KR100557543B1 - 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물 - Google Patents

신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100557543B1
KR100557543B1 KR1020000037314A KR20000037314A KR100557543B1 KR 100557543 B1 KR100557543 B1 KR 100557543B1 KR 1020000037314 A KR1020000037314 A KR 1020000037314A KR 20000037314 A KR20000037314 A KR 20000037314A KR 100557543 B1 KR100557543 B1 KR 100557543B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
photoresist
monomer
acrylate
dimethyl
Prior art date
Application number
KR1020000037314A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020002944A (ko
Inventor
이근수
정재창
정민호
백기호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020000037314A priority Critical patent/KR100557543B1/ko
Publication of KR20020002944A publication Critical patent/KR20020002944A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100557543B1 publication Critical patent/KR100557543B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/16—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms
    • C07D295/18—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms acylated on ring nitrogen atoms by radicals derived from carboxylic acids, or sulfur or nitrogen analogues thereof
    • C07D295/182—Radicals derived from carboxylic acids
    • C07D295/185—Radicals derived from carboxylic acids from aliphatic carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/08—Bridged systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains

Abstract

본 발명은 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 상기 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 하기 화학식 1의 포토레지스트 단량체 및 그의 중합체는 기판에 대한 접착성이 우수하고, 뛰어난 대조비 및 감도를 가질 수 있는 특성을 가지므로, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 원자외선 영역에서의 미세 패턴 형성에 적합하게 사용될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112003012696168-pat00001
상기 식에서,
R1은 H 또는 CH3이고;
R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.

Description

신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물{Novel photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it}
도 1은 실시예 7에서 얻어진 패턴 사진이고,
도 2는 실시예 8에서 얻어진 패턴 사진이다.
본 발명은 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 상기 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 접착성이 우수하고, 뛰어난 대조비 및 감도를 가질 수 있는 특성을 가지므로 원자외선 영역에서의 미세 패턴 형성에 적합한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 상기 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
원자외선용 특히, ArF용 포토레지스트로 이용되기 위해서는 193nm 영역에서 높은 광투과율 즉, 낮은 광흡수도를 가져야 하고, 에칭 내성과 여러 종류의 기판에 대한 접착성이 우수해야 할뿐만 아니라 기존의 2.38wt% 또는 2.6wt% 테트라메틸암모늄히드록사이드 (TMAH) 수용액으로 현상이 가능하여야 한다.
현재까지는 193nm 파장에서 노볼락 수지 정도의 높은 투명성과 에칭 내성을 갖는 물질을 탐색하는 것이 주된 연구 방향이었으며, 예를 들어 주사슬에 지방족 환형 단위체 (alicyclic unit)를 넣어 주어 내에칭 특성을 향상시키고자 하는 연구가 벨 연구소 등을 중심으로 수행되어 왔다.
한편, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트계 단량체를 포함하는 중합체에 대한 연구가 일본의 후지쯔 및 미국의 시프리사에 의해 활발히 수행되고 있으나, 에칭 내성 문제를 해결하지 못하고 있을 뿐만 아니라, 지방족 환형 그룹을 상기 중합체에 도입하는 경우 제조원가가 상승된다는 문제점도 안고 있다.
무엇보다도, 전술한 물질들을 포함한 종래의 포토레지스트는 접착성이 불량하여 50nm 이하의 밀집된 L/S 소자에서는 패턴이 쓰러지는 문제점을 갖고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 접착성이 우수하고 대조비 및 감도가 뛰어날 뿐만 아니라 낮은 생산단가로 대량 생산이 가능한 신규의 포토레지스트 단량체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한 상기한 신규의 단량체를 포함하는 공중합체 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한 상기한 공중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용하여 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 생산된 반도체 소자를 제공한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명에서는 우선 하기 화학식 1의 포토레지스트 단량체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112000013675871-pat00002
상기 식에서,
R1은 H 또는 CH3이고;
R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
상기 화학식 1의 화합물은 산에 민감한 보호기를 포함하고 있어 비노광 지역에서는 알칼리 현상액에 녹지 않고, 노광 지역에서는 산에 의해 상기 보호기가 탈리되어 현상액에 잘 녹는 카르복실산으로 변하므로 대조비 증가에 크게 기여한다. 또한, 산에 민감한 보호기는 비노광 지역에서 탈리되지 않으며, 수산기를 포함하고 있으므로 화학식 1의 화합물은 우수한 기판 접착성을 가진다.
또한 화학식 1의 화합물은 저가로 대량 생산이 가능하므로 포토레지스트 수지의 생산 단가를 낮추는 데에도 크게 기여할 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물의 예로는 하기 화학식 1a의 2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 또는 화학식 1b의 2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 등을 들 수 있다.
[화학식 1a]
Figure 112000013675871-pat00003
[화학식 1b]
Figure 112000013675871-pat00004
본 발명에서는 또한 상기 포토레지스트 단량체를 제조하는 방법을 제공하는데, 그 과정은 하기와 같은 단계를 포함한다 :
(a) 하기 화학식 2의 화합물과 아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드를 유기 용매에 녹인 후 아민 존재하에서 반응시키는 단계;
(b) 반응후 아민 염을 여과하여 제거하는 단계;
(c) 상기 여액을 증류하여 용매를 제거한 후 다시 유기 용매/알칼리 수용액으로 추출하는 단계; 및
(d) 추출후 유기 용매층을 탈수제로 탈수시킨 후 여과하고 이 여액을 증류하 여 순수한 화학식 1의 화합물을 얻는 단계.
[화학식 2]
Figure 112000013675871-pat00005
상기 식에서,
R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고;
n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
상기 제조 과정에서 사용되는 할라이드는 클로라이드인 것이 바람직하고, 따라서 아크릴로일 클로라이드 또는 메타크릴로일 클로라이드가 사용된다.
아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드는 천천히 -10 내지 30℃ 사이의 일정 온도에서 첨가하여 화학식 2의 화합물과 반응시킨다.
또한 상기 화학식 2의 화합물은 아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드에 대하여 1 : 1의 양으로 사용되며, 화학식 2의 화합물의 예로는 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 피나콜 (pinacol), 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올 또는 디에틸렌글리콜 등이 있다.
사용되는 아민은 3차 아민인 것이 바람직하고, 구체적으로 트리에틸아민 또는 피리딘을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 (a) 단계에서 사용되는 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디옥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 상기 화학식 1의 화합물을 제1 단량체를 포함하는 포토레지스트 중합체를 제공한다.
본 발명의 중합체는 하기 화학식 3의 화합물을 제2 단량체로서 더 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112000013675871-pat00006
상기 식에서,
R2는 각각 H 또는 CH3이고;
R8은 산에 민감한 보호기로서, C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C10의 사이클로알킬 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬 등을 예로 들 수 있으며, 구체적으로 1-아다만틸, 테트라히드로피란-2-일, 2-메틸 테트라히드로피란-2-일, 테트라히드로퓨란-2-일, 2-메틸 테트라히드로퓨란-2-일, 1-메톡시프로필, 1-메톡시-1-메틸에틸, 1-에톡시프로필, 1-에톡시-1-메틸에틸, 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸, t-부톡시에틸, 1-이소부톡시에틸, t-부톡시카르보닐 및 2-아세틸멘트-1-일 등이 있다.
상기 산에 민감한 보호기는 산에 의해 탈리될 수 있는 그룹으로서, 산에 민감한 보호기가 붙어있는 경우에는 포토레지스트가 알칼리 현상액에 의해 용해되는 것이 억제되고, 노광에 의해 발생된 산에 의해 산에 민감한 보호기가 탈리되면 포토레지스트가 현상액에 용해될 수 있게 된다. 이러한 산에 민감한 보호기는 상기와 같은 역할을 수행할 수 있는 것이면 무엇이든 가능하며, 상기에서 예시한 것 이외에도 US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 5,750,680 (1998. 5. 12) 및 US 6,051,678 (2000. 4. 18) 등에 개시된 것을 포함한다.
상기 화학식 3의 화합물의 예로는 하기 화학식 3a의 1-아다만틸 아크릴레이트 및 화학식 3b의 1-아다만틸 메타크릴레이트를 들 수 있다.
[화학식 3a]
Figure 112000013675871-pat00007
[화학식 3b]
Figure 112000013675871-pat00008
또한 본 발명의 중합체는 아크릴산 또는 메타크릴산을 제3 단량체로서 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 중합체는 하기 화학식 4로 표시되는 중합 반복단위 (repeating unit)를 포함한다.
[화학식 4]
Figure 112000013675871-pat00009
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 각각 H 또는 CH3이고;
R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
R8은 산에 민감한 보호기이고,
a : b : c 는 20-90mol% : 10-70mol% : 0-20mol% 이다.
상기 중합 반복단위의 예로는 폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트);
폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트);
폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트);
폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트);
폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트 / 아크릴레이트);
폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트 / 아크릴레이트);
폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트 / 아크릴레이트); 및
폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레 이트 / 아크릴레이트) 등이 있다.
상기 포토레지스트 중합체는 단량체들을 통상의 라디칼 중합개시제로 라디칼 중합하여 제조할 수 있는데 그 과정은 하기와 같은 단계로 이루어진다:
(a) 상기 화학식 1의 제1 단량체와 화학식 3의 제2 단량체를 중합개시제 존재하에 유기용매에 녹여 중합하는 단계와,
(b) 상기 결과물 용액으로부터 중합체를 석출하는 단계.
상기 (a) 단계에서는 제3 단량체인 아크릴산 또는 메타크릴산을 더 첨가할 수 있다.
라디칼 중합은 벌크중합 또는 용액중합 등으로 수행하는 것으로, 본 발명에서는 용액 중합에 의해 포토레지스트 중합체를 제조한다. 상기 용액 중합시 사용하는 중합 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하며, 중합개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 본 발명의 포토레지스트 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 조성물에 사용되는 광산 발생제로는 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용가능하며, US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 5,750,680 (1998. 5. 12) 및 US 6,051,678 (2000. 4. 18) 등에 개시된 것을 포함한다. 바람직한 광산 발생제로는 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 하나 또는 둘 이상 사용하되, 포토레지스트 중합체 100 중량부에 대해 0.05 내지 10 중량부로 사용되는 것이 바람직하다.
또한 상기 포토레지스트 조성물에 사용되는 유기용매는 통상적으로 사용되는 유기용매는 무엇이든 사용가능하며, 역시 상기 문헌에 개시된 것을 포함하고, 바람직하게는 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸 에테르, 에틸락테이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트 및 시클로헥사논으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포토레지스트 중합체 100 중량부에 대해 200 내지 2000 중량부로 사용하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 하기와 같은 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다:
(a) 전술한 본 발명의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계.
상기 과정에서, (b)단계의 i) 노광전 및 노광후; 또는 ii) 노광전 또는 노광후에 각각 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이러한 베이크 공정은 70 내지 200℃에서 수행된다.
또한, 상기 노광공정은 광원으로서 VUV (157nm), ArF (193nm), KrF (248nm) 및 EUV (13nm)를 포함하는 원자외선 (DUV; Deep Ultra Violet), E-빔, X-선, F2 또 는 이온빔을 이용하여, 0.1 내지 50 mJ/cm2의 노광에너지로 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Ⅰ. 포토레지스트 단량체의 제조
실시예 1. 2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트의 제조
무수 테트라하이드로퓨란 용매 100ml에 출발물질로서 0.2mol의 2,5-디메틸-2,5-헥산디올과 0.3mol의 트리에틸아민을 넣어준 다음 0℃로 냉각시켰다. 이어서, 반응물질로 0.2mol의 아크릴로일 클로라이드를 천천히 첨가한 다음 상온으로 온도를 올려 24시간 반응시켰다. 반응후 암모늄염을 여과하여 제거한 후 테트라하이드로퓨란을 증류제거하고 디클로로메탄 / 1% NaOH 수용액으로 추출하였다. 추출된 디클로로메탄 층을 MgSO4로 탈수하고, 여과 및 증류하여 디클로로메탄을 제거한 후 고진공으로 증류하여 화학식 1a의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 78%).
실시예 2. 2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트의 제조
무수 테트라하이드로퓨란 용매 100ml에 출발물질로서 0.2mol의 피나콜 (pinacol)과 0.3mol의 트리에틸아민을 넣어준 다음 0℃로 냉각시켰다. 이어서, 반응물질로 0.2mol의 아크릴로일 클로라이드를 천천히 첨가한 다음 상온으로 온도를 올려 24시간 반응시켰다. 반응후 암모늄염을 여과하여 제거한 후 테트라하이드로퓨란을 증류제거하고 디클로로메탄 / 1% NaOH 수용액으로 추출하였다. 추출된 디클로로메탄 층을 MgSO4로 탈수하고, 여과 및 증류하여 디클로로메탄을 제거한 후 고진공으로 증류하여 화학식 1b의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 78%).
Ⅱ. 포토레지스트 중합체의 제조
실시예 3. 폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트)의 제조
2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 (0.12mol), 1-아다만틸 아크릴레이트 (0.08mol), AIBN 0.2g을 테트라하이드로퓨란 150ml에 녹인 후 65℃에서 8시간 동안 반응시켰다. 반응후 반응 혼합물을 800ml의 n-헥산에 떨어뜨려 중합체를 석출하였다 (수율 : 65%).
실시예 4. 폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트)의 제조
2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 (0.12mol), 1-아다만틸 메타크릴레이트 (0.08mol), AIBN 0.2g을 테트라하이드로퓨란 150ml에 녹인 후 65℃에서 8시간 동안 반응시켰다. 반응후 반응 혼합물을 800ml의 n-헥산에 떨어뜨려 중합체를 석출하였다 (수율 : 67%).
실시예 5. 폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트)의 제조
2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 (0.12mol), 1-아다만틸 아크릴레이트 (0.08mol), AIBN 0.2g을 테트라하이드로퓨란 150ml에 녹인 후 65℃에서 8시간 동안 반응시켰다. 반응후 반응 혼합물을 800ml의 n-헥산에 떨어뜨려 중합체를 석출하였다 (수율 : 65%).
실시예 6. 폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트)의 제조
2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 (0.12mol), 1-아다만틸 메타크릴레이트 (0.08mol), AIBN 0.2g을 테트라하이드로퓨란 150ml에 녹인 후 65℃에서 8시간 동안 반응시켰다. 반응후 반응 혼합물을 800ml의 n-헥산에 떨어뜨려 중합체를 석출하였다 (수율 : 65%).
Ⅲ. 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴 형성
실시예 7.
실시예 3에서 얻어진 중합체 10g과 광산발생제인 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.2g을 에틸 3-에톡시프로피오네이트 용매 80g에 녹인 후 0.10㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
이 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 도포한 후 120℃에서 90초간 소프트 베이크 하였다. 가열후 ArF 레이저 노광장비로 노광하고 120℃에서 90초간 포스트 베이크 하였다. 포스트 베이크 완료후 2.38wt% TMAH 수용액으로 40초간 현상하여 0.10㎛ L/S 패턴을 얻었다 (도 1 참조).
실시예 8.
실시예 3에서 얻어진 중합체 대신에 실시예 5에서 얻은 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 7과 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조한 후, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 그 결과 0.11㎛ L/S 패턴을 얻었다 (도 2 참조).
본 발명에 따르면, 에칭 내성, 대조비 및 접착성이 우수하고, 비노광 부위의 두께 감소가 거의 없을 뿐만 아니라 낮은 생산 단가로 대량 생산이 가능한 포토레지스트 조성물을 얻을 수 있으며, 이로써 신뢰성이 뛰어난 반도체 소자를 제조할 수 있다.

Claims (29)

  1. 하기 화학식 1의 포토레지스트 단량체.
    [화학식 1]
    Figure 112003012696168-pat00010
    상기 식에서,
    R1은 H 또는 CH3이고;
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물은 2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 또는 2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체.
  3. (a) 하기 화학식 2의 화합물과 아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드를 유기 용매에 녹인 후 아민 존재하에서 반응시키는 단계;
    (b) 반응후 아민 염을 여과하여 제거하는 단계;
    (c) 상기 여액을 증류하여 용매를 제거한 후 다시 유기 용매/알칼리 수용액으로 추출하는 단계; 및
    (d) 추출후 유기 용매층을 탈수제로 탈수시킨 후 여과하고 이 여액을 증류하여 순수한 화학식 1의 화합물을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
    [화학식 2]
    Figure 112003012696168-pat00011
    상기 식에서,
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고;
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 화학식 2의 화합물은 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 피나콜 (pinacol), 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올 및 디에틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 화학식 2의 화합물은 아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드에 대하여 1 : 1의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    할라이드는 클로라이드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    아민은 3차 아민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    (a) 단계의 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디옥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 단량체의 제조방법.
  9. 제1 단량체로서 하기 화학식 1의 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 1]
    Figure 112003012696168-pat00012
    상기 식에서,
    R1은 H 또는 CH3이고;
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  10. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 3의 화합물을 제2 단량체로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 3]
    Figure 112000013675871-pat00013
    상기 식에서,
    R2는 각각 H 또는 CH3이고;
    R8은 산에 민감한 보호기이다.
  11. 제 10항에 있어서,
    산에 민감한 보호기는 1-아다만틸, 테트라히드로피란-2-일, 2-메틸 테트라히드로피란-2-일, 테트라히드로퓨란-2-일, 2-메틸 테트라히드로퓨란-2-일, 1-메톡시프로필, 1-메톡시-1-메틸에틸, 1-에톡시프로필, 1-에톡시-1-메틸에틸, 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸, t-부톡시에틸, 1-이소부톡시에틸, t-부톡시카르보닐 및 2-아세틸멘트-1-일로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  12. 제 10 항에 있어서,
    아크릴산 또는 메타크릴산을 제3 단량체로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 중합체는 하기 화학식 4의 중합 반복단위 (repeating unit)를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 4]
    Figure 112003012696168-pat00014
    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 각각 H 또는 CH3이고;
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
    R8은 산에 민감한 보호기이고,
    a : b : c 는 20-90mol% : 10-70mol% : 0-20mol% 이며,
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 중합 반복단위는 폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트);
    폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트);
    폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트);
    폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트);
    폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트 / 아크릴레이트);
    폴리(2,5-디메틸-2-히드록시-5-헥실 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트 / 아크릴레이트);
    폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 아크릴레이트 / 아크릴레이트); 및
    폴리(2,3-디메틸-2-히드록시-3-부틸 아크릴레이트 / 1-아다만틸 메타크릴레이트 / 아크릴레이트)로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  15. (a) 하기 화학식 1의 제1 단량체와 화학식 3의 제2 단량체를 중합개시제 존재하에 유기용매에 녹여 중합하는 단계와,
    (b) 상기 결과물 용액으로부터 중합체를 석출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure 112005049537018-pat00015
    [화학식 3]
    Figure 112005049537018-pat00016
    상기 식에서,
    R1 및 R2는 각각 H 또는 CH3이고;
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고;
    R8은 산에 민감한 보호기이며;
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  16. 제 15 항에 있어서,
    (a) 단계에서 제3 단량체인 아크릴산 또는 메타크릴산을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 하기 화학식 4의 포토레지스트 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112003012696168-pat00017
    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 각각 H 또는 CH3이고;
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 H; OH; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬; 또는 에테르 그룹 (-O-)을 포함하는 치환 또는 비치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이며;
    R8은 산에 민감한 보호기이고,
    a : b : c 는 20-90mol% : 10-70mol% : 0-20mol% 이며;
    n은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 하나 또는 둘 이상 포함하고,
    상기 유기용매는 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸 에테르, 에틸락테이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트 및 시클로헥사논으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 상기 포토레지스트 중합체 100 중량부에 대해 0.05 내지 10 중량부로 사용되고,
    상기 유기용매는 상기 포토레지스트 중합체 100 중량부에 대해 200 내지 2000 중량부로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. (a) 제 19 항 기재의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하는 단계;
    (b) 상기 포토레지스트 조성물을 베이크하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
    (c) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 포토레지스트 막을 베이크하는 단계; 및
    (e) 상기 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 노광공정은 광원으로서 VUV (157nm), ArF (193nm), KrF (248nm) 및 EUV (13nm)를 포함하는 원자외선 (DUV; Deep Ultra Violet), E-빔, X-선, F2 또는 이온빔을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  28. 삭제
  29. 제 24 항 기재의 방법에 의해 제조된 반도체 소자.
KR1020000037314A 2000-06-30 2000-06-30 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물 KR100557543B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000037314A KR100557543B1 (ko) 2000-06-30 2000-06-30 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000037314A KR100557543B1 (ko) 2000-06-30 2000-06-30 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020002944A KR20020002944A (ko) 2002-01-10
KR100557543B1 true KR100557543B1 (ko) 2006-03-03

Family

ID=19675546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000037314A KR100557543B1 (ko) 2000-06-30 2000-06-30 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100557543B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101270821B1 (ko) * 2004-11-09 2013-06-05 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 광반도체 밀봉 재료
KR100944227B1 (ko) 2007-12-17 2010-02-24 제일모직주식회사 방향족 산 분해성 기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물 및감광성 고분자 및 레지스트 조성물

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6325646A (ja) * 1986-07-18 1988-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高耐熱性ポジ型ホトレジスト組成物
JPH04355451A (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 Nippon Kayaku Co Ltd カラーフィルター用光重合組成物
KR960029898A (ko) * 1995-01-20 1996-08-17 박홍기 액정 디스플레이 칼라 필터용 안료분산 포토 레지스트 조성물
KR19990061116A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
US6030747A (en) * 1997-03-07 2000-02-29 Nec Corporation Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6325646A (ja) * 1986-07-18 1988-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高耐熱性ポジ型ホトレジスト組成物
JPH04355451A (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 Nippon Kayaku Co Ltd カラーフィルター用光重合組成物
KR960029898A (ko) * 1995-01-20 1996-08-17 박홍기 액정 디스플레이 칼라 필터용 안료분산 포토 레지스트 조성물
US6030747A (en) * 1997-03-07 2000-02-29 Nec Corporation Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask
KR19990061116A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 공중합체 수지와 그 제조방법 및 이 수지를 이용한 포토레지스트

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020002944A (ko) 2002-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100546138B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP4067251B2 (ja) フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、及び、フォトレジストパターン形成方法
JP3963736B2 (ja) 酸により分解可能な保護基を有するラクトン基を含む感光性モノマー、感光性ポリマー及び化学増幅型レジスト組成物
KR100313150B1 (ko) 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
KR100362938B1 (ko) 신규의포토레지스트가교제,이를포함하는포토레지스트중합체및포토레지스트조성물
US6686123B2 (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing the same
KR100647379B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
JP3736994B2 (ja) 化学増幅型レジスト用感光性ポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
KR100557554B1 (ko) 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체
JP4276776B2 (ja) 感光性ポリマーおよびこれを含有する化学増幅型レジスト組成物
JP3868196B2 (ja) 感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物
KR100557555B1 (ko) 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체
US6858371B2 (en) Maleimide-photoresist monomers containing halogen, polymers thereof and photoresist compositions comprising the same
KR20030087190A (ko) 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100557543B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP4288025B2 (ja) フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JP3501988B2 (ja) 化学増幅型感光性レジスト組成物
US6921622B2 (en) Photoresist monomers, polymers thereof and photoresist compositions containing the same
US20030003379A1 (en) Photoresist monomers, polymers thereof and photoresist compositons containing the same
JP4097391B2 (ja) フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、及び、半導体素子
US6849375B2 (en) Photoresist monomers, polymers thereof and photoresist compositions containing the same
KR100362936B1 (ko) 신규한포토레지스트의중합체및그를이용한포토레지스트조성물
US6720129B2 (en) Maleimide-photoresist polymers containing fluorine and photoresist compositions comprising the same
KR100400293B1 (ko) 포토레지스트단량체,그의중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR100626907B1 (ko) 디하이드로피란계 유도체를 포함하는 포토레지스트 중합체및 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090121

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee