CN100594583C - 用于向基片施加均匀薄液层的设备和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 16
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 88
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 12
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 8
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009688 liquid atomisation Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
- B05B17/0615—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced at the free surface of the liquid or other fluent material in a container and subjected to the vibrations
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/0012—Apparatus for achieving spraying before discharge from the apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Silicon Compounds (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种用于向光电应用的硅电池(12)施加均匀的、尤其是磷酸层的薄液层的设备(10)，其配置有：处理腔(14)；液体盘(16)；以及将液体转化成液雾(15)的高频超声设备(11)；以及用于硅电池(12)的传送设备(13)，其设置在处理腔(14)的液雾落降通道(25)的下方。根据本发明可以实现这种允许关于施加的表面和用量将液体以更均匀的方式施加到相关硅电池的设备(10)，因此，所述处理腔(14)的所述液雾落降通道(25)的内截面朝着所述传送设备(13)的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备(13)上的所述基片(12)的通道装置(40)中，并且所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相配并优选为基本相同。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于向基片——尤其是用于光电应用的硅电池——施加均匀薄液层——尤其是磷酸层——的设备，同时本发明还涉及一种用于向基片——尤其是用于光电应用的硅电池——施加均匀薄液层——尤其是磷酸层——的方法。
背景技术
为了能够制造由硅制成的光电池，首先必须在未成品的电池上掺杂磷。在此第一步骤中，利用磷酸将电池弄湿并且将弄湿的电池放置在大约为800℃至900℃的高温炉中，在此，磷从变干的酸扩散到硅基片内。涂层设计成非常均匀以在扩散过程中取得均衡分布，并且涂层还以节约的方式设计，因为过量的磷酸融到电池上成为“磷玻璃”，“磷玻璃”仅能够利用氢氟酸除去，并且这种去除实现起来很复杂。
通常以如下方式向硅基片施加磷酸，即通过高频超声设备将磷酸雾化，并使磷酸雾凝在硅基片上。磷酸雾从处理腔输送到落降通道，落降通道较宽，并且以较远的距离设置在输送经过落降通道的硅基片即电池上方。该已知设备的一个缺点在于它不能够保证使雾均匀分布，因为即使轻微的气流也足够“吹动”雾。此外，处理腔的构造导致有破坏性的冷凝滴落到硅电池上，这会妨碍取得均匀变湿或均匀涂敷的结果。已经进行尝试在落降通道下面使用承液盘来接住上述类型的冷凝滴，然而这样甚至产生了更加防碍雾均匀散布的效果。
发明内容
因此，本发明的目的是制造一种用于向基片——尤其是前述类型的光电应用的硅电池——施加均匀薄液层——尤其是磷酸层——的设备，该设备允许向所讨论的基片——尤其是硅电池——上施加液体——尤其是磷酸——，就表面区域和用量而言，该薄液层施加得基本上更加均匀。
本发明以用于向基片——尤其是用于前述类型的光电应用的硅电池——上施加均匀薄液层——尤其是磷酸层——的设备实现了此目的。
根据本发明提出的措施在基本闭合的循环系统内取得了均匀产生的雾以及取得了液雾从产生位置(处理腔)到施加位置以及在施加到基片上的过程中的均匀输送。这种均匀性涉及到在硅基片上沉积过程的关于表面区域方面和量的方面。此外，由于液雾落降通道的逐渐变细和因此导致的雾的阻碍而使液雾被压缩且进一步均匀化。
本发明指出一种从生产工艺角度来看很简单的落降通道的设计。
本发明指出通道装置的盖设置在从通道中穿过的硅基片的上面，所述盖保持在一定的温度以使液雾不能够冷凝并因此不可能形成液滴，这样还提高了液雾的均匀性和其施加的均匀性。
基于根据本发明的特征，从初始点到施加点以及在施加过程中实现了液雾的可控、均匀及有效的输送。在本文中，当使用排气管时，有利地设置根据本发明的特征使得不会削弱通道装置通道端处的液雾的均匀性并且给液雾提供规定的流速。
根据本发明的特征，由于作用在液雾上的重力以及使反应时间的持续时间延长超过用于传送所需要的时间，以优选地和有利地方式使液雾均匀并足够量地沉积到硅基片上。
根据本发明的特征，在液雾产生的地方配置碰撞元件，其具有利用其塑料网接住液体以防止飞溅并使液体流回到液体盘中的优点。从本发明的特征能够得出用于这种目的的有利构造。
根据本发明的特征，关于液雾的均匀性，处理腔的盖的构造的优点在于，由于其倾斜设置，在所述盖处收集的冷凝液能够输送回到液体盘。
相应地，根据本发明，在液雾落降通道中采取措施使其能够除去形成在落降通道壁上的冷凝液而不允许液滴的形成。为了这个目的，有利地提供根据本发明所述的特征使得冷凝液能够通过通道被排放到旁边。
根据传送设备横过通道方向的宽度以及处理腔的宽度，设置有多个在此方向上以预先设定的间隔设置的高频超声设备，从而本发明能够得到更优选的设计构造，其优点在于这种类型设备的宽度能够延长至几乎不受限制的程度。
在上面引用的公知设备中，所使用的高频超声设备的高频超声发射机或发生器不能抵抗磷酸的腐蚀。因此，必须使用充满水、排放并连接到调温线路上的中间容器。将所述高频超声发生器附连到中间容器的下侧并且将振动膜附连到中间容器的上侧，因此水和振动膜的功能是将声波从高频发射机传送到位于水和振动膜上面的磷酸盆或磷酸盘。关于这个方面的不利之处在于麻烦及昂贵的技术、由于疲劳导致的振动膜的频繁破裂、导致的振动膜费时费力的更换过程以及这种类型的声波传送装置的衰减特性。
为了避免这些不利之处，前述类型的设备具有本发明指出的特征。
作为本发明措施的结果，磷酸和声波都集中在石英玻璃喷嘴内。有利地提供了本发明所述的特征使得压入到石英玻璃喷嘴中的液体能够通过供给线路流回。
通过根据本发明所述的特征指出了关于这方面的一个优选设计构造。
根据本发明的特征使高频超声设备能够大体上直接与磷酸接触而不会导致不利于发生高频超声的强度。
此外，本发明涉及一种用于在基片——尤其是用于光电应用的硅电池——上施加均匀的薄液层——尤其是磷酸层——的方法。
正如前面所提及的，迄今以前的类似的方法呈现了在液雾输送过程中缺少均匀性并且因此在磷酸沉积过程中缺少均匀性。
为了改善前述类型方法的这个方面，提供了本发明指出的特征。
基于根据本发明的措施，液雾能够被有效且均匀地从液雾生成点输送到将液雾层施加或沉积到基片上的点。
通过根据本发明的特征指出了关于这一点的有利实施方式。
附图说明
从下面的描述中能够得到本发明更多的细节，其中基于附图描述的典型实施方式更具体地描述和讨论本发明。
在附图中：
图1描述了向用于光电应用的硅基片上施加均匀薄磷酸层的设备的示意性的部分纵剖侧视图，以及
图2描述了应用在根据图1的设备中的高频超声设备在安装状态下的横截面图。
具体实施方式
如图1描述的设备10的功能是向用于光电应用的硅基片或电池12上施加均匀的薄磷酸层。在本文中，硅基片12在传送设备13上沿箭头A的方向传入和传出，并且在传送运动过程中由于硅基片12被传送通过由处理腔14内的高频超声设备11生成的磷酸雾15而使硅基片12的磷酸层变得均匀。
根据图1，容纳磷酸的盘16设置在垂至于图纸平面在规定长度上延伸的、处理腔14的底部上。磷酸盘16通过管线18连接到磷酸罐19。有利地，根据需要可以回火盘16中、来自所述罐19的磷酸。高频超声设备11附连到液体盘16的底部21，所述高频超声设备11将在下面基于图2进行更详细的描述。
根据图1，处理腔14是以右侧壁22、相对的左侧壁23、盖24以及平行于图纸平面的未描述的端壁作为边界。位于液体罐19上方的处理腔14在临向左侧壁23的区域配置有指向传送设备13的落降通道25。处理腔14的盖24设置成从右侧壁23倾斜地上升并以密封方式结合到左侧壁23，所述左侧壁23的指向传送设备13的延伸部分23’形成了落降通道25的侧壁。侧壁23、23’以朝向右侧壁22的方向倾斜的方式朝向传送装置13，从而落降通道25产生锥形，即大致地为楔形，侧壁23、23’的相对侧壁26垂直地延伸并因此平行于位置较高的、处理腔14的侧壁22。落降通道25的侧壁26作为液体盘16的边界并且延伸超过液体盘16的液面20而形成挡件27。
在处理腔14的右侧壁22的上部区域附连有撞击元件28，撞击元件28朝下倾斜、即朝向液体盘16倾斜，突出进入到处理腔14中并终止在挡件27之前的一定距离处，形成通路29。
撞击元件28具有覆盖有塑料网30的框，因此塑料网30以防止飞溅的方式接住由高频超声设备11喷出的磷酸雾15内的磷酸小滴，并且使小滴流回到液体盘16中。因此仅使磷酸雾穿过通路29和撞击元件28的塑料网30进入到处理腔14中位于通路29和撞击元件28后面的空间。撞击元件28的塑料网30还允许在处理腔14的盖24上聚集以及朝向侧壁22流回的冷凝液穿过并流回到液体盘16中。
在盘16的液面20与撞击元件28之间的区域配置有空气供给连接器31，空气供给连接器31的供给线路配置有调节设备32。通过这种方法，产生的磷酸雾通过可控空气供给线路31、32推动、即有效地移动，并且经过挡件27并朝向落降通道25的入口。
彼此成为一体的左侧壁部分23、23’以及落降通道25的侧壁26两者都配置有覆盖网34，使得凝在落降通道25的壁上的磷酸雾15的冷凝液能够从所述覆盖网34引导朝向底部而不形成液滴。为了这个目的，侧壁23、23’的下边缘以及26的下边缘分别终止在通道36和37的上面，通道36和37以未具体描述的方式将冷凝液排放到一旁，即沿着垂直于图纸平面的方向。
在传送设备13的上方，即，在放置有硅基片12并且沿箭头A的方向移动硅基片12的传送设备13上侧39的上方，配置有通道装置40，通道装置40具有位于落降通道25上游的入口区域41和位于落降通道25下游的出口区域42。在入口区域41与出口区域42之间，通道装置40在其顶部开口，落降通道排放进入到这个开口区域。在沿通路方向A的尾端处，通道装置40的出口区域42配置有抽气箱43，在抽气箱43面向传送设备13的侧面39的开口内设置有屋顶形状的塑料网45以生成层流箱。在抽气箱43中远离所述塑料网45的一端附连有抽气线路46，在抽气线路46中设置有调节设备47，调节设备47具有用于有效地移动磷酸雾15——即使磷酸雾15流动——的抽风机48。在抽风机48的后面配置有排放到磷酸罐19内的冷凝液返回线路49。
基于用于供给和除去空气的调节设备32和47，磷酸雾一旦产生就能够以可控的方式从它的产生位置——即处理腔14——经由在处理腔14和液体盘16下面延伸的落降通道25移动进入到通道装置40并最终移动到对硅基片12进行涂敷的位置。由于落降通道25的楔形构造，磷酸雾通过阻塞被压缩并均匀化。因为磷酸雾15直接从落降通道25传送到相对低的通道装置40，磷酸雾15保持均匀和压缩并因此完全填满通道装置40的出口区域42。因为抽气箱43从通道装置40的出口区域42的整个宽度上均匀地吸走没有沉积的磷酸雾15的部分，所以在出口区域42内保持磷酸雾的均匀性。因此，由于作用在磷酸雾上的重力，以及反应时间的持续时间延长超过用于传送所需要的时间，磷酸均匀并且足够量地沉积在基片12上。通过调节空气的供给和除去以及通过调节供给到高频超声设备11的能量灵敏地调整磷酸雾的喷出量。由于用于传送硅基片12的传送设备13的传送速度与磷酸雾15从处理腔14经由落降通道25和通道装置42到抽气箱43从而移动通过基本上闭合的循环系统的速度相配，还取得了在硅基片12上磷酸雾的均一和(时间与空间上)均匀的作用，其中用于传送硅基片12的传送设备13的传送速度有利地与磷酸雾15的速度同步，即相等。
为了在整个路径上均匀地输送磷酸雾15，重要的是竖直液雾落降通道25及界定出用于基片12的沉积腔的通道装置40的尺寸即排出端彼此相配，并且优选为相同。
为了防止磷酸雾15的冷凝液在通道装置40的出口区域42下面形成在通道装置40的盖51上，在出口区域42的上面配置有以盖51形成为其底部的返回通道52。返回通道52在通道装置40的出口区域42的进入端区域通过线路53连接到磷酸盘16的填充高度管54，使得从盘16中溢出的、所调节的磷酸能够在通道装置40的上面以传送方向A流动。在返回通道52的端头位于类似挡件的元件56的后面连接有将过量磷酸返回到磷酸罐19的管线57。
图2以图1中的细节示出用于设备10中的高频超声设备11的示意性纵剖图。高频超声设备11具有塑料壳体61，塑料壳体61穿过磷酸盘底部21的钻孔62并且通过凸缘63附连到盘底部21的下侧。在由凸缘63围绕的下部中空壳体部分64内设置有压电元件65，压电元件65作为高频超声发生器设置于盘底部21的区域内，压电元件65的下侧以未描述的方式配置有连接线路并且压电元件65的上侧通过石英玻璃盘66填充并优选地粘合到石英玻璃盘66。石英玻璃盘66的厚度与压电元件65的高频超声频率相配使得声波能够有效地传递而不会损失。这个由压电元件65和石英玻璃盘66组成的单元安装到中空壳体部分64中，使得以气密的方式朝向下侧密封，石英玻璃盘首先设置在临向盘16中的磷酸的一侧。石英玻璃喷嘴68的下部、较大直径端旋进上部中空壳体部分67，上部中空壳体部分67与中空壳体部分64构成一个整体并且突出进入到磷酸盘16中。绕圆周设置的多个径向钻孔69引入到上部中空壳体部分67中，盘16中容纳的磷酸能够通过径向钻孔69流入到石英玻璃喷嘴68的空间并且还能够与石英玻璃盘66接触。石英玻璃喷嘴68渐缩至突出进入处理腔14中的孔71。因此配置有孔71的石英玻璃喷嘴68的末端略突出超过盘16中的磷酸的液面20。磷酸和声波都集中在石英玻璃喷嘴68内，容纳在喷嘴68中的磷酸由于压电元件65的高频超声能量通过盘66飞溅超出盘16中的磷酸的液面20。在围绕飞溅的磷酸的区域生成了显著聚集的磷酸雾15。正如所提到的，在撞击元件上从磷酸雾中分离出的磷酸小滴被盘16接住。
压入到石英玻璃喷嘴68中以形成磷酸雾15的磷酸能够经由径向钻孔69从盘16中流出。
应当指出，图1描述的设备10还可以配置以不同的方式构造的高频超声设备来取代根据图2的高频超声设备11。
Claims (26)
1.一种用于向基片(12)上施加均匀薄液层的设备(10)，其具有：处理腔(14)，所述处理腔(14)配置有液体盘(16)和把液体转变成液雾(15)的高频超声设备(11)；以及用于所述基片(12)的传送设备(13)，所述传送设备(13)设置在所述处理腔(14)的液雾落降通道(25)下面；其特征在于，所述处理腔(14)的所述液雾落降通道(25)的内截面朝着所述传送设备(13)的方向渐缩并排放到覆盖在所述传送设备(13)上的用于所述基片(12)的通道装置(40)中，并且所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相配，并且，在所述处理腔(14)内的所述高频超声设备(11)和所述液体盘(16)的上方配置有具有网(30)的撞击元件(28)。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述薄液层是磷酸层，所述基片(12)是光电应用的硅电池，所述液雾落降通道(25)的孔端的内截面和所述通道装置(40)的内截面相同。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述网(30)为塑料网。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述液雾落降通道(25)沿所述通道装置(40)的方向是楔形的。
5.如权利要求1或4所述的设备，其特征在于，在所述通道装置(40)上沿着通路方向(A)在所述落降通道(25)的孔的下游，设置有连接到液体盘(16)的返回通道(52)，所述返回通道(52)的远离所述孔的尾端连接到液体罐(19)。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，在所述高频超声设备(11)上方区域内设置有连接到第一调节设备(32)的空气供给管(31)。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述通道装置(40)的端头配置有连接到第二调节设备(47)的排气通道(46)。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，在所述通道装置(40)与所述排气通道(46)之间设置带有层流箱(45)的抽气箱(43)，所述抽气箱(43)连接于抽风机(48)。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，用于所述液雾从所述处理腔(14)移动通过所述通道装置(40)移动速度的第一和第二调节设备(32、47)与用于所述基片(12)的传送设备(13)的速度相配。
10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，用于所述液雾从所述处理腔(14)移动通过所述通道装置(40)移动速度的第一和第二调节设备(32、47)与用于所述基片(12)的传送设备(13)的速度同步。
11.如权利要求1所述的设备，其特征在于，在所述撞击元件(28)的自由端与挡件(27)之间具有用于液雾的通路(29)，所述撞击元件(28)从远离所述落降通道(25)的处理腔壁(22)开始倾斜，所述挡件(27)设置在所述液体盘(16)远离所述处理腔壁(22)的一端。
12.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述处理腔(14)的盖(24)从远离所述落降通道(25)的所述处理腔壁(22)开始上升地倾斜。
13.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述楔形液雾落降通道(25)在其边界壁(23、26)上配置有覆盖网(34)。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述落降通道(25)的边界壁(23、26)通过流出通道(36、37)终止在所述通道装置(40)的孔区域。
15.如权利要求1所述的设备，其特征在于，根据所述传送设备(13)横过所述通道方向(A)的宽度以及所述处理腔(14)的宽度，设置有多个在此方向上以预先设定的间隔设置的高频超声设备(11)。
16.一种用于向基片(12)施加均匀的薄液层的设备(10)，其具有如权利要求1-15中任一项所述的：处理腔(14)，所述处理腔(14)配置有液体盘(16)；以及把液体转变成液雾(15)的高频超声设备(11)，其特征在于，用于把液体喷成雾状的所述高频超声设备(11)配置有喷嘴(68)，在所述喷嘴(68)下面设置高频超声发生器(65)，并且，在所述处理腔(14)内的所述高频超声设备(11)和所述液体盘(16)的上方配置有具有网(30)的撞击元件(28)。
17.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述薄液层是磷酸层，所述基片(12)是光电应用的硅电池，所述喷嘴(68)由石英玻璃制成。
18.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述网(30)为塑料网。
19.如权利要求16所述的设备，其特征在于，在从所述液体盘(16)的液面(20)突出的所述喷嘴(68)与所述高频超声发生器(65)之间配置有供给线路(69)以允许流体从所述液体盘(16)流入到所述喷嘴(68)中。
20.如权利要求16或19所述的设备，其特征在于，所述喷嘴(68)保持在塑料制成的壳体(61)中，所述壳体(61)固定到所述液体盘(16)的底部(21)并且以液密的方式从所述底部穿出，在所述液体盘(16)的底部(21)的区域中所述高频超声发生器(65)附连到所述壳体(61)，并且多个径向供给钻孔(69)配置在所述壳体(61)位于所述液体盘(16)内的部分(67)中。
21.如权利要求16或19所述的设备，其特征在于，所述高频超声发生器是压电元件(65)，石英玻璃盘(66)附连在所述压电元件(65)上，所述石英玻璃盘(66)朝向所述喷嘴(68)并与超声频率相配。
22.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述石英玻璃盘(66)粘合在所述压电元件(65)上。
23.一种用于向基片施加均匀的薄液层的方法，其中，高频超声设备在处理腔内生成液雾，所述液雾沉积在由传送设备移动的基片上，其特征在于，所述液雾有效地从处理腔移出并在朝向所述基片的路径上移动并且所述液雾在连接到所述处理腔的落降通道中被压缩和均匀化，所述液雾从所述处理腔的落降通道输送进入到设置在移动的基片上面的通道装置中并且沉积在所述基片上，其中所述液雾的有效运动与所述基片的速度相配，并且，所述方法还利用设置在所述处理腔内的撞击元件接住液雾中的液滴。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述薄液层是磷酸层，所述基片是光电应用的硅电池，所述液雾的有效运动与所述基片的速度同步。
25.如权利要求23所述的方法，其特征在于，对所述处理腔中的液体进行加热，所述加热的液体直接返回到输送要沉积的所述液雾的所述通道装置上。
26.如权利要求23或25所述的方法，其特征在于，在所述通道装置的端头处所述液雾作为残留物被均匀地吸走。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005019686A DE102005019686B3 (de) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
| DE102005019686.1 | 2005-04-22 | ||
| PCT/EP2006/002797 WO2006111247A1 (de) | 2005-04-22 | 2006-03-28 | Einrichtung und verfahren zum aufbringen einer gleichmässigen, dünnen flüssigkeitsschicht auf substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101164139A CN101164139A (zh) | 2008-04-16 |
| CN100594583C true CN100594583C (zh) | 2010-03-17 |
Family
ID=36089158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200680013599A Expired - Fee Related CN100594583C (zh) | 2005-04-22 | 2006-03-28 | 用于向基片施加均匀薄液层的设备和方法 |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8136478B2 (zh) |
| EP (1) | EP1872386B1 (zh) |
| JP (1) | JP4955656B2 (zh) |
| KR (1) | KR20080009132A (zh) |
| CN (1) | CN100594583C (zh) |
| AT (1) | ATE481732T1 (zh) |
| AU (1) | AU2006237053B8 (zh) |
| BR (1) | BRPI0608389A2 (zh) |
| CA (1) | CA2604256A1 (zh) |
| DE (2) | DE102005019686B3 (zh) |
| ES (1) | ES2349656T3 (zh) |
| IL (1) | IL186720A0 (zh) |
| RU (1) | RU2405227C2 (zh) |
| WO (1) | WO2006111247A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005019686B3 (de) | 2005-04-22 | 2006-04-13 | Schmid Technology Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
| US8323220B2 (en) * | 2008-09-19 | 2012-12-04 | Eilaz Babaev | Spider vein treatment apparatus |
| US8376969B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-02-19 | Bacoustics, Llc | Methods for treatment of spider veins |
| WO2010057978A1 (en) | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Saphire Aps | High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices |
| EP2190017A1 (en) | 2008-11-20 | 2010-05-26 | SAPHIRE ApS | High voltage semiconductor based wafer |
| DE102009059042A1 (de) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Schmid Technology Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Drucksubstanz von einem Drucksubstanzträger auf ein Substrat |
| CN102284393B (zh) * | 2010-06-17 | 2014-04-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种荧光粉涂覆装置及使用该涂覆装置的涂覆方法 |
| EP2652770A1 (en) * | 2010-12-13 | 2013-10-23 | TP Solar, Inc. | Dopant applicator system and method of applying vaporized doping compositions to pv solar wafers |
| AT512219B1 (de) * | 2011-12-02 | 2016-06-15 | Braincon Handels-Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung |
| FR2995728B1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason |
| JP5680604B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2015-03-04 | 株式会社川熱 | 防食被膜付き鉄筋棒の製造装置 |
| FI125920B (en) * | 2013-09-09 | 2016-04-15 | Beneq Oy | A method of coating a substrate |
| FR3023735B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Areco Finances Et Tech - Arfitec | Nebuliseur compact pour rafraichir l'air |
| DE102014112625A1 (de) | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Schmid Energy Systems Gmbh | Großflächen-Ultraschallverdampfer |
| CL2018003252A1 (es) * | 2018-11-16 | 2019-03-15 | Un sistema de nebulizacion en linea por ultrasonido, útil en la disposición de agentes agroquimicos para la fruta de postcosecha | |
| US11458500B2 (en) * | 2020-08-24 | 2022-10-04 | Bloomy Lotus Limited | Focused ultrasonic atomizer |
| CN215062598U (zh) * | 2021-05-13 | 2021-12-07 | 中山市斯泰尔电器科技有限公司 | 一种新型聚能装置及超声波加湿器 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5468039A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultrasonic wave humidifier |
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| DE4402758A1 (de) * | 1994-01-31 | 1995-08-03 | Moedinger Volker | Verfahren zum Aufbringen von Flußmittel auf Leiterplatten |
| JP3500777B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2004-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 基板のコーティング方法、基板のコーティング装置、液晶表示体の製造方法、および面照明装置の製造方法 |
| US6349668B1 (en) * | 1998-04-27 | 2002-02-26 | Msp Corporation | Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates |
| JP2000005668A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 流体塗布装置 |
| JP2000044238A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池 |
| JP3465872B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2003-11-10 | 松下電池工業株式会社 | 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置 |
| DE19924108B4 (de) * | 1999-05-26 | 2007-05-03 | Robert Bosch Gmbh | Plasmapolymerbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2001205151A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Inax Corp | 均一液体薄膜形成装置 |
| JP2001231832A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Besutekku:Kk | 超音波振動基体、超音波プローブ、美容機器及び健康機器 |
| JP2001259494A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-25 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| US6841006B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Atmospheric substrate processing apparatus for depositing multiple layers on a substrate |
| FR2856941B1 (fr) * | 2003-07-01 | 2006-08-11 | Bostik Findley Sa | Dispositif et procede d'enduction |
| JP2006103004A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液体吐出ヘッド |
| DE102005019686B3 (de) * | 2005-04-22 | 2006-04-13 | Schmid Technology Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate |
-
2005
- 2005-04-22 DE DE102005019686A patent/DE102005019686B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-28 WO PCT/EP2006/002797 patent/WO2006111247A1/de active Application Filing
- 2006-03-28 KR KR1020077027142A patent/KR20080009132A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-03-28 BR BRPI0608389-7A patent/BRPI0608389A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 JP JP2008506955A patent/JP4955656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 US US11/918,981 patent/US8136478B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 DE DE502006007888T patent/DE502006007888D1/de active Active
- 2006-03-28 CA CA002604256A patent/CA2604256A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-28 AU AU2006237053A patent/AU2006237053B8/en not_active Ceased
- 2006-03-28 AT AT06707647T patent/ATE481732T1/de active
- 2006-03-28 CN CN200680013599A patent/CN100594583C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 RU RU2007137829/28A patent/RU2405227C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 EP EP06707647A patent/EP1872386B1/de not_active Not-in-force
- 2006-03-28 ES ES06707647T patent/ES2349656T3/es active Active
-
2007
- 2007-10-17 IL IL186720A patent/IL186720A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080009132A (ko) | 2008-01-24 |
| JP4955656B2 (ja) | 2012-06-20 |
| US20090053397A1 (en) | 2009-02-26 |
| CA2604256A1 (en) | 2006-10-26 |
| AU2006237053B2 (en) | 2011-06-02 |
| RU2405227C2 (ru) | 2010-11-27 |
| EP1872386B1 (de) | 2010-09-15 |
| IL186720A0 (en) | 2008-02-09 |
| DE102005019686B3 (de) | 2006-04-13 |
| AU2006237053B8 (en) | 2011-07-07 |
| BRPI0608389A2 (pt) | 2009-12-29 |
| AU2006237053A1 (en) | 2006-10-26 |
| AU2006237053A8 (en) | 2011-07-07 |
| CN101164139A (zh) | 2008-04-16 |
| WO2006111247A1 (de) | 2006-10-26 |
| DE502006007888D1 (de) | 2010-10-28 |
| ES2349656T3 (es) | 2011-01-10 |
| ATE481732T1 (de) | 2010-10-15 |
| EP1872386A1 (de) | 2008-01-02 |
| US8136478B2 (en) | 2012-03-20 |
| JP2008536669A (ja) | 2008-09-11 |
| RU2007137829A (ru) | 2009-05-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100317 Termination date: 20120328 |