JP2005524236A - 特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム - Google Patents

特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム Download PDF

Info

Publication number
JP2005524236A
JP2005524236A JP2004502061A JP2004502061A JP2005524236A JP 2005524236 A JP2005524236 A JP 2005524236A JP 2004502061 A JP2004502061 A JP 2004502061A JP 2004502061 A JP2004502061 A JP 2004502061A JP 2005524236 A JP2005524236 A JP 2005524236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
mirror
grating
illumination system
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004502061A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005524236A5 (ja
Inventor
フランク メルツァー,
ヴォルフガング ジンガー,
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
Publication of JP2005524236A publication Critical patent/JP2005524236A/ja
Publication of JP2005524236A5 publication Critical patent/JP2005524236A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

193nm以下の波長に対して半導体素子を生成するための投影レンズを有する、特には極端紫外線(EUV)リソグラフィに使用するための照明システムが、光源(1)と、物体平面(12)と、出口瞳(15)と、光チャンネルを生成するための第1スクリーンエレメント(6)を有する第1光学エレメント(5)と、第2スクリーンエレメント(8)を有する第2光学エレメント(7)とを備えている。第2光学エレメント(7)のスクリーンエレメント(8)は、第1光学エレメント(5)の第1スクリーンエレメント(6)のうちの1つにより形成される各光チャンネルに割り当てられる。第1光学エレメント(5)及び前記第2光学エレメント(7)のスクリーンエレメント(6)は、これらスクリーンエレメントが各光チャンネルに対して光源(1)から物体平面(12)までの連続したビーム進路を生成するように構成し又は配置することができる。第1光学エレメント(5)の第1スクリーンエレメント(6)の角度は、傾きを変更するために調整することができる。第2光学エレメント(7)における第2スクリーンエレメント(8)の位置及び/又は角度は、第1及び第2スクリーンエレメント(8)を変位及び/又は傾動させることにより、第2光学エレメント(7)の第2スクリーンエレメント(8)に対する第1光学エレメント(5)の第1スクリーンエレメント(6)の他の割り当てを実現するように個別に且つ互いに独立に調整することができる。

Description

本発明は、特には極端紫外線(EUV)リソグラフィのための照明システムであって、193nm以下の波長に対して半導体素子を生成するための投影対物系と、光源と、物体平面と、出口瞳と、光チャンネルを生成するための第1格子エレメントを備える第1光学エレメントと、第2格子エレメントを備える第2光学エレメントとを有し、上記第1光学エレメントにおける第1格子エレメントの1つにより形成される各光チャンネルには上記第2光学エレメントの格子エレメントが割り当てられ、上記第1光学エレメント及び第2光学エレメントの格子エレメントは各光チャンネルに関する結果が上記光源から上記物体平面までの連続したビーム進路となるように構成し又は配置することが可能であるような照明システムに関する。
また、本発明は斯様な照明システムを有する投影露光装置にも関する。
特には半導体部品等の電子部品の構造幅を低減するためには、マイクロリソグラフィに使用される光の波長は、更に一層減少されねばならない。現在の処、193nm以下の波長がリソグラフィに既に使用されている。
ここで、EUVリソグラフィに適した照明システムは、当該EUVリソグラフィのために予め規定されたフィールド(視野)、特には対物系の環状フィールドを可能な限り少ない反射で一様に、即ち均一に照明しなければならない。加えて、上記対物系の瞳は、上記フィールドとは独立に特定の満たしレベルσまで照明されねばならず、且つ、照明システムの出口瞳は対物系の入口瞳内に位置しなければならない。
一般的な従来技術に関しては、米国特許第5,339,346号、第5,737,137号、第5,361,292号及び第5,581,605号を参照されたい。
ヨーロッパ特許第EP0939341号はEUV域用の照明システムであって、多数の第1格子エレメントを備える第1光積分器と、多数の第2格子エレメントを備える第2光積分器とを有しているような照明システムを示している。この場合、出口フィールド内における照明の分布は絞りホイール(stop
wheel)を介して制御される。しかしながら、絞りホイールの使用は、かなりの光の損失につながる。四極照明分布及び交換可能な光学系により異なるように使用することが可能な照明システム等の他の提案された解決策は、しかしながら、第1に複雑であると共に、第2に特定の型式の照明に制限されてしまう。
ドイツ国特許出願公開第DE19903807A1号は、とりわけ、格子エレメントを備える2つのミラーを有するようなEUV照明システムを記載している。この型式のシステムは、ダブルファセット(double
facetted)EUV照明システムとも呼ばれる。この場合、出口瞳の照明は第2ミラー上の格子エレメントの配置により決定される。この場合、該出口瞳における照明、即ち照明分布は規定されてしまう。
より以前のドイツ国特許出願第10053587.9号にも照明システムが記載されており、該照明システムの出口瞳には第1光学エレメントの格子エレメントと第2光学エレメントの格子エレメントとの間の適切な関連づけにより、所定の照明パターンを設定することができる。この型式の照明システムを使用して、レチクル面におけるフィールドは一様に且つ部分的に満たされた開口を用いて照明することができ、該照明システムの出口瞳は可変的態様で照明することもできる。この場合、当該出口瞳における如何なる所望の照明分布の可変設定も、多くは光の損失無しで実行することができる。
本発明は、以前の特許出願の基本的思想を構造的解決策により実際に実施化することができるような照明システムを提供するという目的に基づくものである。
本発明によれば、この目的は、前記第1光学エレメントにおける第1格子エレメントの角度を、傾きを変更すべく調整することができるようにすることにより達成される。更に、前記第2光学エレメントの第2格子エレメントの位置及び/又は角度も個々に且つ互いに独立に制御することができ、これにより、前記第1及び第2格子エレメントの変位及び/又は傾動によって前記第2光学エレメントの第2格子エレメントに対する前記第1光学エレメントの第1格子エレメントの異なる割り当てを実行する。
上記格子エレメントの適切な変位及び/又は傾動により、可変構成の光チャンネルを達成することができる。
フィールドにおける格子エレメントとしてのフィールドハニカムの個々の光束が再び重なり合うようにするために、格子エレメントとしての瞳ハニカムは、瞳ハニカム板、即ち該瞳ハニカムのミラー支持体に対して適切に傾斜又は傾動させることができる。フィールドハニカム及び瞳ハニカムとしては、ミラーファセットが特に適している。
この場合、当該システムが、上記フィールドハニカム板、即ち第1光学エレメントのミラー支持体の後に光源の実中間像を有するようなシステムとして構築される場合には、上記瞳ハニカムを、同時に、光源をリソグラフィ対物系、即ち投影対物系の入口瞳へ結合投影するための、フィールドレンズとして使用することができる。
本発明の有利な改善例において、上記瞳ハニカム板(即ち、ミラー支持体)の第2格子エレメント(瞳ハニカム)の数Mが、照明される第1格子エレメント(フィールドハニカム)の数により決まるチャンネルの数Nより常に大きい場合は、前記出口瞳に可変の照明パターンを提供することができる。言い換えると、この場合、第2光学エレメント上には、第1光学エレメントの第1格子エレメントにより生成される光チャンネルの数にとり必要であるよりも、多くの瞳ハニカム又はミラーファセットが設けられる。Nチャンネルを持つ特定のフィールドハニカムに対して特定の設定が付与された場合、各々、上記瞳ハニカムの幾つかのみが照明される。従って、これは上記瞳ハニカムの区域化された又は区分された照明につながる。
本発明の他の有利な改良例及び発展例は、残りの従属請求項から及び主に図面を使用して説明する下記の例示的実施例から明らかとなる。
図1は、例えばレーザプラズマ、プラズマ若しくはピンチプラズマ源又はその他のEUV光源等の光源1と、単に原理的に図示された投影対物系2とを有する完全なEUV照明システムを備えるようなEUV投影照明装置を全体的概要図として示している。上記光源1とは別に、当該照明システムには、例えば互いに整列された複数のシェルを有し得るような集光器ミラー2と、平面鏡3又は反射性スペクトルフィルタと、上記光源の像を伴う(図示せず)開口絞り4と、多数のファセットミラー6(図2及び図3参照)を有する第1光学エレメント5と、該エレメントの後に配置されると共にファセットミラーの形態の多数の格子エレメント8を有する第2光学エレメント7と、2つの投影ミラー9a及び9bとが配設されている。投影ミラー9a及び9bは、第2光学エレメント7のファセットミラー8を投影対物系2の入口瞳に投影するために使用される。レチクル12は走査システムとしてy方向に移動することができる。レチクル面11は、同時に前記物体平面も構成する。
当該照明システムのビーム経路における設定を調整するための異なる光チャンネルを設けるために、例えば、第2光学エレメント7のミラーファセット8の数Mは、第1光学エレメント5のミラーファセット6の数Nに対応するよりも多い。図1には、明瞭化の理由により、ミラーファセットは図示されていない。第1光学エレメント5のミラーファセット6の角度は各々個別に調整することができる一方、第2光学エレメント7のミラーファセット8は角度及び位置の両者を調整することができる。後の文章で説明される図7ないし14において、これに関する詳細が説明及び図示される。上記傾動可能な構成及びミラーファセット6及び8を変位させる能力の結果として、異なるビーム経路、従って異なる光チャンネルを、第1光学エレメント5と第2光学エレメント7との間に形成することができる。
続く投影対物系2は、6ミラー式の投影対物系として構築することができる。ウェファ14は、露光されるべき物体としてキャリアユニット13上に配置される。
ミラーファセット6及び8を調整する能力の結果として、当該照明システムの出口瞳15(これは、同時に上記投影対物系2の入口瞳も形成する)に、異なる設定を実施することができる。
図2及び3において、本質的に異なる光チャンネルは、2つの光学エレメント5及び7におけるミラーファセット6及び8の異なる層及び角度により図示されている。この場合、該照明システムは図1における概念図に比較して簡素化された形で示されている(例えば、光学エレメント5及び7の位置に関して、及び1つの投影ミラー9しか備えないようにして)。
この場合、図2における概念図は一層大きな満たし係数σを示している。
σ=1.0の場合、対物系瞳は完全に満たされ;
σ=0.6は、従って、満たし不足を示す。
図2及び3には、光源1からレチクル12を介して入口瞳15までのビーム経路が図示されている。
図4は、ミラーファセット6の形態の多数の格子エレメントを有する第1光学エレメント5のミラー支持体16の平面図を示している。該図は、長方形状のフィールド(視野)ハニカムとしての142個の個別に調整可能なミラーファセット6を示し、これらミラーファセットは入れ子にされた集光器ミラー2により照明される領域にブロックとして配置されている。ミラーファセット6の角度は、各々、個別に調整することができる。第2光学エレメント7のファセット8は、更に、これらファセット自体の間で、且つ、必要ならば互いに独立に変位させることができる。
図5は、第2光学エレメント7のミラー支持体16、即ち瞳ハニカム板の平面図を示し、前記光チャンネルは結果として円形の設定となっている。
図6は、環状の設定のミラーファセットを有する第2光学エレメント7のミラー支持体16の平面図を示している。他の可能性は、既知の四極設定(図示略)に存する。図5及び6において、照明されているミラーファセットは、各々、暗く図示されている。
図7は、第2光学エレメント7のミラー支持体16の平面図を示し、該ミラー支持体16は案内ディスクとして形成されている。該ミラー支持体16、即ち案内ディスクには、多数の案内溝(明瞭化の理由で、図7では1つの案内溝17しか示されていない)が設けられ、該案内溝内で円形ミラーファセット8が各々案内される。該案内溝17は本質的に放射方向に、又は本目的のために僅かに湾曲された形態で延びている。案内溝17の進路は、対応するアプリケーションに及びミラーファセット8の所望の変位方向に依存する。
ミラー支持体16、即ち案内ディスクの下には、この案内ディスクと平行に且つ該案内ディスクに当接するように制御ディスク18が配設され、該制御ディスクにも、同様に、上記案内溝17に従ってミラーファセット8に対応する複数の制御溝19が設けられている。このように、各ミラーファセット8は、案内17内で且つ制御溝19内で案内される。制御ディスク18が、駆動デバイス(図示略)により図7における矢印20の方向に移動されると、ミラーファセット8は案内溝17に沿って半径方向内側又は外側に向かって移動される。この変位の結果として、光チャンネルの割り当て、従って照明が変化する。このことは、制御ディスク18を案内ディスク16に対して回転することにより、2つの溝17及び19の交差点における関連するミラーファセット8が、対応する案内溝17に沿って変位されることを意味する。
図9及び10は、第2光学エレメント7におけるミラーファセット8の、ミラー支持体16の対応する案内溝17内における変位に関する改良例を示し、各々には駆動デバイス21が設けられている(図9及び10では原理的にのみに、且つ、破線で図示されている)。この場合、各ミラーファセット8は関連する案内溝17内に自身の駆動部を有するが、斯かる駆動部は例えば既知の圧電式尺取り虫運動原理に基づいて設けることが可能である。
勿論、この目的のために、ミラーファセット8を各々個別に調整することができるような他の駆動デバイスも可能である。案内溝17内に各々直接的に駆動デバイスを配設する代わりに、必要なら、これら駆動デバイスは、勿論、ミラー支持体16の下又は背後に独立に配設することもできる。
図11及び12は、第1光学エレメント5のミラーファセット6の拡大図を断面図及び平面図として示すもので、該ミラーファセットは固体ジョイントとして形成されたジョイント22により第1光学エレメント5のミラー支持体16に接続されている。この場合、全ての部品を一体とすることができるか、又は各ミラーファセット6が、下側に位置するミラー支持体16に対して接続がなされるようなジョイント22としての中央ウェブを有するようにすることができる。
ミラー支持体16と各ミラーファセット6の下面との間に配置される、詳細には示されていないアクチュエータ23により、各ミラーファセット6はミラー支持体16に対して傾動させることができる。図12による平面図は、y軸上に配置されるアクチュエータ23及びx軸上に配置される他のアクチュエータ23により、両方向における傾動の可能性が提供されていることを示している。この場合、上記2つのアクチュエータ23は、各々、これらアクチュエータに割り当てられた軸上において、これら軸の交差点外に配置されている。
各ミラーファセット6の調整又は傾動は非常に小さな程度にしか行われないので、アクチュエータ23として例えば圧電セラミック素子を使用することができる。
図13及び14は、ミラーファセット6の大きな傾動を可能にさせるような改良例を示している。図13から理解されるように、この場合、ミラーファセット6とミラー支持体16との間には中央の傾動ジョイント又は傾動ベアリング24が存在する。ここでも、アクチュエータ23はミラーファセット6がx方向及びy方向の両方に傾動されることを保証する。この目的のために、この場合、2つのアクチュエータ23がy軸上において上記2つの軸の交差点外に互いに或る距離隔てて配置されると共に、2つの他のアクチュエータ23がy軸外においてx軸から等しい距離隔てて両側に配置される(図14参照)。
図11ないし14に図示した傾動デバイスにより、第1光学エレメント5のミラーファセット6のみならず、第2光学エレメント7のミラーファセット8も、所望に応じて且つ互いに独立に調整することが可能となる。
長尺の又は狭い長方形の形状を有する第1光学エレメント5のミラーファセット6とは異なり、第2光学エレメント7のミラーファセット8は円形形状を有している。しかしながら、この差は、図11ないし14に図示した傾動デバイスの作動の型式又はモードに対して何の影響も有さない。
本質的に、第1光学エレメントのミラーファセット6は、同様にして、図7ないし10に図示したのと同じ方法で変位させることができるが、実際には、これは一般的には必要ではなく、代わりに、純粋な傾動的調整で通常は充分であろう。
アクチュエータ23としては、磁気的に又は電気的に駆動することができる駆動エレメントも可能である。この場合、アクチュエータ23はミラーファセット6及び8を制御ループ(図示略)を介して連続的に調整することができる。同様に、上記アクチュエータは、ミラーファセット6及び8に対して2つの正確な傾動位置が各々予め規定されるような終端位置を規定することも可能である。
図1は、光源、照明システム及び投影対物系を有するEUV照明システムの構造を示す。 図2は、ミラーファセットの形態の格子エレメントを備える2つのミラー及び集光器ユニットを有するビーム経路の基本概念図を示す。 図3は、ミラーファセットの形態の格子エレメントを備える2つのミラー及び集光器ユニットを有する他のビーム経路の基本概念図を示す。 図4は、多数のミラーファセットを有するフィールドハニカム板(ミラー支持体)の形態の第1光学エレメントの平面図を示す。 図5は、円形照明を伴う、多数のミラーファセットを有するミラー支持体としての瞳ハニカム板の形態の第2光学エレメントの平面図を示す。 図6は、環状照明を伴う、多数のミラーファセットを有する瞳ハニカム板の形態の第2光学エレメントの平面図を示す。 図7は、瞳ハニカム板の平面図を示す。 図8は、図7のVIII−VIII線に沿う断面図である。 図9は、制御ディスクとして構成された瞳ハニカム板の平面図を示す。 図10は、図9のX−X線に沿う断面図である。 図11は、固体ジョイントを有するミラーファセットの断面による拡大図を示す。 図12は、図11によるミラーファセットの平面図を示す。 図13は他の型式の取付部を有するミラーファセットの断面による拡大図を示す。 図14は、図13によるミラーファセットの平面図を示す。
符号の説明
2 集光器ミラー
3 平面鏡
4 開口絞り
5 第1光学エレメント
6 ファセットミラー
7 第2光学エレメント
8 ファセットミラー
9 投影ミラー
11 レチクル面
12 レチクル
14 ウェファ
15 出口瞳
16 ミラー支持体
17 案内溝
18 制御ディスク
19 制御溝
21 駆動デバイス
22 ジョイント
23 アクチュエータ
24 傾動ベアリング

Claims (27)

  1. 特にはEUVリソグラフィのための照明システムであって、193nm以下の波長に対して半導体素子を生成するための投影対物系と、光源と、物体平面と、出力瞳と、光チャンネルを生成するための第1格子エレメントを備える第1光学エレメントと、第2格子エレメントを備える第2光学エレメントとを有し、前記第1光学エレメントにおける前記第1格子エレメントの1つにより形成される各光チャンネルには前記第2光学エレメントの格子エレメントが割り当てられ、前記第1光学エレメント及び前記第2光学エレメントの格子エレメントは各光チャンネルに関する結果が前記光源から前記物体平面までの連続したビーム進路となるように構成し又は配置することが可能であるような照明システムにおいて、
    前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の角度は、該第1格子エレメント(6)を傾動させることにより、前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の異なる割り当てを実行するために傾きを変更するように調整することができることを特徴とする照明システム。
  2. 請求項1に記載の照明システムにおいて、前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)の数Mが前記第1光学エレメント(5)の格子エレメント(6)の数Nよりも大きいことを特徴とする照明システム。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の照明システムにおいて、前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)の位置及び/又は角度は個々に且つ互いに独立に制御することができ、これにより、前記第1及び第2格子エレメントの変位及び/又は傾動によって前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の異なる割り当てを実行することを特徴とする照明システム。
  4. 請求項3に記載の照明システムにおいて、前記第1格子エレメントは第1ミラーファセット(6)の形態のフィールドハニカムとして形成され、前記第2格子エレメントは第2ミラーファセット(8)の形態の瞳ハニカムとして形成され、前記第1ミラーファセット(6)及び第2ミラーファセット(8)が、各々、ミラー支持体(16)上に配設されていることを特徴とする照明システム。
  5. 請求項4に記載の照明システムにおいて、前記第1及び第2光学エレメント(5,7)のミラーファセット(6,8)の間の前記光チャンネルは、前記第1光学エレメント(5)の前記ミラーファセット(6)を前記ミラー支持体(16)に対して傾動させることにより調整することができ、これにより、前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1ミラーファセット(6)の異なる割り当てを、従って前記出口瞳(15)の異なる照明パターンを実施することを特徴とする照明システム。
  6. 請求項4又は請求項5に記載の照明システムにおいて、前記第1光学エレメント(5)の第1ミラーファセット(6)と前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)との間の前記光チャンネルは、前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)を前記ミラー支持体(16)に対して傾動及び変位させることにより調整することができることを特徴とする照明システム。
  7. 請求項4に記載の照明システムにおいて、前記第1光学エレメント(5)及び/又は前記第2光学エレメント(7)の前記ミラーファセット(6,8)は、各々、対応する前記ミラー支持体(16)に対しジョイント(22)を介して接続されることを特徴とする照明システム。
  8. 請求項7に記載の照明システムにおいて、前記ジョイント(22)は固体ジョイントとして形成されることを特徴とする照明システム。
  9. 請求項7又は請求項8に記載の照明システムにおいて、前記ミラーファセット(6,8)はx方向及び/又はy方向に傾動することができることを特徴とする照明システム。
  10. 請求項9に記載の照明システムにおいて、前記ジョイント(22)が前記ミラーファセット(6,8)のx軸及び/又はy軸上に各々配置されていることを特徴とする照明システム。
  11. 請求項4に記載の照明システムにおいて、前記ミラーファセット(6,8)を変位及び/又は傾動させるために、前記格子エレメント(6,8)と前記ミラー支持体(16)との間にアクチュエータ(23)が配設されることを特徴とする照明システム。
  12. 請求項11に記載の照明システムにおいて、前記アクチュエータ(23)が圧電セラミック調整素子を有していることを特徴とする照明システム。
  13. 請求項12に記載の照明システムにおいて、前記アクチュエータ(23)には、磁気的に又は電気的に駆動することが可能な駆動エレメントが設けられていることを特徴とする照明システム。
  14. 請求項11に記載の照明システムにおいて、前記アクチュエータ(23)は前記格子エレメント(6,8)を制御ループを介して連続的に調整することを特徴とする照明システム。
  15. 請求項11に記載の照明システムにおいて、前記アクチュエータ(23)に対して終端位置が規定されることを特徴とする照明システム。
  16. 請求項4に記載の照明システムにおいて、前記ミラーファセット(6,8)は所定の経路上で変位することができることを特徴とする照明システム。
  17. 請求項16に記載の照明システムにおいて、前記ミラーファセット(6,8)が各々個別に案内されるカム軌道が前記ミラー支持体(16)に導入されていることを特徴とする照明システム。
  18. 請求項17に記載の照明システムにおいて、前記ミラー支持体(16)は案内ディスクとして形成され、該案内ディスクは制御ディスク(18)と相互に作用し合い、該制御ディスクには前記ミラーファセット(6,8)を変位させるための案内軌道(19)が配設されることを特徴とする照明システム。
  19. 請求項18に記載の照明システムにおいて、前記制御ディスク(18)が駆動されることを特徴とする照明システム。
  20. 請求項17に記載の照明システムにおいて、前記ミラーファセット(6,8)の各々が前記ミラー支持体(16)におけるカム軌道内で案内され、前記ミラーファセット(6,8)の各々は駆動エレメントにより個別に駆動することができることを特徴とする照明システム。
  21. 請求項20に記載の照明システムにおいて、前記駆動エレメントはカム軌道内に各々配設され、前記ミラーファセット(6,8)の各々は尺取り虫運動原理に基づいて個別に移動されることを特徴とする照明システム。
  22. 半導体素子を生成するためのマイクロリソグラフィ用の投影露光装置であって、照明システムを有すると共に、193nm以下の波長に対して半導体素子を生成するための投影対物系と、光源と、物体平面と、出力瞳と、光チャンネルを生成するための第1格子エレメントを備える第1光学エレメントと、第2格子エレメントを備える第2光学エレメントとを有し、前記第1光学エレメントにおける前記第1格子エレメントの1つにより形成される各光チャンネルには前記第2光学エレメントの格子エレメントが割り当てられ、前記第1光学エレメント及び前記第2光学エレメントの格子エレメントは各光チャンネルに関する結果が前記光源から前記物体平面までの連続したビーム進路となるように構成し又は配置することが可能であるような投影露光装置において、
    前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の角度は、該第1格子エレメント(6)を傾動させることにより、前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の異なる割り当てを実行するために傾きを変更するように調整することができることを特徴とする投影露光装置。
  23. 請求項22に記載の投影露光装置において、前記第2光学エレメント(7)における第2格子エレメント(8)の数Mが、前記第1光学エレメント(5)における格子エレメント(6)の数Nよりも大きいことを特徴とする投影露光装置。
  24. 請求項22又は請求項23に記載の投影露光装置において、前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)の位置及び/又は角度は個別に且つ互いに独立に制御することができ、これにより、前記第1及び第2格子エレメントの変位及び/又は傾動によって前記第2光学エレメント(7)の第2格子エレメント(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1格子エレメント(6)の異なる割り当てを実行することを特徴とする投影露光装置。
  25. 請求項24に記載の投影露光装置において、前記第1格子エレメントは第1ミラーファセット(6)の形態のフィールドハニカムとして形成され、前記第2格子エレメントは第2ミラーファセット(8)の形態の瞳ハニカムとして形成され、前記第1ミラーファセット(6)及び第2ミラーファセット(8)が、各々、ミラー支持体(16)上に配設されていることを特徴とする投影露光装置。
  26. 請求項25に記載の投影露光装置において、前記第1及び第2光学エレメント(5,7)のミラーファセット(6,8)の間の前記光チャンネルは、前記第1光学エレメント(5)の前記ミラーファセット(6)を前記ミラー支持体(16)に対して傾動させることにより調整することができ、これにより、前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)に対する前記第1光学エレメント(5)の第1ミラーファセット(6)の異なる割り当てを、従って前記出口瞳(15)の異なる照明パターンを実施することを特徴とする投影露光装置。
  27. 請求項25又は請求項26に記載の投影露光装置において、前記第1光学エレメント(5)の第1ミラーファセット(6)と前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)との間の前記光チャンネルは、前記第2光学エレメント(7)の第2ミラーファセット(8)を前記ミラー支持体(16)に対して傾動及び変位させることにより調整することができることを特徴とする投影露光装置。
JP2004502061A 2002-04-30 2003-04-08 特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム Pending JP2005524236A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10219514A DE10219514A1 (de) 2002-04-30 2002-04-30 Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
PCT/EP2003/003616 WO2003093902A2 (de) 2002-04-30 2003-04-08 Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005524236A true JP2005524236A (ja) 2005-08-11
JP2005524236A5 JP2005524236A5 (ja) 2006-05-25

Family

ID=29224960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004502061A Pending JP2005524236A (ja) 2002-04-30 2003-04-08 特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7196841B2 (ja)
EP (1) EP1499925A2 (ja)
JP (1) JP2005524236A (ja)
CN (1) CN1650234A (ja)
AU (1) AU2003227574A1 (ja)
DE (1) DE10219514A1 (ja)
WO (1) WO2003093902A2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009535827A (ja) * 2006-05-04 2009-10-01 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素
JP2010541259A (ja) * 2007-10-04 2010-12-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 電気伝導性領域を有する光学素子およびこのような光学素子を有する照明系
JP2011517072A (ja) * 2008-04-03 2011-05-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の投影照明系
KR20110059745A (ko) * 2008-09-30 2011-06-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 조사 광학부에서 사용하기 위한 필드 패싯 거울
JP2011228698A (ja) * 2010-03-17 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh 投影リソグラフィ用の照明光学系
JP2012114198A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Nikon Corp 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2013016872A (ja) * 2006-08-16 2013-01-24 Cymer Inc Euv光学器械
JP2013516055A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2014179645A (ja) * 2007-12-11 2014-09-25 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP2015163994A (ja) * 2009-12-11 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィのための照明光学ユニット
JP2016502684A (ja) * 2012-11-13 2016-01-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019346A1 (de) * 2004-04-21 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Blende, Belichtungsapparat und Verfahren zum Steuern der Blende in dem Belichtungsapparat
JP4817702B2 (ja) * 2005-04-14 2011-11-16 キヤノン株式会社 光学装置及びそれを備えた露光装置
DE502006009171D1 (de) * 2005-10-18 2011-05-05 Zeiss Carl Smt Gmbh Kollektor für beleuchtungssysteme mit einer wellenlänge </= 193 nm
KR20090013746A (ko) * 2006-05-25 2009-02-05 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US8937706B2 (en) 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP2243047B1 (en) 2008-02-15 2021-03-31 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
JP5074226B2 (ja) * 2008-02-16 2012-11-14 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
DE102008000788A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045135A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102009054888A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
CN102870030B (zh) * 2010-04-22 2015-04-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 成像光学系统和具有这种成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备
DE102010029765A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102011076145B4 (de) 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102011076460A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102011076549A1 (de) 2011-05-26 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011076658A1 (de) * 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102011086328A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie
DE102012213368A1 (de) 2012-07-30 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9448343B2 (en) * 2013-03-15 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
DE102013206981A1 (de) 2013-04-18 2013-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
CN104142613B (zh) * 2014-07-11 2016-08-17 广东工业大学 一种大面积数字光刻光学系统
EP3169477B1 (en) * 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
EP3848334A1 (en) 2015-03-24 2021-07-14 Corning Incorporated Alkaline earth boro-aluminosilicate glass article with laser cut edge
DE102016202736A1 (de) 2015-04-17 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
CN113399816B (zh) 2016-09-30 2023-05-16 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
DE102018207103A1 (de) * 2018-05-08 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettenspiegel
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102020210771A1 (de) 2020-08-26 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage mit entsprechendem facettenspiegel sowie verfahren zum betrieb derselben
DE102021202768A1 (de) * 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettensystem und lithographieanlage
DE102021213168A1 (de) * 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
CN114660880A (zh) * 2022-04-11 2022-06-24 长沙沃默科技有限公司 一种反射式投影成像装置及其设计方法
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3077958A (en) * 1961-09-05 1963-02-19 United Aircraft Corp Zero thermal expansion device
US3802781A (en) * 1972-08-15 1974-04-09 D Wright Extensometers
US3837125A (en) * 1973-09-04 1974-09-24 Celestron Pacific Method and system for making schmidt corrector lenses
US3917385A (en) 1973-09-19 1975-11-04 Rockwell International Corp Simplified micropositioner
US3879105A (en) * 1974-04-04 1975-04-22 Jenoptik Jena Gmbh Telescope with an image reversing system
US4060315A (en) 1975-07-07 1977-11-29 Rockwell International Corporation Precision mirror mount
US4038971A (en) * 1975-10-22 1977-08-02 Bezborodko Joseph A I B Concave, mirrored solar collector
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4195913A (en) * 1977-11-09 1980-04-01 Spawr Optical Research, Inc. Optical integration with screw supports
US4162120A (en) * 1977-12-02 1979-07-24 Ford Aerospace & Communications Corp. Thermal compensator linkage
US4236296A (en) 1978-10-13 1980-12-02 Exxon Research & Engineering Co. Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers
US4277141A (en) * 1979-03-28 1981-07-07 Tropel, Inc. Multifaceted mirror and assembly fixture and method of making such mirror
US4202605A (en) * 1979-04-05 1980-05-13 Rockwell International Corporation Active segmented mirror
US4226507A (en) 1979-07-09 1980-10-07 The Perkin-Elmer Corporation Three actuator deformable specimen
US4295710A (en) 1979-09-04 1981-10-20 Rockwell International Corporation Deformable mirror with dither
JPS57624A (en) * 1980-06-03 1982-01-05 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Albada type reverse-galilean finder
US4380391A (en) * 1980-09-30 1983-04-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Short pulse CO2 laser for ranging and target identification
US4403421A (en) * 1980-11-13 1983-09-13 Shepherd Daniel R Telescopic gun sight
US4408874A (en) 1981-05-07 1983-10-11 Computervision Corporation Projection aligner with specific means for bending mirror
US4389115A (en) * 1981-08-06 1983-06-21 Richter Thomas A Optical system
DE3323828C2 (de) * 1983-07-01 1986-01-16 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Laserwarnsensor
US4871237A (en) 1983-07-27 1989-10-03 Nikon Corporation Method and apparatus for adjusting imaging performance of projection optical apparatus
JPS60219744A (ja) * 1984-04-17 1985-11-02 Canon Inc 投影露光装置
JP2516194B2 (ja) * 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
US4969726A (en) 1985-06-03 1990-11-13 Northrop Corporation Ring laser gyro path-length-control mechanism
US4672439A (en) * 1985-09-04 1987-06-09 Texas Instruments Incorporated FLIR imager with hybrid optical/electronic processor
DE3544429A1 (de) 1985-12-16 1987-06-19 Juwedor Gmbh Verfahren zur galvanoplastischen herstellung von schmuckwaren
US4953965A (en) * 1985-12-26 1990-09-04 Toshiba Machine Company, Ltd. High-accuracy traveling table apparatus
US4705369A (en) 1986-03-21 1987-11-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Mirror mount
US4722592A (en) * 1986-12-29 1988-02-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Motorized-axis-angular fine adjustment prism mount
US4740276A (en) * 1987-05-08 1988-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of cooled faceplate segmented aperture mirrors (SAM) by electroforming
US4849668A (en) * 1987-05-19 1989-07-18 Massachusetts Institute Of Technology Embedded piezoelectric structure and control
AT393925B (de) 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
US4932778A (en) * 1987-06-22 1990-06-12 Pioneer Data Processing, Inc. Autokinesis free optical instrument
US4865454A (en) * 1987-11-24 1989-09-12 Kaman Aerospace Corporation Adaptive optical system with synchronous detection of wavefront phase
US4826304A (en) * 1988-04-11 1989-05-02 Gte Government Systems Corporation Adjustable optical mounting assembly
US4932770A (en) * 1988-12-20 1990-06-12 Caravaty Raymond D Dual plane rear vision mirror
US5026977A (en) * 1989-04-05 1991-06-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Wavefront sensing and correction with deformable mirror
US4959531A (en) * 1989-09-29 1990-09-25 Eastman Kodak Company Alignment sensing and correcting assembly for an optical element
FR2656079B1 (fr) * 1989-12-20 1994-05-06 Etat Francais Delegue Armement Lunette episcopique modulable et reconfigurable.
US5074654A (en) 1990-08-22 1991-12-24 Litton Systems, Inc. Hydraulic actuators for optical systems
US5079414A (en) * 1990-10-09 1992-01-07 Gte Government Systems Corporation Tracking telescope using an atomic resonance filter
NL9100421A (nl) * 1991-03-08 1992-10-01 Asm Lithography Bv Ondersteuningsinrichting met een kantelbare objecttafel alsmede optisch lithografische inrichting voorzien van een dergelijke ondersteuningsinrichting.
US5132979A (en) * 1991-08-16 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser frequency modulator for modulating a laser cavity
US5428482A (en) * 1991-11-04 1995-06-27 General Signal Corporation Decoupled mount for optical element and stacked annuli assembly
US5157555A (en) 1991-12-04 1992-10-20 General Electric Company Apparatus for adjustable correction of spherical aberration
US5210650A (en) * 1992-03-31 1993-05-11 Eastman Kodak Company Compact, passively athermalized optical assembly
US5438451A (en) * 1992-09-25 1995-08-01 Schweizer; Bruno Linearly fine-adjustable stage
US5400184A (en) * 1992-10-29 1995-03-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Kinematic high bandwidth mirror mount
US5414557A (en) * 1992-11-30 1995-05-09 Itt Corporation Reticle apparatus for night vision devices
US6252334B1 (en) * 1993-01-21 2001-06-26 Trw Inc. Digital control of smart structures
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) * 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5485053A (en) * 1993-10-15 1996-01-16 Univ America Catholic Method and device for active constrained layer damping for vibration and sound control
US5537262A (en) * 1993-10-19 1996-07-16 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Rotational torque setting apparatus for screw mechanism
JP2891074B2 (ja) * 1993-12-10 1999-05-17 三菱電機株式会社 反射鏡固定装置
US6154000A (en) * 1994-09-07 2000-11-28 Omnitek Research & Development, Inc. Apparatus for providing a controlled deflection and/or actuator apparatus
US5529277A (en) * 1994-09-20 1996-06-25 Ball Corporation Suspension system having two degrees of rotational freedom
DE69529442T2 (de) * 1994-09-22 2003-11-20 Ricoh Kk Informationsaufzeichnungsverfahren und -vorrichtung
US6341006B1 (en) * 1995-04-07 2002-01-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5870133A (en) * 1995-04-28 1999-02-09 Minolta Co., Ltd. Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability
US5724017A (en) * 1995-07-31 1998-03-03 General Electric Company Electrical transformer with reduced core noise
JPH09152505A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sharp Corp 変形可能ミラー及びその製造方法及び光学装置並びに記録再生装置
US5737137A (en) * 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
US5694257A (en) 1996-05-06 1997-12-02 New Focus, Inc. Rotary beamsplitter prism mount
US6144511A (en) 1996-08-26 2000-11-07 Fujitsu Denso Ltd. Optical device fixing device
JP3695494B2 (ja) * 1996-11-13 2005-09-14 セイコーエプソン株式会社 光変調デバイス、その製造方法および表示装置
US5891317A (en) * 1997-02-04 1999-04-06 Avon Products, Inc. Electroformed hollow jewelry
US6128122A (en) * 1998-09-18 2000-10-03 Seagate Technology, Inc. Micromachined mirror with stretchable restoring force member
JP4534260B2 (ja) * 1997-07-22 2010-09-01 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、その製造方法及び光洗浄方法
DE19735831A1 (de) * 1997-08-18 1999-02-25 Zeiss Carl Fa Galvanoplastische Optik-Fassung
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
US6054784A (en) * 1997-12-29 2000-04-25 Asm Lithography B.V. Positioning device having three coil systems mutually enclosing angles of 120° and lithographic device comprising such a positioning device
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
DE19807120A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
US6108121A (en) * 1998-03-24 2000-08-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Micromachined high reflectance deformable mirror
US7126137B2 (en) * 1998-05-05 2006-10-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10138313A1 (de) * 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
DE19825716A1 (de) * 1998-06-09 1999-12-16 Zeiss Carl Fa Baugruppe aus optischem Element und Fassung
US5986795A (en) 1998-06-15 1999-11-16 Chapman; Henry N. Deformable mirror for short wavelength applications
US5986827A (en) 1998-06-17 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Precision tip-tilt-piston actuator that provides exact constraint
TWI242113B (en) * 1998-07-17 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Positioning device and lithographic projection apparatus comprising such a device
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6225027B1 (en) * 1998-08-06 2001-05-01 Euv Llc Extreme-UV lithography system
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
US6210865B1 (en) * 1998-08-06 2001-04-03 Euv Llc Extreme-UV lithography condenser
FR2783055B1 (fr) 1998-09-04 2000-11-24 Essilor Int Support pour lentille optique, et son procede de mise en oeuvre
US6521892B2 (en) * 1998-10-09 2003-02-18 Thomson-Csf Optronics Canada Inc. Uncooled driver viewer enhancement system
US6296811B1 (en) 1998-12-10 2001-10-02 Aurora Biosciences Corporation Fluid dispenser and dispensing methods
DE19859634A1 (de) 1998-12-23 2000-06-29 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
KR20010006578A (ko) * 1999-01-20 2001-01-26 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 광학 보정 플레이트, 및 전사 투영 장치에의 적용
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
DE19904152A1 (de) * 1999-02-03 2000-08-10 Zeiss Carl Fa Baugruppe aus einem optischen Element und einer Fassung
JP2000234906A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Koji Masutani 反射部材移動装置および前記反射部材移動装置を使用する光路長周期的増減装置
DE19908554A1 (de) * 1999-02-27 2000-08-31 Zeiss Carl Fa Verstellbare Baugruppe
DE19910947A1 (de) * 1999-03-12 2000-09-14 Zeiss Carl Fa Vorrichtung zum Verschieben eines optischen Elementes entlang der optischen Achse
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6428173B1 (en) * 1999-05-03 2002-08-06 Jds Uniphase, Inc. Moveable microelectromechanical mirror structures and associated methods
US6246822B1 (en) * 1999-05-18 2001-06-12 The Boeing Company Fiber-coupled receiver and associated method
US6160628A (en) 1999-06-29 2000-12-12 Nikon Corporation Interferometer system and method for lens column alignment
DE19930643C2 (de) * 1999-07-02 2002-01-24 Zeiss Carl Baugruppe aus einem optischen Element und einer Fassung
TW442783B (en) 1999-07-09 2001-06-23 Ind Tech Res Inst Folding mirror
DE19935568A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
US6478434B1 (en) 1999-11-09 2002-11-12 Ball Aerospace & Technologies Corp. Cryo micropositioner
DE19959616A1 (de) * 1999-12-10 2001-06-13 Volkswagen Ag Steuereinrichtung für ein automatisch und manuell schaltbares Schaltgetriebe in einem Kraftfahrzeug
DE10016925A1 (de) 2000-04-05 2001-10-11 Zeiss Carl Irisblende
DE10019562A1 (de) 2000-04-20 2001-10-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Verbinden von Gehäusen oder Fassungen für optische Elemente
US6411426B1 (en) * 2000-04-25 2002-06-25 Asml, Us, Inc. Apparatus, system, and method for active compensation of aberrations in an optical system
DE10026541A1 (de) * 2000-05-27 2001-11-29 Zeiss Carl Vorrichtung zur präzisen Positionierung eines Bauteils, insbesondere eines optischen Bauteiles
US6560384B1 (en) * 2000-06-01 2003-05-06 Calient Networks, Inc. Optical switch having mirrors arranged to accommodate freedom of movement
DE10030005A1 (de) 2000-06-17 2001-12-20 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv in der Halbleiter-Lithographie
KR100493151B1 (ko) * 2000-07-19 2005-06-02 삼성전자주식회사 멀티폴디스 스프링을 이용한 다축 구동을 위한싱글스테이지 마이크로 구동기
US6449106B1 (en) 2000-08-10 2002-09-10 Nikon Corporation Catadioptric lens barrel structure having a support structure to maintain alignment of a plurality of sub-barrels
US6566627B2 (en) * 2000-08-11 2003-05-20 Westar Photonics, Inc. Laser method for shaping of optical lenses
DE10039712A1 (de) * 2000-08-14 2002-02-28 Zeiss Carl Vorrichtung zum Verstellen der Lage zweier Bauelemente zueinander
JP4019160B2 (ja) * 2000-08-21 2007-12-12 富士フイルム株式会社 遠隔操作システム
US6537479B1 (en) * 2000-08-24 2003-03-25 Colbar Art, Inc. Subsurface engraving of three-dimensional sculpture
DE10046379A1 (de) * 2000-09-20 2002-03-28 Zeiss Carl System zur gezielten Deformation von optischen Elementen
DE10050125A1 (de) * 2000-10-11 2002-04-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik
DE10051706A1 (de) * 2000-10-18 2002-05-02 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
DE10053899A1 (de) * 2000-10-31 2002-05-08 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
DE10100546A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-11 Zeiss Carl Vorrichtung zur Verstellung eines optischen Elementes in einem Objektiv
US6549692B1 (en) * 2001-02-13 2003-04-15 Tellium, Inc. Optical monitoring of the angular position of micro mirrors in an optical switch
DE10120446C2 (de) * 2001-04-26 2003-04-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie
US6539142B2 (en) * 2001-06-01 2003-03-25 Agilent Technologies, Inc. System and method for actively aligning mirrors in an optical switch
US6798494B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
DE10200366A1 (de) * 2002-01-08 2003-07-17 Zeiss Optronik Gmbh Mehrkanalempfängersystem für winkelaufgelöste Laserentfernungsmessung
US6729062B2 (en) * 2002-01-31 2004-05-04 Richard L. Thomas Mil.dot reticle and method for producing the same
DE10215140B4 (de) * 2002-04-05 2012-12-06 Carl Zeiss Objektiv für eine Filmkamera
US6768567B2 (en) * 2002-06-05 2004-07-27 Euv Llc Synchrotron-based EUV lithography illuminator simulator
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6853440B1 (en) * 2003-04-04 2005-02-08 Asml Netherlands B.V. Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009535827A (ja) * 2006-05-04 2009-10-01 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素
JP2013016872A (ja) * 2006-08-16 2013-01-24 Cymer Inc Euv光学器械
JP2010541259A (ja) * 2007-10-04 2010-12-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 電気伝導性領域を有する光学素子およびこのような光学素子を有する照明系
US8553200B2 (en) 2007-10-04 2013-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element with at least one electrically conductive region, and illumination system with the optical element
JP2014179645A (ja) * 2007-12-11 2014-09-25 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ用の照明光学系
KR101613405B1 (ko) * 2008-04-03 2016-04-20 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 마이크로리소그래피용 투사 조명 시스템
US8710471B2 (en) 2008-04-03 2014-04-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection illumination system for EUV microlithography
JP2011517072A (ja) * 2008-04-03 2011-05-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の投影照明系
JP2012504321A (ja) * 2008-09-30 2012-02-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の照明光学系に使用するための視野ファセットミラー
KR101645049B1 (ko) * 2008-09-30 2016-08-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 조사 광학부에서 사용하기 위한 필드 패싯 거울
KR20110059745A (ko) * 2008-09-30 2011-06-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 조사 광학부에서 사용하기 위한 필드 패싯 거울
US8717541B2 (en) 2008-09-30 2014-05-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Field facet mirror for an illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography
US9304406B2 (en) 2008-09-30 2016-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Field facet mirror for an illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography
JP2015163994A (ja) * 2009-12-11 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィのための照明光学ユニット
JP2013516055A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US9052605B2 (en) 2009-12-23 2015-06-09 Asml Netherlands B.V. Illumination system for lithographic apparatus with control system to effect an adjustment of an imaging parameter
JP2011228698A (ja) * 2010-03-17 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh 投影リソグラフィ用の照明光学系
JP2012114198A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Nikon Corp 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2016502684A (ja) * 2012-11-13 2016-01-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
US7196841B2 (en) 2007-03-27
WO2003093902A2 (de) 2003-11-13
WO2003093902A3 (de) 2004-03-11
AU2003227574A1 (en) 2003-11-17
AU2003227574A8 (en) 2003-11-17
DE10219514A1 (de) 2003-11-13
EP1499925A2 (de) 2005-01-26
CN1650234A (zh) 2005-08-03
US20050174650A1 (en) 2005-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005524236A (ja) 特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム
US10261421B2 (en) Controller for optical device, exposure method and apparatus, and method for manufacturing device
JP5871216B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
KR101662330B1 (ko) 조명광학계, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR100576746B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
JP6410115B2 (ja) 照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US6977718B1 (en) Lithography method and system with adjustable reflector
KR100637885B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
TW200525310A (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
TW201235797A (en) Illumination system, lithographic apparatus and method
KR20190007101A (ko) 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP6114952B2 (ja) リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP3905081B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN106030412B (zh) 微光刻投影曝光设备的照明系统和用于操作该系统的方法
JP6338685B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光系の照明系及びそのような照明系を操作する方法
JP2017507359A5 (ja)
JPH06318542A (ja) 投影露光装置
TWI734799B (zh) 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法
JP2022106891A (ja) 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP2005142235A (ja) パターン描画装置
JP2007329386A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2011029596A (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010141151A (ja) 光束分割素子、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009099848A (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060331

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080804

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080818

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080918

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081104

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081111

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081203

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081210

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090303