JP2000009847A - シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents

シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法

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JP2000009847A JP10175840A JP17584098A JP2000009847A JP 2000009847 A JP2000009847 A JP 2000009847A JP 10175840 A JP10175840 A JP 10175840A JP 17584098 A JP17584098 A JP 17584098A JP 2000009847 A JP2000009847 A JP 2000009847A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シンチレータの耐湿性を向上させると共に解
像度を向上させることである。 【解決手段】 シンチレータパネル２のＦＯＰ１０の一
方の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状
結晶構造のシンチレータ１２が形成されている。ＦＯＰ
１０に形成された柱状結晶構造のシンチレータ１２の表
面は、油溶性染料であるＯｉｌ Ｒｅｄ Ｂにより染色さ
れ、この染色されたシンチレータ１２の表面には、第１
のポリパラキシリレン膜１４が設けられており、更に、
この第１のポリパラキシリレン膜１４の表面に耐湿性の
向上を目的とするＡｌ膜１６が形成され、更にＡｌ膜１
６の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレン
膜１８が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージ
センサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光
フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存
性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージング
システムが普及してきている。このような放射線イメー
ジングシステムにおいては、放射線検出素子により２次
元の放射線による画素データを電気信号として取得し、
この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示して
いる。
【０００３】従来、放射線検出素子を構成するシンチレ
ータパネルとして、特公平５−３９５５８号公報に開示
されているシンチレータパネルが知られている。このシ
ンチレータパネルは、ＦＯＰ上に典型的なシンチレータ
材料であるＣｓＩからなる柱状構造のシンチレータを形
成している。この柱状構造を有するシンチレータにおい
ては、柱状構造を有するシンチレータの１本１本がライ
トガイドとしての役目をにない、放射線によって発生し
た光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く
押さえられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のシン
チレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチ
レータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充
填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレー
タを覆うことによりシンチレータを湿気から保護してい
る。
【０００５】しかしながら、柱状構造のシンチレータの
隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シン
チレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率の差が
減少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとし
ての効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特
許２５７１７７１号公報には、シンチレータの隙間をシ
ンチレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示さ
れており、また、特開平９−６１５３４号公報及び特開
平９−６１５３６号公報には、シンチレータの隙間を黒
色物質で被覆する技術が開示されている。
【０００６】この発明の課題は、シンチレータの耐湿性
を向上させると共に解像度を向上させたシンチレータパ
ネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法を提供す
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のシンチレ
ータパネルは、基板上に形成された潮解性を有する柱状
構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの
少なくとも一部を被覆する有機膜とを備えるシンチレー
タパネルにおいて、前記シンチレータは、表面を染料で
染色したシンチレータであることを特徴とする。
【０００８】この請求項１記載のシンチレータパネルに
よれば、シンチレータの表面が染料で染色されているた
め、蛍光のクロストーク成分がシンチレータの表面の染
色された部分において吸収され、蛍光のクロストーク成
分が減少することによりシンチレータパネルの解像度を
向上させることができる。また、シンチレータの表面を
有機膜で覆っているためシンチレータの耐湿性も維持す
ることができる。
【０００９】また、請求項２記載のシンチレータパネル
は、請求項１記載のシンチレータパネルの前記染料が油
溶性染料又は分散性染料であることを特徴とする。
【００１０】また、請求項３記載の放射線イメージセン
サは、前記請求項１又は請求項２記載のシンチレータパ
ネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする。
【００１１】また、請求項４記載の放射線イメージセン
サは、請求項３記載の放射線イメージセンサの前記基板
は透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記
シンチレータが形成されていない側に配置したことを特
徴とする。
【００１２】また、請求項５記載の放射線イメージセン
サは、請求項３記載の放射線イメージセンサの前記基板
は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板
に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置し
たことを特徴とする。
【００１３】また、請求項６放射線イメージセンサは、
撮像素子の受光面上に形成された潮解性を有する柱状構
造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少
なくとも一部を被覆する有機膜とを備える放射線イメー
ジセンサにおいて、前記シンチレータは、表面を染料で
染色したシンチレータであることを特徴とする。
【００１４】この請求項６記載の放射線イメージセンサ
によれば、シンチレータの表面が染料で染色されている
ため、蛍光のクロストーク成分がシンチレータの表面の
染色された部分において吸収され、蛍光のクロストーク
成分が減少することにより放射線イメージセンサの解像
度を向上させることができる。また、シンチレータの表
面を有機膜で覆っているためシンチレータの耐湿性も維
持することができる。
【００１５】また、請求項７放射線イメージセンサは、
請求項６記載の放射線イメージセンサの前記染料が油溶
性染料又は分散性染料であることを特徴とする。
【００１６】また、請求項８記載のシンチレータパネル
の製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータ形成す
る第１の工程と、前記柱状構造のシンチレータの表面を
染料で染色する第２の工程と、前記シンチレータの表面
の少なくとも一部を有機膜で被覆する第３の工程とを備
えることを特徴とする。
【００１７】この請求項８記載のシンチレータパネルの
製造方法によれば、シンチレータの表面が染料で染色さ
れているため、蛍光のクロストーク成分がシンチレータ
の表面の染色された部分において吸収され蛍光のクロス
トーク成分が減少するため、解像度を向上させたシンチ
レータパネルを製造することができる。
【００１８】また、請求項９記載のシンチレータパネル
の製造方法は、請求項８記載のシンチレータパネルの製
造方法の前記染料が油溶性染料又は分散性染料であるこ
とを特徴とする。
【００１９】また、請求項１０放射線イメージセンサの
製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレ
ータを形成する第１の工程と、前記柱状構造のシンチレ
ータの表面を染料で染色する第２工程と、前記シンチレ
ータの表面の少なくとも一部を有機膜で被覆する第３の
工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】この請求項１０記載の放射線イメージセン
サの製造方法によれば、シンチレータの表面が染料で染
色されているため、蛍光のクロストーク成分がシンチレ
ータの表面の染色された部分において吸収され蛍光のク
ロストーク成分が減少するため、解像度を向上させた放
射線イメージセンサを製造することができる。
【００２１】また、請求項１１放射線イメージセンサの
製造方法は、請求項１０記載の放射線イメージセンサの
製造方法の前記染料が油溶性染料又は分散性染料である
ことを特徴とする。
【００２２】また、請求項１２記載のシンチレータパネ
ルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
る第１の有機膜と、この第１の有機膜を被覆する第２の
有機膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、前記第
１の有機膜は、表面を染料で染色した有機膜であること
を特徴とする。
【００２３】この請求項１２記載のシンチレータパネル
によれば、第１の有機膜の表面が染料で染色されている
ため、蛍光のクロストーク成分が第１の有機膜の表面の
染色された部分において吸収され、蛍光のクロストーク
成分が減少することによりシンチレータパネルの解像度
を向上させることができる。また、第１の有機膜の表面
を第２の有機膜で覆っているためシンチレータの耐湿性
も維持することができる。
【００２４】また、請求項１３シンチレータパネルは、
請求項１２記載のシンチレータパネルの前記染料が油溶
性染料又は分散性染料であることを特徴とする。
【００２５】また、請求項１４記載の放射線イメージセ
ンサは、前記請求項１２は請求項１３記載のシンチレー
タパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする。
【００２６】また、請求項１５記載の放射線イメージセ
ンサは、請求項１４記載の放射線イメージセンサの前記
基板は透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の
前記シンチレータが形成されていない側に配置したこと
を特徴とする。
【００２７】また、請求項１６記載の放射線イメージセ
ンサは、請求項１４記載の放射線イメージセンサの前記
基板は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記
基板に形成されている前記シンチレータの先端部側に配
置したことを特徴とする。
【００２８】また、請求項１７記載の放射線イメージセ
ンサは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシ
ンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくと
も一部を被覆する第１の有機膜と、この第１の有機膜を
被覆する第２の有機膜とを備える放射線イメージセンサ
において、前記第１の有機膜は、表面を染料で染色した
シンチレータであることを特徴とする。
【００２９】この請求項１７記載の放射線イメージセン
サによれば、第１の有機膜の表面が染料で染色されてい
るため、蛍光のクロストーク成分が第１の有機膜の表面
の染色された部分において吸収され、蛍光のクロストー
ク成分が減少することにより放射線イメージセンサの解
像度を向上させることができる。また、第１の有機膜の
表面を第２の有機膜で覆っているためシンチレータの耐
湿性も維持することができる。
【００３０】また、請求項１８記載の放射線イメージセ
ンサは、請求項１７記載の放射線イメージセンサの前記
染料が油溶性染料又は分散性染料であることを特徴とす
る。
【００３１】また、請求項１９記載のシンチレータパネ
ルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第１の工程と、前記シンチレータの表面の少なくと
も一部を第１の有機膜で被覆する第２の工程と、前記第
１の有機膜の表面を染料で染色する第３の工程と、前記
第１の有機膜の表面を有機膜で被覆する第４の工程とを
備えることを特徴とする。
【００３２】この請求項１９記載のシンチレータパネル
の製造方法によれば、第１の有機膜の表面が染料で染色
されているため、蛍光のクロストーク成分が第１の有機
膜の表面の染色された部分において吸収され蛍光のクロ
ストーク成分が減少するため、解像度を向上させたシン
チレータパネルを製造することができる。
【００３３】また、請求項２０記載のシンチレータパネ
ルの製造方法は、請求項１９記載のシンチレータパネル
の製造方法の前記染料が油溶性染料又は分散性染料であ
ることを特徴とする。
【００３４】また、請求項２１記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシ
ンチレータを形成する第１の工程と、前記シンチレータ
の表面の少なくとも一部を第１の有機膜で被覆する第２
の工程と、前記第１の有機膜の表面を染料で染色する第
３工程と、前記第１の有機膜の表面を有機膜で被覆する
第４の工程とを備えることを特徴とする。
【００３５】この請求項２１記載の放射線イメージセン
サの製造方法によれば、第１の有機膜の表面が染料で染
色されているため、蛍光のクロストーク成分が第１の有
機膜の表面の染色された部分において吸収され蛍光のク
ロストーク成分が減少するため、解像度を向上させた放
射線イメージセンサを製造することができる。
【００３６】また、請求項２２記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法は、請求項２１記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法の前記染料が油溶性染料又は分散性染料
であることを特徴とする。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して、こ
の発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１は実施の
形態にかかるシンチレータパネル１の断面図である。図
１に示すように、シンチレータパネル１のファイバオプ
ティカルプレート（以下、ＦＯＰという。）１０の一方
の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結
晶構造のシンチレータ１２が形成されている。このシン
チレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられてい
る。
【００３８】このＦＯＰ１０に形成された柱状結晶構造
のシンチレータ１２の表面は、油溶性染料であるＯｉｌ
Ｒｅｄ Ｂ（Ｃ．Ｉ．Ｎａｍｅ：Ｒｅｄ ２４）により
染色されている。また、シンチレータ１２の表面には、
第１のポリパラキシリレン膜１４が設けられており、更
に、この第１のポリパラキシリレン膜１４の表面に耐湿
性の向上を目的とするＡｌ膜１６が形成され、更にＡｌ
膜１６上にこのＡ１膜１６の剥がれを防止するための第
２のポリパラキシリレン膜１８が形成されている。この
シンチレータパネル１は、ＦＯＰ１０を介して図示しな
い撮像素子（ＣＣＤ）等と結合することにより放射線イ
メージセンサとして用いられる。
【００３９】次に、図２及び図３を参照して、シンチレ
ータパネル１の製造工程について説明する。まず、ＦＯ
Ｐ１０の一方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状
結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１２を１
０μｍの柱径、３００μｍの厚さで形成する（図２
（ａ）参照）。
【００４０】次に、ＣSＩは潮解性であるので水を用い
ない油溶性染料により表面を染色する（図２（ｂ）参
照）。
【００４１】即ち、シンチレータ１２の発色光の補色と
なる染料であるアゾ系染料であるＯｉｌ Ｒｅｄ Ｂをｎ
−ヘキサン等の疎水性溶剤に１ｗｔ％溶かし、シンチレ
ータ１２を形成したＦＯＰ１０を１分間浸した後エアナ
イフで乾燥させる。
【００４２】次に、シンチレータ１２が形成されたＦＯ
Ｐ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法（気相化
学成長法）によりシンチレータ１２の隙間及び表面に第
１のポリパラキシリレン膜１４を成膜する。即ち、ＣＶ
Ｄ装置の蒸着室内において、シンチレータ１２をポリパ
ラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておく
ことにより、柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間に
ポリパラキシリレンを充填すると共に、シンチレータ１
２の表面に第１のポリパラキシリレン膜１４を成膜する
（図２（ｃ）参照）。
【００４３】次に、第１のポリパラキシリレン膜１４の
表面にＡｌ膜１６を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図３
（ａ）参照）。ここでＡｌ膜１６は、シンチレータ１２
の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレー
タ１２を覆う範囲で形成される。その後、Ａｌ膜１６の
表面に、このＡｌ膜１６の剥がれを防止するための第２
のポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、第１の
ポリパラキシリレン膜１４の成膜の場合と同様に、シン
チレータ１２が形成されたＦＯＰ１０をＣＶＤ装置の蒸
着室に入れ、ＣＶＤ法によりＡｌ膜１６の表面に第２の
ポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜す
る。この工程を終了することによりシンチレータパネル
１の製造が終了する。
【００４４】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ル１によれば、柱状結晶構造のシンチレータ１２の表面
が油溶性染料で染色されているため、蛍光のクロストー
ク成分がシンチレータ１２の表面の染色された部分にお
いて吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少すること
によりシンチレータパネル１の解像度を向上させること
ができる。また、シンチレータ１２を染色する染料は、
シンチレータ１２の隙間においてもシンチレータ１２を
染色することができる。また、シンチレータ１２の表面
を第１のポリパラキシリレン膜１４、Ａｌ膜１６及び第
２のポリパラキシリレン膜１８により覆っているためシ
ンチレータ１２の耐湿性も維持することができる。ま
た、染色したシンチレータ１２の色落ちも防止すること
ができる。
【００４５】次に、図４〜図６を参照して、この発明の
第２の実施の形態の説明を行う。図４は実施の形態にか
かる放射線イメージセンサ２の断面図である。図４に示
すように、放射線イメージセンサ２は、薄膜トランジス
タ＋フォトダイオードアレイ（以下フォトダイオードア
レイという）３０の受光部３０ｂに対応して設けられて
いる大結晶化、好ましくは単結晶化されたシンチレータ
３４の表面を油溶性染料であるＯｉｌ Ｒｅｄ Ｂで染色
し、このシンチレータ３４を耐湿性の向上を目的とする
第１のポリパラキシリレン膜３６により覆い、更に、こ
の第１のポリパラキシリレン膜３６上に耐湿性の向上を
目的とするＡｌ膜３８を設けると共に、Ａｌ膜３８上
に、このＡｌ膜３８の剥がれを防止するための第２のポ
リパラキシリレン膜４０を設けた構造を有するものであ
る。
【００４６】次に、図５及び図６を参照して、この放射
線イメージセンサ２の製造工程について説明する。図５
（ａ）に示すように、放射線イメージセンサ２を構成す
るフォトダイオードアレイ３０は、基板３０ａ上に受光
部３０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、
各受光部３０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜ト
ランジスタのスイッチング素子３０ｃが設けられてい
る。
【００４７】まず、このフォトダイオードアレイ３０の
受光部３０ｂ上にポリイミドにより凸パターン３２を形
成する（図５（ｂ）参照）。次に、ＴｌをドープしたＣ
ｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部３
０ｂに対応したシンチレータ３４の固まりを形成する
（図５（ｃ）参照）。次に、このシンチレータ３４を水
蒸気を含む大気中に４０時間露出させることにより、シ
ンチレータ３４に水分を含有させて溶かし大結晶化、好
ましくは単結晶化させる（図５（ｄ）参照）。
【００４８】次に、大結晶化したシンチレータ３４の表
面を油溶性染料により染色する（図６（ａ）参照）。即
ち、シンチレータ３４の発色光の補色となる染料である
アゾ系染料Ｏｉｌ Ｒｅｄ Ｂをｎ−ヘキサン等の疎水性
溶剤に１ｗｔ％溶かし、シンチレータ３４を形成したフ
ォトダイオードアレイ３０を１分間浸した後エアナイフ
で乾燥させる。
【００４９】次に、シンチレータ３４が形成されたフォ
トダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、
ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させ
ておくことにより、大結晶化したシンチレータ３４の表
面に第１のポリパラキシリレン膜３６を成膜する（図６
（ｂ）参照）。次に、シンチレータ３４の表面に第１の
ポリパラキシリレン膜３６を成膜したフォトダイオード
アレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、第１の
ポリパラキシリレン膜３６の表面にＡｌ膜３８を３００
ｎｍの厚さで蒸着する（図６（ｃ）参照）。ここでＡｌ
膜３８は、シンチレータ３４の耐湿性の向上を目的とす
るものであるためシンチレータ３４を覆う範囲で形成さ
れる。
【００５０】その後、Ａｌ膜３８の表面に、このＡｌ膜
３８の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレ
ン膜４０を形成する。即ち、第１のポリパラキシリレン
膜３６の成膜の場合と同様に、シンチレータ３４が形成
されたフォトダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着
室に入れ、ＣＶＤ法によりＡｌ膜３８の表面に第２のポ
リパラキシリレン膜４０を１０μｍの厚さで成膜する。
この工程を終了することにより放射線イメージセンサ２
の製造が終了する。
【００５１】この第２の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ２によれば、大結晶化したシンチレータ３４
の表面が油溶性染料により染色されているため、蛍光の
クロストーク成分がシンチレータ３４の染色された部分
で吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することに
より放射線イメージセンサ２の解像度を向上させること
ができる。また、染色したシンチレータ３４を第１のポ
リパラキシリレン膜３６、Ａｌ膜３６及び第１のポリパ
ラキシリレン膜３８で覆うためシンチレータ３４の耐湿
性を向上させることができる。また染色したシンチレー
タ３４の色落ちを防止することができる。
【００５２】次に、図７〜図８を参照して、この発明の
第３の実施の形態の説明を行う。図７は実施の形態にか
かる放射線イメージセンサ３の断面図である。図７に示
すように、放射線イメージセンサ３は、Ａｌ基板５０上
に薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ（以下、
フォトダイオードアレイという）５８の受光部５８ｂの
ピッチに対応して設けられている大結晶化されたシンチ
レータ５４の側壁部の表面を油溶性染料であるＯｉｌ
Ｒｅｄ Ｂで染色し、このシンチレータ５４を耐湿性の
向上を目的とするポリパラキシリレン膜５６により覆
い、シンチレータ５４に対向させてフォトダイオードア
レイ５８を貼り合わせた構造を有するものである。
【００５３】次に、図８を参照して、この放射線イメー
ジセンサ３の製造工程について説明する。まず、図５及
び図６に示す第２の実施の形態にかかる放射線イメージ
センサ２の製造工程と同一の工程により、放射線イメー
ジセンサ３を構成するＡｌ基板５０上に大結晶化、好ま
しくは単結晶化したシンチレータ５４を形成し、この大
結晶化したシンチレータ５４の表面を油溶性染料により
染色する（図８（ａ）参照）。
【００５４】次に、スパッタ−エッチによりシンチレー
タ５４の上端部に位置する染色されたシンチレータ５４
を除去する（図８（ｂ）参照）。そして、このシンチレ
ータ５４の上端部の染色されたシンチレータ５４が除去
されたＡｌ基板５０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリ
パラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させてお
くことにより、大結晶化したシンチレータ５４の表面に
ポリパラキシリレン膜５６を成膜する（図８（ｃ）参
照）。
【００５５】次に、基板５８ａ上に受光部５８ｂが２０
０μｍのピッチでアレイ状に形成され、各受光部５８ｂ
に対応してアモルファスシリコン薄膜トランジスタのス
イッチング素子５８ｃが設けられているフォトダイオー
ドアレイ５８の受光部５８ｂをシンチレータ５４に対向
させてポリパラキシリレン膜５６上に貼り合わせる（図
７参照）。この工程を終了することにより放射線イメー
ジセンサ３の製造が終了する。
【００５６】この第３の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ３によれば、大結晶化したシンチレータ５４
の側壁部の表面が油溶性染料により染色されているた
め、蛍光のクロストーク成分がシンチレータ５４の染色
された部分で吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少
することにより放射線イメージセンサ３の解像度を向上
させることができる。また、染色したシンチレータ５４
をポリパラキシリレン膜５６で覆うためシンチレータ５
４の耐湿性を向上させることができる。また、染色した
シンチレータ５４の色落ちを防止することができる。
【００５７】次に、図９及び図１０を参照して、この発
明の第４の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４
の説明を行う。この放射線イメージセンサ４の説明にお
いては、第２の実施の形態にかかる放射線イメージセン
サ２の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ２
の説明で用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００５８】この放射線イメージセンサ４は、第２の実
施の形態にかかる放射線イメージセンサ２のシンチレー
タ３４、即ち表面の全体が染色されているシンチレータ
３４をシンチレータ３４の側壁部の表面のみが染色され
ているシンチレータに変更したものである。
【００５９】次に、図１０を用いて放射線イメージセン
サ４の製造工程の説明を行う。まず、図５及び図６に示
す第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２の
製造工程と同一の工程により、放射線イメージセンサ４
を構成するフォトダイオードアレイ３０上に形成し、大
結晶化、好ましくは単結晶化させたシンチレータ３４の
表面を油溶性染料により染色し、シンチレータ３４の上
端部に位置する染色されたシンチレータをスパッタ−エ
ッチにより除去する（図１０（ａ）参照）。
【００６０】次に、上端部の染色された部分が除去され
たシンチレータ３４の形成されたフォトダイオードアレ
イ３０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレ
ンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことによ
り、大結晶化したシンチレータ３４の表面に第１のポリ
パラキシリレン膜３６を成膜する（図１０（ｂ）参
照）。次に、第１のポリパラキシリレン膜３６を成膜し
たフォトダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室か
ら取り出し、第１のポリパラキシリレン膜３６の表面に
Ａｌ膜３８を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図１０
（ｃ）参照）。ここでＡｌ膜３８は、シンチレータ３４
の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレー
タ３４を覆う範囲で形成される。
【００６１】その後、Ａｌ膜３８の表面に、このＡｌ膜
３８の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレ
ン膜４０を形成する。この工程を終了することにより放
射線イメージセンサ４の製造が終了する。
【００６２】この第４の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ４によれば、シンチレータ３４の上端部に位
置する染色されたシンチレータが除去されているため、
シンチレータ３４で発生した光がシンチレータ３４の上
端部方向に進んだ場合にも、この光がＡｌ膜３８でフォ
トダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ方向に反射され
るため、受光部３０ｂに入射する光量を増加させること
ができる。また、Ａｌ膜３８が耐湿膜としての役目も果
たすため、シンチレータ３４の耐湿性を向上させること
ができる。
【００６３】次に、図１１〜図１３を参照して、この発
明の第５の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ５
の説明を行う。この放射線イメージセンサ５の説明にお
いては、第４の実施の形態にかかる放射線イメージセン
サ４の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ４
の説明で用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００６４】この放射線イメージセンサ５は、大結晶化
させたシンチレータ３４を被覆するポリパラキシリレン
膜３６のシンチレータ３４の側壁部に位置する部分を染
料により染色し、シンチレータ３４の上端部に反射膜と
してのＡｌ膜３５を設け、シンチレータ３４及びＡｌ膜
３５を、Ａｌ膜３５の剥がれ防止のためのポリパラキシ
リレン膜３７、耐湿膜としてのＡｌ膜３８、Ａｌ膜３８
の剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜４０で順次
被覆した構造を有するものである。
【００６５】次に、図１２及び図１３を参照して放射線
イメージセンサ５の製造工程を説明する。まず、第２の
実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２の製造工程
（図５参照）と同一の工程により、放射線イメージセン
サ５を構成するフォトダイオードアレイ３０上に形成し
たシンチレータ３４を大結晶化、好ましくは単結晶化さ
せる（図１２（ａ）参照）。次に、この大結晶化させた
シンチレータ３４の表面を１０μｍの厚さのポリパラキ
シリレン膜３６で被覆し（図１２（ｂ）参照）、このポ
リパラキシリレン膜３６の表面を油溶性染料により染色
する（図１２（ｃ）参照）。
【００６６】次に、シンチレータ３４の上端部に位置す
る染色されたポリパラキシリレン膜３６の染色された部
分をレーザ照射により除去する（図１３（ａ）参照）。
即ち、ポリパラキシリレン膜３６の染色されている部分
は表面の浅層の部分のみであることから、この浅層の部
分のみをレーザ照射により除去する。
【００６７】次に、シンチレータ３４の上端部のポリパ
ラキシリレン膜３６の表面に、大結晶化されたシンチレ
ータ３４毎に対応させて反射膜としてのＡｌ膜３５を蒸
着法により形成する（図１３（ｂ）参照）。次に、シン
チレータ３４及びＡｌ膜３５の表面にＡｌ膜３５の剥が
れ防止のためのポリパラキシリレン膜３７を成膜し、そ
の上に耐湿膜としての３００ｎｍの厚さのＡｌ膜３８、
Ａｌ膜３８の剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜
４０を順次成膜する（図１３（ｃ）参照）。この工程を
終了することにより放射線イメージセンサ５の製造が終
了する。
【００６８】この第５の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ５によれば、シンチレータ３４の上端部に位
置する染色されたポリパラキシリレン膜３６が除去され
ているため、シンチレータ３４で発生した光がシンチレ
ータ３４の上端部方向に進んだ場合にも、この光がＡｌ
膜３５でフォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ方
向に反射されるため、受光部３０ｂに入射する光量を増
加させることができる。
【００６９】また、耐湿膜としてのＡｌ膜３８が設けら
れているため、シンチレータ３４の耐湿性の向上を図る
ことができる。
【００７０】また、シンチレータ３４を被覆するポリパ
ラキシリレン膜３６を染色することから、シンチレータ
３４を直接染色する場合に比較して使用できる染料の多
様化を図ることができる。即ち、シンチレータ３４を直
接染色する場合には、油溶性染料や分散性染料等の疎水
性の染料を用いる必要があるが、ポリパラキシリレン膜
３６を染色する場合には、油溶性染料や分散性染料に限
らず、酸性染料、媒染染料、塩基性染料、直接染料、硫
化染料、建染染料、可溶化建染染料、アゾイック染料、
酸化染料等を用いることができる。
【００７１】次に、図１４を参照して、この発明の第６
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６の説明を
行う。この放射線イメージセンサ６の説明においては、
第５の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ５の構
成と同一の構成には、放射線イメージセンサ５の説明で
用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００７２】この放射線イメージセンサ６は、大結晶化
させたシンチレータ３４を被覆するポリパラキシリレン
膜３６の表面部分を油溶性染料により染色し、この染色
したポリパラキシリレン膜３６の表面を平坦化させるた
めに、ポリパラキシリレン膜３６の表面を更にポリパラ
キシリレン膜３７で被覆し、更に、耐湿膜としてのＡｌ
膜３８、このＡｌ膜３８の剥がれ防止のためのポリパラ
キシリレン膜４０で順次被覆した構造を有するものであ
る。
【００７３】この第６の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ６によれば、ポリパラキシリレン膜３６の表
面が油溶性染料により染色されているため、蛍光のクロ
ストーク成分がポリパラキシリレン膜３６の染色された
部分で吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するこ
とにより放射線イメージセンサ６の解像度を向上させる
ことができる。また、染色したポリパラキシリレン膜３
６をポリパラキシリレン膜３７、Ａｌ膜３８及びポリパ
ラキシリレン膜４０で被覆しているためシンチレータ３
４の耐湿性を向上させることができる。
【００７４】次に、図１５〜図１６を参照して、この発
明の第７の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ７
の説明を行う。
【００７５】この放射線イメージセンサ７は、Ａｌ基板
６０上に形成した大結晶化させたシンチレータ６２を被
覆するポリパラキシリレン膜６４のシンチレータ６２の
側壁部に位置する部分を染料により染色し、シンチレー
タ６２及び染色したポリパラキシリレン膜６４を耐湿膜
としてのポリパラキシリレン膜６６で被覆し、シンチレ
ータ６２の先端部側に撮像素子６８を配置した構造を有
するものである。
【００７６】次に、図１６を参照して放射線イメージセ
ンサ７の製造工程を説明する。まず、第５の実施の形態
にかかる放射線イメージセンサ５の製造工程（図１２参
照）と同一の工程により、Ａｌ製基板６０上に形成され
たシンチレータ６２を大結晶化、好ましくは単結晶化さ
せ、この大結晶化させたシンチレータ６２を被覆してい
るポリパラキシリレン膜６４の表面を油溶性染料により
染色する（図１６（ａ）参照）。
【００７７】次に、シンチレータ６２の上端部に位置す
る染色されたポリパラキシリレン膜６４の染色された部
分をレーザ照射により除去する（図１６（ｂ）参照）。
即ち、ポリパラキシリレン膜６４の染色されている部分
は表面の浅層の部分のみであることから、この浅層の部
分のみをレーザ照射により除去する。
【００７８】次に、シンチレータ６２を被覆するポリパ
ラキシリレン膜６４の表面に、耐湿膜としてのポリパラ
キシリレン膜６６を成膜する（図１６（ｃ）参照）。次
に、基板６８ａ上に受光部６８ｂが２００μｍのピッチ
でアレイ状に形成され、各受光部６８ｂに対応してアモ
ルファスシリコン薄膜トランジスタのスイッチング素子
６８ｃが設けられているフォトダイオードアレイ６８の
受光部６８ｂをシンチレータ６２に対向させてポリパラ
キシリレン膜６６上に貼り合わせる（図１５参照）。こ
の工程を終了することにより放射線イメージセンサ７の
製造が終了する。
【００７９】この第７の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ７によれば、大結晶化したシンチレータ６２
の表面を被覆するポリパラキシリレン膜６４の表面が油
溶性染料により染色されているため、蛍光のクロストー
ク成分がポリパラキシリレン膜６４の染色された部分で
吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することによ
り放射線イメージセンサ７の解像度を向上させることが
できる。
【００８０】なお、上述の各実施の形態における、ポリ
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン、等を含む。
【００８１】また、上述の各実施の形態においては、シ
ンチレータの表面を油溶性染料であるＯｉｌ Ｒｅｄ Ｂ
により染色しているが、これに限らず、Yellow 2,Yello
w 14,Yellow 16,Orange 5,Red 3,Red 8,Red 25,Red 27,
Red 49,Blue 11,Green 3,Brown 3,Black 5等のC.I.Name
で示される油溶性染料により染色してもよい。また、油
溶性染料に限らず分散性染料により染色するようにして
もよい。ここでシンチレータを染色する分散性染料とし
ては、Yellow 3,Yellow 7,Yellow 42,Orange 1,Orange
5,Orange 13,Red 4,Red 13,Red 17,Violet 1,Violet 2
8,Blue 1,Blue 3,Blue 7,Red 72,Blue 79,Blue 60,Blac
k 1,Black 29等のC.I.Nameで示される染料がある。
【００８２】また、上述の各実施例の形態においては、
Ｏｉｌ Ｒｅｄ Ｂをｎ−ヘキサンに溶かしているが、油
溶性染料をｎ−ペンタン，シクロヘキサン，トルエン，
ベンゼン等の無極性溶媒に溶かしてもよい。
【００８３】また、上述の各実施の形態においては、シ
ンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、
これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ
（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００８４】また、上述の第２、第４〜第６の実施の形
態においては、シンチレータを形成する基板としてフォ
トダイオードアレイを用いているが、これに限らずＣＣ
Ｄ、ＭＯＳ型個体イメージセンサ等を用いるようにして
もよい。
【００８５】また、上述の第３、第７の実施の形態にお
いては、シンチレータを形成する基板としてＡｌ製の基
板を用いているが、これに限らずＣ（グラファイト）製
の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもい。この場合には、
基板が不透光性の基板であるためシンチレータの先端部
側に撮像素子を配置して放射線イメージセンサとして用
いる。また、ガラス基板（透光性基板）を用いることも
可能であり、この場合にはガラス基板側にレンズを配置
しレンズを介して撮像素子と結合することにより放射線
イメージセンサとして用いる。また、Ａｌ製基板と同
様、シンチレータの先端部側に撮像素子を配置してもよ
い。
【００８６】また、第５〜第７の実施の形態において
は、油溶性染料や分散性染料に限らず、酸性染料、媒染
染料、塩基性染料、直接染料、硫化染料、建染染料、可
溶化建染染料、アゾイック染料、酸化染料等を用いてポ
リパラキシリレン膜を染色することができるが、酸性染
料、媒染染料、塩基性染料、直接染料、硫化染料、建染
染料、可溶化建染染料、アゾイック染料、酸化染料に
は、それぞれ、直接染料として、Yellow 12,Yellow 44,
Yellow 50,Orange 26,Orange 39,Red 2,Red 23,Red31,R
ed 79,Red 81,Violet 47,Violet 48,Blue 1,Blue 15,Bl
ue 71,Blue 78,Blue 86,Blue 106,Blue 168,Green 59,B
rown 106,Black 17,Black 22等のC.I.Nameで示される染
料があり、酸性染料として、Yellow 1,Yellow 7,Yellow
23,Orange7,Orange 56,Red 18,Red 27,Red 52,Red 82,
Red 87,Red 114,Red 186,Violet 43,Violet 49,Blue 4
0,Blue 45,Blue 74,Blue 113,Blue 127,Green 9,Green
25,Brown 2,Brown 13,Black 1,Black 26,Black 52等の
C.I.Nameで示される染料がある。
【００８７】また、塩基性染料として、Yellow 2,Yello
w 11,Orange 21,Red 13,Violet 1,Violet 3,Violet 7,V
iolet 10,Blue 54,Blue 9,Blue 26,Green 4,Brown 1,Bl
ack2等のC.I.Nameで示される染料があり、媒染・酸性媒
染染料として、Yellow 3,Yellow 5,Yellow 30,Orange
1,Orange 4,Orange 6,Red 7,Red 11,Red 15,Violet 1,V
iolet 5,Blue 1,Blue 13,Green 15,Green 17,Brown 33,
Blown 40,Black 1,Black 3,Black 7,Black 11等のC.I.N
ameで示される染料があり、アイゾイック染料として、
C.I.Azoic Diazo Component 2,C.I.Azoic Diazo Compon
ent 3,C.I.Azoic Diazo Component 5,C.I.Azoic Diazo
Component 9,C.I.Azoic Diazo Component 12,C.I.Azoic
Diazo Component 17,C.I.Azoic Diazo Component 20,
C.I.AzoicDiazo Component 34,C.I.Azoic Diazo Compon
ent 38,C.I.Azoic Diazo Component 48等のC.I.Nameで
示される染料があり、硫化染料，硫化建染染料として、
Yellow 4,Orange 1,Blue 2,Blue 7,Blue 9,Green 14,Br
own 7,Black 1,Black 11,C.I.Vat Blue 43等のC.I.Name
で示される染料がある。
【００８８】更に、建染染料（バット染料）として、Ye
llow 2,Yellow 4,Orange 1,Orange3,Orange 7,Orange
9,Red 1,Violet 1,Violet 2,Violet 13,Blue 1,C.I.Sol
ubilised Vat Blue 1,C.I.Vat Blue 3,Blue 4,Blue 20,
Green 1,Green 3,Green 8,Brown 3,Black 9等のC.I.Nam
eで示される染料があり、食品用色素として、C.I.Food
Yellow 4,Yellow 3,Red 9,Red 14等のC.I.Nameで示され
る色素がある。
【００８９】
【発明の効果】この発明のシンチレータパネルによれ
ば、潮解性を有するシンチレータの表面又はシンチレー
タを被覆する有機膜の表面が染料で染色されているた
め、蛍光のクロストーク成分がシンチレータの表面又は
有機膜の表面の染色された部分において吸収され、蛍光
のクロストーク成分が減少することによりシンチレータ
パネルの解像度を向上させることができる。また、シン
チレータの表面を有機膜で覆っているためシンチレータ
の耐湿性も維持することができる。
【００９０】また、この発明の放射線イメージセンサに
よれば、潮解性を有するシンチレータの表面又はシンチ
レータを被覆する有機膜の表面が染料で染色されている
ため、蛍光のクロストーク成分がシンチレータの表面又
は有機膜の表面の染色された部分において吸収され、蛍
光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメ
ージセンサの解像度を向上させることができる。また、
シンチレータの表面を有機膜で覆っているためシンチレ
ータの耐湿性も維持することができる。
【００９１】また、この発明のシンチレータパネルの製
造方法によれば、潮解性を有するシンチレータの表面又
はシンチレータを被覆する有機膜の表面が染料で染色さ
れているため、蛍光のクロストーク成分がシンチレータ
の表面又は有機膜の表面の染色された部分において吸収
され蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度を
向上させたシンチレータパネルを製造することができ
る。
【００９２】また、この発明の放射線イメージセンサの
製造方法によれば、潮解性を有するシンチレータの表面
又はシンチレータを被覆する有機膜の表面が染料で染色
されているため、蛍光のクロストーク成分がシンチレー
タの表面又は有機膜の表面の染色された部分において吸
収され蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度
を向上させた放射線イメージセンサを製造することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの製造工程を示す図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの製造工程を示す図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図７】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
【図８】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図９】この発明の第４の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図１１】この発明の第５の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの断面図である。
【図１２】この発明の第５の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図１３】この発明の第５の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図１４】この発明の第６の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図１５】この発明の第７の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの断面図である。
【図１６】この発明の第７の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
１…シンチレータパネル、２〜７…放射線イメージセン
サ、１０…ＦＯＰ、１２…シンチレータ、１４…第１の
ポリパラキシリレン膜、１６…Ａｌ膜、１８…第２のポ
リパラキシリレン膜、３０…フォトダイオードアレイ、
３０ａ…受光部、３４…シンチレータ、３６…第１のポ
リパラキシリレン膜、３８…Ａｌ膜、４０…第２のポリ
パラキシリレン膜、５０…Ａｌ基板、５４…シンチレー
タ、５６…第１のポリパラキシリレン膜、５８…Ａｌ
膜、６０…第２のポリパラキシリレン膜、６２…フォト
ダイオードアレイ、６２ａ…受光部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高林 敏雄 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 FF02 GG10 GG14 JJ09 JJ36 JJ37 LL15 MM04 5C037 GG05 GH04 GH05 GH18 GJ01

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された潮解性を有する柱状
    構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの
    少なくとも一部を被覆する有機膜とを備えるシンチレー
    タパネルにおいて、 前記シンチレータは、表面を染料で染色したシンチレー
    タであることを特徴とするシンチレータパネル。
  2. 【請求項２】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染料
    であることを特徴とする請求項１記載のシンチレータパ
    ネル。
  3. 【請求項３】 前記請求項１又は請求項２記載のシンチ
    レータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする
    放射線イメージセンサ。
  4. 【請求項４】 前記基板は透光性の基板であり、前記撮
    像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていな
    い側に配置したことを特徴とする請求項３記載の放射線
    イメージセンサ。
  5. 【請求項５】 前記基板は放射線透過性の基板であり、
    前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレ
    ータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項３記
    載の放射線イメージセンサ。
  6. 【請求項６】 撮像素子の受光面上に形成された潮解性
    を有する柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシ
    ンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜とを備え
    る放射線イメージセンサにおいて、 前記シンチレータは、表面を染料で染色したシンチレー
    タであることを特徴とする放射線イメージセンサ。
  7. 【請求項７】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染料
    であることを特徴とする請求項６記載の放射線イメージ
    センサ。
  8. 【請求項８】 基板上に柱状構造のシンチレータ形成す
    る第１の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの表面を染料で染色する第
    ２の工程と、 前記シンチレータの表面の少なくとも一部を有機膜で被
    覆する第３の工程と、 を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方
    法。
  9. 【請求項９】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染料
    であることを特徴とする請求項８記載のシンチレータパ
    ネルの製造方法。
  10. 【請求項１０】 撮像素子の受光面上に柱状構造のシン
    チレータを形成する第１の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの表面を染料で染色する第
    ２工程と、 前記シンチレータの表面の少なくとも一部を有機膜で被
    覆する第３の工程と、 を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染
    料であることを特徴とする請求項１０記載の放射線イメ
    ージセンサの製造方法。
  12. 【請求項１２】 基板上に形成された柱状構造のシンチ
    レータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一
    部を被覆する第１の有機膜と、この第１の有機膜を被覆
    する第２の有機膜とを備えるシンチレータパネルにおい
    て、 前記第１の有機膜は、表面を染料で染色した有機膜であ
    ることを特徴とするシンチレータパネル。
  13. 【請求項１３】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染
    料であることを特徴とする請求項１２記載のシンチレー
    タパネル。
  14. 【請求項１４】 前記請求項１２は請求項１３記載のシ
    ンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴と
    する放射線イメージセンサ。
  15. 【請求項１５】 前記基板は透光性の基板であり、前記
    撮像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されてい
    ない側に配置したことを特徴とする請求項１４記載の放
    射線イメージセンサ。
  16. 【請求項１６】 前記基板は放射線透過性の基板であ
    り、前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シン
    チレータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項
    １４記載の放射線イメージセンサ。
  17. 【請求項１７】 撮像素子の受光面上に形成された柱状
    構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの
    少なくとも一部を被覆する第１の有機膜と、この第１の
    有機膜を被覆する第２の有機膜とを備える放射線イメー
    ジセンサにおいて、 前記第１の有機膜は、表面を染料で染色した有機膜であ
    ることを特徴とする放射線イメージセンサ。
  18. 【請求項１８】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染
    料であることを特徴とする請求項１７記載の放射線イメ
    ージセンサ。
  19. 【請求項１９】 基板上に柱状構造のシンチレータ形成
    する第１の工程と、 前記シンチレータの表面の少なくとも一部を第１の有機
    膜で被覆する第２の工程と前記第１の有機膜の表面を染
    料で染色する第３の工程と、 前記第１の有機膜の表面を有機膜で被覆する第４の工程
    と、 を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染
    料であることを特徴とする請求項１９記載のシンチレー
    タパネルの製造方法。
  21. 【請求項２１】 撮像素子の受光面上に柱状構造のシン
    チレータを形成する第１の工程と、 前記シンチレータの表面の少なくとも一部を第１の有機
    膜で被覆する第２の工程と、 前記第１の有機膜の表面を染料で染色する第３工程と、 前記第１の有機膜の表面を有機膜で被覆する第４の工程
    と、 を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造
    方法。
  22. 【請求項２２】 前記染料は、油溶性染料又は分散性染
    料であることを特徴とする請求項２１記載の放射線イメ
    ージセンサの製造方法。
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