JP3086579B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
方法に関するものである。
は多結晶シリコンをチャンネル層とするものが一般的で
ある。特に低温プロセス(一般に600℃以下)のみで製
作される多結晶薄膜トランジスタは、低価格化、大面積
化と同時に、電子あるいは正孔が大きな電界移動度をも
つため、液晶表示素子に用いた場合、画素用トランジス
タだけでなくドライバの一体化が達成できる特徴があ
り、各所で開発されている。しかし、多結晶薄膜トラン
ジスタはオフ電流(リーク電流)が大きくなり易く、画
素用トランジスタとして安易に使用できない状況であ
る。
得るための技術の1つにLDD(LightlyDoped Drain)構造
がよく知られている。この構造は、例えば、図3に示す
ように、基板1上に多結晶Si層2を形成し、さらに絶
縁層3を形成し、ゲート電極4を形成し(図3
(1))、この状態で例えばn-となるようイオン注入
し、次いで、酸化シリコンのサイドウォール用絶縁膜7
を形成し(図3(2))、さらに、該絶縁膜7を異方性
エッチバックしてサイドウォール7−1を形成し、この
後にソース、ドレインとなるn+領域形成のためイオン注
入を行うことによって作製される。
法では、セルフアラインでオフセットが形成できる特徴
はあるが、サイドウォール用絶縁膜7の異方性エッチバ
ックの工程において、ゲート絶縁膜だけを精度良く残す
ことが困難である。特に、ゲート絶縁膜とサイドウォー
ル用絶縁膜は通常酸化シリコンが用いられるため、ドラ
イエッチングでは例え膜質を変えてもエッチングレート
はほとんど同じであり、極めて困難である。このため、
例えば、大面積の液晶表示装置に適用するのは実用的で
ない、また、イオン注入工程が2度必要となりコストの
上昇となる。本発明は上記問題点を解決することのでき
る薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的と
する。
タの製造方法は、2層構造の電極をエッチングしてゲー
ト電極を形成し、さらに該電極のうちの上層のみを別に
エッチングすることで上層の幅を下層の幅よりも小さな
構成とし、この後、該ゲート電極をマスクとしてソース
またはドレインとなる領域へイオンを注入することを特
徴とする。また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法
は、2層構造のゲート電極を形成し、該電極のうちの上
層のみを陽極酸化して該陽極酸化膜を除去することで上
層の幅を下層の幅よりも小さな構成とし、この後、該ゲ
ート電極をマスクとしてソースまたはドレインとなる領
域へイオンを注入することを特徴とする。
れば、ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行うこと
により、ゲート電極の厚さが異なることによる場所によ
るイオンの侵入深さの違いを利用して一回の注入でLD
D構造の形成が可能となる。さらに、同じ厚さが一層で
形成されているのに比べ、幅の異なる2層で形成されて
いるのでゲート電極のエッジが急峻でなくなり、ゲート
電極上に形成する層間絶縁膜、ソースバスラインの下地
に対する被覆性等が向上し、ソースバスラインすなわち
配線の断線が防止される。さらにゲートオーバーラップ
構造をLDD構造形成と同時に作製することも可能であ
る。
の電極がマスクとなるので、イオン注入時の加速電圧、
イオン注入量を適宜選択すれば、イオン注入時には、ゲ
ート電極のない領域はn+(あるいはp+)、ゲート電極が1層
のみの領域はn-(あるいはp-)、ゲート電極が2層ともある
領域はイントゥリシック(イオン注入されていない状態)
の領域が同時に形成される。すなわち一度のイオン注入
で3種類の注入量がセルフアライン(位置合わせを伴うフ
ォト工程無しの工程)で出来る。 また、過剰なエッチングを行う方法は、2層のエッチン
グレイトを変える事いわゆる選択比を変えることは既知
の技術で容易に出来、オバーエッチングしない層をレジ
ストの寸法通り残すことができ、比較的容易に製造でき
る。 また、陽極酸化による方法は、制御性が良い。特に、中
性電解液を用いた陽極酸化方法を用いれば、印加電圧
(あるいは電流密度)と酸化時間を制御すれば、再現性、
制御性よく、大きさが変化する。
まず、ガラス基板1上にシラン、あるいはジシランをシ
リコンソースとしたLPCVD(Low Pressure Chemical Vapo
ur Deposition)法により非晶質シリコンを500-2000Åの
ぞましくは1000Åの厚さに形成し、600℃中でSP
C(Solid Phase Crystalization)することにより、多結
晶シリコン膜2を得る。次いで、フォトリソ、エッチン
グ工程により、所定のパターンに多結晶シリコン膜2を
加工した後、ゲート絶縁膜3として酸化シリコンをスパ
ッタ法、PCVD(Plasma assisted Chemical Vapour Depos
ition)法あるいはAPCVD(Atmosphric Pressure Chemical
Vapour Deposition)法により形成する。さらに、ゲー
ト電極4となる第1層4−1としてチタンあるいは窒化
チタン、第2層4−2としてアルミニウム、アルミニウム
合金(たとえばアルミニウムにシリコン、銅、スカンジウ
ム、タンタル、チタン、ハフニウムの1種類あるいは2種類
以上を添加した合金)膜の2層をDCスパッタ法により、
第1層と第2層の合計膜厚として1000Å-20000Åの厚さに
形成する。このように、2層構造は異なる材料で形成す
るのが後のエッチングにとって好ましい。次いで、ポジ
フォトレジストを1000Å-100000Å望ましくは10000Åの
厚さに、スピン法あるいはロールコータ法により塗布、プ
リベークし、所定のフォトマスクにより露光、現像、ポス
トベークを行い、ウエットあるいはドライエッチングに
よりパターン5を形成する。この後、塩素を含むガスを
用いたRIE(Reactive Ion Etching)により、異方性の高
いエッチングでパターン5通りの加工を行う。(図1
(a)) このエッチングの後、第2層4−2のみをサイドエッチ
ングによりフォトレジストに対し後退させる。これはア
ルミニウム膜を用いる場合には、リン酸によりウエット
エッチングする。このサイドエッチングによる寸法制御
はエッチングレイトとエッチング時間だけに拠る。(図
1(b)) この後、フォトレジストを剥離し、燐をイオン注入す
る。 一度のイオン注入により、ゲート電極4のない領域
はn+,ゲート電極4−1の1層のみある領域はn-、ゲ-ト
電極4ー2の直下の領域はドーピングされない所とな
る。 n+部には1015cm-2、n-部には1013cm-2オーダーの注
入を行うのが好ましい。 n+となる領域はゲ-ト絶縁膜3
のみが、n-となる領域はゲート絶縁膜3とゲート電極4
−1の1層が、チャンネルとなる領域はゲート電極(第2層
4−2)がイオン注入マスクとなる。イオン注入の加速電
圧、第1層のゲート電極の厚さおよびゲート絶縁膜の厚さ
は適時選択する必要があり、例えば90kVの注入エネルギ
ーの場合第1層のゲート電極の厚さを200ないし2000Å、
ゲート絶縁膜は1000Åとする。 チャンネル層となるゲー
ト電極の直下にイオンが注入されないように2層構造が
残っているゲート電極の厚さは例えば3000ないし10000
Åとする。なお、イオン注入前にゲート電極がない領域の
ゲート絶縁膜を一部、あるいはすべて除去すれば、n+とな
る領域はほとんど半導体がむきだし、n-となる領域はゲ
ート絶縁膜とゲート電極の1層が、チャンネルとなる領域
はゲート絶縁膜とゲート電極(2層)がイオン注入マスク
となる。したがってイオン注入の加速電圧をたとえば、10
kVのように下げることができる。(図1(c)) この後、層間絶縁膜8形成、コンタクトホール形成、ソー
スあるいはドレインとの配線9を形成する。(図1
(d))本薄膜トランジスタでは、ゲート電極のエッジ
は第1層の下層膜がテラス状になっているため急峻でな
く、層間絶縁膜8、さらにはこの上にソースまたはドレ
イン配線膜が形成された場合もゲ-ト電極に対する被覆
性が改善され、配線の断線等の不良防止となる。 実施例2 以下図2を参照しながら第2の実施例を説明する。ガラ
ス基板1上に多結晶シリコン膜2を形成し、ゲート絶縁
膜3を形成しするのは実施例1と同じである。ゲート電
極4となる第1層4−1として窒化チタン、第2層4−2
としてアルミニウムまたはアルミニウム合金(たとえば
アルミニウムにシリコン、銅、スカンジウム、タンタル、チ
タン、ハフニウムの1種類あるいは2種類以上を添加した
合金)を用い、それぞれDCスパッタ法により1000Å-20
000Åの厚さに形成する。ポジフォトレジストを1000Å-
100000Å望ましくは10000Åの厚さに、スピン法あるいは
ロールコータ法により塗布、プリベークし、所定のフォト
マスクにより露光、現像、ポストベークを行い、ウエット
あるいはドライエッチングによりパターン5を形成す
る。 次いで、パターン5通りにゲート電極4の加工を行
う。(図2(a)) 次に第2層4−2のみを陽極酸化法により一部分酸化さ
せる。アルミニウムの場合、この方法は酒石酸アンモニ
ウムの電解液に基板と対向電極を浸し、基板上のゲート
電極と対抗電極の間に電圧を印加することにより行い、
電圧に依存した陽極酸化膜6が再現性よく形成出来る。
別の方法としては、硫酸もしくはシュウ酸を電解液とし
てもちいる。電極間に3ないし20Vの電圧を加え、電圧印
加時間により酸化膜厚を制御する。ここでは第1層の窒化
チタンは陽極酸化されない。すなわちゲート電極の第1層
と第2層は陽極酸化されない膜と陽極酸化される膜の組
み合わである必要がある。(図2(b)) このように陽極酸化工程を経た後、陽極酸化膜6のみ除
去する。 尚、陽極酸化膜6はあらかじめ1000ないし2000
0Å形成しておくがすべて除去する必要はない。例えば10
0Å程度残っていても問題はない。(図2(c)) この後、イオン注入技術により、例えば燐をドーピングす
る。 ゲート電極のない領域はn+,第1層のゲート電極のみ
ある領域はn-、ゲ-ト電極(第1層第2層ともにある領域)の
直下の領域はドーピングされない所となる。ただし、n-と
するためのイオン注入マスクとなる1層のゲート電極の
厚さおよびゲート絶縁膜の厚さは適時選択する必要があ
る。例えば90kVの注入エネルギーの場合1層のゲート電
極の厚さを200ないし2000Å、ゲート絶縁膜は1000Åとす
る。 チャンネル層となるゲート電極の直下にイオンが注
入されないように2層構造が残っているゲート電極の厚
さは例えば3000ないし10000Åとする。この工程は実施例
1と同じであり、この後の素子化工程も実施例1と同じ
である。
線抵抗を下げることの可能な(ゲートバスラインを含む)
電気比抵抗の低いアルミニウムあるいはアルミニウム合
金を含むメタル層を用いる事は有用である。しかし、上
記イオン注入後は、一般に例えば600℃での熱処理工程
からなる活性化が必要である。イオン注入によりドーピ
ングしても一般には不純物は活性化しない。すなわち低
抵抗化しない。そのため例えば600℃での熱処理を行う。
この際、耐熱性の良いポリシリコンなどをゲート電極と
している場合は全く問題とならないが、上記アルミニウ
ム等を用いた場合、高温での熱処理では熔融してしまう。
一方、熔融しない温度での熱処理では活性化が十分出来
ない。そこで、以下に述べるイオン注入方法では活性化
工程が不要でありアルミニウム等を用いた場合好まし
い。
などのガス放電により生成した燐あるいはボロンを含む
イオンを所定の電圧で加速し基板に注入する方法であ
り、同時に水素を注入する(特許出願番号平成4-30
7350に記載されている。)。 この方法は、質量分離を行わないため、大面積に均一に
注入できる利点がり、注入後の活性化を必要としない。 尚、2層構造のゲート電極に限って説明したが3層以上の
構造も同様な思想、手法の基に行えば本発明と同じであ
る。 また多結晶シリコンを半導体とした実施例を示した
が、単結晶シリコン、カドニウムセレナイド、シリコンゲ
ルマニウム合金など単結晶、多結晶、非晶質と構造、ある
いは材料を問わない。
タによれば、被覆性等が向上するので信頼性の高いトラ
ンジスタが得られん、かつ、簡単にLDD構造が得られ
るので安価なトランジスタを提供できる。また、本発明
の製造方法によれば、イオン注入工程が減り、コストを
下げることができる。さらに、陽極酸化を用いれば、精
度良くLDD構造ができる。さらには、低いイオン注入
量である領域すなわちLightly Dopedの領域の直上にゲ
ート電極がある構造すなわちゲートオーバーラップ構造
ともなり、信頼性の高いトランジスタが再現性よくしか
も容易に実現できる。
示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 2層構造の電極をエッチングしてゲート
電極を形成し、さらに該電極のうちの上層のみを別にエ
ッチングすることで上層の幅を下層の幅よりも小さな構
成とし、この後、該ゲート電極をマスクとしてソースま
たはドレインとなる領域へイオンを注入することを特徴
とするLDD構造の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項2】 2層構造のゲート電極を形成し、該電極
のうちの上層のみを陽極酸化して該陽極酸化膜を除去す
ることで上層の幅を下層の幅よりも小さな構成とし、こ
の後、該ゲート電極をマスクとしてソースまたはドレイ
ンとなる領域へイオンを注入することを特徴とするLD
D構造の薄膜トランジスタの製造方法。
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- 1993-12-28 JP JP05335344A patent/JP3086579B2/ja not_active Expired - Fee Related
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