EP1499925A2 - Beleuchtungssystem, insbesondere f r die euv-lithographie - Google Patents
Beleuchtungssystem, insbesondere f r die euv-lithographieInfo
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- EP1499925A2 EP1499925A2 EP03724973A EP03724973A EP1499925A2 EP 1499925 A2 EP1499925 A2 EP 1499925A2 EP 03724973 A EP03724973 A EP 03724973A EP 03724973 A EP03724973 A EP 03724973A EP 1499925 A2 EP1499925 A2 EP 1499925A2
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- EP
- European Patent Office
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- optical element
- mirror
- raster elements
- lighting system
- mirror facets
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- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 241000264877 Hippospongia communis Species 0.000 claims description 23
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 241000256247 Spodoptera exigua Species 0.000 claims description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Definitions
- Lighting system especially for EUV lithography
- the invention relates to a lighting system, in particular for EUV lithography with a projection objective
- the invention also relates to a projection exposure system with such an illumination system.
- the wavelength of the light used for microlithography should be reduced further and further.
- lithography e.g. Zt. wavelengths of ⁇ 193 nm have already been used.
- a suitable for EUV lithography • lighting system is intended to homogeneously the default for EUV lithography field, in particular the annular field of an objective with as few reflections illuminate ie uniform.
- the pupil of the objective should be illuminated up to a certain degree of filling ⁇ independent of the field, and the exit pupil of the lighting system should be illuminated in the entrance pupil of the Lens.
- EP 0 939 341 shows an illumination system for the EUV area with a first optical integrator which has a multiplicity of first raster elements and a second optical integrator which has a multiplicity of second raster elements.
- the lighting distribution in the exit pupil is controlled via an aperture wheel.
- the use of an aperture wheel is associated with significant light losses.
- Other proposed solutions, such as a quadrupole lighting distribution and differently applicable illuminations via interchangeable optics are, on the one hand, very complex and, on the other hand, limited to certain types of illumination.
- DE 199 03 807 AI describes an EUV lighting system which includes two mirrors with raster elements. Such systems are also referred to as double-faceted EUV lighting systems.
- the illumination of the exit pupil is determined by the arrangement of the raster elements on the second mirror.
- the illumination in the exit pupil or an illumination distribution is fixed.
- a lighting system is described, with a predetermined illumination in the exit pupil of the lighting system being able to be set by corresponding assignments of the raster elements of the first and second optical elements.
- the field in the reticle plane can be homogeneous and with a partially filled aperture, as well as the exit pupil of the illumination system. when illuminated.
- the variable setting of any lighting distribution in the exit pupil is largely without loss of light.
- the present invention has for its object to provide a lighting system with which the basic idea of the older patent application can be implemented in practice by constructive solutions.
- this object is achieved in that the first raster elements of the first optical element are adjustable in angle for changing a tilt.
- the second raster elements of the second optical element can also be individually and independently adjustable in terms of location and / or angle, in order to shift the assignment of the first and second raster elements and / or to tilt the first raster elements of the first optical element to the second Realize raster elements of the second optical element.
- the individual beams from the field raster overlap as raster elements in the field again, pupil raster to a raster elements with respect to a pupil honeycomb plate or inclined their mirror carrier or be erkippt accordingly.
- a field honeycomb and a pupil honeycomb mirror facets are particularly suitable.
- the pupil honeycombs can simultaneously be used as field lenses for the coupled formation of the light source in the entrance pupil of the Lithography lenses or projection lenses are used.
- the number M of the second raster elements (pupil honeycombs) of the pupil honeycomb plate or of the mirror carrier is always greater than N, N being the number of channels which is determined by the number of illuminated first raster elements (field honeycombs) variable illuminations can be kept in the exit pupil.
- N being the number of channels which is determined by the number of illuminated first raster elements (field honeycombs) variable illuminations can be kept in the exit pupil.
- N being the number of channels which is determined by the number of illuminated first raster elements (field honeycombs) variable illuminations
- Figure 1 shows a structure of an EUV lighting system with a light source, a lighting system and a Proj ejektobj ektiv;
- Figure 2 is a schematic diagram of the beam path with two mirrors with raster elements in the form of mirror facets and a collector unit;
- Figure 3 is a schematic diagram of another beam path with two mirrors with raster elements in the form of mirror facets and a collector unit;
- Figure 4 is a plan view of the first optical element in the form of a field honeycomb plate (mirror carrier) with a plurality of mirror facets;
- FIG. 5 shows a plan view of the second optical element in the form of a pupil honeycomb plate as a mirror carrier with a multiplicity of mirror facets with circular illumination
- FIG. 6 shows a plan view of the second optical element in the form of a pupil honeycomb plate with a plurality of mirror facets with annular illumination
- FIG. 7 shows a plan view of a pupil honeycomb plate
- FIG. 9 shows a plan view of a pupil honeycomb plate which is designed as a control disk
- Figure 10 is a section along the line X-X of Figure 9;
- FIG. 11 shows an enlarged illustration of a mirror facet with a solid body joint in section
- FIG. 12 shows a plan view of the mirror facet according to FIG. 11;
- Figure 13 is an enlarged view of a mirror facet with another type of storage in section.
- FIG. 14 shows a top view of the mirror facet according to FIG. 13.
- FIG. 1 shows an overview of an EUV projection exposure system with a complete EUV lighting system with a light source 1, for example laser plasma, plasma or pinch plasma source or also another EUV light source, and a projection objective 2, which is only shown in principle.
- a collector mirror 2 which can consist, for example, of several shells arranged one inside the other, a plane mirror 3 or reflective spectral filter, an aperture 4 with an image of the light source (not designated), a first optical element 5 a plurality of facet mirrors 6 (see FIGS.
- a second optical element 7 arranged downstream with a plurality of raster elements 8 in the form of facet mirrors and two imaging mirrors 9a and 9b.
- the imaging mirrors 9a and 9b serve to image the facet mirrors 8 of the second optical element 7 in an entrance pupil of the projection objective 2.
- the reticle 12 can be moved in the y direction as a scanning system.
- the reticle plane 11 also simultaneously represents the object plane.
- the mirror facets 8 of the second optical element 7 In order to spend different light channels for setting the setting in the beam path of the lighting system, there is, for example, a larger number M of mirror facets 8 of the second optical element 7 than corresponds to the number N of mirror facets 6 of the first optical element 5. For reasons of clarity, the mirror facets are not shown in FIG. 1.
- the mirror facets 6 of the first optical element 5 are each individually adjustable in angle, while the mirror facets 8 of the second optical element 7 are adjustable both in angle and in location. Details of this are described and illustrated in the figures 7 to 14 explained below. Due to the tiltable arrangement and the displaceability of the mirror facets 6 and 8, different beam paths can and thus different light channels are created between the first optical element 5 and the second optical element 7.
- the subsequent projection lens 2 can be designed as a six-mirror projection lens.
- a wafer 14 is located on a carrier unit 13 as the object to be exposed.
- the adjustability of the mirror facets 6 and 8 makes it possible to implement different settings in an exit pupil 15 of the lighting system, which at the same time forms an entry pupil of the projection objective 2.
- FIGS. 2 and 3 show different light channels through different positions and angles of the mirror facets 6 and 8 of the two optical elements 5 and 7.
- the lighting system is given in a simplified manner compared to the illustration in FIG. 1 (e.g. with regard to the position of the optical elements 5 and 7 and with only one imaging mirror 9).
- FIG. 2 shows a larger fill factor ⁇ .
- the beam path from the light source 1 via the reticle 12 to the entrance pupil 15 is shown in FIGS. 2 and 3.
- FIG. 4 shows a plan view of a mirror carrier 16 of the first optical element 5 with a multiplicity of raster elements in the form of mirror facets 6
- individually adjustable mirror facets 6 as field honeycombs in Rectangular shape, which are arranged in blocks in an area illuminated by the nested collector mirror 2.
- the mirror facets 6 can each be individually adjusted with respect to their angle.
- Mirror facets 8 of the second optical element 7 can additionally be shifted among one another and, if necessary, independently of one another.
- FIG. 5 shows a plan view of a mirror carrier 16 or a pupil honeycomb plate of the second optical element 7, the light channels resulting in a circular setting.
- FIG. 6 shows a plan view of a mirror carrier 16 of the second optical element 7 with mirror facets in an annular or annular setting. Another possibility is a known quadrupole setting (not shown). The illuminated mirror facets are each shown dark in FIGS. 5 and 6.
- FIG. 7 shows a top view of the mirror carrier 16 of the second optical element 7, the mirror carrier 16 being designed as a guide disk.
- the mirror carrier 16 or the guide disk is provided with a plurality of guide grooves 17 (only one guide groove 17 is shown in FIG. 7 for reasons of clarity), in each of which a circular mirror facet 8 is guided.
- the guide grooves 17 run essentially radially or slightly curved. The course of the guide grooves 17 depends on the respective application and on the desired direction of displacement of the mirror facets 8.
- a control disk 18 is arranged in parallel and adjacent thereto, which is also provided with a number of control grooves 19 corresponding to the guide grooves 17 and thus the mirror facets 8.
- Each mirror facet 8 is thus guided in a guide groove 17 and in a control groove 19. If the tax • disk 18 is moved by a drive device, not shown, in the direction of arrow 20 in FIG. 7, the mirror facets 8 move radially inwards or outwards along the guide groove 17. This shift changes the assignment of the light channels and thus the illumination. This means that by turning the control disk 18 relative to the guide disk 16, the associated mirror facet 8 is displaced along the associated guide groove 17 at the intersection of the two grooves 17 and 19.
- FIGS. 9 and 10 show an embodiment for displacing the mirror facets 8 of the second optical element 7 in each case in a guide groove 17 of the mirror carrier 16, a drive device 21 (in FIGS. 9 and 10 only shown in principle and in broken lines) being provided in each case.
- each mirror facet 8 has its own drive in the associated guide groove 17, the drive e.g. can take place according to the known piezo inch worm principle.
- FIGS. 11 and 12 show in section and in plan view an enlarged illustration of a mirror facet 6 of the first optical element 5, which is connected to the mirror carrier 16 of the first optical element 5 by a joint 22, which is designed as a solid-state joint. All parts can be in one piece or each mirror facet 6 has a central web as a joint 22, via which the connection to the mirror below it gel carrier 16 takes place.
- Each mirror facet 6 can be tilted with respect to the mirror carrier 16 by means of actuators 23, which are not shown in any more detail and are located between the mirror carrier 16 and the underside of each mirror facet 6. From the top view according to FIG. 12 it can be seen that an actuator 23, which is located on the y-axis, and a further actuator 23, which is located on the x-axis, provide tilting possibilities in both directions.
- the two actuators 23 are each located on their associated axis outside the axis intersection.
- actuators 23 can e.g. Piezoceramic elements are used.
- FIGS. 13 and 14 show an embodiment by means of which larger tilts for the mirror facets 6 are made possible.
- FIG. 13 in this case there is a central tilting joint or tilting bearing 24 between the mirror facet 6 and the mirror support 16.
- actuators 23 tilt the mirror facet 6 in both the x and y directions.
- the tilting devices shown in FIGS. 11 to 14 allow not only the mirror facets 6 of the first optical element 5 but also the mirror facets 8 of the second optical element 7 to be adjusted as desired and independently of one another.
- the mirror facets 8 of the second optical element 7 have a circular shape.
- this difference has no influence on the type or mode of operation of the tilting devices shown in FIGS. 11 to 14.
- the mirror facets 6 of the first optical element can also be shifted in the same way as shown in FIGS. 7 to 10, but in practice this is shown in FIG. general may not be required; rather, pure tilt settings will usually be sufficient.
- Actuators that can be activated magnetically or electrically are also possible as actuators 23.
- the actuators 23 can continuously adjust the mirror facets 6 and 8 via a control loop (not shown).
- a control loop not shown
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Abstract
Ein Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv zu Herstellung von Halbleiter-elementen für Wellenlängen ≤ 193 nm ist mit einer Lichtquelle (1), mit einer Objektebene (12), mit einer Austrittspupille (15) und mit einem ersten optischen Element (5) mit ersten Rasterelementen (6) zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element (7) mit zweiten Rasterelementen (8) versehen. Jedem Lichtkanal, der von einem der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) ausgebildet wird, ist ein Rasterelement (8) des zweiten optischen Elementes (7) zugeordnet. Die Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) und des zweiten optischen Elementes (7) können derart ausgestaltet oder angeordnet werden, dass sie für jeden Lichtkanal einen durchgehenden Strahlverlauf von der Lichtquelle 1 bis zur Objektebene (12) ergibt. Die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) sind zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar. Die zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) können einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellt werden, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
Description
Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv zur
Herstellung von Halbleiterelementen für Wellenlängen < 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einer Austrittspupille, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestaltet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt.
Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem.
Zur Reduzierung der Strukturbreiten von elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterelementen,, soll die Wel- lenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes immer weiter verringert werden. In der Lithographie werden z . Zt . bereits Wellenlängen von < 193 nm verwendet.
Ein für die EUV-Lithographie geeignetes • Beleuchtungssystem soll dabei mit möglichst wenigen Reflektionen das für die EUV-Lithographie vorgegebene Feld, insbesondere das Ringfeld eines Objektives homogen, d.h. uniform ausleuchten. Außerdem soll die Pupille des Objektives feldunabhängig bis zu einem bestimmten Füllgrad σ ausgeleuchtet werden und die Austritts- pupille des Beleuchtungssystems in der Eintrittspupille des
Objektivs liegen.
Zum allgemeinen Stand der Technik wird auf die US 5,339,346, die US 5,737,137, die US 5,361,292 und die US 5,581,605 ver- wiesen.
Die EP 0 939 341 zeigt ein Beleuchtungssystem für den EUV- Bereich mit einem ersten optischen Integrator, der eine Vielzahl von ersten Rasterelementen aufweist, und einem zweiten optischen Integrator, der eine Vielzahl von zweiten Rasterelementen aufweist. Die Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille erfolgt dabei über ein Blendenrad. Die Verwendung eines Blendenrades ist jedoch mit deutlichen Lichtverlusten verbunden. Weitere vorgeschlagene Lösungen, wie z.B. eine Quadrupol-Beleuchtungsverteilung und unterschiedlich anwendbare Ausleuchtungen über Wechseloptiken sind jedoch zum einen sehr aufwendig und zum anderen auf bestimmten Arten der Ausleuchtung beschränkt.
In der DE 199 03 807 AI ist ein EUV-Beleuchtungssyste beschrieben, das unter anderem zwei Spiegel mit Rasterelementen umfaßt. Derartige Systeme werden auch als doppelt facettierte EUV-Beleuchtungssysteme bezeichnet. Die Ausleuchtung der Austrittspupille wird dabei durch die Anordnung der Rasterele- mente auf dem zweiten Spiegel bestimmt. Die Ausleuchtung in der Austrittspupille bzw. eine Beleuchtungsverteilung ist dabei festgelegt.
In der älteren deutschen Patentanmeldung 100 53 587.9 ist ein Beleuchtungssystem beschrieben, wobei durch entsprechende Zuordnungen der Rasterelemente des ersten und des zweiten optischen Elementes eine vorgegebene Ausleuchtung in der Austrittspupille des Beleuchtungssystems eingestellt werden kann. Mit einem derartigen Beleuchtungssystem kann das Feld in der Retikelebene homogen und mit partiell gefüllter Apertur sowie die Austrittspupille des Beleuchtungssystems varia-
bei ausgeleuchtet werden. Die variable Einstellung einer beliebigen Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille erfolgt dabei weitgehend ohne Lichtverluste.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Beleuchtungssystem zu schaffen, mit welchem die Grundidee der älteren Patentanmeldung durch konstruktive Lösungen in der Praxis realisierbar ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar sind. Zusätzlich können auch die zweiten Rasterelemente des zweiten optischen Elementes einzeln und unabhängig voneinander- im Ort und/oder im Winkel verstellbar sein, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes zu den zweiten Rasterelementen des zweiten optischen Elementes zu realisieren.
Durch ein entsprechendes Verschieben und/oder Verkippen der Rasterelemente lassen sich nun Lichtkanäle in variablen Ausgestaltungen erreichen.
Damit sich die einzelnen Strahlenbündel von Feldwaben als Rasterelemente im Feld wieder überlappen, können Pupillenwaben als Rasterelemente in Bezug auf eine Pupillenwabenplatte bzw. deren Spiegelträger geneigt bzw. entsprechend " erkippt werden. Als Feldwaben und als Pupillenwaben sind besonders Spiegelfacetten geeignet.
Ist dabei das System als System mit reellen Zwischenbildern der Lichtquelle hinter der Feldwabenplatte bzw. dem Spiegelträger des ersten optischen Elementes aufgebaut, so können die Pupillenwaben gleichzeitig als Feldlinsen für die gekoppelte Ausbildung der Lichtquelle in die Eintrittspupille des
Lithographieobjektives bzw. Projektionsobjektives dienen. .
Wenn in einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (Pupillenwaben) der Pu- pillenwabenplatte bzw. des Spiegelträgers stets größer als N ist, wobei N die Anzahl der Kanäle ist, die durch die Anzahl der ausgeleuchteten ersten Rasterelemente (Feldwaben) bestimmt wird, können variable Ausleuchtungen in der Austrittspupille vorgehalten werden. Mit anderen Worten: in diesem Falle wird man mehr Pupillenwaben bzw. Spiegelfacetten an dem zweiten optischen Element vorsehen, als es für die Anzahl der von den ersten Rasterelementen des ersten optischen Elementes erzeugten Lichtkanäle erforderlich wäre. Bei einem bestimmten Setting mit einer bestimmten Feldwabe mit N Kanälen ist somit jeweils nur ein Teil der Pupillenwaben ausgeleuchtet. Dies führt somit zu einer segmentierten oder parzellierten Aus- leuchtu g der Pupillenwaben.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen und aus den nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Es zeigt:
Figur 1 einen Aufbau eines EUV-Beleuchtungssystemes mit einer Lichtquelle, einem Beleuchtungssystem und einem Proj ektionsobj ektiv;
Figur 2 eine Prinzipskizze des Strahlenganges mit zwei Spiegeln mit Rasterelementen in Form von Spiegelfacetten und einer Kollektoreinheit;
Figur 3 eine Prinzipskizze eines anderen Strahlenganges mit zwei Spiegeln mit Rasterelementen in Form von Spiegelfacetten und einer Kollektoreinheit;
Figur 4 eine Draufsicht auf das erste optische Element in Form einer Feldwabenplatte (Spiegelträger) mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten;
Figur 5 eine Draufsicht auf das zweite optische Element in Form einer Pupillenwabenplatte als Spiegelträger mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten bei kreisförmiger Ausleuchtung;
Figur 6 eine Draufsicht auf das zweite optische Element in Form einer Pupillenwabenplatte mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten bei ringförmiger Ausleuchtung;
Figur 7 eine Draufsicht auf eine Pupillenwabenplatte;
Figur 8 einen Schnitt nach der Linie VIII-VIII der Figur 7;
Figur 9 eine Draufsicht auf eine Pupillenwabenplatte, die als Steuerscheibe ausgebildet ist;
Figur 10 einen Schnitt nach der Linie X-X der Figur 9;
Figur 11 eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette mit einem Festkörpergelenk im Schnitt;
Figur 12 eine Draufsicht auf die Spiegelfacette nach der Figur 11;
Figur 13 eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette mit einer anderen Lagerungsart im Schnitt; und
Figur 14 eine Draufsicht auf die Spiegelfacette nach Figur 13.
Die Figur 1 zeigt in einer Übersichtsdarstellung eine EUV- Projektionsbelichtungsanlage mit einem kompletten EUV- Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle 1, z.B. Laser- Plasma, Plasma oder Pinch-Plasma-Quelle oder auch einer anderen EUV-Lichtquelle, und einem nur prinzipmäßig dargestellten Projektionsobjektiv 2. Außer der Lichtquelle 1 ist in dem Beleuchtungssystem ein Kollektorspiegel 2, der z.B. aus mehreren ineinander angeordneten Schalen bestehen kann, ein Plan- Spiegel 3 oder reflektiver Spektralfilter, eine Blende 4 mit einem Bild der Lichtquelle (nicht bezeichnet) , ein erstes optisches Element 5 mit einer Vielzahl von Facettenspiegeln 6 (siehe Figuren 2 und 3) , ein nachfolgend angeordnetes zweites optisches Element 7 mit einer Vielzahl von Rasterelementen 8 in Form von Facettenspiegeln und zwei Abbildungsspiegel 9a und 9b angeordnet. Die Abbildungsspiegel 9a und 9b dienen dazu, die Facettenspiegel 8 des zweiten optischen Elementes 7 in eine Eintrittspupille des Projektionsobjektives 2 abzubilden. Das Retikel 12 kann, als Scanning-System in y-Richtung verfahrbar sein. Die Retikelebene 11 stellt auch gleichzeitig die Objektebene dar.
Um unterschiedliche Lichtkanäle zur Setting-Einstellung in den Strahlengang des Beleuchtungssystems zu verbringen, ist beispielsweise eine größere Anzahl M an Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 vorhanden als es der Anzahl N der Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 entspricht. In der Figur 1 sind die Spiegelfacetten aus Übersichtlichkeitsgründen nicht dargestellt. Die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 sind jeweils einzeln im Winkel verstellbar, während die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 sowohl im Winkel als auch im Ort verstellbar sind. In den nachfolgend erläuterten Figuren 7 bis 14 sind Einzelheiten hierzu beschrieben und dargestellt. Durch die kippbare Anordnung und die Verschiebbarkeit der Spiegelfacetten 6 und 8 können unterschiedliche Strahlengänge
und somit unterschiedliche Lichtkanäle zwischen dem ersten optischen Element 5 und dem zweiten optischen Element 7 geschaffen werden.
Das nachfolgende Projektionsobjektiv 2 kann als ein Sechs- Spiegel-Projektionsobjektiv ausgebildet sein. Als zu belichtendes Objekt befindet sich auf einer Trägereinheit 13 ein Wafer 14.
Durch die Einstellbarkeit der Spiegelfacetten 6 und 8 lassen sich unterschiedliche_ Settings in einer Austrittspupille 15 des Beleuchtungssystems, die gleichzeitig eine Eintrittspupille des Projektionsobjektives 2 bildet, realisieren.
In den Figuren 2 und 3 sind prinzipmäßig unterschiedliche Lichtkanäle durch unterschiedliche Lagen und Winkel der Spiegelfacetten 6 und 8 der beiden optischen Elemente 5 und 7 dargestellt. Das Beleuchtungssystem ist dabei gegenüber der Darstellung in Fig. 1 vereinfacht angegeben (z.B. bezüglich der Lage der optischen Elemente 5 und 7 und mit nur einem Abbildungsspiegel 9) .
Dabei zeigt die Darstellung in der Figur 2 einen größeren Füllfaktor σ.
Für σ = 1,0 ist die Objektivpupille vollständig gefüllt; σ = 0,6 bedeutet entsprechend eine Unterfüllung.
Dargestellt ist bei den Figuren 2 und 3 der Strahlengang von der Lichtquelle 1 über das Retikel 12 bis zur Eintrittspupille 15.
Die Figur 4 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 des ersten optischen Elementes 5 mit einer Vielzahl von Ras- terelementen in Form von Spiegelfacetten 6. Dargestellt sind
142 einzeln verstellbare Spiegelfacetten 6 als Feldwaben in
Rechteckform, die in Blöcken in einem von dem genesteten Kollektorspiegel 2 ausgeleuchteten Bereich angeordnet sind. Die Spiegelfacetten 6 können jeweils einzeln bezüglich ihres Winkels verstellt werden. Spiegelfacetten 8 des zweiten opti- sehen Elementes 7 können zusätzlich noch untereinander und im Bedarfsfalle auch unabhängig voneinander verschoben werden.
Die Figur 5 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 bzw. eine Pupillenwabenplatte des zweiten optischen Elementes 7, wobei die Lichtkanäle ein kreisförmiges Setting ergeben.
Figur 6 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 des zweiten optischen Elementes 7 mit Spiegelfacetten in einem ringförmigen bzw. annularen Setting. Eine weiter Möglichkeit besteht in einem bekannten Quadrupol-Setting (nicht dargestellt) . In den Figuren 5 und 6 sind die ausgeleuchteten Spiegelfacetten jeweils dunkel dargestellt.
Die Figur 7 zeigt eine Draufsicht auf den Spiegelträger 16 des zweiten optischen Elementes 7, wobei der Spiegelträger 16 als Führungsscheibe ausgebildet ist. Der Spiegelträger 16 bzw. die Führungsscheibe ist mit einer Vielzahl von Führungsnuten 17 (aus Übersichtlichkeitsgründen ist in der Figur 7 nur eine Führungsnut 17 dargestellt) versehen, in welchen je- weils eine kreisförmige Spiegelfacette 8 geführt ist. Die Führungsnuten 17 verlaufen im wesentlichen radial bzw. leicht gebogen dazu. Der Verlauf der Führungsnuten 17 richtet sich nach dem jeweiligen Anwendungsfall und nach der gewünschten Verschieberichtung der Spiegelfacetten 8.
Unter dem Spiegelträger 16 bzw. der Führungsscheibe ist parallel und anliegend dazu eine Steuerscheibe 18 angeordnet, die ebenfalls mit einer den Führungsnuten 17 und damit den Spiegelfacetten 8 entsprechenden Anzahl von Steuernuten 19 versehen ist. Jede Spiegelfacette 8 ist somit in einer Führungsnut 17 und in einer Steuernut 19 geführt. Wird die Steu-
•erscheibe 18 durch eine nicht dargestellte Antriebseinrichtung in Pfeilrichtung 20 der Figur 7 bewegt, so bewegen sich die Spiegelfacetten 8 entlang der Führungsnut 17 radial nach innen oder außen. Durch diese Verschiebung ändern sich die Zuordnungen der Lichtkanäle und damit die Ausleuchtung. Dies bedeutet, durch Verdrehen der Steuerscheibe 18 relativ zur Führungsscheibe 16 wird im Kreuzungspunkt der beiden Nuten 17 und 19 die dazugehörige Spiegelfacette 8 entlang der dazugehörigen Führungsnut 17 verschoben.
Die Figuren 9 und 10 zeigen eine Ausgestaltung zur Verschiebung der Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 jeweils in einer Führungsnut 17 des Spiegelträgers 16, wobei jeweils eine Antriebseinrichtung 21 (in der Figur 9 und 10 nur im Prinzip und gestrichelt dargestellt) vorgesehen ist. In diesem Falle besitzt jede Spiegelfacette 8 ihren eigenen Antrieb in der dazugehörigen Führungsnut 17, wobei der Antrieb z.B. nach dem bekannten Piezo-Inch-Worm-Prinzip erfolgen kann.
Selbstverständlich sind für diesen Zweck auch noch andere Antriebseinrichtungen möglich, durch die die Spiegelfacetten 8 jeweils einzeln verstellt werden können. Anstelle einer Anordnung der Antriebseinrichtung jeweils direkt in einer Füh- rungsnut 17 kann diese selbstverständlich im Bedarfsfalle auch unabhängig davon unter bzw. hinter dem Spiegelträger 16 angeordnet sein.
In den Figuren 11 und 12 ist im Schnitt und in der Draufsicht eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette 6 des ersten optischen Elementes 5 dargestellt, welche durch ein Gelenk 22, das als Festkörpergelenk ausgebildet ist, mit dem Spiegelträger 16 des ersten optischen Elementes 5 verbunden ist. Dabei können alle Teile einstückig sein oder jede Spie- gelfacette 6 weist einen zentralen Steg als Gelenk 22 auf, über welchem die Verbindung mit dem darunterliegenden Spie-
gelträger 16 erfolgt.
Durch nicht näher dargestellte Aktuatoren 23, die sich zwischen dem Spiegelträger 16 und der Unterseite jeder Spiegel- facette 6 befinden, kann jede Spiegelfacette 6 gegenüber dem Spiegelträger 16 gekippt werden. Aus der Draufsicht gemäß Figur 12 ist ersichtlich, daß durch einen Aktuator 23, der sich auf der y-Achse befindet, und einen weiteren Aktuator 23, der sich auf der x-Achse befindet, Kippmöglichkeiten in beide Richtungen gegeben sind. Dabei befinden sich die beiden Aktuatoren 23 jeweils auf der ihr zugehörigen Achse außerhalb des Achsenschnittpunktes .
Da die Verstellung bzw. Kippung jeder Spiegelfacette 6 nur in einem sehr geringen Maße stattfindet, können als Aktuatoren 23 z.B. piezokeramische Elemente verwendet werden.
In den Figuren 13 und 14 ist eine Ausgestaltung dargestellt, durch die größere Kippungen für die Spiegelfacetten 6 ermög- licht werden. Wie aus Figur 13 ersichtlich ist, befindet sich • in diesem Falle zwischen der Spiegelfacette 6 und dem Spiegelträger 16 ein zentrales Kippgelenk bzw. Kipplager 24. Auch hier sorgen Aktuatoren 23 für Verkippungen der Spiegelfacette 6 sowohl in x- als auch in y-Richtung. Hierzu befinden sich in diesem Falle zwei auf Abstand voneinander angeordnete Aktuatoren 23 auf der y-Achse außerhalb des Schnittpunktes der beiden Achsen und zwei weitere Aktuatoren 23 außerhalb der y- Achse beidseitig in gleichem Abstand von der x-Achse (siehe Figur 14) .
Durch die in den Figuren 11 bis 14 dargestellten Kippeinrichtungen lassen sich nicht nur die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 sondern auch die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 beliebig und unabhängig vonein- ander verstellen.
Im Unterschied zu den Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5, die eine langgezogene bzw. schmale Rechteckform aufweisen, besitzen die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 eine Kreisform. Dieser Unterschied hat je- doch keinen Einfluß auf die Art bzw. Wirkungsweise der in den Figuren 11 bis 14 dargestellten Kippeinrichtungen.
Grundsätzlich lassen sich die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes ebenfalls in gleicher Weise verschieben, wie in den Figuren 7 bis 10 dargestellt, aber in der Praxis wird dies im. allgemeinen nicht erforderlich sein; vielmehr werden reine Kippeinstellungen in der Regel ausreichend sein.
Als Aktuatoren 23 sind auch magnetisch oder elektrisch akti- vierbare Betätigungsglieder möglich. Die Aktuatoren 23 können dabei über einen Regelkreis (nicht dargestellt) stufenlos die Spiegelfacetten 6 bzw. 8 verstellen. Ebenso ist es auch möglich für die Aktuatoren Endpositionen festzulegen, womit für die Spiegelfacetten 6 bzw. 8 jeweils zwei exakte Kippstellun- gen vorgegeben sind.
Claims
1. Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV- Lithographie, zur Herstellung von Halbleiterelementen für Wellenlängen < 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ers- ten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, und wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestaltet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar sind, um durch Kippen der ersten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
2. Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) größer ist als die Anzahl N der Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) .
3. Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellbar sind, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zwei- ten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen E- lementes (7) zu realisieren.
4. Beleuchtungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente als Feldwaben in Form von ersten Spiegelfacetten (6) ausgebildet sind und daß die zweiten Rasterelemente als Pupillenwaben in Form von zweiten Spiegelfacetten (8) ausgebildet sind, wobei die ersten Spiegelfacetten (6) und die zweiten Spiegelfacetten (8) jeweils auf einem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
5. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den Spiegelfacetten (6,8) des ersten und des zweiten optischen Elementes (5,7) durch Verkippen der Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind, um so unterschiedliche Zuordnungen der ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) und damit unterschiedliche Ausleuchtungen einer Austrittspupille (15) zu realisieren.
6. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) und den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) durch Verkippen und Verschieben der zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind.
7. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich- net, daß die Spiegelfacetten (6,8) des ersten optischen Elementes (5) und/oder des zweiten optischen Elementes (7) jeweils über ein Gelenk (22) mit dem dazugehörigen Spiegelträger (16) verbunden sind.
8. Beleuchtungssystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Gelenke (22) als Festkörpergelenke ausgebildet sind.
9. Beleuchtungssystem nach Anspruch 7 oder 8, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Spiegelfacetten (6,8) in x-Richtung und/oder in y-Richtung kippbar sind.
10. Beleuchtungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Gelenke (22) jeweils auf der x-Achse und/oder der y-Achse der Spiegelfacetten (6,8) befinden.
11. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Verschieben und/oder Kippen der Spiegelfacetten (6, 8) Aktuatoren (23) zwischen den Rasterelemen- ten (6,8) und dem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
12. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) piezokeramische Verstell- glieder aufweisen.
13. Beleuchtungssystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) mit magnetisch oder elektrisch aktivierbaren Betätigungsgliedern versehen sind.
14. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) über einen Regelkreis stufenlos die Rasterelemente (6,8) verstellen.
15. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich- net, daß für die Aktuatoren (23) Endpositionen festgelegt sind.
16. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegelfacetten (6,8) auf vorgegebenen Bah- nen verschiebbar sind.
17. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Spiegelträger (16) Kurvenbahnen eingebracht sind, in denen die Spiegelfacetten (6,8) jeweils einzeln geführt sind.
18. Beleuchtungssystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Spiegelträger (16) als Führungsscheibe ausgebildet ist, die mit einer Steuerscheibe (18) zusammen- wirkt, in welcher Führungsbahnen (19) zur Verschiebung der Spiegelfacetten (6,8) angeordnet sind.
19. Beleuchtungssystem nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerscheibe (18) angetrieben ist.
20. Beleuchtungssystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß jede Spiegelfacette (6,8) in einer Kurvenbahn des Spiegelträgers (16) geführt und daß jede Spiegelfacette (6,8) einzeln durch ein Antriebsglied antreibbar ist.
21. Beleuchtungssystem nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Antriebseinrichtung (21) jeweils in einer Kurvenbahn angeordnet ist und jede Spiegelfacette (6,8) einzeln nach dem Inch-Worm-Prinzip bewegt wird.
22. Projektionsbelichtunganlage für die Mikrolithograhpie zur Herstellung von Halbleiterelementen mit einem Beleuchtungssystem und mit einem Projektionsobjektiv, insbeson- dere für Wellenlängen < 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einer Austrittspupille, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, und wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestal- tet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zur Änderung eines Kippes winkelver- stellbar sind, um durch Kippen der ersten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
23. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) größer ist als die Anzahl N der Rasterelemente (6) des ersten opti- sehen Elementes (5) .
24. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Rasterelemente
(8) des zweiten optischen Elementes (7) einzeln und unab- hängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellbar sind, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
25. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente als Feldwaben in Form von ersten Spiegelfacetten (6) ausgebildet sind und daß die zweiten Rasterelemente als Pupillenwaben in Form von zweiten Spiegelfacetten (8) ausgebildet sind, wobei die ersten Spiegelfacetten (6) und die zweiten Spiegelfacetten (8) jeweils auf einem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
26. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den Spiegelfacetten (6,8) des ersten und des zweiten optischen Elementes (5,7) durch Verkippen der Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) in Bezug auf den Spiegel- träger (16) einstellbar sind, um so unterschiedliche Zuordnungen der ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) und damit unterschiedliche Ausleuchtungen der Austrittspupille (15) zu realisieren.
27. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) und den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) durch Verkippen und Verschieben der zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) in Bezug auf den Spiegelträger (16) .einstellbar sind.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10219514 | 2002-04-30 | ||
| DE10219514A DE10219514A1 (de) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
| PCT/EP2003/003616 WO2003093902A2 (de) | 2002-04-30 | 2003-04-08 | Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EP1499925A2 true EP1499925A2 (de) | 2005-01-26 |
Family
ID=29224960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EP03724973A Withdrawn EP1499925A2 (de) | 2002-04-30 | 2003-04-08 | Beleuchtungssystem, insbesondere f r die euv-lithographie |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7196841B2 (de) |
| EP (1) | EP1499925A2 (de) |
| JP (1) | JP2005524236A (de) |
| CN (1) | CN1650234A (de) |
| AU (1) | AU2003227574A1 (de) |
| DE (1) | DE10219514A1 (de) |
| WO (1) | WO2003093902A2 (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2003-04-08 EP EP03724973A patent/EP1499925A2/de not_active Withdrawn
- 2003-04-08 CN CN03809609.9A patent/CN1650234A/zh active Pending
- 2003-04-08 US US10/512,100 patent/US7196841B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Title |
|---|
| See references of WO03093902A2 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1650234A (zh) | 2005-08-03 |
| AU2003227574A1 (en) | 2003-11-17 |
| WO2003093902A3 (de) | 2004-03-11 |
| US20050174650A1 (en) | 2005-08-11 |
| US7196841B2 (en) | 2007-03-27 |
| AU2003227574A8 (en) | 2003-11-17 |
| WO2003093902A2 (de) | 2003-11-13 |
| JP2005524236A (ja) | 2005-08-11 |
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