JP2005101090A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】受光部の感度及び解像度を低下させることなく、低コストで作製できるカラー固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上または半導体基板の表層部に設けた複数の受光部と、内部に配線を含むと共に該受光部上に光導波路を設けた絶縁層とを有する固体撮像素子において、該光導波路は柱状結晶構造で形成されている。マイクロレンズが前記柱状結晶構造で形成されている光導波路の直上に配置されている。前記光導波路はヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする。前記光導波路は、カラーフィルターの機能を持つ。前記柱状結晶構造であり、ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とするカラーフィルターで形成されている光導波路は、CsI及び顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として蒸着する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板上または半導体基板の表層部に設けた複数の受光部と、内部に配線を含むと共に該受光部上に光導波路を設けた絶縁層とを有する固体撮像素子において、該光導波路は柱状結晶構造で形成されている。マイクロレンズが前記柱状結晶構造で形成されている光導波路の直上に配置されている。前記光導波路はヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする。前記光導波路は、カラーフィルターの機能を持つ。前記柱状結晶構造であり、ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とするカラーフィルターで形成されている光導波路は、CsI及び顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として蒸着する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体基板上または半導体基板の表層部に設けた複数の受光部と、内部に配線を含むと共に該受光部上に光導波路を設けた絶縁層とを有する固体撮像素子に関する。
固体撮像素子については様々な種類が存在するが、ここではCCDを例に挙げて、簡単にその構成及び動作を説明する。
図5に示す固体撮像装置において、101は例えばフォトダイオードからなる光電変換素子、102は光電変換素子101で光電変換した信号を読み出す垂直CCDレジスタで、図示していないが、フォトダイオードと垂直CCDレジスタ102の間には信号電荷の転送を制御するトランスファゲート領域が配置されている。103は並列に転送されてきた垂直CCDレジスタ102の信号を、1ライン毎に出力部104へ読み出す水平CCDレジスタである。
図示していないが、各転送電極とも垂直CCDレジスタ102の部分では2つの異なる電位をもつように、2層ゲート構造、あるいは基板半導体の不純物制御を行っている。また、転送電極は光電変換素子101の垂直分離部を通して隣接する垂直CCDレジスタへ接続されている。また、トランスファゲート領域及び垂直CCDレジスタ102は、例えばAlのような光を通さない層で遮光されている。このように構成されているCCD撮像装置においては、光電変換素子101の実際の開口率は制限されている。
このようなCCDは、各受光部に入射する光を、フォトダイオードで光電変換して蓄積し、垂直転送CCDから水平転送CCDへと順次転送した後、出力部から電圧に変換して出力する。
このような固体撮像素子においては、フォトダイオード上にオンチップマイクロレンズを設けて、その焦点位置がフォトダイオードの受光部近傍にくるように、中間層の膜厚を設定する方法が主流になっている。しかしながら、画素寸法の縮小化に伴って、また、配線の多層化が進んで絶縁層の膜厚が大きくなるにつれて、画素の開口部とマイクロレンズとの位置合わせずれや、絞りを開いたときにおける光路ずれが、受光部の感度に与える影響が大きくなってきている。
近年、この問題を避けるための方法として、特許文献1や特許文献2において、光導波路を有する固体撮像素子が提案されている。これらは、マイクロレンズを通過した入射光の焦点を光導波路の光入射面近傍に設定し、光導波路によって光を効率的に受光部に導くようにしたものである。これにより、上記問題を解決すると共に、自由度の大きいマイクロレンズおよび平坦化層の設計が可能になるとされている。
特開平7−45805号公報
特開2002−118245号公報
上述した特許文献1や特許文献2の技術では、光導波路の側壁を、高反射率を有する薄膜で覆い、且つ、光導波路内をカラーフィルター材料で構成されている例が示されている。しかしながら、このような構成では作製する工数が多くなり、コストがアップするという問題点が生じる。
本発明は、このような従来技術の課題を解決する為に考えられたものであり、受光部の感度及び解像度を低下させることなく、低コストで作製できる固体撮像素子を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板上または半導体基板の表層部に設けた複数の受光部と、内部に配線を含むと共に該受光部上に光導波路を設けた絶縁層とを有する固体撮像素子において、該光導波路は柱状結晶構造で形成されている事を特徴とする。
また、マイクロレンズが該光導波路の直上に配置されている事を特徴とする。
また、前記柱状結晶構造で形成されている光導波路はヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする事を特徴とする。
また、前記ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする柱状結晶構造で形成されている光導波路は、カラーフィルターの機能を持つことを特徴とする。
また、前記柱状結晶構造であり、ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とするカラーフィルターで形成されている光導波路は、CsI及び顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として同時に蒸着する事により構成されることを特徴とする。
更に、前記複数の受光部は、フォトダイオードである事を特徴とする。
上記顔料は有機顔料(分子状材料)と無機顔料(結晶)に分類される。この有機顔料には、アゾ系、ポリアゾ系、アンスラキノン系、フタロシアニン系、ペリレン系等の顔料が含まれる。また、この無機顔料には、複合酸化物系、紺青、酸化クロム、酸化鉄等の顔料が含まれる。
また、上記のマイクロレンズの材質としては、SiO2、SiON、SiN、レジスト等が例示される。
本発明によれば、開口部へ入射した光は外側へ漏れることが無く、光のクロストークを発生させないので高い解像度をもつ固体撮像素子を得ることが可能となる。
また、本発明によれば、強度の強い光束を受光部導いて感度の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
また、本発明によれば、固体撮像素子の光導波路内の柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)を用いる事により、柱状管の直径を小さくできるため、より高い解像度をもつ固体撮像素子を得ることが可能となる。
また、本発明によれば、添加物を加えたCsIに加えて、カラーフィルター材料としてのR、G、Bの色を持つ顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として同時に蒸着する事により、光導波路用穴の内部に、R、G、B等の選択透光性を有するカラーフィルターの機能を兼用する柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)が埋め込まれる形態で、光導波路を構成する事により、受光部の感度及び解像度を低下させることなく、低コストでカラー固体撮像素子を提供することが可能となる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施形態1)
図1は、実施形態1の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、図1に示すように、複数の受光部2を形成した半導体基板1上に、絶縁層3が形成されている。この絶縁層3には図示しない配線が含まれており、通常、1層配線形成する毎に絶縁膜も1層増えるので、この絶縁層3は多層絶縁膜となっている。受光部2上には光導波路7が設けられている。光導波路7の内部には光を通す柱状結晶材料5が埋め込まれている。
図1は、実施形態1の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、図1に示すように、複数の受光部2を形成した半導体基板1上に、絶縁層3が形成されている。この絶縁層3には図示しない配線が含まれており、通常、1層配線形成する毎に絶縁膜も1層増えるので、この絶縁層3は多層絶縁膜となっている。受光部2上には光導波路7が設けられている。光導波路7の内部には光を通す柱状結晶材料5が埋め込まれている。
この固体撮像素子は、例えば以下のようにして作製される。まず、複数の受光部2を形成した半導体基板1上に、酸化物等からなる絶縁層3を形成する。次に、全面にレジスト膜を形成した後、受光部2上の少なくとも一部を開口させるように、フォトリソグラフィ法を用いてマスクパターン4を形成する。その後、RIE法等を用いて異方的にエッチングを行って開口部よりも下部の絶縁層3部分を除去し、光導波路用の穴7を形成する。
次に、レジスト膜(マスクパターン)4を除去する。ここで、膜厚の均一性および被覆性に優れたSiO2等の絶縁性薄膜を低温CVD法またはプラズマCVD法等により作製することもある。
その後、穴7内に光を通す柱状結晶材料5を埋め込んで、光導波路7を形成する。
本実施形態によれば、基本的に入射光が、光導波路7側壁での反射を経ずに柱状結晶材料5の内部を通って受光部2へ到達するので、強度の強い光束を受光部2に導いて感度の向上を図ることができる。又、柱状結晶材料5の一つの柱状管の直径は1〜5μm程度である為、開口部へ入射した光は外側へ漏れることが無く、光のクロストークを発生させないので高い解像度をもつ固体撮像素子を得ることが可能となる。
(実施形態2)
図2は、実施形態2の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、光導波路17の直上にオンチップマイクロレンズ16が形成され、レンズの焦点位置が光導波路17の内部に設定されている。
図2は、実施形態2の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、光導波路17の直上にオンチップマイクロレンズ16が形成され、レンズの焦点位置が光導波路17の内部に設定されている。
この固体撮像素子の製造においては、実施形態1と同様に光導波路穴17までを形成した後、穴17内に光を通す柱状結晶材料15を埋め込んで、光導波路17を形成する。その後は、オンチップマイクロレンズ16を、熱軟化性樹脂等を用いて形成する。
本実施形態によれば、マイクロレンズ16で集光された光が光導波路17側壁での反射を経ずに柱状結晶材料15の内部を通って受光部12へ到達するので、実施形態1の固体撮像素子よりも更に強度の強い光束を受光部12に導いて感度の向上を図ることができる。又、柱状結晶材料5の一つの柱状管の直径は1〜5μm程度である為、開口部へ入射した光は外側へ漏れることが無く、光のクロストークを発生させないので高い解像度を得ることが可能となる。
(実施形態3)
図3は、実施形態3の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子は、実施形態2で説明した固体撮像素子の光導波路内の柱状結晶材料がヨウ化セシウム(CsI)である事を特徴とする。
図3は、実施形態3の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子は、実施形態2で説明した固体撮像素子の光導波路内の柱状結晶材料がヨウ化セシウム(CsI)である事を特徴とする。
柱状結晶材料としてのヨウ化セシウム(CsI)の製造方法は以前から研究され、最近では、特開平6−36687に示されるように1μm以下の柱状管の製造が可能となっている。
ここでヨウ化セシウム(CsI)は一般にX線等の放射線を可視光等に変換する蛍光体として用いられるが、可視光を通す事が可能である為、本発明のような使い方が可能となる。
具体的な製造方法を簡単に以下に示す。
まず真空度としては、一般的には10−6Torr以下とし、また、基板温度は、室温程度に保つ。蒸着源には、添加物を加えたCsIを用いることができ、一般的にCsI膜の結晶に格子欠陥を生成させることのできる添加物が好適に使用される。これらの添加物としては広範囲の種類のものが使用でき、たとえば周期律表第I〜III族の金属、より具体的には、Na、K、Ta、Tl、Nb等の金属を使用することができる。その割合は適宜であって、1%以下、さらには0.1%以下の少量であってもよい。試料基板への蒸着に際しては、あらかじめ基板表面の100Å程度までの厚みを高速中性子粒子によるスパッタリング処理、プラズマボンバード処理等によって清浄化し、さらに金(Au)原子を数原子層の厚みで付着させておくことも有利である。これらの処理により、基板表面へのCsI膜の結晶成長はより均一となる。なお、加熱蒸着には、いわゆる真空蒸着とともに、気相成膜法としてのスパッタリング等の手段を用いることがある。
本実施形態のように、固体撮像素子の光導波路内の柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)を用いる事により、実施形態1及び実施形態2の固体撮像素子よりも更に柱状管の直径を小さくできるため、高い解像度を得ることが可能となる。
(実施形態4)
図4は、実施形態4の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、光導波路用穴37R、37G、37Bの内部に、R、G、B等の選択透光性を有するカラーフィルターの機能を兼用する柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)35R、35G、35Bが埋め込まれて光導波路37R、37G、37Bが構成されている。
図4は、実施形態4の固体撮像素子の製造工程を説明するための断面図である。この固体撮像素子では、光導波路用穴37R、37G、37Bの内部に、R、G、B等の選択透光性を有するカラーフィルターの機能を兼用する柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)35R、35G、35Bが埋め込まれて光導波路37R、37G、37Bが構成されている。
この固体撮像素子の製造においては、実施形態3と同様に、真空度としては、一般的には10−6Torr以下とし、また、基板温度は、室温程度に保つ。蒸着源には、添加物を加えたCsIを用いることができ、一般的にCsI膜の結晶に格子欠陥を生成させることのできる添加物が好適に使用される。これらの添加物としては広範囲の種類のものが使用でき、たとえば周期律表第I〜III族の金属、より具体的には、Na、K、Ta、Tl、Nb等の金属を使用することができる。その割合は適宜であって、1%以下、さらには0.1%以下の少量であってもよい。
このような添加物を加えたCsIに加えて、カラーフィルター材料としてのR、G、Bの色を持つ顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として同時に蒸着する事により、光導波路用穴37R、37G、37Bの内部に、R、G、B等の選択透光性を有するカラーフィルターの機能を兼用する柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)35R、35G、35Bが埋め込まれる形態で、光導波路37R、37G、37Bが構成される。
ここで、光導波路37Rは赤い色の顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として、CsIと同時に蒸着して作製されたものであり、赤色のカラーフィルター材料としての機能も有する事が可能となる。光導波路37G及び37Bも同様である。
本実施形態のように、添加物を加えたCsIに加えて、カラーフィルター材料としてのR、G、Bの色を持つ顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として同時に蒸着する事により、光導波路用穴37R、37G、37Bの内部に、R、G、B等の選択透光性を有するカラーフィルターの機能を兼用する柱状結晶材料としてヨウ化セシウム(CsI)35R、35G、35Bが埋め込まれる形態で、光導波路37R、37G、37Bを構成する事により、受光部の感度及び解像度を低下させることなく、低コストでカラー固体撮像素子を提供することが可能となる。
上記のような構成の固体撮像装置を構成する事により、受光部の感度及び解像度を低下させることなく、低コストで作製できるカラー固体撮像素子を提供することができ、産業上の利用価値が大きい。
1、11、21、31 半導体基板
2、12、22、32 受光部
3、13、23、33 絶縁層
4、14、24、34 レジスト膜
5、15、25、35 柱状結晶構造である材料
6、16、26、36 マイクロレンズ
7、17、27、37 光導波路
2、12、22、32 受光部
3、13、23、33 絶縁層
4、14、24、34 レジスト膜
5、15、25、35 柱状結晶構造である材料
6、16、26、36 マイクロレンズ
7、17、27、37 光導波路
Claims (6)
- 半導体基板上または半導体基板の表層部に設けた複数の受光部と、内部に配線を含むと共に該受光部上に光導波路を設けた絶縁層とを有する固体撮像素子において、該光導波路は柱状結晶構造で形成されている事を特徴とする固体撮像素子。
- マイクロレンズが前記柱状結晶構造で形成されている光導波路の直上に配置されている事を特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記柱状結晶構造で形成されている光導波路はヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする事を特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像素子。
- 前記ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とする柱状結晶構造で形成されている光導波路は、カラーフィルターの機能を持つことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記柱状結晶構造であり、ヨウ化セシウム(CsI)を主原料とするカラーフィルターで形成されている光導波路は、CsI及び顔料(結晶又は分子状材料)を蒸着源として蒸着する事により構成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記複数の受光部は、フォトダイオードである事を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像素子。
・
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330193A JP2005101090A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003330193A JP2005101090A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 固体撮像素子 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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JP2003330193A Pending JP2005101090A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005101090A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7522801B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
US7595217B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-29 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method of manufacturing a CMOS image sensor |
JP2009238517A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2012182433A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
-
2003
- 2003-09-22 JP JP2003330193A patent/JP2005101090A/ja active Pending
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US7522801B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
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JP2012182433A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
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