JP2011257143A - シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明に係るシンチレータパネル1は、本発明に係るシンチレータパネル1は、放射線の入射面3aを有するシンチレータ3と、シンチレータ3に対して入射面3aの反対側に配置され、シンチレータ3で生じた光を伝播させるFOP2と、シンチレータ3に対して入射面3a側に色材を含む樹脂により形成され、シンチレータ3で生じた光の吸収及び反射の少なくとも一方を行う樹脂層5と、を備える。本発明に係るシンチレータパネル1によれば、樹脂層5を構成する色材を変えることで、樹脂層5における光の反射率や吸収率を変更することができるので、色材の変更によるシンチレータパネル1の特性の容易な変更が実現される。このことは、特性の異なるシンチレータパネルを新たに製造する際に生じるコストを大きく低減させる。
【選択図】 図1
Description
このような構成によれば、樹脂層に水分が浸入したとしても第1の有機膜が防湿性保護膜として機能することによってシンチレータに水分が浸入することを抑制できるので、水分の浸入によるシンチレータの性能劣化を避けることができる。このことは、シンチレータパネルの高寿命化に寄与する。
このような構成によれば、第2の有機膜により樹脂層の剥がれ防止を図ることができる。また、防湿性保護膜として機能することによって外部からシンチレータや樹脂層に水分が浸入することを抑制できるので、水分の浸入によるシンチレータや樹脂層の性能劣化が回避され、シンチレータパネルの高寿命化を図ることができる。
このような構成によれば、第1及び第2の有機膜によって樹脂層を外気から遮断することが可能になるので、樹脂層に水分が浸入することを防止することができる。これにより、水分浸入による樹脂層の性能劣化が避けることができるので、シンチレータパネルの高寿命化を図ることができる。
この場合、第1の有機膜の膜厚を薄くすることで、シンチレータで生じた光が第1の有機膜内で散乱し、これらの散乱光がシンチレータパネルから出力されることを抑制することができる。従って、このシンチレータパネルによれば、散乱光がシンチレータパネルから出力されることを抑制できるので、シンチレータパネルの性能向上を図ることができる。
この場合、第1の有機膜によってファイバオプティックスプレート上のシンチレータの側面が覆われるので、外部からシンチレータに水分が浸入することを好適に抑制でき、シンチレータパネルの更なる高寿命化を図ることができる。
この場合、樹脂層の外周縁はシンチレータの入射面から突出しないので、入射面から突出した樹脂層により第1の有機膜と第2の有機膜との密着可能な領域が狭められることを避けることができる。これにより、第1及び第2の有機膜の密着可能な領域を十分に確保することができるので、信頼性の高い樹脂層の保護が実現される。
この場合、樹脂層はシンチレータの入射面と略直交する面まで回り込んで形成されるので、シンチレータ内で生じた光が当該略直交する面に向かったとしても樹脂層による反射や吸収を行うことが可能になる。また、樹脂層の外周縁はファイバオプティックスプレートまで至っていないので、ファイバオプティックスプレートの外周において第1の有機膜と第2の有機膜とが密着する領域を確保することができ、信頼性の高い樹脂層の保護が実現される。
このような構成によれば、樹脂層に水分が浸入したとしても第1の有機膜が防湿性保護膜として機能することによってシンチレータに水分が浸入することを抑制できるので、水分の浸入によるシンチレータの性能劣化を避けることができる。このことは、放射線イメージセンサの高寿命化に寄与する。
このような構成によれば、第2の有機膜により樹脂層の剥がれ防止を図ることができる。また、防湿性保護膜として機能することによって外部からシンチレータや樹脂層に水分が浸入することを抑制できるので、水分の浸入によるシンチレータや樹脂層の性能劣化が回避され、放射線イメージセンサの高寿命化を図ることができる。
このような構成によれば、第1及び第2の有機膜によって樹脂層を外気から遮断することが可能になるので、樹脂層に水分が浸入することを防止することができる。これにより、水分浸入による樹脂層の性能劣化が避けることができるので、放射線イメージセンサの高寿命化を図ることができる。
この場合、第1の有機膜の膜厚を薄くすることで、シンチレータで生じた光が第1の有機膜内で散乱し、これらの散乱光が放射線イメージセンサで検出されることを抑制することができる。従って、この放射線イメージセンサによれば、第1の有機膜内で散乱した散乱光が検出されることを抑制できるので、放射線イメージセンサの性能向上を図ることができる。
この場合、第1の有機膜によって撮像素子上のシンチレータの側面が覆われるので、外部からシンチレータに水分が浸入することを好適に抑制でき、放射線イメージセンサの更なる高寿命化を図ることができる。
この場合、樹脂層の外周縁はシンチレータの入射面から突出しないので、入射面から突出した樹脂層により第1の有機膜と第2の有機膜との密着可能な領域が狭められることを避けることができる。これにより、第1及び第2の有機膜の密着可能な領域を十分に確保することができるので、信頼性の高い樹脂層の保護が実現される。
この場合、樹脂層はシンチレータの入射面と略直交する面まで回り込んで形成されるので、シンチレータ内で生じた光が当該略直交する面に向かったとしても樹脂層による反射や吸収を行うことが可能になる。また、樹脂層の外周縁より第1の有機膜及び第2の有機膜の外周縁を突出させることで、第1の有機膜と第2の有機膜とが密着する領域を確保することができ、信頼性の高い樹脂層の保護が実現される。
図1に示されるように、本実施形態のシンチレータパネル1は、X線等の放射線をシンチレーション光に変換するものであり、シンチレーション光を撮像可能な撮像素子7と共に放射線イメージセンサ10を構成する。放射線イメージセンサ10を構成する撮像素子7としては、薄膜トランジスタにフォトダイオードアレイを組み合わせたものやCCDイメージセンサなどが採用される。
(B)X線管電流:1.5mA
(C)アルミニウムフィルターの厚さ:0.3mm
また、XwhTは、第1の有機膜4の膜厚のみがXwhと異なるシンチレータパネルの特性を示している。XwhTにおける第1の有機膜4の膜厚は、Xwhにおける第1の有機膜4及び第2の有機膜6の膜厚の5分の1である。
図3に示されるように、第2の実施形態に係るシンチレータパネル11は、樹脂層12の形状が第1の実施形態に係るシンチレータパネル1と相違する。すなわち、樹脂層12は、シンチレータ3を覆うだけではなく、第1の有機膜4に沿ってFOP2の側面2cまで覆うように形成されている。また、樹脂層12が第1の有機膜4及び第2の有機膜6によって密封されておらず、その外周縁12aは外部に露出している。
図6に示されるように、第3の実施形態に係るシンチレータパネル21は、第1の有機膜4を備えず樹脂層22がシンチレータ3に対して直接形成されている点が第1の実施形態に係るシンチレータパネル1と相違する。すなわち、樹脂層22は、シンチレータ3の入射面3a及び側面3cに特定色の塗料を直接塗装することで形成され、シンチレータ3及びFOP2を覆う保護膜は第2の有機膜6のみとなる。
図7に示されるように、第4の実施形態に係るシンチレータパネル31は、第1の有機膜4を備えず樹脂層32がシンチレータ3上に直接形成されている点が第2の実施形態に係るシンチレータパネル11と相違する。すなわち、樹脂層32は、シンチレータ3上に特定色の塗料を直接塗装することにより形成され、シンチレータ3を覆う保護膜は第2の有機膜6のみとなる。また、第2の実施形態に係るシンチレータパネル11と同様に、樹脂層32の外周縁32aが外部に露出している。
Claims (20)
- 放射線の入射面を有するシンチレータと、
前記シンチレータに対して前記入射面の反対側に配置され、前記シンチレータで生じた光を伝播させるファイバオプティックスプレートと、
前記シンチレータに対して前記入射面側に色材を含む樹脂により形成され、前記シンチレータで生じた光の吸収及び反射の少なくとも一方を行う樹脂層と、
を備えることを特徴とするシンチレータパネル。 - 前記シンチレータと前記樹脂層との間に形成された第1の有機膜を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータパネル。
- 前記樹脂層に対して前記シンチレータの反対側に形成された第2の有機膜を更に備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータと前記樹脂層との間に形成された第1の有機膜と、
前記樹脂層に対して前記シンチレータの反対側に形成された第2の有機膜と、を更に備え、
前記樹脂層の外周縁の外側において前記第1の有機膜と前記第2の有機膜とが密着していることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータパネル。 - 前記第1の有機膜の膜厚は、前記第2の有機膜の膜厚より薄いことを特徴とする請求項4に記載のシンチレータパネル。
- 前記第1の有機膜の膜厚は、0.05μm〜5μmであり、
前記第2の有機膜の膜厚は、7μm〜2000μmであることを特徴とする請求項5に記載のシンチレータパネル。 - 前記第2の有機膜の膜厚は、10μm〜30μmであることを特徴とする請求項6に記載のシンチレータパネル。
- 前記第1の有機膜の外周縁は、前記ファイバオプティックスプレートの側面に至っていることを特徴とする請求項4〜7の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記樹脂層の外周縁は、前記入射面の外縁と一致していることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記樹脂層の外周縁は、前記シンチレータのうち前記入射面と略直交する面に位置することを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
- 放射線の入射面を有するシンチレータと、
前記シンチレータに対して前記入射面の反対側に配置され、前記シンチレータで生じた光を撮像する撮像素子と、
前記シンチレータに対して前記入射面側に色材を含む樹脂により形成され、前記シンチレータで生じた光の吸収及び反射の少なくとも一方を行う樹脂層と、
を備えることを特徴とする放射線イメージセンサ。 - 前記シンチレータと前記樹脂層との間に形成された第1の有機膜を更に備えることを特徴とする請求項11に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記樹脂層に対して前記シンチレータの反対側に形成された第2の有機膜を更に備えることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記シンチレータと前記樹脂層との間に形成された第1の有機膜と、
前記樹脂層に対して前記シンチレータの反対側に形成された第2の有機膜と、を更に備え、
前記樹脂層の外周縁の外側において前記第1の有機膜と前記第2の有機膜とが密着していることを特徴とする請求項11に記載の放射線イメージセンサ。 - 前記第1の有機膜の膜厚は、前記第2の有機膜の膜厚より薄いことを特徴とする請求項14に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記第1の有機膜の膜厚は、0.05μm〜5μmであり、
前記第2の有機膜の膜厚は、7μm〜2000μmであることを特徴とする請求項15に記載の放射線イメージセンサ。 - 前記第2の有機膜の膜厚は、10μm〜30μmであることを特徴とする請求項16に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記第1の有機膜の外周縁は、前記撮像素子の外面に至っていることを特徴とする請求項14〜17の何れか一項に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記樹脂層の外周縁は、前記入射面の外縁と一致していることを特徴とする請求項11〜18の何れか一項に記載の放射線イメージセンサ。
- 前記樹脂層の外周縁は、前記シンチレータのうち前記入射面と略直交する面に位置することを特徴とする請求項11〜18の何れか一項に記載の放射線イメージセンサ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015194361A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 株式会社 東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140049279A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 주식회사 레이언스 | 엑스선 검출장치 및 이를 포함한 엑스선 영상장치 |
TWI619931B (zh) * | 2013-01-22 | 2018-04-01 | 國立高雄應用科技大學 | 光纖感測器裝配方法及其構造 |
JP6081830B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-02-15 | 新日本無線株式会社 | 反射型フォトセンサを用いた位置検出装置 |
TWI521686B (zh) | 2013-05-24 | 2016-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 光偵測器及其製造方法 |
EP3167276B1 (en) * | 2014-07-07 | 2023-08-23 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Contact imager |
CN106526653B (zh) * | 2016-12-19 | 2023-02-28 | 桂林百锐光电技术有限公司 | 一种闪烁探测器 |
JP6515153B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 口腔内センサ、及び口腔内センサの製造方法 |
JP6515152B2 (ja) | 2017-08-30 | 2019-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 口腔内センサ、及び口腔内センサの製造方法 |
JP7046698B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2022-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 |
WO2020100533A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社村田製作所 | ベーパーチャンバー |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196742A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-08-06 | General Electric Co <Ge> | 反射および保護膜を有するソリッドステート放射線イメージャ |
JP2000009847A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2000284053A (ja) * | 1997-02-14 | 2000-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
JP2005338067A (ja) * | 1998-06-18 | 2005-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ |
JP2008209124A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル |
JP2008215951A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JP2008251211A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | イメージインテンシファイア |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5923400B2 (ja) | 1979-06-07 | 1984-06-01 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPS5917400B2 (ja) | 1979-07-11 | 1984-04-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPH0539558A (ja) | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nippon Steel Corp | 回転ブラシのバツクアツプロール |
JPH09297181A (ja) | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
EP0903590B1 (en) * | 1997-02-14 | 2002-01-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of producing the same |
JP3505361B2 (ja) | 1997-08-11 | 2004-03-08 | 株式会社東芝 | アニメーション作成装置および記録媒体 |
DE69931059T2 (de) | 1998-06-18 | 2006-12-07 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Szintillatorpanel und strahlungsbildsensor |
AU4167999A (en) | 1998-06-18 | 2000-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator plate, radiation image sensor, and method for manufacturing the same |
CN1272639C (zh) * | 1998-06-18 | 2006-08-30 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板 |
JP4156709B2 (ja) | 1998-06-23 | 2008-09-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
EP1148349A4 (en) * | 1998-12-14 | 2003-07-09 | Hamamatsu Photonics Kk | OPTICAL ELEMENT AND RADIATION DETECTOR APPLYING THE SAME |
US6900442B2 (en) | 1999-07-26 | 2005-05-31 | Edge Medical Devices Ltd. | Hybrid detector for X-ray imaging |
USRE42281E1 (en) * | 2000-09-11 | 2011-04-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
JP4647828B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2011-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネルおよびそれを用いた放射線検出器 |
EP1349177A3 (en) | 2002-03-26 | 2003-11-26 | Agfa-Gevaert | Layer arrangement having a binderless coloured layer |
JP2004239713A (ja) | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線画像変換パネル |
JP4127795B2 (ja) | 2003-02-05 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | 放射線非破壊検査装置 |
US7473903B2 (en) * | 2003-02-12 | 2009-01-06 | General Electric Company | Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel |
JP4208687B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-01-14 | 株式会社東芝 | イメージセンサ |
DE102006024893A1 (de) | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Siemens Ag | Szintillatorplatte |
JP2008026013A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | シンチレータパネルおよび放射線検出器 |
WO2010010725A1 (ja) | 2008-07-25 | 2010-01-28 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置 |
FR2948379B1 (fr) * | 2009-07-21 | 2011-08-19 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillateur en halogenure de terre rare revetu d'un absorbeur ou reflecteur de lumiere |
-
2010
- 2010-06-04 JP JP2010129077A patent/JP5883556B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-16 KR KR1020127025647A patent/KR101803988B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196742A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-08-06 | General Electric Co <Ge> | 反射および保護膜を有するソリッドステート放射線イメージャ |
JP2000284053A (ja) * | 1997-02-14 | 2000-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
JP2005338067A (ja) * | 1998-06-18 | 2005-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ |
JP2000009847A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2008209124A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル |
JP2008215951A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JP2008251211A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | イメージインテンシファイア |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015194361A1 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | 株式会社 東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP2016003907A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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