JP2000022164A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000022164A JP2000022164A JP10192012A JP19201298A JP2000022164A JP 2000022164 A JP2000022164 A JP 2000022164A JP 10192012 A JP10192012 A JP 10192012A JP 19201298 A JP19201298 A JP 19201298A JP 2000022164 A JP2000022164 A JP 2000022164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- anodic oxide
- pattern
- forming
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴを含む液晶表示装置の製造において、
バリア型陽極酸化膜に生じるピンホールの発生を抑止
し、また多孔質陽極酸化膜をエッチング除去する際に、
ゲート電極パターンに対して選択性を示すウェットエッ
チング処理を適用する。 【解決手段】 多孔質陽極酸化膜のエッチングを、陽極
酸化のため相互に電気的に接続された状態で形成された
ゲート電極パターンを個々のパターンに分断する工程の
後で実行する、あるいは多孔質陽極酸化膜をエッチング
処理する際に、燐酸に酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上の
濃度で含むエッチャントを使う。
バリア型陽極酸化膜に生じるピンホールの発生を抑止
し、また多孔質陽極酸化膜をエッチング除去する際に、
ゲート電極パターンに対して選択性を示すウェットエッ
チング処理を適用する。 【解決手段】 多孔質陽極酸化膜のエッチングを、陽極
酸化のため相互に電気的に接続された状態で形成された
ゲート電極パターンを個々のパターンに分断する工程の
後で実行する、あるいは多孔質陽極酸化膜をエッチング
処理する際に、燐酸に酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上の
濃度で含むエッチャントを使う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に液晶表示装置
に係わり、特にＡｌあるいはＡｌ合金よりなるゲート電
極パターンを使った液晶表示装置の製造方法に関する。
液晶表示装置はコンピュータを始めとする情報処理装置
において、小型で低消費電力の画像表示装置として広く
使われている。
に係わり、特にＡｌあるいはＡｌ合金よりなるゲート電
極パターンを使った液晶表示装置の製造方法に関する。
液晶表示装置はコンピュータを始めとする情報処理装置
において、小型で低消費電力の画像表示装置として広く
使われている。
【０００２】特に、高品質のカラー表示を実現するた
め、液晶表示装置中の個々の画素電極を駆動する、いわ
ゆるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が広
く使われている。かかるアクティブマトリクス駆動方式
の液晶表示装置では、個々の画素電極をオンオフ制御す
るために、各々の画素電極に対応して、液晶パネルを構
成するガラス基板上にＴＦＴが設けられる。
め、液晶表示装置中の個々の画素電極を駆動する、いわ
ゆるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が広
く使われている。かかるアクティブマトリクス駆動方式
の液晶表示装置では、個々の画素電極をオンオフ制御す
るために、各々の画素電極に対応して、液晶パネルを構
成するガラス基板上にＴＦＴが設けられる。
【０００３】従来より、かかるＴＦＴのゲートを構成す
る導体には安定して歩留まり良く形成できるＣｒが使わ
れていたが、最近の大面積液晶表示装置では、ゲート電
極として、より抵抗値の低いＡｌあるいはＡｌ合金を使
うのが有利である。しかし、ＡｌあるいはＡｌ合金によ
りゲート電極を形成した場合、ヒロックによる突起の形
成が顕著に生じる問題点がある。ヒロックは、多結晶Ａ
ｌゲートを構成するＡｌの結晶粒が、ＴＦＴ形成の際の
熱処理により、応力を緩和するように移動することによ
り生じる。
る導体には安定して歩留まり良く形成できるＣｒが使わ
れていたが、最近の大面積液晶表示装置では、ゲート電
極として、より抵抗値の低いＡｌあるいはＡｌ合金を使
うのが有利である。しかし、ＡｌあるいはＡｌ合金によ
りゲート電極を形成した場合、ヒロックによる突起の形
成が顕著に生じる問題点がある。ヒロックは、多結晶Ａ
ｌゲートを構成するＡｌの結晶粒が、ＴＦＴ形成の際の
熱処理により、応力を緩和するように移動することによ
り生じる。
【０００４】
【従来の技術】図１は、従来のアクティブマトリクス駆
動型液晶表示装置１０の構成を示す。図１を参照する
に、液晶表示装置１０は多数のＴＦＴおよびこれに協働
する透明画素電極を担持するＴＦＴガラス基板１１と、
前記ＴＦＴ基板１１上に形成された対向ガラス基板１２
とよりなり、基板１１と１２との間には液晶層１が、図
示を省略したシール部材により封入されている。液晶表
示装置１０では、前記透明画素電極を、対応するＴＦＴ
を介して選択的に駆動することにより、液晶層中におい
て、前記選択された画素電極に対応して、液晶分子の配
向を選択的に変化させる。さらに、前記ガラス基板１１
および１２の外側には、それぞれ図示しないが偏光板
が、直交ニコル状態で配設されている。また、ガラス基
板１１および１２の内側には、液晶層に接するように分
子配向膜が形成され、液晶分子の配向方向を規制する。
動型液晶表示装置１０の構成を示す。図１を参照する
に、液晶表示装置１０は多数のＴＦＴおよびこれに協働
する透明画素電極を担持するＴＦＴガラス基板１１と、
前記ＴＦＴ基板１１上に形成された対向ガラス基板１２
とよりなり、基板１１と１２との間には液晶層１が、図
示を省略したシール部材により封入されている。液晶表
示装置１０では、前記透明画素電極を、対応するＴＦＴ
を介して選択的に駆動することにより、液晶層中におい
て、前記選択された画素電極に対応して、液晶分子の配
向を選択的に変化させる。さらに、前記ガラス基板１１
および１２の外側には、それぞれ図示しないが偏光板
が、直交ニコル状態で配設されている。また、ガラス基
板１１および１２の内側には、液晶層に接するように分
子配向膜が形成され、液晶分子の配向方向を規制する。
【０００５】図２は前記ＴＦＴガラス基板１１の一部を
拡大して示す。図２を参照するに、前記ガラス基板１１
上には走査信号を供給される多数のパッド電極１１Ａお
よびこれから延在する多数の走査電極１１ａと、画像信
号を供給される多数のパッド電極１１Ｂおよびこれから
延在する多数の信号電極１１ｂとが、走査電極１１ａの
延在方向と走査電極１１ｂの延在方向とが略直交するよ
うに形成されており、前記走査電極１１ａと前記信号電
極１１ｂとの交点には、ＴＦＴ１１Ｃが形成されてい
る。さらに、前記基板１１上には、各々のＴＦＴ１１Ｃ
に対応して透明画素電極１１Ｄが形成されており、各々
のＴＦＴ１１Ｃは対応する走査電極１１ａ上の走査信号
により選択され、対応する信号電極１１ｂ上の画像信号
により、協働する透明画素電極１１Ｄを駆動する。
拡大して示す。図２を参照するに、前記ガラス基板１１
上には走査信号を供給される多数のパッド電極１１Ａお
よびこれから延在する多数の走査電極１１ａと、画像信
号を供給される多数のパッド電極１１Ｂおよびこれから
延在する多数の信号電極１１ｂとが、走査電極１１ａの
延在方向と走査電極１１ｂの延在方向とが略直交するよ
うに形成されており、前記走査電極１１ａと前記信号電
極１１ｂとの交点には、ＴＦＴ１１Ｃが形成されてい
る。さらに、前記基板１１上には、各々のＴＦＴ１１Ｃ
に対応して透明画素電極１１Ｄが形成されており、各々
のＴＦＴ１１Ｃは対応する走査電極１１ａ上の走査信号
により選択され、対応する信号電極１１ｂ上の画像信号
により、協働する透明画素電極１１Ｄを駆動する。
【０００６】図３は、従来のＴＦＴ１１Ｃの構成を示
す。図３を参照するに、ＴＦＴ１１Ｃは前記ＴＦＴガラ
ス基板１１に対応するガラス基板２１上に形成され、前
記ガラス基板２１上に形成された厚さが約２００ｎｍの
ＳｉＯ2 膜２２と、前記ＳｉＯ2 膜２２上に形成された
厚さが約４５ｎｍのＢドープポリシリコンパターンより
なる活性領域２３と、前記活性領域２３上に形成された
厚さが約１２０ｎｍのＳｉＯ2 ゲート絶縁膜２４と、前
記ゲート絶縁膜２４上に形成されたＡｌあるいはＡｌ−
ＳｃやＡｌ−Ｎｄ等のＡｌ合金よりなる厚さが約３００
ｎｍのゲート電極２５とよりなり、前記ゲート電極２５
は厚さが約１０ｎｍの緻密な陽極酸化Ａｌ2 Ｏ3 膜２６
により覆われている。前記ゲート電極２５および陽極酸
化Ａｌ2 Ｏ3 膜２６は前記ゲート絶縁膜２４の一部を覆
い、前記活性領域２３中には、前記ゲート絶縁膜２４の
外側にｎ+ 型の拡散領域２３Ａおよび２３Ｂが形成され
る。また、前記活性領域２３中には、前記陽極酸化Ａｌ
2 Ｏ3 膜２６の外側で前記ｎ+ 型拡散領域２３Ａの内側
の部分にＬＤＤ構造を特徴づけるｎ- 型のオフセット拡
散領域２３Ｃが、また前記陽極酸化Ａｌ2Ｏ3 膜２６の
外側で前記ｎ+ 型拡散領域２３Ｂの内側の部分には、同
じくＬＤＤ構造を特徴づけるｎ- 型のオフセット拡散領
域２３Ｄが形成される。
す。図３を参照するに、ＴＦＴ１１Ｃは前記ＴＦＴガラ
ス基板１１に対応するガラス基板２１上に形成され、前
記ガラス基板２１上に形成された厚さが約２００ｎｍの
ＳｉＯ2 膜２２と、前記ＳｉＯ2 膜２２上に形成された
厚さが約４５ｎｍのＢドープポリシリコンパターンより
なる活性領域２３と、前記活性領域２３上に形成された
厚さが約１２０ｎｍのＳｉＯ2 ゲート絶縁膜２４と、前
記ゲート絶縁膜２４上に形成されたＡｌあるいはＡｌ−
ＳｃやＡｌ−Ｎｄ等のＡｌ合金よりなる厚さが約３００
ｎｍのゲート電極２５とよりなり、前記ゲート電極２５
は厚さが約１０ｎｍの緻密な陽極酸化Ａｌ2 Ｏ3 膜２６
により覆われている。前記ゲート電極２５および陽極酸
化Ａｌ2 Ｏ3 膜２６は前記ゲート絶縁膜２４の一部を覆
い、前記活性領域２３中には、前記ゲート絶縁膜２４の
外側にｎ+ 型の拡散領域２３Ａおよび２３Ｂが形成され
る。また、前記活性領域２３中には、前記陽極酸化Ａｌ
2 Ｏ3 膜２６の外側で前記ｎ+ 型拡散領域２３Ａの内側
の部分にＬＤＤ構造を特徴づけるｎ- 型のオフセット拡
散領域２３Ｃが、また前記陽極酸化Ａｌ2Ｏ3 膜２６の
外側で前記ｎ+ 型拡散領域２３Ｂの内側の部分には、同
じくＬＤＤ構造を特徴づけるｎ- 型のオフセット拡散領
域２３Ｄが形成される。
【０００７】図３のＴＦＴにおいて、前記ゲート電極２
５には図２の走査電極１１ａが接続され、一方前記ｎ+
型拡散領域２３Ａおよび２３Ｂの一方に前記信号電極１
１ｂが接続される。さらに、前記ｎ+ 型拡散領域２３Ａ
および２３Ｂの他方には、図２の透明画素電極１１Ｄ
が、図示しない保護絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルを介してコンタクトする。
５には図２の走査電極１１ａが接続され、一方前記ｎ+
型拡散領域２３Ａおよび２３Ｂの一方に前記信号電極１
１ｂが接続される。さらに、前記ｎ+ 型拡散領域２３Ａ
および２３Ｂの他方には、図２の透明画素電極１１Ｄ
が、図示しない保護絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルを介してコンタクトする。
【０００８】図４（Ａ）〜（Ｄ）および図５（Ｅ）〜
（Ｆ）は、図３のＴＦＴの製造工程を説明する。図４
（Ａ）を参照するに、前記ガラス基板２１上には前記Ｓ
ｉＯ2 膜２２およびＢをドープしたアモルファスＳｉ膜
がプラズマＣＶＤ法により順次堆積され、さらに堆積さ
れた前記アモルファスＳｉ膜をエキシマレーザにより２
００°Ｃで熱処理し、これをを結晶化させることによ
り、ポリシリコン膜を形成する。さらに、前記ポリシリ
コン膜をＣＦ4 とＯ2 とを使ったＲＩＥプロセスにより
パターニングし、前記活性領域２３を形成する。
（Ｆ）は、図３のＴＦＴの製造工程を説明する。図４
（Ａ）を参照するに、前記ガラス基板２１上には前記Ｓ
ｉＯ2 膜２２およびＢをドープしたアモルファスＳｉ膜
がプラズマＣＶＤ法により順次堆積され、さらに堆積さ
れた前記アモルファスＳｉ膜をエキシマレーザにより２
００°Ｃで熱処理し、これをを結晶化させることによ
り、ポリシリコン膜を形成する。さらに、前記ポリシリ
コン膜をＣＦ4 とＯ2 とを使ったＲＩＥプロセスにより
パターニングし、前記活性領域２３を形成する。
【０００９】次に、前記ＳｉＯ2 膜２２上に、前記ポリ
シリコン活性領域２３を覆うように前記ゲート酸化膜２
４を構成するＳｉＯ2 膜２４Ａを、ＴＥＯＳを使ったプ
ラズマＣＶＤ法により堆積し、さらにその上に、前記ゲ
ート電極２５に対応するＡｌあるいはＡｌ合金よりなる
導体層２５Ａをスパッタリングにより形成し、前記導体
層２５Ａの表面に、厚さが約１０ｎｍの緻密な陽極酸化
膜２８Ａを形成する。前記陽極酸化膜２８Ａは、例えば
酒石酸アンモニウムとエチレングリコールの混合溶液中
で、定電圧モードで前記導体膜２５Ａの陽極酸化を行な
うことにより形成される。このようにして形成された陽
極酸化膜２８Ａは緻密で一般にバリアＡＯと呼ばれる。
陽極酸化膜２８Ａは、一般にＡｌのエッチングに使われ
ているＡｌ混酸と呼ばれる燐酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）を主成分
とし、酢酸および硝酸をさらに含むエッチャントに対し
てＡｌと同程度のエッチングレートを示す。
シリコン活性領域２３を覆うように前記ゲート酸化膜２
４を構成するＳｉＯ2 膜２４Ａを、ＴＥＯＳを使ったプ
ラズマＣＶＤ法により堆積し、さらにその上に、前記ゲ
ート電極２５に対応するＡｌあるいはＡｌ合金よりなる
導体層２５Ａをスパッタリングにより形成し、前記導体
層２５Ａの表面に、厚さが約１０ｎｍの緻密な陽極酸化
膜２８Ａを形成する。前記陽極酸化膜２８Ａは、例えば
酒石酸アンモニウムとエチレングリコールの混合溶液中
で、定電圧モードで前記導体膜２５Ａの陽極酸化を行な
うことにより形成される。このようにして形成された陽
極酸化膜２８Ａは緻密で一般にバリアＡＯと呼ばれる。
陽極酸化膜２８Ａは、一般にＡｌのエッチングに使われ
ているＡｌ混酸と呼ばれる燐酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）を主成分
とし、酢酸および硝酸をさらに含むエッチャントに対し
てＡｌと同程度のエッチングレートを示す。
【００１０】次に、図４（Ｂ）の工程で、前記陽極酸化
膜２８Ａ上にレジストパターン２９を形成し、前記レジ
ストパターン２９をマスクに前記陽極酸化膜２８Ａおよ
びその下の導体層２５ＡをＡｌ混酸を使った典型的には
４５°Ｃでのウェットエッチング法によりパターニング
し、前記レジストパターン２９に対応した陽極酸化膜パ
ターン２８Ｂおよび導体パターン２５Ｂを形成する。
膜２８Ａ上にレジストパターン２９を形成し、前記レジ
ストパターン２９をマスクに前記陽極酸化膜２８Ａおよ
びその下の導体層２５ＡをＡｌ混酸を使った典型的には
４５°Ｃでのウェットエッチング法によりパターニング
し、前記レジストパターン２９に対応した陽極酸化膜パ
ターン２８Ｂおよび導体パターン２５Ｂを形成する。
【００１１】さらに図４（Ｃ）の工程で、前記レジスト
パターン２９の下で露出している陽極酸化膜パターン２
８Ｂのオーバーハング部をウェットエッチングにより除
去し、さらに図４（Ｂ）の構造に対して蓚酸溶液中にお
いて定電流モードで陽極酸化を行ない、前記導体パター
ン２５Ｂの両側に多孔質の陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂを
形成する。前記陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂの形成に伴
い、前記導体パターン２５Ｂ中、陽極酸化膜２７Ａ，２
７Ｂの間の領域２５Ｃには残留しているＡｌあるいはＡ
ｌ合金により導体パターンが形成される。前記多孔質の
陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂは一般にポーラスＡＯと呼ば
れ、Ａｌ混酸に溶解する。一方、前記陽極酸化膜パター
ン２８Ｂのオーバーハング部のエッチングは、後で説明
するＣｒ混酸を使い、約６５°Ｃにおいて行われる。
パターン２９の下で露出している陽極酸化膜パターン２
８Ｂのオーバーハング部をウェットエッチングにより除
去し、さらに図４（Ｂ）の構造に対して蓚酸溶液中にお
いて定電流モードで陽極酸化を行ない、前記導体パター
ン２５Ｂの両側に多孔質の陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂを
形成する。前記陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂの形成に伴
い、前記導体パターン２５Ｂ中、陽極酸化膜２７Ａ，２
７Ｂの間の領域２５Ｃには残留しているＡｌあるいはＡ
ｌ合金により導体パターンが形成される。前記多孔質の
陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂは一般にポーラスＡＯと呼ば
れ、Ａｌ混酸に溶解する。一方、前記陽極酸化膜パター
ン２８Ｂのオーバーハング部のエッチングは、後で説明
するＣｒ混酸を使い、約６５°Ｃにおいて行われる。
【００１２】さらに、図４（Ｄ）の工程で、前記図４
（Ｃ）の構造中の前記レジストパターン２９を除去し、
さらに前記陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂおよびその間のＡ
ｌ領域２５をマスクに前記ＳｉＯ2 膜２４Ａをドライエ
ッチングして図３のゲート絶縁膜２４を形成する。次
に、このようにして得られた構造に対して、前記陽極酸
化膜２８Ａを形成するのと実質的に同じ条件で再び陽極
酸化を行ない、前記領域２５Ｃ中に、前記陽極酸化膜２
８Ａと同様に緻密なバリア型陽極酸化膜を、図３の前記
陽極酸化膜２６として形成する。前記陽極酸化膜２６の
形成に伴い、前記ゲート電極２５が、図３に示すように
前記バリア型陽極酸化膜２６に覆われた状態で形成され
る。
（Ｃ）の構造中の前記レジストパターン２９を除去し、
さらに前記陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂおよびその間のＡ
ｌ領域２５をマスクに前記ＳｉＯ2 膜２４Ａをドライエ
ッチングして図３のゲート絶縁膜２４を形成する。次
に、このようにして得られた構造に対して、前記陽極酸
化膜２８Ａを形成するのと実質的に同じ条件で再び陽極
酸化を行ない、前記領域２５Ｃ中に、前記陽極酸化膜２
８Ａと同様に緻密なバリア型陽極酸化膜を、図３の前記
陽極酸化膜２６として形成する。前記陽極酸化膜２６の
形成に伴い、前記ゲート電極２５が、図３に示すように
前記バリア型陽極酸化膜２６に覆われた状態で形成され
る。
【００１３】次に、図５（Ｅ）の工程で、前記多孔質陽
極酸化膜２７Ａ，２７Ｂを、その上の陽極酸化膜パター
ン２８Ｂの一部と共に、前記Ａｌ混酸を使って、典型的
には４５°Ｃでエッチング除去し、前記バリア型陽極酸
化膜２６の外側において前記ゲート絶縁膜２４を露出す
る。さらに図５（Ｆ）の工程で、前記ゲート電極２５お
よびゲート電極２５上の陽極酸化膜２６をマスクに前記
活性領域２３中にＰあるいはＡｓのイオン注入を行な
い、さらに熱処理を行なうことにより、前記ｎ+型の拡
散領域２３Ａおよび２３Ｂが前記ゲート絶縁膜２４の外
側に形成される。前記活性領域２３中には、同時に前記
ゲート絶縁膜２４を介してもイオン注入がなされ、その
結果、前記拡散領域２３Ａに隣接してＬＤＤ領域２３Ｃ
が、また前記拡散領域２３に隣接してＬＤＤ領域２３Ｄ
が形成される。
極酸化膜２７Ａ，２７Ｂを、その上の陽極酸化膜パター
ン２８Ｂの一部と共に、前記Ａｌ混酸を使って、典型的
には４５°Ｃでエッチング除去し、前記バリア型陽極酸
化膜２６の外側において前記ゲート絶縁膜２４を露出す
る。さらに図５（Ｆ）の工程で、前記ゲート電極２５お
よびゲート電極２５上の陽極酸化膜２６をマスクに前記
活性領域２３中にＰあるいはＡｓのイオン注入を行な
い、さらに熱処理を行なうことにより、前記ｎ+型の拡
散領域２３Ａおよび２３Ｂが前記ゲート絶縁膜２４の外
側に形成される。前記活性領域２３中には、同時に前記
ゲート絶縁膜２４を介してもイオン注入がなされ、その
結果、前記拡散領域２３Ａに隣接してＬＤＤ領域２３Ｃ
が、また前記拡散領域２３に隣接してＬＤＤ領域２３Ｄ
が形成される。
【００１４】図４（Ａ）〜図５（Ｆ）の工程では、前記
ゲート電極２５がバリア型陽極酸化膜２６により覆われ
ているため、前記拡散領域２３Ａおよび２３Ｂあるいは
ＬＤＤ領域２３Ｃおよび２３Ｄを形成する際に前記活性
領域２３に熱処理を行なっても、ゲート電極２５中にお
けるヒロックの発生は最小限に抑止される。ところで、
図４（Ｃ）あるいは図４（Ｄ）の陽極酸化工程では、前
記導体パターン２５Ｂあるいは２５Ｃに電流を流す必要
があるため、図６に示すように、図２のガラス基板１１
に対応する基板２１上の複数の導体パターン２５Ｂを、
導体パターン２５Ｄで格子状に接続しておく。この導体
パターン２５Ｄは図４（Ｂ）の工程で導体パターン２５
Ｂと一体的に形成されるが、図５（Ｅ）の工程の後で図
６の構造上にレジストマスク３１を形成し、前記レジス
トマスク３１中に形成された窓３１Ａにおいてエッチン
グを行なうことにより、付随する陽極酸化膜と共にエッ
チング・除去される。かかるエッチングの結果、ゲート
電極パターン２５が互いに分離する。ただし、図６の状
態では、図示はしないが、導体パターン２５Ｂおよび２
５Ｄ上には、図４（Ｂ）に示す陽極酸化膜２８Ｂが形成
されている。
ゲート電極２５がバリア型陽極酸化膜２６により覆われ
ているため、前記拡散領域２３Ａおよび２３Ｂあるいは
ＬＤＤ領域２３Ｃおよび２３Ｄを形成する際に前記活性
領域２３に熱処理を行なっても、ゲート電極２５中にお
けるヒロックの発生は最小限に抑止される。ところで、
図４（Ｃ）あるいは図４（Ｄ）の陽極酸化工程では、前
記導体パターン２５Ｂあるいは２５Ｃに電流を流す必要
があるため、図６に示すように、図２のガラス基板１１
に対応する基板２１上の複数の導体パターン２５Ｂを、
導体パターン２５Ｄで格子状に接続しておく。この導体
パターン２５Ｄは図４（Ｂ）の工程で導体パターン２５
Ｂと一体的に形成されるが、図５（Ｅ）の工程の後で図
６の構造上にレジストマスク３１を形成し、前記レジス
トマスク３１中に形成された窓３１Ａにおいてエッチン
グを行なうことにより、付随する陽極酸化膜と共にエッ
チング・除去される。かかるエッチングの結果、ゲート
電極パターン２５が互いに分離する。ただし、図６の状
態では、図示はしないが、導体パターン２５Ｂおよび２
５Ｄ上には、図４（Ｂ）に示す陽極酸化膜２８Ｂが形成
されている。
【００１５】図７は、前記レジストマスク３１を使っ
た、前記導体接続部２５Ｄのエッチングを示す。図７を
参照するに、エッチングの結果、前記導体接続部２５Ｄ
は前記レジストパターン３１中の窓３１Ａに対応してＡ
ｌパターン（２５Ｄ）1 およびＡｌパターン（２５Ｄ）
2 に分割され、また前記導体接続部２５Ｄ上の陽極酸化
膜２８Ｂも、陽極酸化膜パターン（２８Ｂ）1 および陽
極酸化膜パターン（２８Ｂ）2 に分割される。その際、
前記緻密な陽極酸化膜２８ＢはＣｒ混酸と称する、前記
Ａｌ混酸にＣｒＯ3 を加えた組成の燐酸系エッチャント
により、典型的には６５°Ｃの温度でウェットエッチン
グされ、一方その下の導体接続部２５Ｄは前記Ａｌ混酸
により、典型的には約４５°Ｃの温度でウェットエッチ
ングされる。
た、前記導体接続部２５Ｄのエッチングを示す。図７を
参照するに、エッチングの結果、前記導体接続部２５Ｄ
は前記レジストパターン３１中の窓３１Ａに対応してＡ
ｌパターン（２５Ｄ）1 およびＡｌパターン（２５Ｄ）
2 に分割され、また前記導体接続部２５Ｄ上の陽極酸化
膜２８Ｂも、陽極酸化膜パターン（２８Ｂ）1 および陽
極酸化膜パターン（２８Ｂ）2 に分割される。その際、
前記緻密な陽極酸化膜２８ＢはＣｒ混酸と称する、前記
Ａｌ混酸にＣｒＯ3 を加えた組成の燐酸系エッチャント
により、典型的には６５°Ｃの温度でウェットエッチン
グされ、一方その下の導体接続部２５Ｄは前記Ａｌ混酸
により、典型的には約４５°Ｃの温度でウェットエッチ
ングされる。
【００１６】ところで、最近の大面積液晶表示装置に使
われる基板では、エッチング残を抑制するためエッチン
グ時間を長くする必要があるが、このような場合、図７
に示すようにＡｌ導体接続部２５Ｄは実質的な側方エッ
チングを受け、その結果前記陽極酸化膜（２８Ｂ）1 お
よび（２８Ｂ）2 が、前記導体パターン（２５Ｄ）1お
よび（２５Ｄ）上において、それぞれ１〜２μｍのオー
バーハングを形成するようになる。図７の工程の結果、
図５（Ｅ）のゲート電極２５が、他のゲート電極２５か
ら電気的に分離される。
われる基板では、エッチング残を抑制するためエッチン
グ時間を長くする必要があるが、このような場合、図７
に示すようにＡｌ導体接続部２５Ｄは実質的な側方エッ
チングを受け、その結果前記陽極酸化膜（２８Ｂ）1 お
よび（２８Ｂ）2 が、前記導体パターン（２５Ｄ）1お
よび（２５Ｄ）上において、それぞれ１〜２μｍのオー
バーハングを形成するようになる。図７の工程の結果、
図５（Ｅ）のゲート電極２５が、他のゲート電極２５か
ら電気的に分離される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図８は、図７のエッチ
ング工程を、特に大面積のガラス基板上に形成された導
体パターン２５Ｂに対して適用した場合を示す。図８を
参照するに、前記導体接続部２５Ｄが形成されていた部
分において、図７の分離工程の結果、前記ゲート電極パ
ターン２５の幅が異常に減少することが見出された。こ
のようなゲート電極パターン２５の幅の減少が生じる
と、液晶表示装置の歩留まりが低下し、また信頼性も低
下する。ただし、図８の工程は図５（Ｅ）の工程の後で
実行されるため、基板上の導体パターンは、図６に示す
導体パターン２５Ｂではなく、ゲート電極パターン２５
に変化している。前記ゲート電極パターン２５に伴う陽
極酸化膜２６は、図８では簡単のため、図示を省略して
いる。
ング工程を、特に大面積のガラス基板上に形成された導
体パターン２５Ｂに対して適用した場合を示す。図８を
参照するに、前記導体接続部２５Ｄが形成されていた部
分において、図７の分離工程の結果、前記ゲート電極パ
ターン２５の幅が異常に減少することが見出された。こ
のようなゲート電極パターン２５の幅の減少が生じる
と、液晶表示装置の歩留まりが低下し、また信頼性も低
下する。ただし、図８の工程は図５（Ｅ）の工程の後で
実行されるため、基板上の導体パターンは、図６に示す
導体パターン２５Ｂではなく、ゲート電極パターン２５
に変化している。前記ゲート電極パターン２５に伴う陽
極酸化膜２６は、図８では簡単のため、図示を省略して
いる。
【００１８】図９（Ａ），（Ｂ）は、このようなゲート
電極パターン２５における異常発生の、可能なモデルの
一つを示す。ただし、図９（Ａ），（Ｂ）中、先に説明
した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図９（Ａ）を参照するに、図７の工程において前記Ａｌ
導体接続部２５Ｄのウェットエッチングの結果、Ａｌパ
ターン（２５Ｄ）1 あるいは（２５Ｄ）2 の縁部はレジ
ストパターン３１の下で、前記レジスト開口部３１Ａか
ら深く後退して位置しているが、その結果、前記Ａｌパ
ターン（２５Ｄ）1 上には長いバリア膜（２８Ｂ）1 の
オーバーハングが形成されてしまう。このため、図９
（Ｂ）のように剥離液を使ってレジストパターン３１を
剥離した場合、前記バリア膜のオーバーハング（２８
Ｂ）1 は前記基板２１を覆うＳｉＯ2 膜上にだれてしま
い、これに伴いだれたオーバーハング（２８Ｂ）1 とＳ
ｉＯ2 膜２２との間に前記剥離液が閉じ込められてしま
う状態が生じる。剥離液自体によるＡｌのエッチングは
ほとんど生じないが、剥離液がこのように閉じ込められ
ると水と混合し、Ａｌパターン（２５Ｄ）1 あるいは
（２５Ｄ）2 の側壁面を大きなエッチング速度でエッチ
ングするものと考えられる。
電極パターン２５における異常発生の、可能なモデルの
一つを示す。ただし、図９（Ａ），（Ｂ）中、先に説明
した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図９（Ａ）を参照するに、図７の工程において前記Ａｌ
導体接続部２５Ｄのウェットエッチングの結果、Ａｌパ
ターン（２５Ｄ）1 あるいは（２５Ｄ）2 の縁部はレジ
ストパターン３１の下で、前記レジスト開口部３１Ａか
ら深く後退して位置しているが、その結果、前記Ａｌパ
ターン（２５Ｄ）1 上には長いバリア膜（２８Ｂ）1 の
オーバーハングが形成されてしまう。このため、図９
（Ｂ）のように剥離液を使ってレジストパターン３１を
剥離した場合、前記バリア膜のオーバーハング（２８
Ｂ）1 は前記基板２１を覆うＳｉＯ2 膜上にだれてしま
い、これに伴いだれたオーバーハング（２８Ｂ）1 とＳ
ｉＯ2 膜２２との間に前記剥離液が閉じ込められてしま
う状態が生じる。剥離液自体によるＡｌのエッチングは
ほとんど生じないが、剥離液がこのように閉じ込められ
ると水と混合し、Ａｌパターン（２５Ｄ）1 あるいは
（２５Ｄ）2 の側壁面を大きなエッチング速度でエッチ
ングするものと考えられる。
【００１９】また従来は、図７の分離工程よりも前に図
５（Ｅ）の工程を行ない、その際に先に説明したように
前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７ＢをＡｌ混酸を使っ
てエッチング除去していたが、Ａｌ混酸は金属Ａｌも溶
解するため、このような工程では、図１０に示すよう
に、緻密な陽極酸化膜２６にピンホール２６Ｘが形成さ
れた場合、その下のゲート電極パターン２５もＡｌ混酸
によりエッチングされてしまう問題が生じる。この現象
もまた大面積の基板において顕著に現れるが、本発明の
発明者は、ピンホール２６Ｘの形成が、図５（Ｅ）の工
程のように前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂのエッ
チングを、前記ゲート電極２５を前記接続導体部２５Ｄ
により相互接続した状態で行なった場合に特に顕著に現
れることを発見した。この原因は未だ解明されていない
が、ピンホール２６Ｘの形成に、前記接続導体部２５Ｄ
を流れる電流による何らかの電気化学反応が関与してい
ると考えられる。
５（Ｅ）の工程を行ない、その際に先に説明したように
前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７ＢをＡｌ混酸を使っ
てエッチング除去していたが、Ａｌ混酸は金属Ａｌも溶
解するため、このような工程では、図１０に示すよう
に、緻密な陽極酸化膜２６にピンホール２６Ｘが形成さ
れた場合、その下のゲート電極パターン２５もＡｌ混酸
によりエッチングされてしまう問題が生じる。この現象
もまた大面積の基板において顕著に現れるが、本発明の
発明者は、ピンホール２６Ｘの形成が、図５（Ｅ）の工
程のように前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂのエッ
チングを、前記ゲート電極２５を前記接続導体部２５Ｄ
により相互接続した状態で行なった場合に特に顕著に現
れることを発見した。この原因は未だ解明されていない
が、ピンホール２６Ｘの形成に、前記接続導体部２５Ｄ
を流れる電流による何らかの電気化学反応が関与してい
ると考えられる。
【００２０】前記ゲート電極パターン２５にピンホール
等の欠陥が生じると、ゲートの断線等、深刻な歩留まり
の低下あるいは信頼性の低下が生じる。そこで、本発明
は、上記の課題を解決した、新規で有用な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することを概括的課題とす
る。本発明のより具体的な課題は、ＴＦＴを含む液晶表
示装置を高い歩留まりで形成できる液晶表示装置の製造
方法および液晶表示装置を提供することにある。
等の欠陥が生じると、ゲートの断線等、深刻な歩留まり
の低下あるいは信頼性の低下が生じる。そこで、本発明
は、上記の課題を解決した、新規で有用な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することを概括的課題とす
る。本発明のより具体的な課題は、ＴＦＴを含む液晶表
示装置を高い歩留まりで形成できる液晶表示装置の製造
方法および液晶表示装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、第１の基板と、前記第
１の基板に対して隙間を隔てて対向する第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前
記隙間に封入された液晶層とよりなる液晶表示装置の製
造方法において、前記第１の基板上に半導体層を形成す
る工程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、前記配
線金属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の陽極酸
化膜を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成す
る工程の後、前記配線金属層をパターニングして、前記
薄膜トランジスタのゲート電極パターンと、前記ゲート
電極パターンから前記第１の基板上を延在し、別の薄膜
トランジスタのゲート電極パターンに至る導体接続部と
よりなり、一対の縁部で画成された導体パターンを形成
する工程と、前記導体パターンを形成する工程の後、前
記導体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前
記一対の縁部の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形
成する工程と、前記第２の多孔質陽極酸化膜を形成する
工程の後、前記導体パターンを陽極酸化して、前記導体
パターンの前記一対の縁部の各々において、前記第２の
多孔質陽極酸化膜の内側に、バリア型の第３の陽極酸化
膜を形成する工程と、前記第３の陽極酸化膜を形成する
工程の後、前記導体パターン中、前記導体接続部をエッ
チングにより除去し、前記薄膜トランジスタのゲート電
極パターンを前記別の薄膜トランジスタのゲート電極パ
ターンから分離する工程と、前記分離工程の後、前記第
２の陽極酸化膜を、エッチング工程により除去する工程
とよりなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法に
より、または請求項２に記載したように、前記分離工程
において、前記エッチング工程は、前記導体接続部を覆
う前記第１の陽極酸化膜を第１のエッチャントにより除
去する工程と、前記導体接続部を第２のエッチャントに
よりエッチング・除去する工程とを含み、さらに前記導
体接続部のエッチングの後、前記エッチングされた導体
接続部に隣接して残留する前記導体パターン上に残留し
オーバーハングを形成する前記第１の陽極酸化膜を、前
記第１のエッチャントにより除去する工程を含むことを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法によ
り、または請求項３に記載したように、前記分離工程に
おいて、前記エッチング工程は、前記薄膜トランジスタ
を覆い、前記導体接続部に対応して窓を形成されたレジ
ストパターンを使って実行され、前記レジストパターン
は、前記オーバーハングを形成する前記第１の陽極酸化
膜が除去された後で除去されることを特徴とする請求項
２記載の液晶表示装置の製造方法により、または請求項
４に記載したように、前記第２の陽極酸化膜をエッチン
グする工程は、前記第２のエッチャントを使って実行さ
れることを特徴とする請求項２または３記載の液晶表示
装置の製造方法により、または請求項５に記載したよう
に、前記第１のエッチャントは燐酸と酸化クロムとを含
み、前記第２のエッチャントは燐酸を含むことを特徴と
する請求項２記載の液晶表示装置の製造方法により、ま
たは請求項６に記載したように、前記導体パターンはＡ
ｌを主成分として含むことを特徴とする請求項１〜５の
うち、いずれか一項記載の液晶表示装置により、または
請求項７に記載したように、第１の基板と、前記第１の
基板に対して隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記
第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記隙
間に封入された液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方
法において、前記第１の基板上に半導体層を形成する工
程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、前記配線金
属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の陽極酸化膜
を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成する工
程の後、前記配線金属層をパターニングして、前記薄膜
トランジスタのゲート電極パターンと、前記ゲート電極
パターンから前記第１の基板上を延在し、別の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極パターンに至る導体接続部とより
なり、一対の縁部で画成された導体パターンを形成する
工程と、前記導体パターンを形成する工程の後、前記導
体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記一
対の縁部の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形成す
る工程と、前記第２の陽極酸化膜を形成する工程の後、
前記導体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの
前記一対の縁部の各々において、前記第２の陽極酸化膜
の内側に、バリア型の第３の陽極酸化膜を形成する工程
と、前記第３の陽極酸化膜の形成工程の後、前記第２の
陽極酸化膜を、エッチング工程により除去する工程と、
前記第２の陽極酸化膜をエッチング除去する工程の後、
前記導体パターン中、前記導体接続部をエッチングによ
り除去し、前記薄膜トランジスタのゲート電極パターン
を前記別の薄膜トランジスタのゲート電極パターンから
分離する工程とを含み、前記第２の陽極酸化膜をエッチ
ングする工程は、燐酸を主成分とし酸化Ｃｒを０．０３
ｗｔ％以上含むエッチャントを使って行われることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法により、または請求項
８に記載したように、前記第２の陽極酸化膜をエッチン
グする工程は、６０°Ｃ以下の温度で実行されることを
特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製造方法によ
り、または請求項９に記載したように、前記エッチャン
トは、前記燐酸と酸化Ｃｒの他に、酢酸と硝酸とを成分
として含んでいることを特徴とする請求項７または８記
載の液晶表示装置の製造方法により、または請求項１０
に記載したように、第１の基板と、前記第１の基板に対
して隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基
板上に形成された導体パターンと、前記隙間に封入され
た液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、
前記導体パターンを陽極酸化し、前記導体パターン上に
バリア型の陽極酸化膜を形成する工程と、前記陽極酸化
膜の一部をウェットエッチングにより除去する工程と、
前記陽極酸化膜がウェットエッチングによりエッチング
除去された部分において前記導体パターンをウェットエ
ッチングにより除去する工程とを含み、さらに前記導体
パターンをウェットエッチングする工程の後、前記バリ
ア型陽極酸化膜をさらにウェットエッチングにより除去
する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法により、または請求項１１に記載したように、前記バ
リア型の陽極酸化膜をウェットエッチングする工程は、
燐酸を主成分とし酸化Ｃｒを含むエッチャントにより行
わることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の
製造方法により、または請求項１２に記載したように、
第１の基板と、前記第１の基板に対して隙間を隔てて対
向する第２の基板と、前記第１の基板上に形成された導
体パターンと、前記隙間に封入された液晶層とよりなる
液晶表示装置の製造方法において、前記導体パターンを
陽極酸化し、前記導体パターン上に多孔質の第１の陽極
酸化膜を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成
する工程の後、前記導体パターンを陽極酸化して、前記
第１の陽極酸化膜の内側にバリア型の第２の陽極酸化膜
を形成する工程と、前記第２の陽極酸化膜の形成工程の
後、前記第１の陽極酸化膜を、ウェットエッチングによ
り、前記第１の陽極酸化膜に対して選択的に除去する工
程とを含み、前記ウェットエッチング工程は、燐酸を主
成分とし、酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上含むエッチャ
ントを使って行われることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法により、解決する。
を、請求項１に記載したように、第１の基板と、前記第
１の基板に対して隙間を隔てて対向する第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前
記隙間に封入された液晶層とよりなる液晶表示装置の製
造方法において、前記第１の基板上に半導体層を形成す
る工程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、前記配
線金属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の陽極酸
化膜を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成す
る工程の後、前記配線金属層をパターニングして、前記
薄膜トランジスタのゲート電極パターンと、前記ゲート
電極パターンから前記第１の基板上を延在し、別の薄膜
トランジスタのゲート電極パターンに至る導体接続部と
よりなり、一対の縁部で画成された導体パターンを形成
する工程と、前記導体パターンを形成する工程の後、前
記導体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前
記一対の縁部の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形
成する工程と、前記第２の多孔質陽極酸化膜を形成する
工程の後、前記導体パターンを陽極酸化して、前記導体
パターンの前記一対の縁部の各々において、前記第２の
多孔質陽極酸化膜の内側に、バリア型の第３の陽極酸化
膜を形成する工程と、前記第３の陽極酸化膜を形成する
工程の後、前記導体パターン中、前記導体接続部をエッ
チングにより除去し、前記薄膜トランジスタのゲート電
極パターンを前記別の薄膜トランジスタのゲート電極パ
ターンから分離する工程と、前記分離工程の後、前記第
２の陽極酸化膜を、エッチング工程により除去する工程
とよりなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法に
より、または請求項２に記載したように、前記分離工程
において、前記エッチング工程は、前記導体接続部を覆
う前記第１の陽極酸化膜を第１のエッチャントにより除
去する工程と、前記導体接続部を第２のエッチャントに
よりエッチング・除去する工程とを含み、さらに前記導
体接続部のエッチングの後、前記エッチングされた導体
接続部に隣接して残留する前記導体パターン上に残留し
オーバーハングを形成する前記第１の陽極酸化膜を、前
記第１のエッチャントにより除去する工程を含むことを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法によ
り、または請求項３に記載したように、前記分離工程に
おいて、前記エッチング工程は、前記薄膜トランジスタ
を覆い、前記導体接続部に対応して窓を形成されたレジ
ストパターンを使って実行され、前記レジストパターン
は、前記オーバーハングを形成する前記第１の陽極酸化
膜が除去された後で除去されることを特徴とする請求項
２記載の液晶表示装置の製造方法により、または請求項
４に記載したように、前記第２の陽極酸化膜をエッチン
グする工程は、前記第２のエッチャントを使って実行さ
れることを特徴とする請求項２または３記載の液晶表示
装置の製造方法により、または請求項５に記載したよう
に、前記第１のエッチャントは燐酸と酸化クロムとを含
み、前記第２のエッチャントは燐酸を含むことを特徴と
する請求項２記載の液晶表示装置の製造方法により、ま
たは請求項６に記載したように、前記導体パターンはＡ
ｌを主成分として含むことを特徴とする請求項１〜５の
うち、いずれか一項記載の液晶表示装置により、または
請求項７に記載したように、第１の基板と、前記第１の
基板に対して隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記
第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記隙
間に封入された液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方
法において、前記第１の基板上に半導体層を形成する工
程と、前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、前記配線金
属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の陽極酸化膜
を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成する工
程の後、前記配線金属層をパターニングして、前記薄膜
トランジスタのゲート電極パターンと、前記ゲート電極
パターンから前記第１の基板上を延在し、別の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極パターンに至る導体接続部とより
なり、一対の縁部で画成された導体パターンを形成する
工程と、前記導体パターンを形成する工程の後、前記導
体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記一
対の縁部の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形成す
る工程と、前記第２の陽極酸化膜を形成する工程の後、
前記導体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの
前記一対の縁部の各々において、前記第２の陽極酸化膜
の内側に、バリア型の第３の陽極酸化膜を形成する工程
と、前記第３の陽極酸化膜の形成工程の後、前記第２の
陽極酸化膜を、エッチング工程により除去する工程と、
前記第２の陽極酸化膜をエッチング除去する工程の後、
前記導体パターン中、前記導体接続部をエッチングによ
り除去し、前記薄膜トランジスタのゲート電極パターン
を前記別の薄膜トランジスタのゲート電極パターンから
分離する工程とを含み、前記第２の陽極酸化膜をエッチ
ングする工程は、燐酸を主成分とし酸化Ｃｒを０．０３
ｗｔ％以上含むエッチャントを使って行われることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法により、または請求項
８に記載したように、前記第２の陽極酸化膜をエッチン
グする工程は、６０°Ｃ以下の温度で実行されることを
特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製造方法によ
り、または請求項９に記載したように、前記エッチャン
トは、前記燐酸と酸化Ｃｒの他に、酢酸と硝酸とを成分
として含んでいることを特徴とする請求項７または８記
載の液晶表示装置の製造方法により、または請求項１０
に記載したように、第１の基板と、前記第１の基板に対
して隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基
板上に形成された導体パターンと、前記隙間に封入され
た液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、
前記導体パターンを陽極酸化し、前記導体パターン上に
バリア型の陽極酸化膜を形成する工程と、前記陽極酸化
膜の一部をウェットエッチングにより除去する工程と、
前記陽極酸化膜がウェットエッチングによりエッチング
除去された部分において前記導体パターンをウェットエ
ッチングにより除去する工程とを含み、さらに前記導体
パターンをウェットエッチングする工程の後、前記バリ
ア型陽極酸化膜をさらにウェットエッチングにより除去
する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法により、または請求項１１に記載したように、前記バ
リア型の陽極酸化膜をウェットエッチングする工程は、
燐酸を主成分とし酸化Ｃｒを含むエッチャントにより行
わることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の
製造方法により、または請求項１２に記載したように、
第１の基板と、前記第１の基板に対して隙間を隔てて対
向する第２の基板と、前記第１の基板上に形成された導
体パターンと、前記隙間に封入された液晶層とよりなる
液晶表示装置の製造方法において、前記導体パターンを
陽極酸化し、前記導体パターン上に多孔質の第１の陽極
酸化膜を形成する工程と、前記第１の陽極酸化膜を形成
する工程の後、前記導体パターンを陽極酸化して、前記
第１の陽極酸化膜の内側にバリア型の第２の陽極酸化膜
を形成する工程と、前記第２の陽極酸化膜の形成工程の
後、前記第１の陽極酸化膜を、ウェットエッチングによ
り、前記第１の陽極酸化膜に対して選択的に除去する工
程とを含み、前記ウェットエッチング工程は、燐酸を主
成分とし、酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上含むエッチャ
ントを使って行われることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法により、解決する。
【００２２】本発明の第１の特徴によれば、前記多孔質
陽極酸化膜を、前記導体接続部をエッチングにより切り
離した後でエッチング除去するため、前記ゲート電極を
覆うバリア型の陽極酸化膜に電気化学反応が生じること
がなく、これに伴い前記バリア型陽極酸化膜におけるピ
ンホールの形成が効果的に抑制される。本発明の第２の
特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜をウェットエッチ
ングにより除去する際に、従来使われていたＡｌに対し
て選択性を有さないＡｌ混酸の代わりに、Ａｌ混酸に酸
化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上加えた組成のＣｒ混酸をエ
ッチャントとして使うことにより、Ａｌのエッチングに
対して選択性が生じるため、前記ゲート電極を覆うバリ
ア型陽極酸化膜にピンホールが発生しても、ゲート電極
がエッチングされてしまう問題が回避される。
陽極酸化膜を、前記導体接続部をエッチングにより切り
離した後でエッチング除去するため、前記ゲート電極を
覆うバリア型の陽極酸化膜に電気化学反応が生じること
がなく、これに伴い前記バリア型陽極酸化膜におけるピ
ンホールの形成が効果的に抑制される。本発明の第２の
特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜をウェットエッチ
ングにより除去する際に、従来使われていたＡｌに対し
て選択性を有さないＡｌ混酸の代わりに、Ａｌ混酸に酸
化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上加えた組成のＣｒ混酸をエ
ッチャントとして使うことにより、Ａｌのエッチングに
対して選択性が生じるため、前記ゲート電極を覆うバリ
ア型陽極酸化膜にピンホールが発生しても、ゲート電極
がエッチングされてしまう問題が回避される。
【００２３】
【発明の実施の形態】［第１実施例］図１１（Ａ）〜図
１２（Ｅ）は本発明の第１実施例による液晶表示装置の
製造工程を示す図である。ただし、各図中、左図はガラ
ス基板１１上のＴＦＴ１１Ｃを含むＴＦＴ形成部を、ま
た右図は図６の導体接続部２５Ｄに対応する部分を示
す。
１２（Ｅ）は本発明の第１実施例による液晶表示装置の
製造工程を示す図である。ただし、各図中、左図はガラ
ス基板１１上のＴＦＴ１１Ｃを含むＴＦＴ形成部を、ま
た右図は図６の導体接続部２５Ｄに対応する部分を示
す。
【００２４】図１１（Ａ）左図を参照するに、前記ＴＦ
Ｔ形成部においては、前記ガラス基板１１に対応するガ
ラス基板４１上に厚さが約２００ｎｍのＳｉＯ2 膜４２
が前記ＳｉＯ2 膜２２と同様に形成され、前記ＳｉＯ2
膜４２上には厚さが約４５ｎｍのｐ型ポリシリコンパタ
ーン４３が、図３の活性領域２３に対応して形成され
る。前記活性領域２３と同様に、前記ｐ型ポリシリコン
パターン４３もアモルファス相で堆積され、約２００°
Ｃの温度でレーザアニールを行なうことにより結晶化さ
れた後、ＣＦ4 とＯ2 を使ったＲＩＥ法によりパターニ
ングされる。前記ポリシリコンパターン４３上には前記
ゲート絶縁膜２４に対応するゲＳｉＯ2 膜４４がＴＥＯ
Ｓを原料としたＣＶＤ法により約１２０ｍｎの厚さに形
成され、さらにこの上に図４（Ａ）のＡｌ層２５Ａに対
応したＡｌ層４５がスパッタリングにより、約３００ｎ
ｍの厚さに形成される。前記Ａｌ層４５上には、バリア
型の陽極酸化膜が４６が、図４（Ａ）のバリア型陽極酸
化膜２８Ａに対応して、約２０ｎｍ程度の厚さに形成さ
れている。
Ｔ形成部においては、前記ガラス基板１１に対応するガ
ラス基板４１上に厚さが約２００ｎｍのＳｉＯ2 膜４２
が前記ＳｉＯ2 膜２２と同様に形成され、前記ＳｉＯ2
膜４２上には厚さが約４５ｎｍのｐ型ポリシリコンパタ
ーン４３が、図３の活性領域２３に対応して形成され
る。前記活性領域２３と同様に、前記ｐ型ポリシリコン
パターン４３もアモルファス相で堆積され、約２００°
Ｃの温度でレーザアニールを行なうことにより結晶化さ
れた後、ＣＦ4 とＯ2 を使ったＲＩＥ法によりパターニ
ングされる。前記ポリシリコンパターン４３上には前記
ゲート絶縁膜２４に対応するゲＳｉＯ2 膜４４がＴＥＯ
Ｓを原料としたＣＶＤ法により約１２０ｍｎの厚さに形
成され、さらにこの上に図４（Ａ）のＡｌ層２５Ａに対
応したＡｌ層４５がスパッタリングにより、約３００ｎ
ｍの厚さに形成される。前記Ａｌ層４５上には、バリア
型の陽極酸化膜が４６が、図４（Ａ）のバリア型陽極酸
化膜２８Ａに対応して、約２０ｎｍ程度の厚さに形成さ
れている。
【００２５】前記Ａｌ層４５およびその下のＳｉＯ2 膜
４４はレジストを使ったパターニングにより、図６で説
明したような格子状の形状にパターニングされており、
前記ＴＦＴ領域においては、前記Ａｌ層４５がゲート電
極パターンを形成する。その際、図１１（Ａ）右図に示
すように、前記ゲート電極パターン４５の両側縁には、
前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂに対応した多孔質
陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂが形成され、さらにその内側
には、前記陽極酸化膜２６に対応するバリア型の陽極酸
化膜が、前記陽極酸化膜４６と一体的に、金属Ａｌよる
なる導体領域を覆うように形成されている。
４４はレジストを使ったパターニングにより、図６で説
明したような格子状の形状にパターニングされており、
前記ＴＦＴ領域においては、前記Ａｌ層４５がゲート電
極パターンを形成する。その際、図１１（Ａ）右図に示
すように、前記ゲート電極パターン４５の両側縁には、
前記多孔質陽極酸化膜２７Ａ，２７Ｂに対応した多孔質
陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂが形成され、さらにその内側
には、前記陽極酸化膜２６に対応するバリア型の陽極酸
化膜が、前記陽極酸化膜４６と一体的に、金属Ａｌよる
なる導体領域を覆うように形成されている。
【００２６】一方、前記導体接続部２５Ｄにおいては、
前記ＳｉＯ2 膜４２は前記基板４１をＴＦＴ領域と同様
に一様に覆い、一方前記ＳｉＯ2 膜４２上には前記Ｓｉ
Ｏ2膜４４が直接に堆積される。すなわち、前記ポリシ
リコンパターン４３は、前記活性領域のパターニングの
際に、前記導体接続部からは除去されている。さらに、
前記ＳｉＯ2 膜４４上には前記Ａｌ層４５が形成され、
前記Ａｌ層４５上には前記バリア型の陽極酸化膜４６が
形成されている。
前記ＳｉＯ2 膜４２は前記基板４１をＴＦＴ領域と同様
に一様に覆い、一方前記ＳｉＯ2 膜４２上には前記Ｓｉ
Ｏ2膜４４が直接に堆積される。すなわち、前記ポリシ
リコンパターン４３は、前記活性領域のパターニングの
際に、前記導体接続部からは除去されている。さらに、
前記ＳｉＯ2 膜４４上には前記Ａｌ層４５が形成され、
前記Ａｌ層４５上には前記バリア型の陽極酸化膜４６が
形成されている。
【００２７】次に、図１１（Ｂ）の工程において、図１
１（Ａ）の構造を図６のレジストパターン３１に対応す
るレジストパターン４８で覆い、レジストパターン４８
中に、前記窓３１Ａに対応する窓４８Ａを前記導体接続
部２５Ｄに対応して形成する。さらに、前記レジストパ
ターン４８をマスクに、前記窓４８Ａで露出した前記バ
リア型陽極酸化膜４６を、Ｃｒ混酸によるウェットエッ
チングで除去する。Ｃｒ混酸としては、Ｈ3 ＰＯ4 を６
９〜７１ｗｔ％、ＣＨ3 ＣＯＯＨを８．０〜１０．０ｗ
ｔ％、硝酸を１．４〜２．４ｗｔ％、ＣｒＯ3 を１．６
〜２．０ｗｔ％含む公知の組成のものを使うことがで
き、エッチングは典型的には６５°Ｃの温度で行なわれ
る。エッチングの結果、バリア型陽極酸化膜４６は第１
のパターン４６Ａと第２のパターン４６Ｂとに分割され
る。
１（Ａ）の構造を図６のレジストパターン３１に対応す
るレジストパターン４８で覆い、レジストパターン４８
中に、前記窓３１Ａに対応する窓４８Ａを前記導体接続
部２５Ｄに対応して形成する。さらに、前記レジストパ
ターン４８をマスクに、前記窓４８Ａで露出した前記バ
リア型陽極酸化膜４６を、Ｃｒ混酸によるウェットエッ
チングで除去する。Ｃｒ混酸としては、Ｈ3 ＰＯ4 を６
９〜７１ｗｔ％、ＣＨ3 ＣＯＯＨを８．０〜１０．０ｗ
ｔ％、硝酸を１．４〜２．４ｗｔ％、ＣｒＯ3 を１．６
〜２．０ｗｔ％含む公知の組成のものを使うことがで
き、エッチングは典型的には６５°Ｃの温度で行なわれ
る。エッチングの結果、バリア型陽極酸化膜４６は第１
のパターン４６Ａと第２のパターン４６Ｂとに分割され
る。
【００２８】さらに、図１１（Ｂ）の工程では、前記バ
リア型陽極酸化膜４６のエッチングの後、露出したＡｌ
層４５を、公知の組成のＡｌ混酸によるウェットエッチ
ングにより除去する。前記Ａｌ混酸としては、例えばＨ
3 ＰＯ4 とＣＨ3 ＣＯＯＨとＨＮＯ3 とＨ2 Ｏとを１
５：３：１：１の割合で含むものを使うことができ、エ
ッチングは典型的には４５°Ｃの温度で行われる。ウェ
ットエッチングの結果、前記Ａｌ層４５は第１のパター
ン４５Ａと第２のパターン４５Ｂとに分断され、また前
記陽極酸化膜パターン４６ＡはＡｌパターン４５Ａ上に
おいてオーバーハングを形成する。同様に、前記陽極酸
化膜パターン４６ＢはＡｌパターン４５Ｂ上においてオ
ーバーハングを形成する。
リア型陽極酸化膜４６のエッチングの後、露出したＡｌ
層４５を、公知の組成のＡｌ混酸によるウェットエッチ
ングにより除去する。前記Ａｌ混酸としては、例えばＨ
3 ＰＯ4 とＣＨ3 ＣＯＯＨとＨＮＯ3 とＨ2 Ｏとを１
５：３：１：１の割合で含むものを使うことができ、エ
ッチングは典型的には４５°Ｃの温度で行われる。ウェ
ットエッチングの結果、前記Ａｌ層４５は第１のパター
ン４５Ａと第２のパターン４５Ｂとに分断され、また前
記陽極酸化膜パターン４６ＡはＡｌパターン４５Ａ上に
おいてオーバーハングを形成する。同様に、前記陽極酸
化膜パターン４６ＢはＡｌパターン４５Ｂ上においてオ
ーバーハングを形成する。
【００２９】図１１（Ｂ）の状態でレジストパターン４
８を直ちに剥離させると、先に図９（Ｂ）で説明したオ
ーバーハングのだれ、およびそれに伴うＡｌパターン４
５Ａ，４５Ｂの制御されない側方エッチングが生じるた
め、本実施例では図１２（Ｃ）の工程において、図１１
（Ｂ）の構造に対して再びＣｒ混酸を適用し、前記オー
バーハング４６Ａ，４６Ｂをエッチング・除去する。こ
の工程の後、図１２（Ｄ）に示すようにレジストパター
ン４８を剥離させる。
８を直ちに剥離させると、先に図９（Ｂ）で説明したオ
ーバーハングのだれ、およびそれに伴うＡｌパターン４
５Ａ，４５Ｂの制御されない側方エッチングが生じるた
め、本実施例では図１２（Ｃ）の工程において、図１１
（Ｂ）の構造に対して再びＣｒ混酸を適用し、前記オー
バーハング４６Ａ，４６Ｂをエッチング・除去する。こ
の工程の後、図１２（Ｄ）に示すようにレジストパター
ン４８を剥離させる。
【００３０】さらに、図１２（Ｅ）の工程において、図
１２（Ｄ）の構造に対して上記Ａｌ混酸を使ったウェッ
トエッチングを行ない、前記バリア陽極酸化膜４６の外
側の多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂを選択的に除去す
る。この工程では、前記導体接続部２５Ｄがすで分断さ
れており、前記ゲート電極パターン４５は隣接するＴＦ
Ｔのゲート電極パターンからは切り離されているため、
ウェットエッチングを行なっても図１０で説明したピン
ホールがバリア型陽極酸化膜４６に生じることはなく、
このためＴＦＴ１１Ｃのゲート電極パターン４５が、か
かるピンホールを介してＡｌ混酸によりエッチングされ
る問題は生じない。
１２（Ｄ）の構造に対して上記Ａｌ混酸を使ったウェッ
トエッチングを行ない、前記バリア陽極酸化膜４６の外
側の多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂを選択的に除去す
る。この工程では、前記導体接続部２５Ｄがすで分断さ
れており、前記ゲート電極パターン４５は隣接するＴＦ
Ｔのゲート電極パターンからは切り離されているため、
ウェットエッチングを行なっても図１０で説明したピン
ホールがバリア型陽極酸化膜４６に生じることはなく、
このためＴＦＴ１１Ｃのゲート電極パターン４５が、か
かるピンホールを介してＡｌ混酸によりエッチングされ
る問題は生じない。
【００３１】図１３は、図１２（Ｃ）の工程を詳細に示
す。図１３を参照するに、前記Ａｌ層４５のウェットエ
ッチングの後、再びＣｒ混酸を使ったウェットエッチン
グを行なうことにより、先に説明したように、前記バリ
ア型陽極酸化膜パターン４６Ａ，４６Ｂの位置が矢印の
ように後退するが、これと同時に、前記Ａｌパターン４
５Ａ，４５Ｂの端面に、前記Ｃｒ混酸による処理の結
果、酸化物層４５Ａｏ，４５Ｂｏが形成されるが、この
酸化物層４５Ａｏ，４５Ｂｏは図１２（Ｅ）の工程にお
いてＡｌ混酸を使って多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂ
をエッチング除去する際に、Ａｌパターン４５Ａ，４５
Ｂがさらに側方にエッチングされるのを阻止する。
す。図１３を参照するに、前記Ａｌ層４５のウェットエ
ッチングの後、再びＣｒ混酸を使ったウェットエッチン
グを行なうことにより、先に説明したように、前記バリ
ア型陽極酸化膜パターン４６Ａ，４６Ｂの位置が矢印の
ように後退するが、これと同時に、前記Ａｌパターン４
５Ａ，４５Ｂの端面に、前記Ｃｒ混酸による処理の結
果、酸化物層４５Ａｏ，４５Ｂｏが形成されるが、この
酸化物層４５Ａｏ，４５Ｂｏは図１２（Ｅ）の工程にお
いてＡｌ混酸を使って多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂ
をエッチング除去する際に、Ａｌパターン４５Ａ，４５
Ｂがさらに側方にエッチングされるのを阻止する。
【００３２】図１２（Ｃ）の工程の後、先に図５（Ｆ）
で説明したイオン注入および活性化を行なうことによ
り、所望のＬＤＤ構造を有するＴＦＴが得られる。この
工程は先の説明から明らかであり、説明を省略する。 ［第２実施例］ところで、本発明の発明者は、従来の図
５（Ｅ）の工程において多孔質陽極酸化膜をエッチング
除去する際に使用可能な、金属Ａｌに対して選択性を示
すエッチャントを求めて実験的研究を行なった。
で説明したイオン注入および活性化を行なうことによ
り、所望のＬＤＤ構造を有するＴＦＴが得られる。この
工程は先の説明から明らかであり、説明を省略する。 ［第２実施例］ところで、本発明の発明者は、従来の図
５（Ｅ）の工程において多孔質陽極酸化膜をエッチング
除去する際に使用可能な、金属Ａｌに対して選択性を示
すエッチャントを求めて実験的研究を行なった。
【００３３】図１４（Ａ）は、表１に示す組成のＡｌ混
酸とＣｒ混酸とを様々な割合で混合したエッチャントに
よるＡｌ−Ｓｃ合金膜の、４５°Ｃにおけるエッチング
レートを示す。ただし、エッチングは１０ｃｍ□の大き
さで厚さが３００ｎｍのＡｌ−Ｓｃ合金膜に対して行な
い、エッチングレートは前記Ａｌ−Ｓｃ合金膜の厚さを
段差計で測定することにより求めた。
酸とＣｒ混酸とを様々な割合で混合したエッチャントに
よるＡｌ−Ｓｃ合金膜の、４５°Ｃにおけるエッチング
レートを示す。ただし、エッチングは１０ｃｍ□の大き
さで厚さが３００ｎｍのＡｌ−Ｓｃ合金膜に対して行な
い、エッチングレートは前記Ａｌ−Ｓｃ合金膜の厚さを
段差計で測定することにより求めた。
【００３４】
【表１】
【００３５】図１４（Ａ）を参照するに、Ａｌ合金膜の
エッチングレートは、表１のＣｒ混酸をエッチャントに
使った場合実質的に０であり、Ａｌ合金膜はエッチング
されないことが見出された。これに対し、Ｃｒ混酸濃度
が０．１ｖｏｌ％程度以下に減少するとエッチングレー
トは急速に増大し、０．０１ｖｏｌ％以下になると約５
２Å／秒で飽和することがわかる。図１４（Ａ）中に矢
印で示したこのエッチングレートの急変が生じるエッチ
ャント組成では、前記エッチャント中のＣｒＯ 3 の濃度
が約０．０３ｗｔ％となっており、ＣｒＯ3 の濃度がこ
の値を超えると、Ａｌ合金膜のエッチングレートが急減
する。
エッチングレートは、表１のＣｒ混酸をエッチャントに
使った場合実質的に０であり、Ａｌ合金膜はエッチング
されないことが見出された。これに対し、Ｃｒ混酸濃度
が０．１ｖｏｌ％程度以下に減少するとエッチングレー
トは急速に増大し、０．０１ｖｏｌ％以下になると約５
２Å／秒で飽和することがわかる。図１４（Ａ）中に矢
印で示したこのエッチングレートの急変が生じるエッチ
ャント組成では、前記エッチャント中のＣｒＯ 3 の濃度
が約０．０３ｗｔ％となっており、ＣｒＯ3 の濃度がこ
の値を超えると、Ａｌ合金膜のエッチングレートが急減
する。
【００３６】これに対し、図１４（Ｂ）は、１０ｃｍ□
のＡｌ−Ｓｃ合金膜上にバリア型の陽極酸化膜を１２０
ｎｍの厚さに形成し、これを前記Ａｌ混酸とＣｒ混酸の
混合エッチャントによりウェットエッチングした場合
の、バリア型陽極酸化膜の４５°Ｃにおけるエッチング
レートを示す。バリア型陽極酸化膜は、Ａｌ−Ｓｃ合金
膜の表面を印加電圧８３Ｖ，供給電流１５０ｍＡの条件
で３５分間陽極酸化することにより形成され、エッチン
グレートは、図１４（Ａ）の場合と同様に前記バリア型
陽極酸化膜の厚さを段差計により測定することにより求
めた。
のＡｌ−Ｓｃ合金膜上にバリア型の陽極酸化膜を１２０
ｎｍの厚さに形成し、これを前記Ａｌ混酸とＣｒ混酸の
混合エッチャントによりウェットエッチングした場合
の、バリア型陽極酸化膜の４５°Ｃにおけるエッチング
レートを示す。バリア型陽極酸化膜は、Ａｌ−Ｓｃ合金
膜の表面を印加電圧８３Ｖ，供給電流１５０ｍＡの条件
で３５分間陽極酸化することにより形成され、エッチン
グレートは、図１４（Ａ）の場合と同様に前記バリア型
陽極酸化膜の厚さを段差計により測定することにより求
めた。
【００３７】図１４（Ｂ）を参照するに、４５°Ｃでは
バリア型陽極酸化膜のエッチングレートはエッチャント
が前記Ｃｒ混酸のみを含む場合に約６０Å／ｍｉｎで、
Ａｌ混酸の割合が増大するにつれて略直線的に増加し、
Ａｌ混酸のみを含む場合に８０Å／ｍｉｎに達する。こ
れは、毎秒当たりのエッチングレートに換算すると、約
１Å／秒であり、前記バリア型陽極酸化膜は、４５°Ｃ
でのエッチングでは、前記Ａｌ混酸あるいはＣｒ混酸の
いずれによっても実質的にエッチングされないことがわ
かる。
バリア型陽極酸化膜のエッチングレートはエッチャント
が前記Ｃｒ混酸のみを含む場合に約６０Å／ｍｉｎで、
Ａｌ混酸の割合が増大するにつれて略直線的に増加し、
Ａｌ混酸のみを含む場合に８０Å／ｍｉｎに達する。こ
れは、毎秒当たりのエッチングレートに換算すると、約
１Å／秒であり、前記バリア型陽極酸化膜は、４５°Ｃ
でのエッチングでは、前記Ａｌ混酸あるいはＣｒ混酸の
いずれによっても実質的にエッチングされないことがわ
かる。
【００３８】さらに、図１５（Ａ）〜（Ｆ）は、バリア
型陽極酸化膜で覆ったＡｌ−Ｓｃ合金パターンの側縁外
側に多孔質陽極酸化膜を、印加電圧４Ｖ，供給電流１０
ｍＡの条件で４０分間陽極酸化することにより形成し、
これを前記Ｃｒ混酸とＡｌ混酸の混合エッチャントによ
りウェットエッチングした場合に得られる構造の電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。ただし、図１５（Ａ）は表
１のＣｒ混酸のみをエッチャントに使った場合を、図１
５（Ｂ）はエッチャント中のＣｒ混酸の濃度を体積で１
／５とした場合を、図１５（Ｃ）はエッチャント中のＣ
ｒ混酸の濃度を体積で１／９とした場合を、図１５
（Ｄ）はエッチャント中のＣｒ混酸の濃度を体積で１／
１８とした場合を、図１５（Ｅ）はエッチャント中のＣ
ｒ混酸の濃度を体積で１／２５とした場合を、また図１
５（Ｆ）は表１のＡｌ混酸のみをエッチャントに使った
場合を示す。
型陽極酸化膜で覆ったＡｌ−Ｓｃ合金パターンの側縁外
側に多孔質陽極酸化膜を、印加電圧４Ｖ，供給電流１０
ｍＡの条件で４０分間陽極酸化することにより形成し、
これを前記Ｃｒ混酸とＡｌ混酸の混合エッチャントによ
りウェットエッチングした場合に得られる構造の電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。ただし、図１５（Ａ）は表
１のＣｒ混酸のみをエッチャントに使った場合を、図１
５（Ｂ）はエッチャント中のＣｒ混酸の濃度を体積で１
／５とした場合を、図１５（Ｃ）はエッチャント中のＣ
ｒ混酸の濃度を体積で１／９とした場合を、図１５
（Ｄ）はエッチャント中のＣｒ混酸の濃度を体積で１／
１８とした場合を、図１５（Ｅ）はエッチャント中のＣ
ｒ混酸の濃度を体積で１／２５とした場合を、また図１
５（Ｆ）は表１のＡｌ混酸のみをエッチャントに使った
場合を示す。
【００３９】図１５（Ａ）〜１５（Ｆ）のいずれの場合
においても、前記Ａｌ−Ｓｃ合金膜を覆うバリア型陽極
酸化膜は、図１４（Ｂ）で示された程度のエッチングし
か受けず、実質的に完全な形で残っているのに対し、多
孔質陽極酸化膜は完全に除去されているのがわかる。図
１５（Ａ）〜１５（Ｆ）中、右側の残留パターンがバリ
ア型陽極酸化膜であり、その断面を詳細に見ると、前記
バリア型陽極酸化膜で覆われたＡｌ−Ｓｃ合金膜パター
ンが、明るいパターンとして存在するのがわかる。多孔
質陽極酸化膜のエッチングレートの実測は困難であり、
行なっていない。
においても、前記Ａｌ−Ｓｃ合金膜を覆うバリア型陽極
酸化膜は、図１４（Ｂ）で示された程度のエッチングし
か受けず、実質的に完全な形で残っているのに対し、多
孔質陽極酸化膜は完全に除去されているのがわかる。図
１５（Ａ）〜１５（Ｆ）中、右側の残留パターンがバリ
ア型陽極酸化膜であり、その断面を詳細に見ると、前記
バリア型陽極酸化膜で覆われたＡｌ−Ｓｃ合金膜パター
ンが、明るいパターンとして存在するのがわかる。多孔
質陽極酸化膜のエッチングレートの実測は困難であり、
行なっていない。
【００４０】図１６は、前記バリア型陽極酸化膜を、表
１のＣｒ混酸およびＡｌ混酸でウェットエッチングする
際の、エッチングレートとエッチング温度との関係を示
す。図１６を参照するに、従来よりＣｒ混酸を使ってバ
リア型陽極酸化膜をウェットエッチングする際には、先
の実施例でも説明したようにエッチング温度を６５°Ｃ
あるいはそれ以上に設定して、４００Å／ｍｉｎ以上の
エッチングレートを実現していたが、エッチング温度を
低下させ、例えば４５°Ｃに設定すると、バリア型陽極
酸化膜のエッチングレートは、Ｃｒ混酸を使った場合で
もＡｌ混酸を使った場合でも約１００Å／ｍｉｎ以下に
まで減少する。これは毎秒のエッチングレートに換算す
ると約１．７Å／ｍｉｎであり、先にも図１４（Ｂ）で
説明したように、バリア型陽極酸化膜は、４５°Ｃでの
ウェットエッチングでは、Ａｌ混酸あるいはＣｒ混酸の
いずれによっても実質的にエッチングされないことがわ
かる。
１のＣｒ混酸およびＡｌ混酸でウェットエッチングする
際の、エッチングレートとエッチング温度との関係を示
す。図１６を参照するに、従来よりＣｒ混酸を使ってバ
リア型陽極酸化膜をウェットエッチングする際には、先
の実施例でも説明したようにエッチング温度を６５°Ｃ
あるいはそれ以上に設定して、４００Å／ｍｉｎ以上の
エッチングレートを実現していたが、エッチング温度を
低下させ、例えば４５°Ｃに設定すると、バリア型陽極
酸化膜のエッチングレートは、Ｃｒ混酸を使った場合で
もＡｌ混酸を使った場合でも約１００Å／ｍｉｎ以下に
まで減少する。これは毎秒のエッチングレートに換算す
ると約１．７Å／ｍｉｎであり、先にも図１４（Ｂ）で
説明したように、バリア型陽極酸化膜は、４５°Ｃでの
ウェットエッチングでは、Ａｌ混酸あるいはＣｒ混酸の
いずれによっても実質的にエッチングされないことがわ
かる。
【００４１】図１７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実
施例による液晶表示装置の製造工程を示す図である。た
だし、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付
し、説明を省略する。図１７（Ａ）を参照するに、この
工程は先に説明した図１１（Ａ）の工程と実質的に同じ
であり、ＴＦＴ１１Ｃの形成領域において、ゲート電極
４５がバリア型の陽極酸化膜４５により覆われ、両側縁
に多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂが形成される。
施例による液晶表示装置の製造工程を示す図である。た
だし、図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付
し、説明を省略する。図１７（Ａ）を参照するに、この
工程は先に説明した図１１（Ａ）の工程と実質的に同じ
であり、ＴＦＴ１１Ｃの形成領域において、ゲート電極
４５がバリア型の陽極酸化膜４５により覆われ、両側縁
に多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂが形成される。
【００４２】次に、本実施例では、図１７（Ｂ）の工程
において、ＣｒＯ3 を０．０３ｗｔ％以上含むＣｒ混酸
を使った、典型的には４５〜５０°Ｃで実行されるウェ
ットエッチングにより、前記多孔質陽極酸化膜４７Ａ，
４７Ｂが、選択的にエッチング除去される。先にも説明
したように、このウェットエッチング工程ではバリア型
陽極酸化膜４６および金属Ａｌゲート電極パターン４５
は実質的にエッチングされることがなく、このため、バ
リア型陽極酸化膜４６に何らかの電気化学反応により、
図１０のピンホール２６Ｘのようなピンホールが形成さ
れても、ゲート電極パターン４５がエッチングされたり
断線するおそれはない。そこで、本実施例では、図１７
（Ｂ）の工程を、先の実施例と異なり、前記導体接続部
２５Ｄが基板４１上に残った状態で行なっている。
において、ＣｒＯ3 を０．０３ｗｔ％以上含むＣｒ混酸
を使った、典型的には４５〜５０°Ｃで実行されるウェ
ットエッチングにより、前記多孔質陽極酸化膜４７Ａ，
４７Ｂが、選択的にエッチング除去される。先にも説明
したように、このウェットエッチング工程ではバリア型
陽極酸化膜４６および金属Ａｌゲート電極パターン４５
は実質的にエッチングされることがなく、このため、バ
リア型陽極酸化膜４６に何らかの電気化学反応により、
図１０のピンホール２６Ｘのようなピンホールが形成さ
れても、ゲート電極パターン４５がエッチングされたり
断線するおそれはない。そこで、本実施例では、図１７
（Ｂ）の工程を、先の実施例と異なり、前記導体接続部
２５Ｄが基板４１上に残った状態で行なっている。
【００４３】さらに、図１７（Ｃ）の工程において、図
１７（Ｂ）の構造上に、前記導体接続部２５Ｄに対応し
て窓４８Ａを有するレジストパターン４８を形成し、前
記窓４８を介して前記バリア型陽極酸化膜４６およびＡ
ｌ導体パターン４５を、それぞれ６５°ＣでのＣｒ混酸
を使ったウェットエッチングおよびＡｌ混酸を使ったウ
ェットエッチングにより除去する。図１７（Ｃ）の工程
で使われるＣｒ混酸は、従来の組成のものでも、また表
１に記載の組成のものでもよい。
１７（Ｂ）の構造上に、前記導体接続部２５Ｄに対応し
て窓４８Ａを有するレジストパターン４８を形成し、前
記窓４８を介して前記バリア型陽極酸化膜４６およびＡ
ｌ導体パターン４５を、それぞれ６５°ＣでのＣｒ混酸
を使ったウェットエッチングおよびＡｌ混酸を使ったウ
ェットエッチングにより除去する。図１７（Ｃ）の工程
で使われるＣｒ混酸は、従来の組成のものでも、また表
１に記載の組成のものでもよい。
【００４４】図１７（Ｃ）の構造に対して、さらに先に
図５（Ｅ），（Ｆ）に対応するプロセスを行なうことに
より、所望のＬＤＤ構造を有するＴＦＴ１１Ｃが形成さ
れる。この工程は先の説明から明らかであり、説明を省
略する。図１８は、このようにして得られたＴＦＴの断
面構造を示すＴＥＭ写真である。
図５（Ｅ），（Ｆ）に対応するプロセスを行なうことに
より、所望のＬＤＤ構造を有するＴＦＴ１１Ｃが形成さ
れる。この工程は先の説明から明らかであり、説明を省
略する。図１８は、このようにして得られたＴＦＴの断
面構造を示すＴＥＭ写真である。
【００４５】図１８を参照するに、図中「ゲートＡｌ」
として示しているのが図１７（Ｂ）あるいは（Ｃ）のゲ
ート電極パターン４５に対応し、「ゲートＳｉＯ2 膜」
として示すゲート絶縁膜４４上に形成され、「バリアＡ
Ｏ」として示しているバリア型陽極酸化膜４６により覆
われる。前記「ゲートＳｉＯ2 膜」は、前記ポリシリコ
ンパターン４３に対応する「Ｐ−Ｓｉ」として示すポリ
シリコン膜上に形成されており、前記バリア型陽極酸化
膜で覆われたゲート電極パターン４５およびその下のゲ
ート絶縁膜４４あるいはポリシリコンパターン４３は、
図１７（Ｂ），（Ｂ）に図示を省略したＳｉＯ2 膜およ
び層間絶縁膜により覆われている。
として示しているのが図１７（Ｂ）あるいは（Ｃ）のゲ
ート電極パターン４５に対応し、「ゲートＳｉＯ2 膜」
として示すゲート絶縁膜４４上に形成され、「バリアＡ
Ｏ」として示しているバリア型陽極酸化膜４６により覆
われる。前記「ゲートＳｉＯ2 膜」は、前記ポリシリコ
ンパターン４３に対応する「Ｐ−Ｓｉ」として示すポリ
シリコン膜上に形成されており、前記バリア型陽極酸化
膜で覆われたゲート電極パターン４５およびその下のゲ
ート絶縁膜４４あるいはポリシリコンパターン４３は、
図１７（Ｂ），（Ｂ）に図示を省略したＳｉＯ2 膜およ
び層間絶縁膜により覆われている。
【００４６】図１８より明らかなように、前記バリア型
陽極参観区４６にはピンホールの形成は見られず、この
ため多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂをウェットエッチ
ングにより選択的に除去する際に、前記ゲート電極パタ
ーン４５が導体接続部２５Ｄにより隣接するＴＦＴのゲ
ート電極パターンに接続されていても、前記ゲート電極
パターン４５にピンホールが生じたり断線が生じたりす
ることはない。
陽極参観区４６にはピンホールの形成は見られず、この
ため多孔質陽極酸化膜４７Ａ，４７Ｂをウェットエッチ
ングにより選択的に除去する際に、前記ゲート電極パタ
ーン４５が導体接続部２５Ｄにより隣接するＴＦＴのゲ
ート電極パターンに接続されていても、前記ゲート電極
パターン４５にピンホールが生じたり断線が生じたりす
ることはない。
【００４７】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨内にお
いて様々な変形・変更が可能である。
明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨内にお
いて様々な変形・変更が可能である。
【００４８】
【発明の効果】請求項１〜６および１０，１１記載の本
発明の第１の特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜を、
前記導体接続部をエッチングにより切り離した後でエッ
チング除去するため、前記ゲート電極を覆うバリア型の
陽極酸化膜に電気化学反応が生じることがなく、これに
伴い前記バリア型陽極酸化膜におけるピンホールの形成
が効果的に抑制される。特に、請求項２あるいは１１に
記載したように、前記切り離し工程の後で、再び前記バ
リア型陽極酸化膜をエッチングするエッチャントを適用
することにより、露出した導体パターンの側壁面に保護
酸化膜が形成され、後で多孔質陽極酸化膜をエッチング
除去する際に、先にに切り離された導体パターンが、余
計にエッチングされてしまう問題が回避される。さら
に、請求項６に記載したように、前記導体パターンをＡ
ｌを主成分とする低抵抗金属により形成することによ
り、大面積で、かる応答速度の速い液晶表示装置が得ら
れる。
発明の第１の特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜を、
前記導体接続部をエッチングにより切り離した後でエッ
チング除去するため、前記ゲート電極を覆うバリア型の
陽極酸化膜に電気化学反応が生じることがなく、これに
伴い前記バリア型陽極酸化膜におけるピンホールの形成
が効果的に抑制される。特に、請求項２あるいは１１に
記載したように、前記切り離し工程の後で、再び前記バ
リア型陽極酸化膜をエッチングするエッチャントを適用
することにより、露出した導体パターンの側壁面に保護
酸化膜が形成され、後で多孔質陽極酸化膜をエッチング
除去する際に、先にに切り離された導体パターンが、余
計にエッチングされてしまう問題が回避される。さら
に、請求項６に記載したように、前記導体パターンをＡ
ｌを主成分とする低抵抗金属により形成することによ
り、大面積で、かる応答速度の速い液晶表示装置が得ら
れる。
【００４９】請求項７〜９および１２記載の本発明の第
２の特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜をウェットエ
ッチングにより除去する際に、従来使われていたＡｌに
対して選択性を有さないＡｌ混酸の代わりに、Ａｌ混酸
に酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上加えた組成のＣｒ混酸
をエッチャントとして使うことにより、Ａｌのエッチン
グに対して選択性が生じるため、前記ゲート電極を覆う
バリア型陽極酸化膜にピンホールが発生しても、ゲート
電極がエッチングされてしまう問題が回避される。
２の特徴によれば、前記多孔質陽極酸化膜をウェットエ
ッチングにより除去する際に、従来使われていたＡｌに
対して選択性を有さないＡｌ混酸の代わりに、Ａｌ混酸
に酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上加えた組成のＣｒ混酸
をエッチャントとして使うことにより、Ａｌのエッチン
グに対して選択性が生じるため、前記ゲート電極を覆う
バリア型陽極酸化膜にピンホールが発生しても、ゲート
電極がエッチングされてしまう問題が回避される。
【図１】従来の液晶表示装置を示す概観図である。
【図２】図１の液晶表示装置の一部を拡大して示す図で
ある。
ある。
【図３】図１の液晶表示装置で使われる、ＬＤＤ構造を
有する薄膜トランジスタの構成を示す図である。
有する薄膜トランジスタの構成を示す図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の薄膜トランジスタの
製造工程を示す図（その１）である。
製造工程を示す図（その１）である。
【図５】（Ｅ），（Ｆ）は、従来の薄膜トランジスタの
製造工程を示す図（その２）である。
製造工程を示す図（その２）である。
【図６】従来の液晶表示装置の製造工程で使われている
陽極酸化工程を示す図である。
陽極酸化工程を示す図である。
【図７】図６の陽極酸化工程の後で使われる導体パター
ンの分断工程を示す図である。
ンの分断工程を示す図である。
【図８】従来の液晶表示装置の製造工程で生じる問題点
を説明する図である。
を説明する図である。
【図９】（Ａ），（Ｂ）は図８で説明した問題の発生す
る機構を説明する図である。
る機構を説明する図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の製造工程で生じる別の
問題点を説明する図である。
問題点を説明する図である。
【図１１】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施例によ
る液晶表示装置の製造工程を示す図（その１）である。
る液晶表示装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１２】（Ｃ）〜（Ｅ）は、本発明の第１実施例によ
る液晶表示装置の製造工程を示す図（その２）である。
る液晶表示装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１３】図１２（Ｃ）の工程を詳細に示す図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２実施例の原
理を説明する図（その１）である。
理を説明する図（その１）である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の第２実施例の原
理を説明する図（その２）である。
理を説明する図（その２）である。
【図１６】本発明の第２実施例の原理を説明する図（そ
の３）である。
の３）である。
【図１７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施例によ
る液晶表示装置の製造工程を示す図である。
る液晶表示装置の製造工程を示す図である。
【図１８】本発明の第２実施例により製造された液晶表
示装置の一部を示す図である。
示装置の一部を示す図である。
１ 液晶層 １１ ＴＦＴ基板 １１Ａ，１１Ｂ 端子電極 １１Ｃ ＴＦＴ １１Ｄ 透明画素電極 １１ａ 走査電極 １１ｂ 信号電極 １２ 対向基板 ２１，４１ ガラス基板 ２２，４２ ＳｉＯ2 膜 ２３，４３ ポリシリコンパターン ２４，４４ ゲート絶縁膜パターン ２４Ａ ゲート絶縁膜 ２５，４５ ゲート電極パターン ２５Ａ Ａｌ層 ２５Ｂ 導体パターン ２５Ｄ，（２５Ｄ）1 ，（２５Ｄ）2 ，４５Ａ，４５Ｂ
導体接続部 ２６，２８，２８Ａ，２８Ｂ，４６ バリア型陽極酸化
膜 ２６Ｘ ピンホール （２８Ｂ）1 ，（２８Ｂ）2 ，４６Ａ，４６Ｂ バリア
型陽極酸化膜パターン ２７Ａ，２７Ｂ 多孔質陽極酸化膜 ２９，３１，４８ レジストパターン ３１Ａ，４８Ａ 窓 ４５Ａｏ，４５Ｂｏ 保護酸化膜
導体接続部 ２６，２８，２８Ａ，２８Ｂ，４６ バリア型陽極酸化
膜 ２６Ｘ ピンホール （２８Ｂ）1 ，（２８Ｂ）2 ，４６Ａ，４６Ｂ バリア
型陽極酸化膜パターン ２７Ａ，２７Ｂ 多孔質陽極酸化膜 ２９，３１，４８ レジストパターン ３１Ａ，４８Ａ 窓 ４５Ａｏ，４５Ｂｏ 保護酸化膜
フロントページの続き (72)発明者 大形 公士 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 筧 達也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 梁井 健一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA25 JA29 JA33 JA35 JA38 JA39 JA42 JA43 JA44 JA46 JB13 JB23 JB27 JB32 JB33 JB36 JB38 JB54 KA04 KA07 KA12 KA16 KA18 KB05 KB14 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA24 MA27 MA29 MA31 MA34 MA35 MA37 MA41 NA13 NA15 NA25 NA27 NA29 NA30 PA06
Claims (12)
- 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板に対して
隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基板上
に形成された薄膜トランジスタと、前記隙間に封入され
た液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、 前記第１の基板上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、 前記配線金属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の
陽極酸化膜を形成する工程と、 前記第１の陽極酸化膜を形成する工程の後、前記配線金
属層をパターニングして、前記薄膜トランジスタのゲー
ト電極パターンと、前記ゲート電極パターンから前記第
１の基板上を延在し、別の薄膜トランジスタのゲート電
極パターンに至る導体接続部とよりなり、一対の縁部で
画成された導体パターンを形成する工程と、 前記導体パターンを形成する工程の後、前記導体パター
ンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記一対の縁部
の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形成する工程
と、 前記第２の多孔質陽極酸化膜を形成する工程の後、前記
導体パターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記
一対の縁部の各々において、前記第２の多孔質陽極酸化
膜の内側に、バリア型の第３の陽極酸化膜を形成する工
程と、 前記第３の陽極酸化膜を形成する工程の後、前記導体パ
ターン中、前記導体接続部をエッチングにより除去し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極パターンを前記別の
薄膜トランジスタのゲート電極パターンから分離する工
程と、 前記分離工程の後、前記第２の陽極酸化膜を、エッチン
グ工程により除去する工程とよりなることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記分離工程において、前記エッチング
工程は、前記導体接続部を覆う前記第１の陽極酸化膜を
第１のエッチャントにより除去する工程と、前記導体接
続部を第２のエッチャントによりエッチング・除去する
工程とを含み、さらに前記導体接続部のエッチングの
後、前記エッチングされた導体接続部に隣接して残留す
る前記導体パターン上に残留しオーバーハングを形成す
る前記第１の陽極酸化膜を、前記第１のエッチャントに
より除去する工程を含むことを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記分離工程において、前記エッチング
工程は、前記薄膜トランジスタを覆い、前記導体接続部
に対応して窓を形成されたレジストパターンを使って実
行され、前記レジストパターンは、前記オーバーハング
を形成する前記第１の陽極酸化膜が除去された後で除去
されることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項４】 前記第２の陽極酸化膜をエッチングする
工程は、前記第２のエッチャントを使って実行されるこ
とを特徴とする請求項２または３記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項５】 前記第１のエッチャントは燐酸と酸化ク
ロムとを含み、前記第２のエッチャントは燐酸を含むこ
とを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記導体パターンはＡｌを主成分として
含むことを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一
項記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 第１の基板と、前記第１の基板に対して
隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基板上
に形成された薄膜トランジスタと、前記隙間に封入され
た液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、 前記第１の基板上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に、配線金属層を形成する工程と、 前記配線金属層表面を陽極酸化して、バリア型の第１の
陽極酸化膜を形成する工程と、 前記第１の陽極酸化膜を形成する工程の後、前記配線金
属層をパターニングして、前記薄膜トランジスタのゲー
ト電極パターンと、前記ゲート電極パターンから前記第
１の基板上を延在し、別の薄膜トランジスタのゲート電
極パターンに至る導体接続部とよりなり、一対の縁部で
画成された導体パターンを形成する工程と、 前記導体パターンを形成する工程の後、前記導体パター
ンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記一対の縁部
の各々に、多孔質の第２の陽極酸化膜を形成する工程
と、 前記第２の陽極酸化膜を形成する工程の後、前記導体パ
ターンを陽極酸化して、前記導体パターンの前記一対の
縁部の各々において、前記第２の陽極酸化膜の内側に、
バリア型の第３の陽極酸化膜を形成する工程と、 前記第３の陽極酸化膜の形成工程の後、前記第２の陽極
酸化膜を、エッチング工程により除去する工程と、 前記第２の陽極酸化膜をエッチング除去する工程の後、
前記導体パターン中、前記導体接続部をエッチングによ
り除去し、前記薄膜トランジスタのゲート電極パターン
を前記別の薄膜トランジスタのゲート電極パターンから
分離する工程とを含み、 前記第２の陽極酸化膜をエッチングする工程は、燐酸を
主成分とし酸化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上含むエッチャ
ントを使って行われることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の陽極酸化膜をエッチングする
工程は、６０°Ｃ以下の温度で実行されることを特徴と
する請求項７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記エッチャントは、前記燐酸と酸化Ｃ
ｒの他に、酢酸と硝酸とを成分として含んでいることを
特徴とする請求項７または８記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 第１の基板と、前記第１の基板に対し
て隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基板
上に形成された導体パターンと、前記隙間に封入された
液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、 前記導体パターンを陽極酸化し、前記導体パターン上に
バリア型の陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜の一部をウェットエッチングにより除去
する工程と、 前記陽極酸化膜がウェットエッチングによりエッチング
除去された部分において前記導体パターンをウェットエ
ッチングにより除去する工程とを含み、 さらに前記導体パターンをウェットエッチングする工程
の後、前記バリア型陽極酸化膜をさらにウェットエッチ
ングにより除去する工程を含むことを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記バリア型の陽極酸化膜をウェット
エッチングする工程は、燐酸を主成分とし酸化Ｃｒを含
むエッチャントにより行わることを特徴とする請求項１
０記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 第１の基板と、前記第１の基板に対し
て隙間を隔てて対向する第２の基板と、前記第１の基板
上に形成された導体パターンと、前記隙間に封入された
液晶層とよりなる液晶表示装置の製造方法において、 前記導体パターンを陽極酸化し、前記導体パターン上に
多孔質の第１の陽極酸化膜を形成する工程と、 前記第１の陽極酸化膜を形成する工程の後、前記導体パ
ターンを陽極酸化して、前記第１の陽極酸化膜の内側に
バリア型の第２の陽極酸化膜を形成する工程と、 前記第２の陽極酸化膜の形成工程の後、前記第１の陽極
酸化膜を、ウェットエッチングにより、前記第１の陽極
酸化膜に対して選択的に除去する工程とを含み、 前記ウェットエッチング工程は、燐酸を主成分とし、酸
化Ｃｒを０．０３ｗｔ％以上含むエッチャントを使って
行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19201298A JP4324259B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
| TW088104869A TW548498B (en) | 1998-07-07 | 1999-03-26 | Fabrication process of a liquid crystal display device with improved yield |
| US09/281,128 US6156662A (en) | 1998-07-07 | 1999-03-29 | Fabrication process of a liquid crystal display device with improved yield |
| KR1019990014045A KR100301359B1 (ko) | 1998-07-07 | 1999-04-20 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19201298A JP4324259B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022164A true JP2000022164A (ja) | 2000-01-21 |
| JP4324259B2 JP4324259B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=16284145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19201298A Expired - Fee Related JP4324259B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6156662A (ja) |
| JP (1) | JP4324259B2 (ja) |
| KR (1) | KR100301359B1 (ja) |
| TW (1) | TW548498B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001356753A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-26 | Canon Inc | 表示制御装置、表示制御システム、表示制御方法および記憶媒体 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416527A1 (de) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | ABB Schweiz AG | Verfahren zur Herstellung eines Stufenprofils aus einer Schichtfolge |
| GB0426564D0 (en) * | 2004-12-03 | 2005-01-05 | Plastic Logic Ltd | Subtractive self-aligned printing |
| KR102440504B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2022-09-06 | 현대자동차주식회사 | 이종 재질 접합을 위한 알루미늄 표면 처리 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52138887A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5423375A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-21 | Nec Corp | Manufacture of schottky barrier type electrode |
| JPS6390832A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JP3226223B2 (ja) * | 1990-07-12 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタアレイ装置および液晶表示装置 |
| KR950008931B1 (ko) * | 1992-07-22 | 1995-08-09 | 삼성전자주식회사 | 표시패널의 제조방법 |
| KR940004373A (ko) * | 1992-08-14 | 1994-03-15 | 이헌조 | 표시 장치의 칼라 액정표시소자 구조 |
| TW297142B (ja) * | 1993-09-20 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| JP3030368B2 (ja) * | 1993-10-01 | 2000-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JPH07310191A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エッチング材料およびエッチング方法 |
| JP3474309B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2003-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製方法 |
| JPH0954500A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 二成分現像装置 |
| KR100407927B1 (ko) * | 1995-12-11 | 2004-04-03 | 엘지전자 주식회사 | 액정표시소자의제조방법 |
| JPH10104661A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3831028B2 (ja) * | 1996-12-03 | 2006-10-11 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP19201298A patent/JP4324259B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-26 TW TW088104869A patent/TW548498B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-29 US US09/281,128 patent/US6156662A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-20 KR KR1019990014045A patent/KR100301359B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001356753A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-26 | Canon Inc | 表示制御装置、表示制御システム、表示制御方法および記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4324259B2 (ja) | 2009-09-02 |
| KR20000011244A (ko) | 2000-02-25 |
| US6156662A (en) | 2000-12-05 |
| TW548498B (en) | 2003-08-21 |
| KR100301359B1 (ko) | 2001-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4903667B2 (ja) | 表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| US6015724A (en) | Manufacturing method of a semiconductor device | |
| US6445004B1 (en) | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof | |
| US6337520B1 (en) | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof | |
| JPH10256561A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3086579B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05323373A (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| KR100309630B1 (ko) | 반도체장치제조방법 | |
| JP3270674B2 (ja) | 半導体集積回路の作製方法 | |
| KR101232061B1 (ko) | 금속 배선의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 | |
| JPH08250743A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP3199404B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2000022164A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH05165059A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0992840A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3105409B2 (ja) | 金属配線基板および半導体装置およびそれらの製造方法 | |
| JP2692914B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH10247733A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP4143144B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH11340471A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| JPH07134312A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07321337A (ja) | 半導体集積回路およびその作製方法 | |
| JPH09199474A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH04309928A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPH09223803A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050512 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050516 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050713 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050722 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090608 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |