JP2000081636A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法並びに電子機器

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と称す）駆動、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）と称す）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式やパッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法の技術分野に属する。

【００４１】
また、本発明の第１の電気光学装置用基板は、基板に、複数の画素電極と、該複数の画素電極に接続された複数の配線とを備えており、前記基板の前記複数の配線に対向する領域は少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする。
また、本発明の第２の電気光学装置用基板は、基板に、複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々選択的に駆動するための複数の駆動素子と、該複数の駆動素子に接続された複数の配線とを備えており、前記基板の前記複数の駆動素子及び前記複数の配線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。

Claims (16)

1. 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
   該一対の基板の一方の基板の前記電気光学物質に面する側に、複数の画素電極と、該複数の画素電極に接続された複数の配線とを備えており、
   前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における前記複数の配線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする電気光学装置。
2. 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
   該一対の基板の一方の基板の前記電気光学物質に面する側に、複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々選択的に駆動するための複数の駆動素子と、該複数の駆動素子に接続された複数の配線とを備えており、
   前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における前記複数の駆動素子及び前記複数の配線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする電気光学装置。
3. 前記駆動素子は、薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記一方の基板の前記電気光学物質に面する側に、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板の側から見て覆う位置に設けられた遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記複数の画素電極は、マトリクス状に配置されており、
   前記複数の配線は、相交差する複数の走査線及び複数のデータ線を含み、
   前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記複数の配線は、前記複数の画素電極に対し蓄積容量を夫々付与するために形成された容量線を含み、
   前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における前記容量線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における画素開口領域を除く前記電気光学物質に対向する全領域が凹状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記電気光学物質の周囲において前記一対の基板を相互に接着するギャップ材混入のシール材を更に備えており、
   前記複数の配線は、前記電気光学物質に対向する領域に配置された主配線から前記シール材に対向する領域に延設された引き出し配線を含み、
   前記一方の基板は、前記電気光学物質に面する側における前記引き出し配線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪んで形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記一方の基板の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記複数の駆動素子は、凹状に窪んだ部分に絶縁層を介して形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記一方の基板となる平らな基板上に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、
    該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分を形成するエッチング工程と、
    前記凹状に窪んだ部分を含む前記一方の基板上に前記複数の画素電極及び前記複数の配線を所定順序で形成する素子形成工程と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記一方の基板となる平らな基板上に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、
    該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分を形成するエッチング工程と、
    前記凹状に窪んだ部分を含む前記一方の基板上に前記複数の画素電極、前記複数の駆動素子及び前記複数の配線を所定順序で形成する素子形成工程と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 前記エッチング工程は、前記凹状に窪んだ部分の側壁をテーパ状に形成するウエットエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 請求項１乃至９、請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
15. 基板に、複数の画素電極と、該複数の画素電極に接続された複数の配線とを備えており、
    前記基板の前記複数の配線に対向する領域は少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする電気光学装置用基板。
16. 基板に、複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々選択的に駆動するための複数の駆動素子と、該複数の駆動素子に接続された複数の配線とを備えており、
    前記基板の前記複数の駆動素子及び前記複数の配線に対向する領域が少なくとも部分的に凹状に窪みを有することを特徴とする電気光学装置用基板。