DE976537C - Gehaeuse fuer Richtleiter oder Transistoren - Google Patents

Gehaeuse fuer Richtleiter oder Transistoren

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DE976537C DES41978A DES0041978A DE976537C DE 976537 C DE976537 C DE 976537C DE S41978 A DES41978 A DE S41978A DE S0041978 A DES0041978 A DE S0041978A DE 976537 C DE976537 C DE 976537C
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Description

AUSGEGEBEN AM 31. OKTOBER 1963
S 41978 VIII el 21g
Es ist bekannt (Proc. IRE, April 1954, S. 1248), zwecks Erzielung einer höheren Belastbarkeit den Kollektor eines Flächentransistors gut wärmeleitend auf eine unmittelbar mit dem Gehäuse in wärmeleitender Verbindung stehende oder einen Teil des Gehäuses bildende Masse aufzulöten. Dabei war das Gehäuse mit einem Gewinde versehen, so daß es seinerseits zur guten Wärmeableitung auf eine Masse aufgeschraubt werden konnte. Damit der Kollektor nicht an Erdpotential zu liegen brauchte, war eine elektrische Isolierschicht zwischen Kollektor und Masse vorgesehen.
Bei der in Fig. 1 dargestellten bekannten Anordnung bedeutet 1 einen p-n-p-Flächentransistor, dessen Kollektor auf eine einen Teil des Gehäuses bildende Metallplatte 2 aufgelötet ist, während die Zuführungen zur Basis und zum Emitter isoliert durch andere Stellen des Gehäuses hindurchgeführt sind. Die Metallplatte 2 kann mittels eines fest auf ihr angeordneten Gewindes 3 an eine Masse 4 angeschlossen werden, welche eine Abführung der entwickelten Wärme bewirkt. Zur Isolation des Kollektors gegen die Masse 4 ist bei der bekannten Anordnung eine Isolierscheibe 5 zwischen die Platte 2 und die Masse 4 gelegt sowie zwischen Gewinde und Mutter und die Platte 2. Dies hat jedoch den Nachteil, daß die Kollektorkapazität von Dicke, Material und Zustand der jeweils gewählten Scheibe 5 abhängt und der zweckmäßige Zusammenbau der Anordnung dem Gerätebauer überlassen bleibt.
Erfindungsgemäß werden diese Nachteile bei Gehäusen für Richtleiter oder Transistoren, bei denen mindestens eine Elektrode in gut wärme-
309 714/3
leitender Verbindung mit einem metallischen, zur. Wärmeableitung dienenden Teil des Gehäuses steht, dadurch vermieden, daß außerhalb des eigentlichen Gehäuses eine Isolierschicht einerseits mit dem metallischen Teil des Gehäuses und andererseits mit einem weiteren Metallteil, der zur Wärmeableitung an eine zur Wärmeaufnahme bestimmte Masse dient, fest zu einer baulichen Einheit verbunden ist.
ίο In der Zeichnung sind einige Ausführungsformen der Einrichtung nach der Erfindung beispielsweise dargestellt.
Fig. 2 zeigt einen durch Ziehen aus der Schmelze hergestellten p-n-p-Halbleiterkristall aus Silicium oder Germanium. Die untere Elektrode ist wie bei der bekannten Anordnung gemäß Fig. ι auf eine Platte 2 aufgelötet. Auf die Platte 2, welche einen Teil des Gehäuses bildet, ist erfindungsgemäß eine Isolierschicht 8 und auf diese eine Metallplatte 9 aufgebracht, welche mit einem Metallgewinde 10 versehen ist. Die beiden Platten 2 und 9 bilden zusammen mit der Isolierschicht 8 einen Kondensator eindeutig bestimmter Kapazität, der mit dem Transistor eine bauliche Einheit bildet. Die beiden Platten 2 und 9 werden durch eine isolierende Haltevorrichtung 11 zusammengehalten. Die Haltevorrichtung 11 ist in der Figur ringförmig dargestellt und kann entweder aufgebördelt oder aufgeschraubt oder anderweitig aufgebracht sein.
Gegebenenfalls kann auch die Haltevorrichtung 11 in Fortfall kommen, wenn die Platten 2 und 9 und die Isolierschicht 8 miteinander verklebt sind. Gegebenenfalls kann die Isolierschicht selbst aus einem Klebstoff, Lack od. dgl. bestehen.
In Fig. 3 ist eine andere Ausführungsform der Einrichtung nach der Erfindung beispielsweise dargestellt. 12 bedeutet eine Germaniumplatte, auf die beiderseitig je eine Indiumelektrode auflegiert ist. Die Zuleitung zum Emitter 13 ist durch den Gehäusedeckel 14 isoliert hindurchgeführt. Der Kollektor 15 ist auf eine Metallplatte 16 aufgelötet, welche den unteren Abschluß des zylindrischen Gehäuses 17 bildet. Das Gehäuse 17 einschließlich des Bodens 16 ist von einer Isolierschicht 18 umgeben, auf die ein topfartiges Metallstück 19 aufgesetzt ist; es bildet mit diesen beiden zusammen einen Kondensator, der in die zylindrische öffnung einer Masse 20 eingesteckt werden kann, wodurch ein äußerst guter Wärmekontakt zwischen dieser Masse und dem Gehäuse 17 entsteht. Die Teile 18 und sind auf das Gehäuse 17 aufsteckbar, wobei das Isolierstück 18 gegebenenfalls aus mindestens zwei getrennten Teilen, nämlich einem Zylinderteil und einem Kreisteil, bestehen kann.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    ι. Gehäuse für Richtleiter oder Transistoren, bei denen mindestens eine Elektrode in gut wärmeleitender Verbindung mit einem metallischen, zur Ableitung der Wärme über eine Isolierschicht nach außen dienenden Teil des Gehäuses steht, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht einerseits mit dem metallischen Teil des Gehäuses und anderseits mit einem weiteren Metallteil, der zur Wärmeableitung an eine zur Wärmeaufnahme bestimmte Masse dient, fest zu einer baulichen Einheit verbunden ist.
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht mit mindestens einer der beiden Belegungen verklebt, gegebenenfalls selbst ganz oder teilweise als Klebstoff ausgebildet ist.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Deutsche Patentschriften Nr. 548 391, 746 985,
    863372;
    deutsche Patentanmeldung P 6611 VIIIc/2ig (bekanntgemacht am 18. 3. 1954);
    britische Patentschriften Nr. 473 574, 697 070;
    französische Patentschrift Nr. 789 141;
    USA.-Patentschrift Nr. 2 528 113;
    Proc. IRE, November 1952, S. 47A; April 1954, S. 1247 bis 1250.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 609 579/408 8.56 (309 714/3 10.63)
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