KR20080009132A - 균등하고 얇은 유체층을 기판에 적용하는 장치 및 방법 - Google Patents

균등하고 얇은 유체층을 기판에 적용하는 장치 및 방법 Download PDF

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슈미드 테크놀로지 시스템스 게엠베하
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Abstract

균등하고, 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판(12)들, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀들에 적용하기 위한 장치로서, 유체 팬(16) 및 상기 유체를 유체 안개(15)로 전환하는 고주파인 초음파 장치(11)가 제공되는 공정 챔버(14)와, 상기 기판(12)들을 위하여 상기 공정 챔버(14)의 유체 안개 낙하를 위한 축(25)의 하측에 배열되는 운반 장치(13)를 가진다. 상기 타입의 장치(10)을 생성하기 위하여, 상기 장치는 상기 유체를 실질적으로 표면 영역과 용량에 관하여 더 균질적이 되는 당해의 상기 실리콘 셀들로 적용하는 것을 허용하며, 상기 공정 챔버(14)의 상기 유체 안개의 낙하를 위한 축(25)은 상기 운반 장치(13)를 향하여 내부의 단면에 경사지게 제공되며 상기 운반 장치(13)를 커버하는 상기 기판(12)들을 위한 통로 축 장치(40)로 유체 안개를 방출하며, 상기 유체 안개를 낙하하는 축(25) 및 상기 통로 축 장치(40)의 구멍 단부의 내부 단면은 서로 동등하며, 바람직하게는 본질적으로 동일한 장치이다.

Description

균등하고 얇은 유체층을 기판에 적용하는 장치 및 방법{Device and a method for application of an even, thin fluid layer to substrates}
본 발명은 청구항 18항의 전제부에 따른 균등하고 얇은 유체층, 특히 인산층 (phosphoric acid layer) 을 기판들, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀(cell)들에 적용하기 위한 방법 뿐만 아니라, 청구항 1항 및 14항의 전제부에 따른 균등하고 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판들, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀(cell)들에 적용하기 위한 장치와 관련된다.
실리콘으로 이루어지는 광전지 셀을 제조하기 위하여, 미완성된 셀에 인을 첨가하는 도핑(doping) 과정이 먼저 요구된다. 첫번째 단계에서, 상기 셀은 인산이 사용되어 축축해지며, 상기 축축해진 셀은 약 800℃에서 900℃ 사이의 높은 온도의 오븐에, 상기 인은 건조된 산으로부터 상기 실리콘 기판으로 확산된다. 상기 확산 과정에서 동등한 분배가 이루어지도록 하기 위하여 상기 코팅은 매우 균등하도록 디자인되며, 또한 상기 과도한 인산은 "인산 유리"로서 셀로 녹아 들어가므로 상기 코팅은 매우 경제적으로 디자인되고, 상기 코팅은 플루오르화 수소산을 사용하여 제거될 수 있지만, 그 과정은 이루어지기가 어렵다.
인산은 보통 상기 인산이 고주파 초음파 장치에 의하여 원자화 되는 방법으 로 상기 실리콘 기판에 적용되고, 상기 인산 안개는 상기 실리콘 기판에 배치된다. 상기 인산 안개는 상기 공정 챔버로부터 낙하를 위한 축으로 전달되며, 상기 셀에는 축을 지나 전달되는데 상기 축은 상대적으로 넓고 상기 실리콘 기판, 즉 셀 위로 먼 거리에 배열된다. 이러한 알려진 장치에서의 하나의 불이익한 점은 가벼운 공기 흐름조차 상기 안개를 "불어내 버리기"에 충분하기 때문에 상기 안개가 균질화될 거라는 보장이 없다는 사실에 있다. 게다가, 상기 공정 챔버의 형상은 상기 실리콘 셀 위로 손상된 응축액 방울이 낙하되도록 하며, 상기 실리콘 셀은 균질한 축축해짐과 코팅 결과가 나타나는데 반대되도록 작용한다. 상기 낙하를 위한 축 하측에 액체 받이를 사용하여 이러한 타입의 응축액을 모으는 시도가 있어 왔지만, 상기 안개가 균등하게 퍼지지 못하게 되는 효과가 나타났다.
그러므로, 본 발명의 목적은 균등하고, 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판, 특히 상기한 타입의 광전지에 적용되는 실리콘 셀에 적용하는 장치를 제공함에 있으며, 상기 장치는 유체, 특히 인산이 본 발명의 기판, 특히 실리콘 셀에 적용되도록 하는 것을 허용하며, 실질적으로 표면적과 용량에 관하여 더 균질하게 된다.
청구항 1항에 나타난 특징들은 균등하고 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판, 특히 상기한 타입의 광전지에 적용되는 실리콘 셀에 적용하는 장치에 대하여 이러한 목적을 달성하기 위하여 제시된다.
본 발명에 따라 제안되는 수단들은 본질적으로 폐 순환 시스템 내부에서, 즉 상기 기판, 특히 실리콘 셀에 적용되는 과정 뿐만 아니라 균질한 안개 생성 및 상기 유체 안개가 상기 생산 위치(공정 챔버)로부터 상기 적용 위치까지 균질하게 전달되는 과정에서 달성된다. 이러한 균질성은 표면적과 양의 입장에서 상기 실리콘 기판에 배치되는 것과 관련된다. 게다가, 상기 유체 안개는 압축되고 부가적으로 상기 유체 안개가 낙하를 위한 축의 형상이 테이퍼지고, 그 결과 상기 안개의 보충이 이루지는 점에 기인하여 균질화된다.
청구항 2항에 따른 특징들은 제조 기술의 입장에서 간단한, 상기 낙하를 위한 축에 관한 디자인을 제시한다.
청구항 3항에 따른 특징들은 통과되는 상기 실리콘 기판 위에 배치되는 축이 배열되는 통로의 커버는 어떠한 온도로 유지되므로, 상기 유체 증기는 응축될 수 없고 따라서 물방울 형성이 가능하지 않으며, 또한 상기 유체 증기 및 그 적용에 관한 균질성을 증대시킨다.
청구항 4항 및/또는 5항에 따른 특징에 기초하여, 상기 유체 안개의 조절 가능하고, 균질하며 활동적인 전달은 상기 적용되는 상태동안 뿐만 아니라 상기 유체 안개의 발생 지점으로부터 적용 지점까지 달성된다. 이러한 정황에서, 상기 배기 공기 덕트가 사용되면, 상기 통로 축 장치의 단부에서 상기 유체 안개의 균질성을 손상하지 않고 상기 유체 안개가 규정된 유동 속도로 전달되도록 하기 위하여 청구항 6항에 따른 특징들을 제공하는 것은 유리하다.
바람직하고 이익이 되는 방법으로 청구항 7항에 따른 특징들은 상기 유체 안개가 상기 유체 안개에 대하여 작용하는 중력과 운반을 위하여 요구되는 시간 이상으로 연장되는 반응시간의 기간에 기인하여 상기 실리콘 기판에 균등하게 그리고 충분한 양으로 배치되도록 하는 것을 제공한다.
청구항 8항의 특징들에 따르면, 상기 유체 안개가 생산되는 영역에서 충돌 부재가 제공되며, 상기 충돌 부재는 그 플라스틱 망은 튕김 없이 상기 유체를 붙들고 상기 유체가 상기 유체 팬으로 다시 흐르도록 하는 장점을 가진다. 이러한 목적을 위한 유리한 형상은 청구항 9항에 따른 특징들로부터 도출될 수 있다.
청구항 10항의 특징들에 따르면, 상기 공정 챔버의 커버 형상은 상기 유체 안개의 균질성에 관하여, 즉 수집되는 상기 응축액이 상기 틸팅된 배열에 기인하여 상기 유체 팬으로 전달될 수 있다는 점에서 유리한 점을 가진다.
이에 상응하여, 청구항 11항에 따라, 물방울들이 형성되도록 하지 않으면서 상기 낙하를 위한 축의 벽면에 형성되는 응축액을 제거 가능하도록 하는, 상기 유체 안개가 낙하를 위한 축에는 수단들이 제공된다. 이러한 목적을 위하여, 청구항 12항에 따른 특징들을 제공하여, 상기 응축액이 상기 채널들을 경유하여 측면으로 배수될 수 있도록 하는 것은 유리하다.
더 바람직한 디자인의 형상은 이러한 타입의 장치의 폭이 실질적으로 제한없는 정도로 연장될 수 있다는 이익을 가지면서 청구항 13항의 특징들로부터 도출될 수 있다.
위에서 인용한 알려진 장치에서, 고주파 초음파 장치, 즉 고주파 초음파 유전체, 또는 발전기는 인산에 대하여 견뎌내지 못한다. 그러므로, 물이 채워지거나 배출되고, 조합된 회로에 연결되는 중간 용기를 사용하는 것이 필요하다. 상기 고주파 초음파 발전기는 상기 중간 용기의 하부 측면에 부착되고, 격막은 상기 중간 용기의 상부 측면에 부착되어, 상기 물과 격막은 상기 고주파 초음파 유전체로부터 그 위에 위치된 상기 인산 용기 또는 팬으로 상기 소리를 전달하는 기능을 한다. 이러한 관점에서 불리한 점은, 성가시고 비싼 기술이며 피로에 기인하여 상기 격막은 자주 파손되고, 결과적으로 상기 격막을 교체해야 하는 힘들고 시간이 소비되는 공정이며, 이러한 타입의 소리 전달 수단의 감폭 특성이다.
이러한 불리한 점들을 피하기 위하여, 청구항 14항에 제시되는 특징들은 상기한 타입의 장치에 제공된다.
본 발명에 따른 수단들의 결과로서, 상기 인산과 상기 소리는 모두 석영 유리 노즐에 초점이 맞추어진다. 상기 석영 유리 노즐에서 압축되는 상기 유체가 상기 공급 라인들을 통하여 유동할 수 있도록 청구항 15항에 따른 특징들을 제공하는 것은 유리하다.
이와 관련하여 하나의 바람직한 디자인의 형상은 청구항 16항에 따른 특징들에 의하여 제시된다.
청구항 17항에 따른 특징들은 상기 고주파 초음파 발생의 세기에 관하여 불리한 점을 나타내지 않으면서 상기 고주파 초음파 장치가 본질적으로 상기 인산에 직접적으로 연결되도록 한다.
게다가, 본 발명은 청구항 18항의 전제부에 따라서 균등하고 얇은 유체층, 특히 인산을 기판, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀에 적용하기 위한 방법과 관련된다.
이전에 언급한 대로, 이전의 비교되는 방법들은 상기 유체 안개의 전달과 그에 따른 상기 인산의 배치에 있어서의 균질성의 부족을 드러낸다.
상기한 타입의 방법에 대하여 이러한 관점을 개선하기 위하여 청구항 18항에 제시된 특징들이 제공된다.
본 발명에 따른 수단들에 기초하여, 상기 유체 안개는 활동적으로 그리고 균등하게 상기 유체 안개의 발생점으로부터 상기 기판에 대한 상기 유체 안개층의 적용점 또는 배치점까지 전달될 수 있다.
이와 관련하여, 유리한 실시예들은 청구항 19항 및/또는 20항에 따른 특징들에 의하여 제시된다.
본 발명에 대한 더 상세한 내용은 후술할 설명으로부터 도출될 수 있으며, 상기 발명은 도면에 묘사된 예시적인 실시예를 기초하여 더 상세하게 설명되고 논의된다.
도 1은 균등하고, 얇은 인산층을 광전지에 적용되는 실리콘 기판에 적용하기 위한 장치를 묘사하는 개략도 및 세로 방향으로 절개한 측단면도이고,
도 2는 도 1에 따른 장치에 사용되는 고주파 초음파 장치가 설치된 상태에서 절개된 단면을 보여주는 단면도이다.
도 1에 도시되는 장치(10)는 균등하고, 얇은 인산층을 광전지에 적용되는 실리콘 기판, 또는 셀(12)에 적용하기 위하여 기능한다. 이러한 정황에서, 실리콘 기판(12)들은 화살표 A 방향으로 운반 장치(13)의 내외부로 운반되며, 상기 운반 동 작동안 실리콘 기판(12)들은 공정 챔버(14) 내부에 고주파 초음파 장치(11)에 의하여 발생되는 인산 안개(15)를 통하여 전달되는 사실의 결과로서 인산층에 대하여 균질하게 된다.
도 1에 따르면, 인산을 포함하는 팬(16)은 상기 도면의 면에 수직한 방향의 규정된 길이 이상으로 연장되는 공정 챔버(14)의 저부에 배열된다. 인산 팬(16)은 튜브 라인(18)을 경유하여 인산 탱크(19)에 연결된다. 유리하게는, 상기 인산은 상기 탱크(19)로부터 팬(16)으로 요구되는 만큼 섞인다. 고주파 초음파 장치(11)는 유체 팬(16)의 저부(21)에 부착되는데, 도 2에 기초하여 더 상세하게 아래에서 설명된다.
도 1에 따라서, 공정 챔버(14)는 우측의 측벽(22), 반대편의 좌측벽(23), 커버(24)와, 상기 도면의 면에 평행한 묘사되지 않은 단부 벽에 의하여 경계 지어진다. 유체 탱크(19)의 상측에 위치되는 공정 챔버(14)는 운반 장치(13)을 향하는 낙하를 위한 축(25)의 좌측벽(23)에 직면하는 영역에 제공된다. 공정 챔버(14)의 커버(24)는 우측벽(23)으로부터 비스듬하게 경사지도록 배열되며, 운반 장치(13)를 향하는 연장벽(23')에서 낙하를 위한 축(25)의 측벽을 형성하는 좌측벽(23)에 실링 결합된다. 상기 측벽(23,23')은 우측벽(22)의 방향으로 운반 장치(13)를 향하여 비스듬하게 경사지며, 그 결과 낙하를 위한 축(25)은 테이퍼 지게 되며, 즉 대략 쐐기 모양이 되며, 그 반대편 측벽(26)은 수직으로 연장되고 그에 따라 더 높이 위치되는 공정 챔버(14)의 우측벽에 평행하게 된다. 낙하를 위한 축(25)의 상기 측벽(26)은 유체 팬(16)과 경계 지어지고, 유체 팬(16)의 유체 팬(20)을 넘어서 연장 되어 댐(27)을 생성한다.
공정 챔버(14)의 우측벽(22)의 상부 영역에서, 충돌 부재(27)가 부착되고, 하방으로 비스듬하게, 즉 유체 팬(16)을 향하여 경사지며, 공정 챔버(14) 내부로 돌출되고, 댐(27) 앞의 거리를 경계지어 통로(29)를 생성한다.
충돌 부재(28)는 플라스틱 망(30)으로 커버되는 프레임을 가지며, 그것에 의하여 튕김이 없는 방식의 플라스틱 망(30)은 인산 방울들을 고주파 초음파 장치(11)에 의하여 던져지는 인산 안개(15) 내에 잡아두며, 상기 방울들을 유체 팬(16)으로 흐르게 한다. 따라서, 단지 상기 인산 안개는 통로(29) 및 충돌 부재(28)의 플라스틱 망(30)을 통과하여 그것들 뒤에 위치되는 공정 챔버(14)의 공간으로 이동된다. 충돌 부재(28)의 플라스틱 망(30)은 또한 공정 챔버(14)의 커버(24)에 수집되며, 유체 팬(16)을 통과하여 흐르기 위하여 우측벽(22)을 향하여 흐르는 응축액을 허용한다.
팬(16)의 유체 표면(20)과 충돌 부재(28) 사이의 영역에는, 공기 공급 연결부(31)가 제공되며, 그 공급 라인은 조절 장치(32)에 공급된다. 이러한 방식으로, 생산된 상기 인산 안개는 밀려 움직이며, 즉 조절 가능한 공기 공급 라인(31,32)을 통하여 활동적으로 이동되며, 댐(27)을 넘어 낙하를 위한 축(25)의 유입부로 이동된다.
낙하를 위한 축(25)의 측벽(26) 뿐만 아니라 서로 통과하는 좌측벽(23,23')의 양쪽 일부분들에는 망 덮개(34)가 제공되며, 그에 따라 낙하를 위한 축(25)의 벽에 배치되는 인산 안개(15)의 응축액은 상기 망 덮개(34)로부터 밑바닥을 향하여 방울들이 형성되지 않으면서 안내될 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 측벽(23,23',26)'의 하부 모서리들은 상세히 묘사되지 않은 어떠한 방향의 측면으로, 즉 상기 도면의 면에 수직한 방향의 측면으로 상기 응축액을 배수하는 채널(36,37)들의 상측으로 경계를 이룬다.
운반 장치(13)의 상측, 즉 실리콘 기판(12)이 놓여져 화살표 A 방향으로 이동되는 운반 장치(13)의 상측면(39)에는, 낙하를 위한 축(25)에 대하여 상류 흐름을 형성하는 유입 영역(41)과 낙하를 위한 축(25)에 대하여 하류 흐름을 형성하는 유출 영역(42)을 가지는 통로 축 장치(40)가 제공된다. 유입 영역(41)과 유출 영역(42)의 사이에는, 축 장치(40)가 꼭대기부에서 개방되고, 낙하를 위한 축(25)은 상기 개방 영역으로 유체 안개를 방출한다. 통로 A의 방향으로 후측 단부에서는, 축 장치(40)의 유출 영역(42)의 개구부에 추출 박스(43)가 제공되며, 상기 추출 박스(43)는 운반 장치(13)의 측면(39)에 직면하며, 지붕 모양의 플라스틱 망(45)은 얇은 층의 유동 박스를 생성하도록 배열된다. 상기 플라스틱 망(45)으로부터 이격되어 직면하는 추출 박스(43)의 상기 단부에는, 추출 라인(46)이 부착되고, 인산 안개(15)를 활동적으로 이동시키기 위하여, 즉 상기 인산 안개(15)가 유동되도록 하기 위하여 흡입 팬(48)을 가지는 조절 장치(47)가 배열된다. 흡입 팬(48)의 뒤에는 인산 탱크(19) 내로 방출하는 응축액 복귀 라인(49)이 제공된다.
공기를 공급하거나 제거하는 양쪽 조절 장치(32,47)에 기초하여, 일단 생산된 인산 안개(15)는 조절 가능한 방식으로 그 생산 위치, 즉 공정 챔버(14)로부터 공정 챔버(14) 및 유체 팬(16)의 하측으로 연장되는 낙하를 위한 축(25)을 경유하 여, 축 장치(42)로 이동될 수 있고 결국 실리콘 기판(12)이 위치되는 위치까지 이동된다. 낙하를 위한 축(25)의 쐐기 모양의 형상에 기인하여, 인산 안개는 지원에 의하여 압축되고 균질화된다. 낙하를 위한 축(25)으로부터 상대적으로 낮은 축 장치(40)로의 직접적인 변화 때문에 인산 안개(15)는 균질하고 압축된 상태로 남아 있고 그에 따라 축 장치(40)의 유출 영역(42)을 완전히 채운다. 추출 박스(43)는 축 장치(40)의 유출 영역(42)의 전체 폭으로부터 배치되지 않는 인산 안개(15)의 일부를 균일하게 흡입하기 때문에 상기 인산 안개의 균질성은 유출 영역(42) 내부에서 유지된다. 그러므로, 상기 인산 안개에 작용하는 중력 및 운반을 위하여 요구되는 시간 이상으로 연장되는 반응시간의 기간에 기인하여, 상기 인산은 기판(12) 위에 균등하게 그리고 충분한 용량으로 배치된다. 상기 인산 안개는 고주파 초음파 장치(11)에 공급되는 전력을 조절하는 것 뿐만 아니라 공기의 공급 및 제거를 조절하는 것에 의하여 민감한 방법으로 투여된다. 균질하고 (시간과 공간상) 실리콘 기판에서의 인산 안개의 균등한 활동은 또한 상기 인산 안개가 실질적으로 공정 챔버(14)로부터 낙하를 위한 축(25) 및 축 장치(42)를 경유하여 추출박스(43)까지 폐 순환 시스템을 통하여 이동됨에 따라 실리콘 기판(12)에 대한 운반 장치(13)의 운반 속도가 상기 인산 안개(15)의 속도와 동등하게 되며, 상기 운반 장치(13)의 운반 속도는 상기 인산 안개(15)의 속도와 동시에 발생되는, 즉 같게 되는 사실에 기인하여 달성된다.
전체적인 경로에 대하여 인산 안개(15)를 균등하게 균질인 전달을 하기 위하여, 치수, 즉 유체 안개가 수직 방향으로 낙하를 하기 위한 축(25)과 상기 기 판(12)에 대하여 배치된 챔버를 경계짓는 통로 축 장치(40)의 상기 방출 단부는 서로 동등하게 되며, 바람직하게는 동일하다.
인산 안개(15)의 응축액이 축 장치(40)의 유출 영역(42) 하측의 축 장치(40)의 커버(50)에 형성되는 것을 방지하기 위하여, 저부가 커버(51)에 의하여 형성되는 복귀 축(52)은 유출 영역(42)의 상측에 제공된다. 복귀 축(52)은 라인(53)에 의하여 축 장치(40)의 유출 영역(42)의 유입 단부 영역에 있는 인산 팬(16)의 채움 레벨 튜브(54)에 연결되어, 팬(16)으로부터 넘치는 섞여진 인산은 운반 방향 A의 축 장치(40) 위로 흐를 수 있다. 댐 모양의 부재(56) 뒤에 있는 복귀 축(52)의 단부에는, 과도한 인산을 인산 탱크(19)로 돌려 보내는 관 모양의 라인(57)이 연결된다.
도 1에 대한 상세한 설명으로서 개략적인 세로 방향의 단면도를 보여주는 도 2는 장치(10)에 사용되는 고주파 초음파 장치(11)를 묘사한다. 고주파 초음파 장치(11)은 플라스틱 하우징(61)을 가지며, 상기 플라스틱 하우징은 상기 인산 팬의 저부(21)에 있는 관통홀(62)을 관통하며, 플랜지(63)에 의하여 팬 저부(21)의 하부측면에 부착된다. 플랜지(63)에 의하여 둘러 싸이는 하부의 속이 빈 하우징부(64) 내부에는, 상기 고주파 초음파 발전기로서 팬 저부(21)의 영역에 위치되는 압전기 부재(65)가 배열되며, 상기 압전기 부재의 하부 측면에는 도면에 도시되지는 않았지만 연결 라인들이 제공되며, 상부 측면은 석영유리 판(66)에 의하여 채워지며 바람직하게는 상기 석영 유리 판에 의하여 접착된다. 석영유리 판(66)의 두께는 압전기 부재의 고주파인 초음파의 주파수와 동등하게 되어, 상기 소리는 손실 없이 실 질적으로 지연될 수 있다. 압전기 부재(65)와 석영유리 판(66)이 포함되는 유닛은 상기 하부 측면을 향하여 밀폐를 위한 실링이 되도록 속이 빈 하우징부(64)에 설치되며, 상기 석영유리 판은 팬(16)에 상기 인산에 직면하는 측면에 가장 먼저 배열된다. 하부가 더 큰 직경의 단부를 가지는 석영 유리 노즐(68)은, 속이 빈 하우징부(64)에 일체로 구성되며 인산 팬(16)으로 돌출되는 상부의 속이 빈 하우징부(67)에 체결된다. 원주 상에 배열되는 다수의 방사상 관통홀(69)은 상부의 속이 빈 하우징부(67)로 삽입되며, 상기 속이 빈 하우징부(67)를 통하여 팬(16)에 포함되는 인산은 상기 석영유리 노즐(68)의 공간으로 흘러 석영유리 판(66)과 접촉된다. 석영유리 노즐(68)은 공정 챔버(14) 내부로 돌출되는 구멍(71)을 향하여 경사진다. 그러므로, 구멍(71)에 제공되는 석영유리 노즐(68)의 끝부분은 팬(16)에 있는 인산의 유체 표면(20)을 넘어서 어느 정도 돌출된다. 노즐(68)에 포함되는 인산이 압전기 부재(65)의 고주파인 초음파 에너지에 기인하여 팬(16)에 있는 인산의 유체 표면을 넘어 디스크(66)를 경유하여 튕김 작용이 일어난다면, 인산과 소리는 석영유리 노즐(68)에 초점이 맞추어 진다. 인산 안개(15)의 소리 형성은 상기 튕겨진 인산 주위의 영역에서 발생된다. 언급된 대로, 충돌 부재에서 상기 인산 안개로부터 분리되는 상기 인산 방울은 팬(16)에 붙들려진다.
상기 인산 안개(15)를 형성하기 위하여 석영유리 노즐(68)에서 압축되는 인산은 방사상의 관통홀(69)을 경유하여 팬(16)으로 흘러갈 수 있다.
도 1에 묘사되는 장치(10)에는 도 2에 따른 고주파인 초음파 장치(11)의 위치에서 다른 방식으로 형성되는 고주파인 초음파 장치가 제공될 수 있음을 주목해 야 한다.

Claims (20)

  1. 균등하고, 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판(12)들, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀들에 적용하기 위한 장치로서, 유체 팬(16) 및 상기 유체를 유체 안개(15)로 전환하는 고주파인 초음파 장치(11)가 제공되는 공정 챔버(14)와, 상기 기판(12)들을 위하여 상기 공정 챔버(14)의 유체 안개 낙하를 위한 축(25)의 하측에 배열되는 운반 장치(13)를 가지며, 상기 공정 챔버(14)의 상기 유체 안개 낙하를 위한 축(25)은 상기 운반 장치(13)를 향하여 내부의 단면에 경사지게 제공되어 상기 운반 장치(13)를 커버하는 상기 기판(12)을 위한 통로 축 장치(40)로 상기 유체 안개를 방출하며, 상기 유체 안개 낙하를 위한 축(25) 및 상기 통로 축 장치(40)의 구멍 단부의 내부 단면은 서로 동등하며, 바람직하게는 본질적으로 동일한 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 유체 안개 낙하를 위한 축(25)은 상기 통로 축 장치(40)의 방향으로 쐐기 모양을 가지는 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 낙하를 위한 축(25)의 구멍에 대하여 하류 흐름을 형성하는 상기 통로 방향(A)에서의 상기 통로 축 장치(40)에는, 상기 유체 팬(16)에 연결되는 복귀 축(52)이 배열되고, 상기 구멍으로부터 이격되어 직면하는 상기 복귀 축(52)의 후측 단부는 유체 탱크(19)에 연결되는 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    고주파인 초음파 장치(11)의 상측 영역에서 제 1 조절 장치(32)에 연결되는 공기 공급 파이프(31)가 공기를 방출하는 장치.
  5. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통로 축 장치(40)의 단부에는 제 2 조절 장치(47)에 연결되는 공기 방출 채널(46)이 제공되는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 통로 축 장치(40)과 상기 공기 방출 채널(46)의 사이에는, 흡입 팬(48)에 연결되는 얇은 층의 유동 박스(45)가 제공되는 추출 박스(43)가 배열되는 장치.
  7. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 조절 장치(32) 및 제 2 조절 장치(47)는 서로 동등할 수 있으며, 바람직하게는 상기 안개가 상기 공정 챔버(14)로부터 상기 통로 축 장치(40)를 통하여 이동할 때의 상기 안개의 속도와 상기 기판(12)들을 위한 상기 운반 장치(13)의 속도를 위하여 동시에 작동되는 장치.
  8. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    망(30)을 가지는 충돌 부재(28), 바람직하게는 플라스틱 망에는 상기 고주파인 초음파 장치(11)와 상기 유체 팬(16)의 상측에서 상기 공정 챔버(14) 내에 제공되는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유체 안개를 위한 통로(29)는 상기 경사진 충돌 부재(28)의 개구단 사이에 제공되며, 상기 충돌 부재(28)는 상기 낙하를 위한 축(25)으로부터 이격되어 직면하는 공정 챔버 벽(22) 및 상기 공정 챔버 벽(22)으로부터 이격되어 직면하는 상기 유체 팬의 단부에 배열되는 댐(27)으로부터 돌출하는 장치.
  10. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 챔버(14)의 커버(24)는 상기 낙하를 위한 축(25)으로부터 이격되어 직면하는 상기 공정 챔버 벽(22)으로부터 돌출될 때 상향 경사지게 되는 장치.
  11. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    쐐기 모양의 유체 안개 낙하를 위한 축(25)의 경계 벽(23,26)들에는 망 덮개(34)가 제공되는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 낙하를 위한 축(25)의 경계 벽(23,26)들은 배수를 위한 채널(36,37)을 경유하여 상기 통로 축 장치(40)의 구멍 영역에서 경계를 짓는 장치.
  13. 이전의 항들중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통로 방향(A)을 가로지르는 상기 운반 장치(13)의 폭, 즉 상기 공정 챔버(14)의 폭과 일치하여, 다수의 고주파인 초음파 장치(11)들은 상기 방향에서의 미리 정해진 공간에 제공되는 장치.
  14. 특히 청구항 1항 및 그 이하의 청구항들에서 상술한 바대로 균등하고, 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판(12)들, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀들에 적용하기 위한 장치로서, 유체 팬(16) 및 상기 유체를 유체 안개(15)로 전환하는 고주파인 초음파 장치(11)가 제공되는 공정 챔버(14)를 가지며, 상기 유체를 원자화하기 위하여 상기 고주파인 초음파 장치(11)에는 고주파인 초음파 발전기(65)가 하측에 배열되는 노즐(68)이 제공되며, 바람직하게는 상기 노즐은 석영 유리로 이루어지는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    공급 라인(69)들은 상기 유체 팬(16)의 상기 유체 표면(20)으로부터 돌출되는 상기 노즐(68)과 상기 유체가 상기 팬(16)으로부터 상기 노즐(68)로 흐르도록 하는 고주파인 초음파 발전기(65) 사이에 제공되는 장치.
  16. 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
    상기 노즐(68)은 상기 유체 팬(16)의 상기 저부(21)에 고정되며 유체가 새지 않는 방식으로 상기 저부를 관통하는 하우징(61), 바람직하게는 플라스틱으로 이루 어진 하우징(61)에 고정되며, 상기 고주파인 초음파 발전기(65)는 상기 팬 형상의 저부(21)의 영역에서 상기 하우징(61)에 부착되며, 다수의 방사형인 공급 관통홀(69)은 상기 유체 팬(16) 내부에 위치되는 상기 하우징(61)의 일부분(67)에 제공되는 장치.
  17. 제 14항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파인 초음파 발전기는 석영유리 판(66)이 부착되는, 바람직하게는 접착되고, 상기 노즐(68)에 직면하여 상기 초음파로 조정되는 압전기 부재(65)인 장치.
  18. 균등하고 얇은 유체층, 특히 인산층을 기판, 특히 광전지에 적용되는 실리콘 셀들에 적용하기 위한 방법으로서, 공정 챔버 내부에는, 고주파인 초음파 장치가 바람직하게는 운반 장치에 의하여 이동되는 기판 위에 장착, 즉 배치되는 유체 안개를 발생하며, 상기 유체 안개는 상기 공정 챔버로부터 상기 기판으로 그 경로를 따라 활동적으로 이동되어 상기 공정 챔버에 연결되는 낙하를 위한 축에서 압축 및 균질화되며, 거기에서부터 상기 이동하는 기판 위로 배열되는 통로 축 장치로 전달되고, 상기 기판에 배치되어 상기 유체 안개를 이동하는 활동적인 공정은 상기 기판의 속도와 동등하게 이루어지는, 바람직하게는 동시에 이루어지는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유체 안개가 배치되도록 전달하는 상기 통로 축 장치에서 가열되는 유체는 직접적으로 복귀되는 방법.
  20. 제 18항 또는 제 19항에 있어서,
    상기 유체 안개는 상기 통로 축 장치의 단부에서 찌꺼기가 균등하게 흡입되는 방법.
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