JP2000036721A - インピ―ダンス・マッチング方法とインピ―ダンス・マッチング回路 - Google Patents
インピ―ダンス・マッチング方法とインピ―ダンス・マッチング回路Info
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- JP2000036721A JP2000036721A JP11130834A JP13083499A JP2000036721A JP 2000036721 A JP2000036721 A JP 2000036721A JP 11130834 A JP11130834 A JP 11130834A JP 13083499 A JP13083499 A JP 13083499A JP 2000036721 A JP2000036721 A JP 2000036721A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なる周波数帯においてインピーダンスを最
適値にマッチング可能にする。 【構成】 リアクタンスＸ1を有する第１リアクタンス
回路１０ａと、リアクタンスＸ2を有する第２リアクタ
ンス回路２０ａを設ける。第１リアクタンス回路１０ａ
は、コイル１２とコンデンサ１３からなる並列共振回路
と、それに直列接続されたコイル１１から構成する。第
２リアクタンス回路２０ａは、コイル２２とコンデンサ
２３からなる並列共振回路と、それに直列接続されたコ
イル２１から構成する。各リアクタンス回路１０ａ、２
０ａは、二つ以上の異なる周波数でそれぞれ所定のリア
クタンス値を与える周波数特性を持つ。
適値にマッチング可能にする。 【構成】 リアクタンスＸ1を有する第１リアクタンス
回路１０ａと、リアクタンスＸ2を有する第２リアクタ
ンス回路２０ａを設ける。第１リアクタンス回路１０ａ
は、コイル１２とコンデンサ１３からなる並列共振回路
と、それに直列接続されたコイル１１から構成する。第
２リアクタンス回路２０ａは、コイル２２とコンデンサ
２３からなる並列共振回路と、それに直列接続されたコ
イル２１から構成する。各リアクタンス回路１０ａ、２
０ａは、二つ以上の異なる周波数でそれぞれ所定のリア
クタンス値を与える周波数特性を持つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インピーダンス・
マッチング方法とインピーダンス・マッチング回路に関
し、さらに言えば、複数の異なる周波数においてインピ
ーダンス・マッチングが可能であり、高周波を用いる無
線通信機器に好適に使用されるインピーダンス・マッチ
ング方法とインピーダンス・マッチング回路に関する。
マッチング方法とインピーダンス・マッチング回路に関
し、さらに言えば、複数の異なる周波数においてインピ
ーダンス・マッチングが可能であり、高周波を用いる無
線通信機器に好適に使用されるインピーダンス・マッチ
ング方法とインピーダンス・マッチング回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】インピーダンス・マッチング回路は、従
来より、無線通信機の高周波部の各回路に使用されてい
る素子の特性を最大限に引き出すために用いられてい
る。従来のこの種インピーダンス・マッチング回路の構
成例を図４０に示す。
来より、無線通信機の高周波部の各回路に使用されてい
る素子の特性を最大限に引き出すために用いられてい
る。従来のこの種インピーダンス・マッチング回路の構
成例を図４０に示す。
【０００３】図４０では、高周波回路１４０の入力端子
１３２と出力端子１３３にそれぞれ、第１インピーダン
ス・マッチング回路１１０と第２インピーダンス・マッ
チング回路１２０が接続されている。第１インピーダン
ス・マッチング回路１１０は、高周波回路１４０の前段
の高周波回路（図示せず）の出力インピーダンスと、高
周波回路１４０の入力インピーダンスとをマッチングさ
せる役目を果たす。第２インピーダンス・マッチング回
路１２０は、高周波回路１４０の後段の高周波回路（図
示せず）の入力インピーダンスと、高周波回路１４０の
出力インピーダンスとをマッチングさせる役目を果た
す。
１３２と出力端子１３３にそれぞれ、第１インピーダン
ス・マッチング回路１１０と第２インピーダンス・マッ
チング回路１２０が接続されている。第１インピーダン
ス・マッチング回路１１０は、高周波回路１４０の前段
の高周波回路（図示せず）の出力インピーダンスと、高
周波回路１４０の入力インピーダンスとをマッチングさ
せる役目を果たす。第２インピーダンス・マッチング回
路１２０は、高周波回路１４０の後段の高周波回路（図
示せず）の入力インピーダンスと、高周波回路１４０の
出力インピーダンスとをマッチングさせる役目を果た
す。
【０００４】簡単化のため、図４０では、高周波回路１
４０は、ｎｐｎ型バイポーラ・トランジスタＴｒのみか
らなる高周波増幅回路とし、交流的な等価回路として図
示してある。トランジスタＴｒのエミッタは接地され、
ベースは入力端子１３２に接続され、コレクタは出力端
子１３３に接続されている。また、第１インピーダンス
・マッチング回路１１０は、両端が出力端子１３１と入
力端子１３２にそれぞれ接続されたコイル１１１と、一
方の端子が出力端子１３１に接続され他方の端子が接地
されたコイル１１２とから構成されており、いわゆる
「Ｌ−Ｌマッチング」の構成を持つ。第２インピーダン
ス・マッチング回路１２０は、両端が出力端子１３３と
入力端子１３４にそれぞれ接続されたコンデンサ１２１
と、一方の端子が入力端子１３４に接続され他方の端子
が接地されたコンデンサ１２２とから構成されており、
いわゆる「Ｃ−Ｃマッチング」の構成を持つ。
４０は、ｎｐｎ型バイポーラ・トランジスタＴｒのみか
らなる高周波増幅回路とし、交流的な等価回路として図
示してある。トランジスタＴｒのエミッタは接地され、
ベースは入力端子１３２に接続され、コレクタは出力端
子１３３に接続されている。また、第１インピーダンス
・マッチング回路１１０は、両端が出力端子１３１と入
力端子１３２にそれぞれ接続されたコイル１１１と、一
方の端子が出力端子１３１に接続され他方の端子が接地
されたコイル１１２とから構成されており、いわゆる
「Ｌ−Ｌマッチング」の構成を持つ。第２インピーダン
ス・マッチング回路１２０は、両端が出力端子１３３と
入力端子１３４にそれぞれ接続されたコンデンサ１２１
と、一方の端子が入力端子１３４に接続され他方の端子
が接地されたコンデンサ１２２とから構成されており、
いわゆる「Ｃ−Ｃマッチング」の構成を持つ。
【０００５】高周波回路１４０の前段の高周波回路の出
力インピーダンスと高周波回路１４０の入力インピーダ
ンスとをマッチングさせる第１インピーダンス・マッチ
ング回路１１０では、それら両インピーダンスのマッチ
ングは単一の周波数でしか実現されない、という問題が
ある。このため、図４０に示す第１インピーダンス・マ
ッチング回路１１０を用いて、隣接する二つの高周波回
路のインピーダンスを二つの異なる周波数においてマッ
チングさせるには、何らかの工夫が必要である。これ
は、高周波回路１４０の後段の第２インピーダンス・マ
ッチング回路１２０においても同様である。
力インピーダンスと高周波回路１４０の入力インピーダ
ンスとをマッチングさせる第１インピーダンス・マッチ
ング回路１１０では、それら両インピーダンスのマッチ
ングは単一の周波数でしか実現されない、という問題が
ある。このため、図４０に示す第１インピーダンス・マ
ッチング回路１１０を用いて、隣接する二つの高周波回
路のインピーダンスを二つの異なる周波数においてマッ
チングさせるには、何らかの工夫が必要である。これ
は、高周波回路１４０の後段の第２インピーダンス・マ
ッチング回路１２０においても同様である。
【０００６】そこで、以下においてその工夫について説
明する。図３７は、日本国内で採用されているＰＤＣ
（Personal Digital Cellular）方式の携帯電話に使用
されているシングル・スーパー・ヘテロダイン方式の受
信機の回路図を示す。
明する。図３７は、日本国内で採用されているＰＤＣ
（Personal Digital Cellular）方式の携帯電話に使用
されているシングル・スーパー・ヘテロダイン方式の受
信機の回路図を示す。
【０００７】図３７の回路において、アンテナ１０１
は、受信周波数帯である８２０ＭＨｚ帯の高周波信号を
受信する。高周波増幅器１０２は、アンテナ１０１で受
信された８２０ＭＨｚ帯の高周波信号を増幅して周波数
ミキサ１０３に送る。周波数ミキサ１０３は、送られて
きた高周波信号を、局部（ローカル）発振器１０４から
送られる９５０ＭＨｚの局部周波数を持つ局部信号と混
合し、周波数が両周波数の差１３０ＭＨｚに等しい中間
周波数（Intermediate Frequency, ＩＦ）信号に変換す
る。ＩＦ増幅器１０５は、このＩＦ信号を増幅して復調
器１０６に送る。復調器１０６は、送られてきたＩＦ信
号を所定の方式に従って復調し、高周波受信信号に含ま
れている情報を取り出す。
は、受信周波数帯である８２０ＭＨｚ帯の高周波信号を
受信する。高周波増幅器１０２は、アンテナ１０１で受
信された８２０ＭＨｚ帯の高周波信号を増幅して周波数
ミキサ１０３に送る。周波数ミキサ１０３は、送られて
きた高周波信号を、局部（ローカル）発振器１０４から
送られる９５０ＭＨｚの局部周波数を持つ局部信号と混
合し、周波数が両周波数の差１３０ＭＨｚに等しい中間
周波数（Intermediate Frequency, ＩＦ）信号に変換す
る。ＩＦ増幅器１０５は、このＩＦ信号を増幅して復調
器１０６に送る。復調器１０６は、送られてきたＩＦ信
号を所定の方式に従って復調し、高周波受信信号に含ま
れている情報を取り出す。
【０００８】図３７の回路において、高周波受信信号を
扱う高周波回路（すなわち、高周波増幅器１０２、周波
数ミキサ１０３、局部発振器１０４、ＩＦ増幅器１０
５）のうち、隣接する二つの回路同士を図４０に示すイ
ンピーダンス・マッチング回路１１０または１２０を介
して接続する場合、通常は、受信周波数帯または使用周
波数バンド（すなわち８２０ＭＨｚ帯）に含まれる特定
の単一周波数において接続すべき二つの回路のインピー
ダンスがマッチング（整合）するように、インピーダン
ス・マッチング回路１１０または１２０の構成が決定さ
れる。その場合の高周波増幅器１０２の電圧定在波比
（Voltage Standing-Wave Ratio、ＶＳＷＲ）の周波
数ｆに対する特性（ＶＳＷＲ−ｆ特性）は、図３４に示
すようになる。すなわち、使用する周波数バンドは８２
０ＭＨｚ帯のみであるため、図３４に示すように、その
周波数バンド内の適当な一つの周波数（例えば８２０Ｍ
Ｈｚ）で、接続すべき二つの回路のうちの一方の入力イ
ンピーダンスが他方の出力インピーダンスに一致するよ
うに、インピーダンス・マッチング回路１１０または１
２０の構成を決定する。
扱う高周波回路（すなわち、高周波増幅器１０２、周波
数ミキサ１０３、局部発振器１０４、ＩＦ増幅器１０
５）のうち、隣接する二つの回路同士を図４０に示すイ
ンピーダンス・マッチング回路１１０または１２０を介
して接続する場合、通常は、受信周波数帯または使用周
波数バンド（すなわち８２０ＭＨｚ帯）に含まれる特定
の単一周波数において接続すべき二つの回路のインピー
ダンスがマッチング（整合）するように、インピーダン
ス・マッチング回路１１０または１２０の構成が決定さ
れる。その場合の高周波増幅器１０２の電圧定在波比
（Voltage Standing-Wave Ratio、ＶＳＷＲ）の周波
数ｆに対する特性（ＶＳＷＲ−ｆ特性）は、図３４に示
すようになる。すなわち、使用する周波数バンドは８２
０ＭＨｚ帯のみであるため、図３４に示すように、その
周波数バンド内の適当な一つの周波数（例えば８２０Ｍ
Ｈｚ）で、接続すべき二つの回路のうちの一方の入力イ
ンピーダンスが他方の出力インピーダンスに一致するよ
うに、インピーダンス・マッチング回路１１０または１
２０の構成を決定する。
【０００９】しかしながら、近年、無線通信機や無線通
信システムが急速に発展しており、その結果、二つの離
れた周波数バンドの信号を処理できる受信機が求められ
ている。このような受信機の一例としては、ＰＤＣ方式
の携帯電話で使用される８２０ＭＨｚ帯の高周波信号
と、簡易型携帯電話（Personal Handy-phone Syste
m、ＰＨＳ）で使用される１．９ＧＨｚ（１９００ＭＨ
ｚ）帯の高周波信号の双方を受信できるようにした電話
機がある。この要求を実現するため、従来より、図３８
と図３９に示すような回路構成の受信機が開発されてい
る。
信システムが急速に発展しており、その結果、二つの離
れた周波数バンドの信号を処理できる受信機が求められ
ている。このような受信機の一例としては、ＰＤＣ方式
の携帯電話で使用される８２０ＭＨｚ帯の高周波信号
と、簡易型携帯電話（Personal Handy-phone Syste
m、ＰＨＳ）で使用される１．９ＧＨｚ（１９００ＭＨ
ｚ）帯の高周波信号の双方を受信できるようにした電話
機がある。この要求を実現するため、従来より、図３８
と図３９に示すような回路構成の受信機が開発されてい
る。
【００１０】図３８の回路構成では、高周波増幅器１０
２ａ、局部発振器１０４ａ、周波数ミキサ１０３ａ、Ｉ
Ｆ増幅器１０５ａからなる８２０ＭＨｚ帯の受信信号を
処理する回路（８２０ＭＨｚ帯用回路）と、高周波増幅
器１０２ｂ、局部発振器１０４ｂ、周波数ミキサ１０３
ｂ、ＩＦ増幅器１０５ｂからなる１９００ＭＨｚ帯の受
信信号を処理する回路（１９００ＭＨｚ帯用回路）とが
設けてあり、受信信号の周波数バンドに応じてスイッチ
１０７と１０８によって８２０ＭＨｚ帯用と１９００Ｍ
Ｈｚ帯用の回路を切り換えて使用するようになってい
る。局部発振器１０４ａと１０４ｂの生成する局部周波
数はそれぞれ、９５０ＭＨｚ、１７７０ＭＨｚである。
２ａ、局部発振器１０４ａ、周波数ミキサ１０３ａ、Ｉ
Ｆ増幅器１０５ａからなる８２０ＭＨｚ帯の受信信号を
処理する回路（８２０ＭＨｚ帯用回路）と、高周波増幅
器１０２ｂ、局部発振器１０４ｂ、周波数ミキサ１０３
ｂ、ＩＦ増幅器１０５ｂからなる１９００ＭＨｚ帯の受
信信号を処理する回路（１９００ＭＨｚ帯用回路）とが
設けてあり、受信信号の周波数バンドに応じてスイッチ
１０７と１０８によって８２０ＭＨｚ帯用と１９００Ｍ
Ｈｚ帯用の回路を切り換えて使用するようになってい
る。局部発振器１０４ａと１０４ｂの生成する局部周波
数はそれぞれ、９５０ＭＨｚ、１７７０ＭＨｚである。
【００１１】この回路構成の場合、高周波増幅器１０２
ａ、１０２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は図３５（ａ）に示す
ようになる。すなわち、８２０ＭＨｚ帯用回路に対して
は、８２０ＭＨｚ帯に含まれる特定の単一周波数（例え
ば８２０ＭＨｚ）において接続すべき二つの回路のイン
ピーダンスをマッチングさせる。他方、１９００ＭＨｚ
帯用回路に対しては、１９００ＭＨｚ帯に含まれる特定
の単一周波数（例えば１９００ＭＨｚ）において接続す
べき二つの回路のインピーダンスをマッチングさせる。
ａ、１０２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は図３５（ａ）に示す
ようになる。すなわち、８２０ＭＨｚ帯用回路に対して
は、８２０ＭＨｚ帯に含まれる特定の単一周波数（例え
ば８２０ＭＨｚ）において接続すべき二つの回路のイン
ピーダンスをマッチングさせる。他方、１９００ＭＨｚ
帯用回路に対しては、１９００ＭＨｚ帯に含まれる特定
の単一周波数（例えば１９００ＭＨｚ）において接続す
べき二つの回路のインピーダンスをマッチングさせる。
【００１２】８２０ＭＨｚ帯用と１９００ＭＨｚ帯用の
二つの回路は、受信信号の周波数帯に応じて切り換えて
使用されるので、図３８の回路構成における高周波増幅
器１０２ａ、１０２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性特性は、図３
５（ａ）の二つの特性曲線を周波数バンドに応じて合成
して得た図３５（ｂ）に示す特性曲線で表される。
二つの回路は、受信信号の周波数帯に応じて切り換えて
使用されるので、図３８の回路構成における高周波増幅
器１０２ａ、１０２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性特性は、図３
５（ａ）の二つの特性曲線を周波数バンドに応じて合成
して得た図３５（ｂ）に示す特性曲線で表される。
【００１３】図３９の回路構成は、図３８の回路構成の
変形例である。すなわち、８２０ＭＨｚ帯用と１９００
ＭＨｚ帯用として専用の周波数ミキサ１０３ａ、１０３
ｂとＩＦ増幅器１０５ａ、１０５ｂを設けている図３８
の回路構成と異なり、図３９の回路構成では、８２０Ｍ
Ｈｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の双方の受信信号で共用する
周波数ミキサ１０３とＩＦ増幅器１０５が設けてある。
その他の構成は図３８の場合と同じである。高周波増幅
器１０２ａと１０２ｂの入力を切り換えるスイッチ１０
７は、図３８の場合と同じであるが、上記構成の差異に
応じて、高周波増幅器１０２ａと１０２ｂの出力を切り
換えるスイッチ１０９と、局部発振器１０４ａと１０４
ｂの出力を切り換えるスイッチ１１０とが設けてある。
図３９の回路構成における高周波増幅器１０２ａ、１０
２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は、図３８の回路構成の場合と
同様に、図３５（ｂ）に示すようになる。
変形例である。すなわち、８２０ＭＨｚ帯用と１９００
ＭＨｚ帯用として専用の周波数ミキサ１０３ａ、１０３
ｂとＩＦ増幅器１０５ａ、１０５ｂを設けている図３８
の回路構成と異なり、図３９の回路構成では、８２０Ｍ
Ｈｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の双方の受信信号で共用する
周波数ミキサ１０３とＩＦ増幅器１０５が設けてある。
その他の構成は図３８の場合と同じである。高周波増幅
器１０２ａと１０２ｂの入力を切り換えるスイッチ１０
７は、図３８の場合と同じであるが、上記構成の差異に
応じて、高周波増幅器１０２ａと１０２ｂの出力を切り
換えるスイッチ１０９と、局部発振器１０４ａと１０４
ｂの出力を切り換えるスイッチ１１０とが設けてある。
図３９の回路構成における高周波増幅器１０２ａ、１０
２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は、図３８の回路構成の場合と
同様に、図３５（ｂ）に示すようになる。
【００１４】しかし、図３８と図３９の回路構成では、
スイッチング手段すなわちスイッチ１０７、１０８、１
０９、１１０が必須であるから、図３７に示す単一周波
数帯域用の回路構成に比べると、そのスイッチング手段
に起因して電力の損失（ロス）が増加するという問題が
ある。また、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周
波数バンドに専用の回路が必要なため、図３７の単一周
波数バンド用の回路構成に比べて回路構成が複雑になる
という問題もある。
スイッチング手段すなわちスイッチ１０７、１０８、１
０９、１１０が必須であるから、図３７に示す単一周波
数帯域用の回路構成に比べると、そのスイッチング手段
に起因して電力の損失（ロス）が増加するという問題が
ある。また、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周
波数バンドに専用の回路が必要なため、図３７の単一周
波数バンド用の回路構成に比べて回路構成が複雑になる
という問題もある。
【００１５】そこで、これらの問題を解決するため、図
３７の単一周波数帯域用の回路構成においてインピーダ
ンス・マッチング回路のＱを低下させ、もって８２０Ｍ
Ｈｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周波数帯においてインピ
ーダンスを近似的にマッチングさせる方法が採られる場
合もある。この場合には、高周波増幅器１０２ａ、１０
２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は、図３６に示すように、使用
周波数範囲の全体においてほぼ平坦になる。そこで、図
３６の特性では、インピーダンスの完全なマッチング
（最適なインピーダンス値へのマッチング）はできない
が、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の双方において
近似的なマッチングが可能となる。
３７の単一周波数帯域用の回路構成においてインピーダ
ンス・マッチング回路のＱを低下させ、もって８２０Ｍ
Ｈｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周波数帯においてインピ
ーダンスを近似的にマッチングさせる方法が採られる場
合もある。この場合には、高周波増幅器１０２ａ、１０
２ｂのＶＳＷＲ−ｆ特性は、図３６に示すように、使用
周波数範囲の全体においてほぼ平坦になる。そこで、図
３６の特性では、インピーダンスの完全なマッチング
（最適なインピーダンス値へのマッチング）はできない
が、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の双方において
近似的なマッチングが可能となる。
【００１６】しかし、図３６のＶＳＷＲ−ｆ特性を使用
する場合には、以下に述べるような問題が生じる。
する場合には、以下に述べるような問題が生じる。
【００１７】第１の問題点は、８２０ＭＨｚ帯と１９０
０ＭＨｚ帯のいずれにおいても最適なインピーダンス値
に設定することができないことである。これは、一般的
に、インピーダンス・マッチング回路を、８２０ＭＨｚ
と１９００ＭＨｚの中間の周波数である１３６０ＭＨｚ
においてインピーダンスが最適値にマッチングするよう
に構成し、もってそれら二つの周波数帯におけるインピ
ーダンスのマッチングの程度を均等にすることに起因す
る。
０ＭＨｚ帯のいずれにおいても最適なインピーダンス値
に設定することができないことである。これは、一般的
に、インピーダンス・マッチング回路を、８２０ＭＨｚ
と１９００ＭＨｚの中間の周波数である１３６０ＭＨｚ
においてインピーダンスが最適値にマッチングするよう
に構成し、もってそれら二つの周波数帯におけるインピ
ーダンスのマッチングの程度を均等にすることに起因す
る。
【００１８】第２の問題点は、図３４の単一周波数帯用
のＶＳＷＲ−ｆ特性を使用した場合に比べて受信特性を
最大限に引き出すことができず、その結果、受信回路に
おける電力損失が増加することである。これは、インピ
ーダンス・マッチング回路のＱを意図的に下げて使用す
るからであり、またその低下せしめられたＱによってイ
ンピーダンス・マッチング回路１１０または１２０にお
ける電力損失が増加するためでもある。
のＶＳＷＲ−ｆ特性を使用した場合に比べて受信特性を
最大限に引き出すことができず、その結果、受信回路に
おける電力損失が増加することである。これは、インピ
ーダンス・マッチング回路のＱを意図的に下げて使用す
るからであり、またその低下せしめられたＱによってイ
ンピーダンス・マッチング回路１１０または１２０にお
ける電力損失が増加するためでもある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、図４
０に示したような従来のインピーダンス・マッチング回
路１１０または１２０を使用した場合には、互いに離れ
た二つの周波数において二つの回路のインピーダンスを
最適値にマッチングさせることはできない。また、イン
ピーダンス・マッチングによって電力損失が増加する。
０に示したような従来のインピーダンス・マッチング回
路１１０または１２０を使用した場合には、互いに離れ
た二つの周波数において二つの回路のインピーダンスを
最適値にマッチングさせることはできない。また、イン
ピーダンス・マッチングによって電力損失が増加する。
【００２０】そこで、本発明の目的は、互いに離れた二
つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれにおいて、二つ
の回路のインピーダンスを最適値にマッチングさせるこ
とができるインピーダンス・マッチング方法とインピー
ダンス・マッチング回路を提供することにある。
つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれにおいて、二つ
の回路のインピーダンスを最適値にマッチングさせるこ
とができるインピーダンス・マッチング方法とインピー
ダンス・マッチング回路を提供することにある。
【００２１】本発明の他の目的は、互いに離れた二つあ
るいはそれ以上の周波数帯の信号を処理できるシステム
の回路構成を簡略化できるインピーダンス・マッチング
方法とインピーダンス・マッチング回路を提供すること
にある。
るいはそれ以上の周波数帯の信号を処理できるシステム
の回路構成を簡略化できるインピーダンス・マッチング
方法とインピーダンス・マッチング回路を提供すること
にある。
【００２２】本発明のさらに他の目的は、電力損失を増
加させることなく、二つあるいはそれ以上の周波数のそ
れぞれにおいて最適値へのインピーダンス・マッチング
を実現できるインピーダンス・マッチング方法とインピ
ーダンス・マッチング回路を提供することにある。
加させることなく、二つあるいはそれ以上の周波数のそ
れぞれにおいて最適値へのインピーダンス・マッチング
を実現できるインピーダンス・マッチング方法とインピ
ーダンス・マッチング回路を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】（１） 本発明のインピ
ーダンス・マッチング方法は、複数のリアクタンス素子
を含むインピーダンス・マッチング回路を用いて、第１
回路と第２回路の間で二つ以上の異なる周波数における
インピーダンス・マッチングを行うインピーダンス・マ
ッチング方法において、前記インピーダンス・マッチン
グ回路内の複数のリアクタンス素子の各々と等価であ
り、しかも前記二つ以上の異なる周波数においてそれぞ
れ所望のリアクタンス値を与える周波数特性を持つリア
クタンス回路を構成する第１ステップと、前記第１ステ
ップで構成された前記リアクタンス回路の各々を形成す
るリアクタンス素子のリアクタンス値を算出する第２ス
テップと、前記第２ステップで算出されたリアクタンス
値を有する前記リアクタンス回路を用いて、前記二つ以
上の異なる周波数において前記インピーダンス・マッチ
ング回路のインピーダンス値を決定し、もってそれら異
なる周波数において前記第１回路のインピーダンス値と
前記第２回路のインピーダンス値をそれらの最適値にマ
ッチングさせる第３ステップとを備えたことを特徴とす
る。
ーダンス・マッチング方法は、複数のリアクタンス素子
を含むインピーダンス・マッチング回路を用いて、第１
回路と第２回路の間で二つ以上の異なる周波数における
インピーダンス・マッチングを行うインピーダンス・マ
ッチング方法において、前記インピーダンス・マッチン
グ回路内の複数のリアクタンス素子の各々と等価であ
り、しかも前記二つ以上の異なる周波数においてそれぞ
れ所望のリアクタンス値を与える周波数特性を持つリア
クタンス回路を構成する第１ステップと、前記第１ステ
ップで構成された前記リアクタンス回路の各々を形成す
るリアクタンス素子のリアクタンス値を算出する第２ス
テップと、前記第２ステップで算出されたリアクタンス
値を有する前記リアクタンス回路を用いて、前記二つ以
上の異なる周波数において前記インピーダンス・マッチ
ング回路のインピーダンス値を決定し、もってそれら異
なる周波数において前記第１回路のインピーダンス値と
前記第２回路のインピーダンス値をそれらの最適値にマ
ッチングさせる第３ステップとを備えたことを特徴とす
る。
【００２４】（２） 本発明のインピーダンス・マッチ
ング方法では、第１ステップにおいて、前記インピーダ
ンス・マッチング回路内の複数のリアクタンス素子の各
々と等価であり、しかも前記二つ以上の異なる周波数に
おいてそれぞれ所望のリアクタンス値を与える周波数特
性を持つリアクタンス回路を構成する。次に、第２ステ
ップにおいて、前記第１ステップで構成された前記リア
クタンス回路の各々を形成するリアクタンス素子のリア
クタンス値を算出する。そして、最後に、第３ステップ
において、前記第２ステップで算出されたリアクタンス
値を有する前記リアクタンス回路を用いて、前記二つ以
上の異なる周波数において前記インピーダンス・マッチ
ング回路のインピーダンス値を決定する。このため、互
いに離れた二つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれに
おいて、前記第１回路と第２回路のインピーダンスをそ
れらの最適値にマッチングさせることができる。
ング方法では、第１ステップにおいて、前記インピーダ
ンス・マッチング回路内の複数のリアクタンス素子の各
々と等価であり、しかも前記二つ以上の異なる周波数に
おいてそれぞれ所望のリアクタンス値を与える周波数特
性を持つリアクタンス回路を構成する。次に、第２ステ
ップにおいて、前記第１ステップで構成された前記リア
クタンス回路の各々を形成するリアクタンス素子のリア
クタンス値を算出する。そして、最後に、第３ステップ
において、前記第２ステップで算出されたリアクタンス
値を有する前記リアクタンス回路を用いて、前記二つ以
上の異なる周波数において前記インピーダンス・マッチ
ング回路のインピーダンス値を決定する。このため、互
いに離れた二つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれに
おいて、前記第１回路と第２回路のインピーダンスをそ
れらの最適値にマッチングさせることができる。
【００２５】また、これにより、互いに離れた二つある
いはそれ以上の周波数帯の信号を処理できるシステムの
回路構成を簡略化することが可能となる。
いはそれ以上の周波数帯の信号を処理できるシステムの
回路構成を簡略化することが可能となる。
【００２６】さらに、二つあるいはそれ以上の周波数の
それぞれにおいて、前記第１、第２の回路のインピーダ
ンスを最適値にマッチングさせることができるので、イ
ンピーダンス・マッチングに起因する電力損失の増加を
生じることもない。
それぞれにおいて、前記第１、第２の回路のインピーダ
ンスを最適値にマッチングさせることができるので、イ
ンピーダンス・マッチングに起因する電力損失の増加を
生じることもない。
【００２７】（３） 本発明のインピーダンス・マッチ
ング方法の好ましい例では、前記第１ステップで構成さ
れた前記リアクタンス回路の各々が共振回路を含んでお
り、しかもその共振回路の共振周波数は、前記二つ以上
の異なる周波数のうちの隣接する二つの周波数の間に位
置する。
ング方法の好ましい例では、前記第１ステップで構成さ
れた前記リアクタンス回路の各々が共振回路を含んでお
り、しかもその共振回路の共振周波数は、前記二つ以上
の異なる周波数のうちの隣接する二つの周波数の間に位
置する。
【００２８】本発明のインピーダンス・マッチング方法
の他の好ましい例では、前記共振回路が、複数のリアク
タンス素子の並列共振回路とされる。この場合、前記共
振回路が、互いに並列に接続された誘導性リアクタンス
素子と容量性リアクタンス素子を含む並列共振回路であ
るのが好ましい。
の他の好ましい例では、前記共振回路が、複数のリアク
タンス素子の並列共振回路とされる。この場合、前記共
振回路が、互いに並列に接続された誘導性リアクタンス
素子と容量性リアクタンス素子を含む並列共振回路であ
るのが好ましい。
【００２９】本発明のインピーダンス・マッチング方法
のさらに他の好ましい例では、前記共振回路が複数のリ
アクタンス素子の直列共振回路とされる。この場合、前
記共振回路が、互いに直列に接続された誘導性リアクタ
ンス素子と容量性リアクタンス素子を含む直列共振回路
であるのが好ましい。
のさらに他の好ましい例では、前記共振回路が複数のリ
アクタンス素子の直列共振回路とされる。この場合、前
記共振回路が、互いに直列に接続された誘導性リアクタ
ンス素子と容量性リアクタンス素子を含む直列共振回路
であるのが好ましい。
【００３０】本発明のインピーダンス・マッチング方法
のさらに他の好ましい例では、前記第２ステップにおけ
るリアクタンス値の算出が、前記二つ以上の異なる周波
数のうちの一つの周波数における前記第２回路のインピ
ーダンス値に対応する点を中心点に配置したスミス・チ
ャートまたはアドミッタンス・チャートを使用して行わ
れ、しかも、その際に、前記二つ以上の異なる周波数に
おける前記第１回路のインピーダンス値にそれぞれ対応
する点を前記スミス・チャートまたはアドミッタンス・
チャート上に配置するステップと、前記スミス・チャー
トまたはアドミッタンス・チャート上に配置された前記
第１回路のインピーダンス値にそれぞれ対応する点を、
前記スミス・チャートまたはアドミッタンス・チャート
の中心点を通る共通の円周上にそれぞれ移動させるステ
ップと、前記共通の円周上に移動せしめられた前記第１
回路のインピーダンス値にそれぞれ対応する点を前記中
心点に重なるように移動させるステップとが実行され
る。
のさらに他の好ましい例では、前記第２ステップにおけ
るリアクタンス値の算出が、前記二つ以上の異なる周波
数のうちの一つの周波数における前記第２回路のインピ
ーダンス値に対応する点を中心点に配置したスミス・チ
ャートまたはアドミッタンス・チャートを使用して行わ
れ、しかも、その際に、前記二つ以上の異なる周波数に
おける前記第１回路のインピーダンス値にそれぞれ対応
する点を前記スミス・チャートまたはアドミッタンス・
チャート上に配置するステップと、前記スミス・チャー
トまたはアドミッタンス・チャート上に配置された前記
第１回路のインピーダンス値にそれぞれ対応する点を、
前記スミス・チャートまたはアドミッタンス・チャート
の中心点を通る共通の円周上にそれぞれ移動させるステ
ップと、前記共通の円周上に移動せしめられた前記第１
回路のインピーダンス値にそれぞれ対応する点を前記中
心点に重なるように移動させるステップとが実行され
る。
【００３１】（４） 本発明のインピーダンス・マッチ
ング回路は、第１回路と第２回路の間で二つ以上の異な
る周波数におけるインピーダンス・マッチングを行うた
めに使用されるインピーダンス・マッチング回路におい
て、前記第１回路が接続される第１端子対と、前記第２
回路が接続される第２端子対と、前記第１端子対と前記
第２端子対の間に設けられた複数のインピーダンス回路
とを備え、前記複数のインピーダンス回路の各々は、前
記二つ以上の異なる周波数においてそれぞれ所定のリア
クタンス値を与える周波数特性を持つリアクタンス回路
を有していて、そのリアクタンス回路によってそれら異
なる周波数においてそれぞれ所定のインピーダンス値が
設定されており、しかも、それら異なる周波数における
前記複数のインピーダンス回路の合成インピーダンス値
は、前記第１回路のインピーダンス値と前記第２回路の
インピーダンス値とをそれらの最適値にマッチングさせ
るように設定されることを特徴とする。
ング回路は、第１回路と第２回路の間で二つ以上の異な
る周波数におけるインピーダンス・マッチングを行うた
めに使用されるインピーダンス・マッチング回路におい
て、前記第１回路が接続される第１端子対と、前記第２
回路が接続される第２端子対と、前記第１端子対と前記
第２端子対の間に設けられた複数のインピーダンス回路
とを備え、前記複数のインピーダンス回路の各々は、前
記二つ以上の異なる周波数においてそれぞれ所定のリア
クタンス値を与える周波数特性を持つリアクタンス回路
を有していて、そのリアクタンス回路によってそれら異
なる周波数においてそれぞれ所定のインピーダンス値が
設定されており、しかも、それら異なる周波数における
前記複数のインピーダンス回路の合成インピーダンス値
は、前記第１回路のインピーダンス値と前記第２回路の
インピーダンス値とをそれらの最適値にマッチングさせ
るように設定されることを特徴とする。
【００３２】（５） 本発明のインピーダンス・マッチ
ング回路では、本発明のインピーダンス・マッチング方
法で述べたのと実質的に同じ理由により、互いに離れた
二つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれにおいて、前
記第１回路と第２回路のインピーダンスをそれらの最適
値にマッチングさせることができる。また、これによ
り、互いに離れた二つあるいはそれ以上の周波数帯の信
号を処理できるシステムの回路構成を簡略化することが
可能となる。さらに、当該インピーダンス・マッチング
回路における電力損失の増加を生じることもない （６） 本発明のインピーダンス・マッチング回路の好
ましい例では、前記複数のリアクタンス回路の各々が共
振回路を含んでおり、しかもその共振回路の共振周波数
は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接する二つ
の周波数の間に位置する。
ング回路では、本発明のインピーダンス・マッチング方
法で述べたのと実質的に同じ理由により、互いに離れた
二つあるいはそれ以上の周波数のそれぞれにおいて、前
記第１回路と第２回路のインピーダンスをそれらの最適
値にマッチングさせることができる。また、これによ
り、互いに離れた二つあるいはそれ以上の周波数帯の信
号を処理できるシステムの回路構成を簡略化することが
可能となる。さらに、当該インピーダンス・マッチング
回路における電力損失の増加を生じることもない （６） 本発明のインピーダンス・マッチング回路の好
ましい例では、前記複数のリアクタンス回路の各々が共
振回路を含んでおり、しかもその共振回路の共振周波数
は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接する二つ
の周波数の間に位置する。
【００３３】本発明のインピーダンス・マッチング回路
の他の好ましい例では、前記共振回路が、複数のリアク
タンス素子の並列共振回路とされる。この場合、好まし
くは、前記共振回路は、互いに並列に接続された誘導性
リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む並列
共振回路とされる。あるいは、その並列共振回路に対し
て、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタンス
素子の少なくとも一方を直列に接続してもよい。
の他の好ましい例では、前記共振回路が、複数のリアク
タンス素子の並列共振回路とされる。この場合、好まし
くは、前記共振回路は、互いに並列に接続された誘導性
リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む並列
共振回路とされる。あるいは、その並列共振回路に対し
て、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタンス
素子の少なくとも一方を直列に接続してもよい。
【００３４】本発明のインピーダンス・マッチング回路
のさらに他の好ましい例では、前記複数のリアクタンス
回路の各々が、互いに直列に接続された複数の共振回路
を含んでおり、しかもそれら複数の共振回路の共振周波
数の各々は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接
する二つの周波数の間に位置する。この場合、好ましく
は、前記共振回路の各々が、互いに並列に接続された誘
導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む
並列共振回路とされる。あるいは、その並列共振回路に
対して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタ
ンス素子の少なくとも一方を直列に接続してもよい。
のさらに他の好ましい例では、前記複数のリアクタンス
回路の各々が、互いに直列に接続された複数の共振回路
を含んでおり、しかもそれら複数の共振回路の共振周波
数の各々は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接
する二つの周波数の間に位置する。この場合、好ましく
は、前記共振回路の各々が、互いに並列に接続された誘
導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む
並列共振回路とされる。あるいは、その並列共振回路に
対して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタ
ンス素子の少なくとも一方を直列に接続してもよい。
【００３５】本発明のインピーダンス・マッチング回路
のさらに他の好ましい例では、前記共振回路が、複数の
リアクタンス素子の直列共振回路とされる。この場合、
好ましくは、前記共振回路が、互いに直列に接続された
誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含
む直列共振回路とされる。あるいは、その直列共振回路
に対して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアク
タンス素子の少なくとも一方を並列に接続してもよい。
のさらに他の好ましい例では、前記共振回路が、複数の
リアクタンス素子の直列共振回路とされる。この場合、
好ましくは、前記共振回路が、互いに直列に接続された
誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含
む直列共振回路とされる。あるいは、その直列共振回路
に対して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアク
タンス素子の少なくとも一方を並列に接続してもよい。
【００３６】本発明のインピーダンス・マッチング回路
のさらに他の好ましい例では、前記複数のリアクタンス
回路の各々が、互いに並列に接続された複数の共振回路
を含んでおり、しかもそれら複数の共振回路の共振周波
数の各々は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接
する二つの周波数の間に位置する。この場合、好ましく
は、前記共振回路の各々が、互いに直列に接続された誘
導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む
直列共振回路とされる。あるいは、その直共振回路に対
して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタン
ス素子の少なくとも一方を並列に接続してもよい。
のさらに他の好ましい例では、前記複数のリアクタンス
回路の各々が、互いに並列に接続された複数の共振回路
を含んでおり、しかもそれら複数の共振回路の共振周波
数の各々は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接
する二つの周波数の間に位置する。この場合、好ましく
は、前記共振回路の各々が、互いに直列に接続された誘
導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を含む
直列共振回路とされる。あるいは、その直共振回路に対
して、誘導性リアクタンス素子および容量性リアクタン
ス素子の少なくとも一方を並列に接続してもよい。
【００３７】（７） 本発明のインピーダンス・マッチ
ング回路では、前記複数のインピーダンス回路の好まし
い接続形態は次の通りである。
ング回路では、前記複数のインピーダンス回路の好まし
い接続形態は次の通りである。
【００３８】（ａ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対間または
前記第２端子対間に接続される。
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対間または
前記第２端子対間に接続される。
【００３９】（ｂ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の二つが、前記第１端子対間および
前記第２端子対間にそれぞれ接続される。
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の二つが、前記第１端子対間および
前記第２端子対間にそれぞれ接続される。
【００４０】（ｃ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の
端子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
一つが、前記第１端子対間または前記第２端子対間に接
続される。
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の
端子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
一つが、前記第１端子対間または前記第２端子対間に接
続される。
【００４１】（ｄ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の
端子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
二つが、前記第１端子対間および前記第２端子対間にそ
れぞれ接続される。
ちの一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダ
ンス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の
端子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
二つが、前記第１端子対間および前記第２端子対間にそ
れぞれ接続される。
【００４２】（ｅ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数の
インピーダンス回路のうちのさらに他の一つが、直列に
接続された前記二つのインピーダンス回路の接続点と、
前記第１端子対の他方の端子および前記第２端子対の他
方の端子とに接続される。
ちの二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数の
インピーダンス回路のうちのさらに他の一つが、直列に
接続された前記二つのインピーダンス回路の接続点と、
前記第１端子対の他方の端子および前記第２端子対の他
方の端子とに接続される。
【００４３】（ｆ）前記複数のインピーダンス回路のう
ちの二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数の
インピーダンス回路のうちの他の二つが、前記第１端子
対の他方の端子と前記第２端子対の他方の端子との間で
直列に接続され、しかも、前記複数のインピーダンス回
路のうちのさらに他の一つが、直列に接続された前記二
つのインピーダンス回路の接続点と、直列に接続された
前記他の二つのインピーダンス回路の接続点とに接続さ
れる。
ちの二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端
子対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数の
インピーダンス回路のうちの他の二つが、前記第１端子
対の他方の端子と前記第２端子対の他方の端子との間で
直列に接続され、しかも、前記複数のインピーダンス回
路のうちのさらに他の一つが、直列に接続された前記二
つのインピーダンス回路の接続点と、直列に接続された
前記他の二つのインピーダンス回路の接続点とに接続さ
れる。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について添付図面を参照しながら説明する。
について添付図面を参照しながら説明する。
【００４５】（第１実施形態）図１（ａ）は本発明の第
１実施形態のインピーダンス・マッチング回路１の構成
を示す。このインピーダンス・マッチング回路１は、イ
ンピーダンスＺ1を有する第１インピーダンス回路１０
と、インピーダンスＺ2を有する第２インピーダンス回
路２０とから構成される。第１インピーダンス回路１０
の二つの端子は、当該インピーダンス・マッチング回路
１の入力端子対の一方の端子２と出力端子対の一方の端
子３にそれぞれ接続されている。第２インピーダンス回
路２０の一方の端子は、当該インピーダンス・マッチン
グ回路１の入力端子対の一方の端子２に接続され、他方
の端子は当該回路１の入力端子対の他方の端子２’と出
力端子対の他方の端子３’に共通接続されている。
１実施形態のインピーダンス・マッチング回路１の構成
を示す。このインピーダンス・マッチング回路１は、イ
ンピーダンスＺ1を有する第１インピーダンス回路１０
と、インピーダンスＺ2を有する第２インピーダンス回
路２０とから構成される。第１インピーダンス回路１０
の二つの端子は、当該インピーダンス・マッチング回路
１の入力端子対の一方の端子２と出力端子対の一方の端
子３にそれぞれ接続されている。第２インピーダンス回
路２０の一方の端子は、当該インピーダンス・マッチン
グ回路１の入力端子対の一方の端子２に接続され、他方
の端子は当該回路１の入力端子対の他方の端子２’と出
力端子対の他方の端子３’に共通接続されている。
【００４６】このインピーダンス・マッチング回路１
は、その入力端子対２、２’側に接続された高周波回路
（図示せず）の出力インピーダンスと、その出力端子対
３、３’側に接続された高周波回路（図示せず）の入力
インピーダンスとをマッチングさせる機能を持つ。その
インピーダンス・マッチング機能は、複数の異なる周波
数において実現可能である。
は、その入力端子対２、２’側に接続された高周波回路
（図示せず）の出力インピーダンスと、その出力端子対
３、３’側に接続された高周波回路（図示せず）の入力
インピーダンスとをマッチングさせる機能を持つ。その
インピーダンス・マッチング機能は、複数の異なる周波
数において実現可能である。
【００４７】図１（ｂ）のインピーダンス・マッチング
回路１ａは、図１（ａ）に示すインピーダンス・マッチ
ング回路１の第１および第２のインピーダンス回路１０
と２０を、リアクタンスＸ1を有する第１リアクタンス
回路１０ａと、リアクタンスＸ2を有する第２リアクタ
ンス回路２０ａとでそれぞれ置換すると共に、共通接続
された入力端子２’と出力端子３’を接地したものに相
当する。換言すれば、図１（ｂ）のインピーダンス・マ
ッチング回路１ａは、図１（ａ）に示すインピーダンス
・マッチング回路１において、第１および第２のインピ
ーダンス回路１０と２０がいずれも、抵抗（インピーダ
ンスの実数成分）を含まずリアクタンス（インピーダン
スの虚数成分）のみからなる場合に対応する。
回路１ａは、図１（ａ）に示すインピーダンス・マッチ
ング回路１の第１および第２のインピーダンス回路１０
と２０を、リアクタンスＸ1を有する第１リアクタンス
回路１０ａと、リアクタンスＸ2を有する第２リアクタ
ンス回路２０ａとでそれぞれ置換すると共に、共通接続
された入力端子２’と出力端子３’を接地したものに相
当する。換言すれば、図１（ｂ）のインピーダンス・マ
ッチング回路１ａは、図１（ａ）に示すインピーダンス
・マッチング回路１において、第１および第２のインピ
ーダンス回路１０と２０がいずれも、抵抗（インピーダ
ンスの実数成分）を含まずリアクタンス（インピーダン
スの虚数成分）のみからなる場合に対応する。
【００４８】そこで、説明を簡略化するため、以下の説
明では、図１（ａ）のインピーダンス・マッチング回路
１ではなく、簡略化された図１（ｂ）のインピーダンス
・マッチング回路１ａについて述べることにする。イン
ピーダンス・マッチング回路１ａの構成および動作が明
らかになれば、それを一般的なインピーダンス・マッチ
ング回路１に応用するのは極めて容易であるからであ
る。
明では、図１（ａ）のインピーダンス・マッチング回路
１ではなく、簡略化された図１（ｂ）のインピーダンス
・マッチング回路１ａについて述べることにする。イン
ピーダンス・マッチング回路１ａの構成および動作が明
らかになれば、それを一般的なインピーダンス・マッチ
ング回路１に応用するのは極めて容易であるからであ
る。
【００４９】図１（ｂ）のインピーダンス・マッチング
回路１ａでは、リアクタンスＸ1を有する第１リアクタ
ンス回路１０ａは、その二つの端子が当該回路１ａの一
方の入力端子２と一方の出力端子３にそれぞれ接続され
ている。リアクタンスＸ2を有する第２リアクタンス回
路２０ａは、その一方の端子が当該回路１ａの一方の入
力端子２に接続され、他方の端子が接地されている。イ
ンピーダンス・マッチング回路１ａの前段の高周波回路
（図示せず）は、入力端子対２と接地との間に接続さ
れ、インピーダンス・マッチング回路１ａの後段の高周
波回路（図示せず）は、出力端子対３と接地との間に接
続される。
回路１ａでは、リアクタンスＸ1を有する第１リアクタ
ンス回路１０ａは、その二つの端子が当該回路１ａの一
方の入力端子２と一方の出力端子３にそれぞれ接続され
ている。リアクタンスＸ2を有する第２リアクタンス回
路２０ａは、その一方の端子が当該回路１ａの一方の入
力端子２に接続され、他方の端子が接地されている。イ
ンピーダンス・マッチング回路１ａの前段の高周波回路
（図示せず）は、入力端子対２と接地との間に接続さ
れ、インピーダンス・マッチング回路１ａの後段の高周
波回路（図示せず）は、出力端子対３と接地との間に接
続される。
【００５０】次に、本発明の第１実施形態のインピーダ
ンス・マッチング回路１ａの具体的回路構成を、図２を
参照しながら説明する。
ンス・マッチング回路１ａの具体的回路構成を、図２を
参照しながら説明する。
【００５１】図２に示すように、第１リアクタンス回路
１０ａは三つのリアクタンス素子１１、１２、１３から
構成される。リアクタンス素子１１は、誘導性リアクタ
ンス素子すなわち、インダクタンスＬ11を有するコイル
である。リアクタンス素子１２は、インダクタンスＬ12
を有するコイルである。リアクタンス素子１３は、容量
性リアクタンス素子、すなわちキャパシタンスＣ1を有
するコンデンサである。
１０ａは三つのリアクタンス素子１１、１２、１３から
構成される。リアクタンス素子１１は、誘導性リアクタ
ンス素子すなわち、インダクタンスＬ11を有するコイル
である。リアクタンス素子１２は、インダクタンスＬ12
を有するコイルである。リアクタンス素子１３は、容量
性リアクタンス素子、すなわちキャパシタンスＣ1を有
するコンデンサである。
【００５２】コイル１２とコンデンサ１３は互いに並列
に接続されている。コイル１２の一方の端子とコンデン
サ１３の一方の端子は、出力端子３に共通接続されてい
る。コイル１２の他方の端子とコンデンサ１３の他方の
端子は、コイル１１の一方の端子に共通接続されてい
る。コイル１１の他方の端子は入力端子２に接続されて
いる。
に接続されている。コイル１２の一方の端子とコンデン
サ１３の一方の端子は、出力端子３に共通接続されてい
る。コイル１２の他方の端子とコンデンサ１３の他方の
端子は、コイル１１の一方の端子に共通接続されてい
る。コイル１１の他方の端子は入力端子２に接続されて
いる。
【００５３】互いに並列に接続されたコイル１２とコン
デンサ１３は、図３（ａ）に示すように、共振周波数ｆ
01を有する並列共振回路１４を構成する。よって、第１
リアクタンス回路１０ａは、入力端子２と出力端子３と
の間で、コイル１１と並列共振回路１４が互いに直列に
接続された構成を持つ。
デンサ１３は、図３（ａ）に示すように、共振周波数ｆ
01を有する並列共振回路１４を構成する。よって、第１
リアクタンス回路１０ａは、入力端子２と出力端子３と
の間で、コイル１１と並列共振回路１４が互いに直列に
接続された構成を持つ。
【００５４】第２リアクタンス回路２０ａは、図２に示
すように、第１リアクタンス回路１０ａと同じ構成であ
り、三つのリアクタンス素子２１、２２、２３から構成
される。リアクタンス素子２１は、インダクタンスＬ21
を有するコイルである。リアクタンス素子２２は、イン
ダクタンスＬ22を有するコイルである。リアクタンス素
子２３は、キャパシタンスＣ2を有するコンデンサであ
る。
すように、第１リアクタンス回路１０ａと同じ構成であ
り、三つのリアクタンス素子２１、２２、２３から構成
される。リアクタンス素子２１は、インダクタンスＬ21
を有するコイルである。リアクタンス素子２２は、イン
ダクタンスＬ22を有するコイルである。リアクタンス素
子２３は、キャパシタンスＣ2を有するコンデンサであ
る。
【００５５】コイル２２とコンデンサ２３は互いに並列
に接続されている。コイル２２の一方の端子とコンデン
サ２３の一方の端子は、コイル２１の一方の端子に共通
接続されている。コイル２２の他方の端子とコンデンサ
２３の他方の端子は、共通に接地されている。コイル２
１の他方の端子は入力端子２に接続されている。
に接続されている。コイル２２の一方の端子とコンデン
サ２３の一方の端子は、コイル２１の一方の端子に共通
接続されている。コイル２２の他方の端子とコンデンサ
２３の他方の端子は、共通に接地されている。コイル２
１の他方の端子は入力端子２に接続されている。
【００５６】互いに並列に接続されたコイル２２とコン
デンサ２３は、図３（ｂ）に示すように、共振周波数ｆ
02を有する並列共振回路２４を構成する。この共振周波
数ｆ 02は通常、並列共振回路１４の共振周波数ｆ01とは
異なる。よって、第２リアクタンス回路２０ａは、入力
端子２と接地との間で、コイル２１と並列共振回路２４
が互いに直列に接続された構成を持つ。
デンサ２３は、図３（ｂ）に示すように、共振周波数ｆ
02を有する並列共振回路２４を構成する。この共振周波
数ｆ 02は通常、並列共振回路１４の共振周波数ｆ01とは
異なる。よって、第２リアクタンス回路２０ａは、入力
端子２と接地との間で、コイル２１と並列共振回路２４
が互いに直列に接続された構成を持つ。
【００５７】次に、以上の構成を持つ第１および第２の
リアクタンス回路１０ａと２０ａの動作について説明す
る。
リアクタンス回路１０ａと２０ａの動作について説明す
る。
【００５８】図２に示すように、使用時には、インピー
ダンス・マッチング回路１ａの入力端子２と接地の間に
高周波回路５が接続され、その出力端子３と接地との間
に高周波回路４が接続される。インピーダンス・マッチ
ング回路１ａは、異なる二つの周波数ｆ1とｆ2の双方に
おいて、入力端子２側の高周波回路５の出力インピーダ
ンスと、出力端子３側の高周波回路４の入力インピーダ
ンスとをそれらの最適値にマッチングさせる機能を持
つ。その動作は次の通りである。
ダンス・マッチング回路１ａの入力端子２と接地の間に
高周波回路５が接続され、その出力端子３と接地との間
に高周波回路４が接続される。インピーダンス・マッチ
ング回路１ａは、異なる二つの周波数ｆ1とｆ2の双方に
おいて、入力端子２側の高周波回路５の出力インピーダ
ンスと、出力端子３側の高周波回路４の入力インピーダ
ンスとをそれらの最適値にマッチングさせる機能を持
つ。その動作は次の通りである。
【００５９】ただし、マッチング周波数ｆ1とｆ2は、並
列共振回路１４、２４の共振周波数ｆ01、ｆ02との間
に、ｆ1＜ｆ01＜ｆ2、ｆ1＜ｆ02＜ｆ2の関係を持つ。周
波数ｆ 1とｆ2は、例えば８２０ＭＨｚと１９００ＭＨｚ
である。
列共振回路１４、２４の共振周波数ｆ01、ｆ02との間
に、ｆ1＜ｆ01＜ｆ2、ｆ1＜ｆ02＜ｆ2の関係を持つ。周
波数ｆ 1とｆ2は、例えば８２０ＭＨｚと１９００ＭＨｚ
である。
【００６０】まず、信号周波数すなわち、前段の高周波
回路５から送られてくる電気信号の周波数をｆとする
と、第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンス素子す
なわちコイル１１のリアクタンスＸ11は、次の数式
（１）で与えられる。
回路５から送られてくる電気信号の周波数をｆとする
と、第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンス素子す
なわちコイル１１のリアクタンスＸ11は、次の数式
（１）で与えられる。
【００６１】
【数１】
【００６２】そこで、数式（１）で与えられるコイル１
１のリアクタンスＸ11を図示すると、図４（ｂ）のよう
になる。すなわち、リアクタンスＸ11の周波数特性は原
点を通る直線で与えられ、信号周波数ｆが０（直流）か
ら上昇するにつれて単調に増加する。
１のリアクタンスＸ11を図示すると、図４（ｂ）のよう
になる。すなわち、リアクタンスＸ11の周波数特性は原
点を通る直線で与えられ、信号周波数ｆが０（直流）か
ら上昇するにつれて単調に増加する。
【００６３】他方、コイル１２とコンデンサ１３からな
る並列共振回路１４のリアクタンスＸLC1は、次の数式
（２）で与えられる。
る並列共振回路１４のリアクタンスＸLC1は、次の数式
（２）で与えられる。
【００６４】
【数２】
【００６５】数式（２）で与えられる並列共振回路１４
のリアクタンスＸLC1を図示すると図４（ｃ）のように
なる。すなわち、リアクタンスＸLC1の周波数特性は、
ｆ＝ｆ01に引いた鉛直線Ｂを漸近線とする曲線で与えら
れる。ただし、並列共振回路１４の共振周波数ｆ01は次
の数式（３）で与えられる。
のリアクタンスＸLC1を図示すると図４（ｃ）のように
なる。すなわち、リアクタンスＸLC1の周波数特性は、
ｆ＝ｆ01に引いた鉛直線Ｂを漸近線とする曲線で与えら
れる。ただし、並列共振回路１４の共振周波数ｆ01は次
の数式（３）で与えられる。
【００６６】
【数３】
【００６７】従って、並列共振回路１４のリアクタンス
ＸLC1は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ01より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ01に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
01より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC1は徐々に減少し、ｆ01に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
ＸLC1は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ01より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ01に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
01より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC1は徐々に減少し、ｆ01に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
【００６８】図３（ａ）の回路構成から明らかなよう
に、第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ
1は、コイル１１のリアクタンスＸ11と並列共振回路１
４のリアクタンスＸLC1の和である。よって、第１リア
クタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の周波数特性
は、図４（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成するこ
とにより与えられる。それを図４（ａ）に示す。
に、第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ
1は、コイル１１のリアクタンスＸ11と並列共振回路１
４のリアクタンスＸLC1の和である。よって、第１リア
クタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の周波数特性
は、図４（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成するこ
とにより与えられる。それを図４（ａ）に示す。
【００６９】図４（ａ）から明らかなように、第１リア
クタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の周波数特性
は、並列共振回路１４のリアクタンスＸLC1の周波数特
性と同じ傾向を持つ。すなわち、リアクタンスＸ1は、
信号周波数ｆがｆ01より低い範囲では、ｆの上昇に伴っ
て０から徐々に増加し、ｆ01に近づくにつれて＋無限大
まで増加する。信号周波数ｆがｆ01より高い範囲では、
ｆの減少と共にリアクタンスＸ1は徐々に減少し、ｆ01
に近づくにつれて−無限大に達する。他方、ｆの増加と
共に＋無限大まで増加する。
クタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の周波数特性
は、並列共振回路１４のリアクタンスＸLC1の周波数特
性と同じ傾向を持つ。すなわち、リアクタンスＸ1は、
信号周波数ｆがｆ01より低い範囲では、ｆの上昇に伴っ
て０から徐々に増加し、ｆ01に近づくにつれて＋無限大
まで増加する。信号周波数ｆがｆ01より高い範囲では、
ｆの減少と共にリアクタンスＸ1は徐々に減少し、ｆ01
に近づくにつれて−無限大に達する。他方、ｆの増加と
共に＋無限大まで増加する。
【００７０】また、図４（ａ）の周波数特性から明らか
なように、信号周波数ｆが並列共振回路１４の共振周波
数ｆ01より大きい値を持つ場合には、リアクタンスＸ1
は−無限大から＋無限大までの値を取りうる。信号周波
数ｆが共振周波数ｆ01より小さい値を持つ場合には、リ
アクタンスＸ1は任意の正の値のみを取りうる。他方、
並列共振回路１４の共振周波数ｆ01の値は、所望の二つ
のマッチング周波数ｆ 1とｆ2の間に設定する必要がある
が、その範囲でｆ01の値を変えると、鉛直方向に延在す
る漸近線Ｂが（それと共に特性曲線も）横軸（すなわち
ｆ軸）に沿って変位する。よって、ｆ01の値を適当に設
定することにより、離れた周波数ｆ1とｆ2におけるリア
クタンスＸ1を所望の値にそれぞれ独立して設定するこ
とが可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波数
ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ 1の値を任意に調整可
能である。
なように、信号周波数ｆが並列共振回路１４の共振周波
数ｆ01より大きい値を持つ場合には、リアクタンスＸ1
は−無限大から＋無限大までの値を取りうる。信号周波
数ｆが共振周波数ｆ01より小さい値を持つ場合には、リ
アクタンスＸ1は任意の正の値のみを取りうる。他方、
並列共振回路１４の共振周波数ｆ01の値は、所望の二つ
のマッチング周波数ｆ 1とｆ2の間に設定する必要がある
が、その範囲でｆ01の値を変えると、鉛直方向に延在す
る漸近線Ｂが（それと共に特性曲線も）横軸（すなわち
ｆ軸）に沿って変位する。よって、ｆ01の値を適当に設
定することにより、離れた周波数ｆ1とｆ2におけるリア
クタンスＸ1を所望の値にそれぞれ独立して設定するこ
とが可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波数
ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ 1の値を任意に調整可
能である。
【００７１】図４（ａ）〜（ｃ）において、Ｘ
11（ｆ1）とＸ11（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2にお
けるリアクタンス素子すなわちコイル１１のリアクタン
スＸ11の値をそれぞれ示し、ＸLC1（ｆ1）とＸ
LC1（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2における並列共振
回路１４のリアクタンスＸLC1の値をそれぞれ示し、Ｘ1
（ｆ1）とＸ1（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2におけ
る第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の値
をそれぞれ示している。
11（ｆ1）とＸ11（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2にお
けるリアクタンス素子すなわちコイル１１のリアクタン
スＸ11の値をそれぞれ示し、ＸLC1（ｆ1）とＸ
LC1（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2における並列共振
回路１４のリアクタンスＸLC1の値をそれぞれ示し、Ｘ1
（ｆ1）とＸ1（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2におけ
る第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の値
をそれぞれ示している。
【００７２】第１リアクタンス回路１０ａを構成するコ
イル１１、１２のインダクタンスＬ 11、Ｌ12と、コンデ
ンサ１３のキャパシタンスＣ1の値を、所望のマッチン
グ周波数ｆ1、ｆ2と第１リアクタンス回路１０ａのリア
クタンスＸ1の値から直接、解析的に求めることは困難
であるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求め
ていくことにより、所望の解を求めることができる。
イル１１、１２のインダクタンスＬ 11、Ｌ12と、コンデ
ンサ１３のキャパシタンスＣ1の値を、所望のマッチン
グ周波数ｆ1、ｆ2と第１リアクタンス回路１０ａのリア
クタンスＸ1の値から直接、解析的に求めることは困難
であるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求め
ていくことにより、所望の解を求めることができる。
【００７３】なお、図４（ａ）の周波数特性から明らか
なように、第１実施形態では、高い方の周波数ｆ2にお
ける第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の
値Ｘ1（ｆ2）は、正負いずれの値も取り得るが、低い方
の周波数ｆ1におけるリアクタンスＸ1の値Ｘ1（ｆ1）は
正の値しか取れないという制限がある。従って、第１実
施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａは、周波
数ｆ1において第１リアクタンス回路１０ａのリアクタ
ンスＸ1（ｆ1）を負の値に設定する必要がある場合には
適用できない。しかし、例えば、後述の第２〜第４の実
施形態のいずれかを適用することにより、この制限は除
去できる。
なように、第１実施形態では、高い方の周波数ｆ2にお
ける第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1の
値Ｘ1（ｆ2）は、正負いずれの値も取り得るが、低い方
の周波数ｆ1におけるリアクタンスＸ1の値Ｘ1（ｆ1）は
正の値しか取れないという制限がある。従って、第１実
施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａは、周波
数ｆ1において第１リアクタンス回路１０ａのリアクタ
ンスＸ1（ｆ1）を負の値に設定する必要がある場合には
適用できない。しかし、例えば、後述の第２〜第４の実
施形態のいずれかを適用することにより、この制限は除
去できる。
【００７４】次に、第２リアクタンス回路２０ａについ
て説明する。図２から明らかなように、第２リアクタン
ス回路２０ａは第１リアクタンス回路１０ａと同じ構成
であるので、第１リアクタンス回路１０ａに関する上記
説明がそのまま適用できる。すなわち、第２リアクタン
ス回路２０ａのリアクタンス素子すなわちコイル２１の
リアクタンスＸ21は、次の数式（４）で与えられる。
て説明する。図２から明らかなように、第２リアクタン
ス回路２０ａは第１リアクタンス回路１０ａと同じ構成
であるので、第１リアクタンス回路１０ａに関する上記
説明がそのまま適用できる。すなわち、第２リアクタン
ス回路２０ａのリアクタンス素子すなわちコイル２１の
リアクタンスＸ21は、次の数式（４）で与えられる。
【００７５】
【数４】
【００７６】数式（４）で与えられるコイル２１のリア
クタンスＸ21の周波数特性は、図４（ｂ）と同様であ
る。すなわち、リアクタンスＸ21の周波数特性は原点を
通る直線で与えられ、信号周波数ｆが０から上昇するに
つれて単調に増加する。
クタンスＸ21の周波数特性は、図４（ｂ）と同様であ
る。すなわち、リアクタンスＸ21の周波数特性は原点を
通る直線で与えられ、信号周波数ｆが０から上昇するに
つれて単調に増加する。
【００７７】他方、コイル２２とコンデンサ２３からな
る並列共振回路２４のリアクタンスＸLC2は、次の数式
（５）で与えられる。
る並列共振回路２４のリアクタンスＸLC2は、次の数式
（５）で与えられる。
【００７８】
【数５】
【００７９】並列共振回路２４のリアクタンスＸLC2の
周波数特性は、図４（ｃ）と同様である。すなわち、リ
アクタンスＸLC2の周波数特性は、ｆ＝ｆ02に引いた鉛
直線を漸近線とする曲線で与えられる。ただし、並列共
振回路２４の共振周波数ｆ02は次の数式（６）で与えら
れる。
周波数特性は、図４（ｃ）と同様である。すなわち、リ
アクタンスＸLC2の周波数特性は、ｆ＝ｆ02に引いた鉛
直線を漸近線とする曲線で与えられる。ただし、並列共
振回路２４の共振周波数ｆ02は次の数式（６）で与えら
れる。
【００８０】
【数６】
【００８１】従って、並列共振回路２４のリアクタンス
ＸLC2は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ02に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
02より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC2は徐々に減少し、ｆ02に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
ＸLC2は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ02に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
02より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC2は徐々に減少し、ｆ02に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
【００８２】図３（ｂ）の回路構成から明らかなよう
に、第２リアクタンス回路２０ａのリアクタンスＸ
2は、コイル２１のリアクタンスＸ21と並列共振回路２
４のリアクタンスＸLC2の和である。よって、第２リア
クタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の周波数特性
は、図４（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成して得
た図４（ａ）と同様の曲線で与えられる。
に、第２リアクタンス回路２０ａのリアクタンスＸ
2は、コイル２１のリアクタンスＸ21と並列共振回路２
４のリアクタンスＸLC2の和である。よって、第２リア
クタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の周波数特性
は、図４（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成して得
た図４（ａ）と同様の曲線で与えられる。
【００８３】図４（ａ）から明らかなように、第２リア
クタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の周波数特性
は、並列共振回路２４のリアクタンスＸLC2の周波数特
性と同じ傾向を持つ。すなわち、リアクタンスＸ2は、
信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より低い範囲では、ｆの
上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ02に近づくにつれ
て＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ02より高い
範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸLC2は徐々に
減少し、ｆ02に近づくにつれて−無限大に達する。他
方、ｆの増加と共に＋無限大まで増加する。
クタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の周波数特性
は、並列共振回路２４のリアクタンスＸLC2の周波数特
性と同じ傾向を持つ。すなわち、リアクタンスＸ2は、
信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より低い範囲では、ｆの
上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ02に近づくにつれ
て＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ02より高い
範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸLC2は徐々に
減少し、ｆ02に近づくにつれて−無限大に達する。他
方、ｆの増加と共に＋無限大まで増加する。
【００８４】また、図４（ａ）から明らかなように、信
号周波数ｆが共振周波数ｆ02より大きい値を持つ場合に
は、リアクタンスＸ2は−無限大から＋無限大までの値
を取りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より小さい
値を持つ場合には、リアクタンスＸ1は任意の正の値を
取りうる。他方、並列共振回路２４の共振周波数ｆ02の
値も、所望の二つのマッチング周波数ｆ1とｆ2の間に設
定する必要があるが、その範囲でｆ02の値を変えると、
特性曲線が漸近線Ｂと共にｆ軸に沿って変位する。よっ
て、ｆ02の値を適当に設定することにより、離れた周波
数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ2を所望の値に設定
することが可能である。換言すれば、十分離れた二つの
周波数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ2の値を独立し
て任意に調整可能である。
号周波数ｆが共振周波数ｆ02より大きい値を持つ場合に
は、リアクタンスＸ2は−無限大から＋無限大までの値
を取りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ02より小さい
値を持つ場合には、リアクタンスＸ1は任意の正の値を
取りうる。他方、並列共振回路２４の共振周波数ｆ02の
値も、所望の二つのマッチング周波数ｆ1とｆ2の間に設
定する必要があるが、その範囲でｆ02の値を変えると、
特性曲線が漸近線Ｂと共にｆ軸に沿って変位する。よっ
て、ｆ02の値を適当に設定することにより、離れた周波
数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ2を所望の値に設定
することが可能である。換言すれば、十分離れた二つの
周波数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ2の値を独立し
て任意に調整可能である。
【００８５】第２リアクタンス回路２０ａにおけるコイ
ル２１、２２のインダクタンスＬ21、Ｌ22と、コンデン
サ２３のキャパシタンスＣ2の値を、所望のマッチング
周波数ｆ1、ｆ2と第２リアクタンス回路２０ａのリアク
タンスＸ2の値から直接、解析的に求めることは困難で
あるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求めて
いくことにより、所望の解を求めることが可能である。
ル２１、２２のインダクタンスＬ21、Ｌ22と、コンデン
サ２３のキャパシタンスＣ2の値を、所望のマッチング
周波数ｆ1、ｆ2と第２リアクタンス回路２０ａのリアク
タンスＸ2の値から直接、解析的に求めることは困難で
あるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求めて
いくことにより、所望の解を求めることが可能である。
【００８６】なお、図４（ａ）から明らかなように、ｆ
＝ｆ2におけるリアクタンスＸ2の値は、正負いずれの値
も取り得るが、ｆ＝ｆ1におけるリアクタンスＸ2の値は
正の値しか取れないという制限がある。従って、第１実
施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａは、周波
数ｆ1において第２リアクタンス回路２０ａのリアクタ
ンスＸ2を負の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、この制限は、例えば、第１、第２のリ
アクタンス回路１０ａ、２０ａのいずれかに、後述の第
２〜第４の実施形態のいずれかの構成を適用することに
より除去できる。
＝ｆ2におけるリアクタンスＸ2の値は、正負いずれの値
も取り得るが、ｆ＝ｆ1におけるリアクタンスＸ2の値は
正の値しか取れないという制限がある。従って、第１実
施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａは、周波
数ｆ1において第２リアクタンス回路２０ａのリアクタ
ンスＸ2を負の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、この制限は、例えば、第１、第２のリ
アクタンス回路１０ａ、２０ａのいずれかに、後述の第
２〜第４の実施形態のいずれかの構成を適用することに
より除去できる。
【００８７】以上述べたように、本発明の第１実施形態
のインピーダンス・マッチング回路１ａによれば、周波
数ｆ1とｆ2における第１、第２リアクタンス回路１０
ａ、２０ａのリアクタンスＸ1、Ｘ2の値をそれぞれ適当
に設定することにより、入力端子２側に接続された高周
波回路５の出力インピーダンスと出力端子３側に接続さ
れた高周波回路４の入力インピーダンスとを、十分離れ
た二つの周波数ｆ1とｆ2においてそれぞれ最適値にマッ
チングさせることが可能となる。また、これにより、離
れた周波数ｆ1とｆ2（例えば、８２０ＭＨｚと１９００
ＭＨｚ）をそれぞれ含む二つの周波数帯の信号を処理す
るシステムの回路構成を簡略化できる。
のインピーダンス・マッチング回路１ａによれば、周波
数ｆ1とｆ2における第１、第２リアクタンス回路１０
ａ、２０ａのリアクタンスＸ1、Ｘ2の値をそれぞれ適当
に設定することにより、入力端子２側に接続された高周
波回路５の出力インピーダンスと出力端子３側に接続さ
れた高周波回路４の入力インピーダンスとを、十分離れ
た二つの周波数ｆ1とｆ2においてそれぞれ最適値にマッ
チングさせることが可能となる。また、これにより、離
れた周波数ｆ1とｆ2（例えば、８２０ＭＨｚと１９００
ＭＨｚ）をそれぞれ含む二つの周波数帯の信号を処理す
るシステムの回路構成を簡略化できる。
【００８８】さらに、二つの周波数ｆ1とｆ2においてそ
れぞれ最適値にインピーダンス・マッチングできるた
め、先に述べた従来例（図３６参照）のようなインピー
ダンス・マッチング回路のＱの低下に起因する電力損失
を防止できる。すなわち、インピーダンス・マッチング
回路１ａで生じる電力損失が抑制される。
れぞれ最適値にインピーダンス・マッチングできるた
め、先に述べた従来例（図３６参照）のようなインピー
ダンス・マッチング回路のＱの低下に起因する電力損失
を防止できる。すなわち、インピーダンス・マッチング
回路１ａで生じる電力損失が抑制される。
【００８９】次に、以上の構成を持つ第１実施形態のイ
ンピーダンス・マッチング回路１ａにより二つの周波数
ｆ1とｆ2においてインピーダンス・マッチングが行える
原理を、図７を参照しながら説明する。図７は、本発明
の第１実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａ
の動作原理を説明するためのスミス・チャート（Smith
Chart）である。
ンピーダンス・マッチング回路１ａにより二つの周波数
ｆ1とｆ2においてインピーダンス・マッチングが行える
原理を、図７を参照しながら説明する。図７は、本発明
の第１実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ａ
の動作原理を説明するためのスミス・チャート（Smith
Chart）である。
【００９０】一般に、スミス・チャートは、伝送線路の
反射係数を極座標上に図示したものであるが、その反射
係数に対応するインピーダンスを直ちに読み取ることが
できて便宜であるため、日常的に使用されているもので
ある。通常のスミス・チャートには、インピーダンスを
示す曲線のみが描かれるが、図７のスミス・チャートで
は、理解を容易にするために、アドミッタンスを示す曲
線も併せて描いてある。
反射係数を極座標上に図示したものであるが、その反射
係数に対応するインピーダンスを直ちに読み取ることが
できて便宜であるため、日常的に使用されているもので
ある。通常のスミス・チャートには、インピーダンスを
示す曲線のみが描かれるが、図７のスミス・チャートで
は、理解を容易にするために、アドミッタンスを示す曲
線も併せて描いてある。
【００９１】ここでは、一例として、インピーダンス・
マッチング回路１ａを用いて、出力端子３に接続された
高周波回路４の入力インピーダンスを、入力端子２に接
続された高周波回路５の出力インピーダンス（＝５０
Ω）にマッチングさせる場合について説明する。
マッチング回路１ａを用いて、出力端子３に接続された
高周波回路４の入力インピーダンスを、入力端子２に接
続された高周波回路５の出力インピーダンス（＝５０
Ω）にマッチングさせる場合について説明する。
【００９２】図７のスミス・チャートにおいて、中心点
Ｏは目標とするインピーダンス５０Ωに対応し、二つの
端点ＦとＧを結ぶ線分Ｅは抵抗軸である。中心点Ｏは線
分Ｅの中点に位置する。円Ａは抵抗値が５０Ωに等しい
点の軌跡であり、円Ａ’はアドミッタンス値が（１／５
０Ω）に等しい点の軌跡であり、円弧Ｈはリアクタンス
値が＋５０Ωに等しい点の軌跡であり、円弧Ｈ’はリア
クタンス値が−５０Ωに等しい点の軌跡である。また、
点Ｄ1とＤ2は、出力端子３に接続された高周波回路４の
信号周波数ｆ1とｆ2における出力インピーダンス値にそ
れぞれ対応する。点Ｄ1とＤ2では、リアクタンス値はい
ずれも負である。
Ｏは目標とするインピーダンス５０Ωに対応し、二つの
端点ＦとＧを結ぶ線分Ｅは抵抗軸である。中心点Ｏは線
分Ｅの中点に位置する。円Ａは抵抗値が５０Ωに等しい
点の軌跡であり、円Ａ’はアドミッタンス値が（１／５
０Ω）に等しい点の軌跡であり、円弧Ｈはリアクタンス
値が＋５０Ωに等しい点の軌跡であり、円弧Ｈ’はリア
クタンス値が−５０Ωに等しい点の軌跡である。また、
点Ｄ1とＤ2は、出力端子３に接続された高周波回路４の
信号周波数ｆ1とｆ2における出力インピーダンス値にそ
れぞれ対応する。点Ｄ1とＤ2では、リアクタンス値はい
ずれも負である。
【００９３】まず、信号周波数ｆ1とｆ2における第１リ
アクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1をそれぞれ適
当な値に設定することにより、点Ｄ1とＤ2の双方をアド
ミッタンス値が（１／５０Ω）に等しい円Ａ’上の点Ｃ
1とＣ2にそれぞれ移動させる。換言すれば、第１リアク
タンス回路１０ａのリアクタンスＸ1を、そのアドミッ
タンス値が（１／５０Ω）に等しくなるように設定す
る。
アクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1をそれぞれ適
当な値に設定することにより、点Ｄ1とＤ2の双方をアド
ミッタンス値が（１／５０Ω）に等しい円Ａ’上の点Ｃ
1とＣ2にそれぞれ移動させる。換言すれば、第１リアク
タンス回路１０ａのリアクタンスＸ1を、そのアドミッ
タンス値が（１／５０Ω）に等しくなるように設定す
る。
【００９４】次に、信号周波数ｆ1とｆ2における第２リ
アクタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の値を適当に
設定することにより、円Ａ’上にある点Ｃ1とＣ2の双方
を円Ａ’の円周に沿って移動させて中心点Ｏにそれぞれ
重ね合わせる。換言すれば、第２リアクタンス回路２０
ａのリアクタンスＸ2を調整することにより、負荷に接
続されたインピーダンス・マッチング回路１ａのアドミ
ッタンス値を（１／５０Ω）に保ちながら、インピーダ
ンス・マッチング回路１ａのリアクタンス成分が０にな
るようにする。こうして、出力端子３側の高周波回路４
の入力インピーダンスの値は、所望の信号周波数ｆ1と
ｆ2の双方において入力端子２側の高周波回路５の出力
インピーダンス５０Ωにマッチングされる。
アクタンス回路２０ａのリアクタンスＸ2の値を適当に
設定することにより、円Ａ’上にある点Ｃ1とＣ2の双方
を円Ａ’の円周に沿って移動させて中心点Ｏにそれぞれ
重ね合わせる。換言すれば、第２リアクタンス回路２０
ａのリアクタンスＸ2を調整することにより、負荷に接
続されたインピーダンス・マッチング回路１ａのアドミ
ッタンス値を（１／５０Ω）に保ちながら、インピーダ
ンス・マッチング回路１ａのリアクタンス成分が０にな
るようにする。こうして、出力端子３側の高周波回路４
の入力インピーダンスの値は、所望の信号周波数ｆ1と
ｆ2の双方において入力端子２側の高周波回路５の出力
インピーダンス５０Ωにマッチングされる。
【００９５】これに対して、図４０に示した従来のイン
ピーダンス・マッチング回路１１０では、このような移
動は不可能である。その理由を図５と図６を用いて説明
する。図５は、図４０に示した従来のインピーダンス・
マッチング回路１１０と、その回路１１０の出力側に接
続された高周波回路１４０を示し、図６はそのインピー
ダンス・マッチング回路１１０の動作を説明するための
スミス・チャートを示す。図５では、高周波回路１４０
のトランジスタＴｒに直流的なバイアスを与える回路
等、マッチング動作とは関係のない回路は省いてある。
ピーダンス・マッチング回路１１０では、このような移
動は不可能である。その理由を図５と図６を用いて説明
する。図５は、図４０に示した従来のインピーダンス・
マッチング回路１１０と、その回路１１０の出力側に接
続された高周波回路１４０を示し、図６はそのインピー
ダンス・マッチング回路１１０の動作を説明するための
スミス・チャートを示す。図５では、高周波回路１４０
のトランジスタＴｒに直流的なバイアスを与える回路
等、マッチング動作とは関係のない回路は省いてある。
【００９６】図５に示す従来のインピーダンス・マッチ
ング回路１１０で、信号周波数ｆ1とｆ2の双方において
インピーダンスをマッチングさせることができないの
は、この回路１１０が、二つの端子１３１と１３２に接
続されたコイル１１１（インダクタンスＬ111）と、端
子１３１と接地との間に接続されたコイル１１２（イン
ダクタンスＬ112）とから構成されているからである。
すなわち、コイル１１１と１１２のリアクタンスＸ111
とＸ112の周波数特性は、いずれも、図４（ｂ）に示す
ように原点Ｏを通る直線で表され、周波数ｆに比例して
単調に増加する。それらの直線の傾きは、リアクタンス
Ｘ111とＸ112にそれぞれ等しい。従って、信号周波数ｆ
が決まればリアクタンスＸ111とＸ112の値は自ずと決ま
ってしまい、異なる信号周波数ｆ1とｆ2ではＸ111は互
いに異なる値を持ち、Ｘ112も同様である。
ング回路１１０で、信号周波数ｆ1とｆ2の双方において
インピーダンスをマッチングさせることができないの
は、この回路１１０が、二つの端子１３１と１３２に接
続されたコイル１１１（インダクタンスＬ111）と、端
子１３１と接地との間に接続されたコイル１１２（イン
ダクタンスＬ112）とから構成されているからである。
すなわち、コイル１１１と１１２のリアクタンスＸ111
とＸ112の周波数特性は、いずれも、図４（ｂ）に示す
ように原点Ｏを通る直線で表され、周波数ｆに比例して
単調に増加する。それらの直線の傾きは、リアクタンス
Ｘ111とＸ112にそれぞれ等しい。従って、信号周波数ｆ
が決まればリアクタンスＸ111とＸ112の値は自ずと決ま
ってしまい、異なる信号周波数ｆ1とｆ2ではＸ111は互
いに異なる値を持ち、Ｘ112も同様である。
【００９７】よって、図６のスミス・チャートにおい
て、コイル１１１のリアクタンスＸ11 1により、周波数
ｆ1における高周波回路１４０の入力インピーダンスを
示す点Ｄ 1が、円Ａ’の円周上にある点Ｃ1まで移動せし
められたとすると、周波数ｆ2における高周波回路１４
０の入力インピーダンスを示す点Ｄ2は、端点Ｆを通る
円Ｂの円周上にある点Ｃ3まで移動してしまう。円Ｂ上
の点Ｃ3では、アドミッタンス値が（１／５０Ω）に等
しくない。このため、コイル１１２のリアクタンスＸ
112の調整により、点Ｃ1は中心点Ｏまで移動することが
できるが、その際には点Ｃ3は円Ｂ上の点Ｃ4に移動す
る。つまり、点Ｃ3を中心点Ｏに重ねることはできな
い。
て、コイル１１１のリアクタンスＸ11 1により、周波数
ｆ1における高周波回路１４０の入力インピーダンスを
示す点Ｄ 1が、円Ａ’の円周上にある点Ｃ1まで移動せし
められたとすると、周波数ｆ2における高周波回路１４
０の入力インピーダンスを示す点Ｄ2は、端点Ｆを通る
円Ｂの円周上にある点Ｃ3まで移動してしまう。円Ｂ上
の点Ｃ3では、アドミッタンス値が（１／５０Ω）に等
しくない。このため、コイル１１２のリアクタンスＸ
112の調整により、点Ｃ1は中心点Ｏまで移動することが
できるが、その際には点Ｃ3は円Ｂ上の点Ｃ4に移動す
る。つまり、点Ｃ3を中心点Ｏに重ねることはできな
い。
【００９８】本発明の第１実施形態のインピーダンス・
マッチング回路１ａは、従来のインピーダンス・マッチ
ング回路１１０とは異なり、第１、第２のリアクタンス
回路１０ａと２０ａが図２に示すような構成を持つ。こ
のため、上述したように、信号周波数ｆ1とｆ2における
第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1をそれ
ぞれ適当な値に設定することにより、点Ｄ1とＤ2の双方
を円Ａ’上の点Ｃ1とＣ2にまでそれぞれ移動させ、その
後、信号周波数ｆ1とｆ2における第２リアクタンス回路
２０ａのリアクタンスＸ2の値を適当に設定することに
より、点Ｃ1とＣ2の双方を原点Ｏまで移動させることが
できる。その結果、異なる周波数ｆ1とｆ2の双方におい
て、高周波回路５と４の間でインピーダンスのマッチン
グを取ることが可能となる。
マッチング回路１ａは、従来のインピーダンス・マッチ
ング回路１１０とは異なり、第１、第２のリアクタンス
回路１０ａと２０ａが図２に示すような構成を持つ。こ
のため、上述したように、信号周波数ｆ1とｆ2における
第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンスＸ1をそれ
ぞれ適当な値に設定することにより、点Ｄ1とＤ2の双方
を円Ａ’上の点Ｃ1とＣ2にまでそれぞれ移動させ、その
後、信号周波数ｆ1とｆ2における第２リアクタンス回路
２０ａのリアクタンスＸ2の値を適当に設定することに
より、点Ｃ1とＣ2の双方を原点Ｏまで移動させることが
できる。その結果、異なる周波数ｆ1とｆ2の双方におい
て、高周波回路５と４の間でインピーダンスのマッチン
グを取ることが可能となる。
【００９９】（第２実施形態）図８〜図１２は、本発明
の第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂ
を示す。
の第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂ
を示す。
【０１００】先に述べた第１実施形態のインピーダンス
・マッチング回路１ａでは、図２に示すように、誘導性
リアクタンスを持つコイル１１、１２、２１、２２を使
用しており、図７のスミス・チャートにおいて点Ｄ1と
Ｄ2は正方向にシフトされる。これは、コイル１１１と
１１２を使用した従来のインピーダンス・マッチング回
路１１０（Ｌ−Ｌマッチング、図４０参照）に対応する
ものである。すなわち、第１実施形態のインピーダンス
・マッチング回路１ａは、インピーダンス・マッチング
回路１１０のコイル１１１と１１２を、第１および第２
のリアクタンス回路１０ａと２０ａにそれぞれ置換した
ものに相当する。換言すれば、第１および第２のリアク
タンス回路１０ａと２０ａは、それぞれコイル１１１と
１１２と等価である。
・マッチング回路１ａでは、図２に示すように、誘導性
リアクタンスを持つコイル１１、１２、２１、２２を使
用しており、図７のスミス・チャートにおいて点Ｄ1と
Ｄ2は正方向にシフトされる。これは、コイル１１１と
１１２を使用した従来のインピーダンス・マッチング回
路１１０（Ｌ−Ｌマッチング、図４０参照）に対応する
ものである。すなわち、第１実施形態のインピーダンス
・マッチング回路１ａは、インピーダンス・マッチング
回路１１０のコイル１１１と１１２を、第１および第２
のリアクタンス回路１０ａと２０ａにそれぞれ置換した
ものに相当する。換言すれば、第１および第２のリアク
タンス回路１０ａと２０ａは、それぞれコイル１１１と
１１２と等価である。
【０１０１】これに対して、図１２に示す回路構成を持
つ第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂ
は、図８に示すような、キャパシタンスＣ113とＣ114を
持つコンデンサ１１３と１１４を使用した従来のインピ
ーダンス・マッチング回路１１０’（Ｃ−Ｃマッチン
グ）に、対応するものである。すなわち、第２実施形態
のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、インピーダ
ンス・マッチング回路１１０’のコンデンサ１１３と１
１４を、第１および第２のリアクタンス回路３０と４０
にそれぞれ置換したものに相当する。つまり、第１およ
び第２のリアクタンス回路３０と４０は、それぞれコン
デンサ１１３と１１４と等価である。
つ第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂ
は、図８に示すような、キャパシタンスＣ113とＣ114を
持つコンデンサ１１３と１１４を使用した従来のインピ
ーダンス・マッチング回路１１０’（Ｃ−Ｃマッチン
グ）に、対応するものである。すなわち、第２実施形態
のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、インピーダ
ンス・マッチング回路１１０’のコンデンサ１１３と１
１４を、第１および第２のリアクタンス回路３０と４０
にそれぞれ置換したものに相当する。つまり、第１およ
び第２のリアクタンス回路３０と４０は、それぞれコン
デンサ１１３と１１４と等価である。
【０１０２】第２実施形態のインピーダンス・マッチン
グ回路１ｂでは、後述するように、第１実施形態のイン
ピーダンス・マッチング回路１ａとは逆に、スミス・チ
ャートにおいて点Ｄ1とＤ2は負方向にシフトされる。こ
のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、図１２に示
すように、出力側に接続された高周波回路４’が誘導性
のインピーダンスを持つ場合（例えばフィルタＦを含む
場合）に好適に適用されるものである。
グ回路１ｂでは、後述するように、第１実施形態のイン
ピーダンス・マッチング回路１ａとは逆に、スミス・チ
ャートにおいて点Ｄ1とＤ2は負方向にシフトされる。こ
のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、図１２に示
すように、出力側に接続された高周波回路４’が誘導性
のインピーダンスを持つ場合（例えばフィルタＦを含む
場合）に好適に適用されるものである。
【０１０３】図８では、従来のインピーダンス・マッチ
ング回路１１０’は、フィルタＦから構成される高周波
回路１４０’の入力端子１３２に接続されている。イン
ピーダンス・マッチング回路１１０’は、両端が出力端
子１３１と入力端子１３２に接続されたコンデンサ１１
３と、一方の端子が出力端子１３１に接続され、他方の
端子が接地されたコンデンサ１１４とから構成されてい
る。
ング回路１１０’は、フィルタＦから構成される高周波
回路１４０’の入力端子１３２に接続されている。イン
ピーダンス・マッチング回路１１０’は、両端が出力端
子１３１と入力端子１３２に接続されたコンデンサ１１
３と、一方の端子が出力端子１３１に接続され、他方の
端子が接地されたコンデンサ１１４とから構成されてい
る。
【０１０４】第２実施形態のインピーダンス・マッチン
グ回路１ｂでは、図１２に示すように、リアクタンスＸ
3を持つ第１リアクタンス回路３０は三つのリアクタン
ス素子３１、３２、３３から構成される。リアクタンス
素子３１は、キャパシタンスＣ11を有するコンデンサで
ある。リアクタンス素子３２は、キャパシタンスＣ12を
有するコンデンサである。リアクタンス素子３３は、イ
ンダクタンスＬ1を有するコイルである。コンデンサ３
２の一方の端子とコイル３３の一方の端子は、出力端子
３に共通接続されている。コンデンサ３２の他方の端子
とコイル３３の他方の端子は、コンデンサ３１の一方の
端子に共通接続されている。従って、コンデンサ３２と
コイル３３は互いに並列に接続されている。コンデンサ
３１の他方の端子は入力端子２に接続されている。
グ回路１ｂでは、図１２に示すように、リアクタンスＸ
3を持つ第１リアクタンス回路３０は三つのリアクタン
ス素子３１、３２、３３から構成される。リアクタンス
素子３１は、キャパシタンスＣ11を有するコンデンサで
ある。リアクタンス素子３２は、キャパシタンスＣ12を
有するコンデンサである。リアクタンス素子３３は、イ
ンダクタンスＬ1を有するコイルである。コンデンサ３
２の一方の端子とコイル３３の一方の端子は、出力端子
３に共通接続されている。コンデンサ３２の他方の端子
とコイル３３の他方の端子は、コンデンサ３１の一方の
端子に共通接続されている。従って、コンデンサ３２と
コイル３３は互いに並列に接続されている。コンデンサ
３１の他方の端子は入力端子２に接続されている。
【０１０５】互いに並列に接続されたコンデンサ３２と
コイル３３は、図９（ａ）に示すように、共振周波数ｆ
03を有する並列共振回路３４を構成する。よって、第１
リアクタンス回路３０は、入力端子２と出力端子３との
間で、コンデンサ３１と並列共振回路３４が互いに直列
に接続された構成を持つ。
コイル３３は、図９（ａ）に示すように、共振周波数ｆ
03を有する並列共振回路３４を構成する。よって、第１
リアクタンス回路３０は、入力端子２と出力端子３との
間で、コンデンサ３１と並列共振回路３４が互いに直列
に接続された構成を持つ。
【０１０６】リアクタンスＸ4を持つ第２リアクタンス
回路４０は、第１リアクタンス回路３０と同じ構成であ
り、三つのリアクタンス素子４１、４２、４３から構成
される。リアクタンス素子４１は、キャパシタンスＣ21
を有するコンデンサである。リアクタンス素子４２は、
キャパシタンスＣ22を有するコンデンサである。リアク
タンス素子４３は、インダクタンスＬ2を有するコイル
である。コンデンサ４２の一方の端子とコイル４３の一
方の端子は、コンデンサ４１の一方の端子に共通接続さ
れている。コンデンサ４２の他方の端子とコイル４３の
他方の端子は、共通に接地されている。従って、コンデ
ンサ４２とコイル４３は互いに並列に接続されている。
コンデンサ４１の他方の端子は入力端子２に接続されて
いる。
回路４０は、第１リアクタンス回路３０と同じ構成であ
り、三つのリアクタンス素子４１、４２、４３から構成
される。リアクタンス素子４１は、キャパシタンスＣ21
を有するコンデンサである。リアクタンス素子４２は、
キャパシタンスＣ22を有するコンデンサである。リアク
タンス素子４３は、インダクタンスＬ2を有するコイル
である。コンデンサ４２の一方の端子とコイル４３の一
方の端子は、コンデンサ４１の一方の端子に共通接続さ
れている。コンデンサ４２の他方の端子とコイル４３の
他方の端子は、共通に接地されている。従って、コンデ
ンサ４２とコイル４３は互いに並列に接続されている。
コンデンサ４１の他方の端子は入力端子２に接続されて
いる。
【０１０７】互いに並列に接続されたコンデンサ４２と
コイル４３は、図９（ｂ）に示すように、共振周波数ｆ
04を有する並列共振回路４４を構成する。よって、第２
リアクタンス回路４０は、入力端子２と接地との間で、
コンデンサ４１と並列共振回路４４が互いに直列に接続
された構成を持つ。
コイル４３は、図９（ｂ）に示すように、共振周波数ｆ
04を有する並列共振回路４４を構成する。よって、第２
リアクタンス回路４０は、入力端子２と接地との間で、
コンデンサ４１と並列共振回路４４が互いに直列に接続
された構成を持つ。
【０１０８】ここでは、二つのリアクタンス回路３０と
４０はいずれも、リアクタンス（インピーダンスの虚数
成分）のみから構成されており、抵抗（インピーダンス
の実数成分）を含んでいない。しかし、リアクタンスに
加えて抵抗を含む場合は、二つのリアクタンス回路３０
と４０をインピーダンス回路にそれぞれ置換すればよ
く、その場合は図１（ａ）と同じ回路構成となる。
４０はいずれも、リアクタンス（インピーダンスの虚数
成分）のみから構成されており、抵抗（インピーダンス
の実数成分）を含んでいない。しかし、リアクタンスに
加えて抵抗を含む場合は、二つのリアクタンス回路３０
と４０をインピーダンス回路にそれぞれ置換すればよ
く、その場合は図１（ａ）と同じ回路構成となる。
【０１０９】次に、以上の構成を持つ第２実施形態のイ
ンピーダンス・マッチング回路１ｂが、二つの周波数ｆ
1とｆ2でインピーダンス・マッチングが行える理由につ
いて説明する。
ンピーダンス・マッチング回路１ｂが、二つの周波数ｆ
1とｆ2でインピーダンス・マッチングが行える理由につ
いて説明する。
【０１１０】まず、信号周波数ｆにおける第１リアクタ
ンス回路３０のリアクタンス素子すなわちコンデンサ３
１のリアクタンスＸ31は、次の数式（７）で与えられ
る。
ンス回路３０のリアクタンス素子すなわちコンデンサ３
１のリアクタンスＸ31は、次の数式（７）で与えられ
る。
【０１１１】
【数７】
【０１１２】数式（７）で与えられるコンデンサ３１の
リアクタンスＸ31を図示すると図１０（ｂ）のようにな
る。すなわち、リアクタンスＸ31の周波数特性はｆ軸と
Ｘ31軸を漸近線とする曲線で与えられ、常に負の値を持
つと共に、信号周波数ｆが０から上昇するにつれて−無
限大から単調に増加し、０に収束する。
リアクタンスＸ31を図示すると図１０（ｂ）のようにな
る。すなわち、リアクタンスＸ31の周波数特性はｆ軸と
Ｘ31軸を漸近線とする曲線で与えられ、常に負の値を持
つと共に、信号周波数ｆが０から上昇するにつれて−無
限大から単調に増加し、０に収束する。
【０１１３】他方、コンデンサ３２とコイル３３からな
る並列共振回路３４のリアクタンスＸLC3は、次の数式
（８）で与えられる。
る並列共振回路３４のリアクタンスＸLC3は、次の数式
（８）で与えられる。
【０１１４】
【数８】
【０１１５】数式（８）で与えられる並列共振回路３４
のリアクタンスＸLC3を図示すると、図４（ｃ）に示す
第１実施形態の並列共振回路１４の場合と同じとなる。
すなわち、リアクタンスＸLC3の周波数特性は、並列共
振回路１４の共振周波数ｆ03に引いた鉛直線を漸近線と
する曲線で与えられる。ただし、共振周波数ｆ03は次の
数式（９）で与えられる。
のリアクタンスＸLC3を図示すると、図４（ｃ）に示す
第１実施形態の並列共振回路１４の場合と同じとなる。
すなわち、リアクタンスＸLC3の周波数特性は、並列共
振回路１４の共振周波数ｆ03に引いた鉛直線を漸近線と
する曲線で与えられる。ただし、共振周波数ｆ03は次の
数式（９）で与えられる。
【０１１６】
【数９】
【０１１７】従って、リアクタンスＸLC3は、信号周波
数ｆがｆ03より低い範囲では、ｆの上昇に伴って０から
徐々に増加し、ｆ03に近づくにつれて＋無限大まで増加
する。信号周波数ｆがｆ03より高い範囲では、ｆの減少
と共にリアクタンスＸLC3は徐々に減少し、ｆ03に近づ
くにつれて−無限大に達する。他方、ｆの増加と共に増
加して０に収束する。
数ｆがｆ03より低い範囲では、ｆの上昇に伴って０から
徐々に増加し、ｆ03に近づくにつれて＋無限大まで増加
する。信号周波数ｆがｆ03より高い範囲では、ｆの減少
と共にリアクタンスＸLC3は徐々に減少し、ｆ03に近づ
くにつれて−無限大に達する。他方、ｆの増加と共に増
加して０に収束する。
【０１１８】第１リアクタンス回路３０のリアクタンス
Ｘ3は、コイル３１のリアクタンスＸ31と並列共振回路
３４のリアクタンスＸLC3の和であるから、リアクタン
スＸ3 1の周波数特性は、図１０（ｂ）と図４（ｃ）の周
波数特性を合成することにより得られる。それを図１０
（ａ）に示す。
Ｘ3は、コイル３１のリアクタンスＸ31と並列共振回路
３４のリアクタンスＸLC3の和であるから、リアクタン
スＸ3 1の周波数特性は、図１０（ｂ）と図４（ｃ）の周
波数特性を合成することにより得られる。それを図１０
（ａ）に示す。
【０１１９】図１０（ａ）から明らかなように、第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の周波数特性
は、並列共振回路３４のリアクタンスＸLC3の周波数特
性（図４（ｃ）参照）と同じ傾向を持つ。すなわち、リ
アクタンスＸ3は、共振周波数ｆ0 3に引いた鉛直線Ｂ’
を一つの漸近線とする曲線で与えられ、信号周波数ｆが
ｆ0 3より低い時は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ03の近
傍から低下するにつれて＋無限大から徐々に減少し、ｆ
＝０の時に−無限大になる。信号周波数ｆがｆ03より高
い時は、ｆ03の近傍から上昇するにつれて、リアクタン
スＸ3は−無限大から徐々に増加し、０に収束する。
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の周波数特性
は、並列共振回路３４のリアクタンスＸLC3の周波数特
性（図４（ｃ）参照）と同じ傾向を持つ。すなわち、リ
アクタンスＸ3は、共振周波数ｆ0 3に引いた鉛直線Ｂ’
を一つの漸近線とする曲線で与えられ、信号周波数ｆが
ｆ0 3より低い時は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ03の近
傍から低下するにつれて＋無限大から徐々に減少し、ｆ
＝０の時に−無限大になる。信号周波数ｆがｆ03より高
い時は、ｆ03の近傍から上昇するにつれて、リアクタン
スＸ3は−無限大から徐々に増加し、０に収束する。
【０１２０】図１０（ａ）から明らかなように、信号周
波数ｆが共振周波数ｆ03より小さい値を持つ場合には、
リアクタンスＸ3は−無限大から＋無限大までの値を取
りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ03より大きい値を
持つ場合には、リアクタンスＸ3は任意の負の値を取り
うる。他方、並列共振回路３４の共振周波数ｆ03の値
は、所望の二つの周波数ｆ1とｆ2の間に設定する必要が
あるが、その範囲でｆ03の値を変えると、鉛直方向に延
在する漸近線Ｂ’が（それに伴って特性曲線も）ｆ軸に
沿って変位する。よって、ｆ03の値を適当に設定するこ
とにより、所望のマッチング周波数ｆ1とｆ2におけるリ
アクタンスＸ3を所望の値にそれぞれ独立して設定する
ことが可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波
数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ3の値を独立して任
意に調整可能である。
波数ｆが共振周波数ｆ03より小さい値を持つ場合には、
リアクタンスＸ3は−無限大から＋無限大までの値を取
りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ03より大きい値を
持つ場合には、リアクタンスＸ3は任意の負の値を取り
うる。他方、並列共振回路３４の共振周波数ｆ03の値
は、所望の二つの周波数ｆ1とｆ2の間に設定する必要が
あるが、その範囲でｆ03の値を変えると、鉛直方向に延
在する漸近線Ｂ’が（それに伴って特性曲線も）ｆ軸に
沿って変位する。よって、ｆ03の値を適当に設定するこ
とにより、所望のマッチング周波数ｆ1とｆ2におけるリ
アクタンスＸ3を所望の値にそれぞれ独立して設定する
ことが可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波
数ｆ1とｆ2におけるリアクタンスＸ3の値を独立して任
意に調整可能である。
【０１２１】図１０（ａ）〜（ｂ）において、Ｘ31（ｆ
1）とＸ31（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2におけるコ
ンデンサ３１のリアクタンスＸ31の値をそれぞれ示し、
Ｘ3（ｆ1）とＸ3（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2にお
ける第１リアクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の値
をそれぞれ示している。
1）とＸ31（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2におけるコ
ンデンサ３１のリアクタンスＸ31の値をそれぞれ示し、
Ｘ3（ｆ1）とＸ3（ｆ2）は、ｆ＝ｆ1およびｆ＝ｆ2にお
ける第１リアクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の値
をそれぞれ示している。
【０１２２】第１リアクタンス回路３０におけるコンデ
ンサ３１、３２のキャパシタンスＣ 11、Ｃ12とコイル３
３のインダクタンスＬ1の値を、所望のマッチング周波
数ｆ1、ｆ2と第１リアクタンス回路３０のリアクタンス
Ｘ3の値から直接、解析的に求めることは困難である
が、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求めていく
ことにより、所望の解を求めることができる。
ンサ３１、３２のキャパシタンスＣ 11、Ｃ12とコイル３
３のインダクタンスＬ1の値を、所望のマッチング周波
数ｆ1、ｆ2と第１リアクタンス回路３０のリアクタンス
Ｘ3の値から直接、解析的に求めることは困難である
が、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求めていく
ことにより、所望の解を求めることができる。
【０１２３】なお、図１０（ａ）から明らかなように、
第２実施形態では、低い方の周波数ｆ1における第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の値Ｘ3（ｆ1）
は、正負いずれの値も取り得るが、高い方の周波数ｆ2
におけるリアクタンスＸ3の値Ｘ 3（ｆ2）は負の値しか
取れないという制限がある。従って、第２実施形態のイ
ンピーダンス・マッチング回路１ｂは、周波数ｆ2にお
いて第１リアクタンス回路３０のリアクタンスＸ
3（ｆ2）を正の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、例えば、先に述べた第１実施形態また
は後述の第３〜第４実施形態のいずれかを適用すること
により、この制限は除去できる。
第２実施形態では、低い方の周波数ｆ1における第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3の値Ｘ3（ｆ1）
は、正負いずれの値も取り得るが、高い方の周波数ｆ2
におけるリアクタンスＸ3の値Ｘ 3（ｆ2）は負の値しか
取れないという制限がある。従って、第２実施形態のイ
ンピーダンス・マッチング回路１ｂは、周波数ｆ2にお
いて第１リアクタンス回路３０のリアクタンスＸ
3（ｆ2）を正の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、例えば、先に述べた第１実施形態また
は後述の第３〜第４実施形態のいずれかを適用すること
により、この制限は除去できる。
【０１２４】次に、第２リアクタンス回路４０について
説明する。図９と図１２から明らかなように、第２リア
クタンス回路４０は第１リアクタンス回路３０と同じ構
成であるので、第１リアクタンス回路３０に関する上記
説明がそのまま適用できる。すなわち、第２リアクタン
ス回路４０のリアクタンス素子すなわちコイル４１のリ
アクタンスＸ41は、次の数式（１０）で与えられる。
説明する。図９と図１２から明らかなように、第２リア
クタンス回路４０は第１リアクタンス回路３０と同じ構
成であるので、第１リアクタンス回路３０に関する上記
説明がそのまま適用できる。すなわち、第２リアクタン
ス回路４０のリアクタンス素子すなわちコイル４１のリ
アクタンスＸ41は、次の数式（１０）で与えられる。
【０１２５】
【数１０】
【０１２６】数式（１０）で与えられるコンデンサ４１
のリアクタンスＸ41の周波数特性は、図１０（ｂ）と同
様である。すなわち、リアクタンスＸ41の周波数特性は
ｆ軸と縦軸を漸近線とする曲線で与えられ、常に負の値
を持つと共に、信号周波数ｆが０から上昇するにつれて
−無限大から単調に増加し、０に収束する。
のリアクタンスＸ41の周波数特性は、図１０（ｂ）と同
様である。すなわち、リアクタンスＸ41の周波数特性は
ｆ軸と縦軸を漸近線とする曲線で与えられ、常に負の値
を持つと共に、信号周波数ｆが０から上昇するにつれて
−無限大から単調に増加し、０に収束する。
【０１２７】他方、コンデンサ４２コイル４３からなる
並列共振回路４４のリアクタンスＸ LC4は、次の数式
（１１）で与えられる。
並列共振回路４４のリアクタンスＸ LC4は、次の数式
（１１）で与えられる。
【０１２８】
【数１１】
【０１２９】並列共振回路４４のリアクタンスＸLC4の
周波数特性は、図４（ｃ）と同様に、その共振周波数ｆ
04に引いた鉛直線を漸近線とする曲線で与えられる。た
だし、並列共振回路４４の共振周波数ｆ04は次の数式
（１２）で与えられる。
周波数特性は、図４（ｃ）と同様に、その共振周波数ｆ
04に引いた鉛直線を漸近線とする曲線で与えられる。た
だし、並列共振回路４４の共振周波数ｆ04は次の数式
（１２）で与えられる。
【０１３０】
【数１２】
【０１３１】従って、並列共振回路４４のリアクタンス
ＸLC4は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ04より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ04に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
04より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC4は徐々に減少し、ｆ04に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
ＸLC4は、信号周波数ｆが共振周波数ｆ04より低い範囲
では、ｆの上昇に伴って０から徐々に増加し、ｆ04に近
づくにつれて＋無限大まで増加する。信号周波数ｆがｆ
04より高い範囲では、ｆの減少と共にリアクタンスＸ
LC4は徐々に減少し、ｆ04に近づくにつれて−無限大に
達する。他方、ｆの増加と共に０に収束する。
【０１３２】図９（ｂ）の回路構成から明らかなよう
に、第２リアクタンス回路４０のリアクタンスＸ4は、
コンデンサ４１のリアクタンスＸ41と並列共振回路４４
のリアクタンスＸLC4の和である。よって、第２リアク
タンス回路４０のリアクタンスＸ4の周波数特性は、図
１０（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成して得られ
る。これは図１０（ａ）と同様である。
に、第２リアクタンス回路４０のリアクタンスＸ4は、
コンデンサ４１のリアクタンスＸ41と並列共振回路４４
のリアクタンスＸLC4の和である。よって、第２リアク
タンス回路４０のリアクタンスＸ4の周波数特性は、図
１０（ｂ）と図４（ｃ）の周波数特性を合成して得られ
る。これは図１０（ａ）と同様である。
【０１３３】図１０（ａ）から明らかなように、第２リ
アクタンス回路４０のリアクタンスＸ4の周波数特性
は、並列共振回路４４のリアクタンスＸLC4の周波数特
性（図４（ｃ）参照）と同じ傾向を持つ。すなわち、リ
アクタンスＸ4は、信号周波数ｆがｆ04より低い時は、
信号周波数ｆが共振周波数ｆ04の近傍から低下するにつ
れて＋無限大から徐々に減少し、ｆ＝０の時に−無限大
になる。信号周波数ｆがｆ 04より高い時は、ｆ04の近傍
から上昇するにつれて、リアクタンスＸ4は−無限大か
ら徐々に増加し、０に収束する。
アクタンス回路４０のリアクタンスＸ4の周波数特性
は、並列共振回路４４のリアクタンスＸLC4の周波数特
性（図４（ｃ）参照）と同じ傾向を持つ。すなわち、リ
アクタンスＸ4は、信号周波数ｆがｆ04より低い時は、
信号周波数ｆが共振周波数ｆ04の近傍から低下するにつ
れて＋無限大から徐々に減少し、ｆ＝０の時に−無限大
になる。信号周波数ｆがｆ 04より高い時は、ｆ04の近傍
から上昇するにつれて、リアクタンスＸ4は−無限大か
ら徐々に増加し、０に収束する。
【０１３４】図１０（ａ）から明らかなように、信号周
波数ｆが共振周波数ｆ04より小さい値を持つ場合には、
リアクタンスＸ4は−無限大から＋無限大までの値を取
りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ04より大きい値を
持つ場合には、リアクタンスＸ4は任意の負の値を取り
うる。他方、並列共振回路４４の共振周波数ｆ04の値を
所望の二つの周波数ｆ1とｆ2の間で変えると、鉛直方向
に延在する漸近線Ｂ’（と特性曲線）がｆ軸に沿って変
位する。よって、ｆ04の値を適当に設定することによ
り、所望のマッチング周波数ｆ1とｆ2におけるリアクタ
ンスＸ4を所望の値にそれぞれ独立して設定することが
可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波数ｆ1
とｆ2におけるリアクタンスＸ4の値を独立して任意に調
整可能である。
波数ｆが共振周波数ｆ04より小さい値を持つ場合には、
リアクタンスＸ4は−無限大から＋無限大までの値を取
りうる。信号周波数ｆが共振周波数ｆ04より大きい値を
持つ場合には、リアクタンスＸ4は任意の負の値を取り
うる。他方、並列共振回路４４の共振周波数ｆ04の値を
所望の二つの周波数ｆ1とｆ2の間で変えると、鉛直方向
に延在する漸近線Ｂ’（と特性曲線）がｆ軸に沿って変
位する。よって、ｆ04の値を適当に設定することによ
り、所望のマッチング周波数ｆ1とｆ2におけるリアクタ
ンスＸ4を所望の値にそれぞれ独立して設定することが
可能である。換言すれば、十分離れた二つの周波数ｆ1
とｆ2におけるリアクタンスＸ4の値を独立して任意に調
整可能である。
【０１３５】第２リアクタンス回路４０におけるコイル
コンデンサ４１、４２のキャパシタンスＣ21、Ｃ22と、
コイル４３のインダクタンスＬ2の値を、所望のマッチ
ング周波数ｆ1、ｆ2と第２リアクタンス回路４０のリア
クタンスＸ4の値から直接、解析的に求めることは困難
であるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求め
ていくことにより、所望の解を求めることが可能であ
る。
コンデンサ４１、４２のキャパシタンスＣ21、Ｃ22と、
コイル４３のインダクタンスＬ2の値を、所望のマッチ
ング周波数ｆ1、ｆ2と第２リアクタンス回路４０のリア
クタンスＸ4の値から直接、解析的に求めることは困難
であるが、電子計算機を使用して漸近的に収束値を求め
ていくことにより、所望の解を求めることが可能であ
る。
【０１３６】なお、図１０（ａ）から明らかなように、
ｆ＝ｆ1におけるリアクタンスＸ4の値は、正負いずれの
値も取り得るが、ｆ＝ｆ2におけるリアクタンスＸ4の値
は負の値しか取れないという制限がある。従って、第２
実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、周
波数ｆ2において第２リアクタンス回路４０のリアクタ
ンスＸ2を正の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、例えば、先に述べた第１実施形態また
は後述の第３〜第４の実施形態のいずれかを適用するこ
とにより、この制限は除去できる。
ｆ＝ｆ1におけるリアクタンスＸ4の値は、正負いずれの
値も取り得るが、ｆ＝ｆ2におけるリアクタンスＸ4の値
は負の値しか取れないという制限がある。従って、第２
実施形態のインピーダンス・マッチング回路１ｂは、周
波数ｆ2において第２リアクタンス回路４０のリアクタ
ンスＸ2を正の値に設定する必要がある場合には適用で
きない。しかし、例えば、先に述べた第１実施形態また
は後述の第３〜第４の実施形態のいずれかを適用するこ
とにより、この制限は除去できる。
【０１３７】以上述べたように、本発明の第２実施形態
のインピーダンス・マッチング回路１ｂによれば、周波
数ｆ1とｆ2における第１、第２リアクタンス回路３０、
４０のリアクタンスＸ3、Ｘ4の値をそれぞれ適当に設定
することにより、入力端子２側に接続された高周波回路
５の出力インピーダンスと出力端子３側に接続された高
周波回路４’の入力インピーダンスとを、十分離れた二
つの周波数ｆ1とｆ2においてそれぞれ最適値にマッチン
グさせることが可能となる。また、これにより、離れた
周波数ｆ1とｆ2（例えば、８２０ＭＨｚと１９００ＭＨ
ｚ）をそれぞれ含む二つの周波数帯の信号を処理するシ
ステムの回路構成を簡略化できる。
のインピーダンス・マッチング回路１ｂによれば、周波
数ｆ1とｆ2における第１、第２リアクタンス回路３０、
４０のリアクタンスＸ3、Ｘ4の値をそれぞれ適当に設定
することにより、入力端子２側に接続された高周波回路
５の出力インピーダンスと出力端子３側に接続された高
周波回路４’の入力インピーダンスとを、十分離れた二
つの周波数ｆ1とｆ2においてそれぞれ最適値にマッチン
グさせることが可能となる。また、これにより、離れた
周波数ｆ1とｆ2（例えば、８２０ＭＨｚと１９００ＭＨ
ｚ）をそれぞれ含む二つの周波数帯の信号を処理するシ
ステムの回路構成を簡略化できる。
【０１３８】さらに、二つの周波数ｆ1とｆ2においてそ
れぞれ最適値にインピーダンス・マッチングできるた
め、先に述べた従来例（図３４参照）のようなインピー
ダンス・マッチング回路のＱの低下に起因する電力損失
を防止できる。すなわち、インピーダンス・マッチング
回路１ａで生じる電力損失が抑制される。
れぞれ最適値にインピーダンス・マッチングできるた
め、先に述べた従来例（図３４参照）のようなインピー
ダンス・マッチング回路のＱの低下に起因する電力損失
を防止できる。すなわち、インピーダンス・マッチング
回路１ａで生じる電力損失が抑制される。
【０１３９】次に、以上の構成を持つ第２実施形態のイ
ンピーダンス・マッチング回路１ｂにより二つの周波数
ｆ1とｆ2においてインピーダンス・マッチングが行える
原理を、図１１を参照しながら説明する。図１１は、本
発明の第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路
１ｂの動作原理を説明するためのスミス・チャートであ
る。第１実施形態の場合と同様に、インピーダンス・マ
ッチング回路１ｂを用いて、出力端子３に接続された高
周波回路４’の入力インピーダンスを入力端子２に接続
された高周波回路５の出力インピーダンス（＝５０Ω）
にマッチングさせるものとする。
ンピーダンス・マッチング回路１ｂにより二つの周波数
ｆ1とｆ2においてインピーダンス・マッチングが行える
原理を、図１１を参照しながら説明する。図１１は、本
発明の第２実施形態のインピーダンス・マッチング回路
１ｂの動作原理を説明するためのスミス・チャートであ
る。第１実施形態の場合と同様に、インピーダンス・マ
ッチング回路１ｂを用いて、出力端子３に接続された高
周波回路４’の入力インピーダンスを入力端子２に接続
された高周波回路５の出力インピーダンス（＝５０Ω）
にマッチングさせるものとする。
【０１４０】図１１のスミス・チャートにおいて、点Ｄ
1’とＤ2’は、出力端子３に接続された高周波回路４’
の信号周波数ｆ1とｆ2における入力インピーダンスの値
にそれぞれ対応する。点Ｄ1’とＤ2’では、リアクタン
ス値はいずれも正である。図１１におけるその他の参照
符号は、図７のそれと同じである。
1’とＤ2’は、出力端子３に接続された高周波回路４’
の信号周波数ｆ1とｆ2における入力インピーダンスの値
にそれぞれ対応する。点Ｄ1’とＤ2’では、リアクタン
ス値はいずれも正である。図１１におけるその他の参照
符号は、図７のそれと同じである。
【０１４１】まず、信号周波数ｆ1とｆ2における第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3をそれぞれ適当
な値に設定し、点Ｄ1’とＤ2’の双方をアドミッタンス
値が（１／５０Ω）に等しい円Ａ’上の点Ｃ1’とＣ2’
にそれぞれ移動させる。
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3をそれぞれ適当
な値に設定し、点Ｄ1’とＤ2’の双方をアドミッタンス
値が（１／５０Ω）に等しい円Ａ’上の点Ｃ1’とＣ2’
にそれぞれ移動させる。
【０１４２】次に、信号周波数ｆ1とｆ2における第２リ
アクタンス回路４０のリアクタンスＸ4の値を適当に設
定し、円Ａ’上にある点Ｃ1’とＣ2’の双方を円Ａ’の
円周に沿って移動させて中心点Ｏにそれぞれ重ね合わせ
る。こうして、出力端子３側の高周波回路４’の入力イ
ンピーダンスの値は、所望の信号周波数ｆ1とｆ2の双方
において入力端子２側の高周波回路５の出力インピーダ
ンス５０Ωにマッチングされる。
アクタンス回路４０のリアクタンスＸ4の値を適当に設
定し、円Ａ’上にある点Ｃ1’とＣ2’の双方を円Ａ’の
円周に沿って移動させて中心点Ｏにそれぞれ重ね合わせ
る。こうして、出力端子３側の高周波回路４’の入力イ
ンピーダンスの値は、所望の信号周波数ｆ1とｆ2の双方
において入力端子２側の高周波回路５の出力インピーダ
ンス５０Ωにマッチングされる。
【０１４３】これに対して、図８に示したような従来の
インピーダンス・マッチング回路１１０’では、このよ
うな移動は不可能である。これは、この従来例では、点
Ｄ1’をアドミッタンス値が（１／５０Ω）に等しい円
Ａ’上の点Ｃ1’に移動させると、点Ｄ2’が円Ｂ上の点
Ｃ3’まで移動してしまうからである。
インピーダンス・マッチング回路１１０’では、このよ
うな移動は不可能である。これは、この従来例では、点
Ｄ1’をアドミッタンス値が（１／５０Ω）に等しい円
Ａ’上の点Ｃ1’に移動させると、点Ｄ2’が円Ｂ上の点
Ｃ3’まで移動してしまうからである。
【０１４４】以上説明したように、本発明の第２実施形
態のインピーダンス・マッチング回路１ｂでは、第１、
第２のリアクタンス回路３０と４０が図１２に示すよう
な構成を持つため、信号周波数ｆ1とｆ2における第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3をそれぞれ適当
な値に設定することにより、点Ｄ1’とＤ2’の双方を円
Ａ上の点Ｃ1’とＣ2’にそれぞれ移動させ、その後、信
号周波数ｆ1とｆ2における第２リアクタンス回路４０の
リアクタンスＸ4の値を適当に設定することにより、点
Ｃ1’とＣ2’の双方を原点Ｏまで移動させることができ
る。その結果、異なる周波数ｆ1とｆ2の双方において、
高周波回路５と４’の間でインピーダンスのマッチング
を取ることが可能となる。
態のインピーダンス・マッチング回路１ｂでは、第１、
第２のリアクタンス回路３０と４０が図１２に示すよう
な構成を持つため、信号周波数ｆ1とｆ2における第１リ
アクタンス回路３０のリアクタンスＸ3をそれぞれ適当
な値に設定することにより、点Ｄ1’とＤ2’の双方を円
Ａ上の点Ｃ1’とＣ2’にそれぞれ移動させ、その後、信
号周波数ｆ1とｆ2における第２リアクタンス回路４０の
リアクタンスＸ4の値を適当に設定することにより、点
Ｃ1’とＣ2’の双方を原点Ｏまで移動させることができ
る。その結果、異なる周波数ｆ1とｆ2の双方において、
高周波回路５と４’の間でインピーダンスのマッチング
を取ることが可能となる。
【０１４５】（第３実施形態）図１３は、本発明の第３
実施形態のインピーダンス・マッチング回路に使用する
第１リアクタンス回路５０を示す回路図である。
実施形態のインピーダンス・マッチング回路に使用する
第１リアクタンス回路５０を示す回路図である。
【０１４６】先に述べた第１実施形態のインピーダンス
・マッチング回路１ａ（図２参照）では、周波数がｆ1
の時にリアクタンスＸ1またはＸ2が負の値を持つ必要が
ある時にはインピーダンス・マッチングを実現できな
い。また、第２実施形態のインピーダンス・マッチング
回路１ｂ（図１２参照）では、周波数がｆ2の時にリア
クタンスＸ3またはＸ4が正の値を持つ必要がある時には
インピーダンス・マッチングを実現できない。しかし、
第３実施形態のインピーダンス・マッチング回路では、
このような問題が解決され、いずれのリアクタンスも正
負、双方の値を取りうる。
・マッチング回路１ａ（図２参照）では、周波数がｆ1
の時にリアクタンスＸ1またはＸ2が負の値を持つ必要が
ある時にはインピーダンス・マッチングを実現できな
い。また、第２実施形態のインピーダンス・マッチング
回路１ｂ（図１２参照）では、周波数がｆ2の時にリア
クタンスＸ3またはＸ4が正の値を持つ必要がある時には
インピーダンス・マッチングを実現できない。しかし、
第３実施形態のインピーダンス・マッチング回路では、
このような問題が解決され、いずれのリアクタンスも正
負、双方の値を取りうる。
【０１４７】図１３において、第１リアクタンス回路５
０は四つのリアクタンス素子５１、５２、５３、５４か
ら構成される。リアクタンス素子５１と５４は、インダ
クタンスＬ11とＬ12をそれぞれ有するコイルである。リ
アクタンス素子５２と５３は、キャパシタンスＣ11とＣ
12をそれぞれ有するコンデンサである。コイル５４の一
方の端子とコンデンサ５３の一方の端子は、出力端子３
に共通接続されている。コイル５４の他方の端子とコン
デンサ５３の他方の端子は、コンデンサ５２の一方の端
子に共通接続されている。従って、コイル５４とコンデ
ンサ５３は互いに並列に接続されている。コンデンサ５
２の他方の端子はコイル５１の一方の端子に接続されて
いる。コイル５１の他方の端子は、入力端子２に接続さ
れている。
０は四つのリアクタンス素子５１、５２、５３、５４か
ら構成される。リアクタンス素子５１と５４は、インダ
クタンスＬ11とＬ12をそれぞれ有するコイルである。リ
アクタンス素子５２と５３は、キャパシタンスＣ11とＣ
12をそれぞれ有するコンデンサである。コイル５４の一
方の端子とコンデンサ５３の一方の端子は、出力端子３
に共通接続されている。コイル５４の他方の端子とコン
デンサ５３の他方の端子は、コンデンサ５２の一方の端
子に共通接続されている。従って、コイル５４とコンデ
ンサ５３は互いに並列に接続されている。コンデンサ５
２の他方の端子はコイル５１の一方の端子に接続されて
いる。コイル５１の他方の端子は、入力端子２に接続さ
れている。
【０１４８】互いに並列に接続されたコイル５４とコン
デンサ５３は、共振周波数ｆ05を有する並列共振回路５
５を構成する。よって、第１リアクタンス回路５０は、
入力端子２と出力端子３との間で、コイル５１とコンデ
ンサ５２と並列共振回路５５とが互いに直列に接続され
た構成を持つ。
デンサ５３は、共振周波数ｆ05を有する並列共振回路５
５を構成する。よって、第１リアクタンス回路５０は、
入力端子２と出力端子３との間で、コイル５１とコンデ
ンサ５２と並列共振回路５５とが互いに直列に接続され
た構成を持つ。
【０１４９】第１リアクタンス回路５０のリアクタンス
Ｘ5の周波数特性は、コイル５１（図４（ｂ）参照）と
コンデンサ５２（図１０（ｂ）参照）と並列共振回路５
５（図４（ｃ）参照）の周波数特性を合成して得られ
る。換言すれば、リアクタンスＸ5の周波数特性は、図
４（ａ）と図１０（ｂ）の周波数特性の和に等しい。そ
れを図１４に示す。図１４から明らかなように、周波数
ｆ1とｆ2の双方において、リアクタンスＸ5は正負いず
れの値も取り得る。よって、上述の第１および第２実施
例の持つ利点に加えて、それら第１および第２実施例で
述べた制限が除去されるという利点がある。
Ｘ5の周波数特性は、コイル５１（図４（ｂ）参照）と
コンデンサ５２（図１０（ｂ）参照）と並列共振回路５
５（図４（ｃ）参照）の周波数特性を合成して得られ
る。換言すれば、リアクタンスＸ5の周波数特性は、図
４（ａ）と図１０（ｂ）の周波数特性の和に等しい。そ
れを図１４に示す。図１４から明らかなように、周波数
ｆ1とｆ2の双方において、リアクタンスＸ5は正負いず
れの値も取り得る。よって、上述の第１および第２実施
例の持つ利点に加えて、それら第１および第２実施例で
述べた制限が除去されるという利点がある。
【０１５０】図示しない第２リアクタンス回路は、通
常、第１リアクタンス回路５０と同じ構成とされるが、
これに限定されない。第２リアクタンス回路の回路構成
を第１実施形態または第２実施形態のそれと同じにする
こともできる。
常、第１リアクタンス回路５０と同じ構成とされるが、
これに限定されない。第２リアクタンス回路の回路構成
を第１実施形態または第２実施形態のそれと同じにする
こともできる。
【０１５１】（第４実施形態）図１５は、本発明の第４
実施形態のインピーダンス・マッチング回路に使用する
第１リアクタンス回路５０Ａを示す回路図である。これ
は第３実施形態の変形例に相当する。
実施形態のインピーダンス・マッチング回路に使用する
第１リアクタンス回路５０Ａを示す回路図である。これ
は第３実施形態の変形例に相当する。
【０１５２】図１５において、リアクタンスＸ5’を持
つ第１リアクタンス回路５０Ａは、四つのリアクタンス
素子５１、５２、５３、５４から構成される第３実施形
態の第１リアクタンス回路５０（図１３参照）に対し
て、二つのリアクタンス素子５６と５７を追加した構成
を持つ。追加されたリアクタンス素子５６はキャパシタ
ンスＣ13を有するコンデンサ、追加されたリアクタンス
素子５７はインダクタンスＬ13を有するコイルである。
つ第１リアクタンス回路５０Ａは、四つのリアクタンス
素子５１、５２、５３、５４から構成される第３実施形
態の第１リアクタンス回路５０（図１３参照）に対し
て、二つのリアクタンス素子５６と５７を追加した構成
を持つ。追加されたリアクタンス素子５６はキャパシタ
ンスＣ13を有するコンデンサ、追加されたリアクタンス
素子５７はインダクタンスＬ13を有するコイルである。
【０１５３】コンデンサ５６の一方の端子とコイル５７
の一方の端子は、出力端子３に共通接続されている。コ
ンデンサ５６の他方の端子とコイル５７の他方の端子
は、共通接続されたコンデンサ５３とコイル５４の端子
に共通接続されている。こうして互いに並列に接続され
たコンデンサ５６とコイル５７は、共振周波数ｆ06を有
する並列共振回路５８を構成する。よって、第１リアク
タンス回路５０Ａは、入力端子２と出力端子３との間
で、コイル５１とコンデンサ５２と並列共振回路５５と
並列共振回路５８が互いに直列に接続された構成を持
つ。
の一方の端子は、出力端子３に共通接続されている。コ
ンデンサ５６の他方の端子とコイル５７の他方の端子
は、共通接続されたコンデンサ５３とコイル５４の端子
に共通接続されている。こうして互いに並列に接続され
たコンデンサ５６とコイル５７は、共振周波数ｆ06を有
する並列共振回路５８を構成する。よって、第１リアク
タンス回路５０Ａは、入力端子２と出力端子３との間
で、コイル５１とコンデンサ５２と並列共振回路５５と
並列共振回路５８が互いに直列に接続された構成を持
つ。
【０１５４】図１６は、以上の構成を持つ第４実施形態
のインピーダンス・マッチング回路のリアクタンス
Ｘ5’の周波数特性図である。これは、第３実施形態の
第１リアクタンス回路５０の周波数特性（図１４参照）
と並列共振回路５８の周波数特性（図４（ｃ）参照）を
合成したものに等しい。
のインピーダンス・マッチング回路のリアクタンス
Ｘ5’の周波数特性図である。これは、第３実施形態の
第１リアクタンス回路５０の周波数特性（図１４参照）
と並列共振回路５８の周波数特性（図４（ｃ）参照）を
合成したものに等しい。
【０１５５】図１６から明らかなように、三つの信号周
波数ｆ1、ｆ2、ｆ3のそれぞれにおいて、リアクタンス
Ｘ5’は正負いずれの値も取り得る。よって、上述の第
１および第２実施例の持つ利点に加えて、三つの周波数
ｆ1、ｆ2、ｆ3のそれぞれおいて最適なインピーダンス
・マッチングが可能となるという利点があり、さらに、
第１および第２実施例で述べた制限が除去されるという
利点もある。
波数ｆ1、ｆ2、ｆ3のそれぞれにおいて、リアクタンス
Ｘ5’は正負いずれの値も取り得る。よって、上述の第
１および第２実施例の持つ利点に加えて、三つの周波数
ｆ1、ｆ2、ｆ3のそれぞれおいて最適なインピーダンス
・マッチングが可能となるという利点があり、さらに、
第１および第２実施例で述べた制限が除去されるという
利点もある。
【０１５６】図示しない第２リアクタンス回路は、通
常、第１リアクタンス回路５０Ａと同じ構成とされる
が、これに限定されない。必要に応じて、第２リアクタ
ンス回路の回路構成を第１〜第３実施形態のいずれかの
構成を採用することもできる。
常、第１リアクタンス回路５０Ａと同じ構成とされる
が、これに限定されない。必要に応じて、第２リアクタ
ンス回路の回路構成を第１〜第３実施形態のいずれかの
構成を採用することもできる。
【０１５７】なお、上記第４実施形態のインピーダンス
・マッチング回路では、三つの周波数ｆ1、ｆ2、ｆ3に
おいてそれぞれインピーダンスをマッチングさせている
が、これと同様に並列共振回路をさらに追加していくこ
とにより、四つ以上の周波数のそれぞれにおいてインピ
ーダンスをマッチングさせることができることは言うま
でもない。
・マッチング回路では、三つの周波数ｆ1、ｆ2、ｆ3に
おいてそれぞれインピーダンスをマッチングさせている
が、これと同様に並列共振回路をさらに追加していくこ
とにより、四つ以上の周波数のそれぞれにおいてインピ
ーダンスをマッチングさせることができることは言うま
でもない。
【０１５８】（第５実施形態）上述した第１〜第４の実
施形態では、第１、第２のリアクタンス回路の各々が
「並列共振回路」を含んでいる。しかし、本発明はこれ
に限定されず、以下に説明するように、各リアクタンス
回路が「直列共振回路」を含むように構成することもで
きる。
施形態では、第１、第２のリアクタンス回路の各々が
「並列共振回路」を含んでいる。しかし、本発明はこれ
に限定されず、以下に説明するように、各リアクタンス
回路が「直列共振回路」を含むように構成することもで
きる。
【０１５９】図１７（ａ）は、キャパシタンスＣ01を持
つコンデンサ６１のみからなるリアクタンス回路７１を
示す。このリアクタンス回路７１のアドミッタンスＹC
は、次の数式（１３）で与えられる。
つコンデンサ６１のみからなるリアクタンス回路７１を
示す。このリアクタンス回路７１のアドミッタンスＹC
は、次の数式（１３）で与えられる。
【０１６０】
【数１３】
【０１６１】数式（１３）で与えられるアドミッタンス
ＹCの周波数特性は、図１７（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図４（ｂ）のリアクタンスＸ11の周波数特
性と同じ傾向を持つ。
ＹCの周波数特性は、図１７（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図４（ｂ）のリアクタンスＸ11の周波数特
性と同じ傾向を持つ。
【０１６２】図１８（ａ）は、インダクタスＬ01を持つ
コイル６２のみからなるリアクタンス回路７２を示す。
このリアクタンス回路７２のアドミッタンスＹLは、次
の数式（１４）で与えられる。
コイル６２のみからなるリアクタンス回路７２を示す。
このリアクタンス回路７２のアドミッタンスＹLは、次
の数式（１４）で与えられる。
【０１６３】
【数１４】
【０１６４】数式（１４）で与えられるアドミッタンス
ＹLの周波数特性は、図１８（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図１０（ｂ）のリアクタンスＸ31の周波数
特性と同じ傾向を持つ。
ＹLの周波数特性は、図１８（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図１０（ｂ）のリアクタンスＸ31の周波数
特性と同じ傾向を持つ。
【０１６５】図１９（ａ）は、キャパシタンスＣ01を持
つコンデンサ６１とインダクタスＬ 01を持つコイル６２
を直列に接続してなるリアクタンス回路７３を示す。コ
ンデンサ６１とコイル６２からなる回路は、共振周波数
ｆ0を持つ直列共振回路８１を構成する。このリアクタ
ンス回路７３（すなわち直列共振回路８１）のアドミッ
タンスＹLCは、次の数式（１５）で与えられる。
つコンデンサ６１とインダクタスＬ 01を持つコイル６２
を直列に接続してなるリアクタンス回路７３を示す。コ
ンデンサ６１とコイル６２からなる回路は、共振周波数
ｆ0を持つ直列共振回路８１を構成する。このリアクタ
ンス回路７３（すなわち直列共振回路８１）のアドミッ
タンスＹLCは、次の数式（１５）で与えられる。
【０１６６】
【数１５】
【０１６７】数式（１５）で与えられるアドミッタンス
ＹLCの周波数特性は、図１９（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図４（ｃ）の並列共振回路１４のリアクタ
ンスＸLC1の周波数特性と同じ傾向を持つ。すなわち、
リアクタンスＸLC1の周波数特性は、ｆ＝ｆ0に引いた鉛
直線を一つの漸近線とする曲線で与えられる。ただし、
ｆ0は直列共振回路８１の共振周波数で、次の数式（１
６）で与えられる。
ＹLCの周波数特性は、図１９（ｂ）に示すようになる。
この特性は、図４（ｃ）の並列共振回路１４のリアクタ
ンスＸLC1の周波数特性と同じ傾向を持つ。すなわち、
リアクタンスＸLC1の周波数特性は、ｆ＝ｆ0に引いた鉛
直線を一つの漸近線とする曲線で与えられる。ただし、
ｆ0は直列共振回路８１の共振周波数で、次の数式（１
６）で与えられる。
【０１６８】
【数１６】
【０１６９】図２０（ａ）は、図１９（ａ）の直列共振
回路８１に、キャパシタンスＣ02を持つコンデンサ６３
を並列接続してなるリアクタンス回路７４を示す。この
リアクタンス回路７４のアドミッタンスＹ1の周波数特
性は、図２０（ｂ）に示すようになる。この特性は、図
４（ａ）の第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンス
Ｘ1の周波数特性と同じ傾向を持つ。
回路８１に、キャパシタンスＣ02を持つコンデンサ６３
を並列接続してなるリアクタンス回路７４を示す。この
リアクタンス回路７４のアドミッタンスＹ1の周波数特
性は、図２０（ｂ）に示すようになる。この特性は、図
４（ａ）の第１リアクタンス回路１０ａのリアクタンス
Ｘ1の周波数特性と同じ傾向を持つ。
【０１７０】本発明の第５実施形態のインピーダンス・
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２０（ａ）のリアクタンス回路７４を使用
する。その他の構成は、第１実施形態のそれと同じであ
る。
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２０（ａ）のリアクタンス回路７４を使用
する。その他の構成は、第１実施形態のそれと同じであ
る。
【０１７１】アドミッタンスはインピーダンスの逆数に
等しいから、アドミッタンスを任意の値に設定できれ
ば、インピーダンスでも任意の値を取ることが可能であ
る。よって、図７に示したスミス・チャートを使用すれ
ば、図２０（ａ）のリアクタンス回路７４を用いた場合
でも、第１実施形態において説明したのと同様の方法に
より、信号周波数ｆ1とｆ2における第１および第２のリ
アクタンス回路のリアクタンス（またはアドミッタン
ス）をそれぞれ適当な値に設定することによって、信号
周波数ｆ1とｆ2における高周波回路４の入力インピーダ
ンスに対応する二つの点の双方を中心点Ｏまで移動させ
ることができる。その結果、異なる周波数ｆ 1とｆ2の双
方において、二つの高周波回路の間で最適値にインピー
ダンスのマッチングを取ることが可能である。
等しいから、アドミッタンスを任意の値に設定できれ
ば、インピーダンスでも任意の値を取ることが可能であ
る。よって、図７に示したスミス・チャートを使用すれ
ば、図２０（ａ）のリアクタンス回路７４を用いた場合
でも、第１実施形態において説明したのと同様の方法に
より、信号周波数ｆ1とｆ2における第１および第２のリ
アクタンス回路のリアクタンス（またはアドミッタン
ス）をそれぞれ適当な値に設定することによって、信号
周波数ｆ1とｆ2における高周波回路４の入力インピーダ
ンスに対応する二つの点の双方を中心点Ｏまで移動させ
ることができる。その結果、異なる周波数ｆ 1とｆ2の双
方において、二つの高周波回路の間で最適値にインピー
ダンスのマッチングを取ることが可能である。
【０１７２】（第６実施形態）図２１（ａ）は、図１９
（ａ）の直列共振回路８１に、インダクタンスＬ02を有
するコイル６４を並列接続してなるリアクタンス回路７
５を示す。このリアクタンス回路７５のアドミッタンス
Ｙ2の周波数特性は、図１９（ｂ）と図１８（ｂ）の周
波数特性の和であるから、図２１（ｂ）に示すようにな
る。この特性は、図１０（ａ）のリアクタンス回路２０
のリアクタンスＸ3の周波数特性と同じ傾向を持つ。
（ａ）の直列共振回路８１に、インダクタンスＬ02を有
するコイル６４を並列接続してなるリアクタンス回路７
５を示す。このリアクタンス回路７５のアドミッタンス
Ｙ2の周波数特性は、図１９（ｂ）と図１８（ｂ）の周
波数特性の和であるから、図２１（ｂ）に示すようにな
る。この特性は、図１０（ａ）のリアクタンス回路２０
のリアクタンスＸ3の周波数特性と同じ傾向を持つ。
【０１７３】本発明の第６実施形態のインピーダンス・
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２１（ａ）のリアクタンス回路７５を使用
する。その他の構成は、第２実施形態のそれと同じであ
る。
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２１（ａ）のリアクタンス回路７５を使用
する。その他の構成は、第２実施形態のそれと同じであ
る。
【０１７４】（第７実施形態）図２２（ａ）は、図１９
（ａ）の直列共振回路８１に、キャパシタンスＣ02を有
するコンデンサ６３とインダクタンスＬ02を有するコイ
ル６４とを並列接続してなるリアクタンス回路７６を示
す。このリアクタンス回路７６のアドミッタンスＹ3の
周波数特性は、図２１（ｂ）と図１７（ｂ）の周波数特
性の和であるから、図２２（ｂ）に示すようになる。こ
の特性は、図１３のリアクタンス回路５０のリアクタン
スＸ5の周波数特性（図１４参照）と同じ傾向を持つ。
（ａ）の直列共振回路８１に、キャパシタンスＣ02を有
するコンデンサ６３とインダクタンスＬ02を有するコイ
ル６４とを並列接続してなるリアクタンス回路７６を示
す。このリアクタンス回路７６のアドミッタンスＹ3の
周波数特性は、図２１（ｂ）と図１７（ｂ）の周波数特
性の和であるから、図２２（ｂ）に示すようになる。こ
の特性は、図１３のリアクタンス回路５０のリアクタン
スＸ5の周波数特性（図１４参照）と同じ傾向を持つ。
【０１７５】本発明の第７実施形態のインピーダンス・
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２２（ａ）のリアクタンス回路７６を使用
する。その他の構成は、第３実施形態のそれと同じであ
る。
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２２（ａ）のリアクタンス回路７６を使用
する。その他の構成は、第３実施形態のそれと同じであ
る。
【０１７６】（第８実施形態）図２３（ａ）は、図１９
（ａ）の直列共振回路８１と、それと同じ構成を持つ直
列共振回路８２と、キャパシタンスＣ02を有するコンデ
ンサ６３と、インダクタンスＬ02を有するコイル６４と
を並列接続してなるリアクタンス回路７７を示す。直列
共振回路８２は、キャパシタンスＣ01’を持つコンデン
サ６１’とインダクタスＬ01’を持つコイル６２’を直
列に接続して構成される。
（ａ）の直列共振回路８１と、それと同じ構成を持つ直
列共振回路８２と、キャパシタンスＣ02を有するコンデ
ンサ６３と、インダクタンスＬ02を有するコイル６４と
を並列接続してなるリアクタンス回路７７を示す。直列
共振回路８２は、キャパシタンスＣ01’を持つコンデン
サ６１’とインダクタスＬ01’を持つコイル６２’を直
列に接続して構成される。
【０１７７】このリアクタンス回路７６のアドミッタン
スＹ4の周波数特性は、図２２（ｂ）と図２０（ｂ）の
周波数特性の和であるから、図２３（ｂ）に示すように
なる。この特性は、図１５のリアクタンス回路５０Ａの
リアクタンスＸ5’の周波数特性（図１６参照）と同じ
傾向を持つ。図２０（ｂ）において、ｆ02’は、直列共
振回路８２の共振周波数である。
スＹ4の周波数特性は、図２２（ｂ）と図２０（ｂ）の
周波数特性の和であるから、図２３（ｂ）に示すように
なる。この特性は、図１５のリアクタンス回路５０Ａの
リアクタンスＸ5’の周波数特性（図１６参照）と同じ
傾向を持つ。図２０（ｂ）において、ｆ02’は、直列共
振回路８２の共振周波数である。
【０１７８】本発明の第８実施形態のインピーダンス・
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２３（ａ）のリアクタンス回路７７を使用
する。その他の構成は、第４実施形態のそれと同じであ
る。
マッチング回路では、第１および第２のリアクタンス回
路として、図２３（ａ）のリアクタンス回路７７を使用
する。その他の構成は、第４実施形態のそれと同じであ
る。
【０１７９】（使用状態）図２４は、本発明のインピー
ダンス・マッチング回路の使用状態を示す回路図であ
り、本発明のインピーダンス・マッチング回路を無線通
信機の受信機に適用した場合を示す。
ダンス・マッチング回路の使用状態を示す回路図であ
り、本発明のインピーダンス・マッチング回路を無線通
信機の受信機に適用した場合を示す。
【０１８０】アンテナ側に設けられたフィルタＦ１と高
周波回路４のトランジスタＴｒとの間に、インピーダン
ス・マッチング回路１ａ’が設けられ、高周波回路４の
トランジスタＴｒと周波数ミキサ側に設けられたフィル
タＦ２との間に、インピーダンス・マッチング回路１
ａ’’が設けられている。インピーダンス・マッチング
回路１ａ’と１ａ’’は、それぞれ、第１実施形態の第
２リアクタンス回路２０ａ（図２参照）と第２実施形態
の第１リアクタンス回路３０（図１２参照）から構成さ
れる。なお、Ｒ1、Ｒ2は抵抗器、ＣPはコンデンサであ
る。
周波回路４のトランジスタＴｒとの間に、インピーダン
ス・マッチング回路１ａ’が設けられ、高周波回路４の
トランジスタＴｒと周波数ミキサ側に設けられたフィル
タＦ２との間に、インピーダンス・マッチング回路１
ａ’’が設けられている。インピーダンス・マッチング
回路１ａ’と１ａ’’は、それぞれ、第１実施形態の第
２リアクタンス回路２０ａ（図２参照）と第２実施形態
の第１リアクタンス回路３０（図１２参照）から構成さ
れる。なお、Ｒ1、Ｒ2は抵抗器、ＣPはコンデンサであ
る。
【０１８１】図２５は、本発明のインピーダンス・マッ
チング回路を図３８または図３９に示す回路構成の受信
機に適用した場合の回路構成を示すブロック図である。
図２５では、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周
波数バンドにおいて共用すべく、それら両周波数バンド
の受信信号の双方を増幅できる高周波増幅器１０２ｃを
用いている。それ以外の構成は図３９のそれと同じであ
る。この回路構成とすることにより、高周波増幅器１０
２ｃは図３５（ｂ）に示す好適なＶＳＷＲ−ｆ特性を持
つ。
チング回路を図３８または図３９に示す回路構成の受信
機に適用した場合の回路構成を示すブロック図である。
図２５では、８２０ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯の両周
波数バンドにおいて共用すべく、それら両周波数バンド
の受信信号の双方を増幅できる高周波増幅器１０２ｃを
用いている。それ以外の構成は図３９のそれと同じであ
る。この回路構成とすることにより、高周波増幅器１０
２ｃは図３５（ｂ）に示す好適なＶＳＷＲ−ｆ特性を持
つ。
【０１８２】（変形例）図２６〜図２７は、本発明のイ
ンピーダンス・マッチング回路の変形例を示す回路図で
ある。
ンピーダンス・マッチング回路の変形例を示す回路図で
ある。
【０１８３】先に述べたように、本発明の第１実施形態
（図２参照）は「Ｌ−Ｌマッチング」の構成を持ち、第
２実施形態（図１２参照）は「Ｃ−Ｃマッチング」の構
成を持つ。しかし、本発明はこれらの構成に限定されな
い。
（図２参照）は「Ｌ−Ｌマッチング」の構成を持ち、第
２実施形態（図１２参照）は「Ｃ−Ｃマッチング」の構
成を持つ。しかし、本発明はこれらの構成に限定されな
い。
【０１８４】すなわち、図２６（ａ）は、従来の「Ｌ−
Ｃマッチング」の構成のインピーダンス・マッチング回
路を示す。この回路は、入力端子２と２’の間に接続さ
れたコイル１３２と、入力端子２と出力端子３の間に接
続されたコンデンサ１３１から構成される。
Ｃマッチング」の構成のインピーダンス・マッチング回
路を示す。この回路は、入力端子２と２’の間に接続さ
れたコイル１３２と、入力端子２と出力端子３の間に接
続されたコンデンサ１３１から構成される。
【０１８５】この構成に対応する本発明のインピーダン
ス・マッチング回路は、例えば図２６（ｂ）に示すよう
な構成になる。図２６（ｂ）中の参照符号は、第１およ
び第２実施形態で使用したものと同じである。
ス・マッチング回路は、例えば図２６（ｂ）に示すよう
な構成になる。図２６（ｂ）中の参照符号は、第１およ
び第２実施形態で使用したものと同じである。
【０１８６】図２７（ａ）は、従来の「Ｃ−Ｌマッチン
グ」の構成のインピーダンス・マッチング回路を示す。
この回路は、入力端子２と２’の間に接続されたコンデ
ンサ１３４と、入力端子２と出力端子３の間に接続され
たコイル１３３から構成される。
グ」の構成のインピーダンス・マッチング回路を示す。
この回路は、入力端子２と２’の間に接続されたコンデ
ンサ１３４と、入力端子２と出力端子３の間に接続され
たコイル１３３から構成される。
【０１８７】この構成に対応する本発明のインピーダン
ス・マッチング回路は、例えば図２７（ｂ）に示すよう
な構成になる。図２７（ｂ）中の参照符号も、第１およ
び第２実施形態で使用したものと同じである。
ス・マッチング回路は、例えば図２７（ｂ）に示すよう
な構成になる。図２７（ｂ）中の参照符号も、第１およ
び第２実施形態で使用したものと同じである。
【０１８８】図２８〜図３３も、本発明のインピーダン
ス・マッチング回路の変形例を示す回路図であるが、図
２６〜図２７とは異なり、入力端子２、２’と出力端子
３、３’の間における各インピーダンス回路の接続の変
形例を示す。
ス・マッチング回路の変形例を示す回路図であるが、図
２６〜図２７とは異なり、入力端子２、２’と出力端子
３、３’の間における各インピーダンス回路の接続の変
形例を示す。
【０１８９】図２８の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、図１（ａ）と同様に、それぞれインピ
ーダンスＺ1とＺ2を持つ第１、第２のインピーダンス回
路１０と２０から構成されているが、その接続方法が異
なっている。すなわち、第１インピーダンス回路１０の
二つの端子は、入力端子２と出力端子３にそれぞれ接続
されている。また、第２インピーダンス回路２０の一方
の端子は出力端子３に接続され、他方の端子は入力端子
２’と出力端子３’に共通接続されている。
チング回路１が、図１（ａ）と同様に、それぞれインピ
ーダンスＺ1とＺ2を持つ第１、第２のインピーダンス回
路１０と２０から構成されているが、その接続方法が異
なっている。すなわち、第１インピーダンス回路１０の
二つの端子は、入力端子２と出力端子３にそれぞれ接続
されている。また、第２インピーダンス回路２０の一方
の端子は出力端子３に接続され、他方の端子は入力端子
２’と出力端子３’に共通接続されている。
【０１９０】図２９の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、図１（ａ）とは異なり、それぞれイン
ピーダンスＺ1とＺ2とＺ3を持つ第１、第２、第３のイ
ンピーダンス回路１０と２０と３０’から構成されてい
る。第１、第２のインピーダンス回路１０と２０は、入
力端子２と出力端子３の間で互いに直列に接続されてい
る。第３インピーダンス回路３０’の一方の端子は、第
１、第２のインピーダンス回路１０と２０の接続点に接
続され、他方の端子は入力端子２’と出力端子３’に共
通接続されている。
チング回路１が、図１（ａ）とは異なり、それぞれイン
ピーダンスＺ1とＺ2とＺ3を持つ第１、第２、第３のイ
ンピーダンス回路１０と２０と３０’から構成されてい
る。第１、第２のインピーダンス回路１０と２０は、入
力端子２と出力端子３の間で互いに直列に接続されてい
る。第３インピーダンス回路３０’の一方の端子は、第
１、第２のインピーダンス回路１０と２０の接続点に接
続され、他方の端子は入力端子２’と出力端子３’に共
通接続されている。
【０１９１】図３０の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、図２９と同様に、それぞれインピーダ
ンスＺ1とＺ2とＺ3を持つ第１、第２、第３のインピー
ダンス回路１０と２０と３０’から構成されている。第
１インピーダンス回路１０は、入力端子２と２’の間に
接続されている。第３インピーダンス回路３０’は、出
力端子３と３’の間に接続されている。第２インピーダ
ンス回路２０の二つの端子は、入力端子２と出力端子３
にそれぞれ接続されている。
チング回路１が、図２９と同様に、それぞれインピーダ
ンスＺ1とＺ2とＺ3を持つ第１、第２、第３のインピー
ダンス回路１０と２０と３０’から構成されている。第
１インピーダンス回路１０は、入力端子２と２’の間に
接続されている。第３インピーダンス回路３０’は、出
力端子３と３’の間に接続されている。第２インピーダ
ンス回路２０の二つの端子は、入力端子２と出力端子３
にそれぞれ接続されている。
【０１９２】図３１の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、図１（ａ）とは異なり、それぞれイン
ピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｚ5を持つ第１、第
２、第３、第４、第５のインピーダンス回路１０と２０
と３０’と４０’と５０’から構成されている。第１、
第２、第３のインピーダンス回路１０と２０と３０’の
接続は、図２９の場合と同じである。第４、第５のイン
ピーダンス回路４０’と５０’は、入力端子２’と出力
端子３’の間で互いに直列に接続されている。第３イン
ピーダンス回路３０’の一方の端子は、第１、第２のイ
ンピーダンス回路１０と２０の接続点に接続され、他方
の端子は第４、第５のインピーダンス回路４０’と５
０’の接続点に接続されている。
チング回路１が、図１（ａ）とは異なり、それぞれイン
ピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｚ5を持つ第１、第
２、第３、第４、第５のインピーダンス回路１０と２０
と３０’と４０’と５０’から構成されている。第１、
第２、第３のインピーダンス回路１０と２０と３０’の
接続は、図２９の場合と同じである。第４、第５のイン
ピーダンス回路４０’と５０’は、入力端子２’と出力
端子３’の間で互いに直列に接続されている。第３イン
ピーダンス回路３０’の一方の端子は、第１、第２のイ
ンピーダンス回路１０と２０の接続点に接続され、他方
の端子は第４、第５のインピーダンス回路４０’と５
０’の接続点に接続されている。
【０１９３】図３２の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、それぞれインピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ
3、Ｚ4を持つ第１、第２、第３、第４のインピーダンス
回路１０と２０と３０’と４０’から構成されている。
第１インピーダンス回路１０は、入力端子２’と２’の
間に接続されている。第２インピーダンス回路２０は、
入力端子２と出力端子３の間に接続されている。第３イ
ンピーダンス回路３０’は、出力端子３’と３’の間に
接続されている。第４インピーダンス回路４０’は、入
力端子２’と出力端子３’の間に接続されている。
チング回路１が、それぞれインピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ
3、Ｚ4を持つ第１、第２、第３、第４のインピーダンス
回路１０と２０と３０’と４０’から構成されている。
第１インピーダンス回路１０は、入力端子２’と２’の
間に接続されている。第２インピーダンス回路２０は、
入力端子２と出力端子３の間に接続されている。第３イ
ンピーダンス回路３０’は、出力端子３’と３’の間に
接続されている。第４インピーダンス回路４０’は、入
力端子２’と出力端子３’の間に接続されている。
【０１９４】図３３の接続では、インピーダンス・マッ
チング回路１が、それぞれインピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ
3を持つ第１、第２、第３のインピーダンス回路１０と
２０と３０’から構成されている。第１インピーダンス
回路１０は、入力端子２と出力端子３の間に接続されて
いる。第２インピーダンス回路２０は、入力端子２’と
出力端子３’の間に接続されている。第３インピーダン
ス回路３０’は、出力端子３’と３’の間に接続されて
いる。
チング回路１が、それぞれインピーダンスＺ1、Ｚ2、Ｚ
3を持つ第１、第２、第３のインピーダンス回路１０と
２０と３０’から構成されている。第１インピーダンス
回路１０は、入力端子２と出力端子３の間に接続されて
いる。第２インピーダンス回路２０は、入力端子２’と
出力端子３’の間に接続されている。第３インピーダン
ス回路３０’は、出力端子３’と３’の間に接続されて
いる。
【０１９５】図２８〜図３３の各インピーダンス回路と
して、本発明のインピーダンス・マッチング回路の構成
を使用できる。
して、本発明のインピーダンス・マッチング回路の構成
を使用できる。
【０１９６】図２８〜図３３に示したもの以外にも種々
の接続態様が考えられるが、本発明はいずれの接続態様
に対しても適用可能である。
の接続態様が考えられるが、本発明はいずれの接続態様
に対しても適用可能である。
【０１９７】上述した第１〜４の実施形態では、二つの
高周波回路のインピーダンスを５０Ωにマッチングする
例について述べたが、本発明はこれに限定されないこと
はもちろんである。また、上述した第１〜８の実施形態
では、携帯電話に内蔵されている受信回路に適用した例
を説明したが、本発明の適用対象はこの場合に限定され
ないことは言うまでもない。例えば、本発明のインピー
ダンス・マッチング回路は、携帯電話に内蔵されている
送信回路にも適用可能であり、さらに、インピーダンス
・マッチングが必要な他の任意の電子回路にも適用可能
である。
高周波回路のインピーダンスを５０Ωにマッチングする
例について述べたが、本発明はこれに限定されないこと
はもちろんである。また、上述した第１〜８の実施形態
では、携帯電話に内蔵されている受信回路に適用した例
を説明したが、本発明の適用対象はこの場合に限定され
ないことは言うまでもない。例えば、本発明のインピー
ダンス・マッチング回路は、携帯電話に内蔵されている
送信回路にも適用可能であり、さらに、インピーダンス
・マッチングが必要な他の任意の電子回路にも適用可能
である。
【０１９８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のインピー
ダンス・マッチング方法とインピーダンス・マッチング
回路によれば、互いに離れた二つあるいはそれ以上の周
波数のそれぞれにおいて、前記第１回路と第２回路のイ
ンピーダンスをそれらの最適値にマッチングさせること
ができる。また、互いに離れた二つあるいはそれ以上の
周波数帯の信号を処理できるシステムの回路構成を簡略
化することが可能となる。さらに、インピーダンス・マ
ッチングに起因する電力損失の増加を生じることもな
い。
ダンス・マッチング方法とインピーダンス・マッチング
回路によれば、互いに離れた二つあるいはそれ以上の周
波数のそれぞれにおいて、前記第１回路と第２回路のイ
ンピーダンスをそれらの最適値にマッチングさせること
ができる。また、互いに離れた二つあるいはそれ以上の
周波数帯の信号を処理できるシステムの回路構成を簡略
化することが可能となる。さらに、インピーダンス・マ
ッチングに起因する電力損失の増加を生じることもな
い。
【図１】（ａ）は本発明のインピーダンス・マッチング
回路の構成例を示す回路図、（ｂ）は本発明の第１実施
形態のインピーダンス・マッチング回路の基本構成を示
す回路図である。
回路の構成例を示す回路図、（ｂ）は本発明の第１実施
形態のインピーダンス・マッチング回路の基本構成を示
す回路図である。
【図２】本発明の第１実施形態のインピーダンス・マッ
チング回路の具体的構成を示す回路図である。
チング回路の具体的構成を示す回路図である。
【図３】（ａ）は図２に示す第１実施形態のインピーダ
ンス・マッチング回路の第１リアクタンス回路の回路
図、（ｂ）はその第２リアクタンス回路の回路図であ
る。
ンス・マッチング回路の第１リアクタンス回路の回路
図、（ｂ）はその第２リアクタンス回路の回路図であ
る。
【図４】（ａ）は図２に示すインピーダンス・マッチン
グ回路における第１リアクタンス回路のリアクタンスの
周波数特性図、（ｂ）はその第１リアクタンス回路に使
用されたコイルのリアクタンスの周波数特性図、（ｃ）
はその第１リアクタンス回路に使用された並列共振回路
のリアクタンスの周波数特性図である。
グ回路における第１リアクタンス回路のリアクタンスの
周波数特性図、（ｂ）はその第１リアクタンス回路に使
用されたコイルのリアクタンスの周波数特性図、（ｃ）
はその第１リアクタンス回路に使用された並列共振回路
のリアクタンスの周波数特性図である。
【図５】図４０に示す従来のインピーダンス・マッチン
グ回路の回路図である。
グ回路の回路図である。
【図６】図５に示す従来のインピーダンス・マッチング
回路の動作を示すスミス・チャートである。
回路の動作を示すスミス・チャートである。
【図７】図２に示す第１実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路の第１リアクタンス回路の動作を示すスミ
ス・チャートである。
ッチング回路の第１リアクタンス回路の動作を示すスミ
ス・チャートである。
【図８】図４０に示す従来の第１インピーダンス・マッ
チング回路において、各コイルをコンデンサに代えた従
来のインピーダンス・マッチング回路の回路図である。
チング回路において、各コイルをコンデンサに代えた従
来のインピーダンス・マッチング回路の回路図である。
【図９】（ａ）は図１２に示す本発明の第２実施形態の
インピーダンス・マッチング回路の第１リアクタンス回
路の回路図、（ｂ）はその第２リアクタンス回路の回路
図である。
インピーダンス・マッチング回路の第１リアクタンス回
路の回路図、（ｂ）はその第２リアクタンス回路の回路
図である。
【図１０】（ａ）は第２実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路の第１リアクタンス回路のリアクタンスの
周波数特性図、（ｂ）はその第１リアクタンス回路に使
用されたコンデンサのリアクタンスの周波数特性図であ
る。
ッチング回路の第１リアクタンス回路のリアクタンスの
周波数特性図、（ｂ）はその第１リアクタンス回路に使
用されたコンデンサのリアクタンスの周波数特性図であ
る。
【図１１】第２実施形態のインピーダンス・マッチング
回路の第１リアクタンス回路の動作を示すスミス・チャ
ートである。
回路の第１リアクタンス回路の動作を示すスミス・チャ
ートである。
【図１２】本発明の第２実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路の回路構成を示す回路図である。
ッチング回路の回路構成を示す回路図である。
【図１３】本発明の第３実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路に使用する第１リアクタンス回路の回路図
である。
ッチング回路に使用する第１リアクタンス回路の回路図
である。
【図１４】図１３に示す本発明の第３実施形態のインピ
ーダンス・マッチング回路に使用する第１リアクタンス
回路のリアクタンスの周波数特性図である。
ーダンス・マッチング回路に使用する第１リアクタンス
回路のリアクタンスの周波数特性図である。
【図１５】本発明の第４実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路に使用する第１リアクタンス回路の回路図
である。
ッチング回路に使用する第１リアクタンス回路の回路図
である。
【図１６】図１５に示す本発明の第４実施形態のインピ
ーダンス・マッチング回路に使用するの第１リアクタン
ス回路のリアクタンスの周波数特性図である。
ーダンス・マッチング回路に使用するの第１リアクタン
ス回路のリアクタンスの周波数特性図である。
【図１７】コンデンサのみからなるリアクタンス回路の
回路図と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
回路図と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
【図１８】コイルのみからなるリアクタンス回路の回路
図と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
図と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
【図１９】直列接続されたコンデンサとコイルからなる
リアクタンス回路の回路図と、そのアドミッタンスの周
波数特性図である。
リアクタンス回路の回路図と、そのアドミッタンスの周
波数特性図である。
【図２０】本発明の第５実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコンデンサからなるリアクタンス回路の回路図
と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコンデンサからなるリアクタンス回路の回路図
と、そのアドミッタンスの周波数特性図である。
【図２１】本発明の第６実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコイルからなるリアクタンス回路の回路図と、
そのアドミッタンスの周波数特性図である。
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコイルからなるリアクタンス回路の回路図と、
そのアドミッタンスの周波数特性図である。
【図２２】本発明の第７実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコンデンサおよびコイルからなるリアクタンス
回路の回路図と、そのアドミッタンスの周波数特性図で
ある。
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、コンデ
ンサとコイルからなる直列共振回路と、それに並列に接
続されたコンデンサおよびコイルからなるリアクタンス
回路の回路図と、そのアドミッタンスの周波数特性図で
ある。
【図２３】本発明の第８実施形態のインピーダンス・マ
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、それぞ
れがコンデンサとコイルからなる二つの直列共振回路
と、コンデンサと、コイルとを並列に接続してなるリア
クタンス回路の回路図と、そのアドミッタンスの周波数
特性図である。
ッチング回路のリアクタンス回路に使用される、それぞ
れがコンデンサとコイルからなる二つの直列共振回路
と、コンデンサと、コイルとを並列に接続してなるリア
クタンス回路の回路図と、そのアドミッタンスの周波数
特性図である。
【図２４】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
無線通信機の受信機に適用した場合の具体的構成を示す
回路図である。
無線通信機の受信機に適用した場合の具体的構成を示す
回路図である。
【図２５】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
図３８または図３９に示す回路構成の受信機に適用した
場合の回路構成を示すブロック図である。
図３８または図３９に示す回路構成の受信機に適用した
場合の回路構成を示すブロック図である。
【図２６】「Ｌ−Ｃマッチング」の構成を持つ従来のイ
ンピーダンス・マッチング回路と、本発明のインピーダ
ンス・マッチング回路の変形例を示す回路図である。
ンピーダンス・マッチング回路と、本発明のインピーダ
ンス・マッチング回路の変形例を示す回路図である。
【図２７】「Ｃ−Ｌマッチング」の構成を持つ従来のイ
ンピーダンス・マッチング回路と、本発明のインピーダ
ンス・マッチング回路の変形例を示す回路図である。
ンピーダンス・マッチング回路と、本発明のインピーダ
ンス・マッチング回路の変形例を示す回路図である。
【図２８】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続の変形例を示す回路図である。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続の変形例を示す回路図である。
【図２９】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続の他の変形例を示す回路図であ
る。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続の他の変形例を示す回路図であ
る。
【図３０】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
【図３１】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
【図３２】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
【図３３】本発明のインピーダンス・マッチング回路を
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
適用可能な、入力端子対と出力端子対の間におけるイン
ピーダンス回路の接続のさらに他の変形例を示す回路図
である。
【図３４】携帯電話機に使用される従来の単一バンド受
信回路（図３７参照）のＶＳＷＲの周波数特性図であ
る。
信回路（図３７参照）のＶＳＷＲの周波数特性図であ
る。
【図３５】携帯電話機に使用される従来の二バンド受信
回路（図３８と図３９参照）のＶＳＷＲの周波数特性図
である。
回路（図３８と図３９参照）のＶＳＷＲの周波数特性図
である。
【図３６】携帯電話機に使用される従来の二バンド受信
回路のＶＳＷＲの周波数特性図である。
回路のＶＳＷＲの周波数特性図である。
【図３７】携帯電話機に使用される従来の単一バンド受
信回路の構成例を示す回路図である。
信回路の構成例を示す回路図である。
【図３８】携帯電話機に使用される従来の二バンド受信
回路の構成例を示す回路図である。
回路の構成例を示す回路図である。
【図３９】携帯電話機に使用される従来の二バンド受信
回路の他の構成例を示す回路図である。
回路の他の構成例を示す回路図である。
【図４０】従来のインピーダンス・マッチング回路の構
成例を示す回路図である。
成例を示す回路図である。
【符号の説明】 １、１ａ インピーダンス・マッチング回路 ２、２’ 入力端子 ３、３’ 出力端子 ４、４’、５ 高周波回路 １０ 第１インピーダンス回路 １０ａ 第１リアクタンス回路 １１、１２ コイル １３ コンデンサ １４ 並列共振回路 ２０ 第２インピーダンス回路 ２０ａ 第２リアクタンス回路 ２１、２２ コイル ２３ コンデンサ ２４ 並列共振回路 ３０ 第１リアクタンス回路 ３０’ 第３インピーダンス回路 ３１、３２ コンデンサ ３３ コイル ３４ 並列共振回路 ４０ 第２リアクタンス回路 ４０’ 第４インピーダンス回路 ４１、４２ コンデンサ ４３ コイル ４４ 並列共振回路 ５０、５０Ａ 第１リアクタンス回路 ５０’ 第５インピーダンス回路 ５１、５４、５７ コイル ５２、５３、５６ コンデンサ ５５、５８ 並列共振回路 ６１、６１’、６３ コンデンサ ６２、６２’、６４ コイル ８１、８２ 直列共振回路 １０１ アンテナ １０２ｃ 高周波増幅器 １０３ 周波数ミキサ １０４ａ、１０４ｂ 局部発振器 １０５ 中間周波増幅器 １０６ 復調器 １１０ スイッチ
Claims (27)
- 【請求項１】 複数のリアクタンス素子を含むインピー
ダンス・マッチング回路を用いて、第１回路と第２回路
の間で二つ以上の異なる周波数におけるインピーダンス
・マッチングを行うインピーダンス・マッチング方法に
おいて、 前記インピーダンス・マッチング回路内の複数のリアク
タンス素子の各々と等価であり、しかも前記二つ以上の
異なる周波数においてそれぞれ所望のリアクタンス値を
与える周波数特性を持つリアクタンス回路を構成する第
１ステップと、 前記第１ステップで構成された前記リアクタンス回路の
各々を形成するリアクタンス素子のリアクタンス値を算
出する第２ステップと、 前記第２ステップで算出されたリアクタンス値を有する
前記リアクタンス回路を用いて、前記二つ以上の異なる
周波数において前記インピーダンス・マッチング回路の
インピーダンス値を決定し、もってそれら異なる周波数
において前記第１回路のインピーダンス値と前記第２回
路のインピーダンス値をそれらの最適値にマッチングさ
せる第３ステップとを備えたことを特徴とするインピー
ダンス・マッチング方法。 - 【請求項２】 前記第１ステップで構成された前記リア
クタンス回路の各々が共振回路を含んでおり、しかもそ
の共振回路の共振周波数は、前記二つ以上の異なる周波
数のうちの隣接する二つの周波数の間に位置している請
求項１に記載のインピーダンス・マッチング方法。 - 【請求項３】 前記共振回路が、複数のリアクタンス素
子の並列共振回路である請求項２に記載のインピーダン
ス・マッチング方法。 - 【請求項４】 前記共振回路が、互いに並列に接続され
た誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を
含む並列共振回路である請求項２に記載のインピーダン
ス・マッチング方法。 - 【請求項５】 前記共振回路が、複数のリアクタンス素
子の直列共振回路である請求項２に記載のインピーダン
ス・マッチング方法。 - 【請求項６】 前記共振回路が、互いに直列に接続され
た誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子を
含む直列共振回路である請求項２に記載のインピーダン
ス・マッチング方法。 - 【請求項７】 前記第２ステップにおけるリアクタンス
値の算出が、前記二つ以上の異なる周波数のうちの一つ
の周波数における前記第２回路のインピーダンス値に対
応する点を中心点に配置したスミス・チャートまたはア
ドミッタンス・チャートを使用して行われ、 しかも、その際に、 前記二つ以上の異なる周波数における前記第１回路のイ
ンピーダンス値にそれぞれ対応する点を前記スミス・チ
ャートまたはアドミッタンス・チャート上に配置するス
テップと、 前記スミス・チャートまたはアドミッタンス・チャート
上に配置された前記第１回路のインピーダンス値にそれ
ぞれ対応する点を、前記スミス・チャートまたはアドミ
ッタンス・チャートの中心点を通る共通の円周上にそれ
ぞれ移動させるステップと、 前記共通の円周上に移動せしめられた前記第１回路のイ
ンピーダンス値にそれぞれ対応する点を前記中心点に重
なるように移動させるステップとが実行される請求項１
〜６のいずれかに記載のインピーダンス・マッチング方
法。 - 【請求項８】 第１回路と第２回路の間で二つ以上の異
なる周波数におけるインピーダンス・マッチングを行う
ために使用されるインピーダンス・マッチング回路にお
いて、 前記第１回路が接続される第１端子対と、 前記第２回路が接続される第２端子対と、 前記第１端子対と前記第２端子対の間に設けられた複数
のインピーダンス回路とを備え、 前記複数のインピーダンス回路の各々は、前記二つ以上
の異なる周波数においてそれぞれ所定のリアクタンス値
を与える周波数特性を持つリアクタンス回路を有してい
て、そのリアクタンス回路によってそれら異なる周波数
においてそれぞれ所定のインピーダンス値が設定されて
おり、 しかも、それら異なる周波数における前記複数のインピ
ーダンス回路の合成インピーダンス値は、前記第１回路
のインピーダンス値と前記第２回路のインピーダンス値
とをそれらの最適値にマッチングさせるように設定され
ることを特徴とするインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項９】 前記複数のリアクタンス回路の各々が共
振回路を含んでおり、しかもその共振回路の共振周波数
は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接する二つ
の周波数の間に位置している請求項８に記載のインピー
ダンス・マッチング回路。 - 【請求項１０】 前記共振回路が、複数のリアクタンス
素子の並列共振回路である請求項９に記載のインピーダ
ンス・マッチング回路。 - 【請求項１１】 前記共振回路が、互いに並列に接続さ
れた誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子
を含む並列共振回路である請求項９に記載のインピーダ
ンス・マッチング回路。 - 【請求項１２】 前記共振回路が、互いに並列に接続さ
れた誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子
を含む並列共振回路であり、しかも、誘導性リアクタン
ス素子および容量性リアクタンス素子の少なくとも一方
が前記並列共振回路に直列に接続されている請求項９に
記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項１３】 前記複数のリアクタンス回路の各々
が、互いに直列に接続された複数の共振回路を含んでお
り、しかもそれら複数の共振回路の共振周波数の各々
は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接する二つ
の周波数の間に位置している請求項８に記載のインピー
ダンス・マッチング回路。 - 【請求項１４】 前記共振回路の各々が、互いに並列に
接続された誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタン
ス素子を含む並列共振回路である請求項１３に記載のイ
ンピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項１５】 前記共振回路の各々が、互いに並列に
接続された誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタン
ス素子を含む並列共振回路であり、しかも、誘導性リア
クタンス素子および容量性リアクタンス素子の少なくと
も一方が前記並列共振回路に直列に接続されている請求
項１３に記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項１６】 前記共振回路が、複数のリアクタンス
素子の直列共振回路である請求項９に記載のインピーダ
ンス・マッチング回路。 - 【請求項１７】 前記共振回路が、互いに直列に接続さ
れた誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子
を含む直列共振回路である請求項９に記載のインピーダ
ンス・マッチング回路。 - 【請求項１８】 前記共振回路が、互いに直列に接続さ
れた誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタンス素子
とを含む直列共振回路であり、しかも、誘導性リアクタ
ンス素子および容量性リアクタンス素子の少なくとも一
方が前記直列共振回路に並列に接続されている請求項９
に記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項１９】 前記複数のリアクタンス回路の各々
が、互いに並列に接続された複数の共振回路を含んでお
り、しかもそれら複数の共振回路の共振周波数の各々
は、前記二つ以上の異なる周波数のうちの隣接する二つ
の周波数の間に位置している請求項８に記載のインピー
ダンス・マッチング回路。 - 【請求項２０】 前記共振回路の各々が、互いに直列に
接続された誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタン
ス素子を含む直列共振回路である請求項１９に記載のイ
ンピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２１】 前記共振回路の各々が、互いに直列に
接続された誘導性リアクタンス素子と容量性リアクタン
ス素子を含む直列共振回路であり、しかも、誘導性リア
クタンス素子および容量性リアクタンス素子の少なくと
も一方が前記直列共振回路に並列に接続されている請求
項１９に記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２２】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダン
ス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対間または前
記第２端子対間に接続されている請求項８〜２１のいず
れかに記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２３】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダン
ス回路のうちの他の二つが、前記第１端子対間および前
記第２端子対間にそれぞれ接続されている請求項８〜２
１のいずれかに記載のインピーダンス・マッチング回
路。 - 【請求項２４】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダン
ス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の端
子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
一つが、前記第１端子対間または前記第２端子対間に接
続されている請求項８〜２１のいずれかに記載のインピ
ーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２５】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の一つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子とに接続され、前記複数のインピーダン
ス回路のうちの他の一つが、前記第１端子対の他方の端
子と前記第２端子対の他方の端子とに接続され、しか
も、前記複数のインピーダンス回路のうちのさらに他の
二つが、前記第１端子対間および前記第２端子対間にそ
れぞれ接続されている請求項８〜２１のいずれかに記載
のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２６】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数のイ
ンピーダンス回路のうちのさらに他の一つが、直列に接
続された前記二つのインピーダンス回路の接続点と、前
記第１端子対の他方の端子および前記第２端子対の他方
の端子とに接続されている請求項８〜２１のいずれかに
記載のインピーダンス・マッチング回路。 - 【請求項２７】 前記複数のインピーダンス回路のうち
の二つが、前記第１端子対の一方の端子と前記第２端子
対の一方の端子との間で直列に接続され、前記複数のイ
ンピーダンス回路のうちの他の二つが、前記第１端子対
の他方の端子と前記第２端子対の他方の端子との間で直
列に接続され、しかも、前記複数のインピーダンス回路
のうちのさらに他の一つが、直列に接続された前記二つ
のインピーダンス回路の接続点と、直列に接続された前
記他の二つのインピーダンス回路の接続点とに接続され
ている請求項８〜２１のいずれかに記載のインピーダン
ス・マッチング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11130834A JP2000036721A (ja) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | インピ―ダンス・マッチング方法とインピ―ダンス・マッチング回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907598 | 1998-05-12 | ||
| JP10-129075 | 1998-12-05 | ||
| JP11130834A JP2000036721A (ja) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | インピ―ダンス・マッチング方法とインピ―ダンス・マッチング回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036721A true JP2000036721A (ja) | 2000-02-02 |
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ID=26464587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11130834A Pending JP2000036721A (ja) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | インピ―ダンス・マッチング方法とインピ―ダンス・マッチング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000036721A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534697A (ja) * | 2000-05-25 | 2003-11-18 | ブロードバンド・イノベーションズ・インコーポレイテッド | 狭周波数バンド共振器フィルタのインピーダンスを負荷及び信号源とブロードバンドマッチングさせるための方法及び装置 |
| JP2004312741A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Stmicroelectronics Sa | 一体型の二帯域インダクタンス及びその応用 |
| JP2007201644A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 携帯電話機 |
| JP2007329669A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電力増幅装置 |
| JP2008263286A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 周波数可変増幅器 |
| JP2009519656A (ja) * | 2005-12-14 | 2009-05-14 | ディブコム | 改善された低雑音増幅器 |
| JP2010062976A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | ノッチアンテナおよび無線装置 |
| US8019306B2 (en) | 2003-12-10 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Amplifier and communication apparatus |
| JP2011530254A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 動的なインピーダンスマッチングネットワーク、およびソースと負荷の間のインピーダンスをマッチングさせる方法 |
| KR20120049665A (ko) * | 2010-11-09 | 2012-05-17 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 |
| JP2015089129A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社 ハイヂィープ | アンテナ装置 |
| JP2017524299A (ja) * | 2014-08-04 | 2017-08-24 | トムソン ライセンシングＴｈｏｍｓｏｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ | マルチバンド受信器のためのフィルタ終端の組み合わせ |
| CN109510606A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-22 | 北京小米移动软件有限公司 | 级联电路 |
| WO2023090250A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置、アンテナ装置、およびアンテナモジュール |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP11130834A patent/JP2000036721A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534697A (ja) * | 2000-05-25 | 2003-11-18 | ブロードバンド・イノベーションズ・インコーポレイテッド | 狭周波数バンド共振器フィルタのインピーダンスを負荷及び信号源とブロードバンドマッチングさせるための方法及び装置 |
| JP2004312741A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Stmicroelectronics Sa | 一体型の二帯域インダクタンス及びその応用 |
| US8019306B2 (en) | 2003-12-10 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Amplifier and communication apparatus |
| JP2009519656A (ja) * | 2005-12-14 | 2009-05-14 | ディブコム | 改善された低雑音増幅器 |
| JP2007201644A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 携帯電話機 |
| JP4670741B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅装置 |
| JP2007329669A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電力増幅装置 |
| JP2008263286A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 周波数可変増幅器 |
| JP2011530254A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 動的なインピーダンスマッチングネットワーク、およびソースと負荷の間のインピーダンスをマッチングさせる方法 |
| JP2010062976A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | ノッチアンテナおよび無線装置 |
| US8120542B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-02-21 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Notch antenna and wireless device |
| KR20120049665A (ko) * | 2010-11-09 | 2012-05-17 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 |
| KR101663010B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2016-10-06 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 |
| US9641149B2 (en) | 2010-11-09 | 2017-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matching segment circuit to which radio frequency is applied and radio frequency integrated devices using the matching segment circuit |
| JP2015089129A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社 ハイヂィープ | アンテナ装置 |
| JP2017524299A (ja) * | 2014-08-04 | 2017-08-24 | トムソン ライセンシングＴｈｏｍｓｏｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ | マルチバンド受信器のためのフィルタ終端の組み合わせ |
| CN109510606A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-22 | 北京小米移动软件有限公司 | 级联电路 |
| WO2023090250A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置、アンテナ装置、およびアンテナモジュール |
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|---|---|---|---|
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