ES2543360T3 - Sistema electrónico de baja potencia que usa memoria magnética no volátil - Google Patents

Sistema electrónico de baja potencia que usa memoria magnética no volátil Download PDF

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Abstract

Un sistema informático (20; 30; 40; 50; 60) que comprende: una pluralidad de bloques funcionales (200; 300; 400), incluyendo cada bloque funcional una unidad funcional (204; 304; 404; 501; 700), y un bloque (206; 306; 406; 503; 601; 702) de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio, MRAM, acoplado a la unidad funcional, estando configurado el bloque de MRAM para almacenar un estado operativo de la unidad funcional (204; 304; 404; 501; 700) durante un estado de espera del bloque funcional que incluye la unidad funcional; en el que el sistema informático está adaptado para poner uno de los bloques funcionales en un estado de espera cuando otro de los bloques funcionales está en un estado activado.

Description

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están limitadas a estas implementaciones. La presente divulgación puede adoptar la forma de un número cualquiera de sistemas electrónicos que procesen algo y que tengan un estado de procesamiento que se pueda mantener.
Para los fines de esta divulgación, se considera que un bloque de MRAM es un elemento de almacenamiento en el que los datos no se guardan como una carga eléctrica ni flujos de corriente, sino mediante elementos de almacenamiento magnético. Los elementos magnéticos se forman generalmente a partir de dos placas ferromagnéticas, cada una de las cuales puede contener un campo magnético, separadas por una capa aislante delgada. En una realización, una de las dos placas es un imán permanente configurado en una polaridad particular. El campo magnético de la otra placa puede ser configurado cambiándolo para que coincida con el de un campo externo. Un bloque de MRAM se construye a partir de una cuadrícula de tales “células”.
Aunque algunas realizaciones presentadas en la presente memoria están descritas con respecto a una memoria magnética de acceso aleatorio y, más en particular, a memoria magnética de acceso aleatorio por par de transferencia de espín (STT), se puede contemplar que las características descritas se apliquen también a dispositivos tales que incluyan una memoria de acceso aleatorio de cambio de fase (PCRAM), una memoria de acceso aleatorio basada en la resistencia (R-RAM), o a cualquier dispositivo que pueda almacenar de forma no volátil un estado de memoria programable eléctricamente basado en la resistencia, es decir, en ausencia de energía eléctrica de sostén, que sea reprogramable a varios estados, ya sea mediante efectos eléctricos, magnéticos, electromagnéticos (por ejemplo, ópticos) o una combinación de tales efectos físicos.
Aunque la presente invención y sus ventajas han sido descritas en detalle, debería entenderse que en la presente memoria pueden realizarse cambios, sustituciones y alteraciones diversos sin apartarse del ámbito de la invención, definido por las reivindicaciones adjuntas. Por ejemplo, aunque la descripción precedente ha presentado la sustitución de ciertos tipos de memoria, tales como la DRAM o la RAM no volátil, la divulgación no está limitada a tales realizaciones. Más bien, pueden permanecer según sea necesario porciones de cada tipo de memoria, sustituyendo la MRAM únicamente ciertas porciones de cada tipo de memoria. Además, no se pretende que el ámbito de la presente solicitud esté limitado a las realizaciones particulares del proceso, a la máquina, la fabricación, la composición química, la composición química, los medios, los procedimientos ni a las etapas descritas en la memoria. Según apreciará de inmediato una persona con un dominio normal de la técnica a partir de la divulgación de la presente invención, los procesos, las máquinas, la fabricación, las composiciones químicas, los medios, los procedimientos o las etapas, que existan en la actualidad o que hayan de desarrollarse posteriormente, que lleven a cabo sustancialmente la misma función o logren sustancialmente el mismo resultado que las correspondientes realizaciones descritas en la presente memoria pueden ser utilizados según la presente invención. En consecuencia, se pretende que las reivindicaciones adjuntas incluyan en su alcance tales procesos, máquinas, fabricación, composiciones químicas, medios, procedimientos o etapas.
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