CN114172468A - 射频功率放大器及短报文通信系统 - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 110
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 102100039435 C-X-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 1
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- 101000889048 Homo sapiens C-X-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000742 single-metal deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
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Abstract
本发明提供了一种射频功率放大器，包括前级功率放大器，用于将输入端的信号进行放大后输出单端信号；第一螺旋线巴伦，用于将前级功率放大器的单端信号转换为差分信号并实现功率等分；末级功率放大单元，用于将第一螺旋线巴伦输出的差分信号进行放大后输出；第二螺旋线巴伦，用于将末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出；巴伦调谐电容单元，用于调节前级功率放大器和末级功率放大器的输出阻抗；输出匹配网络，用于将第二螺旋线巴伦输出的信号实现阻抗匹配后输出。本发明还提供一种短报文通信系统。与现有技术相比，本发明的射频功率放大器和短报文通信系统输出饱和功率高，谐波抑制能力强。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信射频芯片设计技术领域，尤其涉及一种适用短报文通信系统的射频功率放大器及短报文通信系统。
背景技术
卫星导航系统中的短报文通信主要应用于普通移动通讯信号不能覆盖的地区(如无人区，荒漠，海洋，极地等)或通讯基站遭受破坏的情况下(如地震，洪水，台风等)，由于通信环境更加恶劣复杂，且导航终端与卫星间的通信距离与蜂窝移动网络相比距离更远，所以通信系统的准确性和稳定性就显得尤为关键。
卫星导航地面终端正常工作时，其与导航卫星、导航地面监控总站之间能够直接通过卫星信号进行双向的信息传递，通信模式是以短报文(类似手机短信)形式作为传输基本单位，由于通信距离更远，作为射频前端的关键器件，射频功率放大器就需要输出更高的饱和功率，而高功率输出时射频功率放大器通常工作在非线性区，会产生一系列的谐波分量，谐波抑制能力变差，其自身对谐波的抑制能力的好坏将成为评判其整体性能的一项重要指标。
发明内容
针对以上相关技术的不足，本发明提出一种输出饱和功率高，谐波抑制能力强的射频功率放大器及短报文通信系统。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种射频功率放大器，包括：
输入端；
前级功率放大器，所述前级功率放大器的输入连接至所述输入端，用于将输入端的信号进行放大后输出单端信号；
第一螺旋线巴伦，用于将前级功率放大器的单端信号转换为差分信号并实现功率等分；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第一端连接至所述前级功率放大器的输出，所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第二端分别连接至第一电源电压和接地；
末级功率放大单元，用于将所述第一螺旋线巴伦输出的差分信号进行放大后输出，其包括第一功率放大器和第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入连接至所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第二功率放大器的输入连接至所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的第二端；
第二螺旋线巴伦，用于将所述末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出，所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的第一端连接至所述第一功率放大器的输出，所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的第二端连接至所述第二功率放大器的输出；所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的中抽头端连接至第二电源；
巴伦调谐电容单元，所述巴伦调谐电路单元包括分别连接至所述第一螺旋线巴伦的第一巴伦调谐电容单元和连接至所述第二螺旋线巴伦的第二巴伦调谐电容单元，用于调节所述前级功率放大器和所述末级功率放大器的输出阻抗；
输出匹配网络，用于将所述第二螺旋线巴伦输出的信号实现阻抗匹配后输出，其包括依次连接的第一串联谐振电路、第二串联谐振电路、第一低通匹配电路、第二低通匹配电路、第三低通匹配电路以及带阻匹配网络；以及，
输出端，所述输出端连接至所述输出匹配网络的输出。
优选的，所述射频功率放大器由射频芯片单元和基板装配组成；所述输出端、所述前级功率放大器、所述第一螺旋线巴伦、所述第一巴伦调谐电容单元、所述末级功率放大单元均集成于所述射频芯片单元，所述第二螺旋线巴伦、所述第二巴伦调谐电容单元、所述输出匹配网络、所述输出端均形成于所述基板上。
优选的，所述第一巴伦调谐电容单元包括第一调谐电容、第二调谐电容、第三调谐电容和第四调谐电容；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第一端还通过串联所述第一调谐电容后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第二端通过串联所述第二调谐电容后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的中抽头端通过串联所述第三调谐电容后连接至接地；所述第四调谐电容与所述第二螺旋线巴伦的初级线圈并联连接。
优选的，所述第一调谐电容、所述第二调谐电容、所述第三调谐电容及所述第四调谐电容为片上STACK电容或MIM电容。
优选的，所述第二巴伦调谐电容单元包括第五调谐电容、第六调谐电容、第七调谐电容和第八调谐电容；所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的中抽头端还通过串联所述第五调谐电容后连接至接地；所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第二端通过串联所述第六调谐电容后连接至接地；所述第七调谐电容和所述第八调谐电容分别与所述第二螺旋线巴伦的次级线圈并联连接。
优选的，所述第一串联谐振电路包括相互串联的所述第七谐振电容和第一谐振电感，所述第一串联谐振电路一端连接至所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第一串联谐振电路的另一端连接至接地；所述第二串联谐振电路与所述第一串联谐振电路的结构相同。
优选的，所述第一低通匹配电路包括第一电感、第一电容和第一匹配电感，所述第一电感的第一端作为输入连接至所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第一电感的第二端作为输出，所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第二端，所述第一电容的第二端连接至所述第一匹配电感的第一端，所述第一匹配电感的第二端连接至接地；所述第二低通匹配电路以及第三低通匹配电路均与所述第一低通匹配电路的结构相同，所述第二低通匹配电路的输入连接至所述第一低通匹配电路的输出，所述第三低通匹配电路的输入连接至所述第二低通匹配电路的输出。
优选的，所述带阻匹配网络包括相互并联的第四电容和第四电感，所述带阻匹配网络的输入连接至所述第三低通匹配电路的输出，所述带阻匹配网络的输出连接至所述输出端。
优选的，所述第一电感、所述第二电感、所述第三电感、所述第一匹配电感、所述第二匹配电感、所述第三匹配电感、第一谐振电感以及第二谐振电感均通过SMT形式或绕线电感形式或IPD形式形成。
本发明实施例还提供一种短报文通信系统，包括本发明实施例提供的上述射频功率放大器。
与现有技术相比，本发明的射频功率放大器和短报文通信系统，包括前级功率放大器，用于将输入的信号进行放大后输出单端信号；第一螺旋线巴伦，用于将前级功率放大器的单端信号转换为两路差分信号；末级功率放大单元，用于将所述第一螺旋线巴伦输出的差分信号进行放大后输出；第二螺旋线巴伦，用于将所述末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出；巴伦调谐电容单元，用于调节所述前级功率放大器和所述末级功率放大器的输出阻抗；输出匹配网络，用于将所述第二螺旋线巴伦输出的信号实现阻抗匹配后输出。通过上述结构两级功率放大结构以及螺旋线巴伦的差分转换，有效的实现了更高的饱和功率输出且对偶次谐波加强抑制；同时，通过上述结构中的巴伦调谐电容单元和输出匹配网络的结构设置，更有效的实现了对输出阻抗的匹配以及对二阶、三阶谐波的抑制，从而达到了更优的谐波抑制效果。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
图1为本发明实施例提供的射频功率放大器的电路结构框架图；
图2为本发明实施例提供的射频功率放大器的S能数仿真结果曲线图；
图3为本发明实施例提供的射频功率放大器输出功率仿真结果曲线图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本发明实施方式及本发明范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本发明的保护范围之内。
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧面等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参图1所示，本发明实施例提供了一种射频功率放大器100，包括：输入端RFin、输入匹配网络1、前级功率放大器DA1、第一螺旋线巴伦TF1、末级功率放大单元2、第二螺旋线巴伦TF2、巴伦调谐电容单元、输出匹配网络3以及输出端RFout。
所述输入端RFin，用于接收射频信号。
所述前级功率放大器DA1的输入连接至所述输入端RFin，用于将输入端RFin的射频信号进行放大后输出单端信号。当然，还可以在前级功率放大器DA1的输入与所述输入端RFin之间串联输入匹配网络1，用于实现输入阻抗的匹配，比如串联一个滤波器，本实施方式中所提及的输入匹配网络1，主要用于射频功率放大器输入端50欧姆的匹配。
所述第一螺旋线巴伦TF1用于将前级功率放大器DA1放大处理后的单端信号转换为两路差分信号并实现功率等分；所述第一螺旋线巴伦TF1的初级线圈的第一端连接至所述前级功率放大器DA1的输出，所述第一螺旋线巴伦TF1的初级线圈的第二端分别连接至第一电源电压VCC1和接地。
所述末级功率放大单元2用于将所述第一螺旋线巴伦TF1输出的差分信号进行放大后输出，其包括第一功率放大器PA2_1和第一功率放大器PA2_2，所述第一功率放大器PA2_1的输入连接至所述第一螺旋线巴伦TF1的次级线圈的第一端，所述第一功率放大器PA2_2的输入连接至所述第一螺旋线巴伦TF1的次级线圈的第二端。
所述第二螺旋线巴伦TF2用于将所述末级功率放大单元2输出的差分信号进行合成后输出。所述第二螺旋线巴伦TF2的初级线圈的第一端连接至所述第一功率放大器PA2_1的输出，所述第二螺旋线巴伦TF2的初级线圈的第二端连接至所述第一功率放大器PA2_2的输出；所述第二螺旋线巴伦TF2的初级线圈的中抽头端连接至第二电源VCC2。
所述巴伦调谐电路单元包括分别连接至所述第一螺旋线巴伦TF1的第一巴伦调谐电容单元和连接至所述第二螺旋线巴伦TF2的第二巴伦调谐电容单元，用于调节所述前级功率放大器DA1和所述末级功率放大器2的输出阻抗，以实现更好的谐波抑制效果。
具体的，所述第一巴伦调谐电容单元包括第一调谐电容C01、第二调谐电容C02、第三调谐电容C03和第四调谐电容C04。
所述第一螺旋线巴伦TF1的初级线圈的第一端还通过串联所述第一调谐电容C01后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦TF1的初级线圈的第二端通过串联所述第二调谐电容C02后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦TF1的次级线圈的中抽头端通过串联所述第三调谐电容C03后连接至接地；所述第四调谐电容C04与所述第二螺旋线巴伦TF2的初级线圈并联连接。
所述第二巴伦调谐电容单元包括第五调谐电容C05、第六调谐电容C06、第七调谐电容Ct1和第八调谐电容Ct2。
所述第二螺旋线巴伦TF2的初级线圈的中抽头端还通过串联所述第五调谐电容C05后连接至接地；所述第二螺旋线巴伦TF2的次级线圈的第二端通过串联所述第六调谐电容C06后连接至接地；所述第七调谐电容Ct1和所述第八调谐电容Ct2分别与所述第二螺旋线巴伦TF2的次级线圈并联连接。
所述输出匹配网络3用于将所述第二螺旋线巴伦TF2输出的信号实现阻抗匹配后输出，其包括依次连接的第一串联谐振电路31、第二串联谐振电路32、第一低通匹配电路33、第二低通匹配电路34、第三低通匹配电路35以及带阻匹配网络36。
具体的，所述第一串联谐振电路31包括相互串联的所述第七谐振电容Ct1和第一谐振电感Lt1，所述第一串联谐振电路31一端连接至所述第二螺旋线巴伦TF2的次级线圈的第一端，所述第一串联谐振电路31的另一端连接至接地。
所述第二串联谐振电路32与所述第一串联谐振电路31的结构相同。具体为包括相互串联的所述第八谐振电容Ct2和第二谐振电感Lt2，所述第二串联谐振电路32一端连接至所述第二螺旋线巴伦TF2的次级线圈的第一端，所述第二串联谐振电路32的另一端连接至接地。
需要说明的是，第七谐振电容Ct1和第八谐振电容Ct2即充当了第二巴伦调谐电容单元的一部分，也同时充当了第二串联谐振电路32的一部分，减少元器件数量实现性能极大优化。
所述第一低通匹配电路33包括第一电感L1、第一电容C1和第一匹配电感L01。
所述第一电感L1的第一端作为输入连接至所述第二螺旋线巴伦TF2的次级线圈的第一端，所述第一电感L1的第二端作为输出。所述第一电容C1的第一端连接至所述第一电感L1的第二端，所述第一电容C1的第二端连接至所述第一匹配电感L01的第一端；所述第一匹配电感L01的第二端连接至接地。
所述第二低通匹配电路34以及第三低通匹配电路35均与所述第一低通匹配电路33的结构相同，从而共同形成三段低通匹配网络。
所述第二低通匹配电路34的输入连接至所述第一低通匹配电路33的输出。具体的，所述第二低通匹配电路34包括第二电感L2、第二电容C2和第二匹配电感L02。
所述第二电感L2的第一端作为输入连接至所述第一电感L1的第二端，所述第二电感L2的第二端作为输出。所述第二电容C2的第一端连接至所述第二电感L2的第二端，所述第二电容C2的第二端连接至所述第二匹配电感L02的第一端；所述第二匹配电感L02的第二端连接至接地。
所述第三低通匹配电路35的输入连接至所述第二低通匹配34电路的输出。具体的，所述第三低通匹配电路35包括第三电感L3、第三电容C3和第三匹配电感L03。
所述第三电感L3的第一端作为输入连接至所述第二电感L2的第二端，所述第三电感L3的第二端作为输出。所述第三电容C3的第一端连接至所述第三电感L3的第二端，所述第三电容C3的第二端连接至所述第三匹配电感L03的第一端；所述第三匹配电感L03的第二端连接至接地。
所述带阻匹配网络36在本实施方式为一个并联谐振电路，包括相互并联的第四电容C4和第四电感L4，所述带阻匹配网络36的输入连接至所述第三低通匹配电路35的输出，即连接至第三电感L3的第二端，所述带阻匹配网络36的输出连接至所述输出端RFout。
所述输出端RFout连接至所述输出匹配网络3的输出，即连接至所述带阻匹配网络36的输出。
本实施方式中，所述射频功率放大器100由射频芯片单元HBT DIE和基板Laminate装配组成。
其中，所述输出端RFout、所述前级功率放大器DA1、所述第一螺旋线巴伦TF1、所述第一巴伦调谐电容单元、所述末级功率放大单元均集成于所述射频芯片单元HBT DIE，所述第二螺旋线巴伦TF2、所述第二巴伦调谐电容单元、所述输出匹配网络3、所述输出端RFout均形成于所述基板Laminate上。
本实施方式中，第二调谐电容C02、第三调谐电容C03和第四调谐电容C04的实现形成为片上STACK电容或MIM电容，可有效的节省在所述射频芯片单元HBT DIE上的占用面积，实现小型化。
所述第一电感L1、所述第二电感L2、所述第三电感L3、所述第一匹配电感L01、所述第二匹配电感L02、所述第三匹配电感L03、第一谐振电感Lt1以及第二谐振电感Lt2均通过SMT形式或绕线电感形式或IPD形式形成。
所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第三电容C3、所述第四电容C3、所述第七谐振电容Ct1、所述第八谐振电容Ct2均通过SMT形式或IPD形式形成。
本发明的射频功率放大器100中，在谐波抑制方面，第七谐振电容Ct1与第一谐振电感Lt1、第八谐振电容Ct2与第二谐振电感Lt2形成的串联谐振电路(Trap)，主要对四阶以上谐波进行抑制。第一电容C1与第一匹配电感L01形成的串联谐振电路(Trap)，主要对二阶谐波进行抑制。第二电容C2与第二匹配电感L02形成的串联谐振电路(Trap)，主要对二阶谐波进行抑制。第三电容C3与第三匹配电感L03形成的串联谐振电路(Trap)，主要对三阶谐波进行抑制。第四电容C4与第四电感L4形成的并联谐振电路(Tank)，主要对三阶谐波进行抑制。
另外，第二螺旋线巴伦TF2除了可实现将差分信号进行功率合成外，还同时起到了隔直电容的作用，可以减少模组中SMD数量，节约成本。
由第一螺旋线巴伦TF1和第二螺旋线巴伦TF2组成实现的差分功率放大器结构中，在结构上除了可实现功率合成，提升射频功率放大器输出功率的功能外，其差分结构本身还可实现对偶次谐波加强抑制的功能，进一步提高谐波抑制效果。
片上的第一螺旋线巴伦TF1的调谐电容C01、C02、C03，可实现调节前级功率放大器DA1的输出阻抗；另外片上的第四电容C04，片外的电容C05、C06、Ct1、Ct2可实现调节末级功率放大单元的第一功率放大器PA2_1和第二功率放大器PA2_2的输出阻抗。
具体谐波抑制效果及功率放大效果参图2-3所示，由图2仿真结果可看出，相对传统结构，本发明的射频放大器的电路结构对各阶谐波具有更高的抑制能力。由图3仿真结果可看出，本发明的射频放大器的电路结构在具有更高的谐波抑制能力的同时，其饱和功率相对传统结构也得到了明显提升。
本发明实施例还提供一种短报文通信系统，包括本发明实施例提供的上述射频功率放大器100。
与现有技术相比，本发明的射频功率放大器和短报文通信系统，包括前级功率放大器DA1，用于将输入的信号进行放大后输出单端信号；第一螺旋线巴伦TF1，用于将前级功率放大器DA1的单端信号转换为两路差分信号；末级功率放大单元，用于将所述第一螺旋线巴伦TF1输出的差分信号进行放大后输出；第二螺旋线巴伦TF2，用于将所述末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出；巴伦调谐电容单元，用于调节所述前级功率放大器DA1和所述末级功率放大器的输出阻抗；输出匹配网络3，用于将所述第二螺旋线巴伦TF2输出的信号实现阻抗匹配后输出。通过上述结构两级功率放大结构以及螺旋线巴伦的差分转换，有效的实现了更高的饱和功率输出且对偶次谐波加强抑制；同时，通过上述结构中的巴伦调谐电容单元和输出匹配网络3的结构设置，更有效的实现了对输出阻抗的匹配以及对二阶、三阶谐波的抑制，从而达到了更优的谐波抑制效果。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。
Claims (10)
1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括输入端；
前级功率放大器，所述前级功率放大器的输入连接至所述输入端，用于将所述输入端的信号进行放大后输出单端信号；
第一螺旋线巴伦，用于将所述前级功率放大器的单端信号转换为差分信号并实现功率等分；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第一端连接至所述前级功率放大器的输出，所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第二端分别连接至第一电源电压和接地；
末级功率放大单元，用于将所述第一螺旋线巴伦输出的差分信号进行放大后输出，其包括第一功率放大器和第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入连接至所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第二功率放大器的输入连接至所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的第二端；
第二螺旋线巴伦，用于将所述末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出，所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的第一端连接至所述第一功率放大器的输出，所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的第二端连接至所述第二功率放大器的输出；所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的中抽头端连接至第二电源；
巴伦调谐电容单元，所述巴伦调谐电路单元包括分别连接至所述第一螺旋线巴伦的第一巴伦调谐电容单元和连接至所述第二螺旋线巴伦的第二巴伦调谐电容单元，用于调节所述前级功率放大器和所述末级功率放大器的输出阻抗；
输出匹配网络，用于将所述第二螺旋线巴伦输出的信号实现阻抗匹配后输出，其包括依次连接的第一串联谐振电路、第二串联谐振电路、第一低通匹配电路、第二低通匹配电路、第三低通匹配电路以及带阻匹配网络；以及，
输出端，所述输出端连接至所述输出匹配网络的输出。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器由射频芯片单元和基板装配组成；所述输出端、所述前级功率放大器、所述第一螺旋线巴伦、所述第一巴伦调谐电容单元、所述末级功率放大单元均集成于所述射频芯片单元，所述第二螺旋线巴伦、所述第二巴伦调谐电容单元、所述输出匹配网络、所述输出端均形成于所述基板上。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一巴伦调谐电容单元包括第一调谐电容、第二调谐电容、第三调谐电容和第四调谐电容；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第一端还通过串联所述第一调谐电容后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦的初级线圈的第二端通过串联所述第二调谐电容后连接至接地；所述第一螺旋线巴伦的次级线圈的中抽头端通过串联所述第三调谐电容后连接至接地；所述第四调谐电容与所述第二螺旋线巴伦的初级线圈并联连接。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一调谐电容、所述第二调谐电容、所述第三调谐电容及所述第四调谐电容为片上STACK电容或MIM电容。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二巴伦调谐电容单元包括第五调谐电容、第六调谐电容、第七调谐电容和第八调谐电容；所述第二螺旋线巴伦的初级线圈的中抽头端还通过串联所述第五调谐电容后连接至接地；所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第二端通过串联所述第六调谐电容后连接至接地；所述第七调谐电容和所述第八调谐电容分别与所述第二螺旋线巴伦的次级线圈并联连接。
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一串联谐振电路包括相互串联的所述第七谐振电容和第一谐振电感，所述第一串联谐振电路一端连接至所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第一串联谐振电路的另一端连接至接地；所述第二串联谐振电路与所述第一串联谐振电路的结构相同。
7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一低通匹配电路包括第一电感、第一电容和第一匹配电感，所述第一电感的第一端作为输入连接至所述第二螺旋线巴伦的次级线圈的第一端，所述第一电感的第二端作为输出，所述第一电容的第一端连接至所述第一电感的第二端，所述第一电容的第二端连接至所述第一匹配电感的第一端，所述第一匹配电感的第二端连接至接地；所述第二低通匹配电路以及第三低通匹配电路均与所述第一低通匹配电路的结构相同，所述第二低通匹配电路的输入连接至所述第一低通匹配电路的输出，所述第三低通匹配电路的输入连接至所述第二低通匹配电路的输出。
8.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述带阻匹配网络包括相互并联的第四电容和第四电感，所述带阻匹配网络的输入连接至所述第三低通匹配电路的输出，所述带阻匹配网络的输出连接至所述输出端。
9.根据权利要求7所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一电感、所述第二电感、所述第三电感、所述第一匹配电感、所述第二匹配电感、所述第三匹配电感、第一谐振电感以及第二谐振电感均通过SMT形式或绕线电感形式或IPD形式形成。
10.一种短报文通信系统，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的射频功率放大器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111410127.7A CN114172468A (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
| PCT/CN2022/125274 WO2023093350A1 (zh) | 2021-11-24 | 2022-10-14 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111410127.7A CN114172468A (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114172468A true CN114172468A (zh) | 2022-03-11 |
Family
ID=80481031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111410127.7A Pending CN114172468A (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114172468A (zh) |
| WO (1) | WO2023093350A1 (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115567015A (zh) * | 2022-10-26 | 2023-01-03 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 两级差分功率放大器及射频功放模组 |
| WO2023093350A1 (zh) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
| WO2024087850A1 (zh) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 差分功率放大电路及射频芯片 |
| WO2024125230A1 (zh) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器和射频模组 |
| WO2024125231A1 (zh) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器和基板模组 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116827362B (zh) * | 2023-08-29 | 2023-12-22 | 上海移芯通信科技股份有限公司 | 一种射频电路、芯片、多频段接收设备及频段切换方法 |
| CN116915196B (zh) * | 2023-09-11 | 2023-12-08 | 合肥芯谷微电子股份有限公司 | 一种功率放大器 |
| CN117411494B (zh) * | 2023-10-27 | 2024-08-30 | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 | 射频前端模组 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105846301B (zh) * | 2016-06-04 | 2018-08-14 | 清华大学深圳研究生院 | 一种大功率小体积射频电源 |
| CN106066462A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-02 | 浙江纺织服装职业技术学院 | 磁共振系统内的推挽功放相位补偿电路和补偿方法 |
| CN107370460B (zh) * | 2017-07-12 | 2021-07-27 | 深圳飞骧科技有限公司 | 一种提高射频功率放大器谐波抑制能力的电路结构及方法 |
| CN109462411A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-12 | 锐石创芯（深圳）科技有限公司 | 射频放大模块及通信终端 |
| CN111600559B (zh) * | 2020-06-16 | 2021-07-06 | 锐石创芯（深圳）科技有限公司 | 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置 |
| CN114172468A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-11 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
-
2021
- 2021-11-24 CN CN202111410127.7A patent/CN114172468A/zh active Pending
-
2022
- 2022-10-14 WO PCT/CN2022/125274 patent/WO2023093350A1/zh unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023093350A1 (zh) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 射频功率放大器及短报文通信系统 |
| CN115567015A (zh) * | 2022-10-26 | 2023-01-03 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 两级差分功率放大器及射频功放模组 |
| WO2024087852A1 (zh) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 两级差分功率放大器及射频功放模组 |
| WO2024087850A1 (zh) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 差分功率放大电路及射频芯片 |
| WO2024125230A1 (zh) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器和射频模组 |
| WO2024125231A1 (zh) * | 2022-12-13 | 2024-06-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器和基板模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023093350A1 (zh) | 2023-06-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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