RU2405227C2 - Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты - Google Patents

Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты Download PDF

Info

Publication number
RU2405227C2
RU2405227C2 RU2007137829/28A RU2007137829A RU2405227C2 RU 2405227 C2 RU2405227 C2 RU 2405227C2 RU 2007137829/28 A RU2007137829/28 A RU 2007137829/28A RU 2007137829 A RU2007137829 A RU 2007137829A RU 2405227 C2 RU2405227 C2 RU 2405227C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
channel
liquid
substrates
outlet
vessel
Prior art date
Application number
RU2007137829/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007137829A (ru
Inventor
Кристиан БЮХНЕР (DE)
Кристиан БЮХНЕР
Йохан БРЮННЕР (DE)
Йохан БРЮННЕР
Хельмут КАЛМБАХ (DE)
Хельмут КАЛМБАХ
Йозеф ГЕНТИШЕР (DE)
Йозеф ГЕНТИШЕР
Original Assignee
Шмид Текнолоджи Системз Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шмид Текнолоджи Системз Гмбх filed Critical Шмид Текнолоджи Системз Гмбх
Publication of RU2007137829A publication Critical patent/RU2007137829A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2405227C2 publication Critical patent/RU2405227C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0615—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced at the free surface of the liquid or other fluent material in a container and subjected to the vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/0012—Apparatus for achieving spraying before discharge from the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Special Spraying Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к нанесению тонкого слоя жидкости на элементы, в частности для фотоэлектрического применения. Сущность изобретения: устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, имеет технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары жидкости (15), транспортер (13), установленный под отводящим пары жидкости каналом (25) технологической камеры (14), для субстратов (12). Для создания устройства (10) такого типа внутреннее поперечное сечение отводящего пары жидкости канала (25) технологической камеры (14) сужается по направлению к транспортеру (13) и выходит в проходной канал (40) для субстратов (12), который покрывает транспортер (13), при этом внутреннее поперечное сечение выходного конца отводящего пары жидкости канала (25) и проходного канала (40) соответствуют друг другу и предпочтительно равны. Изобретение позволяет наносить жидкость на указанные кремниевые элементы значительно более равномерно в отношении как площади поверхности, так и объема. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к устройству для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты, в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, согласно ограничительной части пунктов 1 и 14 формулы изобретения, а также к способу нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты, в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, согласно ограничительной части пункта 18 формулы изобретения.
Для изготовления кремниевых фотоэлектрических элементов в первую очередь требуется нанести на необработанные элементы фосфорное покрытие. На первом этапе элемент смачивается фосфорной кислотой и помещается в высокотемпературную печь при температуре приблизительно 800-900°С, где фосфор из высушенной кислоты диффундирует в кремниевый субстрат. Для достижения равномерного распределения в процессе диффузии необходимо очень равномерное покрытие, и, кроме того, покрытие должно наноситься очень экономно, поскольку излишки фосфорной кислоты превращаются на элементе в «фосфорное стекло», удаление которого возможно только с помощью фтористоводородной кислоты и связано с большими трудностями.
Фосфорная кислота обычно наносится на кремниевые субстраты посредством распыления высокочастотным ультразвуковым устройством и осаждения паров фосфорной кислоты на кремниевые субстраты. Пары фосфорной кислоты переносятся из технологической камеры в сравнительно широкую трубу сброса, установленную на сравнительно большом расстоянии над кремниевыми субстратами, т.е. элементами, перемещаемыми мимо нее. Один из недостатков такого известного устройства состоит в том, что оно не обеспечивает однородности паров, поскольку даже слабого воздушного потока достаточно, чтобы «сдуть» пары. Предпринимались попытки улавливания капель конденсата такого типа при помощи поддона, установленного под трубой сброса, однако это создавало еще больше препятствий для равномерного распределения паров.
Таким образом, задачей настоящего изобретения является создание устройства для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты, в частности кремниевые элементы, для фотоэлектрического применения указанного типа, которое позволяет наносить жидкость, в частности фосфорную кислоту, на указанные субстраты, в частности кремниевые элементы, значительно более равномерно в отношении площади поверхности и объема.
Для решения этой задачи предлагается устройство указанного типа для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты, в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, имеющее признаки согласно п.1 формулы изобретения.
Средства, предложенные в настоящем изобретении, позволяют достичь образования однородных паров и равномерного переноса полученных паров жидкости от места их образования (технологической камеры) к месту нанесения, а также в процессе нанесения их на субстраты, в частности на кремниевые элементы, в по существу замкнутой циркуляционной системе. Эта однородность относится к осаждению на кремниевые субстраты, как в отношении площади поверхности, так и в отношении количества. Кроме того, пары жидкости сжимаются и дополнительно гомогенизируются благодаря сужению канала, отводящего пары жидкости, и происходящего вследствие этого противотока паров.
Конструкция отводящего канала, простая с точки зрения технологии изготовления, характеризуется признаками по п.2 формулы изобретения.
Согласно признакам по п.3 на верхней стенке проходного канала, установленного над кремниевыми субстратами, перемещаемыми под ним, поддерживается определенная температура, не позволяющая парам жидкости конденсироваться и, следовательно, образовывать капли, что также повышает однородность паров жидкости и равномерность их нанесения.
Согласно признакам по п.4 и/или 5 достигается регулируемый, равномерный и активный перенос паров жидкости от места их получения к месту их нанесения, а также в процессе нанесения. В этой связи, для того чтобы не снижать однородность паров жидкости в проходном канале и придавать парам жидкости определенную скорость течения, целесообразно использование канала (трубопровода) удаления воздуха согласно признакам п.6 формулы изобретения.
Признаки по п.7 формулы изобретения предпочтительно обеспечивают равномерное осаждение достаточного количества паров жидкости на кремниевые субстраты благодаря силе тяжести, действующей на пары жидкости, и благодаря тому, что продолжительность реакции превышает время, необходимое для перемещения.
Согласно признакам по п.8 формулы изобретения в зоне получения паров жидкости имеется отражающий элемент, преимущество которого состоит в том, что его пластиковая пленка, не разбрызгивая, улавливает жидкость и вынуждает ее стекать обратно в сосуд. Для этой цели предпочтительной является конфигурация согласно признакам по п.9 формулы изобретения.
Согласно признакам по п.10 формулы изобретения, конструкция крышки технологической камеры предпочтительна в отношении однородности паров жидкости, поскольку конденсат, собирающийся на ней, может переноситься обратно в сосуд, благодаря наклонной конструкции.
Соответственно, согласно п.11 формулы изобретения, в отводящем пары жидкости канале имеются средства, обеспечивающие удаление конденсата, образующегося на стенках отводящего канала, не допуская образования капель. С этой целью целесообразно использовать признаки по п.12 формулы изобретения, так чтобы конденсат мог отводиться в сторону по каналам.
В соответствии с другим предпочтительным вариантом осуществления настоящего изобретения согласно признакам по п.13 ширина устройства этого типа может быть увеличена практически без ограничений.
В известном устройстве, описанном выше, используется высокочастотное ультразвуковое устройство, высокочастотный ультразвуковой передатчик или генератор, который не обладает стойкостью по отношению к фосфорной кислоте. Следовательно, необходимо использовать промежуточный приемник, который наполнен водой, является вакуумированным и соединенным с подающим трубопроводом. Высокочастотный ультразвуковой генератор прикрепляется к нижней стороне промежуточного приемника, а к его верхней стороне прикрепляется мембрана, в результате чего вода и мембрана осуществляют перенос звука от высокочастотного ультразвукового передатчика к ванне или сосуду с фосфорной кислотой, расположенной (расположенным) над ним. Недостатками такого решения являются громоздкость и дорогостоящая технология, частые разрывы мембраны из-за усталости, соответственно трудоемкий и требующий больших затрат времени процесс замены мембраны и характеристики демпфирования устройств переноса звука этого типа.
Чтобы избежать этих недостатков в устройстве указанного типа предусмотрены признаки по п.14 формулы изобретения.
Согласно настоящему изобретению как фосфорная кислота, так и ультразвук концентрируются в сопле из кварцевого стекла. Целесообразным является обеспечение признаков по п.15, так чтобы жидкость, сжимаемая в сопле из кварцевого стекла, могла стекать обратно по подающему трубопроводу.
Один из предпочтительных вариантов осуществления настоящего изобретения в этом отношении имеет признаки по п.16.
Признаки п.17 позволяют высокочастотному ультразвуковому устройству быть прямо соединенным с фосфорной кислотой без снижения интенсивности генерации высокочастотного ультразвука.
Кроме того, настоящее изобретение относится к способу нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты, в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, согласно ограничительной части пункта 18 формулы изобретения.
Как уже было сказано, известные способы демонстрируют недостаточную равномерность переноса паров жидкости и, следовательно, осаждения фосфорной кислоты.
Признаки по п.18 формулы изобретения улучшают этот аспект способа.
Согласно настоящему изобретению пары жидкости могут активно и равномерно переноситься от места получения паров жидкости к месту нанесения или осаждения слоя паров жидкости на субстраты.
Предпочтительные в этом отношении варианты осуществления настоящего изобретения отличаются признаками по п.19 и/или 20.
Краткое описание чертежей
Далее со ссылками на прилагаемые чертежи будут подробно описаны примеры осуществления настоящего изобретения.
На фиг.1 схематически представлен частичный вид сбоку в продольном сечении устройства для нанесения равномерного тонкого слоя фосфорной кислоты на кремниевые субстраты для фотоэлектрического применения согласно настоящему изобретению.
На фиг.2 представлено поперечное сечение высокочастотного ультразвукового устройства, используемого в устройстве по фиг.1, в установленном положении.
На фиг.1 представлено устройство 10 для нанесения равномерного тонкого слоя фосфорной кислоты на кремниевые субстраты или элементы 12 для фотоэлектрического применения. Для этого кремниевые субстраты 12 перемещают на транспортере 13 в направлении, обозначенном стрелкой А, и в процессе перемещения покрывают равномерным слоем фосфорной кислоты в результате прохождения кремниевых субстратов 12 через пары 15 фосфорной кислоты, полученные при помощи высокочастотного ультразвукового устройства 11 в технологической камере 14.
Согласно фиг.1 сосуд 16, содержащий фосфорную кислоту, установлен на основании технологической камеры 14, проходящем на определенную длину перпендикулярно плоскости чертежа. Сосуд 16 с фосфорной кислотой соединен трубкой 18 с резервуаром 19 с фосфорной кислотой. Предпочтительно фосфорная кислота из резервуара 19 подается в сосуд 16 по мере необходимости. Высокочастотное ультразвуковое устройство 11, более подробно описанное ниже в связи с фиг.2, соединяется с основанием 21 сосуда 16 для жидкости.
Согласно фиг.1 технологическая камера 14 ограничена правой боковой стенкой 22, противоположной левой боковой стенкой 23, крышкой 24 и торцевыми стенками, параллельными плоскости чертежа (не показаны). Технологическая камера 14, расположенная над резервуаром для жидкости 19, содержит в зоне, обращенной к левой боковой стенке 23, отводящий канал 25, направленный транспортеру 13. Крышка 24 технологической камеры 14 наклонена по диагонали от правой боковой стенки 22 и герметично прилегает к левой боковой стенке 23, которая своим продолжением 23', направленным к транспортеру 13, образует боковую стенку отводящего канала 25. Эта боковая стенка 23, 23' наклонена по диагонали к транспортеру 13 в направлении правой боковой стенки 22, так что отводящий канал 25 сужается, т.е. имеет приблизительно клиновидную форму, противоположная боковая стенка 26 которого проходит вертикально и, следовательно, параллельно правой боковой стенке 22 технологической камеры 14, расположенной выше. Эта боковая стенка 26 отводящего канала 25 ограничивает сосуд 16 для жидкости и выступает над поверхностью 20 жидкости сосуда 16 для жидкости, образуя порог 27.
В верхней части правой боковой стенки 22 технологической камеры 14 установлен отражающий элемент 28, наклоненный по диагонали вниз, т.е. к сосуду 16 для жидкости, выступающий в технологическую камеру 14 и заканчивающийся на некотором расстоянии от порога 27, образуя канал 29.
Отражающий элемент 28 имеет раму, покрытую пластиковой пленкой 30, которая, не разбрызгивая, улавливает капли фосфорной кислоты в парах 15 фосфорной кислоты, которые генерирует высокочастотное ультразвуковое устройство 11, и вынуждает капли стекать обратно в сосуд 16 для жидкости. Таким образом, через канал 29 и пластиковую пленку 30 отражающего элемента 28 во внутренний объем технологической камеры 14, расположенной за ними, проходят только пары фосфорной кислоты. Пластиковая пленка 30 отражающего элемента 28 также позволяет конденсату, собирающемуся на крышке 24 технологической камеры 14 и стекающему назад к правой боковой стенке 22, проходить сквозь нее и стекать в сосуд 16 для жидкости.
В зоне между поверхностью 20 жидкости сосуда 16 и отражающим элементом 28 имеется соединительный патрубок 31 подачи воздуха, подающий трубопровод которого содержит регулирующее устройство 32. Таким образом, образующиеся фосфорные пары выталкиваются, т.е. активно перемещаются от регулируемого трубопровода подачи воздуха 31, 32 через порог 27 к входу отводящего канала 25.
Обе части левой боковой стенки 23, 23', переходящие друг в друга, как и боковая стенка 26 отводящего канала 25 имеют пленочное покрытие 34, так что конденсат паров 15 фосфорной кислоты, который осаждается на стенках отводящего канала 25, может отводиться от этого пленочного покрытия 34 к дну без образования капель. Для этого нижние края боковых стенок 23, 23' и 26 заканчиваются над каналами 36 и 37, отводящими конденсат в сторону (не показано), т.е. в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа.
Над транспортером 13, т.е. над верхней стороной 39 транспортера 13, на которой расположены и перемещаются в направлении, обозначенном стрелкой А, кремниевые субстраты, имеется проходной канал 40, включающий впускную зону 41 перед отводящим каналом 25 и выпускную зону 42 за отводящим каналом 25. Между впускной зоной 41 и выпускной зоной 42 проходной канал 40 открывается сверху, и отводящий канал 25 входит в эту открытую зону. На заднем конце в направлении А выпускная зона 42 канала 40 содержит резервуар 43 экстракции, в отверстии которого, обращенном к стороне 39 транспортера 13, установлена крышевидная пластиковая пленка 45, таким образом образуя резервуар с ламинарным потоком. К этому концу резервуара 43 экстракции присоединен трубопровод 46 экстракции, обращенный от пластиковой пленки 45, в котором имеется регулирующее устройство 47, содержащее отсасывающий вентилятор 48 для активного перемещения паров 15 фосфорной кислоты, вынуждающий их течь. За отсасывающим вентилятором 48 имеется трубопровод 49 возврата конденсата, который выходит в резервуар 19 для фосфорной кислоты.
Благодаря регулирующим устройствам 32 и 47 для подачи и удаления воздуха полученные пары 15 фосфорной кислоты могут перемещаться в соответствии с необходимостью от места их получения, а именно из технологической камеры 14, через отводящий канал 25, проходящий ниже технологической камеры 14 и сосуда 16 для жидкости, в канал 42 и, в конце концов, к месту нанесения покрытия на кремниевые субстраты 12. Благодаря клиновидной форме отводящего канала 25 пары фосфорной кислоты сжимаются противотоком и гомогенизируются. Из-за прямого перехода из отводящего канала 25 к относительно низко расположенному каналу 40 фосфорные пары 15 остаются однородными и сжатыми и, следовательно, полностью заполняют выпускную зону 42 канала 40. Поскольку резервуар 43 постоянно удаляет не осажденную часть паров 15 фосфорной кислоты по всей ширине выпускной зоны 42 канала 40, однородность паров фосфорной кислоты поддерживается в выпускной зоне 42. Таким образом, благодаря силе тяжести, действующей на пары фосфорной кислоты, и длительности реакции, превосходящей время, необходимое для транспортировки, фосфорная кислота осаждается на субстраты 12 равномерно и в достаточном объеме. Подача паров фосфорной кислоты точно дозируется при помощи регулировки подачи и удаления воздуха, а также при помощи регулировки мощности, подаваемой на высокочастотное ультразвуковое устройство 11. Однородное и равномерное (во времени и пространстве) воздействие паров фосфорной кислоты на кремниевые субстраты 12 достигается также благодаря тому, что скорость перемещения транспортера 13 для кремниевых субстратов соответствует скорости паров 15 фосфорной кислоты в процессе их перемещения в по существу замкнутой циркуляционной системе из технологической камеры 14 через отводящий канал 25 и канал 42 к резервуару 43, и первая предпочтительно синхронизирована с последней, т.е. равна ей.
Для равномерного однородного переноса паров 15 фосфорной кислоты по всему пути важно, чтобы размеры разгрузочного конца вертикального отводящего пары жидкости канала 25 и размеры канала 40, ограничивающего камеру для осаждения для субстратов 12, соответствовали друг другу и, предпочтительно, были равны друг другу.
Чтобы предотвратить образование конденсата паров 15 фосфорной кислоты на верхней стенке 51 канала 40 под выпускной зоной 42 канала 40, над выпускной зоной 42 имеется возвратный канал 52, основание которого образовано верхней стенкой 51. Возвратный канал 52 соединяется трубопроводом 53 с трубкой уровня заполнения 54 сосуда 16 для фосфорной кислоты в зоне входного конца выпускной зоны 42 канала 40, так чтобы подаваемая фосфорная кислота, переливающаяся из сосуда 16, могла течь над каналом 40 в направлении А перемещения. На конце возвратного канала 52 за выступом 56 присоединяется трубопровод 57, возвращающий излишки фосфорной кислоты в резервуар 19 для фосфорной кислоты.
На фиг.2 представлен фрагмент фиг.1, схематично изображающий продольный разрез высокочастотного ультразвукового устройства 11, которое используется в устройстве 10. Высокочастотное ультразвуковое устройство 11 имеет пластиковый корпус 61, входящий в отверстие 62 в основании 21 сосуда с фосфорной кислотой и прикрепленный фланцем 63 к нижней стороне основания 21 сосуда. В нижней полой части 64 корпуса, окруженной фланцем 63, установлен пьезоэлектрический элемент 65, расположенный в зоне основания 21 сосуда в качестве высокочастотного ультразвукового генератора, нижняя сторона которого содержит соединительные провода (не показаны), и верхняя сторона заполняется диском 66 из кварцевого стекла и предпочтительно приклеивается к нему. Толщина диска 66 из кварцевого стекла соответствует высокочастотной ультразвуковой частоте пьезоэлектрического элемента 65, так что ультразвук может передаваться практически без потерь. Этот узел, состоящий из пьезоэлектрического элемента 65 и диска 66 из кварцевого стекла, устанавливается в полой части 64 корпуса таким образом, чтобы герметически соединяться с нижней стороной, причем диск из кварцевого стекла устанавливается сначала на стороне, обращенной к фосфорной кислоте, в сосуде 16. Сопло 68 из кварцевого стекла своим нижним концом большего диаметра ввинчивается в верхнюю часть 67 полого корпуса, составляющую единое целое с частью 64 полого корпуса и выступающую в сосуд 16 с фосфорной кислотой. Несколько радиальных отверстий 69, расположенных по окружности, проходят через верхнюю часть 67 полого корпуса, через которую фосфорная кислота, содержащаяся в сосуде 16, может течь во внутреннее пространство сопла 68 из кварцевого стекла и также входить в контакт с диском 66 из кварцевого стекла. Сопло 68 из кварцевого стекла сужается к наконечнику 71, выступающему в технологическую камеру 14. Таким образом, конец сопла 68 из кварцевого стекла, содержащий наконечник 71, несколько выступает над поверхностью 20 жидкости фосфорной кислоты в сосуде 16. И фосфорная кислота, и звук концентрируются в сопле 68 из кварцевого стекла и из-за высокочастотной ультразвуковой энергии пьезоэлектрического элемента 65 фосфорная кислота, содержащаяся в сопле 68, разбрызгивается при помощи диска 66 над поверхностью 20 жидкости фосфорной кислоты в сосуде 16. Определенное количество паров 15 фосфорной кислоты образуется в зоне вокруг разбрызганной фосфорной кислоты. Как уже было сказано, капли фосфорной кислоты, отделяющиеся от паров фосфорной кислоты, попадают на отражающий элемент и улавливаются сосудом 16.
Фосфорная кислота, сжимающаяся в сопле 68 из кварцевого стекла с образованием паров 15 фосфорной кислоты, может стекать из сосуда 16 через радиальные отверстия 69.
Следует отметить, что устройство 10, представленное на фиг.1, может также содержать высокочастотное ультразвуковое устройство, отличающееся от высокочастотного ультразвукового устройства 11 по фиг.2.

Claims (20)

1. Устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, содержащее технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары (15) жидкости, и имеющее транспортер (13) для субстратов (12), установленный под отводящим пары жидкости каналом (25) технологической камеры (14), где отводящий пары жидкости канал (25) технологической камеры (14) имеет сужение в своем внутреннем поперечном сечении по направлению к транспортеру (13) и выходит в проходной канал (40) для субстратов (12), который покрывает транспортер (13), причем внутреннее поперечное сечение выходного конца отводящего пары жидкости канала (25) и канала (40) соразмерны друг другу и предпочтительно, по существу, равны.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отводящий пары жидкости канал (25) имеет клиновидную форму в направлении проходного канала (40).
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на проходном канале (40) в направлении (А) перемещения за выходным отверстием отводящего канала (25) установлен возвратный канал (52), соединенный с сосудом (16) для жидкости, причем задний конец возвратного канала, обращенный от выходного отверстия, соединен с резервуаром (19) для жидкости.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в зоне над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) имеется выход трубопровода (31) подачи воздуха, соединенный с первым регулирующим устройством (32).
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в конце проходного канала (40) имеется канал (46) удаления воздуха, соединенный со вторым регулирующим устройством (47).
6. Устройство п.5, отличающееся тем, что между проходным каналом (40) и каналом (46) удаления воздуха имеется резервуар (43) экстракции, содержащий резервуар (45) с ламинарным потоком, соединенный с отсасывающим вентилятором (48).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в зоне над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) имеется выход трубопровода (31) подачи воздуха, соединенный с первым регулирующим устройством (32), а в конце проходного канала (40) имеется канал (46) удаления воздуха, соединенный со вторым регулирующим устройством (47), при этом первое и второе регулирующие устройства (32, 47) могут быть скоординированы, предпочтительно синхронизированы в отношении скорости перемещения паров из технологической камеры (14) через проходной канал (40) и скорости транспортера (13) для субстратов (12).
8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в технологической камере (14) над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) и сосудом (16) для жидкости имеется наклонный отражающий элемент (28), содержащий пленку (30), предпочтительно пластиковую.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что между свободным концом наклонного отражающего элемента (28), отходящего от стенки (22) технологической камеры, расположенной напротив от отводящего канала (25), и порогом (27) имеется канал (29) для паров жидкости.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что технологическая камера имеет крышку (24), которая установлена под углом вверх от стенки (22) технологической камеры, расположенной напротив от отводящего канала (25).
11. Устройство по п.2, отличающееся тем, что отводящий пары жидкости канал (25), имеющий клиновидную форму, имеет пленочное покрытие (34) на боковых стенках (23, 26).
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что боковые стенки (23, 26) отводящего канала (25) ограничены в зоне выходного отверстия проходного канала (40) отводными каналами (36, 37).
13. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что в соответствии с шириной транспортера (13), в направлении, перпендикулярном направлению (А) перемещения, и, следовательно, направлению расположения технологической камеры (14), на заданном расстоянии друг от друга предусмотрено несколько высокочастотных ультразвуковых устройств (11).
14. Устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, содержащее технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары (15) жидкости, и имеющее транспортер (13) для субстратов (12), установленный под отводящим пары жидкости каналом (25) технологической камеры (14), где отводящий пары жидкости канал (25) технологической камеры (14) имеет сужение в своем внутреннем поперечном сечении по направлению к транспортеру (13) и выходит в проходной канал (40) для субстратов (12), который покрывает транспортер (13), причем внутреннее поперечное сечение выходного конца отводящего пары жидкости канала (25) и канала (40) соразмерны друг другу и предпочтительно, по существу, равны, а высокочастотное ультразвуковое устройство (11) для распыления жидкости содержит сопло (68), предпочтительно изготовленное из кварцевого стекла, под которым установлен высокочастотный ультразвуковой генератор (65).
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что между соплом (68), выступающим над поверхностью (20) жидкости в сосуд (16) для жидкости, и высокочастотным ультразвуковым генератором (65) имеются подающие отверстия (69), позволяющие жидкости течь из сосуда (16) в сопло (68).
16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что в корпусе (61), предпочтительно изготовленном из пластика, закрепленном на основании (21) сосуда (16) для жидкости и герметично соединенном с этим основанием, установлено сопло (68), высокочастотный ультразвуковой генератор (65) закреплен в корпусе (61) в зоне основания (21) сосуда, и в части (67) корпуса (61) имеется несколько радиальных подающих отверстий (69), выходящих в сосуд (16) для жидкости.
17. Устройство по любому из пп.14-16, отличающееся тем, что высокочастотный ультразвуковой генератор является пьезоэлектрическим элементом (65), на котором закреплена, предпочтительно приклеена, пластина (66) из кварцевого стекла, обращенная к соплу (68) и соответствующая ультразвуковой частоте.
18. Способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на кремниевые элементы для фотоэлектрического применения, при котором в технологической камере высокочастотное ультразвуковое устройство генерирует пары жидкости, которые осаждаются на субстратах, предпочтительно перемещаемых транспортером, причем пары жидкости активно перемещают из технологической камеры на пути к субстратам, сжимают и гомогенизируют в отводящем канале, соединенном с технологической камерой, откуда их переносят в проходной канал, установленный над перемещающимися субстратами, и осаждают на субстраты, при этом скорость перемещения паров жидкости соответствует скорости перемещения субстратов, предпочтительно синхронизируется с этой скоростью.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что жидкость, нагретую в проходном канале, по которому проходят пары жидкости для осаждения, сразу возвращают.
20. Способ по п.18 или 19, отличающийся тем, что остаток паров жидкости равномерно отсасывают в конце проходного канала.
RU2007137829/28A 2005-04-22 2006-03-28 Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты RU2405227C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005019686A DE102005019686B3 (de) 2005-04-22 2005-04-22 Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate
DE102005019686.1 2005-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007137829A RU2007137829A (ru) 2009-05-27
RU2405227C2 true RU2405227C2 (ru) 2010-11-27

Family

ID=36089158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007137829/28A RU2405227C2 (ru) 2005-04-22 2006-03-28 Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты

Country Status (14)

Country Link
US (1) US8136478B2 (ru)
EP (1) EP1872386B1 (ru)
JP (1) JP4955656B2 (ru)
KR (1) KR20080009132A (ru)
CN (1) CN100594583C (ru)
AT (1) ATE481732T1 (ru)
AU (1) AU2006237053B8 (ru)
BR (1) BRPI0608389A2 (ru)
CA (1) CA2604256A1 (ru)
DE (2) DE102005019686B3 (ru)
ES (1) ES2349656T3 (ru)
IL (1) IL186720A0 (ru)
RU (1) RU2405227C2 (ru)
WO (1) WO2006111247A1 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005019686B3 (de) 2005-04-22 2006-04-13 Schmid Technology Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate
US8323220B2 (en) * 2008-09-19 2012-12-04 Eilaz Babaev Spider vein treatment apparatus
US8376969B2 (en) * 2008-09-22 2013-02-19 Bacoustics, Llc Methods for treatment of spider veins
US20110265859A1 (en) 2008-11-20 2011-11-03 Yakov Safir High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
DE102009059042A1 (de) * 2009-12-10 2011-06-16 Schmid Technology Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Drucksubstanz von einem Drucksubstanzträger auf ein Substrat
CN102284393B (zh) * 2010-06-17 2014-04-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种荧光粉涂覆装置及使用该涂覆装置的涂覆方法
WO2012082198A1 (en) * 2010-12-13 2012-06-21 Tp Solar, Inc. Dopant applicator system and method of applying vaporized doping compositions to pv solar wafers
AT512219B1 (de) * 2011-12-02 2016-06-15 Braincon Handels-Gmbh Zerstäubungsvorrichtung
FR2995728B1 (fr) * 2012-09-14 2014-10-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason
JP5680604B2 (ja) * 2012-10-29 2015-03-04 株式会社川熱 防食被膜付き鉄筋棒の製造装置
FI125920B (en) * 2013-09-09 2016-04-15 Beneq Oy A method of coating a substrate
FR3023735B1 (fr) * 2014-07-17 2016-07-29 Areco Finances Et Tech - Arfitec Nebuliseur compact pour rafraichir l'air
DE102014112625A1 (de) 2014-09-02 2016-03-03 Schmid Energy Systems Gmbh Großflächen-Ultraschallverdampfer
CL2018003252A1 (es) * 2018-11-16 2019-03-15 Un sistema de nebulizacion en linea por ultrasonido, útil en la disposición de agentes agroquimicos para la fruta de postcosecha
US11458500B2 (en) * 2020-08-24 2022-10-04 Bloomy Lotus Limited Focused ultrasonic atomizer
CN215062598U (zh) * 2021-05-13 2021-12-07 中山市斯泰尔电器科技有限公司 一种新型聚能装置及超声波加湿器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5468039A (en) * 1977-11-09 1979-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic wave humidifier
CA1152230A (en) * 1979-10-18 1983-08-16 Christopher P. Ausschnitt Coating method and apparatus
US5387444A (en) * 1992-02-27 1995-02-07 Dymax Corporation Ultrasonic method for coating workpieces, preferably using two-part compositions
JPH06232541A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fujitsu Ltd フラックスの塗布方法およびこれに使用するフラックス塗布装置
DE4402758A1 (de) * 1994-01-31 1995-08-03 Moedinger Volker Verfahren zum Aufbringen von Flußmittel auf Leiterplatten
JP3500777B2 (ja) * 1995-06-22 2004-02-23 セイコーエプソン株式会社 基板のコーティング方法、基板のコーティング装置、液晶表示体の製造方法、および面照明装置の製造方法
US6349668B1 (en) * 1998-04-27 2002-02-26 Msp Corporation Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates
JP2000005668A (ja) 1998-06-22 2000-01-11 Toppan Printing Co Ltd 流体塗布装置
JP2000044238A (ja) * 1998-07-22 2000-02-15 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池
JP3465872B2 (ja) * 1998-09-21 2003-11-10 松下電池工業株式会社 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置
DE19924108B4 (de) * 1999-05-26 2007-05-03 Robert Bosch Gmbh Plasmapolymerbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2001205151A (ja) * 2000-01-26 2001-07-31 Inax Corp 均一液体薄膜形成装置
JP2001231832A (ja) * 2000-02-21 2001-08-28 Besutekku:Kk 超音波振動基体、超音波プローブ、美容機器及び健康機器
JP2001259494A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 薄膜形成方法
US6841006B2 (en) * 2001-08-23 2005-01-11 Applied Materials, Inc. Atmospheric substrate processing apparatus for depositing multiple layers on a substrate
FR2856941B1 (fr) 2003-07-01 2006-08-11 Bostik Findley Sa Dispositif et procede d'enduction
JP2006103004A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 液体吐出ヘッド
DE102005019686B3 (de) 2005-04-22 2006-04-13 Schmid Technology Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate

Also Published As

Publication number Publication date
AU2006237053B8 (en) 2011-07-07
DE502006007888D1 (de) 2010-10-28
RU2007137829A (ru) 2009-05-27
DE102005019686B3 (de) 2006-04-13
US8136478B2 (en) 2012-03-20
CN100594583C (zh) 2010-03-17
CN101164139A (zh) 2008-04-16
US20090053397A1 (en) 2009-02-26
JP4955656B2 (ja) 2012-06-20
AU2006237053A1 (en) 2006-10-26
JP2008536669A (ja) 2008-09-11
WO2006111247A1 (de) 2006-10-26
ATE481732T1 (de) 2010-10-15
EP1872386A1 (de) 2008-01-02
KR20080009132A (ko) 2008-01-24
CA2604256A1 (en) 2006-10-26
AU2006237053B2 (en) 2011-06-02
IL186720A0 (en) 2008-02-09
BRPI0608389A2 (pt) 2009-12-29
AU2006237053A8 (en) 2011-07-07
EP1872386B1 (de) 2010-09-15
ES2349656T3 (es) 2011-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2405227C2 (ru) Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты
US20110277491A1 (en) Heat dissipation system with a spray cooling device
CN101582516B (zh) 具有进出水管理特征的双极板
US8851154B2 (en) Cooling module and system for lamp device
US7181863B2 (en) Wafer dryer and method for drying a wafer
AU2006331080A1 (en) Device, system and method for treating the surfaces of substrates
WO2003025245A1 (en) Multiple-nozzle thermal evaporation source
CN1086158C (zh) 透明导电薄膜和减反射薄膜喷涂装置及其方法
CN208136329U (zh) 一种带防液滴喷溅格栅的热蒸发装置
EA008655B1 (ru) Испарительный охладитель
CN103094159B (zh) 基板处理设备及基板处理方法
CN216779226U (zh) 一种自动补液的雾化装置
CN101701333B (zh) 一种矩形化学气相沉积反应器
CN101516468A (zh) 用于再循环稀释气体的含微粒捕集器/过滤器的系统和方法
US5190592A (en) Aerosol injection system for producing composite layers by pyrolysis
RU2142912C1 (ru) Способ моторина в.н. опреснения морской воды и устройство для его осуществления
CN213192549U (zh) 一种板式降膜蒸发器
US20090320942A1 (en) Single substrate processing head for particle removal using low viscosity fluid
CN221297042U (zh) 一种靶材的冷却装置及离子束溅射系统
CN210543401U (zh) 一种水幕薄膜蒸发器
KR200286039Y1 (ko) 상압용 초음파 코팅장치
FI129413B (en) Method for incubating logs
CN101144163A (zh) 气体分离装置
CN112130420A (zh) 湿空气生成装置、湿空气制备装置、方法以及光刻机
KR20090125955A (ko) 화학기상증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120329