JPH10104661A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面が陽極酸化されたゲート信号線に対する
絶縁膜のカバレージの向上。 【解決手段】 層間絶縁膜の下層に形成される一方の信
号線が、その表面が陽極酸化されたＡｌあるいはその合
金から構成されている液晶表示装置において、Ａｌある
いはその合金から構成される前記信号線は、その信号線
の平坦な部分に形成される陽極酸化膜の厚さをａとし、
該信号線の角の部分に形成される陽極酸化膜の厚さをｂ
とした場合、ｂ／ａの関係が１．１以下となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、アクティブ・マトリックス型と称される液晶
表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ・マトリックス型の液晶表示
装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板の
うち一方の液晶側の面に、ｘ方向に延在しかつｙ方向に
並設されたゲート信号線と、これらゲート信号線に絶縁
されてｙ方向に延在しかつｘ方向に並設されたドレイン
信号線とを備え、これら各信号線で囲まれた矩形状の領
域を画素領域として構成されている。

【０００３】そして、これら各画素領域には、ゲート信
号線に供給される走査信号（電圧）によってオンする薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線に供給される映像信号（電圧）が印加される
画素電極とを備えている。

【０００４】このような構成において、ゲート信号線は
特にその電気的抵抗値を小さくすることが要求される。
該ゲート信号線へ供給されるゲート信号の遅延によっ
て、いわゆる横スメアが発生するのを防止できるからで
ある。

【０００５】このため、該ゲート信号線を形成する材料
はＡｌあるいはその合金が用いられるのが通常となって
いる。

【０００６】しかし、このような材料からなるゲート信
号線は、それを薄膜トランジスタよりも下層に形成する
場合、該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ね、か
つ、ドレイン信号線に対する層間絶縁膜となる絶縁膜を
通してヒロック（突起）が発生して該ドレイン信号線と
短絡してしまうことから、その表面をいわゆる陽極酸化
してＡｌ酸化膜を形成する技術が知られるに至ってい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、透明基板上に
形成されたＡｌからなるゲート信号線を陽極酸化した場
合、該ゲート信号線の表面に均一なＡｌ酸化膜が形成さ
れることは稀であり、該陽極酸化の際の電流集中によっ
て、特に、該ゲート信号線の角部（換言すれば稜線部）
において膜厚の大きなＡｌ酸化膜が形成されてしまう現
象が認識されている。

【０００８】このため、このゲート信号線をも被って形
成される前記絶縁膜は、該ゲート信号線の角部において
充分なカバレージが期待できず、結果としてドレイン信
号線との間に電気的短絡の原因を生じせしめることにな
る。

【０００９】さらに、各画素領域にいわゆる付加容量素
子を形成し、この付加容量素子によって、薄膜トランジ
スタがオフした際に画素電極に供給された映像信号を長
く保持させようとする構成においては、その一方の電極
として前記ゲート信号線の一部を用い、かつ前記絶縁膜
を誘電体膜として用いることが通常となるため、該誘電
体膜の耐圧が劣化してしまうという問題も指摘されるに
至っている。

【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、表面が陽極酸化されたゲ
ート信号線に対する絶縁膜のカバレージを向上させるこ
とのできる液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１２】すなわち、液晶を介して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち、その一方の液晶側の面に、ｘ方向
に延在しかつｙ方向に並設されるゲート信号線と、これ
らゲート信号線に層間絶縁膜を介してｙ方向に延在しか
つｘ方向に並設されるドレイン信号線とを備え、これら
ゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれる画素領域の
それぞれに、該ゲート信号線に供給される走査信号によ
ってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜
トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給される
映像信号が印加される画素電極とを備えているものであ
って、前記層間絶縁膜の下層に形成される一方の信号線
が、その表面が陽極酸化されたＡｌあるいはその合金か
ら構成されている液晶表示装置において、Ａｌあるいは
その合金から構成される前記信号線は、その信号線の平
坦な部分に形成される陽極酸化膜の厚さをａとし、該信
号線の角の部分に形成される陽極酸化膜の厚さをｂとし
た場合、ｂ／ａの関係が１．１以下となっていることを
特徴とするものである。

【００１３】このように構成された液晶表示装置は、層
間絶縁膜に被われる一方の信号線において、その角の部
分（稜線の部分）に陽極酸化膜が厚く形成されていない
ことから、前記層間絶縁膜を該一方の信号線をも被って
形成した場合、該絶縁膜の充分なカバレージを達成する
ことができるようになる。

【００１４】このため、該一方の信号線と前記層間絶縁
膜を介して形成される他方の信号線との間で充分な耐圧
がとれるようになり、また、該他方の信号線の断線を防
止することができるようになる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の一実施例について図面を用いて説明をする。

【００１６】まず、本発明によるアクティブ・マトリッ
クス液晶表示装置において、液晶を介して互いに対向配
置される透明ガラス基板のうち一方の透明ガラス基板１
の液晶側の面には、そのｘ方向に延在されかつｙ方向に
並設されるゲート信号線２と、これらゲート信号線２と
絶縁されｙ方向に延在されかつｘ方向に並設されるドレ
イン信号線７とがあり、これらゲート信号線２とドレイ
ン信号線７とで囲まれた矩形状の領域が画素領域として
形成されるようになっている。

【００１７】すなわち、これら各画素領域がマトリック
ス状に多数配置されることによって、それらの集合体が
表示部を構成するようになっている。

【００１８】そして、これら各画素領域には、その中央
部を除く周辺部の領域の一部に薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、および付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、また中央
部の領域のほとんどの部分には画素電極６が形成されて
いる。

【００１９】このように構成される各画素領域は、液晶
を介して他方の対向する透明ガラス基板の該液晶側に形
成された共通画素電極（各画素領域に共通な透明電極）
とで画素を構成するようになっている。

【００２０】すなわち、上述した各画素領域において、
その画素領域を画する一方のゲート信号線２に走査信号
が供給されることによって、対応する薄膜トランジスタ
ＴＦＴがオンし、このオンされた薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを介してドレイン信号線７から供給される映像信号が
画素電極６に供給され、前記共通画素電極との間に電界
を生じさせるようになっている。これによって該画素電
極と共通画素電極との間の液晶はその光透過特性が制御
されるようになっている。

【００２１】この場合、該画素領域を画する他方のゲー
ト信号線２と画素電極６との間には前記付加容量素子Ｃ
ａｄｄが形成されており、この付加容量素子Ｃａｄｄに
よって、前記一方のゲート信号線２への走査信号の供給
がなされなくなって薄膜トランジスタＴＦＴがオフして
も、前記画素電極６に印加された映像信号は前記共通画
素電極との間で比較的長く保持されるようになってい
る。

【００２２】次に、上述した各構成部材を詳細に説明す
る。

【００２３】ゲート信号線２ 図４は、透明ガラス基板１の液晶側に形成された各構成
部材の平面図を示すものであり、このうちゲート信号２
は図中ｘ方向に延在されて形成されている。

【００２４】該ゲート信号線２は、透明ガラス基板１の
表面に直接形成され、図中、その上側にある画素領域と
下側にある画素領域の間を走行しており、前記各画素領
域はそれぞれの全体のうちの約半分が図示されたものと
なっている。

【００２５】そして、このゲート信号線２は、その一部
において、図中上側にある画素領域内に形成される薄膜
トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ａを兼ねて形成され
るようになっている。

【００２６】このゲート信号線２は、たとえばスパッタ
リング方法によって、この実施例の場合特に、Ａｌある
いはその合金（たとえばＡｌ−Ｔｉ−Ｔａ）をたとえば
３００ｎｍの厚さにより形成し、その電気的抵抗の値を
小さくすることによって、いわゆる横スミアの発生を防
止できるようになっている。

【００２７】そして、ゲート信号線２は、その側面が、
同図のV−V線における断面図である図５からも明らかな
ように、透明基板１の側に末広がり状となるテーパ２Ｔ
が形成され、この結果、断面における形状が台形をなす
構成となっている。後の工程で形成されるドレイン信号
線７等のように該ゲート信号線２を乗り越えて形成され
る場合に、該ドレイン信号線７等が段切れを起して断線
してしまうのを極力防止せんがためである。

【００２８】また、後述する絶縁膜３を通して該ゲート
信号線２と交差させて形成するドレイン信号線７との間
に短絡の原因となるいわゆるヒロック（突起）の発生を
防止するために、該ゲート信号線２の表面（側面をも含
む）は陽極化成によってたとえば１７５ｎｍの膜厚のＡ
ｌ酸化膜２Ｏが形成されている。

【００２９】そして、この場合、図１（ｂ）に示すよう
に、このゲート信号線２において、その平坦な部分に形
成される陽極酸化膜２Ｏの厚さをａとし、該信号線２の
角の部分（稜線の部分）に形成される陽極酸化膜２Ｏの
厚さをｂとした場合、アスペクト比：ｂ／ａの関係が
１．１以下となっているように構成されている。なお、
図１（ａ）は、陽極化成を行う前のＡｌあるいはその合
金からなるゲート信号線２である。

【００３０】このように形成されたゲート信号線２は、
その角の部分（稜線の部分）において、特に陽極酸化膜
２Ｏが厚く形成されていないことから、後述する絶縁膜
３を該ゲート信号線２をも被って形成した場合、該絶縁
膜３の充分なカバレージを達成することができるように
なる。

【００３１】このようにして、Ａｌあるいはその合金か
らなるゲート信号線２の表面に形成する陽極酸化膜２Ｏ
の上述した膜厚の制御は、該ゲート信号線を、ｐＨが
７．０以上１０．０以下の陽極化成液を用いて陽極酸化
することよって行うことができる。

【００３２】具体的に示すと、まず、該陽極化成液とし
て、３％の酒石酸を含むエチレングリコール溶液をアン
モニア溶液によって調整し、そのｐＨを７．０以上１
０．０以下の範囲にする。

【００３３】そして、この陽極化成液に、ゲート信号線
２が形成された透明基板１を浸漬し、該ゲート信号線２
の両端に１２５Ｖの化成電圧を印加するとともに、該ゲ
ート信号線２に１６０ｍＡの化成電流を流し、この化成
電流が２ｍＡ以下になるまで陽極化成を続ける。

【００３４】図２は、陽極化成液のｐＨを上述した７．
０から１０．０に限らず、従来なされていたｐＨの範囲
をも含んで、それぞれｐＨを変化させて陽極化成した場
合に、それぞれゲート信号線２の平坦な部分に形成され
る陽極酸化膜の厚さ（ａ）と、角の部分（稜線の部分）
に形成される陽極酸化膜の厚さ（ｂ）とのアスペクト
比：ｂ／ａの関係を示したグラフである。

【００３５】陽極化成液のｐＨが７．０以下（酸性）の
場合、酸化物形成反応が促進され、特に化成電流が集中
し易い部分で化成膜の膜厚が厚くなる（アスペクト比の
増大）ことが判明する。

【００３６】一方、ｐＨが７．０（アルカリ性）の場
合、化成の進行とは別にＡｌの溶解も同時に発生し、ｐ
Ｈが高いほどこのＡｌの溶解速度は増加するようにな
る。この結果、形成されるゲート信号線２は、前記図１
（ｂ）に対応させた図で示すと、図３に示すようにな
る。

【００３７】そして、ｐＨが１０．０未満の弱アルカリ
の場合には、このＡｌの溶解速度も小さく、しかも化成
電流の集中する角の部分で僅かな溶解反応と化成反応と
が同時に起るため、その部分における化成膜が厚く形成
されることはなくなる。

【００３８】ちなみに、ｐＨを１０．０以上にした場
合、Ａｌの溶解速度が増大して陽極酸化膜に穴が形成さ
れる現象が見られ、該陽極酸化膜の形成のメリットが損
なわれることになる。

【００３９】したがって、このようなことから明らかな
ように、陽極化成液のｐＨが７．０以上１０．０以下に
した場合、ゲート信号線２の角の部分（稜線の部分）に
形成される陽極酸化膜２Ｏの厚さ（ｂ）はほぼ一定とな
り、しかも、その厚さは、該角の部分におけるヒロック
の防止を充分にし、しかも、その後に形成される絶縁膜
のカバレージを良好なものとすることができる。

【００４０】また、上述したように、ゲート信号線２
を、その側面に透明基板側１に末広がり状となるテーパ
を形成し、断面の形状が台形をなすような構成とし、該
テーパの透明基板１に対する角度を特に３０°以下にす
ることによって、その表面に形成される陽極酸化膜は、
その本来の機能を充分に果たすとともに、該ゲート信号
線２を被って形成する絶縁膜３のカバレージの信頼性も
極めて良好になることが判明した。

【００４１】絶縁膜３ このようにゲート信号線２が形成された透明ガラス基板
１の表面には、たとえばＣＶＤ方法によって形成された
シリコン窒化膜からなる絶縁膜３が形成されている。

【００４２】この絶縁膜３は、透明ガラス基板１の表面
の一部の領域にのみ形成されており、薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域、ゲート信号線２に対するドレイン信
号線７との交差領域、および付加容量素子Ｃａｄｄの一
方の電極６Ｂと画素電極６との接続部における領域に形
成されている。

【００４３】この場合、薄膜トランジスタＴＦＴの形成
領域とドレイン信号線７との交差領域とは、互いに近接
されているため、それの領域に形成されている絶縁膜３
は互いに一体となって形成されている。

【００４４】なお、このような構造において、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴの形成領域における絶縁膜３はゲート信
号線２の表面に形成された陽極酸化膜２Ｏとともにゲー
ト絶縁膜が構成され、また、ゲート信号線２のドレイン
信号線７に対する交差領域における絶縁膜３はゲート信
号線２の表面に形成された陽極酸化膜２Ｏとともに層間
絶縁膜が構成されるようになっている。

【００４５】この場合、先に説明したように、この絶縁
膜３によって被われるゲート信号線２は、その表面に形
成される陽極酸化膜２Ｏが、特に角の部分（稜線の部
分）において厚く形成されていないために、該ゲート信
号線２に対して充分なカバレージができるようになり、
ゲート信号線２とドレイン信号線７との間で充分な耐圧
がとれ、また、ドレイン信号線７の断線を防止すること
ができるようになる。

【００４６】薄膜トランジスタＴＦＴ 前記絶縁膜３の上面には、該絶縁膜３と同一のパターン
からなる半導体層４が重畳されて形成されている。

【００４７】この半導体層４は不純物を故意にドープし
ていないいわゆるｉ型半導体層からなっている。

【００４８】そして、この半導体層４の表面にはドレイ
ン電極７Ａとソース電極６Ａとが互いに離間されて形成
され、このドレイン電極７Ａとソース電極６Ａは、その
形成領域における該半導体層４の表面にたとえば高濃度
のｎ型不純物をドープしたコンタクト層が介在されて形
成されている。

【００４９】ここで、このように絶縁膜３、半導体層４
（ｉ型半導体層、コンタクト層）からなる同一パターン
の積層体５は、その製造において、１回のフォトマスク
工程を経て形成されるようになっている。

【００５０】なお、ｉ型半導体層の表面において、ドレ
イン電極７Ａおよびソース電極６Ａとの界面のみにコン
タクト層が形成される構造は、たとえば、前記ｉ型半導
体層の表面にｎ型不純物をドープした層を形成し、さら
に、ドレイン電極７Ａとソース電極６Ａとを形成した
後、このドレイン電極７Ａとソース電極６Ａとをマスク
にしてｎ型不純物をドープした層をエッチングすること
によって上記構成を得ることができる。

【００５１】このように構成された薄膜トランジスタＴ
ＦＴは、ゲート信号線２から走査信号がゲート電極に供
給されると、ゲート絶縁膜を介してｉ型半導体層にチャ
ネル層が形成され、このチャネル層を介してドレイン電
極７Ａおよびソース電極８Ａとの間が導通するようにな
る、いわゆるＭＩＳ型トランジスタとなっている。

【００５２】なお、ＭＩＳ型トランジスタのドレイン電
極７Ａおよびソース電極６Ａの称呼は、本来その間のバ
イアス極性によって決定されるもので、この液晶表示装
置の回路ではその極性が動作中反転するようになり、そ
の称呼は動作中入れ替わるものとなる。しかし、この実
施例では、説明の便宜上画素電極６と接続される側をソ
ース電極６Ａと固定して表現している。

【００５３】そして、該ドレイン電極７Ａは、後述で明
らかになるようにドレイン信号線７と一体に形成される
ように構成され、また、ソース電極８Ａにおいても該ド
レイン電極７Ａと同一の材料で形成され、かつ同一の工
程で形成されるようになっている。

【００５４】画素電極５ 透明基板１の上面であってゲート信号線２と後に詳述す
るドレイン信号線７とで囲まれる領域には、その周辺部
を除く中央の大部分にたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）からなる画素電極５が形成されている。

【００５５】そして、この画素電極５は、それに対応す
る薄膜トランジスタＴＦＴをオンするゲート信号線２と
隣接する他のゲート信号線２との間で後述の付加容量素
子Ｃａｄｄの一方の電極を形成するように、該他のゲー
ト信号線２の一部に重畳される延在部を備えている。

【００５６】この延在部は、図４において、ゲート信号
線２の下側の画素領域における画素電極５の一部が該ゲ
ート信号線２上に至るまで形成されていることによつて
示されている。

【００５７】ドレイン信号線７ ドレイン信号線７は前記層間絶縁膜を介してゲート信号
線２と交差するように形成され、図４においては画素領
域の左側をｙ方向に走行して示されている。そして、ド
レイン信号線７の一部は、図中右側にある画素領域内に
形成される薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極７Ａ
を兼ねて形成され、該一部はドレイン信号線７を図中右
側に若干延在させた部分として形成されている。

【００５８】そして、このドレイン信号線７は、この実
施例では特に、積層構造の信号線として形成され、その
絶縁膜側の下層においては、たとえばＣｒあるいはそれ
を主成分とする合金で構成され、その上層においては、
たとえばＡｌ−Ｓｉ、あるいはＡｌ−Ｔｉ−Ｔａ等のＡ
ｌ合金から構成されている。

【００５９】このような積層構造からなるドレイン信号
線７は、その下層および上層は全く同一のパターンから
なるものであり、したがって、同一のフォトマスク工程
で連続してエッチングすることで形成することができ
る。

【００６０】薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ａ
は、上述したように、このドレイン信号線７（ドレイン
電極７Ａ）と同一の工程で形成されることから、ドレイ
ン信号線７と同一の材料からなる積層構造として形成さ
れている。

【００６１】そして、このソース電極６Ａは、その形成
時に画素電極６と接続が図れるように、予め形成されて
いる該画素電極６の一部に重畳されるパターンを備えて
いる。

【００６２】付加容量素子Ｃａｄｄ ゲート信号線２の画素電極６との重畳領域において一方
の電極を形成し、また、画素電極６のゲート信号線２と
の重畳領域において他方の電極を形成し、これら各電極
の間に介在するゲート信号線２の表面に形成されたＡｌ
酸化膜２Ｏが誘電体膜としての機能を有するようになっ
ている。

【００６３】この付加容量素子Ｃａｄｄにおいては、一
体で形成する前記絶縁膜３と半導体層４との積層体５を
誘電体膜として用いていないのは、該半導体層３への光
照射によって容量が変化してしまうのを回避せんがため
である。

【００６４】この場合、付加容量素子Ｃａｄｄの画素電
極６と一体に形成される他方の電極の該画素電極６との
接続部には、その接続部を横切るようにして、絶縁膜３
と半導体層４との積層体５が形成され、また、この積層
体５と交差するようにして、すなわち、画素電極６側か
ら該他方の電極側へ延在する導電層８が形成されてい
る。

【００６５】この導電層８は、前記ドレイン信号線７と
同材料の導電層８から構成され、該ドレイン信号線７の
形成時に同時に形成されるようになっている。

【００６６】保護膜９ 前記画素電極６の周辺部を除く中央部を除いて、透明基
板１の表面にはたとえばシリコン窒化膜からなる保護膜
９が形成されている。

【００６７】この保護膜９は、液晶の前記薄膜トランジ
スタＴＦＴへの直接の接触を回避させるため、あるいは
ゲート信号線２およびドレイン信号線７の構成材料によ
って液晶が汚染されるのを回避するためのものである。

【００６８】このように構成した液晶表示装置は、層間
絶縁膜に被われるゲート信号線２において、その角の部
分（稜線の部分）に陽極酸化膜が厚く形成されていない
ことから、前記層間絶縁膜を該ゲート信号線２をも被っ
て形成した場合、該絶縁膜の充分なカバレージを達成す
ることができるようになる。

【００６９】このため、該ゲート信号線２と前記層間絶
縁膜上に形成されるドレイン信号線７との間で充分な耐
圧がとれるようになり、また、ドレイン信号線７の断線
を防止することができるようになる。

【００７０】上述した実施例では、絶縁膜３のパター
ン、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ａの画素電
極６への接続、あるいは付加容量Ｃａｄｄの画素電極と
接続される他方の電極等の構成において、上述のような
構成としたものであるが、このような構成に限定されな
いことはいうまでもない。要は、層間絶縁膜の下層にゲ
ート信号線２が位置づけられ、かつ、このゲート信号線
２の材料がＡｌまたはその合金で形成されておれば適用
できるものである。

【００７１】また、上述した実施例では、層間絶縁膜の
下層に形成されるゲート信号線２において改良を施した
構成を説明したものであるが、ゲート信号線２に限定さ
れることはなく、該層間絶縁膜の下層に形成したドレイ
ン信号線であって、このドレイン信号線をＡｌあるいは
その合金で形成した構成のものにあっても適用できるこ
とはいうまでもない。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置およびその製造方法によれ
ば、表面が陽極酸化されたゲート信号線に対する絶縁膜
のカバレージを向上させることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の要部の一実施例を
示す説明図である。

【図２】本発明による液晶表示装置の製造方法の要部の
一実施例を示す説明図である。

【図３】従来の液晶表示装置の要部の一例を示す説明図
である。

【図４】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平
面図である。

【図５】図４のV−V線における断面図である。

【符号の説明】

２……ゲート信号線、２Ｔ……テーパ部、２Ｏ……陽極
酸化膜、３……絶縁膜。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち、その一方の液晶側の面に、ｘ方向に延在し
   かつｙ方向に並設されるゲート信号線と、これらゲート
   信号線に層間絶縁膜を介してｙ方向に延在しかつｘ方向
   に並設されるドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれる画素
   領域のそれぞれに、該ゲート信号線に供給される走査信
   号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされ
   た薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給
   される映像信号が印加される画素電極とを備えているも
   のであって、 前記層間絶縁膜の下層に形成される一方の信号線が、そ
   の表面が陽極酸化されたＡｌあるいはその合金から構成
   されている液晶表示装置において、 Ａｌあるいはその合金から構成される前記信号線は、そ
   の信号線の平坦な部分に形成される陽極酸化膜の厚さを
   ａとし、該信号線の角の部分に形成される陽極酸化膜の
   厚さをｂとした場合、ｂ／ａの関係が１．１以下となっ
   ていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 表面に陽極化成された前記信号線は、そ
   の側面が透明基板側に末広がりとなるテーパが形成され
   た断面が台形の形状をなすとともに、該テーパの透明基
   板に対する角度が３０°以下となっていることを特徴と
   する請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち、その一方の液晶側の面に、ｘ方向に延在し
   かつｙ方向に並設されるゲート信号線と、これらゲート
   信号線に層間絶縁膜を介してｙ方向に延在しかつｘ方向
   に並設されるドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれる画素
   領域のそれぞれに、該ゲート信号線に供給される走査信
   号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされ
   た薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給
   される映像信号が印加される画素電極とを備えているも
   のであって、 前記層間絶縁膜の下層に形成される一方の信号線が、そ
   の表面が陽極酸化されたＡｌあるいはその合金から構成
   されている液晶表示装置の製造方法において、 前記Ａｌあるいはその合金からなる信号線を、ｐＨが
   ７．０以上１０．０以下の陽極化成液を用いて陽極酸化
   することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 陽極化成される信号線は、その側面が透
   明基板側に末広がりとなるテーパが形成された断面が台
   形の形状をなすとともに、該テーパの透明基板に対する
   角度が３０°以下となっていることを特徴とする請求項
   ３記載の液晶表示装置の製造方法。