FI85460B - Foerfarande foer bildande av ett grundskikt pao en glasyta. - Google Patents
Foerfarande foer bildande av ett grundskikt pao en glasyta. Download PDFInfo
- Publication number
- FI85460B FI85460B FI875657A FI875657A FI85460B FI 85460 B FI85460 B FI 85460B FI 875657 A FI875657 A FI 875657A FI 875657 A FI875657 A FI 875657A FI 85460 B FI85460 B FI 85460B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- glass
- primer layer
- layer
- silane
- gas mixture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
1 85460
Menetelmä pohjustuskerroksen muodostamiseksi lasin pinnalle Tämä keksintö koskee päällysteitä ja erityisesti irisoinnin vähentämisessä ja alkalimetalli-ioneille herk-5 kien päällysteiden suojaamisessa tällaisten ionien kulkeutumiselta alla olevasta lasipinnasta käyttökelpoisten poh-justuskerrosten tuottamista.
GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 käsitellään ohuita läpinäkyviä infrapunasäteilyä heijastavia puolijohde-10 päällysteitä, jotka ovat käyttökelpoisia ikkunoiden eris-tysominaisuuksien parantamisessa ja, koska ovat sähköä johtavia, voivat toimia vastuskuumentimina, esimerkiksi jään tai tiivistyneen veden poistamiseksi ikkunoista. GB-patenttijulkaisun 2 031 756 mukaan tällaisten päällystei-15 den käyttöä on rajoittanut se seikka, että niissä esiintyy irisointivärejä, erityisesti heijastuneessa valossa; näitä irisointi-ilmiöitä pidetään yleisesti esteettisesti epätyydyttävinä, ja ongelmaa pahentaa irisointivärin vaihtelu, jota esiintyy päällysteen paksuuden vaihdellessa vähän, 20 GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 ehdotetaan irisointiongel- man ratkaisemista kerrostamalla sopiva irisointia vähentävä pohjustuskerros puolijohdepäällysteen alle ja suositellaan, edullisena pohjustuskerroksen muotona, kerrosta, - " jonka taitekerroin on alueella 1,7 - 1,8 ja paksuus 64 - : 25 80 nm. GB-patenttijulkaisun 2 031 756 mukaan pohjustusker- roksia voidaan tuottaa seostamalla rinnakkain sellainen komponenttien seos, jonka lasketaan saavan aikaan tarvittavan taitekertoimen, esimerkiksi seos, joka sisältää 84 + 3 % piinitridiä loppuosan ollessa piidioksidia ja 30 jota kutsutaan piiöksiriitridiksi .
Tällaisia piioksinitridikerroksia voidaan muodos-taa tekemällä kemikaalihöyrysaostus piilähteestä (esimerkiksi SiH4, (CH3)2SiH2, (C2H5)2SiH2, (CH^Si, SiCl4, *· *; SiBr4) , happilähteestä (esimerkiksi 02, H20, N20) ja typ- ‘3^ pilähteestä (esimerkiksi N2H4, NH^, HN^, CH3NHNH2, :*·*: (CH^) 2NNH2) tai yhdistetystä happi- ja typpi lähteestä 2 85460 (NO, NHLOH, N^H.H^O) kuumalle lasille lämpötilassa 500 - 600°C.
Vaikka vaaditaan sopivaa irisointia vähentävää pohjustuskerrosta, ei GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 5 ehdotettuja pohjustuskerroksia ole kuitenkaan käytetty merkittävässä määrin kaupallisesti. Tämä voi johtua vaikeuksista, joita esiintyy riittävän hyvälaatuisten ja sopivan paksuisten pohjustuskerrosten tuottamisessa tunnetuin menetelmin, erityisesti tarvittavasta pitkästä 10 saostusajasta.
GB-hakemusjulkaisussa 2 163 146 käsitellään sulku-päällysteiden muodostamista lasin pinnalle alkalimetalli-ionien estämiseksi kulkeutumasta alkalimetalli-ioneille herkkään päällä olevaan päällysteeseen, esimerkiksi in-15 diumtinaoksidipäällysteeseen. Siinä kuvataan läpinäkyvien sulkupäällysteiden, joilla on hyvät valonläpäisy- ja erinomaiset sulkuominaisuudet, valmistamista pyrolysoi-malla silaania kuumalla lasipinnalla lämpötilassa yli 600°C kaasumaisen elektroneja luovuttavan yhdisteen läsnä 20 ollessa; elektroneja luovuttavan yhdisteen läsnäolon on havaittu johtavan lasista peräisin olevan hapen tuloon osaksi päällystettä, jolloin lasin pinnalle muodostuu läpinäkyvä sulkupäällyste, jonka paksuus on korkeintaan * " 50 nm.
: 25 Elektroneja luovuttavat yhdisteet, joita voidaan käyttää GB-hakemusjulkaisun 2 163 146 mukaisessa menetel- : mässä, ovat yhdisteitä, jotka sisältävät, joko sidoksissa tai vapaina elektroneina, elektroneja, jotka voivat tulla : luovutetuiksi sopivien akseptorimolekyylien elektronira- 30 kenteeseen. Elektroneja luovuttavan yhdisteen käytön on havaittu johtavan lasista tulevan hapen liittymiseen si-läänin piihin, jolloin lasille muodostuu läpinäkyvä sulku-päällyste, Vaikka mekanismia ei ymmärretä, siihen otaksu-*. *: taan liittyvän elektroneja luovuttavan yhdisteen adsorboi- 35 tuminen lasin pinnalle. On edullista käyttää happea sisäl- tämätöntä elektroneja luovuttavaa yhdistettä, esimerkiksi 3 85460 etyleeniä, tai yhdistettä, jota yleensä pidetään pelkistävänä, vaikka se sisältääkin jonkin verran happea, esimerkiksi hiilimonoksidia ja alkoholeja.
Koska läpinäkyvät sulkupäällysteet voidaan valmis-5 taa vapaan hapen ja hapettimina yleensä pidettävien yhdisteiden poissa ollessa, sulkupäällysteitä voidaan levittää tasolasinauhalle tämän edetessä metallisulatekylvyn, jolla se muodostetaan, pinnalla ilman tarpeetonta metallisulat-teen hapettumisriskiä.
10 Samalla kun hapettoman elektroneja luovuttavan yhdisteen käyttö vähentää vaaraa, että silaani hapettuisi ennen lasipinnan saavuttamista ja että reagenssikaasu hapettaisi metallisulatekylvyn, jolla lasinauha kelluu, on lasista peräisin olevaa happea ikävä kyllä käytettävissä 15 liian vähän GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 suositeltujen paksuhkojen irisointia vähentävien pohjustuskerrosten muodostamiseksi. Vaikka voidaan tuottaa paksumpia kerroksia käyttämällä happea sisältäviä elektroneja luovuttavia yhdisteitä, on havaittu, että silaanin ja hiilidioksidin yh-20 distelmän käyttö johtaa joko kestävyydeltään huonoihin ohuisiin päällysteisiin tai, jos yritetään tehdä paksumpia päällysteitä, valkoiseen sameaan kerrokseen.
Kun yritetään tuottaa hyvin läpinäkyviä sulkupääl-; lysteitä (esimerkiksi sellaisia, joiden valonläpäisykyky 25 on korkeintaan 2 % heikompi kuin pohjalasin) käyttämällä GB-hakemusjulkaisun 2 163 146 mukaisesti silaanin ja etee-nin yhdistelmää, on päällysteiden sulkuominaisuuksien havaittu lisäksi olevan riittämättömän yhtenäisiä joihinkin käyttötarkoituksiin.
30 On olemassa tarve saada aikaan tasolasin tuotanto- linjalla toteutettavaan teolliseen tuotantoon soveltuva menetelmä GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 suositeltavan irisointia vähentävän pohjustuskerroksen valmistamiseksi. V*: On lisäksi olemassa tarve saada aikaan tasolasin tuotanto- *:*·: 35 linjalla toteutettavaan kaupalliseen tuotantoon soveltuva :*.·. menetelmä päällysteiden tuottamiseksi, jotka ovat tehok- 4 85460 kaita sulkuja alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista ja joiden läpinäkyvyys on erittäin hyvä.
Nyt on havaittu, että nämä tarpeet voidaan tyydyttää menetelmällä, jossa siläänin, etyleenisesti tyydyttymättö-5 män hiilivedyn ja hiilidioksidin kaasumaista seosta johdetaan kuumalle lasipinnalle, jolloin lasin pinnalle kerrostuu piitä ja happea sisältävä päällyste.
Tämän keksinnön mukaisesti tarjotaan käytettäväksi menetelmä käyttökelpoisen pohjustuskerroksen muodostamisek-10 si lasipinnalle, jossa menetelmässä johdetaan kuumalle lasipinnalle lämpötilassa 600 - 750°C silaanin, tyydyttymät-tömän hiilivety-yhdisteen ja hiilidioksidin kaasumaista seosta, jolloin lasin pinnalle muodostuu piitä ja happea sisältävä läpinäkyvä kerros.
15 Tämän keksinnön mukaisella menetelmällä valmiste tut pohjustuskerrokset toimivat sulkuina alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista ja ovat hyödyllisiä, kun pintakerros, joka on herkkä alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista, levitetään suoraan tai epäsuorasti pohjus-20 tuskerroksen päälle. Tämän keksinnön erään lisäpiirteen mukaisesti menetelmä sisältää lisäksi vaiheen, jossa levitetään kerros, joka on herkkä alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista, pohjustuskerrokselle.
Vähemmän irisoivan infrapunasäteitä heijastavan : 25 ja/tai sähköä johtavan päällysteen valmistamiseksi infrapu-nasäteilyä heijastava ja/tai sähköä johtava kerros muodostetaan pohjustuskerroksen päälle. Tämän keksinnön erään lisäpuolen mukaisesti menetelmä sisältää siten lisäksi vaiheen, jossa muodostetaan infrapunasäteilyä heijastava 30 ja/tai sähköä johtava kerros pohjustuskerroksen päälle.
Tämä pintakerros voi olla puolijohdemetallioksidia, esimerkiksi tinalla seostettua indiumoksidia tai seostettua tina-oksidia, erityisesti fluorilla seostettua tinaoksidia.
Sekä pohjustuskerros että pintakerros voidaan *:·*: 35 levittää tasolasille tämän tuotantolinjalla. Pintakerros :·*·_ voi tässä tapauksessa olla fluorilla seostettua tinaoksidia • · · 5 85460 joka kerrostetaan hajottamalla pyrolyyttisesti kiinteästä lähteestä (esimerkiksi GB-patenttijulkaisussa 2 156 386 kuvatulla tavalla), nestemäisestä lähteestä (esimerkiksi GB-patenttijulkaisussa 1 523 991 kuvatulla tavalla) tai 5 höyrylähteestä (esimerkiksi kaasumaisesta tina(IV)kloridista vesihöyryn ja vetyfluoridin läsnä ollessa). Hajotus voidaan tehdä lasinjäähdytysuunin sisääntulon kohdalla.
Kun päällystettä on määrä käyttää infrapunasätei-lyä heijastavana päällysteenä, on IR-säteilyä heijastavan 10 kerroksen paksuus yleensä alueella 200 - 500 nm. Paksumpiakin kerroksia, esimerkiksi 1 000 nm:iin asti, voidaan haluttaessa käyttää, mutta ne ovat yleensä tarpeettomia poh-justuskerroksen irisointia vähentävien ominaisuuksien vuoksi. Kun päällysteen on määrä johtaa sähkövirtaa, esimer-15 kiksi vastuskuumentimessa tai nestekidenäytössä, riippuu päällysteen paksuus tarvittavasta sähkönjohtokyvystä, mutta on tyypillisesti alueella 100 - 1 000 nm.
Silaani on edullisesti monosilaani (SiH4), vaikka muitakin, kaasumuodossa olevia substituoituja tai substi-20 tuoimattomia silaaneja, esimerkiksi dimetyylisilaania (CH^^SiH^ ja disilaania Si2Hg, voidaan haluttaessa käyttää.
Tyydyttymätön hiilivety voi olla etyleenisesti tyydyttymätön hiilivety-yhdiste, asetyleenisesti tyydytty-; mätön yhdiste (esimerkiksi asetyleeni) tai aromaattinen : 25 yhdiste (esimerkiksi tolueeni), vaikkakin yleensä on käte- : vintä käyttää ympäristön olosuhteissa kaasumaista tyydytty- : .·. mätöntä hiilivetyä. Tyydyttymätön hiilivety on edullisesti olefiini 2-4 hiiliatomia sisältävän olefiinin ollessa - - kätevä. Erityisen edullinen on eteeni.
30 Kaasuseoksessa läsnä olevien kaasukomponenttien suhteet ja kaasuseoksen virtausnopeus lasilla voidaan säätää sellaisiksi, että saadaan halutun paksuinen ja taite-kertoimeltaan haluttu pohjustuskerros.
;*.,j Hiilidioksidi toimii happilähteenä, niin että vaik- ____: 35 ka lasin pinnasta tulevaa happea on vain rajoitetusti käytettävissä, on helppo saavuttaa GB-patenttijulkaisussa 6 85460 2 031 756 kuvattuja läpinäkyviä kerroksia, joiden paksuus on jopa 80 run. Säätämällä läsnä olevien kaasukomponenttien suhteet sopiviksi voidaan lisäksi saada aikaan pohjustus-kerros, jonka taitekerroin on GB-patenttijulkaisussa 5 2 031 756 kuvattu, 1,7 - 1,8. Tämän keksinnön erään edul lisen puolen mukaisesti pohjustuskerroksen muodostamiseen käytettävässä kaasuseoksessa olevien kaasukomponenttien suhteet ja kaasuseoksen virtausnopeus kuuman lasin yli säädetään sellaiseksi, että saostuu pohjustuskerros, jonka 10 paksuus ja taitekerroin ovat sellaiset, että pohjustus-kerroksella päällystetyn lasin valonläpäisevvvs poikkeaa korkeintaan 2 % päällystämättömän lasin valonläpäisevyy-destä, ja joka muodostaa tehokkaan sulun alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista. Päällystetyn lasin valon-15 läpäisevyys poikkeaa edullisesti korkeintaan 1 % pohja-lasin valonläpäisevyydestä. Ilmauksella "tehokas sulku" tarkoitetaan sitä, että testattaessa tässä kuvattavalla menetelmällä pohjustuskerros päästää lävitseen korkeintaan 100 (edullisesti korkeintaan 60),ug natriumia Na~0:na 2 ! *· 20 ilmoitettuna dm :a kohden lasia.
Yleisesti ilmaistuna, mitä suurempi tyydyttämättömän hiilivedyn suhde silaaniin on, sitä ohuempia päällysteet ovat, ja sitä pienempi päällysteen taitekerroin on. On yleensä edullista käyttää tyydyttymättömän hiili--- 25 vedyn ja silaanin välistä tilavuussuhdetta 2:1 - 5:1, vaikka tämän alueen ulkopuolellakin olevia suhteita, esimerkiksi 1:1 - 8:1 (tai jopa suurempia), voidaan käyttää. Tyydyttymättömän hiilivedyn otaksutaan toimivan adsorboitumalla lasipintaan, niin että mitä voimakkaammin tyydyt-30 tymätön hiilivety adsorboituu lasille, sitä pienempää ·;*·; tyydyttymättömän hiilivedyn ja silaanin välistä suhdetta yleensä tarvitaan tietyn vaikutuksen aikaansaamiseksi.
/ _ Tilavuussuhde hiilidioksidi:silääni on edullisesti alueel- *· '·“ la 2:1 - 8:1, vaikka tämän alueen ulkopuolellakin olevia : ' 35 suhteita, esimerkiksi 1:1 - 20:1 (tai jopa suurempi), j‘-*; voidaan käyttää. Suurempia suhteita käytetään yleensä vain • « toimittaessa hyvin pienillä silaanipitoisuuksilla.
7 85460 Käytettävä kaasuseos sisältää yleensä inerttiä kantajakaasua, esimerkiksi typpeä, jonka osuus on esimerkiksi 10 - 90 til-% kaasuseoksessa.
Koostumukseltaan tietynlaisen kaasuseoksen koko-5 naisvirtausnopeuden kasvu johtaa, kuten on odotettavissa, pohjustuskerroksen paksuuden kasvuun. Sen on havaittu johtavan myös taitekertoimeltaan suurempaan pöhjustuskerrok-seen.
Lasin lämpötila on edullisesti 630 - 720°C.
10 Tämän keksinnön mukainen menetelmä helpottaa irisointia vähentävien pohjustuskerrosten ja pohjustus-kerrosten, jotka toimivat sulkuna alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle ja läpäisevät erittäin hyvin näkyvää valoa, on line -valmistusta. Koska käytettävät reagenssit eivät 15 ole voimakkaasti hapettavia, menetelmää voidaan lisäksi käyttää tasolasinauhalle sen edetessä metallisulatekyl-vyllä, jolla se muodostetaan, ilman tarpeetonta sulan metallin hapettumisriskiä.
Seuraavat esimerkit valaisevat, mutta eivät rajoita, 20 keksintöä. Esimerkeissä kaikki prosenttisuudet ovat tilavuusprosentteina, ellei toisin mainita, ja kaasun virtausnopeudet mitataan paineessa 69 kPa (10 psi) ja suunnilleen lämpötilassa 20°C. Pohjustuskerroksen taitekerroin ja paksuus lasketaan ohutkalvoteoriaa soveltaen pohjustuskerrok-; : 25 sen maksimiheijastuksen aallonpituudesta ja suuruudesta.
: : Päällystetyn lasin valonläpäisevyys ilmoitetaan dT-arvona, | joka on pohjustuskerroksella päällystetyn lasin prosentu aalisen valonläpäisyn ja päällystämättömän lasin prosentu-aalisen valonläpäisyn erotus. Pohjustuskerrosten tehokkuus 30 sulkukerroksina alkalimetalli-ionien kulkeutumista vastaan määritettiin seuraavalla menettelyllä: Kaksi päällystettyä lasinäytettä, jotka molemmat olivat neliöitä, joiden sivun **[ ‘ pituus oli 10 an, kiinnitettiin yhteen siten, että niiden välissä oli renkaan muotoinen silikonikumitiiviste, jonka 35 sisäläpimitta oli 8,5 an, jolloin muodostui sylinterimäinen kenno, jota rajoittivat päällystetyt lasipinnat ja sili- * · 8 85460 konikumirenkaan sisäpinta. Kenno täytettiin deionisoidulla vedellä kumirenkaassa olevan reiän kautta, suljettiin reikä, ja suljettu kenno upotettiin 48 tunniksi vesihauteeseen, jonka lämpötila oli 96°C. Liuos poistettiin, ja 5 siitä analysoitiin natrium liekkiemissiospektroskopialla. Määritettiin uuttunut natrium, ja se ilmoitettiin mikro-grammoina Na20:a dm :a kohden kennossa olleen veden vaikutuksen alaista lasipintaa.
Esimerkki 1 10 6 mm:n paksuinen tasolasinauha, joka eteni uunissa nopeudella 322 m/h, päällystettiin pohjustuskerroksella johtamalla kaasuseosta lasin yläpintaan lasin edetessä su-latekylvyllä kohdassa, jossa lasin lämpötila oli noin 645°C. Kaasuseos sisälsi 11 % monosilaania, 23 % eteeniä, 15 23 % hiilidioksidia ja kantajakaasuna 44 % typpeä. Kaasu- seos saatettiin virtaamaan yhdensuuntaisesti lasin pinnan kanssa lasin kulkusuuntaan laminaarisissa virtausolosuhteissa käyttämällä GB-patenttijulkaisussa 1 507 966 kuvattua laitetta, jota muunnettiin siten, että kaasuseoksen 20 kulkema matka lasin pinnalla kasvoi noin 0,2 m:ksi. Kaasu-seoksen virtausnopeus oli 22 1/min 1 m:ä kohden päällystettyä leveyttä.
Lasin pinnalle muodostui kirkas, suurin piirtein j . sameudesta vapaa pöhjustuskerros, jonka paksuus oli 76,1 nm 25 ja taitekerroin 1,77.
/·; Esimerkit 2 ja 3 : Toistettiin esimerkin 1 mukainen menettely käyttä mällä suurempaa eteenin ja hiilidioksidin välistä virtaus-suhdetta. Tämä johti muodostuneen kerroksen paksuuden ja 30 taitekertoimen pieneen alenemiseen. Käytetyt olosuhteet ja ·:1: saadut tulokset esitetään taulukossa 1, jossa esitetään vertailua varten vastaavat yksityiskohdat esimerkille 1.
.1 . Esimerkit 4-8 *· · Esimerkin 1 mukainen menettely toistettiin käyttä- 35 mällä erilaisia kaasuseoksia ja vaihtelemalla eteenin ja hiilidioksidin välistä suhdetta pitäen sekä monosilaanin • · · • · 1 · 9 85460 suhde eteenin ja hiilidioksidin yhteismäärään että kaasun kokonaisvirtausnopeus vakioina. Käytetyt olosuhteet ja saadut tulokset esitetään taulukossa 2.
Suuren eteeni-silaanisuhteen käyttö, kuten esimer-5 keissä 4 ja 5, johtaa hyvin ohueen pohjustuskerrokseen (alle 55 nm). Eteeni-silaanisuhteen pienentäminen ja hii-lidioksidi-silaanisuhteen suurentaminen johtaa aluksi pohjustuskerroksen paksuuden kasvuun (esimerkit 6 ja 7), mutta pohjustuskerroksen paksuus pienenee, kun hiilidiok-10 sidi-silaanisuhde kasvaa arvoon 8:1.
Esimerkit 9-13
Toistettiin esimerkin 1 mukainen menettely käyttämällä kaasuseosta, joka sisälsi 10 % monosilaania, 25 % eteeniä, 25 % hiilidioksidia ja 40 % typpeä, ja erilaisia 15 kokonaisvirtausnopeuksia. Tulokset esitetään taulukossa 3 (esimerkit 9 - 11). Havaitaan, että pohjustuskerroksen paksuus ja taitekerroin kasvavat kokonaisvirtausnopeuden kasvaessa.
Toistettiin esimerkin 9 mukainen menettely käyttä-20 mällä samoja silaanin, eteenin ja hiilidioksidin virtausnopeuksia, mutta suurentaen typen virtausnopeutta. Käytetyt virtausnopeudet ja tuotettujen pohjustuskerrosten ominaisuudet esitetään taulukossa 3 (esimerkit 9, 12 ja 13).
; . Havaittiin, että typpivirtauksen kasvaessa pohjustuskerrok- : 25 sen paksuus aleni, samalla kun sen taitekerroin kasvoi.
Esimerkit 14 - 19 : Näissä esimerkeissä, jotka toteutettiin samalla : 1· tavalla kuin esimerkki 1, valmistettiin pohjustuskerroksia ::: 6 mm:n paksuiselle tasolasille taulukossa 4 esitetyissä 30 olosuhteissa ja havaittiin, että niiden taitekertoimet ja paksuudet olivat mainitussa taulukossa esitetyt. Tasolasi-nauhalle kerrostettiin sitten fluorilla seostettuja tina- • ^ oksidikerroksia pohjustuskerroksen päälle lasinauhan tul- • · · '· "· lessa uuniin tekemällä kemikaalihöyrysaostus tina(IV)klo- : 35 ridin, veden ja vetyfluoridin kaasumaisesta seoksesta.
• 1 · • m 1 » 10 85460
Mitattiin tinaoksidikerrosten paksuudet, määritettiin lasin päällystetystä puolesta heijastuneen valon värikoor-dinaatit. (C.I.E. Illuminant C) ja, esimerkkien 14 - 17 ollessa kyseessä, verrattiin niitä samanlaisista fluorilla 5 seostetuista tinaoksidipäällysteistä, joiden alla ei ollut pohjustuskerrosta, heijastuneen valon värikoordinaatteihin. (Värikoordinaattien käyttöä värien määrittelemiseen kuvaa R. S. Hunter teoksessa The Measurement of Appearances, John Wiley & Sons, 1975.) Saadut tulokset esitetään taulukossa 5. 10 Havaittaneen, että pohjustuskerrokset vaikuttavat tinaoksidikerrosten heijastusväriä vaimentavasti.
Esimerkit 20-23
Toistettiin esimerkin 1 mukainen menettely käyttämällä kaasuseosta, joka sisälsi 10 % silaania, 20 % etee-15 niä, 30 % hiilidioksidia ja 40 % typpeä ja jota syötetään nopeudella 50 1/min 1 m:ä kohden päällystetyn lasin leveyttä 2,1 mm:n paksuiselle lasinauhalle, joka eteni uunissa nopeudella 1130 m/h. Kaasuseosta syötettiin lasille kohdassa, jossa lasin lämpötila oli noin 645°C.
20 Lasin havaittiin peittyvän kerroksella, jonka läpi näkyvyys oli hyvä; päällystetyn lasin valonläpäisykyky oli vain 1,1 % pienempi kuin päällystämättömän lasin. Kerroksen tehokkuudeksi sulkuna alkalimetalli-ionien kulkeutumis-. . ta vastaan mitattiin 90 ^ug Na20:a/dm lasia (katso edellä).
“V 25 Menettely toistettiin käyttämällä erilaisia kaasu- koostumuksia ja 6 ja 4 mm:n paksuisia laseja. Lasin lämpö-: · tila päällystyskohdassa, lasinauhan etenemisnopeus uunissa, : ” käytetty kaasukoostumus ja virtausnopeus samoin kuin pääl- lystetyn tuotteen ominaisuudet annetaan taulukossa 6. Ver-30 rattaessa esimerkkejä 21 ja 22 havaitaan, että lasin lämpö- *:*·: tilan ja silaanipitoisuuden kohoaminen ja eteenin ja hiili- dioksidin suhteiden silaaniin pieneneminen riittivät enem- . män kuin kompensoimaan kaasuvirtauksen pienenemisen (55:stä • · · ’* “* 24 1/min m;iin) , niin että esimerkissä 22 muodostunut pääl- 35 lyste oli kaksi kertaa niin paksu kuin esimerkin 21 mukai- :*·*: nen päällyste. Kaikkien päällysteiden sulkuominaisuudet 11 85460 olivat hyvät, mutta esimerkin 22 mukaisen päällysteen valonläpäisykyky oli suurin (suhteessa päällystämättömän lasin valonläpäisykykyyn).
Esimerkit 24-30 5 Nämä esimerkit valaisevat buteenin käyttöä tyydytty- mättömänä hiilivetynä yhdessä silaanin ja hiilidioksidin kanssa tämän keksinnön mukaisten väriä vähentävien pohjus-tuskerrosten ja sulkukerrosten valmistamiseen. Esimerkit toteutetaan esimerkin 1 mukaista menettelyä noudattamalla, 10 mutta päällystämällä vain kapea lasikaistale nauhan reunasta. Lasi oli 6 mm:n paksuista, se eteni nopeudella 360 m/h ja päällystettiin kohdassa, jossa sen lämpötila oli 685°C. Käytetyt olosuhteet, kaasukoostumus ja kaasun virtausnopeudet sekä valmistettujen pohjustuskerrosten ominaisuudet 15 esitetään taulukossa 7.
Esimerkeissä 25 - 27 tuotettiin tyydyttäviä väriä vähentäviä kerroksia, joiden paksuus oli 60 - 80 nm ja taitekerroin 1,6 - 1,8 (esimerkissä 24 arvot olivat juuri ja juuri näiden alueiden ulkopuolella). Esimerkit 28 - 30, 20 jotka toteutettiin käyttämällä pienempiä kaasun virtausno peuksia, johtivat ohuempiin päällysteisiin, joiden sulku-ominaisuudet olivat erinomaiset päällystetyn lasin valonläpäisykyvyn ollessa lähellä päällystämättömän lasin vas-• " taavaa arvoa. Verrattaessa esimerkkejä 24 - 30 aiempiin : 25 esimerkkeihin havaittaneen, että ilmeisesti vaadittiin kaa-sun suurempaa kokonaisvirtausta saman paksuisten kerrosten : : j tuottamiseen. Tämän otaksutaan johtuvan ainakin osittain siitä, että esimerkkien 24 - 30 mukainen menetelmä toteu-tettiin käyttämällä kapeampaa lasikaistaletta, jolloin 30 kaasua pääsi merkittävästi karkaamaan päällystettävän kais-taleen reunoilta.
... Esimerkit 31 - 36
Paikallaan olevia tasolasinäytteitä (paksuus 3 mm, 10 x 10 cm) päällystettiin laboratoriossa kuumentamalla "*: 35 lasi piidioksidiputkiuunissa lämpötilaan noin 650°C ja joh-.’· tantalla kuumalle lasipinnalle päällystyskaasua, joka oli i2 8 5 460 siläänin, hiilidioksidin, tyydyttymättömän hiilivedyn ja typen seos. Käytetyt kaasukoostumukset ja käsittelyajat esitetään taulukossa 8, samoin tulokset, joita saatiin mitattaessa päällystettyjen tuotteiden valonläpäisykyky ja 5 sulkuominaisuudet. Kullakin käytetyllä tyydyttymättömällä hiilivetykaasulla saatiin aikaan hyvät sulkuominaisuudet ja hyvä läpinäkyvyys (poikkeaa korkeintaan 1 % päällystämättömän lasin läpinäkyvyydestä).
Esimerkit 37 - 40 10 Toistettiin esimerkin 1 mukainen menettely käyttä mällä kaasuscosta, joka sisälsi silaania, eteeniä ja hiilidioksidia typessä, 2 mm:n tasolasin, joka eteni uunissa nopeudella 1 100 m/h, päällystämiseen.
Mitattiin lasin valonläpäisykyky ja verrattiin 15 sitä päällystämättömän lasin valonläpäisykykyyn, jolloin saatiin erotus dT, ja lasin sulkuominaisuudet mitattiin edellä kuvatulla tavalla. Päällysteiden paksuus oli liian pieni mitattavaksi edellä kuvatulla optisella menetelmällä, ja mittaus tehtiin argonionisyövytysmenetelmällä.
20 Päällystysolosuhteet ja saadut tulokset esitetään taulukossa 9.
Esimerkit 37 - 40 valaisevat sellaisten sulkukerros-ten valmistamista, että päällystetyn lasin valonläpäisykyky • " poikkeaa korkeintaan 1,5 % päällystämättömän lasin valon- : 25 läpäisykyvystä (dT). Viimeisenä oleva vertai lues imerkki osoittaa, että hiilidioksidin poissa ollessa valonläpäisykyky on merkittävästi pienempi (dT = 2,3 %), vaikka pohjus-·.. tuskerros on itse asiassa ohuempi kuin esimerkeissä 38 ja rY; 40 valmistetut. Esimerkkien 37 ja 38 vertaaminen osoittaa, 30 että seostusaineiden (eteenin ja hiilidioksidin) ja silaa- ____; nin välisen suhteen suurentaminen on pienentänyt pöhjustus- ... kerroksen paksuutta, jolloin valonläpäisykyky on kasvanut mutta sulkuominaisuudet heikentyneet. Seostusaineiden ja Y-j silaaninvälisen suhteen vähäinen pienentäminen (vertaa esi- :**: 35 merkkejä 37 ja 19) on heikentänyt valonläpäisykykyä paksuu-den ja sulkuominaisuuksien muuttumatta. Eteenin määrän 13 85460 vähentäminen ja hiilidioksidimäärän oleellinen suurentaminen (esimerkki 40), johtaa paksuuden pienenemiseen ja valonläpäisykyvyn paranemiseen, mutta samalla sulkuominai-suuksien oleelliseen heikkenemiseen.
5 Edellä esitetyt esimerkit osoittavat, että sääte lemällä tämän keksinnön mukaisessa menetelmässä käytettävässä kaasuseoksessa olevien kaasukomponenttien suhteita ja kaasuseoksen virtausnopeutta kuumalla lasipinnalla voidaan valmistaa paksuudeltaan ja taitekertoimeltaan halutun 10 kaltaisia pohjustuskerroksia. Siten keksinnön mukainen menetelmä ei ole käyttökelpoinen pelkästään GB-patenttijulkaisussa 2 031 756 kuvatun kaltaisten väriä heikentävien pohjustuskerrosten valmistukseen, vaan sillä voidaan valmistaa myös muita alalla tunnettuja väriä vähentäviä poh-15 justuskerroksia samoin kuin läpinäkyvyydeltään hyviä pohjustuskerroksia, jotka ovat hyödyllisiä sulkuominaisuuksiensa ansiosta.
14 85460
οι I
P M 01 ,— Η ΓΝ Ό Ρ (U <Τ (Τ> Ου οι a ·»»**. s οι*'·'··» χ 3 voron οι οι — -,μ -η cm οο «λ en (ö — rs fs c» ο ϋ E +j ui <— ·— ·η> oft ρ <? c a Μ ρ κ ft ^ on μ <u > α> M -Ρ λ
χ οι ι ρ +J
ΜΙ 3 Ρ .G -Ρ ρ m -Ρ ω ο <β +j αι μ χ 4-) tn χ rs ο η 3<ϋ g ή >ϊ β Μ ρ Q} fs fs so ·ι~ι +J C 3 a νΟ νΟ 00 -π +J C ~ *> ·. Λ ·Η ·γ4 ·Η ·* *ν h ·Η ·Η ·—1 ι—* ·“”1 Ο <0 Ο ·Η ·Η ·“*·*< ·^ 0(00 ft Η Ρ ι3 ·Ρ ft Η Ρ ”β 3 S Ο) Ό G Ό
§ ?.·§ 3 SO
I e ° S £ ^ * ~~ Η ^ 2 ρνίνοσ» -η·>13 λ ιλ ιλ m ιλ £ £ £ CM CM CM >GP <Γ 'J 'J «J vr P -rl >, 3 ·Η >1 M S oi m S O) <0 < 5 2 \ > Ö rH U «Tl Ή Q) v^J '— f-H « ^ Ή
<T rv n s N ^ S N
2°4 sr n n 2 cm cm «m es cm * Ξ > rn^« Cl oo O' 01CN n cm n -y m 2j cm cm cm 2 q rs cm n -y n
rH S U CM | O
0 3 o -p 5 S «. n 00 O' 3$ ο-τΓ1, n sr n cm n 1 g a* ™ ~ ~ 3 8 cm nsrncM-s
H Ä CM rP M O
PO 3
(0 G «JS
t· 3 ^ 5 *2 —^ ^ O' 00 J5 g?* "3 - a§ h • «S u u u •-J υ u u υ υ
• · I—I O O O >r^ O O β O P
l * ‘ fö mmm ^ o o O o O
*·- · c h ^ <y 5¾ m ro en m m
* ·ΗΉ v0 sO vO Ή 0* vO vO vO O
• : · m +j ; s . M ft j Ή a · · 1 λ . .. o o
• β irt G nJ
. . 01 M
: * - β M G 01 . . 3 tm 3 -h •G G CM CM CM -SS vO Ό Ό Ό Ό
03 CM 04 OJ 3 3 ON 0> ON σ\ ON
(Ti 0 non ^ 3 N M N N <s ....: S m H S m λ - · dl 3 \ 1» 3 \ is ai s «j a» a „···. ι-J ft ^ v-4 ft “ : --—^-- 34 ·* . . 34 34
• · · M P
*. *: φ S
, a f—* cm n θ Μ Ό Ό is 00 ”*** M w M__ M__ • · · • · Ψ k a • · m » · • · i5 85460 0) 3 O O on m oo oo 0) C/) -—1 ^ k ^
0MB Ό <-< CV h vO
k IQ C ^ 00 00 N VO
M ft w ω
M
(A I
o u 4J 0) rn P oj en o sr o% -31 •n+JC o NO P·^ >o Γ- X Ή -H — ** -1 ** T1 0(00 pH ^
O, En H
G
(V
G Ό UI '· SZ GEO io .1
JJ .-H
•H ^ 2 o-jonvo
£ g £J (N M n N N
3 -H >1 in E a) (0 \ > (ö —i <u
* ^ rH
O O O oo -a·
*J «T "ϊ lO
CM
2:
dP
Λ ιΛ »Λ CV C>
tn CS N M N OJ H
« i 8 o 5 ·1 o irT3' un m m es en
·1 §104 CS <N CS CS hS
H 1 U
3 C
(0 3 0H (0 ^
2 5 O O O en CO
>2 en ·1 ·-> 1-< (0
•j ϋ U O O U
Ό 0 0 0 0 0
_ -H O O O O O
_' _ G jO VJ- ^ <T <J·
* ’ . Ή Q< tft ίn tO iO vO
... - m e (0 ‘!3
: ; ; a -I
: ; : i .... 0 ;·. G (0 . .. en e in m -h ” G G H H rl 3 3 en n m m co fl 3 en m m en m C ~ •rt (H £
M 3 N
____: «o <u e - : h3 Oi ’— —oq-- : : : .1 je
. M
. . 0) oi o —> es en
* 1 1 E pH pH pH pH
"I ή . « ....: M__ · · 85460 to 3
3 m o o o r- O
to to Λ rv K *. «-o K K
OJ4E o®oomrv<
P <0 C N ® « Is VO >C
PO.·— cu λ: CO I 3 M U O)
(0 M
3 CU ___________________ •n 4-1 C OI H H Ifl N rs .C-H-H \0 rs rs \0 fs rs 0 <0 o ,—,
Ct h Cc r-4 ψ—< r—t *—i tfl
O
M
— M
e <u
CU X
CO P CO —<
CO · .C Tl 3 XI O H Oc H
3E0 -P -P -e N I + ia x ro to -f- i u h m 3 P iccj >Λ C -ro
H s p — _ Ή A
s r 4j cO H i-4 r-( 00 sO 'OO
p -H >i H {N M N n H M (¾ (flpQ) o fd ^ O σ' Ό <a\> O C 71 Τ' I + <vs ·—t oi x <3 i + >4 ^ rp -Ha P <-1 lie) ·γΗ > — r*. m ιλ <r on © —— - <N >J *J fO N 'i 2 ^ jj dP iO « « N N Ό ^ <NJ O' 1"< νΠ lj *s ·*» k· ·» CN CN| <N CM CM ΓΟ CM frtO O N sf pH N *-< 38 s ++++++
g -H
P »rt P n ·ί >t ot h m tj •533 m N M N M M m n cm ιλ h v ® n d O CM O — .s
Q U o S m CM H o CM o O
O * + I I + I + o s 3 «o 3 5i Mf d > 3 cd 33 3 nj io-p os oo oo as σ\ o e!; fcM V4 to ·— o* g
2-B
p cu co X 3 3 w o o o o o o 1 .SS m o cn ιλ m m S ronncMion
<s υυυυυυ SS
r-H o o o o o o n . «e OOOOOO Se ·. G Ή 1Λ 1Λ ΙΛ m CU 00 h !Π ** -H ·Ρ vO Ό vO Ό Ό Ό XjS, • CO P ^ w : :‘: 3 % ~
X
... X
I H ιη»ο S » Oi
. . Q ö H H H H H
... e oj g S 3 U__ -- A g oooooo
" 33 sOvOtOvOvOvO
- - Λ 3 m m m m m m . t * ö
•H CO JC
10 3 \
3 &S
v. -- : : • · · >»< : ; .* ω -^tnor^ooc' • p pH ^ pH M H ^
• -H
• · </) : *.: JLö__—- • · • · · · » · · · i7 85460 οι"' <Ν Ο cvC. ΌΟη ο \ «g' 04 ° <τ <r co 2 5 2-5 Η Η Ν Π CM «Ν Λ Ρ Λ 'ο # ° νΟ AT «Τ ΙΑ ι~1 00 Art
Ej ^ ^ ·ν ν ν W όΛ'γ^ιο^ΤΙΠΟΟΟ 2 ν MW νΟ Ο φ g ω M n S W 3 3 Λ* G O tn ΟΝ Ο Α ·ί
Pra—' Μ ^ ε ΙΓΜΟ Ό νβ
«0. Μ G C
3 φ ft •r ι .CG n O I -rl _ 3
Λ Φ O „ *0 _ PC
PM Ό Ό Ό tn I -H
•P P ~ J'J' 3 Φ O
G Φ ·η P M cm O en O1
E·· * Λ -M M oo n lv N
O ιϋ Q) ^ »- — ^ ^ H Λ Art —rt 1—4 i-rt
W P
3 >1 G Φ -O —
P > C G
M φ Φ W Φ •H rH Ό _ 3 Ό
> -S C § 4A cm «M 5 ” O
$A** .Sa*
W r-l «0 ^ rH *G
«ö — ·—< P P m m o co< ^ o G G G P tv s oo vo n ιλ >i « 3 -h >i io 8 CL) AI 4A (rt G \ > 2°1 ^ S «n g ~ “ iO ιΛ ιΛ u*l
<#> CM inraS r~ «N ιΛ Π O <*WO M O
_ “ Q z «M CM CM CM CM CM CM
S o o —
Il ää £ p a 3 ^ n in n n m irt W 3 (rt 00 'P W <N A A A A A A rt 2 P "tf iviNCM 3 30 <r in γά m m m γα
5 tn S3 (0 gcj CACACACACACACA
O cm ή 3
O U P
Λ tn ^ O00 ^ n m n n to ia C OtC rt IA rt rt rt rt rt 3 Λί^* <τ m n» m ia ia B> G· (O 03 rt u m to n to to (O to
G ffl ^ G
te -H 3 M to to G* G W n ον o θ' θ' ov o G -H a A rt rt rt rt rt tn j2m φ ia ia ia ia ia ia 3 G 3 •H tn λ \o νβ <r
. . tn M S
... n) 4 S
;.: : J ft" ::: G>ö υυουαυα --- n n U -rtOite βββββββ
I ooo ffl 0 H IA IA lA IA IA IA IA
;;; g !0 ooo ιβκο·Η ooooooooooooeo
.... -rl o, « lAPrtOv J H P vO O vO vO vO vO vO
tOSrrt vO vO vO
G *4 *H
; -- m P , rtA
O A
ΰ 'a g g ~ G tn o S m ooooooo
G 3 W ~ OOO -rt rt VOOOOVOOO
Λ (I) M G O CO IA 3 a n AA AA AA
3 o § a ^ οιη zft 2C3~ --
. . . —^--M
’*2 M
• * M Φ ^ ,Λ Ό V 00 ΟΌ
: ',; φ rt N A S N N ts N N N A
• - S CM CM «N P
. ·Η W
a _ ^-- ie 85460
CN
oo η η η η λ 0\ ^ —1 ^ P P β ,
.mg' » «1 H
J E (O +J >i 2 “ <u p ,* to a) ϋ p o - 4-1 0) ti m
OONHvO-ίΝ S S S
e. ^ ^ ^ s 3 to <n S dP NOOOOO S ΰ “ VV ιβ <u #
X P I
O O
(0 LT> •n ifl •U Ή
I * OT H
U) Ή O) 3 >ι Οι 0) 4-1
P «0 G
m tn ιλιαιποιλο >—o -h -h
>i " n rt -j n n n oj CU
rH C Qd Qj -4 <0 Pi C >i «o *: ό >14-i
«0 -H (UM
CU <0 > !M HO
h O > P xl «0 •H 4-1 H it) ύ "β CM O Ό Ό Ό u"t .C P 0) (U UI 4-1 CU m o> < 4 rt Ό G P Ό
Pt dP CO CO vO sO Ό Ό »0 U >i £ι Θ <U 10
3 § -M
P 3 CU
KtJ 4-· «O
Θ -4 ΪΜ C
rt, P 0) G
CO P <U >i ^ ' >» P Ό
O X — Ό (0 <U
X O # m « n (rt
a Ή **··«.*»» ««.m* ·« ^ g »H
3 Ό oo sr h h ifi et P i—)
H M 0) rt rt N N G -H
3 »M *rt G *n *H
«J P Ό (U P G
f4 MP (Op «to p p c
«O 0) <U
fX w tO Ή •H -H « « * P (0 “β G G >o n) «o 4· tn p a « ® p ρ p « a> o;
a> a> c g g p c«dP
P P <U <U 0) G MlO
. · >* >i 0) O) 0) 0) Ι(β«0 0)
I PP33P0) 0) «O G
:.. ip αιαίΡΡΛΡ cua ·· κι η to tn ο ο α> .* cu “·· Βρ iflnjPPÄO Sew
**"· >1 P I 4-> ?( P
-·- 4-) X M M H M M N _ Ό P rt ot Φ ot to to 5 J '
- » pt 1(0 ΙΙΌ P>dP
::: ό p >i n n n n ^ n p p ^ · :..: >iGP mopoko £>o o) a p in p
. . μ p > i(0 P P
*· ^ P Λ G >t
P O M
>0 C >i :.: to >i mj a) «o p o s u ί G iO J3 >t
(0 C P 3 P
as P P to <U
• P <#> P ‘g >< > ·:*·: S p &:o p
O CMCMOOPP PP^P
: i 5 $ C * —--s δ § * *·/·: 3 > 41 « *
3 C p P
;· M H IS rt ^ rt rt 2 5 P 2 0) n rrt rrt rrt η (Λ 2 5, 7, t,
a (0 0) CU W
* p (0 P 3 «β
In o jo p • · ω ^___ 4c • * · • · • · · 19 85460 -- ο \ O N o o o
CNJ tJi CS 'ϋ N O N
m a v v ^ v 2 ~ tr» σ\ cm m cm n p K ·» «S K.
•a o o ^h o cn tn e d <D P tn tn tn Λί 3 3 0 3 •n H 10 .-.
£ U M B
0 a) n) 3 & m a — e
QJ
Ό tn e Λ 3 ·· 0 <0 S -¾
P
H «H '<d n O ·! N N
•h P \o r». tr» o *r» > G P ^ 3 P >t «aa) id \ >
Id <-* (1) * “ p o o o o o
K K ·». N
^ σ' <r tr» <r vo 2 n n ί h <r
C· r·. r» O O
σ> ^ O tr» oo es o o
O CM CM CM CO
o tn M 3
3 Rrt. - - O O O
fH -P N* ^ »V N
3 WEB IA 00 CM CM CM
id O <N CM CM CM ~T
EH O U
Λί
Cm* im \o -h o oo 3 ® s. »s »s. ·»· *»
(/] Ή ON Q0 ^ «ί H
(ti e/) H H
(ti . »4 : - - i ··· · e to a u u a cj • -rl Q| (0 o o o o e Z Z Z m S H ιλ in m «n m • * * frt «(g Ή ιΛ ιΛ ιΛ ·Λ (Λ • « w Ή -Ρ νΟ νΟ Ό Ό 1 0) ... Ο ·Η :·.·. c§s ... G 3 \ ΟΟΟΟΟ • · 3 8 ΟΟΟΟΟ ^ tl) ' *Η f—4 ^
3 3 H H H H H
id Φ id . 2 Λ tn • . "~|tf "' " ~ I tn ä 3ä : : : h -pm
• tl) IVCOOO λ S
• B m cd cd sr p a
• -,H HP
... tn tu tn • · m _> <n
Claims (9)
1. Menetelmä pohjustuskerroksen muodostamiseksi lasin pinnalle, tunnettu siitä, että johdetaan 5 kuumalle lasipinnalle lämpötilassa 600 - 750°C silaanin, tyydyttymättömän hiilivedyn ja hiilidioksidin kaasumaista seosta, jolloin lasin pinnalle saostuu läpinäkyvä piitä ja happea sisältävä kerros.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, 10 tunnettu siitä, että pohjustuskerrokselle levitetään lisäksi kerros, joka on herkkä alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustuskerrokselle muodos- 15 tetaan lisäksi infrapunasäteilyä heijastava ja/tai sähköä johtava kerros.
4. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustuskerroksen saostamisessa käytettävä tyydyttymätön hiili- 20 vety-yhdiste on olefiini, joka sisältää 2-4 hiiliatomia.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tyydyttymätön hiilivety-yhdiste on eteeni.
6. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mu kainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustuskerroksen saostamiseen käytettävässä kaasuseoksessa olevien kaasukomponenttien osuudet ja kaasuseoksen virtausnopeus kuumalla lasipinnalla säädetään siten, että saos- 30 tuu pöh j us tusker ros, jonka paksuus on 60 - 80 nm ja taitekerroin 1,6 - 1,8.
7. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mu-• kainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustus- kerroksen saostamiseen käytettävässä kaasuseoksessa ole- 35 vien kaasukomponenttien osuudet ja kaasuseoksen virtaus- 2i 85460 nopeus kuumalla lasipinnalla säädetään siten, että saostuu pöhjustuskerros, jonka paksuus ja taitekerroin ovat sellaiset, että pohjustuskerroksella päällystetyn lasin valonläpäisykyky poikkeaa korkeintaan 2 % päällystämättö-5 män lasin valonläpäisykyvystä, ja joka toimii tehokkaana sulkuna alkalimetalli-ionien kulkeutumiselle lasista.
8. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustus-kerroksen saostamiseen käytettävässä kaasuseoksessa tyy- 10 dyttymättömän hiilivedyn tilavuussuhde silaaniin on alueella 2:1 - 5:1.
9. Minkä tahansa edeltävän patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pohjustus-kerroksen saostamiseen käytettävässä kaasuseoksessa hii- 15 lidioksidin tilavuussuhde silaaniin on alueella 2:1 - 8:1. 22 8 5 4 6 O
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8630918 | 1986-12-24 | ||
GB868630918A GB8630918D0 (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Coatings on glass |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI875657A0 FI875657A0 (fi) | 1987-12-22 |
FI875657A FI875657A (fi) | 1988-06-25 |
FI85460B true FI85460B (fi) | 1992-01-15 |
FI85460C FI85460C (fi) | 1992-04-27 |
Family
ID=10609602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI875657A FI85460C (fi) | 1986-12-24 | 1987-12-22 | Foerfarande foer bildande av ett grundskikt pao en glasyta. |
Country Status (26)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4828880A (fi) |
EP (1) | EP0275662B1 (fi) |
JP (1) | JPH0674158B2 (fi) |
KR (1) | KR950002332B1 (fi) |
CN (1) | CN1018636B (fi) |
AT (1) | ATE58114T1 (fi) |
AU (1) | AU593966B2 (fi) |
BR (1) | BR8707035A (fi) |
CA (1) | CA1327143C (fi) |
CS (1) | CS274417B2 (fi) |
DD (1) | DD264911A5 (fi) |
DE (2) | DE275662T1 (fi) |
DK (1) | DK170066B1 (fi) |
ES (1) | ES2003853B3 (fi) |
FI (1) | FI85460C (fi) |
GB (2) | GB8630918D0 (fi) |
GR (1) | GR3002521T3 (fi) |
IE (1) | IE60946B1 (fi) |
IN (1) | IN170516B (fi) |
MX (1) | MX170772B (fi) |
NO (1) | NO171970C (fi) |
PT (1) | PT86460B (fi) |
RU (1) | RU1830053C (fi) |
TR (1) | TR23524A (fi) |
UA (1) | UA11076A (fi) |
ZA (1) | ZA879553B (fi) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8814922D0 (en) * | 1988-06-23 | 1988-07-27 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
FR2638893B1 (fr) * | 1988-11-10 | 1990-12-14 | Thomson Tubes Electroniques | Substrat electriquement isolant |
AU622532B2 (en) * | 1989-02-21 | 1992-04-09 | Libbey-Owens-Ford Co. | Coated glass articles |
US5221352A (en) * | 1989-06-19 | 1993-06-22 | Glaverbel | Apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate |
GB8914047D0 (en) * | 1989-06-19 | 1989-08-09 | Glaverbel | Method of and apparatus for pyrolytically forming an oxide coating on a hot glass substrate |
FR2657866A1 (fr) * | 1990-02-07 | 1991-08-09 | Saint Gobain Vitrage Int | Procede de formation d'une couche d'oxycarbure de silicium sur du verre, verre obtenu et son utilisation dans des vitrages a couche semi-conductrice. |
GB2247691B (en) * | 1990-08-31 | 1994-11-23 | Glaverbel | Method of coating glass |
GB9019117D0 (en) * | 1990-09-01 | 1990-10-17 | Glaverbel | Coated glass and method of manufacturing same |
GB2248243B (en) * | 1990-09-01 | 1994-06-22 | Glaverbel | Coated glass and method of manufacturing same |
EP0507236A3 (en) * | 1991-04-04 | 1992-10-21 | Asahi Glass Company Ltd. | Non-iridescent transparent product |
FR2675139B1 (fr) * | 1991-04-09 | 1993-11-26 | Saint Gobain Vitrage Internal | Depot de couches pyrolysees a performances ameliorees et vitrage revetu d'une telle couche. |
CA2084247A1 (en) * | 1992-03-18 | 1993-09-19 | Francis Paul Fehlner | Lcd panel production |
DK0583871T3 (da) * | 1992-07-11 | 1997-04-21 | Pilkington Uk Ltd | Fremgangsmåde til fremstilling af reflekterende belægninger på glas og spejle fremstillet derved |
FR2695118B1 (fr) * | 1992-09-02 | 1994-10-07 | Air Liquide | Procédé de formation d'une couche barrière sur une surface d'un objet en verre. |
US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
US5578103A (en) * | 1994-08-17 | 1996-11-26 | Corning Incorporated | Alkali metal ion migration control |
DE4432235A1 (de) * | 1994-09-10 | 1996-03-14 | Bayerische Motoren Werke Ag | Kratzfeste Beschichtung auf einem thermisch beständigen Substrat und Verfahren zu ihrer Herstellung |
CA2159296C (en) * | 1994-10-14 | 2007-01-30 | Michel J. Soubeyrand | Glass coating method and glass coated thereby |
CN1051534C (zh) * | 1994-11-22 | 2000-04-19 | 秦皇岛开发区蓝光玻璃新技术公司 | 浮法在线生产镀膜玻璃的方法 |
GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
US5773086A (en) * | 1996-08-13 | 1998-06-30 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of coating flat glass with indium oxide |
GB9619134D0 (en) * | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
JP3700358B2 (ja) | 1996-12-18 | 2005-09-28 | 日本板硝子株式会社 | 防曇防汚ガラス物品 |
US6055828A (en) * | 1997-12-30 | 2000-05-02 | Closure Medical Corporation | Treatment methods for glass medical adhesive applicators |
US6627532B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US6881505B2 (en) | 1998-03-20 | 2005-04-19 | Glaverbel | Coated substrate with high reflectance |
GB9806027D0 (en) | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Glaverbel | Coated substrate with high reflectance |
US7776460B2 (en) * | 1998-03-20 | 2010-08-17 | Agc Glass Europe | Coated substrate with high reflectance |
US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6218018B1 (en) | 1998-08-21 | 2001-04-17 | Atofina Chemicals, Inc. | Solar control coated glass |
US6596398B1 (en) | 1998-08-21 | 2003-07-22 | Atofina Chemicals, Inc. | Solar control coated glass |
GB9826293D0 (en) * | 1998-12-01 | 1999-01-20 | Pilkington Plc | Inprovements in coating glass |
GB9913315D0 (en) | 1999-06-08 | 1999-08-11 | Pilkington Plc | Improved process for coating glass |
GB2355273A (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-18 | Pilkington Plc | Coating glass |
US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
US6521295B1 (en) * | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
US6926926B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
WO2003031362A1 (en) | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Dow Global Technologies Inc. | Coated glass for use in displays and other electronic devices |
DE10158925A1 (de) * | 2001-11-23 | 2003-06-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Oxidkeramische Faserverbundwerkstoffe und ihre Verwendung |
US7125812B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-10-24 | Tokyo Electron Limited | CVD method and device for forming silicon-containing insulation film |
US6919133B2 (en) | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
DE10344442B3 (de) * | 2003-09-25 | 2004-10-28 | Schott Glas | Gargerätetür mit einer Innenscheibe aus Borosilikat-Glas und Gargerät mit einer derartigen Tür |
US7482060B2 (en) * | 2004-07-14 | 2009-01-27 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Silicon oxycarbide coatings having durable hydrophilic properties |
US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
GB0505074D0 (en) * | 2005-03-14 | 2005-04-20 | Pilkington Plc | Coatings |
CN1321926C (zh) * | 2005-11-08 | 2007-06-20 | 浙江大学蓝星新材料技术有限公司 | 浮法在线生产涂层玻璃的方法 |
CN101365658A (zh) * | 2006-01-16 | 2009-02-11 | 日本板硝子株式会社 | 其上形成有薄膜的玻璃板 |
DE102006062092B4 (de) * | 2006-12-29 | 2014-02-13 | Anton Näbauer | In Bezug auf Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit optimierte Solarmodule |
KR100910764B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2009-08-04 | 박향률 | 차량 표면의 유리피막 코팅제 |
CN101618952B (zh) * | 2009-07-30 | 2011-08-17 | 杭州蓝星新材料技术有限公司 | 浮法在线生产透明导电膜玻璃的方法 |
FR2956659B1 (fr) | 2010-02-22 | 2014-10-10 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree |
FR2962852A1 (fr) | 2010-07-19 | 2012-01-20 | Saint Gobain | Electrode transparente pour cellule photovoltaique a haut rendement |
EP2733126A4 (en) | 2011-07-12 | 2015-03-25 | Asahi Glass Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE WITH LAYERED FILM |
JPWO2013008895A1 (ja) | 2011-07-12 | 2015-02-23 | 旭硝子株式会社 | 積層膜付きガラス基板の製造方法 |
GB201114242D0 (en) | 2011-08-18 | 2011-10-05 | Pilkington Group Ltd | Tantalum oxide coatings |
FR2982607A1 (fr) * | 2011-11-16 | 2013-05-17 | Saint Gobain | Materiau fonctionnel a haute durabilite |
FR2982608B1 (fr) | 2011-11-16 | 2013-11-22 | Saint Gobain | Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc |
FR2982606A1 (fr) * | 2011-11-16 | 2013-05-17 | Saint Gobain | Vitrage hydrophobe |
CN102584023A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-18 | 株洲旗滨集团股份有限公司 | 一种阳光控制镀膜玻璃的制备方法及其玻璃 |
CN102922824A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-13 | 浙江大学 | 一种具有硅碳氧阻挡层薄膜的低辐射玻璃及其制备方法 |
DE102013111680A1 (de) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Solarworld Innovations Gmbh | Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle |
CN106277818A (zh) * | 2015-05-11 | 2017-01-04 | 杭州合新科技有限公司 | 一种新型阳光控制镀膜玻璃及其制备工艺 |
WO2017005621A1 (en) | 2015-07-07 | 2017-01-12 | Agc Glass Europe | Glass substrate with increased weathering and chemcial resistance |
WO2021171309A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | Saint-Gobain Glass France | A heat treatable reflective coating and a coated article thereof |
GB2600168A (en) | 2020-10-26 | 2022-04-27 | Pilkington Group Ltd | Use of coated substrates |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3306768A (en) * | 1964-01-08 | 1967-02-28 | Motorola Inc | Method of forming thin oxide films |
GB1136218A (en) * | 1965-12-14 | 1968-12-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor optical devices |
GB1450123A (en) * | 1973-11-27 | 1976-09-22 | Post Office | Doped vitreous silica |
GB2031756B (en) * | 1978-10-20 | 1983-03-09 | Gordon Roy Gerald | Non-iridescent glass structures and processes for their production |
US4328646A (en) * | 1978-11-27 | 1982-05-11 | Rca Corporation | Method for preparing an abrasive coating |
GB2078699B (en) * | 1980-06-20 | 1984-06-27 | Atomic Energy Authority Uk | Coating of metallic substrates |
JPS5826052A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 |
GB8420534D0 (en) * | 1984-08-13 | 1984-09-19 | Pilkington Brothers Plc | Coated products |
JP2596452B2 (ja) * | 1988-07-08 | 1997-04-02 | 三菱電機株式会社 | エレベ−タの地震管制運転からの復旧方法 |
-
1986
- 1986-12-24 GB GB868630918A patent/GB8630918D0/en active Pending
-
1987
- 1987-12-14 GB GB8729171A patent/GB2199848B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-14 EP EP87310976A patent/EP0275662B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-14 DE DE198787310976T patent/DE275662T1/de active Pending
- 1987-12-14 DE DE8787310976T patent/DE3766095D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-14 AT AT87310976T patent/ATE58114T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-12-14 ES ES87310976T patent/ES2003853B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-21 IE IE348287A patent/IE60946B1/en not_active IP Right Cessation
- 1987-12-21 ZA ZA879553A patent/ZA879553B/xx unknown
- 1987-12-21 AU AU82885/87A patent/AU593966B2/en not_active Ceased
- 1987-12-21 NO NO875344A patent/NO171970C/no unknown
- 1987-12-21 DD DD87310857A patent/DD264911A5/de not_active IP Right Cessation
- 1987-12-21 US US07/135,263 patent/US4828880A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-22 FI FI875657A patent/FI85460C/fi not_active IP Right Cessation
- 1987-12-22 IN IN918/MAS/87A patent/IN170516B/en unknown
- 1987-12-22 CA CA000555118A patent/CA1327143C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-23 KR KR1019870014786A patent/KR950002332B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-12-23 CS CS978987A patent/CS274417B2/cs not_active IP Right Cessation
- 1987-12-23 DK DK685687A patent/DK170066B1/da not_active IP Right Cessation
- 1987-12-23 BR BR8707035A patent/BR8707035A/pt not_active IP Right Cessation
- 1987-12-23 UA UA4203918A patent/UA11076A/uk unknown
- 1987-12-23 PT PT86460A patent/PT86460B/pt not_active IP Right Cessation
- 1987-12-23 RU SU874203918A patent/RU1830053C/ru active
- 1987-12-24 MX MX009923A patent/MX170772B/es unknown
- 1987-12-24 JP JP62328170A patent/JPH0674158B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-24 TR TR26/88A patent/TR23524A/xx unknown
- 1987-12-24 CN CN87101283A patent/CN1018636B/zh not_active Expired
-
1990
- 1990-11-08 GR GR90400894T patent/GR3002521T3/el unknown
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI85460B (fi) | Foerfarande foer bildande av ett grundskikt pao en glasyta. | |
EP0348185B1 (en) | Coatings on glass | |
KR970001212B1 (ko) | 피복장치, 유리의 피복방법, 유리 피복용 화합물 및 조성물 및 피복된 유리 기재 | |
KR100243801B1 (ko) | 피복된 유리 제품 | |
JP4468909B2 (ja) | 透明基材上に金属窒化物系の層を堆積させる方法 | |
US5776236A (en) | Mixed metal oxide film having an accelerant | |
FI89160C (fi) | Foerfarande foer att minska diffusion av alkalimetalljoner fraon glas till ett ovanpao belaeget skikt medelst ett spaerroeverdrag innehaollande kisel och syre, anvaendning av spaerroeverdraget och en elledande planglas, en ir-reflekterande planglas och en vaetskekristallvisningsanordning... | |
US5395698A (en) | Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making | |
US4788079A (en) | Method of making haze-free tin oxide coatings | |
SE514055C2 (sv) | Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper och förfarande för framställning av densamma | |
IE57992B1 (en) | Liquid coating composition for producing high quality,high performance fluorine-doped tin oxide coatings | |
KR890004619B1 (ko) | 플루오르화물이 함유된 산화주석피막 형성용 액체조성물과 피막의 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed |
Owner name: PILKINGTON PLC |