CN217693258U - 推挽功率放大电路及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种推挽功率放大电路及射频前端模组，该推挽功率放大电路包括第一功率放大器、第二功率放大器、第一巴伦、第一电容和第二电容；第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；第一线圈段的第一端与第一功率放大器的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，第一线圈段的第二端与第一电容的第一端相连，第一电容的第二端与第一接地端相连；第二线圈段的第二端与第二功率放大器的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，第二线圈段的第二端与第二电容的第一端相连，第二电容的第二端与第二接地端相连。本技术方案能够灵活地对推挽功率放大电路中的奇模信号或偶模信号进行调谐，从而提高推挽功率放大电路的整体性能。

Description

推挽功率放大电路及射频前端模组

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种推挽功率放大电路及射频前端模组。

背景技术

移动通信技术已经演进至第五代，5G NR(5th-Generation New Radio)作为基于正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing，OFDM)的全新空口设计的全球性5G标准，也是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础。推挽功率放大电路作为通讯系统中核心单元，其性能对通讯系统整机指标有较大的影响，特别是推挽功率放大电路的线性度和带宽的特性，影响整个通讯系统的整体性能，因此，提高推挽功率放大电路的整体性能成为目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种推挽功率放大电路及射频前端模组，以解决无法同时兼顾对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐的问题。

一种推挽功率放大电路，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第一巴伦、第一电容和第二电容；

所述第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；

所述第一线圈段的第一端与所述第一功率放大器的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，所述第一线圈段的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与第一接地端相连；

所述第二线圈段的第二端与所述第二功率放大器的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，所述第二线圈段的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与第二接地端相连。

进一步地，所述第一线圈段形成第一等效电感，所述第一等效电感与所述第一电容形成第一LC谐振电路，所述第一LC谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制；所述第二线圈段形成第二等效电感，所述第二等效电感与所述第二电容形成第二LC谐振电路，所述第二LC谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制。

进一步地，所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路的谐振频率点不同。

进一步地，所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值不相同。

进一步地，所述第一电容和所述第二电容为可调电容。

进一步地，所述推挽功率放大电路还包括第一电感和第二电感；所述第一功率放大器的输出端通过所述第一电感耦合耦合至供电电源端；所述第二功率放大器的输出端通过所述第二电感耦合耦合至所述供电电源端。

进一步地，所述推挽功率放大电路还包括第五电容，所述第五电容的第一端与供电电源端连接，所述第五电容的第二端与接地端连接。

一种射频前端模组，包括基板、设置在所述基板上的推挽功率放大芯片以及设置在所述基板上的第一巴伦、第一电容和第二电容；所述推挽功率放大芯片包括第一功率放大器和第二功率放大器；

所述第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；

所述第一功率放大器的输出端与所述推挽功率放大芯片的第一焊盘相连，所述第二功率放大器的输出端与所述推挽功率放大芯片的第二焊盘相连，所述第一电容的第一端与所述第一线圈段的第二端相连，所述第一电容的第二端与第一接地端相连，所述第二电容的第一端与所述第二线圈段的第一端相连，所述第二电容的第二端与第二接地端相连；

所述第一线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第一线圈段的第二端与所述第二焊盘相连。

进一步地，所述推挽功率放大芯片还包括第三电容和第四电容；

所述第三电容的第一端与所述推挽功率放大芯片的第三焊盘相连，所述第三电容的第二端接地，所述推挽功率放大芯片的第三焊盘通过引线键合至所述第一焊盘；

所述第四电容的第一端与所述推挽功率放大芯片的第四焊盘相连，所述第四电容的第二端接地，所述推挽功率放大芯片的第四焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。

进一步地，所述基板包括自上而下设置的第一金属层和第二金属层；所述第一线圈段和所述第二线圈段位于所述第一金属层，所述第一线圈段和所述第二线圈段呈镜像对称设置，所述第一巴伦的次级绕组位于所述第二金属层。

上述推挽功率放大电路及射频前端模组，推挽功率放大电路，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第一巴伦、第一电容和第二电容；所述第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；所述第一线圈段的第一端与所述第一功率放大器的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，所述第一线圈段的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与第一接地端相连；所述第二线圈段的第二端与所述第二功率放大器的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，所述第二线圈段的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与第二接地端相连。本实施例通过通过将第一电容的第一端与第一线圈段的第二端相连，并将第一电容的第二端与第一接地端相连，将第二电容的第一端与第二线圈段的第二端相连，并将第二电容的第二端与第二接地端相连，由于第一线圈段和第二线圈段可以等效成电感，因此第一线圈段和第一电容可以形成由电感和电容组成的第一谐振电路，第二线圈段和第二电容可以形成由电感和电容组成的第二谐振电路，从而不但可以对推挽功率放大电路的偶模信号进行调谐，还能对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，以实现更加灵活地对推挽功率放大电路中的奇模信号或偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例中推挽功率放大电路的一电路示意图；

图2是本实用新型一实施例中推挽功率放大电路的另一电路示意图；

图3是本实用新型一实施例中推挽功率放大电路的另一电路示意图；

图4是本实用新型一实施例中射频前端模组的一电路示意图；

图5是本实用新型一实施例中射频前端模组的另一电路示意图。

图中：10、推挽功率放大芯片；11、第一功率放大器；12、第二功率放大器；20、第一巴伦；30、基板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种推挽功率放大电路，如图1所示，包括第一功率放大器11、第二功率放大器12、第一巴伦20、第一电容C1和第二电容C2；第一巴伦20的初级绕组包括第一线圈段S211和第二线圈段S212；第一线圈段S211的第一端与第一功率放大器11的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，第一线圈段S211的第二端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端与第一接地端相连；第二线圈段S212的第二端与第二功率放大器12的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，第二线圈段S212的第二端与第二电容C2的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二接地端相连。

在一具体实施例中，推挽功率放大电路包括第一功率放大器11和第二功率放大器12。第一功率放大器11的输入端被配置为接收第一射频输入信号，第一功率放大器11的输出端与第一巴伦20的第一输入端相连，第一功率放大器11被配置为接收第一射频输入信号，并对第一射频输入信号进行放大处理，输出第一射频放大信号。第二功率放大器12的输入端被配置为接收第二射频输入信号，第二功率放大器12的输出端与第一巴伦20的第二输入端相连，第二功率放大器12被配置为接收第二射频输入信号，并对第二射频输入信号进行放大处理，输出第一射频放大信号。

可选地，如图2所示，推挽功率放大电路还包括第一匹配电容C3和第二匹配电容C4。第一巴伦20的第一输出端与第一匹配电容C3的第一端相连，第一匹配电容C3的第二端与推挽功率放大电路的信号输出端相连，第一巴伦20的第二输出端与第二匹配电容C4的第一端相连，第二匹配电容C4的第二端接地。在本实施例中，第一匹配电容C3和第二匹配电容C4参与推挽功率放大电路的输出阻抗调节，以实现输出端的阻抗匹配。

优选地，本实施例中的第一匹配电容C3和第二匹配电容C4采用贴片(SMD)的方式设置在基板30上。

可选地，第一功率放大器11包括至少一个第一功率放大晶体管。该第一功率放大晶体管可以是BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或场效应晶体管，用于对第一射频输入信号进行放大处理。第二功率放大器12包括至少一个第二功率放大晶体管。该第二功率放大晶体管可以是BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或场效应晶体管，用于对第二射频输入信号进行放大处理。

可选地，推挽功率放大电路包括第二巴伦(图中未示出)。第二巴伦的第一输入端与推挽功率放大电路的信号输入端相连，用于接收射频信号，第二巴伦的第二输入端接地，第二巴伦的第一输出端与第一功率放大器11的输入端相连，用于输出第一射频输入信号，第二巴伦的第二输出端与第二功率放大器12的输入端相连，用于输出第二射频输入信号，第二巴伦被配置为对射频信号进行转换，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号。

在一具体实施例中，第一巴伦20包括初级绕组和次级绕组。初级绕组包括第一线圈段S211和第二线圈段S212。

在相关技术中，将第一线圈段S211的第二端和第二线圈段S212的第一端之间通过一个电容连接，从而在该电容所在位置形成共模点(虚地)，进而能够对推挽功率放大电路中的偶模信号(偶次谐波信号)进行阻抗匹配。但是，由于推挽功率放大电路中的奇模信号(奇次谐波信号)在该共模点处相互抵消，因此，仅能对偶模信号进行调谐，无法对推挽功率放大电路中的奇模信号进行调谐，从而影响推挽功率放大电路的整体性能。

为了解决上述问题，在一具体实施例中，第一线圈段S211的第一端与第一功率放大器11的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，第一线圈段S211的第二端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端与第一接地端相连。第二线圈段S212的第二端与第二功率放大器12的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，第二线圈段S212的第二端与第二电容C2的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二接地端相连。在本实施例中，通过将第一电容C1的第一端与第一线圈段S211的第二端相连，并将第一电容C1的第二端与第一接地端相连，将第二电容C2的第一端与第二线圈段S212的第二端相连，并将第二电容C2的第二端与第二接地端相连，第一线圈段S211和第二线圈段S212可以等效成电感，第一线圈段S211和第一电容C1可以形成由电感和电容组成的第一谐振电路，第二线圈段S212和第二电容C2可以形成由电感和电容组成的第二谐振电路，从而不但可以对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，还能对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，以实现更加灵活地对推挽功率放大电路中的奇模信号或偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在本实施例中，推挽功率放大电路包括第一功率放大器11、第二功率放大器12、第一巴伦20、第一电容C1和第二电容C2。第一巴伦20的初级绕组包括第一线圈段S211和第二线圈段S212。第一线圈段S211的第一端与第一功率放大器11的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，第一线圈段S211的第二端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端与第一接地端相连。第二线圈段S212的第二端与第二功率放大器12的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，第二线圈段S212的第二端与第二电容C2的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二接地端相连。本实施例通过将第一电容C1的第一端与第一线圈段S211的第二端相连，并将第一电容C1的第二端与第一接地端相连，将第二电容C2的第一端与第二线圈段S212的第二端相连，并将第二电容C2的第二端与第二接地端相连，由于第一线圈段S211和第二线圈段S212可以等效成电感，因此第一线圈段S211和第一电容C1可以形成由电感和电容组成的第一谐振电路，第二线圈段S212和第二电容C2可以形成由电感和电容组成的第二谐振电路，从而不但可以对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，还能对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，以实现更加灵活地对推挽功率放大电路中的奇模信号或偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，如图1所示，第一线圈段S211形成第一等效电感，第一等效电感与第一电容C1形成第一LC谐振电路，第二线圈段S212形成第二等效电感，第二等效电感与第二电容C2形成第二LC谐振电路，第一LC谐振电路和第二LC谐振电路共同作用以对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制。其中，第一LC谐振电路的谐振点和第二LC谐振电路的谐振点可以相同或者不同。若推挽功率放大电路处于理想平衡状态下时，第一LC谐振电路的谐振点和第二LC谐振电路的谐振点相同，若推挽功率放大电路处于不平衡状态下时，可以通过配置第一LC谐振电路的谐振点和第二LC谐振电路的谐振点不同，以改善推挽功率放大电路的不平衡。

在一具体实施例中，第一线圈段S211形成第一等效电感，第一等效电感与第一电容C1形成第一LC谐振电路。示例性地，可根据实际需求，调整第一线圈段S211的长度来调整第一等效电感的电感值，或者调整第一电容C1的电容值，来调整第一LC谐振电路的谐振频率点，对奇模信号或偶模信号进行抑制。

在一具体实施例中，第二线圈段S212形成第二等效电感，第二等效电感与第二电容C2形成第二LC谐振电路。示例性地，可根据实际需求，调整第二线圈段S212的长度来调整第二等效电感的电感值，或者调整第二电容C2的电容值，来调整第二LC谐振电路的谐振频率点，以对不同频率的奇模信号或偶模信号的阻抗进行调整，实现在更宽频带范围内，对谐波信号进行更好地抑制。

作为优选地，为了保证第一巴伦20的平衡性，本实施例中第一线圈段S211的长度和第二线圈段S212的长度相同，通过调整第一电容C1和第二电容C2的电容值来调整第一LC谐振电路和第二LC谐振电路的谐振频率点。

在本实施例中，通过将第一线圈段S211形成第一等效电感，将第一等效电感与第一电容C1形成第一LC谐振电路，使第一LC谐振电路对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制，通过将第二线圈段S212形成第二等效电感，将第二等效电感与第二电容C2形成第二LC谐振电路，使第二LC谐振电路能够对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，第一LC谐振电路和第二LC谐振电路的谐振频率点不同。

在一具体实施例中，在实际应用过程中，由于推挽功率放大电路中的第一功率放大器11和第二功率放大器12存在误差，例如生产工艺上的误差，导致实际应用过程中推挽功率放大电路可能出现不完全平衡的现象，因此，本实施例可通过将第一LC谐振电路的谐振频率点和第二LC谐振电路的谐振频率点设置为两个不同的频率点，以改善推挽功率放大电路的不平衡现象，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在本实施例中，由于实际应用过程中推挽功率放大电路可能出现不完全平衡的现象，从而导致第一功率放大器11输出的奇模信号或偶模信号的频率与第二功率放大器12输出的奇模信号或者偶模信号的频率存在一定的误差时，可以灵活地对第一LC谐振电路的谐振频率点或第二LC谐振电路的谐振频率点进行调整，以改善推挽功率放大电路的不平衡现象，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，第一电容C1的电容值与第二电容C2的电容值不相同。

在一具体实施例中，相对于调整第一巴伦20中第一线圈段S211和第二线圈段S212的长度，调整第一电容C1和第二电容C2值的更加方便，从而便于调整第一LC谐振电路和第二LC谐振电路的谐振频率点。在本实施例中，第一电容C1的电容值与第二电容C2的电容值不相同，有利于当因推挽功率放大电路的不平衡而导致第一功率放大器11输出的奇模信号或偶模信号的频率与第二功率放大器12输出的奇模信号或者偶模信号的频率存在一定的误差时，对第一功率放大器11输出的奇模信号或偶模信号和第二功率放大器12输出的奇模信号或者偶模信号进行抑制，提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，第一电容C1和第二电容C2为可调电容。

在一具体实施例中，第一电容C1和第二电容C2为可调电容。在本实施例中，采用可调电容调整第一LC谐振电路或第二LC谐振电路的谐振频率点，使得调整第一LC谐振电路或第二LC谐振电路的谐振频率点的过程更加灵活。

在一实施例中，如图3所示，推挽功率放大电路还包括第一电感L1和第二电感L2；第一功率放大器11的输出端通过第一电感L1耦合至供电电源端VCC，第二功率放大器12的输出端通过第二电感L2耦合至供电电源端VCC。

在一具体实施例中，推挽功率放大电路还包括第一电感L1和第二电感L2。第一电感L1的第一端与供电电源端VCC，第一电感L1的第二端与第一功率放大器11的输出端相连；第二电感L2的第一端与供电电源端VCC相连，第二电感L2的第二端与第二功率放大器12的输出端相连。在本实施例中，该第一电感L1能够向第一功率放大器11馈电，保证第一功率放大器11的正常工作，该第二电感L2能够向第二功率放大器12馈电，保证第二功率放大器12的正常工作。

可选地，所述第一电感L1和所述第二电感L2可以采用绑定线的方式实现，或者也可以采用金属线圈的方式实现，或者还可以采用由绑定线和金属线圈组合的方式实现。

在一实施例中，如图3所示，推挽功率放大电路还包括第五电容C5，第五电容C5的第一端与供电电源端VCC连接，第五电容C5的第二端与接地端连接。

在本实施例中，通过将第五电容C5的第一端与供电电源端VCC连接，第五电容C5的第二端与接地端连接，使第五电容C5的第一端形成共模调节点，用于对推挽功率放大电路的偶次谐波的阻抗进行调节。

可以理解地，如图3所示，所述第一电感L1和所述第二电感L2通过相连接形成一个公共节点，该公共节点通过绑定线连接至供电电源端VCC。

本实施例提供一种射频前端模组，如图4所示，包括基板30、设置在基板30上的推挽功率放大芯片10以及设置在基板30上的第一巴伦20、第一电容C1和第二电容C2；推挽功率放大芯片10包括第一功率放大器11和第二功率放大器12；第一巴伦20的初级绕组包括第一线圈段S211和第二线圈段S212；第一功率放大器11的输出端与推挽功率放大芯片10的第一焊盘a相连，第二功率放大器12的输出端与推挽功率放大芯片10的第二焊盘b相连，第一电容C1的第一端与第一线圈段S211的第二端相连，第一电容C1的第二端与第一接地端相连，第二电容C2的第一端与第二线圈段S212的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二接地端相连；第一线圈段S211的第一端与第一焊盘a相连；第一线圈段S211的第一端与第二焊盘b相连。

优选地，本实施例中的第一电容C1和第二电容C2采用贴片(SMD)的方式设置在基板30上。

在一具体实施例中，射频前端模组基板30、设置在基板30上的推挽功率放大芯片10以及设置在基板30上的第一巴伦20、第一电容C1和第二电容C2；推挽功率放大芯片10包括第一功率放大器11和第二功率放大器12；第一巴伦20的初级绕组包括第一线圈段S211和第二线圈段S212；第一功率放大器11的输出端与推挽功率放大芯片10的第一焊盘a相连，第二功率放大器12的输出端与推挽功率放大芯片10的第二焊盘b相连，第一电容C1的第一端与第一线圈段S211的第二端相连，第一电容C1的第二端与第一接地端相连，第二电容C2的第一端与第二线圈段S212的第一端相连，第二电容C2的第二端与第二接地端相连；第一线圈段S211的第一端与第一焊盘a相连；第一线圈段S211的第一端与第二焊盘b相连，第一电容C1和第一线圈段S211形成第一LC电路，对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐；第二线圈段S212的第二端与第二焊盘b相连，第二线圈段S212的第二端与第四焊盘d相连，第二电容C2和第二线圈段S212形成第二LC电路，对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐。

可选地，第一功率放大器11包括至少一个第一功率放大晶体管。该第一功率放大晶体管可以是BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或场效应晶体管，用于对第一射频输入信号进行放大处理。第二功率放大器12包括至少一个第二功率放大晶体管。该第二功率放大晶体管可以是BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或场效应晶体管，用于对第二射频输入信号进行放大处理。

在本实施例中，通过将第一功率放大器11的输出端与推挽功率放大芯片10的第一焊盘a相连，将第二功率放大器12的输出端与推挽功率放大芯片10的第二焊盘b相连，将第一电容C1的第一端与第一线圈段S211的第二端相连，将第一电容C1的第二端与第一接地端相连，将第二电容C2的第一端与第二线圈段S212的第一端相连，将第二电容C2的第二端与第二接地端相连；第一线圈段S211的第一端与第一焊盘a相连，并将第一线圈段S211的第一端与第二焊盘b相连，使第一电容C1和第一线圈段S211形成第一LC电路，使第二电容C2和第二线圈段S212形成第二LC电路，从而不但可以对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，还能对推挽功率放大电路的奇模信号进行调谐，以实现更加灵活地对推挽功率放大电路中的奇模信号或偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，射频前端模组还包括设置在基板30上的供电电源端VCC；供电电源端VCC通过引线键合至第一焊盘a和第二焊盘b。

在一具体实施例中，供电电源端VCC通过引线键合至第一焊盘a和第二焊盘b。在本实施例中，供电电源端VCC与第一焊盘a之间的引线(L1)可以等效成第一电感L1，该第一电感L1用于向第一功率放大器11馈电，保证第一功率放大器11的正常工作；供电电源端VCC与第二焊盘b之间的引线(L2)可以等效成第二电感L2，该第二电感L2用于向第二功率放大器12馈电，保证第二功率放大器12的正常工作。

在一实施例中，如图5所示，推挽功率放大芯片10还包括第三电容C5和第四电容C6；第三电容C5的第一端与推挽功率放大芯片10的第三焊盘c相连，第三电容C5的第二端接地，推挽功率放大芯片10的第三焊盘c通过引线(L3)键合至第一焊盘a；第四电容C6的第一端与推挽功率放大芯片10的第四焊盘d相连，第四电容C6的第二端接地，推挽功率放大芯片10的第四焊盘d通过引线(L4)键合至第二焊盘b。

在一具体实施例中，推挽功率放大芯片10还包括第三电容C5，第三电容C5的第一端与推挽功率放大芯片10的第三焊盘c相连，第三电容C5的第二端接地，推挽功率放大芯片10的第三焊盘c通过引线键合至第一焊盘a。在本实施例中，推挽功率放大芯片10的第三焊盘c与第一焊盘a之间的引线等效成第三等效电感，第三等效电感和第三电容C5串联形成第三LC谐振电路，用于对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一具体实施例中，推挽功率放大芯片10还包括第四电容C6，第四电容C6的第一端与推挽功率放大芯片10的第四焊盘d相连，第四电容C6的第二端接地，推挽功率放大芯片10的第四焊盘d通过引线键合至第二焊盘b。在本实施例中，推挽功率放大芯片10的第四焊盘d与第二焊盘b之间的引线等效成第四等效电感，第四等效电感和第四电容C6串联形成第四LC谐振电路，用于对推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一具体实施例中，可以通过调整第三焊盘c与第一焊盘a之间的引线的长度调整第三等效电感的电感值，或者调整第三电容C5的电容值，来调整第三LC谐振电路的谐振频率点；通过调整第四焊盘d与第二焊盘b之间的引线的长度调整第四等效电感的电感值，或者调整第四电容C6的电容值，来调整第四LC谐振电路的谐振频率点。

在一具体实施中，上述实施例中的第一LC谐振电路、第二LC谐振电路、第三LC谐振电路和第四LC谐振电路的谐振频率点不同，以对推挽功率放大电路中的不同频率的奇模信号和偶模信号进行调谐，从而改善推挽功率放大电路的基波阻抗和谐波阻抗，进而提高推挽功率放大电路的整体性能。

在一实施例中，基板30包括自上而下设置的第一金属层和第二金属层；第一线圈段S211和第二线圈段S212位于第一金属层，第一线圈段S211和第二线圈段S212呈镜像对称，第一巴伦20的次级绕组位于第二金属层。

在一具体实施例中，基板30包括自上而下设置的第一金属层和第二金属层；第一线圈段S211和第二线圈段S212位于第一金属层，第一线圈段S211和第二线圈段S212呈镜像对称，第一巴伦20的次级绕组位于第二金属层。在本实施例中，第一巴伦20中的初级绕组和次级绕组之间采用上下层耦合的方式进行耦合，从而在保证第一巴伦20的耦合度的同时，还能减少第一巴伦20的占用面积，优化整体电路布局，通过使第一线圈段S211和第二线圈段S212呈镜像对称，有利于保证第一巴伦20的平衡性。

以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第一巴伦、第一电容和第二电容；

所述第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；

所述第一线圈段的第一端与所述第一功率放大器的输出端相连，被配置为接收第一射频放大信号，所述第一线圈段的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与第一接地端相连；

所述第二线圈段的第二端与所述第二功率放大器的输出端相连，被配置为接收第二射频放大信号，所述第二线圈段的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与第二接地端相连。

2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一线圈段形成第一等效电感，所述第一等效电感与所述第一电容形成第一LC谐振电路，所述第一LC谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制；所述第二线圈段形成第二等效电感，所述第二等效电感与所述第二电容形成第二LC谐振电路，所述第二LC谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的奇模信号和偶模信号进行抑制。

3.如权利要求2所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路的谐振频率点不同。

4.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值不相同。

5.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容为可调电容。

6.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第一电感和第二电感；所述第一功率放大器的输出端通过所述第一电感耦合耦合至供电电源端；所述第二功率放大器的输出端通过所述第二电感耦合耦合至所述供电电源端。

7.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第五电容，所述第五电容的第一端与供电电源端连接，所述第五电容的第二端与接地端连接。

8.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的推挽功率放大芯片以及设置在所述基板上的第一巴伦、第一电容和第二电容；所述推挽功率放大芯片包括第一功率放大器和第二功率放大器；

所述第一巴伦的初级绕组包括第一线圈段和第二线圈段；

所述第一功率放大器的输出端与所述推挽功率放大芯片的第一焊盘相连，所述第二功率放大器的输出端与所述推挽功率放大芯片的第二焊盘相连，所述第一电容的第一端与所述第一线圈段的第二端相连，所述第一电容的第二端与第一接地端相连，所述第二电容的第一端与所述第二线圈段的第一端相连，所述第二电容的第二端与第二接地端相连；

所述第一线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第一线圈段的第二端与所述第二焊盘相连。

9.如权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，所述推挽功率放大芯片还包括第三电容和第四电容；

所述第三电容的第一端与所述推挽功率放大芯片的第三焊盘相连，所述第三电容的第二端接地，所述推挽功率放大芯片的第三焊盘通过引线键合至所述第一焊盘；

所述第四电容的第一端与所述推挽功率放大芯片的第四焊盘相连，所述第四电容的第二端接地，所述推挽功率放大芯片的第四焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。

10.如权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，所述基板包括自上而下设置的第一金属层和第二金属层；所述第一线圈段和所述第二线圈段位于所述第一金属层，所述第一线圈段和所述第二线圈段呈镜像对称设置，所述第一巴伦的次级绕组位于所述第二金属层。

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