ES2349656T3 - Dispositivo y procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme sobre sustratos. - Google Patents
Dispositivo y procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme sobre sustratos. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2349656T3 ES2349656T3 ES06707647T ES06707647T ES2349656T3 ES 2349656 T3 ES2349656 T3 ES 2349656T3 ES 06707647 T ES06707647 T ES 06707647T ES 06707647 T ES06707647 T ES 06707647T ES 2349656 T3 ES2349656 T3 ES 2349656T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- liquid
- substrates
- process chamber
- mist
- arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009056 active transport Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
- B05B17/0615—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced at the free surface of the liquid or other fluent material in a container and subjected to the vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/0012—Apparatus for achieving spraying before discharge from the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Special Spraying Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Dispositivo (10) para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos (12), especialmente celdas de silicio para la fotovoltaica, con una cámara de proceso (14) que está provista de una cubeta de líquido (16) y de un dispositivo de sonidos de alta frecuencia (11) que convierte el líquido en niebla de líquido (15), y con un dispositivo de transporte (13) dispuesto por debajo de un pozo de caída para niebla de líquido (25) de la cámara de proceso (14) para los sustratos (12), caracterizado porque el pozo de caída para niebla de líquido (25) de la cámara de proceso (14) experimenta un estrechamiento de su sección transversal interior hacia el dispositivo de transporte (13) y desemboca en una disposición del pozo de paso (40) para los sustratos (12) que cubre el dispositivo de transporte (13), y porque las secciones transversales internas del extremo de desembocadura del pozo de caída para niebla de líquido (25) y de la disposición del pozo de paso (40) están coordinadas entre sí, preferiblemente son esencialmente iguales.
Description
La presente invención se refiere a un dispositivo para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio para la fotovoltaica según el preámbulo de la reivindicación 1, así como a un procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio, para la fotovoltaica según el preámbulo de la reivindicación 18.
Para poder fabricar celdas fotovoltaicas de silicio inicialmente se necesita un dopaje de fósforo de las celdas brutas. Para esto, la celda se humedece en la primera etapa con ácido fosfórico y las celdas humedecidas se llevan luego a un horno de alta temperatura a aproximadamente 800 a 900ºC en el que el fósforo del ácido seco difunde en el sustrato de silicio. A este respecto, el recubrimiento deberá realizarse de una forma muy uniforme para conseguir una distribución uniforme en la difusión y, por otra parte, ser muy ahorrativos ya que exceso de ácido fosfórico se funde sobre la celda como “vidrio fosforoso” y sólo puede o debe retirarse de nuevo con mucho esfuerzo con ayuda de ácido fluorhídrico.
La aplicación de ácido fosfórico sobre los sustratos de silicio se realiza de manera conocida nebulizando el ácido fosfórico mediante un dispositivo de sonidos de alta frecuencia y depositando la niebla de ácido fosfórico sobre los sustratos de silicio. A este respecto, la niebla de ácido fosfórico se conduce de la cámara de proceso a un pozo de caída que es relativamente ancho y está dispuesto a una distancia relativamente grande por encima de los sustratos o celdas de silicio que pasan. Una desventaja de esto es que este dispositivo conocido no ofrece ninguna garantía de una homogeneización de la niebla ya que tan sólo ligeros movimientos del aire son suficientes para “volar” la niebla. Además, la configuración de la cámara de proceso conduce a que gotas de condensado perjudiciales caigan sobre las celdas de silicio, lo que es contrario a una humectación o recubrimiento homogéneo. Se ha intentado capturar tales gotas de condensado mediante una cubeta de gotas por debajo del pozo de caída, lo que, sin embargo, impide todavía aún más una extensión uniforme de la niebla.
El documento US 2003/039766 A1 da a conocer un dispositivo y un procedimiento para aplicar capas de líquido sobre sustratos y concretamente para aplicar una capa de líquido uniforme sobre sustratos bajo condiciones atmosféricas. El dispositivo conocido comprende en una forma de realización una planta de recubrimiento atmosférico con una cámara de pulverización por ultrasonidos en la que una boquilla de pulverización por ultrasonidos se posiciona sobre el sustrato y el líquido de proceso se convierte en una fina niebla de líquido. Esta boquilla de pulverización está fijada en un brazo que se mueve desde el borde hasta el centro de una oblea, o al revés. El sustrato puede rotarse opcionalmente durante el proceso de recubrimiento. En relación con una cinta transportadora, el recubrimiento también puede realizarse
de forma continua con el dispositivo y el procedimiento.
Por tanto, es objetivo de la presente invención proporcionar un dispositivo para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio, para la fotovoltaica del tipo mencionado al principio que permita una aplicación de líquido, especialmente de ácido fosfórico, sobre los sustratos en cuestión, especialmente celdas de silicio, esencialmente más homogénea tanto con respecto a la superficie como a la cantidad.
Para la solución de este objetivo, en un dispositivo para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio, para la fotovoltaica del tipo mencionado se prevén las características especificadas en la reivindicación 1.
Mediante las medidas según la invención se consiguen dentro de un circuito esencialmente cerrado tanto una formación de niebla homogénea como una conducción homogénea de la niebla de líquido desde el sitio de generación (cámara de proceso) hasta el sitio de la aplicación y durante la aplicación sobre los sustratos, especialmente celdas de silicio. Esta
Homogeneidad se refiere tanto a la deposición plana como a la deposición cuantitativa sobre los sustratos de silicio. Además, mediante el estrechamiento del pozo de caída para niebla de líquido y la retención resultante puede conseguirse una compresión y homogeneización adicional de la niebla de líquido.
Con las características según la reivindicación 2 se consigue una realización sencilla desde el punto de vista de la técnica de fabricación del pozo de caída.
Con las características según la reivindicación 3 se consigue que el techo de la disposición del pozo de paso dispuesto encima de los sustratos de silicio que pasan se mantenga a temperatura de manera que no sea posible una condensación de la niebla de líquido y, por tanto, la formación de gotitas, lo que promueve adicionalmente la homogeneidad de la niebla de líquido y su aplicación.
Con las características según la reivindicación 4 y/o 5 se consigue un transporte activo regulable y homogéneo de la niebla de líquido desde el sitio de formación hasta la aplicación y durante la fase de aplicación. A este respecto, en la utilización del canal de aire de escape es apropiado prever las características según la reivindicación 6 para no perjudicar la homogeneidad de la niebla de líquido en el extremo de paso de la disposición de pozo y conferir a la niebla de líquido una velocidad de flujo definida.
Con las características según la reivindicación 7 se consigue de forma preferida y ventajosa que la niebla de líquido pueda depositarse uniformemente y en cantidad suficiente sobre los sustratos de silicio debido a la fuerza de la gravedad que actúa sobre la niebla de líquido y a la
duración de la acción durante el tiempo de transporte.
Según las características de reivindicación 8, en la zona de la generación de la niebla de líquido está previsto un elemento de impacto que tiene la ventaja de que su tejido de plástico captura el líquido sin salpicar y puede deslizarse de nuevo a la cubeta de líquido. Una configuración ventajosa de esto resulta de las características según la reivindicación 9.
Una configuración del techo de la cámara de proceso según las características de la reivindicación 10 proporciona la ventaja en cuanto a la homogeneidad de la niebla de líquido que mediante la disposición inclinada el condensado que va a recogerse en él puede conducirse de nuevo a la cubeta de líquido.
Correspondientemente, según la reivindicación 11 se prevén medidas en el pozo de caída para niebla de líquido que pueden desviar libre de gotas hacia abajo el condensado que se deposita en las paredes del pozo de caída. A este respecto es apropiado prever las características según la reivindicación 12 de manera que el condensado pueda desviarse a un lado por los canales.
Otra configuración constructiva preferida resulta según las características de la reivindicación 13, con la ventaja que el ancho de un dispositivo de este tipo puede aumentarse casi discrecionalmente.
En el dispositivo conocido mencionado al principio se utiliza un dispositivo de sonidos de alta frecuencia cuyo emisor o generador de sonidos de alta frecuencia no es resistente a ácido fosfórico. Por tanto, es necesario utilizar un recipiente intermedio que esté lleno de agua sin aire y esté unido a un circuito de acondicionamiento térmico. En la parte inferior del recipiente intermedio está fijado el generador de sonidos de alta frecuencia, y en la parte superior del recipiente intermedio una membrana, sirviendo el agua y la membrana de transmisores de sonidos desde el emisor de sonidos de alta frecuencia hasta la pila o cubeta de ácido fosfórico situada encima. A este respecto es desventajosa la laboriosa y costosa técnica, frecuentes roturas por fatiga de la membrana y el intercambio laborioso y que requiere mucho tiempo resultante de esto de la membrana, como también las propiedades de amortiguación de un transmisor de sonidos tal.
Para evitar estas desventajas, en un dispositivo del tipo mencionado al principio se prevén las características especificadas en la reivindicación 14. De esta manera se consigue que en la boquilla de cristal de cuarzo se centren tanto el ácido fosfórico como el pozo. A este respecto es apropiado prever las características según la reivindicación 15 de manera que el líquido desplazado en la boquilla de cristal de cuarzo pueda fluir por las líneas de suministro.
Una configuración constructiva preferida para esto resulta de las características según la reivindicación 16.
Con las características según la reivindicación 17 se consigue que el generador de sonidos
de alta frecuencia pueda ponerse esencialmente directamente en contacto con el ácido fosfórico sin que resulten desventajas en lo referente a la intensidad de la generación de sonidos de alta frecuencia.
Además, la presente invención se refiere a un procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio para la fotovoltaica: como se ha mencionado, los procedimientos comparables hasta la fecha carecen de homogeneidad en la conducción de la niebla de líquido y, por tanto, en la deposición de ácido fosfórico.
Para mejorar esto, en un procedimiento del tipo mencionado se prevén las características especificadas en la reivindicación 18. Con las medidas según la invención se consigue que la niebla de líquido pueda conducirse activamente y de forma homogénea desde la generación de la niebla de líquido hasta la aplicación o deposición de la capa de niebla de líquido sobre los sustratos.
Configuraciones ventajosas de esto resultan de las características de la reivindicación 19 y/o 20.
Otras particularidades de la invención pueden deducirse de la siguiente descripción en la que se describe y se explica más detalladamente la invención mediante el ejemplo de realización representado en el dibujo.
Muestran:
- La Figura 1
- en alzado lateral esquemático parcialmente cortado longitudinalmente un
- dispositivo
- para aplicar una capa de ácido fosfórico delgada uniforme sobre
- sustratos de silicio para la fotovoltaica y
- la Figura 2
- un dispositivo de sonidos de alta frecuencia usado en el dispositivo según la Figura
- 1 en estado montado y en sección transversal.
El dispositivo 10 representado en la Figura 1 sirve para aplicar una capa de ácido fosfórico delgada uniforme sobre sustratos 12 o celdas de silicio para la fotovoltaica. A este respecto, los sustratos 12 de silicio entran y salen sobre un dispositivo 13 de transporte en la dirección de la flecha A y durante el movimiento de transporte se vuelven homogéneos con una capa de ácido fosfórico debido a que los sustratos 12 de silicio se conducen por una niebla 15 de ácido fosfórico que se genera mediante un dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia dentro de una cámara 14 de proceso.
Según la Figura 1, una cubeta 16 que contiene ácido fosfórico está dispuesta en el fondo en la cámara 14 de proceso que se extiende durante una longitud elegida en la dirección perpendicular al plano del dibujo. La cubeta 16 de ácido fosfórico está unida mediante una conducción 18 a un tanque 19 de ácido fosfórico. Preferiblemente, desde este tanque 19, el ácido fosfórico se acondiciona térmicamente en la cubeta 16 correspondientemente según se necesite. En el fondo 21 de la cubeta 16 de líquido está fijado el dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia que se describe más detalladamente más adelante mediante la Figura 2.
La cámara 14 de proceso está delimitada por una pared 22 lateral derecha, una pared 23 lateral izquierda opuesta, un techo 24 y paredes extremas situadas paralelas al plano del dibujo y no representadas según la Figura 1. La cámara 14 de proceso que se encuentra encima del tanque 19 de líquido está provista en su zona orientada hacia la pared 23 lateral izquierda de un pozo 25 de caída que señala hacia el dispositivo 13 de transporte. El techo 24 de la cámara 14 de proceso está dispuesto de forma oblicuamente ascendente a partir de la pared 23 lateral derecha y unido herméticamente a la pared 23 lateral izquierda que en su prolongación 23' que señala hacia el dispositivo 13 de transporte forma la pared lateral del pozo 25 de caída. Esta pared 23, 23' lateral está inclinada oblicuamente hacia el dispositivo 13 de transporte en la dirección hacia la pared 22 lateral derecha de manera que resulta un pozo 25 de caída configurado o estrechado con forma casi de cuña con respecto al dispositivo 13 de transporte cuya pared 26 lateral opuesta se extiende verticalmente y, por tanto, paralela a la pared 22 lateral derecha de la cámara 14 de proceso que se encuentra más arriba. Esta pared 26 lateral del pozo 25 de caída delimita la cubeta 16 de líquido y se prolonga por encima del nivel 20 de líquido de la cubeta 16 de líquido con formación de una barrera 27.
En la zona superior de la pared 22 lateral derecha de la cámara 14 de proceso está fijado un elemento 27 de impacto que inclinado oblicuamente hacia abajo, es decir, hacia la cubeta 16 de líquido, sobresale por la cámara 14 de proceso y termina a una distancia de la barrera 27 con formación de un paso 29.
El elemento 28 de impacto posee un marco cubierto de un tejido 30 de plástico, capturando el tejido 30 de plástico sin salpicaduras las gotitas de ácido fosfórico en la niebla 15 de ácido fosfórico lanzadas mediante el dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia y las gotitas pueden deslizarse de nuevo a la cubeta 16 de líquido. Por tanto, sólo la niebla de ácido fosfórico pasa a través del paso 29 y del tejido 30 de plástico del elemento 28 de impacto al espacio de la cámara 14 de proceso situado detrás de ellos. El tejido 30 de plástico del elemento 28 de impacto deja además pasar el condensado que se recoge en el techo 24 de la cámara 14 de proceso y que fluye de nuevo hacia la pared 22 lateral derecha y que sale a la cubeta 16 de líquido.
En una zona entre el nivel 20 de líquido de la cubeta 16 y el elemento 28 de impacto está prevista una conexión 31 de entrada de aire cuya línea de suministro está provista de un dispositivo 32 de regulación De esta forma, la niebla de fósforo formada se empuja o se mueve activamente por la entrada 31, 32 de aire regulable por la barrera 27 hacia la entrada del pozo 25 de caída.
Tanto las partes confluyentes de la pared 23, 23' lateral izquierda como la pared 26 lateral del pozo 25 de caída están provistas de un revestimiento 34 de tejido para conseguir que el condensado de la niebla 15 de ácido fosfórico que se deposita en las paredes del pozo 25 de caída pueda desviarse libre de gotas hacia abajo desde este revestimiento 34 de tejido. Para esto, los bordes inferiores de las paredes 23, 23' y 26 laterales terminan por encima de los canales 36 ó 37 que desvían el condensado a un lado en un modo no representado en detalle, es decir, en una dirección perpendicular al plano del dibujo.
Encima del dispositivo 13 de transporte o el trozo 39 superior del dispositivo 13 de transporte sobre el que están apoyados los sustratos 12 de silicio y se mueven en la dirección de la flecha A está prevista una disposición 40 del pozo de paso que posee una zona 41 de entrada antes del pozo 25 de caída y una zona 42 de salida después del pozo 25 de caída. La disposición 40 de pozo está abierta hacia arriba entre la zona 41 de entrada y la zona 42 de salida en cuya zona de abertura desemboca el pozo 25 de caída. En el extremo trasero en la dirección de paso A, la zona 42 de salida de la disposición 40 de pozo está provista de una caja 43 de aspiración en cuya abertura que está orientada al trozo 39 del dispositivo 13 de transporte está dispuesto un tejido 45 de plástico dispuesto con forma de techo para la formación de un laminarizador. En el extremo alejado de este tejido 45 de plástico de la caja 43 de aspiración está fijada una línea 46 de aspiración en la que está dispuesto un dispositivo 47 de regulación con una soplante 48 de aspiración para el movimiento activo o la circulación de la niebla 15 de ácido fosfórico. Detrás de la soplante 48 de aspiración está prevista una recirculación 49 de condensado que desemboca en el tanque 19 de ácido fosfórico.
Debido a los dos dispositivos 32 y 47 de regulación para el aire de entrada y el aire de salida, la niebla 15 de ácido fosfórico formada puede moverse de forma regulable desde el sitio de formación, concretamente la cámara 14 de proceso, por el pozo 25 de caída que se extiende por debajo de la cámara 14 de proceso y la cubeta 16 de líquido hasta la disposición 40 de pozo, hasta el sitio en el que se recubren los sustratos 12 de silicio. Debido a la configuración con forma de cuña del pozo 25 de caída, la niebla de ácido fosfórico se comprime por la retención y se homogeneíza. Debido a la transición directa del pozo 25 de caída a la disposición 40 de pozo relativamente baja, la niebla 15 de fósforo permanece homogénea y comprimida y, por tanto, llena completamente la zona 42 de salida de la disposición 40 de pozo. Como con ayuda de la caja 43 de aspiración se aspira uniformemente por toda su anchura la parte no depositada de la niebla 15 de ácido fosfórico de la zona de salida 42 de la disposición 40 de pozo, se mantiene la homogeneidad de la niebla de ácido fosfórico en la zona 42 de salida. Por tanto, debido a la fuerza de gravedad que actúa sobre la niebla de ácido fosfórico y a la duración de la acción durante el tiempo de transporte, el ácido fosfórico puede depositarse uniformemente y en cantidad suficiente sobre los sustratos 12. La dosificación de la niebla de ácido fosfórico se realiza de forma sensible mediante la regulación del aire de entrada y de salida, así como mediante la regulación de la potencia del dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia. Una acción homogénea y uniforme (local y temporal) de la niebla de ácido fosfórico sobre los sustratos 12 de silicio se consigue además debido al hecho de que la velocidad de transporte del dispositivo 13 de transporte para los sustratos 12 de silicio se adecúa a la velocidad del movimiento de la niebla 15 de ácido fosfórico mediante el circuito en gran parte cerrado de la cámara 14 de proceso por el pozo 25 de caída y la disposición 40 de pozo hasta la caja 43 de aspiración y preferiblemente se sincroniza con ella, es decir, se iguala a ella.
Para una realización uniformemente homogénea de la niebla 15 de ácido fosfórico durante todo el trayecto es importante que el dimensionado o el extremo de desembocadura del pozo 25 vertical para niebla de líquido y la disposición 40 del pozo de paso que delimita la cámara de deposición para los sustratos 12 estén coordinados entre sí, preferiblemente que sean idénticos.
Para evitar una condensación de la niebla de ácido fosfórico (15) en el techo 51 de la disposición 40 de pozo por encima de la zona 42 de salida de la disposición 40 de pozo está previsto un pozo 52 de recirculación sobre la zona 42 de salida cuyo fondo esté formado por el techo 51. El pozo 52 de recirculación está conectado mediante una línea 53 a un tubo 54 de nivel de llenado de la cubeta 16 de ácido fosfórico en una zona del extremo de entrada de la zona 42 de salida de la disposición 40 de pozo de manera que el ácido fosfórico acondicionado térmicamente y que rebosa de la cubeta 16 por la disposición 40 de pozo pueda circular en la dirección de la dirección de transporte A. En el extremo del pozo 52 de recirculación está conectado detrás de un elemento 56 similar a una barrera una conducción 57 que recircula el ácido fosfórico en exceso al tanque 19 de ácido fosfórico.
La Figura 2 muestra en una sección de la Figura 1 el dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia usado en el dispositivo 10 en representación esquemática cortada longitudinalmente. El dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia posee una carcasa 61 de plástico que está atravesada por un taladro 62 en el fondo 21 de la cubeta de ácido fosfórico y está fijada con una brida 63 a la parte inferior del fondo 21 de la cubeta. Dentro de una parte 64 de la carcasa hueca inferior rodeada por la brida 63 está dispuesto en la zona del fondo 21 de la cubeta un elemento 65 piezoeléctrico como generador de sonidos de alta frecuencia cuya parte inferior está provista de forma no representada de líneas de conexión y cuya parte superior está cubierta con un disco 66 de cristal de cuarzo, preferiblemente está pegado. El disco 66 de cristal de cuarzo está adecuado en su espesor a la frecuencia de sonidos de alta frecuencia del elemento 65 piezoeléctrico de manera que el sonido pueda transmitirse casi sin pérdidas. Esta unidad de elemento 65 piezoeléctrico y disco 66 de cristal de cuarzo está incorporada en la parte 64 de
carcasa hueca de forma herméticamente cerrada con respecto a la parte inferior con este último en el lado orientado hacia el ácido fosfórico en la cubeta 16. Una boquilla 68 de cristal de cuarzo con su extremo inferior de mayor diámetro está enroscada en la parte 67 de carcasa hueca superior que sobresale en la cubeta 16 de ácido fosfórico y forma una pieza con la parte 64 de 5 carcasa hueca. En la parte 67 de carcasa hueca superior está incorporada una pluralidad de taladros 69 radiales dispuestos alrededor de la circunferencia por los que el ácido sulfúrico contenido en la cubeta 16 puede fluir en el espacio de la boquilla 68 de cristal de cuarzo y también ponerse en contacto con el disco 66 de cristal de cuarzo. La boquilla 68 de cristal de cuarzo se estrecha hacia su desembocadura 71 que sobresale en la cámara 14 de proceso. Por tanto, la 10 punta de la boquilla 68 de cristal de cuarzo provista de la desembocadura 71 sobresale algo más del nivel 20 de líquido de ácido fosfórico en la cubeta 16. En la boquilla 68 de cristal de cuarzo se centran tanto el ácido fosfórico como el pozo cuando debido a la energía de sonidos de alta frecuencia del elemento 65 piezoeléctrico el ácido fosfórico contenido en la boquilla 68 salpica por el disco 66 más allá del nivel 20 de líquido de ácido fosfórico en la cubeta 16. Alrededor del ácido
15 fosfórico lanzado resulta una intensa formación de niebla 15 de ácido fosfórico. Como se ha mencionado, las gotitas de ácido fosfórico que se separan de la niebla de ácido fosfórico en el elemento de impacto son de nuevo capturadas por la cubeta 16. El ácido fosfórico desplazado en la boquilla 68 de cristal de cuarzo para la formación de la niebla 15 de ácido fosfórico puede fluir de nuevo fuera de la cubeta por los taladros 69 radiales.
20 Es de señalar que el dispositivo 10 representado en la Figura 1 también puede estar provisto de un dispositivo de sonidos de alta frecuencia configurado de otra forma en lugar del dispositivo 11 de sonidos de alta frecuencia según la Figura 2.
25
Claims (19)
- REIVINDICACIONES1.-Dispositivo (10) para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos (12), especialmente celdas de silicio para la fotovoltaica, con una cámara de proceso (14) que está provista de una cubeta de líquido (16) y de un dispositivo de sonidos de alta frecuencia (11) que convierte el líquido en niebla de líquido (15), y con un dispositivo de transporte (13) dispuesto por debajo de un pozo de caída para niebla de líquido (25) de la cámara de proceso (14) para los sustratos (12), caracterizado porque el pozo de caída para niebla de líquido (25) de la cámara de proceso (14) experimenta un estrechamiento de su sección transversal interior hacia el dispositivo de transporte (13) y desemboca en una disposición del pozo de paso (40) para los sustratos (12) que cubre el dispositivo de transporte (13), y porque las secciones transversales internas del extremo de desembocadura del pozo de caída para niebla de líquido (25) y de la disposición del pozo de paso (40) están coordinadas entre sí, preferiblemente son esencialmente iguales.
- 2.-Dispositivo según la reivindicación 1, caracterizado porque el pozo de caída para niebla de líquido (25) está diseñado con forma de cuña con respecto a la disposición del pozo de paso (40).
- 3.-Dispositivo según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque sobre la disposición del pozo de paso (40) en la dirección de paso (A) después de la desembocadura del pozo de caída(25) está dispuesto un pozo de recirculación (52) unido a la cubeta de líquido (16) cuyo extremo trasero alejado de la desembocadura está unido a un tanque de líquido (19).
- 4.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque en una zona por encima del dispositivo de sonidos de alta frecuencia (11) desemboca un tubo de aire de entrada (31) unido a un primer dispositivo de regulación (32).
- 5.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque en el extremo de la disposición del pozo de paso (40) está previsto un canal de aire de salida (46) provisto de un segundo dispositivo de regulación (47).
- 6.-Dispositivo según la reivindicación 5, caracterizado porque entre la disposición del pozo de paso (40) y el canal de aire de salida (46) está dispuesta una caja de aspiración (43) provista de un laminarizador (45) que está unida a un ventilador de aspiración (48).
- 7.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el primer y el segundo dispositivo de regulación (32, 47) para la velocidad del transporte de niebla de la cámara de proceso (14) por la disposición del pozo de paso (40) y la velocidad del dispositivo de transporte (13) para los sustratos (12) pueden coordinarse entre sí, preferiblemente pueden sincronizarse.
- 8.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque en la cámara de proceso (14) por encima del dispositivo de sonidos de alta frecuencia (11)o de la cubeta de líquido (16) está previsto un elemento de impacto (28) que presenta un tejido (30), preferiblemente tejido de plástico.
- 9.-Dispositivo según la reivindicación 8, caracterizado porque entre el extremo libre del elemento de impacto (28) inclinado a partir de una pared de la cámara de proceso (22) alejada del pozo de caída (25) y una barrera (27) dispuesta en el extremo de la cubeta de líquido (16) alejada de esta pared de la cámara de proceso (22) está dispuesto un paso (29) para la niebla de líquido.
- 10.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el techo (24) de la cámara de proceso (14) está inclinado de forma ascendente a partir de la pared de la cámara de proceso (22) alejada del pozo de caída (25).
- 11.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el pozo de caída para niebla de líquido (25) con forma de cuña está provisto en sus paredes limitantes (23, 26) de un revestimiento de tejido (34).
- 12.-Dispositivo según la reivindicación 11, caracterizado porque las paredes limitantes (23, 26) del pozo de caída (25) terminan en la zona de desembocadura de la disposición del pozo de paso (40) mediante canales de salida (36, 37).
- 13.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque correspondientemente a un ancho del dispositivo de transporte (13) previsto perpendicular a la dirección de paso (A) y, por tanto, de la cámara de proceso (14) está prevista una pluralidad de dispositivos de sonidos de alta frecuencia (11) dispuestos en esta dirección a una distancia prefijada.
- 14.-Dispositivo (10) según la reivindicación 1 o una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el dispositivo de sonidos de alta frecuencia (11) para nebulizar el líquido está provisto de una boquilla (68), preferiblemente de cristal de cuarzo, por debajo de la cual está dispuesto un generador de sonidos de alta frecuencia (65).
- 15.-Dispositivo según la reivindicación 14, caracterizado porque entre la boquilla (68) que sobresale del nivel de líquido (20) en la cubeta de líquido (16) y el generador de sonidos de alta frecuencia (65) están previstas líneas de suministro (69) para el líquido desde la cubeta (16) a la boquilla (68).
- 16.-Dispositivo según la reivindicación 14 ó 15, caracterizado porque la boquilla (68) está contenida en una carcasa (61) preferiblemente de plástico que está fijada en el fondo (21) de la cubeta de líquido (16) y atraviesa ésta de una forma impermeable a líquidos, porque el generador de sonidos de alta frecuencia (65) está fijado en la carcasa (61) en la zona del fondo de la cubeta
- (21)
- y porque en la parte (67) de la carcasa (61) que se encuentra dentro de la cubeta de líquido
- (16)
- está prevista una pluralidad de taladros de suministro radiales (69).
- 17.-Dispositivo según al menos una de las reivindicaciones 14 a 16, caracterizado porqueel generador de sonidos de alta frecuencia es un elemento piezoeléctrico (65) sobre el cual estáfijada, preferiblemente pegada, una plaquita de cristal de cuarzo (66) orientada hacia la boquilla5 (68) coordinada con la frecuencia de sonidos.
- 18.-Procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme, especialmente de ácido fosfórico, sobre sustratos, especialmente celdas de silicio para la fotovoltaica, en el que dentro de una cámara de proceso se genera mediante un dispositivo de sonidos de alta frecuencia una niebla de líquido que cae o se deposita sobre los sustratos en movimiento preferiblemente10 mediante un dispositivo de transporte, caracterizado porque la niebla de líquido de la cámara de proceso se mueve activamente en su camino hacia los sustratos y porque la niebla de líquido se comprime y se homogeneíza en un pozo de caída conectado a la cámara de proceso y de allí se conduce en una disposición del pozo de paso dispuesta sobre los sustratos en movimiento y se deposita sobre los sustratos, en el que el movimiento activo de la niebla de líquido se coordina con15 la velocidad de los sustratos, preferiblemente se sincroniza. 19.-Procedimiento según la reivindicación 18, caracterizado porque el líquido calentado se recircula directamente a la disposición del pozo de paso que conduce la niebla de líquido que va a depositarse.
- 20.-Procedimiento según la reivindicación 18 ó 19, caracterizado porque la niebla de 20 líquido en el extremo de la disposición del pozo de paso se aspira uniformemente como resto.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005019686 | 2005-04-22 | ||
DE102005019686A DE102005019686B3 (de) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2349656T3 true ES2349656T3 (es) | 2011-01-10 |
Family
ID=36089158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES06707647T Active ES2349656T3 (es) | 2005-04-22 | 2006-03-28 | Dispositivo y procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme sobre sustratos. |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8136478B2 (es) |
EP (1) | EP1872386B1 (es) |
JP (1) | JP4955656B2 (es) |
KR (1) | KR20080009132A (es) |
CN (1) | CN100594583C (es) |
AT (1) | ATE481732T1 (es) |
AU (1) | AU2006237053B8 (es) |
BR (1) | BRPI0608389A2 (es) |
CA (1) | CA2604256A1 (es) |
DE (2) | DE102005019686B3 (es) |
ES (1) | ES2349656T3 (es) |
IL (1) | IL186720A0 (es) |
RU (1) | RU2405227C2 (es) |
WO (1) | WO2006111247A1 (es) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020097746A1 (es) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Universidad De Concepcion | Un sistema de nebulización en línea por ultrasonido, útil en la dispensación de agentes agroquímicos para la fruta de postcosecha. |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005019686B3 (de) | 2005-04-22 | 2006-04-13 | Schmid Technology Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
US8323220B2 (en) * | 2008-09-19 | 2012-12-04 | Eilaz Babaev | Spider vein treatment apparatus |
US8376969B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-02-19 | Bacoustics, Llc | Methods for treatment of spider veins |
EP2190017A1 (en) | 2008-11-20 | 2010-05-26 | SAPHIRE ApS | High voltage semiconductor based wafer |
WO2010057978A1 (en) | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Saphire Aps | High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices |
DE102009059042A1 (de) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Schmid Technology Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Drucksubstanz von einem Drucksubstanzträger auf ein Substrat |
CN102284393B (zh) * | 2010-06-17 | 2014-04-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种荧光粉涂覆装置及使用该涂覆装置的涂覆方法 |
CN103250230B (zh) * | 2010-12-13 | 2016-08-31 | Tp太阳能公司 | 掺杂剂涂布系统以及涂布蒸气化掺杂化合物于光伏太阳能晶圆的方法 |
AT512219B1 (de) * | 2011-12-02 | 2016-06-15 | Braincon Handels-Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung |
FR2995728B1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason |
JP5680604B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2015-03-04 | 株式会社川熱 | 防食被膜付き鉄筋棒の製造装置 |
FI125920B (en) * | 2013-09-09 | 2016-04-15 | Beneq Oy | A method of coating a substrate |
FR3023735B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Areco Finances Et Tech - Arfitec | Nebuliseur compact pour rafraichir l'air |
DE102014112625A1 (de) | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Schmid Energy Systems Gmbh | Großflächen-Ultraschallverdampfer |
US11458500B2 (en) * | 2020-08-24 | 2022-10-04 | Bloomy Lotus Limited | Focused ultrasonic atomizer |
CN215062598U (zh) * | 2021-05-13 | 2021-12-07 | 中山市斯泰尔电器科技有限公司 | 一种新型聚能装置及超声波加湿器 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5468039A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultrasonic wave humidifier |
CA1152230A (en) * | 1979-10-18 | 1983-08-16 | Christopher P. Ausschnitt | Coating method and apparatus |
US5387444A (en) | 1992-02-27 | 1995-02-07 | Dymax Corporation | Ultrasonic method for coating workpieces, preferably using two-part compositions |
JPH06232541A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fujitsu Ltd | フラックスの塗布方法およびこれに使用するフラックス塗布装置 |
DE4402758A1 (de) * | 1994-01-31 | 1995-08-03 | Moedinger Volker | Verfahren zum Aufbringen von Flußmittel auf Leiterplatten |
JP3500777B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2004-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 基板のコーティング方法、基板のコーティング装置、液晶表示体の製造方法、および面照明装置の製造方法 |
US6349668B1 (en) * | 1998-04-27 | 2002-02-26 | Msp Corporation | Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates |
JP2000005668A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 流体塗布装置 |
JP2000044238A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池 |
JP3465872B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2003-11-10 | 松下電池工業株式会社 | 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置 |
DE19924108B4 (de) * | 1999-05-26 | 2007-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Plasmapolymerbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2001205151A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Inax Corp | 均一液体薄膜形成装置 |
JP2001231832A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Besutekku:Kk | 超音波振動基体、超音波プローブ、美容機器及び健康機器 |
JP2001259494A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-25 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 薄膜形成方法 |
US6841006B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Atmospheric substrate processing apparatus for depositing multiple layers on a substrate |
FR2856941B1 (fr) | 2003-07-01 | 2006-08-11 | Bostik Findley Sa | Dispositif et procede d'enduction |
JP2006103004A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液体吐出ヘッド |
DE102005019686B3 (de) * | 2005-04-22 | 2006-04-13 | Schmid Technology Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
-
2005
- 2005-04-22 DE DE102005019686A patent/DE102005019686B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-28 AT AT06707647T patent/ATE481732T1/de active
- 2006-03-28 EP EP06707647A patent/EP1872386B1/de not_active Not-in-force
- 2006-03-28 ES ES06707647T patent/ES2349656T3/es active Active
- 2006-03-28 RU RU2007137829/28A patent/RU2405227C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 CN CN200680013599A patent/CN100594583C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 US US11/918,981 patent/US8136478B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 CA CA002604256A patent/CA2604256A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-28 KR KR1020077027142A patent/KR20080009132A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-03-28 WO PCT/EP2006/002797 patent/WO2006111247A1/de active Application Filing
- 2006-03-28 BR BRPI0608389-7A patent/BRPI0608389A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 DE DE502006007888T patent/DE502006007888D1/de active Active
- 2006-03-28 JP JP2008506955A patent/JP4955656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 AU AU2006237053A patent/AU2006237053B8/en not_active Ceased
-
2007
- 2007-10-17 IL IL186720A patent/IL186720A0/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020097746A1 (es) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Universidad De Concepcion | Un sistema de nebulización en línea por ultrasonido, útil en la dispensación de agentes agroquímicos para la fruta de postcosecha. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2006237053B2 (en) | 2011-06-02 |
JP2008536669A (ja) | 2008-09-11 |
CN101164139A (zh) | 2008-04-16 |
US20090053397A1 (en) | 2009-02-26 |
ATE481732T1 (de) | 2010-10-15 |
CA2604256A1 (en) | 2006-10-26 |
RU2007137829A (ru) | 2009-05-27 |
DE502006007888D1 (de) | 2010-10-28 |
IL186720A0 (en) | 2008-02-09 |
EP1872386B1 (de) | 2010-09-15 |
WO2006111247A1 (de) | 2006-10-26 |
EP1872386A1 (de) | 2008-01-02 |
US8136478B2 (en) | 2012-03-20 |
BRPI0608389A2 (pt) | 2009-12-29 |
CN100594583C (zh) | 2010-03-17 |
AU2006237053B8 (en) | 2011-07-07 |
AU2006237053A8 (en) | 2011-07-07 |
AU2006237053A1 (en) | 2006-10-26 |
DE102005019686B3 (de) | 2006-04-13 |
KR20080009132A (ko) | 2008-01-24 |
RU2405227C2 (ru) | 2010-11-27 |
JP4955656B2 (ja) | 2012-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2349656T3 (es) | Dispositivo y procedimiento para aplicar una capa de líquido delgada uniforme sobre sustratos. | |
ES2536480T3 (es) | Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de una superficie del substrato de un substrato | |
KR101339079B1 (ko) | 공기조화기의 가습장치 | |
ES2466693T3 (es) | Aparato de cocción con un dispositivo de condensación de vahos | |
TW589676B (en) | Substrate drying method and apparatus | |
WO2020026823A1 (ja) | ミスト発生装置、並びにミスト成膜方法、及びミスト成膜装置 | |
JP5485291B2 (ja) | 気液交換の方法及び装置 | |
KR100817473B1 (ko) | 이중 분사식 냉각탑 | |
ES2897556T3 (es) | Sistema de condensadores refrigerado por aire | |
CN105202942A (zh) | 节水消雾冷却塔 | |
KR101954021B1 (ko) | 터널의 출입구 결빙 방지 장치 | |
ES2297349T3 (es) | Procedimiento para preparar antes de llenado un cucurucho de barquillo, cucurucho asi obtenido e instalacion para la puesta en practica. | |
ES2250152T3 (es) | Procedimiento y aparato para sellar capsulas. | |
WO2017130261A1 (ja) | ミスト発生システム、農業用ハウス | |
ES2297213T3 (es) | Metodo de extraccion de aire caliente y/o humedo de un invernadero cerrado como minimo parcialemte. | |
ES2289085T3 (es) | Aparato aplicador de revestimiento por pulverizacion. | |
JP4868327B2 (ja) | 気化設備 | |
JP2011224148A (ja) | 液体微細化装置とそれを用いたサウナ装置 | |
CN110966697B (zh) | 一种空调冷风机及其控制方法 | |
JP7156251B2 (ja) | 燃料電池セルの乾燥方法及び燃料電池セルの乾燥装置 | |
ES2272629T3 (es) | Disposicion de torres hibridas de refrigeracion. | |
AU2016273838A1 (en) | Compact cooling device | |
RU2307302C1 (ru) | Вентиляторная градирня | |
CN105972745A (zh) | 多功能风扇 | |
CN206459304U (zh) | 一种室外加湿器 |