CN113572440A - 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置 - Google Patents

功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113572440A
CN113572440A CN202110637469.6A CN202110637469A CN113572440A CN 113572440 A CN113572440 A CN 113572440A CN 202110637469 A CN202110637469 A CN 202110637469A CN 113572440 A CN113572440 A CN 113572440A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
power amplifier
balun
blocking
amplifier output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110637469.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113572440B (zh
Inventor
胡自洁
曹原
倪楠
倪建兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device
Original Assignee
An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device filed Critical An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device
Priority to CN202110637469.6A priority Critical patent/CN113572440B/zh
Publication of CN113572440A publication Critical patent/CN113572440A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113572440B publication Critical patent/CN113572440B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开一种功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置。该功放输出匹配电路用于与推挽功率放大器输出级的第一功放输出和第二功放输出相连，包括负载巴伦、第一隔直电路、第二隔直电路、第一馈电电路和第二馈电电路；负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；第一巴伦输入通过第一隔直电路与第一功放输出相连，且第一巴伦输入通过第一馈电电路与第一功放输出相连；第二巴伦输入通过第二隔直电路与第二功放输出相连，且第二巴伦输入通过第二馈电电路与第二功放输出相连。该电路可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，保障推挽功率放大器的输出功率和功率转换效率。

Description

功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
技术领域
本发明涉及射频通信技术领域，尤其涉及一种功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置。
背景技术
射频前端介于天线和射频收发之间，是电子终端通信的核心组成器件。射频前端包括滤波器、LNA(Low Noise Amplifier的简称，低噪声放大器)、PA(Power Amplifier的简称，功率放大器)、开关和天线调谐等。功率放大器是射频前端的核心有源器件，通过功率放大器可以使电子终端获取较高的射频输出功率。第五代移动通信技术(5G)的关键性能目标是传输速率相比4G大幅提升，5G新技术需要采用频率更高、带宽更大、QAM调制更高阶的射频前端，使其对射频前端的功率放大器的设计提出更严苛的要求。
输出功率和功率转换效率(PAE，即输出功率与耗散的直流功率之比)是功率放大器的两个主要性能指标，对于大多数功率放大器来说，最佳功率转换效率与最大输出功率相对应，而最佳功率转换效率与最大输出功率由功率放大器的负载线决定。一般来说，降低负载线阻抗，可在一定程度上提高最大输出功率，但代价是牺牲功率转换效率，虽然理论上可以通过不断降低负载线阻抗来换取更大的输出功率，但由于负载线阻抗不断降低会导致负载线插损变差，除了导致功率转换效率明显变差，也导致到了极限值后，最大输出功率不再变大。
发明内容
本发明提供一种功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置，以解决现有功率放大器的性能受负载线阻抗和插损影响较大的问题。
本发明提供一种功放输出匹配电路，用于与推挽功率放大器输出级的第一功放输出和第二功放输出相连，包括负载巴伦、第一隔直电路、第二隔直电路、第一馈电电路和第二馈电电路；所述负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；所述第一巴伦输入通过第一隔直电路与所述第一功放输出相连，且所述第一巴伦输入通过所述第一馈电电路与所述第一功放输出相连；所述第二巴伦输入通过所述第二隔直电路与所述第二功放输出相连，且所述第二巴伦输入通过所述第二馈电电路与所述第二功放输出相连。
优选地，所述第一隔直电路被配置为：与第一功放输出和第一巴伦输入之间所述第一隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振；
所述第二隔直电路被配置为：与第二功放输出和第二巴伦输入之间所述第二隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振。
优选地，所述第一隔直电路包括第一隔直电容；所述第二隔直电路包括第二隔直电容。
优选地，所述第一隔直电路包括第一隔直电容和第一谐振电感，所述第一隔直电容和所述第一谐振电感串联；所述第二隔直电路包括第二隔直电容和第二谐振电感，所述第二隔直电容和所述第二谐振电感串联。
优选地，所述第一馈电电路为第一扼流圈或者LC馈电电路；所述第二馈电电路为第二扼流圈或者LC馈电电路。
优选地，所述LC馈电电路包括馈电电容和馈电电感，所述馈电电容和所述馈电电感并联。
优选地，所述负载巴伦的主线圈上还设有电源端，所述电源端通过一负载谐振电路与接地端相连；
所述负载巴伦的次级线圈上设有第一巴伦输出和第二巴伦输出；所述第一巴伦输出通过一负载谐振电路与接地端相连；所述第二巴伦输出通过一负载谐振电路与接地端相连。
优选地，所述负载谐振电路为负载谐振电容；
或者，所述负载谐振电路为LC谐振电路，所述LC谐振电路包括LC谐振电容和LC谐振电感，所述LC谐振电容和所述LC谐振电感串联；
或者，所述负载谐振电路为π型谐振电路，所述π型谐振电路包括π型电感、第一π型电容和第二π型电容，所述第一π型电容一端与所述π型电感的第一端相连，另一端与接地端相连；所述第二π型电容一端与所述π型电感的第二端相连，另一端与接地端相连。
本发明提供一种射频前端模组，包括设置于基板上的推挽功率放大芯片和负载巴伦，所述推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级上设有第一功放输出和第二功放输出，所述负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；
所述第一巴伦输入通过第一隔直电路与所述第一功放输出相连，且所述第一巴伦输入通过第一馈电电路与所述第一功放输出相连；所述第二巴伦输入通过第二隔直电路与所述第二功放输出相连，且所述第二巴伦输入通过第二馈电电路与所述第二功放输出相连。
优选地，所述第一隔直电路被配置为：与第一功放输出和第一巴伦输入之间所述第一隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振；
所述第二隔直电路被配置为：与第二功放输出和第二巴伦输入之间所述第二隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振。
优选地，所述第一隔直电路和/或所述第二隔直电路设置在所述推挽功率放大芯片中，或者，所述第一隔直电路和/或所述第二隔直电路设置在所述基板上。
优选地，所述第一功放输出和所述第二功放输出为三极管的集电极、三极管阵列的集电极、场效率管的漏极或者场效率管阵列的漏极。
优选地，所述第一功放输出和所述第二功放输出之间设有一负载谐振电路，所述负载谐振电路为负载谐振电容、LC谐振电路或者π型谐振电路。
本发明提供一种无线装置，包括上述功放输出匹配电路，或者，包括上述射频前端模组。
上述功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置中，在推挽功率放大器输出级的第一功放输出和负载巴伦的第一巴伦输入之间并联设置第一隔直电路和第一馈电电路分别传输交流信号和直流信号；在推挽功率放大器的第二功放输出和负载巴伦的第二巴伦输入之间并联设置第二隔直电路和第二馈电电路分别传输交流信号和直流信号；可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，有助于保障推挽功率放大器的输出功率和功率转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中功放输出匹配电路的一电路示意图；
图2是本发明一实施例中功放输出匹配电路的一电路示意图；
图3是针对N78频段进行一次仿真试验的负载线阻抗的一示意图；
图4是针对N78频段进行一次仿真试验的负载线插损的一示意图；
图5是图3中负载线阻抗·实部的一示意图；
图6是图3中负载线阻抗·实部的一示意图；
图7是针对N78频段进行二次仿真试验的负载线阻抗的一示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
本发明实施例提供一种功放输出匹配电路，如图1所示，该功放输出匹配电路用于与推挽功率放大器10输出级的第一功放输出11和第二功放输出12相连，功放输出匹配电路包括负载巴伦20、第一隔直电路30、第二隔直电路40、第一馈电电路50和第二馈电电路60；负载巴伦20的主线圈上设有第一巴伦输入21和第二巴伦输入22；第一巴伦输入21通过第一隔直电路30与第一功放输出11相连，且第一巴伦输入21通过第一馈电电路50与第一功放输出11相连；第二巴伦输入22通过第二隔直电路40与第二功放输出12相连，且第二巴伦输入22通过第二馈电电路60与第二功放输出12相连。
其中，推挽功率放大器10是采用推挽结构实现信号放大功能的功率放大器。该推挽功率放大器10可以包括多级功率放大器，该推挽功率放大器10的输出级可以为多级功率放大器中的最后一级。该推挽功率放大器10的输出级上设有两个输出端，即第一功放输出11和第二功放输出12。功放输出匹配电路是与推挽功率放大器10的第一功放输出11和第二功放输出12相连的电路，用于与推挽功率放大器10配合，以提高射频前端模组的输出功率和功率转换效率。本示例中，功放输出匹配电路通过负载线与推挽功率放大器10相连，通过功放输出匹配电路配合推挽功率放大器10工作，提高推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率。在一个实施例中，如图1所示，第一功放输出11包括第一芯片输出端和第一VCC偏置端。第一芯片输出端是用于传输射频信号的输出端，如图1中与第一隔直电路30相连的输出端。第一VCC偏置端用于与外接电路相连的输出端，如图1中与第一馈电电路50相连的输出端。第二功放输出12包括第二芯片输出端和第二VCC偏置端。第二芯片输出端是用于传输射频信号的输出端，如图1中与第二隔直电路40相连的输出端。第二VCC偏置端是用于与外接电路相连的输出端，如图1中与第二馈电电路60相连的输出端。
作为一示例，第一功放输出11和第二功放输出12为三极管(BJT)的集电极、三极管阵列的集电极、场效应管(FET)的漏极或者场效率管阵列的漏极。本示例中，场效应管阵列是采用多个场效应管配合形成的阵列，采用场效应管阵列相比于单个场效应管，可以满足推挽功放芯片10大功率输出的需求。三极管阵列是采用多个三极管配合形成的阵列，采用三极管阵列相比于单个三极管，可以满足推挽功放芯片10大功率输出的需求。
其中，负载巴伦20是设置在与推挽功率放大器10相连的负载线上的巴伦(balun),是一种三端口器件，或者说是一种通过将匹配输入转换为差分输出而实现平衡传输线电路与不平衡传输线电路之间的连接的宽带射频传输线变压器。本示例中，负载巴伦20可以为分立式巴伦，也可以为集成式巴伦，可以根据实际需求自主选择合适的巴伦。
具体地，负载巴伦20的主线圈上设有第一巴伦输入21、第二巴伦输入22和电源端23，次级线圈上设有第一巴伦输出24和第二巴伦输出25。其中，第一巴伦输入21和第二巴伦输入22是负载巴伦20与上级电路(即本实施例中的推挽功率放大器10)相连的输入端。第一巴伦输出24和第二巴伦输出25是与下级电路相连的输出端。电源端23是用于与供电电源相连的输出端。
本示例中，将功放输出匹配电路与推挽功率放大器10相连，具体是采用负载线连接推挽功率放大器10的第一功放输出11和负载巴伦20的第一巴伦输入21，并采用负载线连接推挽功率放大器10的第二功放输出12和负载巴伦20的第二巴伦输入22。以分立式巴伦为例，如图2所示，在功放输出匹配电路与推挽功率放大器10工作时，推挽功率放大器10的第一功放输出11上会形成第一芯片寄生电感L11，第二功放输出12上会形成第二芯片寄生电感L12，这两个芯片寄生电感是推挽功率放大器10封装的寄生电感。相应地，负载巴伦20的主线圈的第一巴伦输入21上形成第一巴伦寄生电感L21、第二巴伦输入22上形成第二巴伦寄生电感L22、第一巴伦输出24上形成第三巴伦寄生电感L23、第二巴伦输出25上形成第四巴伦寄生电感L24，这四个巴伦寄生电感是负载巴伦20的泄漏电感。可以理解地，芯片寄生电感和巴伦寄生电感都不是实际存在的电感，而是在推挽功率放大器10和负载巴伦20之间的寄生电感，会对负载线阻抗和负载线插损带来较大影响，从而影响推挽功率放大器10和功放输出匹配电路配合形成的射频前端模组的输出功率和功率转换效率。
为了避免推挽功率放大器10和负载巴伦20工作过程中形成的寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，可在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间设置第一隔直电路30，利用第一隔直电路30的隔直效果，使得第一功放输出11和第一巴伦输入21之间通过第一隔直电路30传输交流信号而不传输直流信号；由于负载巴伦20的电源端23接收的馈电信号需反馈给推挽功率放大器10，馈电信号为直流信号无法通过第一隔直电路30传输，因此，需在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间设置第一馈电电路50，该第一馈电电路50与第一隔直电路30并联，用于传输馈电信号等直流信号，保证推挽功率放大器10的正常工作。本示例中，采用并联设置在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间的第一隔直电路30和第一馈电电路50分别传输交流信号和直流信号，可有助于至少部分消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，提高推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率。
为了避免推挽功率放大器10和负载巴伦20工作过程中形成的寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间设置第二隔直电路40，利用第二隔直电路40的隔直效果，使得第二功放输出12和第二巴伦输入22之间通过第二隔直电路40传输交流信号而不传输直流信号；由于负载巴伦20的电源端23接收的馈电信号需反馈给推挽功率放大器10，馈电信号为直流信号无法通过第二隔直电路40传输，因此，需在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间设置第二馈电电路60，该第二馈电电路60与第二隔直电路40并联，用于传输馈电信号等直流信号，保证推挽功率放大器10的正常工作。本示例中，采用并联设置在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间的第二隔直电路40和第二馈电电路60分别传输交流信号和直流信号，可有助于至少部分消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，提高推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率。
本实施例所提供的功放输出匹配电路，在推挽功率放大器10的第一功放输出11和负载巴伦20的第一巴伦输入21之间并联设置第一隔直电路30和第一馈电电路50分别传输交流信号和直流信号；在推挽功率放大器10的第二功放输出12和负载巴伦20的第二巴伦输入22之间并联设置第二隔直电路40和第二馈电电路60分别传输交流信号和直流信号；可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，有助于保障推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率。由于第一隔直电路30、第一馈电电路50、第二隔直电路40和第二馈电电路60相互配合，可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响。
在一实施例中，如图2所示，第一隔直电路30包括第一隔直电容C3；第二隔直电路40包括第二隔直电容C4。
本示例中，第一功放输出11和第一巴伦输入21之间设置的第一隔直电容C3作为第一隔直电路30，利用第一隔直电容C3的隔直特性实现传输交流信号而不传输直流信号的目的，即使得负载巴伦20的交流信号可通过第一巴伦输入21、第一隔直电容C3和第一功放输出11这一支路到推挽功率放大器10，但直流信号不可通过该支路传输到推挽功率放大器10；因此，需在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间设置与第一隔直电容C3并联的第一馈电电路50，用于传输馈电信号等直流信号。而且，第一隔直电容C3与第一芯片寄生电感L11和第一巴伦寄生电感L21共同谐振在特定工作频段，从而消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响。可选地，所述第一隔直电路30被配置为与第一功放输出和第一巴伦输入之间第一隔直电路30所在支路上的电感在工作频段谐振，所述第二隔直电路40被配置为与第二功放输出和第二巴伦输入之间第二隔直电路40所在支路上的电感在工作频段谐振。其中，该工作频段为对应电路当前工作的频段，该工作频段可以为任一通讯标准下的任一频段，例如，5G通信标准中的N77或者N79频段。可以理解地，在工作频段谐振可以为在该工作频段内的任一频率谐振。其中，第一功放输出和第一巴伦输入之间的电感可以包括实体电感和寄生电感，即包括第一隔直电路30所在支路上的电感。第二功放输出和第二巴伦输入之间的电感也可以包括实体电感和寄生电感，即包括第二隔直电路40所在支路上的电感。示例性地，由于第一功放输出11和第一巴伦输入21之间存在第一芯片寄生电感L11和第一巴伦寄生电感L21，因此，可以在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间设置第一隔直电容C3，以使得第一隔直电容C3和与其串联的第一芯片寄生电感L11和第一巴伦寄生电感L21共同谐振在工作频段，更好地消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，使得第一隔直电路30无需额外配置与第一隔直电容C3实现谐振效果的电感，简化电路，降低成本。
本示例中，第二功放输出12和第二巴伦输入22之间设置的第二隔直电容C4作为第二隔直电路40，利用第二隔直电容C4的隔直特性实现传输交流信号而不传输直流信号的目的，即使得负载巴伦20的交流信号可通过第二巴伦输入22、第二隔直电容C4和第二功放输出12这一支路到推挽功率放大器10，但直流信号不可通过该支路传输到推挽功率放大器10；因此，需在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间设置与第二隔直电容C4并联的第二馈电电路60，用于传输馈电信号等直流信号。而且，第二隔直电容C4与第二芯片寄生电感L12和第二巴伦寄生电感L22共同谐振在工作频段上，从而更好地消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响。具体地，由于第二功放输出12和第二巴伦输入22之间存在第二芯片寄生电感L12和第二巴伦寄生电感L22，因此，可以直接在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间设置第二隔直电容C4，以使第二隔直电容C4和与其串联的第二芯片寄生电感L12和第二巴伦寄生电感L22共同谐振在特定工作频段，消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，使得第二隔直电路40无需额外配置与第二隔直电容C4实现谐振效果的电感，简化电路，降低成本。
具体地，第一隔直电容C3的电容值与第一芯片寄生电感L11和第一巴伦寄生电感L21的电感值和谐振频率相关；相应地，第二隔直电容C4的电容值与第二芯片寄生电感L12和第二巴伦寄生电感L22的电感值和谐振频率相关，具体需满足
Figure BDA0003105754630000121
其中，f为谐振频率，L为寄生电感的电感值(即同一支路上所有寄生电感的等效电感值)，C为隔直电容的电容值。该谐振频率可以设置为工作频段内的工作频率。
可以理解地，第一隔直电路30和第二隔直电路40还可以采用除隔直电容之外的其他电路替换，只需保障其可以实现隔直效果，或者可实现隔直效果和谐振效果，以消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响即可，本示例中采用第一隔直电容C3作为第一隔直电路30，采用第二隔直电容C4作为第二隔直电路40，使得功放输出匹配电路整体具有结构简单、成本低和电路空间小的优点。
在一个实施例中，第一隔直电路30包括第一隔直电容C3和第一谐振电感，第一隔直电容C3和第一谐振电感串联；第二隔直电路40包括第二隔直电容C4和第二谐振电感，第二隔直电容C4和第二谐振电感串联。此时，第一隔直电路30被配置为使第一隔直电容C3、第一谐振电感以及该支路上的寄生电感在工作频段上谐振。第二隔直电路40被配置为使第二隔直电容C4、第二谐振电感以及该支路上的寄生电感在工作频段上谐振。
在一个实施例中，第一隔直电路30包括第一可调电容网络，第二隔直电路40包括第二可调电容网络。具体地，在推挽功率放大器需要工作在不同工作频段时，可以通过调整第一可调电容网络以及第二可调电容网络中各自的电容值，使得在不同的工作频段时，第一隔直电路30可以与第一功放输出和第一巴伦输入之间第一隔直电路30所在支路上的电感在不同的工作频段上谐振。第二隔直电路40可以与第二功放输出和第二巴伦输入之间第二隔直电路40所在支路上的电感在不同的工作频段上谐振。
第一可调电容网络可以由一组以上的带开关的电容组成，即在每组带开关的电容中，包括串联连接的开关和电容，或者，并联连接的开关和电容。其中，若每组带开关的电容中包括串联连接的开关和电容，则每组带开关的电容之间并联连接。若每组带开关的电容中包括并联连接的开关和电容，则每组带开关的电容之间串联连接。
进一步地，第一可调电容网络可以由固定电容电路部分和可变电容电路部分组成，其中，所述可变电容电路部分由一组以上的带开关的电容组成。固定电容电路部分包括固定电容组成的电路，其中，固定电容电路部分和可变电容电路部分可以相互串联连接或者相互并联连接。
第二可调电容网络可以由一组以上的带开关的电容组成，即在每组带开关的电容中，包括串联连接的开关和电容，或者，并联连接的开关和电容。其中，若每组带开关的电容中包括串联连接的开关和电容，则每组带开关的电容之间并联连接。若每组带开关的电容中包括并联连接的开关和电容，则每组带开关的电容之间串联连接。
进一步地，第二可调电容网络可以由固定电容电路部分和可变电容电路部分组成，其中，所述可变电容电路部分由一组以上的带开关的电容组成。固定电容电路部分包括固定电容组成的电路，其中，固定电容电路部分和可变电容电路部分可以相互串联连接或者相互并联连接。
可以理解地，上述对第一可调电容网络和第二可调电容网络的描述仅是示例性描述，本发明实施例中的第一可调电容网络和第二可调电容网络不局限于上述结构，只要能够实现电容可调功能即可。
在一实施例中，第一馈电电路50为第一扼流圈L5或者LC馈电电路；第二馈电电路60为第二扼流圈L6或者LC馈电电路。
如图2所示，第一扼流圈L5是设置在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间的扼流圈，主要将负载巴伦20的馈电信号传递给推挽功率放大器10，以使推挽功率放大器10可以根据接收到馈电信号进行正常工作。例如，在第一隔直电路30为第一隔直电容C3时，由于第一隔直电容C3的隔直效果，使得部分直流信号无法通过第一隔直电容C3传输，此时，需采用第一扼流圈L5传输第一隔直电容C3无法传输的直流信号。采用第一扼流圈L5与第一隔直电路30并联，以传输馈电信号，使得电路具有结构简单，成本小和电路空间小的优点。相应地，第二扼流圈L6是设置在第二功放输出12和第二巴伦输入22之间的扼流圈，主要将负载巴伦20的馈电信号传递给推挽功率放大器10，以使推挽功率放大器10可以根据接收到馈电信号进行正常工作。例如，在第二隔直电路40为第二隔直电容C4时，由于第二隔直电容C4的隔直效果，使得部分直流信号无法通过第二隔直电容C4传输，此时，需采用第二扼流圈L6传输第二隔直电容C4无法传输的直流信号。采用第二扼流圈L6与第二隔直电路40并联，以传输馈电信号，使得电路具有结构简单，成本小和电路空间小的优点。
LC馈电电路是基于电感和电容形成的用于传输馈电信号的电路。本示例中，第一扼流圈L5和第二扼流圈L6均可以采用LC馈电电路替换，只需保证其可以在第一隔直电路30和第二隔直电路40无法传输馈电信号时，可实现馈电信号传输即可。即第一馈电电路50可以采用第一扼流圈L5和LC馈电电路中的任一种，第二馈电电路60可以采用第二扼流圈L6和LC馈电电路中的任一种，可以采用任意组合。
在一实施例中，LC馈电电路包括馈电电容和馈电电感，馈电电容和馈电电感并联。本示例中，采用馈电电容和馈电电感并联接入第一功放输出11和第一巴伦输入21之间，利用馈电电容和馈电电感配合形成的LC馈电电路传输馈电信号，且该LC馈电电路的电路结构形成电感电容振荡回路(即LC Tank),可以实现谐振效果，有助于保障推挽功率放大器10的正常工作。
在一实施例中，负载巴伦20的主线圈上还设有电源端23，电源端23通过一负载谐振电路与接地端相连；负载巴伦20的次级线圈上设有第一巴伦输出24和第二巴伦输出25；第一巴伦输出24通过一负载谐振电路与接地端相连；第二巴伦输出25通过一负载谐振电路与接地端相连。
其中，负载谐振电路是用于提供适当的谐振阻抗的电路。
作为一示例，如图2所示，负载巴伦20的主线圈上还设有电源端23，电源端23通过第一负载谐振电路71与接地端相连，该第一负载谐振电路71可为推挽功率放大器10提供合适的谐波阻抗，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。该第一负载谐振电路71是与负载巴伦20的主线圈上的电源端23相连的负载谐振电路。
作为一示例，如图2所示，负载巴伦20的次级线圈上设有第一巴伦输出24，第一巴伦输出24通过第二负载谐振电路72与接地端相连，主要用于消除负载巴伦20的次级线圈的第三巴伦寄生电感L23的阻抗和插损的影响，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。该第二负载谐振电路72是与负载巴伦20的次级线圈上的第一巴伦输出24相连的负载谐振电路。本示例中，第一巴伦输出24为整个功放输出匹配电路的输出端。
作为一示例，如图2所示，负载巴伦20的次级线圈上设有第二巴伦输出25，第二巴伦输出25通过第三负载谐振电路73与接地端相连，主要用于消除负载巴伦20的次级线圈的第四巴伦寄生电感L24的阻抗和插损的影响，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。该第三负载谐振电路73是与负载巴伦20的次级线圈上的第二巴伦输出25相连的负载谐振电路。
在一实施例中，负载谐振电路为负载谐振电容。如图2所示，负载巴伦20的主线圈上还设有电源端23，电源端23通过第一负载谐振电路71与接地端相连，该第一负载谐振电路71为第一负载谐振电容C71，用于为推挽功率放大器10提供合适的谐波阻抗，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。负载巴伦20的次级线圈上设有第一巴伦输出24，第一巴伦输出24通过第二负载谐振电路72与接地端相连，该第二负载谐振电路72为第二负载谐振电容C72，主要用于消除负载巴伦20的次级线圈的第三巴伦寄生电感L23的阻抗和插损的影响，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。负载巴伦20的次级线圈上设有第二巴伦输出25，第二巴伦输出25通过第三负载谐振电路73与接地端相连，该第三负载谐振电路73为第三负载谐振电容C73，主要用于消除负载巴伦20的次级线圈的第四巴伦寄生电感L24的阻抗和插损的影响，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。
进一步地，第一巴伦输出24为整个功放输出匹配电路的输出端时，若第二负载谐振电路72为第二负载谐振电容C72，还可以在第二负载谐振电容C72之后串联一个尾电感，以满足谐振抑制需求。
在一实施例中，负载谐振电路为LC谐振电路，LC谐振电路包括LC谐振电容和LC谐振电感，LC谐振电容和LC谐振电感串联。本示例中，LC谐振电容和LC谐振电感串联可起到谐振作用。可以理解地，采用LC谐振电容和LC谐振电感串联形成的LC谐振电路替换图2中的第一负载谐振电容C71、第二负载谐振电容C72和第三负载谐振电容C73，可以给负载线提供更好的谐波阻抗，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。
在一实施例中，负载谐振电路为π型谐振电路，π型谐振电路包括π型电感、第一π型电容和第二π型电容，第一π型电容一端与π型电感的第一端相连，另一端与接地端相连；第二π型电容一端与π型电感的第二端相连，另一端与接地端相连。本示例中，π型电感、第一π型电容和第二π型电容形成的π型谐振电路也可起到谐振作用。可以理解地，采用π型电感、第一π型电容和第二π型电容形成的π型谐振电路替换图2的第一负载谐振电容C71、第二负载谐振电容C72和第三负载谐振电容C73，可以给负载线提供更好的谐波阻抗，以达到优化推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率的目的。
本实施例中，第一负载谐振电路71、第二负载谐振电路72和第三负载谐振电路73均可以为单个负载谐振电容，以给推挽功率放大器10提供合适的谐振阻抗；也可以为LC谐振电容和LC谐振电感串联形成的LC谐振电路，可以提供比单个负载谐振电容更好的谐波阻抗；还可以为π型电感、第一π型电容和第二π型电容形成的π型谐振电路，可以提供比单个第四负载谐振电容C74更好的谐波阻抗。
本发明实施例提供一种射频前端模组，包括设置在基板上的推挽功率放大芯片和负载巴伦，推挽功放芯片中推挽功率放大器输出级上设有第一功放输出11和第二功放输出12，负载巴伦20的主线圈上设有第一巴伦输入21和第二巴伦输入22；第一巴伦输入21通过第一隔直电路30与第一功放输出11相连，且第一巴伦输入21通过第一馈电电路50与第一功放输出11相连；第二巴伦输入22通过第二隔直电路40与第二功放输出12相连，且第二巴伦输入22通过第二馈电电路60与第二功放输出12相连。
可以理解地，由于寄生电感的存在，使得现有射频前端模组应用在5Gsub-6GHz的射频前端产品(包括但不限于智能手机)时，需将负载巴伦20的电源端23的电源电压提升到至少5V(最高为5.5V)，具体通过增加额外的升压电源管理芯片(Booster PMIC)，存在如下不足，电源管理芯片工作时带来的额外电池损耗，占用手机电路板有限的空间和使其设计成本增加。本发明实施例提供的功放输出匹配电路或者射频前端模组，可有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，可使其所形成的射频前端模组无需采用额外的升压电源管理芯片下，即可提高推挽功率放大器10的输出功率和功率转换效率，保证更有竞争力的电池损耗。
本实施例所提供的射频前端模组包括推挽功率放大芯片和上述实施例的功放输出匹配电路，在推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级上的第一功放输出11和负载巴伦20的第一巴伦输入21之间并联设置第一隔直电路30和第一馈电电路50，分别用于输入交流信号和直流信号；在推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级上的第二功放输出12和负载巴伦20的第二巴伦输入22之间并联设置第二隔直电路40和第二馈电电路60，分别用于传输交流信号和直流信号，可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，有助于保障推挽功率放大芯片的输出功率和功率转换效率。
在一实施例中，第一隔直电路30和/或第二隔直电路40设置在推挽功放芯片中，或者，第一隔直电路30和/或第二隔直电路40设置在基板上。即第一隔直电路30可以设置在推挽功放芯片中，也可以设置在基板上，其设置位置不做限定，只要第一隔直电路30设置在第一功放输出11和第一巴伦输入21之间，保证其谐振作用可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响即可。相应地，第二隔直电路40可以设置在推挽功放芯片中，也可以设置在基板上，其设置位置不做限定，只要第二隔直电路40设置在第二功放输出12和第二巴伦输入21之间，保证其谐振作用可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响即可。
在一实施例中，射频前端模组还包括设置在第一功放输出11和第二功放输出12之间的负载谐振电路；所述第一功放输出和所述第二功放输出之间设有一负载谐振电路，所述负载谐振电路为负载谐振电容、LC谐振电路或者π型谐振电路。负载谐振电路是用于提供适当的谐振阻抗的电路。
作为一示例，如图2所示，射频前端模组上设有第四负载谐振电路74，第四负载谐振电路74设置在第一功放输出11和第二功放输出12之间，可以为推挽功率放大器10提供合适的谐波阻抗，以达到优化推挽功率放大芯片的输出功率和功率转换效率的目的。
例如，第四负载谐振电路74可以为第四负载谐振电容C74，以给推挽功率放大芯片提供合适的谐振阻抗；也可以为LC谐振电容和LC谐振电感串联形成的LC谐振电路，可以提供比单个第四负载谐振电容C74更好的谐波阻抗；还可以为π型电感、第一π型电容和第二π型电容形成的π型谐振电路，可以提供比单个第四负载谐振电容C74更好的谐波阻抗。
作为一示例，第一功放输出11和第二功放输出12为三极管的集电极、三极管阵列的集电极、场效率管的漏极或者场效率管阵列的漏极。本示例中，场效应管阵列是采用多个场效应管配合形成的阵列，采用场效应管阵列相比于单个场效应管，可以满足推挽功放芯片10大功率输出的需求。三极管阵列是采用多个三极管配合形成的阵列，采用三极管阵列相比于单个三极管，可以满足推挽功放芯片10大功率输出的需求。
为了验证上述实施例所提供的射频前端模组的效果，将该射频前端模组与现有技术中的射频前端模组在相同条件下进行仿真试验，其中，现有技术所提供的射频前端模组不包括上述实施例中包含负载巴伦20、第一隔直电路30、第二隔直电路40、第一馈电电路50和第二馈电电路60所形成的功放输出匹配电路。将本实施例所提供的射频前端模组进行仿真试验的方案确定为方案1，现有技术所提供的射频前端模组(即没有上述功放输出匹配电路)进行仿真试验的方案确定为方案2，以下结合仿真试验效果图进行论述。
图3示出将方案1和方案2在N78频段进行一次谐波负载线阻抗仿真试验的效果图，即在N78频段下，针对频率(freq)在3.3GHz-3.8GHz下，对两个方案进行一次谐波负载线阻抗仿真试验，其结果如方案1和方案2所指的线条所示，图3中选取两个对照点(m31和m32)的结果来对比两个方案的负载线阻抗，即在频率(freq)为3.6GHz时，方案1的一次谐波负载线阻抗(impedance)＝3.6-j7.9E-2；方案2的一次谐波负载线阻抗(impedance)＝5.1+j0.9。由此可知，相同条件下，方案1的负载线阻抗低于方案2的负载线阻抗，可以反映出本实施例所提供的功放输出匹配电路可以有效消除负载线阻抗的影响。
图4示出将方案1和方案2在N78频段下进行负载线插损仿真试验的效果图。图4中选取两个对照点(m33和m34)的结果来对比两个方案的负载线插损，即在频率(freq)为3.3GHz时，方案1的负载线插损为-0.34，方案2的负载线插损为-1.14；在频率(freq)为3.8GHz时，方案1的负载线插损为-0.35，方案2的负载线插损为-1.26。由此可知，相同条件下，方案1的负载线插损(绝对值)小于方案2的负载线插损(绝对值)，可以反映出本实施例所提供的功放输出匹配电路可以有效消除负载线插损的影响。
图5和图6分别出图3中一次谐波负载线阻抗的实部和虚部，由图5和图6所示，相同条件下，方案1的负载线阻抗低于方案2的负载线阻抗，可以反映出本实施例所提供的功放输出匹配电路可以有效消除负载线阻抗的影响。
图7示出将方案1和方案2在N78频段进行二次谐波负载线阻抗仿真试验的效果图，即在N78频段下，针对频率(freq)在6.6GHz-7.6GHz下，对两个方案进行二次谐波负载线阻抗仿真试验，其结果如方案1和方案2所指的线条所示，图3中选取两个对照点(m35和m36)的结果来对比两个方案的负载线阻抗，即在频率(freq)为7.1GHz时，方案1的二次谐波负载线阻抗(impedance)＝1.83E2-j98.52；方案2的二次谐波负载线阻抗(impedance)＝8.7E1+j1.7E2。由此可知，相同条件下，方案1的负载线阻抗低于方案2的负载线阻抗，可以反映出本实施例所提供的功放输出匹配电路可以有效消除负载线阻抗的影响。
本发明实施例还提供一种无线装置，包括上述实施例中的功放输出匹配电路。
本发明实施例还提供一种无线装置，包括上述实施例中的射频前端模组。可选地，该射频前端模组包括推挽功率放大芯片和上述实施例的功放输出匹配电路，在推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级的第一功放输出11和负载巴伦20的第一巴伦输入21之间并联设置第一隔直电路30和第一馈电电路50，在推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级的第二功放输出12和负载巴伦20的第二巴伦输入22之间并联设置第二隔直电路40和第二馈电电路60；第一隔直电路30和第二隔直电路40的设置，可以有效消除寄生电感对负载线阻抗和负载线插损的影响，有助于保障推挽功率放大芯片的输出功率和功率转换效率；第一馈电电路50和第二馈电电路60的设置，可以保障馈电信号的正常传输，以保证推挽功率放大芯片的正常工作。可以理解地，该无线装置包括但不限于为移动终端、平板电脑、智能手表、智能手环等具备无线通讯功能的设备。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种功放输出匹配电路，用于与推挽功率放大器输出级的第一功放输出和第二功放输出相连，其特征在于，包括负载巴伦、第一隔直电路、第二隔直电路、第一馈电电路和第二馈电电路；所述负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；所述第一巴伦输入通过第一隔直电路与所述第一功放输出相连，且所述第一巴伦输入通过所述第一馈电电路与所述第一功放输出相连；所述第二巴伦输入通过所述第二隔直电路与所述第二功放输出相连，且所述第二巴伦输入通过所述第二馈电电路与所述第二功放输出相连。
2.如权利要求1所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述第一隔直电路被配置为：与第一功放输出和第一巴伦输入之间所述第一隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振；
所述第二隔直电路被配置为：与第二功放输出和第二巴伦输入之间所述第二隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振。
3.如权利要求1所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述第一隔直电路包括第一隔直电容，所述第二隔直电路包括第二隔直电容。
4.如权利要求1所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述第一隔直电路包括第一隔直电容和第一谐振电感，所述第一隔直电容和所述第一谐振电感串联；所述第二隔直电路包括第二隔直电容和第二谐振电感，所述第二隔直电容和所述第二谐振电感串联。
5.如权利要求1所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述第一馈电电路为第一扼流圈或者LC馈电电路；所述第二馈电电路为第二扼流圈或者LC馈电电路。
6.如权利要求5所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述LC馈电电路包括馈电电容和馈电电感，所述馈电电容和所述馈电电感并联。
7.如权利要求1所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述负载巴伦的主线圈上还设有电源端，所述电源端通过一负载谐振电路与接地端相连；
所述负载巴伦的次级线圈上设有第一巴伦输出和第二巴伦输出；所述第一巴伦输出通过一负载谐振电路与接地端相连；所述第二巴伦输出通过一负载谐振电路与接地端相连。
8.如权利要求7所述的功放输出匹配电路，其特征在于，所述负载谐振电路为负载谐振电容；
或者，所述负载谐振电路为LC谐振电路，所述LC谐振电路包括LC谐振电容和LC谐振电感，所述LC谐振电容和所述LC谐振电感串联；
或者，所述负载谐振电路为π型谐振电路，所述π型谐振电路包括π型电感、第一π型电容和第二π型电容，所述第一π型电容一端与所述π型电感的第一端相连，另一端与接地端相连；所述第二π型电容一端与所述π型电感的第二端相连，另一端与接地端相连。
9.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括推挽功率放大器、负载巴伦、第一隔直电路、第二隔直电路、第一馈电电路和第二馈电电路；所述推挽功率放大器的输出级包括第一功放输出和第二功放输出；所述负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；所述第一巴伦输入通过第一隔直电路与所述第一功放输出相连，且所述第一巴伦输入通过所述第一馈电电路与所述第一功放输出相连；所述第二巴伦输入通过所述第二隔直电路与所述第二功放输出相连，且所述第二巴伦输入通过所述第二馈电电路与所述第二功放输出相连。
10.如权利要求9所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一隔直电路被配置为：与第一功放输出和第一巴伦输入之间所述第一隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振；
所述第二隔直电路被配置为：与第二功放输出和第二巴伦输入之间所述第二隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振。
11.一种射频前端模组，其特征在于，包括设置于基板上的推挽功率放大芯片和负载巴伦，所述推挽功率放大芯片中推挽功率放大器输出级上设有第一功放输出和第二功放输出，所述负载巴伦的主线圈上设有第一巴伦输入和第二巴伦输入；
所述第一巴伦输入通过第一隔直电路与所述第一功放输出相连，且所述第一巴伦输入通过第一馈电电路与所述第一功放输出相连；所述第二巴伦输入通过第二隔直电路与所述第二功放输出相连，且所述第二巴伦输入通过第二馈电电路与所述第二功放输出相连。
12.如权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一隔直电路被配置为：与第一功放输出和第一巴伦输入之间所述第一隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振；
所述第二隔直电路被配置为：与第二功放输出和第二巴伦输入之间所述第二隔直电路所在支路上的电感在工作频段谐振。
13.如权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一隔直电路和/或所述第二隔直电路设置在所述推挽功率放大芯片中，或者，所述第一隔直电路和/或所述第二隔直电路设置在所述基板上。
14.如权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功放输出和所述第二功放输出为三极管的集电极、三极管阵列的集电极、场效率管的漏极或者场效率管阵列的漏极。
15.如权利要求11所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功放输出和所述第二功放输出之间设有一负载谐振电路，所述负载谐振电路为负载谐振电容、LC谐振电路或者π型谐振电路。
16.一种无线装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的功放输出匹配电路，或者，包括权利要求9-10中任一项所述的推挽功率放大电路，或者，包括权利要求11-15中任一项所述的射频前端模组。
CN202110637469.6A 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置 Active CN113572440B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110637469.6A CN113572440B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010548699.0A CN111600559B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
CN202110637469.6A CN113572440B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010548699.0A Division CN111600559B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113572440A true CN113572440A (zh) 2021-10-29
CN113572440B CN113572440B (zh) 2022-11-08

Family

ID=72182475

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010548699.0A Active CN111600559B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
CN202110637469.6A Active CN113572440B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010548699.0A Active CN111600559B (zh) 2020-06-16 2020-06-16 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220321066A1 (zh)
EP (1) EP4167481A4 (zh)
CN (2) CN111600559B (zh)
WO (1) WO2021253597A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114257181A (zh) * 2021-12-22 2022-03-29 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频电路、射频前端模组和推挽功率放大器
CN116743095A (zh) * 2023-03-10 2023-09-12 振弦(苏州)微电子有限公司 一种改善各功率管输出功率一致性的pa及设计方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111600559B (zh) * 2020-06-16 2021-07-06 锐石创芯（深圳）科技有限公司 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
CN112398448B (zh) * 2020-10-30 2021-08-17 锐石创芯（深圳）科技有限公司 射频差分放大电路和射频模组
CN112462170B (zh) * 2020-11-06 2021-11-19 北京航空航天大学 一种用于无线充电线圈测试的平衡-不平衡转换电路
CN112953589B (zh) * 2021-02-08 2022-10-18 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频前端模组和无线通信装置
CN114915274B (zh) * 2021-02-08 2023-12-01 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 一种推挽功率放大器
CN115549617A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 推挽功率放大电路及射频前端模组
CN115622518A (zh) * 2021-06-30 2023-01-17 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 一种推挽功率放大电路及射频前端模组
CN115700998B (zh) * 2021-07-30 2023-12-05 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 多尔蒂功率放大器及射频前端模块
CN215818097U (zh) * 2021-08-17 2022-02-11 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大电路、发射模组、通信设备及通信系统
CN115913151A (zh) * 2021-09-30 2023-04-04 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频推挽功率放大电路及射频推挽功率放大器
CN115913139A (zh) * 2021-09-30 2023-04-04 锐磐微电子科技(上海)有限公司 推挽式射频功率放大电路及推挽式射频功率放大器
CN115913142A (zh) * 2021-09-30 2023-04-04 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频推挽功率放大器芯片及射频前端模组
CN113902078B (zh) * 2021-11-04 2024-03-22 厦门忻德物联网科技有限公司 一种适用于1500米以内的远距离id身份识别方法及系统
CN114172468A (zh) * 2021-11-24 2022-03-11 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器及短报文通信系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953961A (zh) * 2015-06-17 2015-09-30 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 一种双级逆d类功率放大电路及射频功率放大器
CN111600559A (zh) * 2020-06-16 2020-08-28 锐石创芯（深圳）科技有限公司 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6819200B2 (en) * 2002-07-26 2004-11-16 Freescale Semiconductor, Inc. Broadband balun and impedance transformer for push-pull amplifiers
US7288995B2 (en) * 2005-06-15 2007-10-30 Nokia Corporation Power amplifier of a transmitter
JP5247367B2 (ja) * 2008-11-13 2013-07-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｒｆ電力増幅器
WO2010090202A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 日本電気株式会社 高周波電力増幅器
CN101577526B (zh) * 2009-05-31 2011-04-27 北京瑞夫艾电子有限公司 一种射频推挽功率放大器
CN101951232A (zh) * 2010-10-14 2011-01-19 沈阳中科微电子有限公司 射频功率放大器
CN202261179U (zh) * 2011-07-11 2012-05-30 成都信息工程学院 一种p波段射频推挽高功率放大器
US9316723B2 (en) * 2012-05-24 2016-04-19 Raytheon Company Differential high power amplifier for a low profile, wide band transmit array
CN204794909U (zh) * 2015-07-21 2015-11-18 桂林电子科技大学 一种用于耦合谐振无线电能传输装置的射频功率放大器
CN106066462A (zh) * 2016-06-24 2016-11-02 浙江纺织服装职业技术学院 磁共振系统内的推挽功放相位补偿电路和补偿方法
US10236841B2 (en) * 2016-08-10 2019-03-19 University Of Electronic Science And Technology Differential amplifier
CN106253864A (zh) * 2016-08-11 2016-12-21 宜确半导体（苏州）有限公司 一种射频功率放大器
US9859844B1 (en) * 2016-10-10 2018-01-02 Sebastien Amiot Power amplifier circuit and method of design
CN106788274B (zh) * 2017-01-18 2023-10-31 广东宽普科技股份有限公司 一种宽带三路合成射频微波功率放大器
CN207490871U (zh) * 2017-09-29 2018-06-12 成都腾诺科技有限公司 一种多频段射频功率放大器
CN107911092B (zh) * 2017-10-10 2020-11-27 天津大学 一种宽带高线性度的射频发射前端电路
US11750167B2 (en) * 2017-11-27 2023-09-05 Silicon Laboratories Inc. Apparatus for radio-frequency matching networks and associated methods
CN108988793A (zh) * 2018-08-28 2018-12-11 广东宽普科技股份有限公司 一种射频信号功率放大电路
CN109347451B (zh) * 2018-08-29 2023-06-13 北京理工大学 一种用于提高超声导波信号能量的功率放大器
CN109361366A (zh) * 2018-09-19 2019-02-19 天津大学 一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器
CN110572167B (zh) * 2019-09-09 2021-07-20 广州粒子微电子有限公司 射频前端发射电路、射频前端接收电路和射频前端电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953961A (zh) * 2015-06-17 2015-09-30 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 一种双级逆d类功率放大电路及射频功率放大器
CN111600559A (zh) * 2020-06-16 2020-08-28 锐石创芯（深圳）科技有限公司 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114257181A (zh) * 2021-12-22 2022-03-29 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频电路、射频前端模组和推挽功率放大器
CN116743095A (zh) * 2023-03-10 2023-09-12 振弦(苏州)微电子有限公司 一种改善各功率管输出功率一致性的pa及设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111600559B (zh) 2021-07-06
CN111600559A (zh) 2020-08-28
WO2021253597A1 (zh) 2021-12-23
EP4167481A4 (en) 2023-12-06
CN113572440B (zh) 2022-11-08
US20220321066A1 (en) 2022-10-06
EP4167481A1 (en) 2023-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111600559B (zh) 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
JP6528845B2 (ja) アンテナ整合回路、アンテナ回路、フロントエンド回路および通信装置
US7092691B2 (en) Switchless multi-resonant, multi-band power amplifier
CN108063627B (zh) 射频收发开关
CN106712725A (zh) 一种基于单片微波集成电路的超宽带高增益低噪声放大器
KR20010106398A (ko) 고주파 전력 증폭기 모듈
US20140306780A1 (en) Duplexers
JP2011015242A (ja) 高周波電力増幅器
US20050233764A1 (en) Apparatus, methods and articles of manufacture for output impedance matching using multi-band signal processing
US20240088837A1 (en) Low noise amplification circuit
CN100361398C (zh) 用于多频带射频装置的阻抗匹配电路
CN111431488A (zh) 射频功率放大器及通信设备
CN206195723U (zh) 一种基于单片微波集成电路的超宽带高增益低噪声放大器
CN104184488A (zh) 射频匹配电路及无线通信装置
CN112953589A (zh) 射频前端模组和无线通信装置
CN102158179A (zh) 一种采用正反馈和负反馈结构的多模低噪声放大器
JP2007531389A (ja) アンテナ装置
CN216252674U (zh) 推挽功率放大电路及射频前端模组
EP3772184B1 (en) A tunable matching network for a transceiver
CN114696747A (zh) 一种具有新型平衡网络的宽带多赫蒂功率放大器
JP2016213822A (ja) 携帯型電子機器
CN218124668U (zh) 射频前端模组
KR101473717B1 (ko) 광대역 모듈 및 이를 포함하는 통신 장치
KR101473714B1 (ko) 광대역 모듈 및 이를 포함하는 통신 장치
CN115102512B (zh) 推挽功率放大电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: Ruishi Chuangxin (Shenzhen) Technology Co.,Ltd.

Address before: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: AN ADVANCED RF POWER AMPLIFIER AND COMMUNICATION DEVICE

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant