JP2000136219A - 化学増幅型レジスト用感光性ポリマ―とこれを含む化学増幅型レジスト化合物 - Google Patents
化学増幅型レジスト用感光性ポリマ―とこれを含む化学増幅型レジスト化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光前後の現像液に対する溶解度差が著し
く、レジストのコントラストに優れた化学増幅型感光性
ポリマー及びレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式： 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈ及び-ＣＨ3よりなる
群から選択され、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニ
ル及び１-アルコキシエチル基よりなる群から選択さ
れ、Ｒ4は-Ｈ、-ＣＨ3、ｔ-ブチル、テトラヒドロピラ
ニル及び１-アルコキシエチル基よりなる群から選択さ
れ、ｘは１〜４の整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１
〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５
で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．７であ
る。）で示される化学増幅型レジスト用いるポリマー、
およびこれを含む化学増幅型レジスト組成物である。
く、レジストのコントラストに優れた化学増幅型感光性
ポリマー及びレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式： 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈ及び-ＣＨ3よりなる
群から選択され、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニ
ル及び１-アルコキシエチル基よりなる群から選択さ
れ、Ｒ4は-Ｈ、-ＣＨ3、ｔ-ブチル、テトラヒドロピラ
ニル及び１-アルコキシエチル基よりなる群から選択さ
れ、ｘは１〜４の整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１
〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５
で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．７であ
る。）で示される化学増幅型レジスト用いるポリマー、
およびこれを含む化学増幅型レジスト組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学増幅型レジス
ト用感光性ポリマーとこれを含む化学増幅型レジスト組
成物に係り、特にリソグラフィー工程時の高解像度のパ
ターンが形成できる化学増幅型レジスト用感光性ポリマ
ーとこれを含む化学増幅型レジスト組成物に関する。
ト用感光性ポリマーとこれを含む化学増幅型レジスト組
成物に係り、特にリソグラフィー工程時の高解像度のパ
ターンが形成できる化学増幅型レジスト用感光性ポリマ
ーとこれを含む化学増幅型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの集積度が増加するにつれ
てより微細なパターンが形成できるレジストが必要であ
る。従って、既存のｇ-ライン（４３６ｎｍ）及びｉ-ラ
イン（３６５ｎｍ）より短波長の遠紫外線（２４８ｎ
ｍ）のエキシマレーザー光（ＫｒＦ）を用いる必要があ
って、これに従って化学増幅型レジストが導入された。
てより微細なパターンが形成できるレジストが必要であ
る。従って、既存のｇ-ライン（４３６ｎｍ）及びｉ-ラ
イン（３６５ｎｍ）より短波長の遠紫外線（２４８ｎ
ｍ）のエキシマレーザー光（ＫｒＦ）を用いる必要があ
って、これに従って化学増幅型レジストが導入された。
【０００３】従来法では、側鎖として酸触媒下で容易に
加水分解が起きるｔ-ＢＯＣ（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）基を有するベース樹脂よりなる化学増幅型レジスト
を使用した。しかし、このようなベース樹脂は分解温度
がそのガラス転移温度より低い。従って、リソグラフィ
ー工程時パターンのＴ-トッププロファイルが引き起こ
されるなど、環境汚染による影響をかなり受けるという
問題点があった。
加水分解が起きるｔ-ＢＯＣ（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）基を有するベース樹脂よりなる化学増幅型レジスト
を使用した。しかし、このようなベース樹脂は分解温度
がそのガラス転移温度より低い。従って、リソグラフィ
ー工程時パターンのＴ-トッププロファイルが引き起こ
されるなど、環境汚染による影響をかなり受けるという
問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来の問題点を解決するために、酸触媒下で効果的に加
水分解することにより増加した極性変化を示しうる化学
増幅型レジスト用感光性ポリマーを提供することであ
る。
従来の問題点を解決するために、酸触媒下で効果的に加
水分解することにより増加した極性変化を示しうる化学
増幅型レジスト用感光性ポリマーを提供することであ
る。
【０００５】本発明の他の目的は、露光前後の溶解度差
が著しく高解像度のパターンを形成するのに有利で、熱
的特性にも優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する
ことである。
が著しく高解像度のパターンを形成するのに有利で、熱
的特性にも優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、レジスト組成物を構成するポリマーの側
鎖にジアルキルマロネートを導入することにより、酸触
媒による分解性が向上し、レジスト組成物の溶解度差を
大きくしうることを見出し本発明を完成させた。
めに本発明は、レジスト組成物を構成するポリマーの側
鎖にジアルキルマロネートを導入することにより、酸触
媒による分解性が向上し、レジスト組成物の溶解度差を
大きくしうることを見出し本発明を完成させた。
【０００７】すなわち前記目的は、本発明の式：
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈ及び-
ＣＨ3よりなる群から選択され、Ｒ2はｔ-ブチル、テト
ラヒドロピラニル及び１-アルコキシエチル基よりなる
群から選択され、Ｒ4は-Ｈ、-ＣＨ3、ｔ-ブチル、テト
ラヒドロピラニル及び１-アルコキシエチル基よりなる
群から選択され、ｘは１〜４の整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．１〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０
１〜０．５で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜
０．７である。）で示される化学増幅型レジスト用感光
性ポリマーにより達成される。
ＣＨ3よりなる群から選択され、Ｒ2はｔ-ブチル、テト
ラヒドロピラニル及び１-アルコキシエチル基よりなる
群から選択され、Ｒ4は-Ｈ、-ＣＨ3、ｔ-ブチル、テト
ラヒドロピラニル及び１-アルコキシエチル基よりなる
群から選択され、ｘは１〜４の整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．１〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０
１〜０．５で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜
０．７である。）で示される化学増幅型レジスト用感光
性ポリマーにより達成される。
【００１０】さらに本発明は、５，０００〜１００，０
００の質量平均分子量を有する前記ポリマーである。
００の質量平均分子量を有する前記ポリマーである。
【００１１】さらに本発明は、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-
Ｈで、Ｒ2はｔ-ブチル基で、Ｒ4は-Ｈである前記ポリマ
ーである。
Ｈで、Ｒ2はｔ-ブチル基で、Ｒ4は-Ｈである前記ポリマ
ーである。
【００１２】さらに本発明は、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-
Ｈで、Ｒ2及びＲ4は各々ｔ-ブチル基である前記ポリマ
ーである。
Ｈで、Ｒ2及びＲ4は各々ｔ-ブチル基である前記ポリマ
ーである。
【００１３】さらに本発明は、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-
Ｈで、Ｒ2及びＲ4は各々１-エトキシエチル基である前
記ポリマーである。
Ｈで、Ｒ2及びＲ4は各々１-エトキシエチル基である前
記ポリマーである。
【００１４】また前記他の目的は、本発明の、前記化学
増幅型レジスト用ポリマー、及び前記ポリマーの質量を
基準として１〜１５質量％の光酸発生剤を含むレジスト
組成物により達成される。
増幅型レジスト用ポリマー、及び前記ポリマーの質量を
基準として１〜１５質量％の光酸発生剤を含むレジスト
組成物により達成される。
【００１５】さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリア
リルスルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、及びス
ルホン酸塩よりなる群から選択される何れか一つまたは
二つ以上の混合物である前記レジスト組成物である。
リルスルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、及びス
ルホン酸塩よりなる群から選択される何れか一つまたは
二つ以上の混合物である前記レジスト組成物である。
【００１６】さらに本発明は、前記光酸発生剤はトリフ
ェニルスルホニウムトリフレートもしくはＮ-ヒドロキ
シスクシンイミドトリフレート、またはそれらの混合物
である前記レジスト組成物である。
ェニルスルホニウムトリフレートもしくはＮ-ヒドロキ
シスクシンイミドトリフレート、またはそれらの混合物
である前記レジスト組成物である。
【００１７】さらに本発明は、有機塩基をさらに含む前
記レジスト組成物である。
記レジスト組成物である。
【００１８】さらに本発明は、前記有機塩基の含量は前
記ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量％
である前記レジスト組成物である。
記ポリマーの質量を基準として０．０１〜２．０質量％
である前記レジスト組成物である。
【００１９】さらに本発明は、前記有機塩基はトリエチ
ルアミン、トリイソブチルアミン、ジエタノールアミ
ン、及びトリエタノールアミンよりなる群から選択され
る何れか一つまたは二つ以上の混合物である前記レジス
ト組成物である。
ルアミン、トリイソブチルアミン、ジエタノールアミ
ン、及びトリエタノールアミンよりなる群から選択され
る何れか一つまたは二つ以上の混合物である前記レジス
ト組成物である。
【００２０】本発明に係るレジスト組成物は、溶解抑制
基であるＣＯＯＲ2の作用により、露光前後の現像液に
対する溶解度差が非常に大きく、レジストのコントラス
トに非常に優れ、分解温度が高くて熱的特性に優れる。
基であるＣＯＯＲ2の作用により、露光前後の現像液に
対する溶解度差が非常に大きく、レジストのコントラス
トに非常に優れ、分解温度が高くて熱的特性に優れる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明による感光性ポリマーを以
下の式を参照して詳細に説明する。
下の式を参照して詳細に説明する。
【００２２】
【化３】
【００２３】前記式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々各々-Ｈ
及び-ＣＨ3が好ましく、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロ
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基、Ｒ4は-Ｈ、-Ｃ
Ｈ3、ｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-アル
コキシエチル基が好ましく、その理由は酸条件下で分解
が容易なためである。
及び-ＣＨ3が好ましく、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロ
ピラニルまたは１-アルコキシエチル基、Ｒ4は-Ｈ、-Ｃ
Ｈ3、ｔ-ブチル、テトラヒドロピラニルまたは１-アル
コキシエチル基が好ましく、その理由は酸条件下で分解
が容易なためである。
【００２４】またｘは１〜４の整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋
ｎ）は０．１〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０
１〜０．５で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜
０．７であることが好ましく、上記の範囲内にポリマー
が構成されない場合、樹脂の接着性及び溶解度特性が劣
化し、好ましくない。
ｎ）は０．１〜０．５で、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０
１〜０．５で、（ｌ＋ｍ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜
０．７であることが好ましく、上記の範囲内にポリマー
が構成されない場合、樹脂の接着性及び溶解度特性が劣
化し、好ましくない。
【００２５】また前記ポリマーは、５，０００〜１０
０，０００の質量平均分子量を有することが望ましい。
前記質量平均分子量が５，０００未満の場合、ガラス転
移点（Ｔｇ）が下がり溶解度特性が劣化し、一方で１０
０，０００を超過する場合、樹脂の接着特性及び溶解度
特性が劣化し、いずれも好ましくない。
０，０００の質量平均分子量を有することが望ましい。
前記質量平均分子量が５，０００未満の場合、ガラス転
移点（Ｔｇ）が下がり溶解度特性が劣化し、一方で１０
０，０００を超過する場合、樹脂の接着特性及び溶解度
特性が劣化し、いずれも好ましくない。
【００２６】さらに本発明のレジスト組成物は、前記ポ
リマーと共に、感光性分として光酸発生剤を含有する。
ＫｒＦレジストにおける光酸発生剤は、オニウム塩系Ｐ
ＡＧと同じ性質を持つ化合物が望ましく、これらは高感
度用であるためである。具体的にはトリアリールスルホ
ニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩、
及びＮ-ヒドロキシスクシンイミド塩よりなる群から選
択される何れか一つまたは二以上の混合物であることが
望ましく、具体的にはトリフェニルスルホニウムトリフ
レート、トリフェニルスルホニウムアンチモ酸塩、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニ
ウムアンチモ酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムト
リフレート、ジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリ
フレート、２、６-ジニトロベンジルスルホン酸塩、及
びピロガロールトリス（アルキルスルホン酸塩）等が望
ましい。
リマーと共に、感光性分として光酸発生剤を含有する。
ＫｒＦレジストにおける光酸発生剤は、オニウム塩系Ｐ
ＡＧと同じ性質を持つ化合物が望ましく、これらは高感
度用であるためである。具体的にはトリアリールスルホ
ニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホン酸塩、
及びＮ-ヒドロキシスクシンイミド塩よりなる群から選
択される何れか一つまたは二以上の混合物であることが
望ましく、具体的にはトリフェニルスルホニウムトリフ
レート、トリフェニルスルホニウムアンチモ酸塩、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニ
ウムアンチモ酸塩、メトキシジフェニルヨードニウムト
リフレート、ジ-ｔ-ブチルジフェニルヨードニウムトリ
フレート、２、６-ジニトロベンジルスルホン酸塩、及
びピロガロールトリス（アルキルスルホン酸塩）等が望
ましい。
【００２７】さらに前記レジスト組成物における前記光
酸発生剤の含有量は、前記ポリマーの質量を基準として
１〜１５質量％であることが望ましい。前記含有量が１
％未満の場合、感度が低下し、解像度が不良であり、一
方で１５％を超過する場合、透過度特性及び溶解度特性
が劣化し、ありいずれも好ましくない。
酸発生剤の含有量は、前記ポリマーの質量を基準として
１〜１５質量％であることが望ましい。前記含有量が１
％未満の場合、感度が低下し、解像度が不良であり、一
方で１５％を超過する場合、透過度特性及び溶解度特性
が劣化し、ありいずれも好ましくない。
【００２８】さらに前記レジスト組成物は、有機塩基を
含有することも可能である。有機塩基の添加により露光
後に起こる酸の拡散や活性を抑制することができ、レジ
ストパターンの寸法変動を防止する効果があるためであ
る。このような有機塩基は、具体的にトリエチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、ジエタノールアミン、およ
びトリエタノールアミンよりなる群から選択される何れ
か一つまたは二以上の混合物であることが望ましい。
含有することも可能である。有機塩基の添加により露光
後に起こる酸の拡散や活性を抑制することができ、レジ
ストパターンの寸法変動を防止する効果があるためであ
る。このような有機塩基は、具体的にトリエチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、ジエタノールアミン、およ
びトリエタノールアミンよりなる群から選択される何れ
か一つまたは二以上の混合物であることが望ましい。
【００２９】また前記レジスト組成物における前記有機
塩基の含有量は、前記ポリマーの質量を基準として０．
０１〜２．０質量％であることが望ましい。前記含有量
が０．０１％未満の場合、フォトレジストが環境に敏感
になり、例えばＴ−トッププロファイル減少が発生し、
一方で２．０％を超過する場合、感度が低下し、解像度
が劣化し、いずれも好ましくない。
塩基の含有量は、前記ポリマーの質量を基準として０．
０１〜２．０質量％であることが望ましい。前記含有量
が０．０１％未満の場合、フォトレジストが環境に敏感
になり、例えばＴ−トッププロファイル減少が発生し、
一方で２．０％を超過する場合、感度が低下し、解像度
が劣化し、いずれも好ましくない。
【００３０】さらに、本発明による感光性ポリマー、及
びレジスト組成物の製造方法を説明する。
びレジスト組成物の製造方法を説明する。
【００３１】感光性重合体の製造方法 １．モノマーの製造 水素化ナトリウムを溶解させた溶媒（例えばテトラヒド
ロフランなど）に、ジアルキルマロネートをゆっくり滴
下し常温で１時間反応させた後、置換化合物を０℃でゆ
っくり滴下し常温で１２時間反応させる。その後過剰の
溶媒を揮発させ、残留物を酸で中和しジエチルエーテル
を用いて抽出する。その結果物を硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧蒸留して生成物を回収する。
ロフランなど）に、ジアルキルマロネートをゆっくり滴
下し常温で１時間反応させた後、置換化合物を０℃でゆ
っくり滴下し常温で１２時間反応させる。その後過剰の
溶媒を揮発させ、残留物を酸で中和しジエチルエーテル
を用いて抽出する。その結果物を硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧蒸留して生成物を回収する。
【００３２】２．ポリマーの製造：上記で得られたジア
ルキルマロネート誘導体、アセトキシスチレン誘導体な
どの、目的のポリマーを構成するモノマーのそれぞれ適
切な量を共にトルエンに溶解させ、窒素でパージし、７
０℃で２４時間重合させる。結果物の１０倍程度のｎ−
ヘキサンで結果物を沈殿させ、沈殿物を５０℃の真空オ
ーブン内で２４時間乾燥し生成物を回収する。
ルキルマロネート誘導体、アセトキシスチレン誘導体な
どの、目的のポリマーを構成するモノマーのそれぞれ適
切な量を共にトルエンに溶解させ、窒素でパージし、７
０℃で２４時間重合させる。結果物の１０倍程度のｎ−
ヘキサンで結果物を沈殿させ、沈殿物を５０℃の真空オ
ーブン内で２４時間乾燥し生成物を回収する。
【００３３】さらにアセトキシスチレン誘導体のアセチ
ル基を加水分解するために、前記生成物を水酸化アンモ
ニウムとメタノールの混合溶液で４時間環流状態で反応
させ、過量の水にゆっくり沈殿させ、酸で中和する。生
じた沈殿をガラスフィルター等でろ過し、残留物を溶媒
（例えばＴＨＦなど）に再溶解し、適量のｎ−ヘキサン
で再沈殿する。沈殿物を５０℃の真空オーブン内で２４
時間乾燥し生成物を回収して目的のポリマーを得る。ま
た、本発明による他のポリマーもこれと類似した方法を
用いて製造される。
ル基を加水分解するために、前記生成物を水酸化アンモ
ニウムとメタノールの混合溶液で４時間環流状態で反応
させ、過量の水にゆっくり沈殿させ、酸で中和する。生
じた沈殿をガラスフィルター等でろ過し、残留物を溶媒
（例えばＴＨＦなど）に再溶解し、適量のｎ−ヘキサン
で再沈殿する。沈殿物を５０℃の真空オーブン内で２４
時間乾燥し生成物を回収して目的のポリマーを得る。ま
た、本発明による他のポリマーもこれと類似した方法を
用いて製造される。
【００３４】３．レジスト組成物の調製およびこれを用
いた写真蝕刻方法 上記の方法で製造したポリマーを任意の光酸発生剤と共
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）に完全に溶解させる。生じた溶液を適切
なサイズのメンブレンフィルターでろ過しレジスト組成
物を得る。
いた写真蝕刻方法 上記の方法で製造したポリマーを任意の光酸発生剤と共
にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）に完全に溶解させる。生じた溶液を適切
なサイズのメンブレンフィルターでろ過しレジスト組成
物を得る。
【００３５】前記レジスト組成物は一般の写真蝕刻工程
に使用されうる。特に、露光源としてＫｒＦエキシマレ
ーザーを使用して０．４０μｍ以下のデザインルールで
微細パターンを形成する。
に使用されうる。特に、露光源としてＫｒＦエキシマレ
ーザーを使用して０．４０μｍ以下のデザインルールで
微細パターンを形成する。
【００３６】まず、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）で処理したシリコンウェーハ上に、前記フォトレジ
スト組成物を塗布して所定厚さのフォトレジスト膜を形
成する。本発明に係るフォトレジスト組成物を構成する
感光性重合体には水酸基が結合されているために接着力
が良好である。従って、フォトレジスト膜を塗布しやす
く、後続工程を経て完成されたフォトレジストパターン
のリフティングも発生しない。
Ｓ）で処理したシリコンウェーハ上に、前記フォトレジ
スト組成物を塗布して所定厚さのフォトレジスト膜を形
成する。本発明に係るフォトレジスト組成物を構成する
感光性重合体には水酸基が結合されているために接着力
が良好である。従って、フォトレジスト膜を塗布しやす
く、後続工程を経て完成されたフォトレジストパターン
のリフティングも発生しない。
【００３７】次いでソフトべークを実施した後、露光源
としてＫｒＦエキシマレーザーを使用して所定のパター
ンが形成されたマスクを用いてフォトレジスト膜を露光
させる。露光によりフォトレジスト膜内の光酸発生剤か
ら酸が発生し、その酸が触媒作用をして感光性重合体を
加水分解して多量のカルボキシ基を形成する。これによ
り露光部のフォトレジスト膜と非露光部のフォトレジス
ト膜との間に著しい極性の差が生じるることで、コント
ラストが著しく増加する。
としてＫｒＦエキシマレーザーを使用して所定のパター
ンが形成されたマスクを用いてフォトレジスト膜を露光
させる。露光によりフォトレジスト膜内の光酸発生剤か
ら酸が発生し、その酸が触媒作用をして感光性重合体を
加水分解して多量のカルボキシ基を形成する。これによ
り露光部のフォトレジスト膜と非露光部のフォトレジス
ト膜との間に著しい極性の差が生じるることで、コント
ラストが著しく増加する。
【００３８】露光の完了後、短時間フォトレジスト膜を
露光後焼成する。これは露光部内において酸触媒による
加水分解反応をさらに活性化させ、感光性重合体の溶解
抑制基（-ＣＯＯＲ2）をカルボキシ基で加水分解させて
コントラストを増加させるために実施する。
露光後焼成する。これは露光部内において酸触媒による
加水分解反応をさらに活性化させ、感光性重合体の溶解
抑制基（-ＣＯＯＲ2）をカルボキシ基で加水分解させて
コントラストを増加させるために実施する。
【００３９】次いで、適切な現像液を使用して現象工程
を実施してフォトレジストパターンを完成する。この
際、用いられる現像液は通常の工程に用いられる濃度の
現像液、例えば２．３８質量％のＴＭＡＨを使用する。
フォトレジストパターンを形成した後、パタニングしよ
うとする膜を蝕刻して所望のパターンを形成する。
を実施してフォトレジストパターンを完成する。この
際、用いられる現像液は通常の工程に用いられる濃度の
現像液、例えば２．３８質量％のＴＭＡＨを使用する。
フォトレジストパターンを形成した後、パタニングしよ
うとする膜を蝕刻して所望のパターンを形成する。
【００４０】以下、添付した図面を参照して本発明の望
ましい実施例に対して詳細に説明する。ただし本発明は
下記実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内で
当分野で通常の知識を有する者によっていろいろ変形で
きる。
ましい実施例に対して詳細に説明する。ただし本発明は
下記実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内で
当分野で通常の知識を有する者によっていろいろ変形で
きる。
【００４１】
【実施例】＜参考例１＞ジ-ｔ-ブチルマロニルプロピルアクリレート（ＤＢＭＰ
Ａ）の合成
Ａ）の合成
【００４２】
【化４】
【００４３】水素化ナトリウム（４．８ｇ、０．１２ｍ
ｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２５０ｍｌ）
に溶かした後、ここにジ-ｔ-ブチルマロネート（２５
ｇ、０．１１ｍｏｌ）をゆっくり滴下して常温で１時間
反応させた。その後、得られた溶液に２-ブロモエチル
アクリレート（１８ｇ、０．１ｍｏｌ）を０℃でゆっく
り滴下して常温で１２時間反応させた。反応が終わった
後、過剰のＴＨＦを蒸発させ、残留物を過量の水に滴下
した。その後、ＨＣｌを用いて中和させ、ジエチルエー
テルを用いて抽出した。得られた抽出物を硫酸マグネシ
ウムを用いて乾燥させた後、減圧蒸留を用いて生成物を
回収した（収率６０％）。
ｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２５０ｍｌ）
に溶かした後、ここにジ-ｔ-ブチルマロネート（２５
ｇ、０．１１ｍｏｌ）をゆっくり滴下して常温で１時間
反応させた。その後、得られた溶液に２-ブロモエチル
アクリレート（１８ｇ、０．１ｍｏｌ）を０℃でゆっく
り滴下して常温で１２時間反応させた。反応が終わった
後、過剰のＴＨＦを蒸発させ、残留物を過量の水に滴下
した。その後、ＨＣｌを用いて中和させ、ジエチルエー
テルを用いて抽出した。得られた抽出物を硫酸マグネシ
ウムを用いて乾燥させた後、減圧蒸留を用いて生成物を
回収した（収率６０％）。
【００４４】＜参考例２＞ポリ（ＤＢＭＰＡ-ｃｏ-ＡＡ）の合成
【００４５】
【化５】
【００４６】参考例１で合成したＤＢＭＰＡ（６．３
ｇ、２０ｍｍｏｌ）とアクリル酸（ＡＡ）（０．７２
ｇ、１０ｍｍｏｌ）を０．４ｇのアゾビスイソブチロニ
トリル（ＡＩＢＮ）と共に無水ＴＨＦ（４０ｍｌ）に溶
かした後、窒素で１時間パージし、７０℃で２４時間重
合させた。重合が終わった後、得られた生成物を過量の
ｎ-ヘキサン（１０倍）で沈殿させた後、沈殿物をガラ
ス充填剤を用いてろ過した。得られたろ過物をＴＨＦに
再び溶かし、ｎ-ヘキサンで再沈殿させた。沈殿物をろ
過した後、５０℃に維持される真空オーブン内で２４時
間乾燥させて生成物を回収した（収率７０％）。この
際、得られた生成物の質量平均分子量は１３，５００
で、多分散度は２．２であった。
ｇ、２０ｍｍｏｌ）とアクリル酸（ＡＡ）（０．７２
ｇ、１０ｍｍｏｌ）を０．４ｇのアゾビスイソブチロニ
トリル（ＡＩＢＮ）と共に無水ＴＨＦ（４０ｍｌ）に溶
かした後、窒素で１時間パージし、７０℃で２４時間重
合させた。重合が終わった後、得られた生成物を過量の
ｎ-ヘキサン（１０倍）で沈殿させた後、沈殿物をガラ
ス充填剤を用いてろ過した。得られたろ過物をＴＨＦに
再び溶かし、ｎ-ヘキサンで再沈殿させた。沈殿物をろ
過した後、５０℃に維持される真空オーブン内で２４時
間乾燥させて生成物を回収した（収率７０％）。この
際、得られた生成物の質量平均分子量は１３，５００
で、多分散度は２．２であった。
【００４７】＜参考例３＞ポリ（ＤＢＭＰＡ-ｃｏ-ＡＳＴ）の合成
【００４８】
【化６】
【００４９】参考例１で合成したＤＢＭＰＡ（２．８
ｇ、９ｍｍｏｌ）とアセトキシスチレン（ＡＳＴ）
（４．５ｇ、２７ｍｍｏｌ）を０．３５ｇのアゾビスイ
ソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）と共にトルエン（３５ｍ
ｌ）に溶かした後、窒素で１時間パージし、７０℃で２
４時間重合させた。重合が終わった後、得られた生成物
を過量のｎ-ヘキサン（１０倍）で沈殿させた後、沈殿
物を５０℃に維持した真空オーブン内で２４時間乾燥さ
せて生成物を回収した（収率７０％）。この際、得られ
た生成物の質量平均分子量は１２，５００で、多分散度
は１．８７であった。
ｇ、９ｍｍｏｌ）とアセトキシスチレン（ＡＳＴ）
（４．５ｇ、２７ｍｍｏｌ）を０．３５ｇのアゾビスイ
ソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）と共にトルエン（３５ｍ
ｌ）に溶かした後、窒素で１時間パージし、７０℃で２
４時間重合させた。重合が終わった後、得られた生成物
を過量のｎ-ヘキサン（１０倍）で沈殿させた後、沈殿
物を５０℃に維持した真空オーブン内で２４時間乾燥さ
せて生成物を回収した（収率７０％）。この際、得られ
た生成物の質量平均分子量は１２，５００で、多分散度
は１．８７であった。
【００５０】＜参考例４＞ポリ（ＤＢＭＰＡ-ｃｏ-ＨＳＴ）の合成
【００５１】
【化７】
【００５２】参考例３で合成したポリ（ＤＢＭＰＡ-ｃ
ｏ-ＡＳＴ）（１０ｇ）を水酸化アンモニウム（２８％
ＮＨ4ＯＨ溶液、１０ｍｌ）とメタノール（５０ｍｌ）
の混合溶液で４時間還流状態で反応させた後、得られた
結果物を過量の水にゆっくり沈殿させ、ＨＣｌを用いて
中和させた。沈殿物をガラス充填剤を用いてろ過した
後、得られたろ過物をＴＨＦに再び溶かし、過量のｎ-
ヘキサンで再沈殿させた。沈殿物を５０℃に維持した真
空オーブン内で２４時間乾燥させて生成物を回収した
（収率９０％）。この際、得られた生成物の質量平均分
子量は１１，３００で、多分散度は１．８６であった。
ｏ-ＡＳＴ）（１０ｇ）を水酸化アンモニウム（２８％
ＮＨ4ＯＨ溶液、１０ｍｌ）とメタノール（５０ｍｌ）
の混合溶液で４時間還流状態で反応させた後、得られた
結果物を過量の水にゆっくり沈殿させ、ＨＣｌを用いて
中和させた。沈殿物をガラス充填剤を用いてろ過した
後、得られたろ過物をＴＨＦに再び溶かし、過量のｎ-
ヘキサンで再沈殿させた。沈殿物を５０℃に維持した真
空オーブン内で２４時間乾燥させて生成物を回収した
（収率９０％）。この際、得られた生成物の質量平均分
子量は１１，３００で、多分散度は１．８６であった。
【００５３】＜参考例５＞ターポリマー（ＤＢＭＰＡ-ＢＡ-ＡＳＴ）の合成 参考例１で合成したＤＢＭＰＡ（６．３ｇ、２０ｍｍｏ
ｌ）とｔ-ブチルアクリレート（ＢＡ）（２．６ｇ、２
０ｍｍｏｌ）をアセトキシスチレン（ＡＳＴ）（１０
ｇ、６０ｍｍｏｌ）と共にトルエン（８０ｍｌ）に溶か
した後、ここに０．６６ｇのＡＩＢＮを入れて１時間窒
素でパージし、７０℃で２４時間重合させた。重合が終
わった後、得られた結果物を過量のｎ-ヘキサン（１０
倍）に沈殿させて、沈殿物を５０℃に維持される真空オ
ーブン内で２４時間乾燥させて生成物を回収した（収率
７０％）。この際、得られた生成物の質量平均分子量は
１３，１００で、多分散度は１．９２であった。
ｌ）とｔ-ブチルアクリレート（ＢＡ）（２．６ｇ、２
０ｍｍｏｌ）をアセトキシスチレン（ＡＳＴ）（１０
ｇ、６０ｍｍｏｌ）と共にトルエン（８０ｍｌ）に溶か
した後、ここに０．６６ｇのＡＩＢＮを入れて１時間窒
素でパージし、７０℃で２４時間重合させた。重合が終
わった後、得られた結果物を過量のｎ-ヘキサン（１０
倍）に沈殿させて、沈殿物を５０℃に維持される真空オ
ーブン内で２４時間乾燥させて生成物を回収した（収率
７０％）。この際、得られた生成物の質量平均分子量は
１３，１００で、多分散度は１．９２であった。
【００５４】＜実施例１＞ターポリマー（ＤＢＭＰＡ-ＢＡ-ＨＳＴ）の合成
【００５５】
【化８】
【００５６】参考例５で合成したターポリマーを参考例
４の方法と同じ方法でアセチル基を加水分解させてター
ポリマーを製造した（収率９１％）。この際、得られた
生成物の質量平均分子量は１２，２００で、多分散度は
１．９５であった。
４の方法と同じ方法でアセチル基を加水分解させてター
ポリマーを製造した（収率９１％）。この際、得られた
生成物の質量平均分子量は１２，２００で、多分散度は
１．９５であった。
【００５７】＜実施例２＞ターポリマー（ＤＢＭＰＡ-ＢＭＡ-ＨＳＴ）の合成 ＤＢＭＰＡ（９．４ｇ、３０ｍｍｏｌ）、ｔ-ブチルメ
タクリレート（ＢＭＡ）（１．４ｇ、１０ｍｍｏｌ）及
びアセトキシスチレンＡＳＴ（１０ｇ、６０ｍｍｏｌ）
に対して実施例２及び実施例３の方法と同じ方法で進行
してターポリマーを製造した。この際、得られた生成物
の質量平均分子量は１２，７００、多分散度は１．８
６、透過率（％／μｍ）は７３％であった。
タクリレート（ＢＭＡ）（１．４ｇ、１０ｍｍｏｌ）及
びアセトキシスチレンＡＳＴ（１０ｇ、６０ｍｍｏｌ）
に対して実施例２及び実施例３の方法と同じ方法で進行
してターポリマーを製造した。この際、得られた生成物
の質量平均分子量は１２，７００、多分散度は１．８
６、透過率（％／μｍ）は７３％であった。
【００５８】＜参考例６＞レジスト組成物（Ａ） 参考例４で合成したポリＤＢＭＰＡ-ｃｏ-ＨＳＴ（ｍ／
（ｍ＋ｎ）は０．２５、質量平均分子量は１１，５０
０）（１．０ｇ）と光酸発生剤のトリフェニルスルホニ
ウムトリフレート（０．０３ｇ）とをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
（６．０ｇ）に完全に溶解した。その後、得られた溶液
を０．２μｍメンブランフィルターを用いてろ過してレ
ジスト組成物を得た。
（ｍ＋ｎ）は０．２５、質量平均分子量は１１，５０
０）（１．０ｇ）と光酸発生剤のトリフェニルスルホニ
ウムトリフレート（０．０３ｇ）とをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
（６．０ｇ）に完全に溶解した。その後、得られた溶液
を０．２μｍメンブランフィルターを用いてろ過してレ
ジスト組成物を得た。
【００５９】その後、このレジスト組成物をヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間露光後焼成（ＰＥＢ）
を実施した。
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間露光後焼成（ＰＥＢ）
を実施した。
【００６０】その後、２．３８質量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約１８ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．３０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約１８ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．３０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
【００６１】＜参考例７＞レジスト組成物（Ｂ） 参考例４で合成したポリ（ＤＢＭＰＡ-ｃｏ-ＨＳＴ）
（ｍ／（ｍ＋ｎ）は０．２５、質量平均分子量は１２，
５００）（１．０ｇ）と光酸発生剤のトリフェニルスル
ホニウムトリフレート（０．０３ｇ）をＰＧＭＥＡ
（６．０ｇ）に溶解し、ここに有機塩基のトリエタノー
ルアミン（３ｍｇ）を添加して完全に溶解した。その
後、得られた溶液を０．２μｍメンブランフィルターを
用いてろ過してレジスト組成物を得た。
（ｍ／（ｍ＋ｎ）は０．２５、質量平均分子量は１２，
５００）（１．０ｇ）と光酸発生剤のトリフェニルスル
ホニウムトリフレート（０．０３ｇ）をＰＧＭＥＡ
（６．０ｇ）に溶解し、ここに有機塩基のトリエタノー
ルアミン（３ｍｇ）を添加して完全に溶解した。その
後、得られた溶液を０．２μｍメンブランフィルターを
用いてろ過してレジスト組成物を得た。
【００６２】その後、このレジスト組成物をヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
【００６３】その後、２．３８質量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．３０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約２６ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．３０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
【００６４】＜実施例３＞レジスト組成物（Ｃ） 実施例１で合成したポリ（ＤＢＭＰＡ-ＢＡ-ＨＳＴ）
（ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．２、質量平均分子量は１２、５００）（１．０ｇ）
と光酸発生剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート
（０．０３ｇ）をＰＧＭＥＡ（６．０ｇ）に溶解し、こ
こに有機塩基のトリエタノールアミン（３ｍｇ）を添加
して完全に溶解した。その後、得られた溶液を０．２μ
ｍメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成
物を得た。
（ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．２、ｍ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は
０．２、質量平均分子量は１２、５００）（１．０ｇ）
と光酸発生剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート
（０．０３ｇ）をＰＧＭＥＡ（６．０ｇ）に溶解し、こ
こに有機塩基のトリエタノールアミン（３ｍｇ）を添加
して完全に溶解した。その後、得られた溶液を０．２μ
ｍメンブランフィルターを用いてろ過してレジスト組成
物を得た。
【００６５】その後、このレジスト組成物をヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェーハ
上に約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト
組成物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の
温度で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が
０．４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光し
た後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
【００６６】その後、２．３８質量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約３０ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．４０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約３０ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．４０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
【００６７】＜実施例４＞レジスト組成物（Ｄ） 実施例２で合成したポリ（ＤＢＭＰＡ-ＢＡ-ＨＳＴ）
（ＤＢＭＰＡ：ＢＭＡ：ＨＳＴは３０：１０：６０、質
量平均分子量は１２，７００）（１．０ｇ）と光酸発生
剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート（０．０３
ｇ）をＰＧＭＥＡ（６．０ｇ）に溶解し、ここに有機塩
基のトリエタノールアミン（３ｍｇ）を添加して完全に
溶解した。その後、得られた溶液を０．２μｍメンブラ
ンフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。
（ＤＢＭＰＡ：ＢＭＡ：ＨＳＴは３０：１０：６０、質
量平均分子量は１２，７００）（１．０ｇ）と光酸発生
剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート（０．０３
ｇ）をＰＧＭＥＡ（６．０ｇ）に溶解し、ここに有機塩
基のトリエタノールアミン（３ｍｇ）を添加して完全に
溶解した。その後、得られた溶液を０．２μｍメンブラ
ンフィルターを用いてろ過してレジスト組成物を得た。
【００６８】その後、このレジスト組成物をヘキサメチ
ルジシラザンＨＭＤＳで処理したシリコンウェーハ上に
約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト組成
物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の温度
で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が０．
４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光した
後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
ルジシラザンＨＭＤＳで処理したシリコンウェーハ上に
約０．５μｍの厚さでコーティングした。レジスト組成
物がコーティングされた前記ウェーハを１３０℃の温度
で９０秒間ソフトベーキングし、開口数（ＮＡ）が０．
４５のＫｒＦエクサイマーレーザーを用いて露光した
後、１４０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを実施した。
【００６９】その後、２．３８質量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約３３ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．４０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒
間現像した。その結果、露光ドーズ量を約３３ｍＪ／ｃ
ｍ2とした時、鮮明な０．４０μｍラインアンドスペー
スパターンが得られることを確認した。
【００７０】
【発明の効果】本発明に係るレジスト組成物を構成する
ベース樹脂はその側鎖としてジアルキルマロネートを含
んでいるので、光酸発生剤存在下で光により発生された
酸によってマロン酸に加水分解されてポリマーの全体的
な溶解度を増加させる。従って、本発明に係るレジスト
組成物は、加水分解されると露光前後の現像液に対する
溶解度差が著しくてレジストのコントラストに非常に優
れ、分解温度が高くて熱的特性に優れる。
ベース樹脂はその側鎖としてジアルキルマロネートを含
んでいるので、光酸発生剤存在下で光により発生された
酸によってマロン酸に加水分解されてポリマーの全体的
な溶解度を増加させる。従って、本発明に係るレジスト
組成物は、加水分解されると露光前後の現像液に対する
溶解度差が著しくてレジストのコントラストに非常に優
れ、分解温度が高くて熱的特性に優れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｇ０３Ｆ 7/039 ６０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
Claims (11)
- 【請求項１】 式： 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈまたは-ＣＨ3であ
り、Ｒ2はｔ-ブチル、テトラヒドロピラニル及び１-ア
ルコキシエチル基よりなる群から選択され、Ｒ4は-Ｈ、
-ＣＨ3、ｔ-ブチル、テトラヒドロピラニル及び１-アル
コキシエチル基よりなる群から選択され、ｘは１〜４の
整数で、ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．５で、ｍ／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．０１〜０．５で、（ｌ＋ｍ）／
（ｌ＋ｍ＋ｎ）は０．１〜０．７である。）で示される
化学増幅型レジスト用感光性ポリマー。 - 【請求項２】 ５，０００〜１００，０００の質量平均
分子量を有する請求項１に記載のポリマー。 - 【請求項３】 Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈで、Ｒ2はｔ-
ブチル基で、Ｒ4は-Ｈである請求項１または２に記載の
ポリマー。 - 【請求項４】 Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈで、Ｒ2及び
Ｒ4は各々ｔ-ブチル基である請求項１または２に記載の
ポリマー。 - 【請求項５】 Ｒ1、Ｒ3及びＲ5は各々-Ｈで、Ｒ2及び
Ｒ4は各々１-エトキシエチル基である請求項１または２
に記載のポリマー。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の化
学増幅型レジスト用感光性ポリマー、及び前記感光性ポ
リマーの質量を基準として１〜１５質量％の光酸発生剤
を含む化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項７】 前記光酸発生剤はトリアリルスルホニウ
ム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩、及びＮ
-ヒドロキシスクシンイミド塩よりなる群から選択され
る何れか一つまたは二つ以上の混合物である請求項６に
記載のレジスト組成物。 - 【請求項８】 前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニ
ウムトリフレート、もしくはＮ-ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフレートまたはこれらの混合物である請求項７
に記載のレジスト組成物。 - 【請求項９】 有機塩基をさらに含む請求項６〜８のい
ずれか一項に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１０】 前記有機塩基の含量が前記ポリマーの
質量を基準として０．０１〜２．０質量％である請求項
９に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１１】 前記有機塩基はトリエチルアミン、ト
リイソブチルアミン、ジエタノールアミン、及びトリエ
タノールアミンよりなる群から選択される何れか一つま
たは二つ以上の混合物である請求項９または１０に記載
のレジスト組成物。
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