JP2000077425A - バイポーラトランジスタ - Google Patents
バイポーラトランジスタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入
に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化
しないバイポーラトランジスタを提供することを目的と
する。 【解決手段】 第１の伝導型を有するＳｉコレクタ層２
と、第２の伝導型を有するＳｉＧｅベース層４と、第１
の伝導型を有するＳｉエミッタ層６とを有する構造のバ
イポーラトランジスタに対して、Ｓｉコレクタ層２とＳ
ｉＧｅベース層４との間及びＳｉＧｅベース層４とＳｉ
エミッタ層６の間に炭素という電気的に不活性な不純物
を含有する不純物拡散抑制層となるＣドープＳｉ層２及
び５を形成することにより、熱処理などの際に発生する
不純物の拡散を抑制する。
に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化
しないバイポーラトランジスタを提供することを目的と
する。 【解決手段】 第１の伝導型を有するＳｉコレクタ層２
と、第２の伝導型を有するＳｉＧｅベース層４と、第１
の伝導型を有するＳｉエミッタ層６とを有する構造のバ
イポーラトランジスタに対して、Ｓｉコレクタ層２とＳ
ｉＧｅベース層４との間及びＳｉＧｅベース層４とＳｉ
エミッタ層６の間に炭素という電気的に不活性な不純物
を含有する不純物拡散抑制層となるＣドープＳｉ層２及
び５を形成することにより、熱処理などの際に発生する
不純物の拡散を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイポーラトラン
ジスタに関する。
ジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタは、ｎｐｎ型の
構造を持つ物の場合、ｎ型不純物を含むコレクタ層、ｐ
型不純物を含むベース層、ｎ型不純物を含むエミッタ層
から構成されている。高性能のバイポーラトランジスタ
を得るためには、これを構成する上記の各層の不純物プ
ロファイルを可能な限りコントロールし、急峻にする必
要がある。逆に言えば、何らかの要因によって不純物プ
ロファイルが、当初の設計からずれてしまった場合、デ
バイス特性は低下する。特に、ベース領域の不純物が、
コレクタやエミッタ側に拡散してしまった場合、キャリ
アが感じるベース層の厚み（実効的なベース長）が増加
し、高速動作特性や、遮断周波数特性が悪くなる。
構造を持つ物の場合、ｎ型不純物を含むコレクタ層、ｐ
型不純物を含むベース層、ｎ型不純物を含むエミッタ層
から構成されている。高性能のバイポーラトランジスタ
を得るためには、これを構成する上記の各層の不純物プ
ロファイルを可能な限りコントロールし、急峻にする必
要がある。逆に言えば、何らかの要因によって不純物プ
ロファイルが、当初の設計からずれてしまった場合、デ
バイス特性は低下する。特に、ベース領域の不純物が、
コレクタやエミッタ側に拡散してしまった場合、キャリ
アが感じるベース層の厚み（実効的なベース長）が増加
し、高速動作特性や、遮断周波数特性が悪くなる。
【０００３】上記のような不純物プロファイルのくずれ
は、主として結晶成長中の熱拡散によって引き起こされ
る。通常、バイポーラトランジスタの製造に当たって
は、イオン注入を中心としたドーピング技術を駆使し
て、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を順にして形成
してゆく。ところが、このようなイオン注入によるドー
ピング技術では、不純物原子を注入後、不純物を活性化
させるために熱処理を行う必要がある。この熱処理工程
において、不純物原子が活性化すると同時に、不純物原
子が本来存在すべきはずの層の外に拡散してしまう事が
ある。これが熱拡散による不純物プロファイルのくずれ
である。また、イオン注入を用いず、エピタキシャル成
長のみによってコレクタ層、ベース層、エミッタ層を形
成してゆく場合にも、エピタキシャル成長時の基板の加
熱によって各層の不純物プロファイルが崩れてしまう。
さらに、この様な方法でトランジスタを作製した場合、
オートドーピングと呼ばれる現象が問題となる。オート
ドーピングとは、比較的高濃度にドーピングされた下地
の半導体層の上にエピタキシャル層を形成する時に、基
板の加熱によって下地の半導体層中の不純物が一旦雰囲
気ガス中に飛び出し、再び成長中の層に取り込まれると
いう現象をさす。ベースのｐ型不純物として最もよく用
いられるホウ素（Ｂ）の場合、上記の熱拡散やオートド
ーピングを起こし易いことが知られおり、高性能トラン
ジスタを製造するためには、上記の原因による不純物プ
ロファイルのくずれを抑制することが不可欠である。
は、主として結晶成長中の熱拡散によって引き起こされ
る。通常、バイポーラトランジスタの製造に当たって
は、イオン注入を中心としたドーピング技術を駆使し
て、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を順にして形成
してゆく。ところが、このようなイオン注入によるドー
ピング技術では、不純物原子を注入後、不純物を活性化
させるために熱処理を行う必要がある。この熱処理工程
において、不純物原子が活性化すると同時に、不純物原
子が本来存在すべきはずの層の外に拡散してしまう事が
ある。これが熱拡散による不純物プロファイルのくずれ
である。また、イオン注入を用いず、エピタキシャル成
長のみによってコレクタ層、ベース層、エミッタ層を形
成してゆく場合にも、エピタキシャル成長時の基板の加
熱によって各層の不純物プロファイルが崩れてしまう。
さらに、この様な方法でトランジスタを作製した場合、
オートドーピングと呼ばれる現象が問題となる。オート
ドーピングとは、比較的高濃度にドーピングされた下地
の半導体層の上にエピタキシャル層を形成する時に、基
板の加熱によって下地の半導体層中の不純物が一旦雰囲
気ガス中に飛び出し、再び成長中の層に取り込まれると
いう現象をさす。ベースのｐ型不純物として最もよく用
いられるホウ素（Ｂ）の場合、上記の熱拡散やオートド
ーピングを起こし易いことが知られおり、高性能トラン
ジスタを製造するためには、上記の原因による不純物プ
ロファイルのくずれを抑制することが不可欠である。
【０００４】そこで従来では、主として以下のような方
法によって不純物プロファイルのくずれの抑制を図ろう
とする試みが考えられている。
法によって不純物プロファイルのくずれの抑制を図ろう
とする試みが考えられている。
【０００５】第１番目は、熱処理によって拡散しにく
い、つまり拡散係数の小さい元素を不純物として選ぶ方
法である。
い、つまり拡散係数の小さい元素を不純物として選ぶ方
法である。
【０００６】第２番目は、エピタキシャル成長時の不純
物原子の拡散を最小限におさえるために、できるだけ低
温でエピタキシャル成長を行う方法である。
物原子の拡散を最小限におさえるために、できるだけ低
温でエピタキシャル成長を行う方法である。
【０００７】第３番目は、もっと積極的に不純物の拡散
を抑制するために、電気的に不活性で拡散抑制効果のあ
る窒素（Ｎ）原子をｐ型半導体層（主にはＢがドーピン
グされている）ベース領域全域にドーピングする方法で
ある（特開平８−７８６７４号公報）。
を抑制するために、電気的に不活性で拡散抑制効果のあ
る窒素（Ｎ）原子をｐ型半導体層（主にはＢがドーピン
グされている）ベース領域全域にドーピングする方法で
ある（特開平８−７８６７４号公報）。
【０００８】第４番目は、ＳｉＧｅをベース層に用いた
ヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層全域
にＢとともにＣをドーピングすることでＢ原子の拡散を
抑制する方法である（Ｌ．Ｄ．Ｌａｎｚａｒｏｔｔｉ
ｅｔ ａｌ， Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ． Ｉｎｔ． Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔ．， ２４９
（１９９６））。
ヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層全域
にＢとともにＣをドーピングすることでＢ原子の拡散を
抑制する方法である（Ｌ．Ｄ．Ｌａｎｚａｒｏｔｔｉ
ｅｔ ａｌ， Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ． Ｉｎｔ． Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔ．， ２４９
（１９９６））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
第１番目の方法の場合、バイポーラトランジスタの製造
に使用できる不純物は限られており、特に、ｐ型不純物
としては、拡散係数の比較的大きなＢを使用せざるを得
ない状況にある。また、上記の第２番目の方法だけで
は、充分に不純物拡散を抑制する事は不可能であり、低
温のエピタキシャル成長では半導体層の成長に時間がか
かってしまう。さらに、上記の第３番目の方法では、Ｎ
を効率的にドーピングする方法はイオン注入しかなく、
この方法では限られた領域にコントロールしてドーピン
グするのが難しく、Ｎ濃度も高いため注入によるダメー
ジも大きくなってしまい、高性能デバイスを作製するの
が困難である。また、上記の第４番目の方法では、Ｃや
Ｎ原子を１×１０19／ｃｍ3もの高濃度でベース層にド
ーピングするため、ベース層の結晶性が劣化したり、キ
ャリアがベース層を走行中にこれらの不純物によって散
乱され、キャリア寿命が短くなる等の現象が発生し、デ
バイス特性が悪化してしまう。
第１番目の方法の場合、バイポーラトランジスタの製造
に使用できる不純物は限られており、特に、ｐ型不純物
としては、拡散係数の比較的大きなＢを使用せざるを得
ない状況にある。また、上記の第２番目の方法だけで
は、充分に不純物拡散を抑制する事は不可能であり、低
温のエピタキシャル成長では半導体層の成長に時間がか
かってしまう。さらに、上記の第３番目の方法では、Ｎ
を効率的にドーピングする方法はイオン注入しかなく、
この方法では限られた領域にコントロールしてドーピン
グするのが難しく、Ｎ濃度も高いため注入によるダメー
ジも大きくなってしまい、高性能デバイスを作製するの
が困難である。また、上記の第４番目の方法では、Ｃや
Ｎ原子を１×１０19／ｃｍ3もの高濃度でベース層にド
ーピングするため、ベース層の結晶性が劣化したり、キ
ャリアがベース層を走行中にこれらの不純物によって散
乱され、キャリア寿命が短くなる等の現象が発生し、デ
バイス特性が悪化してしまう。
【００１０】以上の様に従来の方法では、不純物拡散抑
制とデバイス特性の性能向上を同時に達成する事は非常
に困難である。そこで本発明は、不純物拡散を抑制しつ
つ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによ
りデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを
提供することを主たる目的とする。
制とデバイス特性の性能向上を同時に達成する事は非常
に困難である。そこで本発明は、不純物拡散を抑制しつ
つ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによ
りデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを
提供することを主たる目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のバイポーラトランジスタは、高濃度にドー
ピングされたバイポーラトランジスタのベース層を、拡
散抑制効果のある電気的に不活性な不純物、例えばＣを
ドーピングされた薄い半導体層で挟む構成となってお
り、この構成により、ベース領域の結晶性の劣化をもた
らすことなく、ベース層からの不純物の拡散を抑制する
ことが可能となる。
めに本発明のバイポーラトランジスタは、高濃度にドー
ピングされたバイポーラトランジスタのベース層を、拡
散抑制効果のある電気的に不活性な不純物、例えばＣを
ドーピングされた薄い半導体層で挟む構成となってお
り、この構成により、ベース領域の結晶性の劣化をもた
らすことなく、ベース層からの不純物の拡散を抑制する
ことが可能となる。
【００１２】ただし、Ｃをドーピングした不純物拡散抑
制層は、ベース層やコレクタ層やエミッタ層とは独立し
て形成してもよく、ベース層やコレクタ層やエミッタ層
の内部に形成してやってもよい。
制層は、ベース層やコレクタ層やエミッタ層とは独立し
て形成してもよく、ベース層やコレクタ層やエミッタ層
の内部に形成してやってもよい。
【００１３】従って、具体的には、本発明のうちの第１
の発明のバイポーラトランジスタは、第１の伝導型を有
するコレクタ層と、第２の伝導型を有するベース層と、
第１の伝導型を有するエミッタ層と、前記コレクタ層と
前記ベースとの間及び前記ベース層と前記エミッタ層の
間に形成された電気的に不活性な不純物を含有する不純
物拡散抑制層とを有する構成となっている。
の発明のバイポーラトランジスタは、第１の伝導型を有
するコレクタ層と、第２の伝導型を有するベース層と、
第１の伝導型を有するエミッタ層と、前記コレクタ層と
前記ベースとの間及び前記ベース層と前記エミッタ層の
間に形成された電気的に不活性な不純物を含有する不純
物拡散抑制層とを有する構成となっている。
【００１４】また本発明のうちの第２の発明のバイポー
ラトランジスタは、第１の伝導型を有するコレクタ層
と、第２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を
有するエミッタ層とを有し、前記ベース層中の前記エミ
ッタ層及び前記コレクタ層と接する領域の一部に電気的
に不活性な不純物がドーピングされた不純物拡散抑制層
が形成されていることを特徴とする構成となっている。
ラトランジスタは、第１の伝導型を有するコレクタ層
と、第２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を
有するエミッタ層とを有し、前記ベース層中の前記エミ
ッタ層及び前記コレクタ層と接する領域の一部に電気的
に不活性な不純物がドーピングされた不純物拡散抑制層
が形成されていることを特徴とする構成となっている。
【００１５】さらに本発明のうちの第３の発明のバイポ
ーラトランジスタは、第１の伝導型を有するコレクタ層
と、第２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を
有するエミッタ層とを有し、前記エミッタ層及び前記コ
レクタ層内部の少なくとも前記ベース層と接する側の領
域に電気的に不活性な不純物がドーピングされた不純物
拡散抑制層が形成されていることを特徴とする構成とな
っている。
ーラトランジスタは、第１の伝導型を有するコレクタ層
と、第２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を
有するエミッタ層とを有し、前記エミッタ層及び前記コ
レクタ層内部の少なくとも前記ベース層と接する側の領
域に電気的に不活性な不純物がドーピングされた不純物
拡散抑制層が形成されていることを特徴とする構成とな
っている。
【００１６】上記の構成において、電気的に不活性な不
純物としては、炭素やフッ素などを挙げることができる
が、エピタキシャル成長する際に結晶中に取り込みやす
い炭素を用いることが好ましい。
純物としては、炭素やフッ素などを挙げることができる
が、エピタキシャル成長する際に結晶中に取り込みやす
い炭素を用いることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るバイポーラトランジスタについて図面を参照しながら
説明する。
るバイポーラトランジスタについて図面を参照しながら
説明する。
【００１８】（実施の形態１）まず図１に本発明の実施
の形態１における半導体装置（ｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロ
バイポーラトランジスタ）の主要部の構造を示す断面図
を示す。なお、上記のようにｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロバ
イポーラトランジスタを例に挙げて説明を行うのは、不
純物の拡散を防止しつつ、不純物添加された層をエピタ
キシャル成長により薄く形成することが望まれるデバイ
スであるからである。但し、本発明がヘテロバイポーラ
トランジスタ以外の一般的なバイポーラトランジスタに
も適用できることは言うまでもない。
の形態１における半導体装置（ｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロ
バイポーラトランジスタ）の主要部の構造を示す断面図
を示す。なお、上記のようにｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロバ
イポーラトランジスタを例に挙げて説明を行うのは、不
純物の拡散を防止しつつ、不純物添加された層をエピタ
キシャル成長により薄く形成することが望まれるデバイ
スであるからである。但し、本発明がヘテロバイポーラ
トランジスタ以外の一般的なバイポーラトランジスタに
も適用できることは言うまでもない。
【００１９】次に以下では本実施の形態におけるバイポ
ーラトランジスタの製造方法について順を追って説明す
る。
ーラトランジスタの製造方法について順を追って説明す
る。
【００２０】まず、エピタキシャル成長を行うＳｉ基板
１の前処理について説明する。Ｓｉ基板１はまず、硫酸
−過酸化水素水混合溶液やアンモニア−過酸化水素水混
合溶液にて洗浄を行い、ウエハー上の付着物を除去す
る。さらに、フッ酸溶液を用いてＳｉ基板１表面の自然
酸化膜を取り去る。
１の前処理について説明する。Ｓｉ基板１はまず、硫酸
−過酸化水素水混合溶液やアンモニア−過酸化水素水混
合溶液にて洗浄を行い、ウエハー上の付着物を除去す
る。さらに、フッ酸溶液を用いてＳｉ基板１表面の自然
酸化膜を取り去る。
【００２１】以上の様にして前処理したＳｉ基板１を、
例えば、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶ−ＣＶＤ法）
によるエピタキシャル装置内に投入する。そして、一
旦、装置内を１×１０-9Ｔｏｒｒ以下の真空にした後、
水素ガス雰囲気中で８００℃〜９００℃の温度に基板を
加熱し、清浄Ｓｉ基板１表面を露出させる。
例えば、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶ−ＣＶＤ法）
によるエピタキシャル装置内に投入する。そして、一
旦、装置内を１×１０-9Ｔｏｒｒ以下の真空にした後、
水素ガス雰囲気中で８００℃〜９００℃の温度に基板を
加熱し、清浄Ｓｉ基板１表面を露出させる。
【００２２】次にＳｉ基板１上にエピタキシャル層を成
長させるわけであるが、いずれのエピタキシャル層も、
基板を５００℃から７００℃程度に加熱した状態で行
う。また、望ましくは、原料ガスは装置内で１×１０-3
ないし１×１０-2Ｔｏｒｒの圧力になるように調整して
導入する。
長させるわけであるが、いずれのエピタキシャル層も、
基板を５００℃から７００℃程度に加熱した状態で行
う。また、望ましくは、原料ガスは装置内で１×１０-3
ないし１×１０-2Ｔｏｒｒの圧力になるように調整して
導入する。
【００２３】まず最初に、Ｓｉ基板１の上にＳｉコレク
タ層２を数百ｎｍ程度の厚さで成長させる。このときコ
レクタ層には５×１０16／ｃｍ3程度のｎ型不純物であ
るリン（Ｐ）をドーピングする。このため、原料ガスと
しては、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）ガス
と、不純物の原料となるホスフィン（ＰＨ3）ガスを同
時に装置内に導入し、コレクタ層２の成長が終わった段
階で、原料ガスの導入をやめる。なお、不純物であるＰ
の濃度は、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＰＨ3ガスの装置内での分圧
を変えることに制御可能である。上述のようにしてＳｉ
コレクタ層２を形成した後、Ｓｉ2Ｈ6ガスと、Ｃの原料
であるメチルシラン（ＳｉＨ3ＣＨ3）を装置内に導入
し、不純物拡散抑制のためのＣをドーピングしたＳｉ層
３（不純物拡散抑制層）を、２０ｎｍないし３０ｎｍ程
度エピタキシャル成長させる。このエピタキシャル層３
中でのＣの濃度は、１×１０19／ｃｍ3程度になるよう
に、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＳｉＨ3ＣＨ3ガスの分圧を調整す
る。このようなＣの濃度にした理由は下記の通りであ
る。すなわち、Ｃの濃度が１×１０18／ｃｍ3を下回る
と、不純物（この場合はＰ）の拡散を十分に抑制する効
果が少なくなってしまい、逆にＣの濃度が１×１０20／
ｃｍ3を上回ると、Ｃの導入に基づいて不純物拡散抑制
層自体をエピタキシャル成長させる時に欠陥が発生して
しまい、結晶性の良好な層をエピタキシャル成長できな
いからである。
タ層２を数百ｎｍ程度の厚さで成長させる。このときコ
レクタ層には５×１０16／ｃｍ3程度のｎ型不純物であ
るリン（Ｐ）をドーピングする。このため、原料ガスと
しては、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）ガス
と、不純物の原料となるホスフィン（ＰＨ3）ガスを同
時に装置内に導入し、コレクタ層２の成長が終わった段
階で、原料ガスの導入をやめる。なお、不純物であるＰ
の濃度は、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＰＨ3ガスの装置内での分圧
を変えることに制御可能である。上述のようにしてＳｉ
コレクタ層２を形成した後、Ｓｉ2Ｈ6ガスと、Ｃの原料
であるメチルシラン（ＳｉＨ3ＣＨ3）を装置内に導入
し、不純物拡散抑制のためのＣをドーピングしたＳｉ層
３（不純物拡散抑制層）を、２０ｎｍないし３０ｎｍ程
度エピタキシャル成長させる。このエピタキシャル層３
中でのＣの濃度は、１×１０19／ｃｍ3程度になるよう
に、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＳｉＨ3ＣＨ3ガスの分圧を調整す
る。このようなＣの濃度にした理由は下記の通りであ
る。すなわち、Ｃの濃度が１×１０18／ｃｍ3を下回る
と、不純物（この場合はＰ）の拡散を十分に抑制する効
果が少なくなってしまい、逆にＣの濃度が１×１０20／
ｃｍ3を上回ると、Ｃの導入に基づいて不純物拡散抑制
層自体をエピタキシャル成長させる時に欠陥が発生して
しまい、結晶性の良好な層をエピタキシャル成長できな
いからである。
【００２４】この後、エピタキシャル成長されたＣドー
プＳｉ層３の上に、ベース層４を形成する。ベース層
は、Ｇｅが１０％から３０％程度含まれているＳｉＧｅ
混晶からなっており、ｐ型不純物のＢが５×１０18／ｃ
ｍ3程度ドーピングされている。ベース層４形成時に
は、原料ガスとして、Ｓｉ2Ｈ6、モノゲルマン（ＧｅＨ
4）さらにジボラン（Ｂ2Ｈ6）を同時に装置内に導入す
る。次にベース層４の上に、エピタキシャル成長された
ＣドープＳｉ層３と同様の方法でＣがドーピングされた
Ｓｉ層５を形成する。最後に、エピタキシャル成長され
たＣドープＳｉ層５の上に、５×１０17／ｃｍ3程度の
濃度のＰをドーピングしたＳｉエミッタ層６を形成す
る。原料ガスは、Ｓｉコレクタ層の成長時に用いた物と
同様のＳｉ2Ｈ6とＰＨ3ガスである。
プＳｉ層３の上に、ベース層４を形成する。ベース層
は、Ｇｅが１０％から３０％程度含まれているＳｉＧｅ
混晶からなっており、ｐ型不純物のＢが５×１０18／ｃ
ｍ3程度ドーピングされている。ベース層４形成時に
は、原料ガスとして、Ｓｉ2Ｈ6、モノゲルマン（ＧｅＨ
4）さらにジボラン（Ｂ2Ｈ6）を同時に装置内に導入す
る。次にベース層４の上に、エピタキシャル成長された
ＣドープＳｉ層３と同様の方法でＣがドーピングされた
Ｓｉ層５を形成する。最後に、エピタキシャル成長され
たＣドープＳｉ層５の上に、５×１０17／ｃｍ3程度の
濃度のＰをドーピングしたＳｉエミッタ層６を形成す
る。原料ガスは、Ｓｉコレクタ層の成長時に用いた物と
同様のＳｉ2Ｈ6とＰＨ3ガスである。
【００２５】以上のようにして形成された本実施の形態
におけるバイポーラトランジスタによれば、ベース中の
Ｂが、コレクタやエミッタ層に拡散するのを抑制できる
だけでなく、コレクタ及びエミッタ層中にドーピングさ
れているＰ原子がベースへ拡散するのを抑制するような
効果が期待できる。また、エミッタ層をエピタキシャル
成長させている間のＢ原子のオートドーピングも同時に
抑制することができる。
におけるバイポーラトランジスタによれば、ベース中の
Ｂが、コレクタやエミッタ層に拡散するのを抑制できる
だけでなく、コレクタ及びエミッタ層中にドーピングさ
れているＰ原子がベースへ拡散するのを抑制するような
効果が期待できる。また、エミッタ層をエピタキシャル
成長させている間のＢ原子のオートドーピングも同時に
抑制することができる。
【００２６】なお、上記実施例では、トランジスタの各
層のドーピングを全てＵＨＶ−ＣＶＤ法で作製したが、
各層のドーピングをイオン注入法で行ってもよい。この
場合でも、拡散抑制のための半導体層３及び５があるた
め、不純物原子の拡散は抑制できる。
層のドーピングを全てＵＨＶ−ＣＶＤ法で作製したが、
各層のドーピングをイオン注入法で行ってもよい。この
場合でも、拡散抑制のための半導体層３及び５があるた
め、不純物原子の拡散は抑制できる。
【００２７】また、上記の例では、ベース層４を形成す
る際にＳｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4及びＢ2Ｈ 6を原料ガスとして
用いたが、このベース層形成の初期と終期に上記の原料
ガスに更にＳｉＨ3ＣＨ3を加えてやれば、ベース層のコ
レクタ層及びエミッタ層と接する領域の一部を不純物拡
散抑制領域として用いることも可能であり、この場合に
は上記のＣドープＳｉ層３及び５を形成しなくてもよい
ことになる。
る際にＳｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4及びＢ2Ｈ 6を原料ガスとして
用いたが、このベース層形成の初期と終期に上記の原料
ガスに更にＳｉＨ3ＣＨ3を加えてやれば、ベース層のコ
レクタ層及びエミッタ層と接する領域の一部を不純物拡
散抑制領域として用いることも可能であり、この場合に
は上記のＣドープＳｉ層３及び５を形成しなくてもよい
ことになる。
【００２８】（実施の形態２）次に図２に本発明の実施
の形態２におけるｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロバイポーラト
ランジスタの主要部の構造を示す断面図を示す。本実施
の形態が上記の実施の形態１と異なるのは、拡散抑制の
ためのＣがドープされたＳｉ層が、それぞれコレクタ、
エミッタ内部に形成されている点である。
の形態２におけるｎｐｎ型ＳｉＧｅヘテロバイポーラト
ランジスタの主要部の構造を示す断面図を示す。本実施
の形態が上記の実施の形態１と異なるのは、拡散抑制の
ためのＣがドープされたＳｉ層が、それぞれコレクタ、
エミッタ内部に形成されている点である。
【００２９】次に以下では本実施の形態におけるバイポ
ーラトランジスタの製造方法について順を追って説明す
る。
ーラトランジスタの製造方法について順を追って説明す
る。
【００３０】まず、上記の実施の形態１と同様の手順で
Ｓｉ基板７の洗浄等を行い、エピタキシャル成長を行う
装置内で清浄表面を露出させる。本実施の形態において
も、清浄Ｓｉ基板表面上に各エピタキシャル層を基板を
５００℃から７００℃程度に加熱した状態で成長させ、
成長中の原料ガスの圧力は、１×１０-3ないし１×１０
-2Ｔｏｒｒとする。
Ｓｉ基板７の洗浄等を行い、エピタキシャル成長を行う
装置内で清浄表面を露出させる。本実施の形態において
も、清浄Ｓｉ基板表面上に各エピタキシャル層を基板を
５００℃から７００℃程度に加熱した状態で成長させ、
成長中の原料ガスの圧力は、１×１０-3ないし１×１０
-2Ｔｏｒｒとする。
【００３１】まず、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＰＨ3ガスを装置内
に導入し、Ｐだけが５×１０16／ｃｍ3程度ドーピング
されたＳｉコレクタ層８を形成する。次にコレクタ層８
の成長終了前に、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＰＨ3ガスに加えて、
ＳｉＨ3ＣＨ3ガスを導入し、ＣとＰがドーピングされた
Ｓｉ層９を２０ｎｍないし３０ｎｍ程度形成する。この
時も上記の実施の形態１の際と同様な理由により、Ｃ原
子の濃度は１×１０19／ｃｍ3程度になるように、Ｓｉ
Ｈ3ＣＨ3ガスの圧力を調整する。以上の工程により、コ
レクタ層内部のベース領域と接する側に不純物拡散抑制
領域が形成されたことになる。
に導入し、Ｐだけが５×１０16／ｃｍ3程度ドーピング
されたＳｉコレクタ層８を形成する。次にコレクタ層８
の成長終了前に、Ｓｉ2Ｈ6ガスとＰＨ3ガスに加えて、
ＳｉＨ3ＣＨ3ガスを導入し、ＣとＰがドーピングされた
Ｓｉ層９を２０ｎｍないし３０ｎｍ程度形成する。この
時も上記の実施の形態１の際と同様な理由により、Ｃ原
子の濃度は１×１０19／ｃｍ3程度になるように、Ｓｉ
Ｈ3ＣＨ3ガスの圧力を調整する。以上の工程により、コ
レクタ層内部のベース領域と接する側に不純物拡散抑制
領域が形成されたことになる。
【００３２】この上にベース層１０として、Ｂを５×１
０18／ｃｍ3程度ドーピングされたＳｉＧｅ混晶（Ｇｅ
が１０％から３０％程度含まれている）をエピタキシャ
ル成長させる。次に装置内に、Ｓｉ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｓｉ
Ｈ3ＣＨ3を入れ、ＣとＰがドーピングされたＳｉエミッ
タ層１１を成長させる。この時、Ｃ濃度は１×１０19／
ｃｍ3、Ｐの濃度は５×１０17／ｃｍ3になるように各原
料ガスの分圧を設定しておく。エピタキシャル層１１が
２０ｎｍないし３０ｎｍ程度成長したところで、ＳｉＨ
3ＣＨ3ガスの装置への導入を取りやめ、Ｐだけが５×１
０17／ｃｍ3程度ドーピングされたＳｉエミッタ層１２
を形成する。以上の工程により、エミッタ層内部のベー
ス領域と接する側に不純物拡散抑制領域が形成されたこ
とになる。
０18／ｃｍ3程度ドーピングされたＳｉＧｅ混晶（Ｇｅ
が１０％から３０％程度含まれている）をエピタキシャ
ル成長させる。次に装置内に、Ｓｉ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｓｉ
Ｈ3ＣＨ3を入れ、ＣとＰがドーピングされたＳｉエミッ
タ層１１を成長させる。この時、Ｃ濃度は１×１０19／
ｃｍ3、Ｐの濃度は５×１０17／ｃｍ3になるように各原
料ガスの分圧を設定しておく。エピタキシャル層１１が
２０ｎｍないし３０ｎｍ程度成長したところで、ＳｉＨ
3ＣＨ3ガスの装置への導入を取りやめ、Ｐだけが５×１
０17／ｃｍ3程度ドーピングされたＳｉエミッタ層１２
を形成する。以上の工程により、エミッタ層内部のベー
ス領域と接する側に不純物拡散抑制領域が形成されたこ
とになる。
【００３３】以上のようにして形成された本実施の形態
におけるバイポーラトランジスタによれば、ベース中の
Ｂが、コレクタやエミッタ層に拡散するのを抑制できる
だけでなく、コレクタ及びエミッタ層中にドーピングさ
れているＰ原子がベースへ拡散するのを抑制するような
効果が期待できる。また、エミッタ層とベース層中に拡
散抑制層５もしくは１１が形成されているため、エミッ
タ層をエピタキシャル成長させている間のＢ原子のオー
トドーピングも同時に抑制できる。
におけるバイポーラトランジスタによれば、ベース中の
Ｂが、コレクタやエミッタ層に拡散するのを抑制できる
だけでなく、コレクタ及びエミッタ層中にドーピングさ
れているＰ原子がベースへ拡散するのを抑制するような
効果が期待できる。また、エミッタ層とベース層中に拡
散抑制層５もしくは１１が形成されているため、エミッ
タ層をエピタキシャル成長させている間のＢ原子のオー
トドーピングも同時に抑制できる。
【００３４】以上本発明の実施の形態について図面とと
もに説明を行ったが、上記の各実施の形態において、Ｓ
ｉの原料となるガスとしては、上述以外に、モノシラン
（ＳｉＨ4）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のガ
スを用いることもでき、ｎ型不純物のガスとしては、ア
ルシン（ＡｓＨ3）を用いても良い。また、Ｃの原料ガ
スとしては、メタン、エチレン、アセチレンを用いるこ
とができる。
もに説明を行ったが、上記の各実施の形態において、Ｓ
ｉの原料となるガスとしては、上述以外に、モノシラン
（ＳｉＨ4）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のガ
スを用いることもでき、ｎ型不純物のガスとしては、ア
ルシン（ＡｓＨ3）を用いても良い。また、Ｃの原料ガ
スとしては、メタン、エチレン、アセチレンを用いるこ
とができる。
【００３５】また、上記実施の形態では、ｎｐｎ型Ｓｉ
Ｇｅヘテロバイポーラトランジスタを例にとって説明し
たが、本発明による素子構造による不純物の拡散抑制効
果は、ベースにＳｉを用いたＳｉ−ｎｐｎ型及びｐｎｐ
型バイポーラトランジスタに対しても適用できる。さら
に、エピタキシャル成長させたＳｉやＳｉＧｅだけでな
く、ポリシリコンやアモルファスシリコン層においても
同様の効果が期待できる。つまり、不純物をドーピング
したポリシリコン層やアモルファスシリコン層を、Ｃが
ドーピングしたされた層で挟むことによって、有効に不
純物の拡散を抑制することができるのである。
Ｇｅヘテロバイポーラトランジスタを例にとって説明し
たが、本発明による素子構造による不純物の拡散抑制効
果は、ベースにＳｉを用いたＳｉ−ｎｐｎ型及びｐｎｐ
型バイポーラトランジスタに対しても適用できる。さら
に、エピタキシャル成長させたＳｉやＳｉＧｅだけでな
く、ポリシリコンやアモルファスシリコン層においても
同様の効果が期待できる。つまり、不純物をドーピング
したポリシリコン層やアモルファスシリコン層を、Ｃが
ドーピングしたされた層で挟むことによって、有効に不
純物の拡散を抑制することができるのである。
【００３６】さらに、上記の図１に示した実施の形態１
におけるバイポーラトランジスタによれば、不純物拡散
抑制層には、Ｐ等の不純物が一切混入されていないた
め、不純物拡散を最も抑制することができる。
におけるバイポーラトランジスタによれば、不純物拡散
抑制層には、Ｐ等の不純物が一切混入されていないた
め、不純物拡散を最も抑制することができる。
【００３７】次に以下では上記の実施の形態に示したデ
バイス構造でＢ原子の拡散が抑制されるメカニズムにつ
いて簡単に説明する。まず最初にＣ原子とＢ原子を同一
の場所にドーピングした場合のＢ原子の拡散抑制メカニ
ズムを説明する。ＳｉやＳｉＧｅ中では、一旦、格子位
置に入ったＢ原子は、外部から加えられた熱などのエネ
ルギーによって格子間位置にあるＳｉ原子（Ｓｉ ｓｅ
ｌｆ−ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）と入れ替わる。この
格子間位置に達したＢ原子は、次に格子位置にあるＳｉ
と入れ変わる。この様な過程を繰り返してＢ原子は次々
と結晶中を拡散してゆくのである。この過程から明らか
なように、Ｂ原子が拡散するためには、まず、格子間位
置にあるＳｉ原子の存在が不可欠である。ところが、Ｂ
原子とともにＣ原子をＳｉやＳｉＧｅ中に同時にドーピ
ングしてやると、Ｃ原子が格子間位置にあるＳｉ原子と
入れ替わってしまい（Ｃ原子が格子間位置Ｓｉを消費す
る）、格子間位置にあるＳｉ原子の濃度が減少する。
バイス構造でＢ原子の拡散が抑制されるメカニズムにつ
いて簡単に説明する。まず最初にＣ原子とＢ原子を同一
の場所にドーピングした場合のＢ原子の拡散抑制メカニ
ズムを説明する。ＳｉやＳｉＧｅ中では、一旦、格子位
置に入ったＢ原子は、外部から加えられた熱などのエネ
ルギーによって格子間位置にあるＳｉ原子（Ｓｉ ｓｅ
ｌｆ−ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）と入れ替わる。この
格子間位置に達したＢ原子は、次に格子位置にあるＳｉ
と入れ変わる。この様な過程を繰り返してＢ原子は次々
と結晶中を拡散してゆくのである。この過程から明らか
なように、Ｂ原子が拡散するためには、まず、格子間位
置にあるＳｉ原子の存在が不可欠である。ところが、Ｂ
原子とともにＣ原子をＳｉやＳｉＧｅ中に同時にドーピ
ングしてやると、Ｃ原子が格子間位置にあるＳｉ原子と
入れ替わってしまい（Ｃ原子が格子間位置Ｓｉを消費す
る）、格子間位置にあるＳｉ原子の濃度が減少する。
【００３８】すると、Ｂ原子は、入れ替わるべき格子間
位置Ｓｉが存在しなくなるので拡散できなくなるのであ
る。
位置Ｓｉが存在しなくなるので拡散できなくなるのであ
る。
【００３９】次に上記実施の形態の素子構造、つまり、
Ｂをドープした層をＣをドープした層で挟んだ場合のＢ
の拡散抑制メカニズムを説明する。この構造において、
Ｂがコレクタ側やエミッタ側に拡散していく場合、Ｂ原
子は、まずＣ原子がドーピングしてある領域を通過しな
ければならない。しかしながら、Ｃ原子がドーピングし
てある領域には、Ｂ原子の拡散に必要な格子間位置Ｓｉ
の濃度が低くなっており、この領域を通り抜けて拡散し
ていく確率は低くなる。つまり、Ｂ原子にとってＣ原子
がドーピングしてある領域が一種の障壁のようになって
おり、拡散が起こりにくいのである。ベース層の内部で
もＢ原子自体が動きにくい状態になっており、このよう
な効果によっても不純物のベース領域からの外方拡散が
抑制されているものと考えられる。
Ｂをドープした層をＣをドープした層で挟んだ場合のＢ
の拡散抑制メカニズムを説明する。この構造において、
Ｂがコレクタ側やエミッタ側に拡散していく場合、Ｂ原
子は、まずＣ原子がドーピングしてある領域を通過しな
ければならない。しかしながら、Ｃ原子がドーピングし
てある領域には、Ｂ原子の拡散に必要な格子間位置Ｓｉ
の濃度が低くなっており、この領域を通り抜けて拡散し
ていく確率は低くなる。つまり、Ｂ原子にとってＣ原子
がドーピングしてある領域が一種の障壁のようになって
おり、拡散が起こりにくいのである。ベース層の内部で
もＢ原子自体が動きにくい状態になっており、このよう
な効果によっても不純物のベース領域からの外方拡散が
抑制されているものと考えられる。
【００４０】なお、本発明で提案した素子構造では、上
記実施の形態のように均一に不純物をベースにドーピン
グした場合だけでなく、傾斜的にドーピングしたような
不純物プロファイルを持つベース層においても、不純物
プロファイルの崩れを抑制できる。
記実施の形態のように均一に不純物をベースにドーピン
グした場合だけでなく、傾斜的にドーピングしたような
不純物プロファイルを持つベース層においても、不純物
プロファイルの崩れを抑制できる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明のバイポーラトラン
ジスタによれば、高濃度に不純物がドーピングされた半
導体中の不純物拡散が抑制され、不純物プロファイルが
急峻となる。これにより、目的としたデバイス特性を有
する半導体装置を再現性よく製造することが可能とな
る。
ジスタによれば、高濃度に不純物がドーピングされた半
導体中の不純物拡散が抑制され、不純物プロファイルが
急峻となる。これにより、目的としたデバイス特性を有
する半導体装置を再現性よく製造することが可能とな
る。
【図１】本発明の実施の形態１におけるバイポーラトラ
ンジスタの構造を示す断面図
ンジスタの構造を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるバイポーラトラ
ンジスタの構造を示す断面図
ンジスタの構造を示す断面図
１ Ｓｉ基板 ２ Ｓｉコレクタ層 ３ ＣドープＳｉ層（不純物拡散抑制層） ４ ＳｉＧｅベース層 ５ ＣドープＳｉ層（不純物拡散抑制層） ６ Ｓｉエミッタ層 ７ Ｓｉ基板 ８ Ｓｉコレクタ層 ９ ＣドープＳｉコレクタ層（不純物拡散抑制層） １０ ＳｉＧｅベース層 １１ ＣドープＳｉエミッタ層（不純物拡散抑制層） １２ Ｓｉエミッタ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 能澤 克弥 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 齋藤 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 久保 実 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F003 BF06 BG06 BM01 BP03 BP08 BP31
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の伝導型を有するコレクタ層と、第
２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を有する
エミッタ層と、前記コレクタ層と前記ベースとの間及び
前記ベース層と前記エミッタ層の間に形成された電気的
に不活性な不純物を含有する不純物拡散抑制層とを有す
るバイポーラトランジスタ。 - 【請求項２】 第１の伝導型を有するコレクタ層と、第
２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を有する
エミッタ層とを有し、前記ベース層中の前記エミッタ層
及び前記コレクタ層と接する領域の一部に電気的に不活
性な不純物がドーピングされた不純物拡散抑制層が形成
されていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。 - 【請求項３】 第１の伝導型を有するコレクタ層と、第
２の伝導型を有するベース層と、第１の伝導型を有する
エミッタ層とを有し、前記エミッタ層及び前記コレクタ
層内部の少なくとも前記ベース層と接する側の領域に電
気的に不活性な不純物がドーピングされた不純物拡散抑
制層が形成されていることを特徴とするバイポーラトラ
ンジスタ。 - 【請求項４】 電気的に不活性な不純物が炭素であるこ
とを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載のバイポー
ラトランジスタ。 - 【請求項５】 不純物拡散抑制層が、化学気相堆積、分
子線エピタキシー、反応性スパッタリングからなる群か
ら選択されるいずれかの結晶成長法により形成されてい
ることを特徴する請求項１〜３いずれかに記載のバイポ
ーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24935898A JP3549408B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24935898A JP3549408B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | バイポーラトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077425A true JP2000077425A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3549408B2 JP3549408B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=17191847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24935898A Expired - Fee Related JP3549408B2 (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | バイポーラトランジスタ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3549408B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576535B2 (en) | 2001-04-11 | 2003-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Carbon doped epitaxial layer for high speed CB-CMOS |
| US6667489B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Heterojunction bipolar transistor and method for production thereof |
| JP2004186675A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Semiconductor Components Industries Llc | 狭いドーピング・プロファイルを有する高性能半導体デバイスを作成する構造および方法 |
| EP1528598A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-04 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Vertical PNP transistor and method of manufacturing the same |
| US7009279B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device configured for suppressed germanium diffusion from a germanium-doped regions and a method for fabrication thereof |
| JP2006511084A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| US7119382B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-10-10 | Fujitsu Limited | Heterobipolar transistor and method of fabricating the same |
| US7173274B2 (en) * | 2001-01-30 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Incorporation of carbon in silicon/silicon germanium epitaxial layer to enhance yield for Si-Ge bipolar technology |
| JP2008135775A (ja) * | 2001-06-11 | 2008-06-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ＳｉＧｅバイポーラの歩留りを向上させるＣ打込み |
| DE102005047221B4 (de) * | 2005-10-01 | 2015-08-06 | APSOL GmbH | Halbleiterschichtstruktur, Bauelement mit einer solchen Halbleiterschichtstruktur, Halbleiterschichtstruktur-Scheiben und Verfahren zu deren Herstellung |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP24935898A patent/JP3549408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7173274B2 (en) * | 2001-01-30 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Incorporation of carbon in silicon/silicon germanium epitaxial layer to enhance yield for Si-Ge bipolar technology |
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| JP2008153684A (ja) * | 2001-01-30 | 2008-07-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン・ゲルマニウム・バイポーラ・トランジスタの製造方法 |
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| US6667489B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Heterojunction bipolar transistor and method for production thereof |
| US7358546B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-04-15 | Fujitsu Limited | Heterobipolar transistor and method of fabricating the same |
| US7119382B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-10-10 | Fujitsu Limited | Heterobipolar transistor and method of fabricating the same |
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| DE10352765B4 (de) * | 2002-12-02 | 2013-03-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Hetero-Bipolartransistor mit einem schmalen Dotierungsprofil |
| JP2006511084A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| US7009279B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device configured for suppressed germanium diffusion from a germanium-doped regions and a method for fabrication thereof |
| DE10351100B4 (de) * | 2003-10-31 | 2007-02-08 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines vertikalen PNP-Transistors aus einem Halbleiterwerkstoff und vertikaler bipolarer PNP-Transitor |
| EP1528598A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-04 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Vertical PNP transistor and method of manufacturing the same |
| DE102005047221B4 (de) * | 2005-10-01 | 2015-08-06 | APSOL GmbH | Halbleiterschichtstruktur, Bauelement mit einer solchen Halbleiterschichtstruktur, Halbleiterschichtstruktur-Scheiben und Verfahren zu deren Herstellung |
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