KR101663010B1 - Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 - Google Patents

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Abstract

RF용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 RF 통합 소자를 제공한다. RF용 매칭 세그먼트 회로는 제1 RF 소자와 연결되는 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터 및 제2 RF 소자와 연결되는 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된다.

Description

ＲＦ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ＲＦ통합 소자{MATCHING SEGMENT CIRCUIT APPLIED TO RADIO FREQUENCY AND RADIO FREQUENCY INTEGRATED DEVICES USING THE MATCHING SEGMENT CIRCUIT}
기술분야는 입력단과 출력단의 임피던스차에 의한 반사를 줄이기 위한 매칭 회로 및 상기 매칭 회로를 이용한 RF 통합소자에 관한 것이다.
RF(Radio Frequency)용 듀플렉서 또는 멀티플렉서의 입력단과 출력단에 서로 다른 RF 소자를 연결하면, 서로 다른 두 연결단의 임피던스 차이에 의해 신호 또는 전력이 반사된다. 따라서, 전송효율이 감소하게 된다. 일반적으로 서로 다른 두 연결단의 임피던스 차이는 매칭 회로에 의해 보정된다. 예를 들면, 기존의 BAWR(BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR) 듀플렉서에서 서로 다른 두 연결단의 임피던스 차이는 1/4 파장 전송선로를 이용하여 보정되었다.
일 측면에 있어서, RF용 매칭 세그먼트 회로는 제1 RF 소자와 연결되는 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터 및 제2 RF 소자와 연결되는 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된다.
다른 일 측면에 있어서, RF용 매칭 세그먼트 회로는 제1 RF 소자와 연결되는 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 캐패시터 및 제2 RF 소자와 연결되는 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 캐패시터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된다.
다른 일 측면에 있어서, RF용 매칭 세그먼트 회로는 제1 RF 소자와 연결되는 제1 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 제1 병렬 세그먼트, 상기 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터 및 제2 RF 소자와 연결되는 제1 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제1 매칭부 및 제3 RF 소자와 연결되는 제2 입력단, 제2 캐패시터 및 제3 인덕터가 병렬로 연결된 제2 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터 및 제4 RF 소자와 연결되는 제2 출력단을 포함하고, 상기 제2 캐패시터, 상기 제3 인덕터 및 상기 제3 캐패시터는 상기 제3 RF 소자와 상기 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제2 매칭부를 포함한다.
상기 제1 매칭부의 상기 제1 출력단과 상기 제2 매칭부의 상기 제2 입력단이 직렬로 연결된다.
상기 제1 RF 소자와 상기 제3 RF 소자는 서로 동일한 하나의 RF 소자이고,
상기 제2 RF 소자와 상기 제4 RF 소자는 서로 동일한 다른 하나의 RF 소자이다.
상기 제1 매칭부의 상기 제1 입력단과 상기 제2 매칭부의 상기 제2 출력단이 직렬로 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, RF용 매칭 세그먼트 회로는 제5 RF 소자와 연결되는 제3 입력단을 더 포함하고, 상기 제1 매칭부의 상기 제1 입력단은 상기 제3 입력단과 연결되고, 상기 제2 매칭부의 상기 제2 입력단은 상기 제3 입력단과 연결되며, 상기 제2 RF 소자와 상기 제4 RF 소자는 서로 동일한 하나의 RF 소자이다.
일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 제1 RF 소자와 연결되는 제1 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터 및 제2 RF 소자와 연결되는 제1 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제1 매칭부 및 제2 입력단 및 제2 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제1 통합소자를 포함한다.
상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단 및 제2 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제2 출력단은 상기 제1 입력단과 연결된다.
상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단 및 제2 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제2 입력단은 상기 제1 출력단과 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제2 통합소자 및 신호를 송수신하는 안테나단을 더 포함한다.
상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단 및 제2 출력단을 포함하는 수신 필터이고, 상기 제2 통합소자는 송신 필터이고, 상기 제2 입력단은 상기 제1 출력단과 연결되고, 상기 제3 입력단 및 상기 제1 입력단은 상기 안테나단과 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 제1 RF 소자와 연결되는 제1 입력단, 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 제1 병렬 세그먼트, 상기 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터 및 제2 RF 소자와 연결되는 제1 출력단을 포함하고, 상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제1 매칭부 및 제3 RF 소자와 연결되는 제2 입력단, 제2 캐패시터 및 제3 인덕터가 병렬로 연결된 제2 병렬 세그먼트, 상기 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터 및 제4 RF 소자와 연결되는 제2 출력단을 포함하고, 상기 제2 캐패시터, 상기 제3 인덕터 및 상기 제3 캐패시터는 상기 제3 RF 소자와 상기 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제2 매칭부 및 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제1 통합소자를 포함한다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 제5 RF 소자와 연결되는 제4 입력단을 더 포함하고, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 제4 입력단과 연결되며, 상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제3 출력단은 상기 제4 입력단과 연결된다.
상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 밸런스 필터이고, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 제3 출력단과 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 제5 RF 소자와 연결되는 제4 출력단을 더 포함하고, 상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단은 상기 제4 출력단과 연결되고, 상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제3 입력단은 상기 제4 출력단과 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 제5 RF 소자와 연결되는 제4 입력단을 더 포함하고, 상기 제4 입력단은 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단과 연결되며, 상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 밸런스 필터이고, 상기 제3 입력단은 상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단과 연결된다.
다른 일 측면에 있어서, 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제4 입력단 및 제4 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제2 통합소자 및 신호를 송수신하는 안테나단을 더 포함한다.
상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 수신 필터이고, 상기 제2 통합소자는 송신 필터이고, 상기 제3 입력단은 상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단과 연결되고, 상기 제4 입력단, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 안테나단과 연결된다.
RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용함으로써 보다 작은 크기를 가지면서도 서로 다른 입력단과 출력단의 임피던스를 효율적으로 매칭시킬 수 있다.
또한, RF용 매칭 세그먼트 회로를 포함한 듀플렉서를 이용함으로써 듀플렉서의 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 소형 RF 통합소자를 이용함으로써 RF 무선 통신기기를 더욱 작게 만들 수 있다.
또한, RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용함으로써 임피던스가 효율적으로 매칭되어 전력 손실을 감소시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로를 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 4는 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로의 다른 일 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로의 또 다른 일 예를 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 8은 일 실시예에 따른 RF 통합소자를 나타낸 도면이다.
이하, 일측에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 및 RF 통합소자는 모바일 기기에 탑재됨으로써 무선 이동 통신 서비스 분야에 적용될 수 있다. 보다 구체적으로, RF용 매칭 세그먼트 회로 및 RF 통합소자는 RF 듀플렉서(Duplexer) 또는 RF 멀티플렉서(Multiplexer)의 출력단과 입력단 사이의 임피던스 차이에 의한 반사를 줄이기 위한 매칭부로 활용될 수 있다. 특히, RF용 매칭 세그먼트 회로 및 RF 통합소자는 위상(phase) 특성상 매칭이 필요한 BAWR 듀플렉서의 구성요소 또는 외부 연결부로 사용될 수 있다. BAWR(Bulk Acoustic Wave Resonator)은 압전층의 상하에 위치한 전극을 통해 동작된다. BAWR은 상하 전극에 고주파 전위가 인가되면 압전층이 진동하면서 필터로서 동작할 수 있다.
BAWR은 공진 현상을 이용하여 특정 주파수의 파(Wave) 또는 진동을 끌어내기 위한 장치로써, 필터 및 발진기(Oscillator)와 같은 RF 장치의 부품으로 이용될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로는 입력단(110), 병렬 세그먼트(120), 직렬 세그먼트(130), 출력단(140)을 포함한다. 도 1의 (A)는 직렬 세그먼트(130)의 구성요소가 인덕터(131)이고, (B)는 직렬 세그먼트(130)의 구성요소가 캐패시터(133)인 경우이다. RF용 매칭 세그먼트 회로란 입력단(110)과 출력단(140) 사이의 임피던스 차이를 매칭시키기 위한 복수개의 매칭 요소들로 구성된 회로를 의미한다.
입력단(110)은 싱글 입력 포트로 구성되어 외부의 제1 RF 소자와 연결된다. 입력단(110)은 제1 RF 소자로부터 신호를 입력 받을 수 있다. 병렬 세그먼트(120)는 제1 캐패시터(121) 및 제1 인덕터(123)가 병렬로 연결된 구조이다. 직렬 세그먼트(130)는 병렬 세그먼트(120)와 직렬로 연결되며, 제2 인덕터(131)로 구성된다. 또한, 제2 캐패시터(133)로 구성될 수도 있다. 병렬 세그먼트(120) 및 직렬 세그먼트(130)의 구성요소는, 제1 RF 소자와 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다. 즉, 병렬 세그먼트(120)의 구성요소인 제1 캐패시터(121), 제1 인덕터(123) 및 직렬 세그먼트(130)의 구성요소인 제2 인덕터(131) 또는 제2 캐패시터(133)는 입력단(110)과 출력단(140) 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다. 출력단(140)은 싱글 출력 포트로 구성되어 외부의 제2 RF 소자와 연결된다. 출력단(140)은 제2 RF 소자에 '병렬 세그먼트(120)와 직렬 세그먼트(130)를 통하여 매칭된 신호'를 전달할 수 있다.
RF용 매칭 세그먼트 회로의 구조를 보다 구체적으로 살펴보면, (A)에서 제1 캐패시터(121)의 일단은 입력단(110)과 연결되며, 제1 캐패시터(121)의 타단은 접지된다. 제1 인덕터(123)의 일단은 입력단(110)과 연결되며, 제1 인덕터(123)의 타단은 접지된다. 제2 인덕터(131)의 일단은 병렬 세그먼트(120)와 연결되며, 제2 인덕터(131)의 타단은 출력단(140)과 연결된다. (B)에서 제1 캐패시터(121)의 일단은 입력단(110)과 연결되며, 제1 캐패시터(121)의 타단은 접지된다. 제1 인덕터(123)의 일단은 입력단(110)과 연결되며, 제1 인덕터(123)의 타단은 접지된다. 제2 캐패시터(133)의 일단은 병렬 세그먼트(120)와 연결되며, 제2 캐패시터(133)의 타단은 출력단(140)과 연결된다.
도 2 내지 도 4는 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로의 다른 일 예를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (A)는 입력단(210), 캐패시터(230), 인덕터(240) 및 출력단(220)으로 구성되는 L형 회로를 포함할 수 있다. 캐패시터(230)와 인덕터(240)의 값은 입력단(210)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(220)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (B)는 입력단(210), 인덕터(250), 캐패시터(260) 및 출력단(220)으로 구성되는 L형 회로를 포함할 수 있다. 인덕터(250)와 캐패시터(260)의 값은 입력단(210)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(220)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (C)는 입력단(210), 제1 인덕터(270), 제2 인덕터(280), 출력단(220)으로 구성되는 L형 회로를 포함할 수 있다. 제1 인덕터(270)와 제2 인덕터(280)의 값은 입력단(210)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(220)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
도 3을 참조하면, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (A)는 입력단(310), 제1 인덕터(340), 제1 캐패시터(330), 제2 캐패시터(350) 및 출력단(320)으로 구성되는 파이형 회로를 포함할 수 있다. 제1 인덕터(340), 제1 캐패시터(330) 및 제2 캐패시터(350)의 값은 입력단(310)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(320)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (B)는 입력단(310), 제1 캐패시터(360), 제1 인덕터(370), 제2 캐패시터(380) 및 출력단(320)으로 구성되는 T형 회로를 포함할 수 있다. 제1 캐패시터(360), 제1 인덕터(370) 및 제2 캐패시터(380)의 값은 입력단(310)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(320)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
도 4를 참조하면, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (A)는 입력단(410), 제1 인덕터(430), 제2 인덕터(440), 제1 캐패시터(450) 및 출력단(420)으로 구성되는 T형 회로를 포함할 수 있다. 제1 인덕터(430), 제2 인덕터(440) 및 제1 캐패시터(450)의 값은 입력단(410)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(420)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로 (B)는 입력단(410), 제1 인덕터(460), 제1 캐패시터(470), 제2 인덕터(480) 및 출력단(320)으로 구성되는 파이형 회로를 포함할 수 있다. 제1 인덕터(460), 제1 캐패시터(470) 및 제2 인덕터(480)의 값은 입력단(410)에 연결되는 제1 RF 소자와 출력단(420)에 연결되는 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로의 또 다른 일 예를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 도 1 내지 도 4의 각 RF용 매칭 세그먼트 회로가 다양한 형태로 연결된 구조이다. (A)는 싱글 포트의 입력단 및 출력단을 가진 Single Ended Type의 RF용 매칭 세그먼트 회로이다. (B)는 싱글 포트의 입력단 및 듀얼 포트의 출력단을 가지는 Balun Type의 RF용 매칭 세그먼트 회로이다. (C)는 듀얼 포트의 입력단 및 출력단을 가진 Balance Type의 RF용 매칭 세그먼트 회로이다. (A), (B) 및 (C)를 참조하면, 도 1 내지 도 4의 RF용 매칭 세그먼트 회로는 제1 매칭부 및 제2 매칭부에 적용될 수 있다.
(A)를 참조하면, RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 입력단(511), 제1 매칭부(510), 제2 매칭부(520) 및 출력단(523)을 포함한다. 이때, 제1 매칭부(510) 및 제2 매칭부(520)에 도 1 내지 도 4의 RF용 매칭 세그먼트 회로가 적용될 수 있다.
예를 들면, 도 1의 (A)는 제1 매칭부(510)에, (B)는 제2 매칭부(520)에 적용될 수 있다. 이 경우에 제1 매칭부(510)는 제1 입력단(511), 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(513)을 포함하고, 제2 매칭부(520)는 제2 입력단(521), 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(523)을 포함할 수 있다.
제1 병렬 세그먼트는 제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 구조이고, 제2 인덕터는 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된다. 제2 병렬 세그먼트는 제2 캐패시터 및 제3 인덕터가 병렬로 연결된 구조이고, 제3 캐패시터는 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된다.
제1 입력단(511)은 전체 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 입력단(511)이고, 제2 출력단(523)은 전체 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 출력단(523)이다.
제1 입력단(511)은 외부의 제1 RF 소자와 연결되어 있다. 제1 출력단(513)은 제2 RF 소자와 연결되어 있다. 그런데, 제1 출력단(513)은 제2 입력단(521)과 직렬로 연결되어 있으므로 (A)에서 제2 RF 소자는 제2 매칭부(520)가 된다. 또한, 제2 입력단(521)은 제3 RF 소자와 연결되어 있다. 그런데, 제2 입력단(521)은 제1 출력단(513)과 연결되어 있으므로 (A)에서 제3 RF 소자는 제1 매칭부(510)가 된다. 제2 출력단(523)은 제4 RF 소자와 연결되어 있다.
이때, 제1 캐패시터, 제1 인덕터, 제2 인덕터, 제2 캐패시터, 제3 인덕터 및 제3 캐패시터는 제1 입력단(511)에 연결된 제1 RF 소자와 제2 출력단(523)에 연결된 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 다른 일 예로 도 1의 (B)는 제1 매칭부(510)에, (A)는 제2 매칭부(520)에 적용될 수 있다.
(B)를 참조하면, RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 입력단(550), 제1 매칭부(530), 제2 매칭부(540) 및 출력단(533,543)을 포함한다. 이때, 제1 매칭부(530) 및 제2 매칭부(540)에 도 1 내지 도 4의 RF용 매칭 세그먼트 회로가 적용될 수 있다.
예를 들면, 도 1의 (A)는 제1 매칭부(530)에, (B)는 제2 매칭부(540)에 적용될 수 있다. 이 경우에 제1 매칭부(530)는 제1 입력단(531), 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(533)을 포함하고, 제2 매칭부(540)는 제2 입력단(541), 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(543)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 입력단(531) 및 제2 입력단(541)은 제3 입력단(550)으로 연결된다. 제3 입력단은 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 입력단(550)이다. 즉, 싱글 포트를 통해 입력된 신호는 제1 매칭부(530) 및 제2 매칭부(540)를 통해 듀얼 포트로 출력된다. 또한, 제1 출력단(533) 및 제2 출력단(543)은 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 듀얼 포트로 구성된 출력단(533,543)이다.
제1 매칭부(530)의 제1 입력단(531)과 연결된 제1 RF 소자, 제2 매칭부(540)의 제2 입력단(541)과 연결된 제3 RF 소자는 제3 입력단(550)과 연결된 제5 RF 소자와 동일하다. 즉, 하나의 RF 소자로부터 동일한 신호를 입력 받는다. 제1 매칭부(530)의 제1 출력단(533)과 연결된 제2 RF 소자 및 제2 매칭부(540)의 제2 출력단(543)과 연결된 제4 RF 소자는 서로 동일하다. 즉, RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 하나의 신호를 입력 받아 두개의 신호를 출력하는 Balun Type의 구조를 가진다.
이때, 제1 캐패시터, 제1 인덕터, 제2 인덕터, 제2 캐패시터, 제3 인덕터 및 제3 캐패시터는 제3 입력단(550)에 연결된 제5 RF 소자와 제1 출력단(533) 및 제2 출력단(543)에 연결된 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 다른 일 예로 도 1의 (B)는 제1 매칭부(530)에, (A)는 제2 매칭부(540)에 적용될 수 있다.
(C)를 참조하면, RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 입력단(561,571), 제1 매칭부(560), 제2 매칭부(570) 및 출력단(563,573)을 포함한다. 이때, 제1 매칭부(560) 및 제2 매칭부(570)에 도 1 내지 도 4의 RF용 매칭 세그먼트 회로가 적용될 수 있다.
예를 들면, 도 1의 (A)는 제1 매칭부(560)에, (B)는 제2 매칭부(570)에 적용될 수 있다. 이 경우에 제1 매칭부(560)는 제1 입력단(561), 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(563)을 포함하고, 제2 매칭부(570)는 제2 입력단(571), 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(573)을 포함할 수 있다.
제1 입력단(561) 및 제2 입력단(571)은 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 듀얼 포트로 구성된 입력단(561,571)이고, 제1 출력단(563) 및 제2 출력단(573)은 RF용 매칭 세그먼트 회로(500)의 듀얼 포트로 구성된 출력단(563,573)이다.
제1 매칭부(560)의 제1 입력단(561)과 연결된 제1 RF 소자, 제2 매칭부(570)의 제2 입력단(571)과 연결된 제3 RF 소자는 서로 동일하다. 제1 매칭부(560)의 제1 출력단(563)과 연결된 제2 RF 소자 및 제2 매칭부(570)의 제2 출력단(573)과 연결된 제4 RF 소자는 서로 동일하다. 즉, RF용 매칭 세그먼트 회로(500)는 두 개의 신호를 입력 받아 두 개의 신호를 출력하는 Balance Type의 구조를 가진다.
이때, 제1 캐패시터, 제1 인덕터, 제2 인덕터, 제2 캐패시터, 제3 인덕터 및 제3 캐패시터는 제1 입력단(561) 및 제2 입력단(571)에 연결된 제1 RF 소자와 제1 출력단(563) 및 제2 출력단(573)에 연결된 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
또한, 다른 일 예로 도 1의 (B)는 제1 매칭부(560)에, (A)는 제2 매칭부(570)에 적용될 수 있다.
도 6 내지 도 8은 일 실시예에 따른 RF 통합소자를 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 일 실시예에 따른 RF 통합소자가 BAWR을 이용한 RF 필터인 경우를 나타낸다. 구체적으로 도 6은 싱글 포트로 구성된 입력단 및 출력단을 가진 필터를 나타내고, 도 7은 듀얼 포트로 구성된 입력단 및 출력단을 가진 필터를 나타낸다.
도 6을 참조하면, RF 통합소자(600)는 제1 통합소자 및 매칭 세그먼트를 포함한다. 이때, 매칭 세그먼트는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. (A)는 싱글 포트의 입력단 및 출력단을 가진 Single Ended Type 매칭 세그먼트를 이용한 경우이다. (B)는 싱글 포트의 입력단 및 듀얼 포트의 출력단을 가지는 Balun Type 매칭 세그먼트를 이용한 경우이다. (C)는 (A)와 입력단 및 출력단이 반대인 경우이고, (D)는 (B)와 입력단 및 출력단이 반대인 경우이다.
(A)를 참조하면, RF 통합소자(600)는 제1 통합소자(610) 및 매칭 세그먼트(620)를 포함한다.
제1 통합소자(610)는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단(611) 및 제2 출력단(613)을 포함한다. 이때, 제1 통합소자(610)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF), 저역 통과 필터(Low-Pass Filter, LPF), 고역 통과 필터(High-Pass Filter, HPF)일 수 있다. 또한, RF 통합소자(600)는 매칭 세그먼트(620)를 포함하는 BAWR을 이용한 BPF, LPF, HPF일 수 있다.
매칭 세그먼트(620)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 (A)를 매칭 세그먼트(620)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(620)는 제1 입력단(621), 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(623)을 포함할 수 있다. 제1 통합소자(600)의 제2 출력단(613)과 매칭 세그먼트(620)의 제1 입력단(621)은 직렬로 연결된다.
이때, 병렬 세그먼트를 구성하는 제1 캐패시터, 제1 인덕터 및 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터는, 제1 통합소자(610)와 제1 출력단(623)과 연결된 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
(B)를 참조하면, RF 통합소자(600)는 제1 통합소자(630) 및 매칭 세그먼트(640)를 포함한다.
제1 통합소자(630)는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단(631) 및 제3 출력단(633)을 포함한다.
매칭 세그먼트(640)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 5의 (B)를 매칭 세그먼트(640)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(640)는 제1 매칭부 및 제2 매칭부를 포함할 수 있다. 제1 매칭부에 도 1의 (A), 제2 매칭부에 도 1의 (B)를 적용한다고 가정하면, 제1 매칭부는 제1 입력단, 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(643)을 포함하고, 제2 매칭부는 제2 입력단, 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(645)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 입력단 및 제2 입력단은 제4 입력단(641)으로 연결된다. 제4 입력단(641)은 매칭 세그먼트 (640)의 입력단(641)이다. 제3 출력단(633)과 제4 입력단(641)은 직렬로 연결된다. 즉, RF 통합소자(600)는 하나의 신호를 입력 받아 특정 주파수 대역에서 필터링하고, 두 개의 신호로 출력할 수 있다.
(C)를 참조하면, RF 통합소자(600)는 매칭 세그먼트(650) 및 제1 통합소자(660)를 포함한다. 매칭 세그먼트(650)는 제1 입력단(651) 및 제1 출력단(653)을 포함하고, 제1 통합소자(660)는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단(661) 및 제2 출력단(663)을 포함한다. 제1 출력단(653)은 제2 입력단(661)과 직렬로 연결된다. (C)는 (A)에서 매칭 세그먼트와 제1 통합소자의 위치가 변경된 경우이므로 보다 구체적인 설명은 생략한다.
(D)를 참조하면, RF 통합소자(600)는 매칭 세그먼트(670) 및 제1 통합소자(680)를 포함한다. 매칭 세그먼트(670)는 제1 입력단(671), 제2 입력단(673) 및 제1 출력단(675)을 포함하고, 제1 통합소자(680)는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단(681) 및 제2 출력단(683)을 포함한다. 제1 출력단(675)은 제3 입력단(681)과 직렬로 연결된다. (D)는 (B)에서 매칭 세그먼트와 제1 통합소자의 위치가 변경된 경우이므로 보다 구체적인 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, RF 통합소자(700)는 제1 통합소자 및 매칭 세그먼트를 포함한다. 이때, 매칭 세그먼트는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. (A)는 듀얼 포트의 입력단 및 출력단을 가진 Balance Type 매칭 세그먼트를 이용한 경우이다. (B)는 싱글 포트의 입력단 및 듀얼 포트의 출력단을 가지는 Balun Type 매칭 세그먼트를 이용한 경우이다.
(A)를 참조하면, RF 통합소자(700)는 제1 통합소자(710) 및 매칭 세그먼트(720)를 포함한다.
제1 통합소자(710)는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단(711) 및 제3 출력단(713)을 포함한다. 이때, 제1 통합소자(710)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF), 저역 통과 필터(Low-Pass Filter, LPF), 고역 통과 필터(High-Pass Filter, HPF)일 수 있다. 즉, 제1 통합소자(710)는 Balance 필터일 수 있다. Balance 필터는 밸런스 신호를 수신하여 특정 주파수 대역의 신호를 송신하는 필터이다. 밸런스 신호는 수신된 신호 및 수신된 신호와 위상이 반대되는 신호가 포함된 신호이다. 밸런스 신호는 수신된 신호의 잡음을 최소화하기 위해 사용된다. 또한, RF 통합소자(700)는 매칭 세그먼트(720)를 포함하는 BAWR을 이용한 BPF, LPF, HPF일 수 있다.
매칭 세그먼트(720)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 5의 (C)를 매칭 세그먼트(720)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(720)는 제1 매칭부 및 제2 매칭부를 포함할 수 있다. 제1 매칭부에 도 1의 (A), 제2 매칭부에 도 1의 (B)를 적용한다고 가정하면, 제1 매칭부는 제1 입력단(721), 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(725)을 포함하고, 제2 매칭부는 제2 입력단(723), 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(727)을 포함할 수 있다. 제1 통합소자(710)의 제3 출력단(713)은 매칭 세그먼트(720)의 제1 입력단(721) 및 제2 입력단(723)과 직렬로 연결된다.
이때, 제1 병렬 세그먼트를 구성하는 제1 캐패시터, 제1 인덕터 및 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터, 제2 병렬 세그먼트를 구성하는 제2 캐패시터, 제2 인덕터 및 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터는 제1 통합소자(710)와 제1 출력단(725) 및 제2 출력단(727)과 연결된 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
(B)를 참조하면, RF 통합소자(700)는 매칭 세그먼트(730) 및 제1 통합소자(740)를 포함한다.
매칭 세그먼트(730)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 5의 (B)를 매칭 세그먼트(730)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(730)는 제1 매칭부 및 제2 매칭부를 포함할 수 있다. 제1 매칭부에 도 1의 (A), 제2 매칭부에 도 1의 (B)를 적용한다고 가정하면, 제1 매칭부는 제1 입력단, 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(733)을 포함하고, 제2 매칭부는 제2 입력단, 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(735)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 입력단 및 제2 입력단은 제4 입력단(731)으로 연결된다.
제1 통합소자(740)는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단(741) 및 제3 출력단(743)을 포함한다. 즉, 제1 통합소자(740)는 Balance 필터일 수 있다.
매칭 세그먼트(730)의 제1 출력단(733) 및 제2 출력단(735)은 제3 입력단(741)과 연결된다. 이때, 제1 병렬 세그먼트를 구성하는 제1 캐패시터, 제1 인덕터 및 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터, 제2 병렬 세그먼트를 구성하는 제2 캐패시터, 제2 인덕터 및 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터는 제1 통합소자(740)와 제4 입력단(731)과 연결된 제5 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 결정될 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 RF 통합소자가 RF 듀플렉서인 경우를 나타낸다.
도 8은 일 실시예에 따른 RF 통합소자가 BAWR을 이용한 RF 듀플렉서인 경우를 나타낸다. 구체적으로 (A)는 Single Ended Type의 매칭 세그먼트, 싱글 포트로 구성된 입력단 및 출력단을 가진 제1 통합소자 및 제2 통합소자를 포함하는 듀플렉서를 나타낸다. (B)는 Balun Type의 매칭 세그먼트, 듀얼 포트로 구성된 입력단 및 출력단을 가진 제1 통합소자 및 싱글 포트로 구성된 입력단 및 출력단을 가진 제2 통합소자를 포함하는 듀플렉서를 나타낸다.
(A)를 참조하면, RF 듀플렉서(800)는 안테나단(810), 매칭 세그먼트(820), 제1 통합소자(830) 및 제2 통합소자(840)를 포함한다.
안테나단(810)은 외부로부터의 신호를 수신하여 수신 필터에 전달하고, 송신 필터를 통하여 전달된 신호를 외부로 송신한다.
매칭 세그먼트(820)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 (A)를 매칭 세그먼트(820)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(820)는 제1 입력단(821), 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(823)을 포함할 수 있다.
제1 통합소자(830)는 싱글 포트로 구성된 제2 입력단(831) 및 제2 출력단(833)을 포함한다. 이때, 제1 통합소자(830)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF)로서 수신필터 이다. 즉, 제1 통합소자(830)는 외부로부터 안테나단(810)을 통하여 수신된 신호를 특정 주파수 대역에서 필터링 한다. 제1 통합소자(830)의 제2 입력단(831)과 매칭 세그먼트(820)의 제1 출력단(823)은 직렬로 연결된다. 제1 통합소자(830)는 송신필터일 수 있다.
제2 통합소자(840)는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단(841) 및 제3 출력단(843)을 포함한다. 이때, 제2 통합소자(840)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF)로서 송신필터 이다. 즉, 제2 통합소자(840)는 입력되는 신호를 특정 주파수 대역에서 안테나단(810)을 통하여 외부로 송신할 수 있도록 필터링 한다. 매칭 세그먼트(820)의 제1 입력단(821) 및 제2 통합소자(840)의 제3 입력단(841)은 안테나단(810)과 연결된다. 제2 통합소자(840)는 수신필터일 수 있다.
이때, 병렬 세그먼트를 구성하는 제1 캐패시터, 제1 인덕터 및 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터는, 제1 통합소자(830)와 안테나단(810)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제2 통합소자(840)와 안테나단(810)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제1 통합소자(830)와 제2 통합소자(840)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제1 통합소자(830)를 통한 신호의 위상과 제2 통합소자(840)를 통한 신호의 위상 차이가 180도가 되도록 결정될 수 있다.
(B)를 참조하면, RF 듀플렉서(800)는 안테나단(850), 매칭 세그먼트(860), 제1 통합소자(870) 및 제2 통합소자(880)를 포함한다.
안테나단(850)은 외부로부터의 신호를 수신하여 수신 필터에 전달하고, 송신 필터를 통하여 전달된 신호를 외부로 송신한다.
매칭 세그먼트(860)는 도 1 내지 도 5의 RF용 매칭 세그먼트 회로를 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 5의 (B)를 매칭 세그먼트(860)의 구성요소로 이용할 수 있다. 따라서, 매칭 세그먼트(860)는 제1 매칭부 및 제2 매칭부를 포함할 수 있다. 제1 매칭부에 도 1의 (A), 제2 매칭부에 도 1의 (B)를 적용한다고 가정하면, 제1 매칭부는 제1 입력단, 제1 병렬 세그먼트, 제2 인덕터 및 제1 출력단(863)을 포함하고, 제2 매칭부는 제2 입력단, 제2 병렬 세그먼트, 제 3 캐패시터 및 제2 출력단(865)을 포함할 수 있다. 다만, 제1 입력단 및 제2 입력단은 제4 입력단(861)으로 연결된다.
제1 통합소자(870)는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단(871) 및 제3 출력단(873)을 포함한다. 즉, 제1 통합소자(870)는 Balance 필터일 수 있다. 이때, 제1 통합소자(870)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF)로서 수신필터 이다. 즉, 제1 통합소자(870)는 외부로부터 안테나단(850)을 통하여 수신된 신호를 특정 주파수 대역에서 필터링 한다. 제1 통합소자(870)의 제3 입력단(871)과 매칭 세그먼트(860)의 제1 출력단(863) 및 제2 출력단(865)은 직렬로 연결된다. 제1 통합소자(870)는 송신필터일 수 있다.
제2 통합소자(880)는 싱글 포트로 구성된 제4 입력단(881) 및 제4 출력단(883)을 포함한다. 이때, 제2 통합소자(880)는 BAWR을 이용한 주파수 대역 필터(Band-Pass Filter, BPF)로서 송신필터 이다. 즉, 제2 통합소자(880)는 입력되는 신호를 특정 주파수 대역에서 안테나단(850)을 통하여 외부로 송신할 수 있도록 필터링 한다. 매칭 세그먼트(860)의 제4 입력단(861) 및 제2 통합소자(880)의 제4 입력단(881)은 안테나단(850)과 연결된다. 제2 통합소자(880)는 수신필터일 수 있다.
이때, 제1 병렬 세그먼트를 구성하는 제1 캐패시터, 제1 인덕터 및 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터, 제2 병렬 세그먼트를 구성하는 제2 캐패시터, 제2 인덕터 및 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터는, 제1 통합소자(870)와 안테나단(850)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제2 통합소자(880)와 안테나단(850)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제1 통합소자(870)와 제2 통합소자(880)의 관계에서 특정 임피던스로 매칭되도록 결정될 수 있다. 또한, 제1 통합소자(870)를 통한 신호의 위상과 제2 통합소자(880)를 통한 신호의 위상 차이가 180도가 되도록 결정될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 RF용 매칭 세그먼트 회로는 실리콘 기판, PCB(Printed Circuit Board)기판, LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic)기판에 구현될 수 있다. 또한, RF용 매칭 세그먼트 회로는 RF 필터, RF 듀플렉서와 같은 소자와 같이 집적되어 집적 수동 디바이스(Integrated Passive Devices, IPD)로 모듈화 될 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 제1 RF 소자와 연결되는 제1 입력단;
    제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 제1 병렬 세그먼트;
    상기 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터; 및
    제2 RF 소자와 연결되는 제1 출력단을 포함하고,
    상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제1 매칭부; 및
    제3 RF 소자와 연결되는 제2 입력단;
    제2 캐패시터 및 제3 인덕터가 병렬로 연결된 제2 병렬 세그먼트;
    상기 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터; 및
    제4 RF 소자와 연결되는 제2 출력단을 포함하고,
    상기 제2 캐패시터, 상기 제3 인덕터 및 상기 제3 캐패시터는 상기 제3 RF 소자와 상기 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제2 매칭부
    를 포함하는 RF용 매칭 세그먼트 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 매칭부의 상기 제1 출력단과 상기 제2 매칭부의 상기 제2 입력단이 직렬로 연결되는
    RF용 매칭 세그먼트 회로.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 매칭부의 상기 제1 입력단과 상기 제2 매칭부의 상기 제2 출력단이 직렬로 연결되는
    RF용 매칭 세그먼트 회로.
  6. 제3항에 있어서,
    제5 RF 소자와 연결되는 제3 입력단을 더 포함하고,
    상기 제1 매칭부의 상기 제1 입력단은 상기 제3 입력단과 연결되고, 상기 제2 매칭부의 상기 제2 입력단은 상기 제3 입력단과 연결되며, 상기 제2 RF 소자와 상기 제4 RF 소자는 서로 동일한 하나의 RF 소자인 것을 특징으로 하는
    RF용 매칭 세그먼트 회로.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 제1 RF 소자와 상기 제3 RF 소자는 서로 동일한 하나의 RF 소자이고,
    상기 제2 RF 소자와 상기 제4 RF 소자는 서로 동일한 다른 하나의 RF 소자인 것을 특징으로 하는
    RF용 매칭 세그먼트 회로.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1 RF 소자와 연결되는 제1 입력단;
    제1 캐패시터 및 제1 인덕터가 병렬로 연결된 제1 병렬 세그먼트;
    상기 제1 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제2 인덕터; 및
    제2 RF 소자와 연결되는 제1 출력단을 포함하고,
    상기 제1 캐패시터, 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 제1 RF 소자와 상기 제2 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제1 매칭부; 및
    제3 RF 소자와 연결되는 제2 입력단;
    제2 캐패시터 및 제3 인덕터가 병렬로 연결된 제2 병렬 세그먼트;
    상기 제2 병렬 세그먼트와 직렬로 연결된 제3 캐패시터; 및
    제4 RF 소자와 연결되는 제2 출력단을 포함하고,
    상기 제2 캐패시터, 상기 제3 인덕터 및 상기 제3 캐패시터는 상기 제3 RF 소자와 상기 제4 RF 소자 사이의 임피던스가 매칭되도록 구성된 제2 매칭부; 및
    제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제1 통합소자
    를 포함하는 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  14. 제13항에 있어서,
    제5 RF 소자와 연결되는 제4 입력단을 더 포함하고,
    상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 제4 입력단과 연결되며,
    상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제3 출력단은 상기 제4 입력단과 연결되는
    매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 밸런스 필터이고, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 제3 출력단과 연결되는
    매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  16. 제13항에 있어서,
    제5 RF 소자와 연결되는 제4 출력단을 더 포함하고,
    상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단은 상기 제4 출력단과 연결되고,
    상기 제1 통합소자는 싱글 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 주파수 대역 필터이고, 상기 제3 입력단은 상기 제4 출력단과 연결되는
    매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  17. 제13항에 있어서,
    제5 RF 소자와 연결되는 제4 입력단을 더 포함하고,
    상기 제4 입력단은 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단과 연결되며,
    상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 밸런스 필터이고, 상기 제3 입력단은 상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단과 연결되는
    매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  18. 제13항에 있어서,
    싱글 포트로 구성된 제4 입력단 및 제4 출력단을 포함하는 BAWR을 이용한 제2 통합소자; 및
    신호를 송수신하는 안테나단
    을 더 포함하는 매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 통합소자는 듀얼 포트로 구성된 제3 입력단 및 제3 출력단을 포함하는 수신 필터이고,
    상기 제2 통합소자는 송신 필터이고,
    상기 제3 입력단은 상기 제1 출력단 및 상기 제2 출력단과 연결되고, 상기 제4 입력단, 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단은 상기 안테나단과 연결되는
    매칭 세그먼트를 이용한 RF 통합소자.
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