。
【００９４】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされたウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プレベ
ークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエキシ
マレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温度
で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされたウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プレベ
ークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエキシ
マレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温度
で９０秒間ＰＥＢを施した。
【００９５】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【００９６】その結果、露光ドーズ量を約２１ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．４μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．４μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【００９７】実施例１１−３ 実施例５-２で合成したポリマー１．０ｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【００９８】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【００９９】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１００】その結果、露光ドーズ量を約１１ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１０１】実施例１１−４ 実施例６-１で合成したポリマー１．０ｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【０１０２】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【０１０３】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約４５秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約４５秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１０４】露光ドーズ量を約１４ｍＪ／ｃｍ2とした
とき、０．３μｍのラインアンドスペースパターンが得
られることが確認できた。
とき、０．３μｍのラインアンドスペースパターンが得
られることが確認できた。
【０１０５】実施例１１−５ 実施例６-３で合成したポリマー１．０ｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【０１０６】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされた前記ウェーハを１１０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされた前記ウェーハを１１０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【０１０７】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１０８】その結果、露光ドーズ量を約１３ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１０９】実施例１１−６ 実施例７で合成したポリマー１．０ｇと、ＰＡＧである
トリフェニルスルホニウムトリフレート３０ｍｇ、及び
有機塩基であるトリエタノールアミン３ｍｇを用い、実
施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、
得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
トリフェニルスルホニウムトリフレート３０ｍｇ、及び
有機塩基であるトリエタノールアミン３ｍｇを用い、実
施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、
得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【０１１０】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエ
キシマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の
温度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．４５であるＫｒＦエ
キシマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃の
温度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【０１１１】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１１２】その結果、露光ドーズ量を約２１ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．５μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．５μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１１３】実施例１１−７ 実施例８で合成したポリマー１．０ｇと、ＰＡＧである
トリフェニルスルホニウムトリフレート２０ｍｇ、及び
有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍｇを用い、実
施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、
得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。しかる後、前記レジスト組成物がコーティングされ
た前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プレベーク
し、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキシマレー
ザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温度で９０
秒間ＰＥＢを施した。
トリフェニルスルホニウムトリフレート２０ｍｇ、及び
有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍｇを用い、実
施例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、
得られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。しかる後、前記レジスト組成物がコーティングされ
た前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プレベーク
し、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキシマレー
ザーを使って露光を行なった後、１２０℃の温度で９０
秒間ＰＥＢを施した。
【０１１４】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１１５】その結果、露光ドーズ量を約１３ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１１６】実施例１１−８ 実施例９で合成したポリマー１．０ｇと、ＰＡＧである
トリフェニルスルホニウムノナフレート２０ｍｇ、及び
有機塩基であるジエタノールアミン２ｍｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
トリフェニルスルホニウムノナフレート２０ｍｇ、及び
有機塩基であるジエタノールアミン２ｍｇを用い、実施
例１１の方法と同様にしてレジスト組成物を製造し、得
られたレジスト組成物をウェーハ上にコーティングし
た。
【０１１７】しかる後、前記レジスト組成物がコーティ
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
ングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒間プ
レベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦエキ
シマレーザーを使って露光を行なった後、１１０℃の温
度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【０１１８】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１１９】その結果、露光ドーズ量を約１５ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１２０】実施例１１−９ 実施例１０で合成したポリマー１．０ｇと、ＰＡＧであ
る４-メトキシ-ジフェニルヨードニウムトリフレート２
０ｍｇ、及び有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍ
ｇを用い、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成
物を製造し、得られたレジスト組成物をウェーハ上にコ
ーティングした。しかる後、前記レジスト組成物がコー
ティングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒
間プレベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦ
エキシマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃
の温度で９０秒間ＰＥＢを施した。
る４-メトキシ-ジフェニルヨードニウムトリフレート２
０ｍｇ、及び有機塩基であるトリイソブチルアミン２ｍ
ｇを用い、実施例１１の方法と同様にしてレジスト組成
物を製造し、得られたレジスト組成物をウェーハ上にコ
ーティングした。しかる後、前記レジスト組成物がコー
ティングされた前記ウェーハを１４０℃の温度で９０秒
間プレベークし、開口数（ＮＡ）が０．６であるＡｒＦ
エキシマレーザーを使って露光を行なった後、１２０℃
の温度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【０１２１】しかる後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
を使って約６０秒間現像を行い、レジストパターンを形
成した。
【０１２２】その結果、露光ドーズ量を約１３ｍＪ／ｃ
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
ｍ2としたとき、０．３μｍのラインアンドスペースパ
ターンが得られることが確認できた。
【０１２３】
【発明の効果】本発明による感光性ポリマーは、ポリマ
ーの主鎖が環状構造の一部を含みながら、その保護基に
ドライエッチングに対する耐性を強化できる脂環式炭化
水素を含有していることから、ドライエッチングに対す
る耐性を十分確保することができる。
ーの主鎖が環状構造の一部を含みながら、その保護基に
ドライエッチングに対する耐性を強化できる脂環式炭化
水素を含有していることから、ドライエッチングに対す
る耐性を十分確保することができる。
【０１２４】さらに、２つの保護基を有するモノマーを
使ってポリマーを合成することから、そのポリマーから
得られたレジスト組成物において露光前後の溶解度変化
を大きくでき、その結果、レジストのコントラストを増
大できる。
使ってポリマーを合成することから、そのポリマーから
得られたレジスト組成物において露光前後の溶解度変化
を大きくでき、その結果、レジストのコントラストを増
大できる。
【０１２５】さらに、レジスト組成物の接着特性を強化
させるために各種のコポリマーを導入して共重合体を形
成することによって、下部膜質に対する接着力を向上で
き、通常の現像液、例えば、２．３８質量％のＴＭＡＨ
溶液を使ってレジストパターンを形成できる。
させるために各種のコポリマーを導入して共重合体を形
成することによって、下部膜質に対する接着力を向上で
き、通常の現像液、例えば、２．３８質量％のＴＭＡＨ
溶液を使ってレジストパターンを形成できる。
【０１２６】これにより、本発明によるポリマーからな
るレジスト組成物はドライエッチングに対する耐性を十
分確保でき、いかなる形態のリソグラフィ工程に適用し
ても極めて優れたリソグラフィパーフォーマンスを示す
ことができることから、今後次世代の半導体素子を製造
する上で極めて有用である。
るレジスト組成物はドライエッチングに対する耐性を十
分確保でき、いかなる形態のリソグラフィ工程に適用し
ても極めて優れたリソグラフィパーフォーマンスを示す
ことができることから、今後次世代の半導体素子を製造
する上で極めて有用である。
【０１２７】以上、本発明を好ましい実施例を挙げて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の技術的な思想の範囲内であれば、当
分野における通常の知識を有した者にとって各種の変形
が可能である。
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の技術的な思想の範囲内であれば、当
分野における通常の知識を有した者にとって各種の変形
が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/03 Ｃ０８Ｋ 5/03 5/17 5/17 5/36 5/36 5/42 5/42 Ｃ０８Ｌ 33/02 Ｃ０８Ｌ 33/02 33/14 33/14 35/00 35/00 45/00 45/00 Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
Claims (11)
- 【請求項１】 化学式１： 【化１】 （式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、
１-アルコキシエチル基、または１-アルコキシメチル基
であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−ＣＮ）、ヒドロ
キシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２-ヒ
ドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカル
ボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ3は水素原
子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２-ヒドロキ
シエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマン
チル基、ノルボルニル基、またはメンチル基である。ま
た、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５であり、
ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であり、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、ｐ／（ｌ
＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で示される
重量平均分子量が３，０００〜１００，０００の感光性
ポリマー。 - 【請求項２】 前記Ｒ1は１-エトキシエチル基、１-エ
トキシプロピル基、エトキシメチル基、またはメトキシ
メチル基である請求項１に記載の感光性ポリマー。 - 【請求項３】 前記Ｒ2はイソボルニルオキシカルボニ
ル基である請求項１に記載の感光性ポリマー。 - 【請求項４】 （ａ）化学式１： 【化２】 （式中、Ｒ1はｔ-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、
１-アルコキシエチル基、または１-アルコキシメチル基
であり、Ｒ2は水素原子、シアノ基（−ＣＮ）、ヒドロ
キシル基、ヒドロキシメチル基、カルボン酸基、２-ヒ
ドロキシエチルオキシカルボニル基、ｔ-ブトキシカル
ボニル基、または脂環式炭化水素であり、Ｒ3は水素原
子またはメチル基であり、Ｒ4は水素原子、２-ヒドロキ
シエチル基、ｔ-ブチル基、イソボルニル基、アダマン
チル基、ノルボルニル基、またはメンチル基である。ま
た、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．１〜０．５であり、
ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．３〜０．５であり、ｎ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３であり、ｐ／（ｌ
＋ｍ＋ｎ＋ｐ）＝０．０〜０．３である。）で示される
重量平均分子量が３，０００〜１００，０００の感光性
ポリマーと、 （ｂ）光酸発生剤とからなるレジスト組成物。 - 【請求項５】 前記Ｒ1は１-エトキシエチル基、１-エ
トキシプロピル基、エトキシメチル基、またはメトキシ
メチル基である請求項４に記載のレジスト組成物。 - 【請求項６】 前記Ｒ2はイソボルニルオキシカルボニ
ルである請求項４に記載のレジスト組成物。 - 【請求項７】 前記光酸発生剤の含量は、前記ポリマー
の質量を基準として１〜１５質量％である請求項４に記
載のレジスト組成物。 - 【請求項８】 前記光酸発生剤はトリアリールスルホニ
ウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまた
はその混合物である請求項４に記載のレジスト組成物。 - 【請求項９】 有機塩基をさらに含む請求項４に記載の
レジスト組成物。 - 【請求項１０】 前記有機塩基の含量は、前記ポリマー
の質量を基準として０．０１〜２．０質量％である請求
項９に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１１】 前記有機塩基は、トリエチルアミン、
トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミンまたはその混合
物である請求項９に記載のレジスト組成物。
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