DE863372C - Kristalldetektor zur Spannungsmessung oder Demodulation elektrischer Wellen - Google Patents

Kristalldetektor zur Spannungsmessung oder Demodulation elektrischer Wellen

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DE863372C
DE863372C DES11503D DES0011503D DE863372C DE 863372 C DE863372 C DE 863372C DE S11503 D DES11503 D DE S11503D DE S0011503 D DES0011503 D DE S0011503D DE 863372 C DE863372 C DE 863372C
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DE
Germany
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ceramic
charging capacitor
crystal
detector according
detector
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Expired
Application number
DES11503D
Other languages
English (en)
Inventor
Friedrich Dipl-Ing Kleine
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Application granted granted Critical
Publication of DE863372C publication Critical patent/DE863372C/de
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

  • Ein Detektor -erzeugt bekanntlich eine Richtlåplannung, die proportional ,der zwischen Kristall und Kontaktspitze liegenden Hochfrequenzspannung ist. Die Zuleitungen bis zu diesem Punkt wirken mit ihrer Induktivität und Kapazität wie ein Transformator zwischen Iden Außenanschiüssen, Idie in Fig. I mit A bezeichnet sind, und dem Kontaktpunkt KP. Das ßbersetzungsverhältnis dieses Transformators ändert sich mit der Frequenz um so stärker, je länger die Zuleitungen im Verhältnis zur Wellenlänge sind. Die länge desHochfrequenz-Weges bis um Kontaktpunkt verlängert sich im allgemeinden noch durch den Ladekondensator.
  • Der Erfindung-liegt die Aufgabe zugrunde, die Empfindlichkeitsänderung der Detektorschaltung bei Änderungen der Frequenz möglichst gering zu halten, und zwar geschieht dies durch eine solche Ausgestaltung des Kristalldetektors, daß der Hochfsequenzweg über den Ladekondensator zum Kontaktpunkt extrem kurz ist. Dabei handelt es sich um Detektoren nach Fig. 1, bei denen die Kontaktspitze K erschütterungsfrei fixiert ist, und zwar sind zu diesem Zweck der Kristall Kr und der Kontaktstift K sowie die Halterungen des Kontaktes in ein Keramikrohr R eingebracht.
  • Gemäß ,der Erfindung ist bei einem derartigen Kristalldetektor der Ladekondensator dem Kristall dicht benachbart, arnd sleine Mletalllbelåge bestehen aus Metallschichten, die auf die Innen- und Außenflächen der gleichzeitig als Dielektrikuin dienenden Wandung des keramischen Rohres aufgebrachtsind.
  • Verfahren zum Aufbringen von Metallschichten auf keramische Körper sind an sich bekannt. Es können beispielsweise Metallisierungen aus Silber durch Aufbrennen einer Silberschicht hergestellt wer den.
  • In den Fig. 2 bis 4 sind Ausfülhrungsbeispiele nach der Erfindung dargestellt, die Fig. 2 a und 3 a geben Ersatzschaltungen der Ausführungsbeispiele nach den Fig. 2 und- 3 wieder.
  • In Fig 2 ist der Kristall wiederum mit Rr und der Kontaktstift mit K bezeichnet. Der Kristall ist mit seiner Halterung bei H in das keramische Rohr R eingelötet. Die kürzeste Hochfrequenzverbindung ist bei A angedeutet. Der Ladekondensator C wird durch eine Außen- und eine Innenmetallisierung des keramischen Rohres gebildet, wobei die Rohrwandung als Dielektrikum dient.
  • Die Ladekapazität befindet sich somit unmittelbar am Kristall, und der Hochfrequenzstrom geht kapazitiv durch die Keramikröhre hindurch, so daß man die Hochfrequenzspannung sehr nahe an die Kontaktstelle anlegen kann. Dabei dient die Außenmetallisierung des Ladekondensators F als Hochfi-'equenzkontakt. Zweckmäßig ist die Länge des aus der Metallisierung gebildeten Zylinderkondensators C nicht größer als die Länge 2 wobei 8 die relative Dielektrizitätskonstante ist. Die Innenmetallisierung des Kondensators C ist bis zur Oberfläche des keramischen Rohres R verlängert und kann dort als Richtspannungskontakt G dienen.
  • Mit Gr ist schließlich ein Isoliergriff bezeichnet.
  • Der Detektor wird im Zentimeterwellengebiet außer zur Spannungsanzeige zur Demodulation einer Zwischenfrequenz benutzt. Bekanntlich ergänzt man, wenn die Zwischenfrequenz nur ein bis zwei Zehnerpotenzen niedriger ist als der Träger, den Ladekondensator zu einer Drosselkette. Das trifft zu, wenn der Träger im Zentimeterwellengebiet und die Zwischenfrequenz im Dezimeter- bzw.
  • Meterwellengebiet liegt. Nach einem Ausführungsbeispiel ,debr Erfindung (Fig. 3) kann nun Idie Inlduktivität L, die zweckmäßig auf einem Keramikröhrchen 1 als Wickelkörper aufgebracht ist, mit den übrigen Teilen des Detektors baulich vereinigt werden. M ist dabei eineHülse, die an ihrem oberen Ende den Kristall Kr trägt.
  • Fig. 4 zeigt schließlich noch einen Detektor mit Fassung, der in einer Hohlrohrleitung P eingesetzt ist. Bei C ist der Außenbelag des Ladekondensators sichtbar. Q sind geschlitzte zylindrische Federbleche und S Lötösen, an denen die Zuleitung zum Gleichstrommesser befestigt werden kann. Gr ist wiederum ein Isoliergrift. Bei U sind Metallisierungen vorgesehen, die die Beläge eines Keramikkondensators bilden, der zur weiteren Verblockung der Hochfrequenz dient.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRUCHE: I. Kristall detektor zur Spannungsmessung oder Demodulation elektrischer Wellen, insbesondere im Zentimetergebiet, bei dem der Kon takt mit seinen Halterungen in'ein keramisches Rohr eingebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Ladekondensator dem Kristall dicht benachbart ist und seine Beläge aus Metallschichten bestehen, die auf die Innen- und Außenfläche der gleichzeitig als Dielektrikum dienenden Wandung des keramischen, Rohres aufgebracht sind.
  2. 2. Detektor nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenbelag des Ladekondensators gleichzeitig als Kontaktfläche für den Anschluß der Hochfrequenzspannung dient.
  3. 3. Detektor nach den Ansprüchen I und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Innenbelag des Ladekondensators bis zur Außenoíberfläche des keramischen Rohres reicht und dort als Kontaktfläche für die Abnahme der Richtspannung dient.
  4. 4. Detektor nach ,den Ansprüchen I bis 3 für Uberlagerun,gszbetrieb, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer den Ladekondensator zu einer Drosselkette ergänzenden Induktivität baulich vereinigt ist.
  5. 5 Detektor nach den Ansprüchen I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der keramische Sockel durch Aufbringen von Metallisierungen als zusätzlicher Keramikkondensator ausgebildet ist.
DES11503D 1944-09-30 1944-10-01 Kristalldetektor zur Spannungsmessung oder Demodulation elektrischer Wellen Expired DE863372C (de)

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DE (1) DE863372C (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1033737B (de) * 1954-04-30 1958-07-10 Siemens Ag Gleichrichter, vorzugsweise fuer sehr hohe Frequenzen
DE1037014B (de) * 1952-08-08 1958-08-21 British Thomson Houston Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines fuer Starkstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleichrichters
DE976537C (de) * 1954-12-16 1963-10-31 Siemens Ag Gehaeuse fuer Richtleiter oder Transistoren
DE1188732B (de) * 1959-12-07 1965-03-11 Siemens Ag Transistor, insbesondere zur Verwendung als Schalter
DE1211293B (de) * 1960-05-11 1966-02-24 Ass Elect Ind Halbleiteranordnung mit einem in einen Hohlleiter eingesetzten Halbleiterelement

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