RU2007137829A - Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты - Google Patents

Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты Download PDF

Info

Publication number
RU2007137829A
RU2007137829A RU2007137829/28A RU2007137829A RU2007137829A RU 2007137829 A RU2007137829 A RU 2007137829A RU 2007137829/28 A RU2007137829/28 A RU 2007137829/28A RU 2007137829 A RU2007137829 A RU 2007137829A RU 2007137829 A RU2007137829 A RU 2007137829A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
liquid
channel
substrates
outlet
vessel
Prior art date
Application number
RU2007137829/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2405227C2 (ru
Inventor
Кристиан БЮХНЕР (DE)
Кристиан БЮХНЕР
Йохан БРЮННЕР (DE)
Йохан БРЮННЕР
Хельмут КАЛМБАХ (DE)
Хельмут КАЛМБАХ
Йозеф ГЕНТИШЕР (DE)
Йозеф ГЕНТИШЕР
Original Assignee
Шмид Текнолоджи Системз Гмбх (De)
Шмид Текнолоджи Системз Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шмид Текнолоджи Системз Гмбх (De), Шмид Текнолоджи Системз Гмбх filed Critical Шмид Текнолоджи Системз Гмбх (De)
Publication of RU2007137829A publication Critical patent/RU2007137829A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2405227C2 publication Critical patent/RU2405227C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0615—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced at the free surface of the liquid or other fluent material in a container and subjected to the vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/0012—Apparatus for achieving spraying before discharge from the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Special Spraying Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

1. Устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности, фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на силиконовые элементы для фотоэлектрического применения, содержащее технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары (15) жидкости, и имеющее транспортер (13) для субстратов (12), установленный под отводящим пары жидкости каналом (25) технологической камеры (14), где отводящий пары жидкости канал (25) технологической камеры (14) имеет сужение в своем внутреннем поперечном сечении по направлению к транспортеру (13) и выходит в проходной канал (40) для субстратов (12), который покрывает транспортер (13), причем внутреннее поперечное сечение выходного конца отводящего пары жидкости канала (25) и канала (40) соразмерны друг другу и предпочтительно по существу равны. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отводящий пары жидкости канал (25) имеет клиновидную форму в направлении проходного канала (40). ! 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на проходном канале (40) в направлении (А) прохода за выходным отверстием отводящего канала (25) установлен возвратный канал (52), соединенный с сосудом (16) для жидкости, причем задний конец возвратного канала, обращенный от выходного отверстия, соединен с резервуаром (19) для жидкости. ! 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в зоне над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) имеется выход трубопровода (31) подачи воздуха, соединенный с первым регулирующим устройством (32). ! 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в конце проходного канала (40) имеется канал (46) удаления воздуха, соеди

Claims (20)

1. Устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности, фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на силиконовые элементы для фотоэлектрического применения, содержащее технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары (15) жидкости, и имеющее транспортер (13) для субстратов (12), установленный под отводящим пары жидкости каналом (25) технологической камеры (14), где отводящий пары жидкости канал (25) технологической камеры (14) имеет сужение в своем внутреннем поперечном сечении по направлению к транспортеру (13) и выходит в проходной канал (40) для субстратов (12), который покрывает транспортер (13), причем внутреннее поперечное сечение выходного конца отводящего пары жидкости канала (25) и канала (40) соразмерны друг другу и предпочтительно по существу равны.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отводящий пары жидкости канал (25) имеет клиновидную форму в направлении проходного канала (40).
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на проходном канале (40) в направлении (А) прохода за выходным отверстием отводящего канала (25) установлен возвратный канал (52), соединенный с сосудом (16) для жидкости, причем задний конец возвратного канала, обращенный от выходного отверстия, соединен с резервуаром (19) для жидкости.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в зоне над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) имеется выход трубопровода (31) подачи воздуха, соединенный с первым регулирующим устройством (32).
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в конце проходного канала (40) имеется канал (46) удаления воздуха, соединенный со вторым регулирующим устройством (47).
6. Устройство п.5, отличающееся тем, что между проходным каналом (40) и каналом (46) удаления воздуха имеется резервуар (43) экстракции, содержащий резервуар (45) с ламинарным потоком, соединенный с отсасывающим вентилятором (48).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первое и второе регулирующие устройства (32, 47) могут быть скоординированы, предпочтительно синхронизированы в отношении скорости перемещения паров из технологической камеры (14) через проходной канал (40) и скорости транспортера (13) для субстратов (12).
8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в технологической камере (14) над высокочастотным ультразвуковым устройством (11) и сосудом (16) для жидкости имеется отражающий элемент (28), содержащий пленку (30), предпочтительно пластиковую.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что между свободным концом наклонного отражающего элемента (28), отходящего от стенки (22) технологической камеры, расположенной напротив от отводящего канала (25), и порогом (27) имеется канал (29) для паров жидкости.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что крышка (24) технологической камеры (14) установлена под углом вверх от стенки (22) технологической камеры, расположенной напротив от отводящего канала (25).
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что клинообразный отводящий пары жидкости канал (25) имеет пленочное покрытие (34) на боковых стенках (23, 26).
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что ограничивающие стенки (23, 26) отводящего канала (25) ограничены в зоне выходного отверстия проходного канала (40) отводными каналами (36, 37).
13. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что в соответствии с шириной транспортера (13), в направлении, перпендикулярном направлению (А) перемещения, и, следовательно, направлению расположения технологической камеры (14), на заданном расстоянии друг от друга предусмотрено несколько высокочастотных ультразвуковых устройств (11).
14. Устройство (10) для нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности, фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на силиконовые элементы для фотоэлектрического применения, содержащее технологическую камеру (14), содержащую сосуд (16) для жидкости и высокочастотное ультразвуковое устройство (11), преобразующее жидкость в пары (15) жидкости, в частности, как определено в п.1 и любом из последующих пунктов, где высокочастотное ультразвуковое устройство (11) для распыления жидкости содержит сопло (68), предпочтительно изготовленное из кварцевого стекла, под которым установлен высокочастотный ультразвуковой генератор (65).
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что между соплом (68), выступающим над поверхностью (20) жидкости в сосуд (16) для жидкости, и высокочастотным ультразвуковым генератором (65) имеются подающие отверстия (69), позволяющие жидкости течь из сосуда (16) в сопло (68).
16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что в корпусе (61), предпочтительно изготовленном из пластика, закрепленном на основании (21) сосуда (16) для жидкости и герметично соединенном с этим основанием, установлено сопло (68), высокочастотный ультразвуковой генератор (65) закреплен в корпусе (61) в зоне основания (21) сосуда, и в части (67) корпуса (61) имеется несколько радиальных подающих отверстий (69), выходящих в сосуд (16) для жидкости,
17. Устройство по любому из пп.14-16, отличающееся тем, что высокочастотный ультразвуковой генератор является пьезоэлектрическим элементом (65), на котором закреплена, предпочтительно приклеена, пластина (66) из кварцевого стекла, обращенная к соплу (68) и соответствующая ультразвуковой частоте.
18. Способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости, в частности, фосфорной кислоты, на субстраты (12), в частности на силиконовые элементы для фотоэлектрического применения, при котором в технологической камере высокочастотное ультразвуковое устройство генерирует пары жидкости, которые осаждаются на субстратах, предпочтительно перемещаемых транспортером, причем пары жидкости активно перемещают из технологической камеры на пути к субстратам, сжимают и гомогенизируют в отводящем канале, соединенном с технологической камерой, откуда их переносят в проходной канал, установленный над перемещающимися субстратами, и осаждают на субстраты, при этом скорость перемещения паров жидкости соответствует скорости перемещения субстратов, предпочтительно синхронизируется с этой скоростью.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что жидкость, нагретую в проходном канале, по которому проходят пары жидкости для осаждения, сразу возвращают.
20. Способ по п.18 или 19, отличающийся тем, что остаток паров жидкости равномерно отсасывают в конце проходного канала.
RU2007137829/28A 2005-04-22 2006-03-28 Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты RU2405227C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005019686A DE102005019686B3 (de) 2005-04-22 2005-04-22 Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate
DE102005019686.1 2005-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007137829A true RU2007137829A (ru) 2009-05-27
RU2405227C2 RU2405227C2 (ru) 2010-11-27

Family

ID=36089158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007137829/28A RU2405227C2 (ru) 2005-04-22 2006-03-28 Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты

Country Status (14)

Country Link
US (1) US8136478B2 (ru)
EP (1) EP1872386B1 (ru)
JP (1) JP4955656B2 (ru)
KR (1) KR20080009132A (ru)
CN (1) CN100594583C (ru)
AT (1) ATE481732T1 (ru)
AU (1) AU2006237053B8 (ru)
BR (1) BRPI0608389A2 (ru)
CA (1) CA2604256A1 (ru)
DE (2) DE102005019686B3 (ru)
ES (1) ES2349656T3 (ru)
IL (1) IL186720A0 (ru)
RU (1) RU2405227C2 (ru)
WO (1) WO2006111247A1 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005019686B3 (de) 2005-04-22 2006-04-13 Schmid Technology Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate
US8323220B2 (en) * 2008-09-19 2012-12-04 Eilaz Babaev Spider vein treatment apparatus
US8376969B2 (en) * 2008-09-22 2013-02-19 Bacoustics, Llc Methods for treatment of spider veins
WO2010057978A1 (en) 2008-11-20 2010-05-27 Saphire Aps High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
DE102009059042A1 (de) * 2009-12-10 2011-06-16 Schmid Technology Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Drucksubstanz von einem Drucksubstanzträger auf ein Substrat
CN102284393B (zh) * 2010-06-17 2014-04-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种荧光粉涂覆装置及使用该涂覆装置的涂覆方法
EP2652770A1 (en) * 2010-12-13 2013-10-23 TP Solar, Inc. Dopant applicator system and method of applying vaporized doping compositions to pv solar wafers
AT512219B1 (de) * 2011-12-02 2016-06-15 Braincon Handels-Gmbh Zerstäubungsvorrichtung
FR2995728B1 (fr) * 2012-09-14 2014-10-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason
JP5680604B2 (ja) * 2012-10-29 2015-03-04 株式会社川熱 防食被膜付き鉄筋棒の製造装置
FI125920B (en) * 2013-09-09 2016-04-15 Beneq Oy A method of coating a substrate
FR3023735B1 (fr) * 2014-07-17 2016-07-29 Areco Finances Et Tech - Arfitec Nebuliseur compact pour rafraichir l'air
DE102014112625A1 (de) 2014-09-02 2016-03-03 Schmid Energy Systems Gmbh Großflächen-Ultraschallverdampfer
CL2018003252A1 (es) * 2018-11-16 2019-03-15 Un sistema de nebulizacion en linea por ultrasonido, útil en la disposición de agentes agroquimicos para la fruta de postcosecha
US11458500B2 (en) * 2020-08-24 2022-10-04 Bloomy Lotus Limited Focused ultrasonic atomizer
CN215062598U (zh) * 2021-05-13 2021-12-07 中山市斯泰尔电器科技有限公司 一种新型聚能装置及超声波加湿器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5468039A (en) * 1977-11-09 1979-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic wave humidifier
CA1152230A (en) * 1979-10-18 1983-08-16 Christopher P. Ausschnitt Coating method and apparatus
US5387444A (en) * 1992-02-27 1995-02-07 Dymax Corporation Ultrasonic method for coating workpieces, preferably using two-part compositions
JPH06232541A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fujitsu Ltd フラックスの塗布方法およびこれに使用するフラックス塗布装置
DE4402758A1 (de) * 1994-01-31 1995-08-03 Moedinger Volker Verfahren zum Aufbringen von Flußmittel auf Leiterplatten
JP3500777B2 (ja) * 1995-06-22 2004-02-23 セイコーエプソン株式会社 基板のコーティング方法、基板のコーティング装置、液晶表示体の製造方法、および面照明装置の製造方法
US6349668B1 (en) * 1998-04-27 2002-02-26 Msp Corporation Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates
JP2000005668A (ja) 1998-06-22 2000-01-11 Toppan Printing Co Ltd 流体塗布装置
JP2000044238A (ja) * 1998-07-22 2000-02-15 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池
JP3465872B2 (ja) * 1998-09-21 2003-11-10 松下電池工業株式会社 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置
DE19924108B4 (de) * 1999-05-26 2007-05-03 Robert Bosch Gmbh Plasmapolymerbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2001205151A (ja) * 2000-01-26 2001-07-31 Inax Corp 均一液体薄膜形成装置
JP2001231832A (ja) * 2000-02-21 2001-08-28 Besutekku:Kk 超音波振動基体、超音波プローブ、美容機器及び健康機器
JP2001259494A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 薄膜形成方法
US6841006B2 (en) * 2001-08-23 2005-01-11 Applied Materials, Inc. Atmospheric substrate processing apparatus for depositing multiple layers on a substrate
FR2856941B1 (fr) * 2003-07-01 2006-08-11 Bostik Findley Sa Dispositif et procede d'enduction
JP2006103004A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 液体吐出ヘッド
DE102005019686B3 (de) * 2005-04-22 2006-04-13 Schmid Technology Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsschicht auf Substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080009132A (ko) 2008-01-24
JP4955656B2 (ja) 2012-06-20
US20090053397A1 (en) 2009-02-26
CA2604256A1 (en) 2006-10-26
AU2006237053B2 (en) 2011-06-02
RU2405227C2 (ru) 2010-11-27
EP1872386B1 (de) 2010-09-15
IL186720A0 (en) 2008-02-09
DE102005019686B3 (de) 2006-04-13
AU2006237053B8 (en) 2011-07-07
BRPI0608389A2 (pt) 2009-12-29
AU2006237053A1 (en) 2006-10-26
AU2006237053A8 (en) 2011-07-07
CN101164139A (zh) 2008-04-16
WO2006111247A1 (de) 2006-10-26
DE502006007888D1 (de) 2010-10-28
ES2349656T3 (es) 2011-01-10
ATE481732T1 (de) 2010-10-15
EP1872386A1 (de) 2008-01-02
CN100594583C (zh) 2010-03-17
US8136478B2 (en) 2012-03-20
JP2008536669A (ja) 2008-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007137829A (ru) Устройство и способ нанесения равномерного тонкого слоя жидкости на субстраты
KR101352855B1 (ko) 기판의 표면을 처리하기 위한 장치 및 방법
KR101599214B1 (ko) 대면적 초음파 정밀 세정장치
JP6763843B2 (ja) 超音波洗浄装置及び超音波洗浄システム
CN101465280B (zh) 基板处理装置
TW200937558A (en) Substrate processing device and substrate processing method
CN106340473B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US11090868B2 (en) Three-dimensional printing system with recirculating air handling system
CN104550157A (zh) 清洗装置
KR101438128B1 (ko) 배출 공기 시스템 및 이를 위한 방법
JP2004074104A (ja) 搬送除塵装置
KR101857770B1 (ko) 기판 코팅장치
JP6529628B2 (ja) 成膜装置
CN202860913U (zh) 用于清洁硅衬底的设备
KR20130007149U (ko) 실리콘 기판 세정 장치
US20190366595A1 (en) High Productivity Three-Dimensional Printing System
TW202124323A (zh) 用於製造玻璃帶的方法及設備
JP2006096491A (ja) 基板乾燥装置
KR20100008224A (ko) 스핀 프로세서
JP2011071222A (ja) 表面処理装置
KR20170006154A (ko) 기판 코팅장치
KR20030046136A (ko) 초음파 세정 장치와 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치및 반도체 소자 제조 장치
KR20080078341A (ko) 기판 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120329