DE69936993D1 - Raffinierungsverfahren für hochreines gallium zur herstellung von verbindungshalbleitern und entsprechende vorrichtung - Google Patents

Raffinierungsverfahren für hochreines gallium zur herstellung von verbindungshalbleitern und entsprechende vorrichtung

Info

Publication number
DE69936993D1
DE69936993D1 DE69936993T DE69936993T DE69936993D1 DE 69936993 D1 DE69936993 D1 DE 69936993D1 DE 69936993 T DE69936993 T DE 69936993T DE 69936993 T DE69936993 T DE 69936993T DE 69936993 D1 DE69936993 D1 DE 69936993D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
production
corresponding device
refining method
purity gallium
connecting semiconductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69936993T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69936993T2 (de
Inventor
Takeharu Yamamura
Hidekazu Kato
Takashi Ohgami
Kishio Tayama
Kanichi Okuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Publication of DE69936993D1 publication Critical patent/DE69936993D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69936993T2 publication Critical patent/DE69936993T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B58/00—Obtaining gallium or indium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/02—Refining by liquating, filtering, centrifuging, distilling, or supersonic wave action including acoustic waves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/14—Refining in the solid state
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE69936993T 1998-10-29 1999-10-27 Raffinierungsverfahren für hochreines gallium zur herstellung von verbindungshalbleitern und entsprechende vorrichtung Expired - Lifetime DE69936993T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30914498A JP3909364B2 (ja) 1998-10-29 1998-10-29 ガリウムの精製方法および装置
JP30914498 1998-10-29
PCT/JP1999/005943 WO2000026422A1 (fr) 1998-10-29 1999-10-27 Gallium tres pur utilise pour la preparation d'un compose semiconducteur, procede et systeme de purification du gallium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69936993D1 true DE69936993D1 (de) 2007-10-11
DE69936993T2 DE69936993T2 (de) 2008-05-21

Family

ID=17989446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69936993T Expired - Lifetime DE69936993T2 (de) 1998-10-29 1999-10-27 Raffinierungsverfahren für hochreines gallium zur herstellung von verbindungshalbleitern und entsprechende vorrichtung

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6533838B1 (de)
EP (1) EP1099770B1 (de)
JP (1) JP3909364B2 (de)
KR (1) KR100620771B1 (de)
CN (2) CN1226432C (de)
AU (1) AU6365799A (de)
DE (1) DE69936993T2 (de)
HK (1) HK1035748A1 (de)
RU (1) RU2227182C2 (de)
TW (1) TW515846B (de)
WO (1) WO2000026422A1 (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4657465B2 (ja) * 2001-02-09 2011-03-23 古河機械金属株式会社 金属の精製方法
JP4657466B2 (ja) * 2001-02-09 2011-03-23 古河機械金属株式会社 金属の精製法
JP2004182517A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Sony Corp 使用済み硫酸の再資源化装置
GB0311959D0 (en) * 2003-05-23 2003-06-25 Glaxo Group Ltd Energy delivery system
JP4655292B2 (ja) * 2004-06-03 2011-03-23 株式会社 アイアイエスマテリアル 電子ビームを用いたスクラップシリコンの精錬装置
JP4702324B2 (ja) * 2007-05-30 2011-06-15 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置、およびｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
CN100460534C (zh) * 2007-06-22 2009-02-11 东南大学 一种高纯镓的制备方法
US9281438B2 (en) * 2007-09-28 2016-03-08 Ricoh Company, Ltd. Process for producing group III element nitride crystal and apparatus for producing group III element nitride crystal
KR101275218B1 (ko) * 2008-08-01 2013-06-17 가부시키가이샤 아루박 금속의 정제 방법
KR101318239B1 (ko) 2008-08-12 2013-10-15 가부시키가이샤 아루박 실리콘의 정제 방법
JP5163615B2 (ja) * 2008-10-29 2013-03-13 トヨタ自動車株式会社 撹拌装置、溶解装置および溶解方法
KR101217735B1 (ko) 2011-10-17 2013-01-02 한국해양대학교 산학협력단 고형물생성유도장치
GB201118339D0 (en) * 2011-10-24 2011-12-07 Cambridge Reactor Design Ltd Heating and cooling apparatus
CN102534246B (zh) * 2011-12-27 2014-04-16 昆明冶金研究院 一种高纯铝的制备方法
CN102618734B (zh) * 2012-04-23 2013-06-12 南京金美镓业有限公司 一种制备高纯度镓的规模化生产方法
CN102732951A (zh) * 2012-06-25 2012-10-17 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法
US20140133265A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-15 Intermolecular, Inc. Contactless Magnetically Driven Agitation Systems
CN104878224B (zh) * 2015-04-24 2017-02-22 东北大学 一种制备高纯镓的装置及方法
IT201800005330A1 (it) * 2018-05-14 2019-11-14 Macchina per la realizzazione di prodotti alimentari liquidi o semiliquidi.
CN108588449B (zh) * 2018-05-29 2023-10-27 中铝矿业有限公司 一种高纯镓的结晶装置及方法
JP7386635B2 (ja) * 2019-07-10 2023-11-27 堺アルミ株式会社 高純度金属の製造方法及び製造装置
RU2741025C2 (ru) * 2020-06-05 2021-01-22 Виталий Евгеньевич Дьяков Электролизер для рафинирования галлия
CN111607711A (zh) * 2020-06-23 2020-09-01 云南锡业股份有限公司锡业分公司 一种液态锡快速降温装置和方法
CN113533493A (zh) * 2021-05-11 2021-10-22 宣城开盛新能源科技有限公司 一种辉光放电质谱高纯镓测试方法
CN115522078B (zh) * 2022-10-25 2023-07-04 西安稀有金属材料研究院有限公司 一种真空蒸馏耦合单晶提拉制备超高纯铟的装置及方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2317797B2 (de) * 1973-04-09 1979-12-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Galliumphosphid
US4362560A (en) * 1980-11-28 1982-12-07 Abrjutin Vladimir N Process for producing high-purity gallium
JPS62270494A (ja) 1986-05-16 1987-11-24 Nippon Light Metal Co Ltd ガリウムの再結晶精製法
JPS63242996A (ja) 1987-03-31 1988-10-07 Nippon Light Metal Co Ltd 金属ガリウムの再結晶精製方法およびその装置
JPS644434A (en) 1987-06-26 1989-01-09 Mitsubishi Metal Corp Method for recovering high-purity gallium
FR2633640B1 (de) * 1988-07-01 1991-04-19 Pechiney Aluminium
JPH0250927A (ja) 1988-08-11 1990-02-20 Nippon Light Metal Co Ltd 金属ガリムウの精製法
JPH0250926A (ja) 1988-08-11 1990-02-20 Nippon Light Metal Co Ltd 金属ガリウムの精製法
JPH0253500A (ja) 1988-08-16 1990-02-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バクテリオファージの検出方法
JP2714684B2 (ja) 1989-03-17 1998-02-16 千代田化工建設株式会社 金属ガリウムの精製方法
JPH06136467A (ja) 1992-10-28 1994-05-17 Sumitomo Chem Co Ltd 金属ガリウムの精製方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2227182C2 (ru) 2004-04-20
WO2000026422A1 (fr) 2000-05-11
KR100620771B1 (ko) 2006-09-13
CN1287575A (zh) 2001-03-14
EP1099770B1 (de) 2007-08-29
CN1566380A (zh) 2005-01-19
JP2000129372A (ja) 2000-05-09
US20020162419A1 (en) 2002-11-07
KR20010033701A (ko) 2001-04-25
US6533838B1 (en) 2003-03-18
AU6365799A (en) 2000-05-22
EP1099770A4 (de) 2005-05-18
EP1099770A1 (de) 2001-05-16
JP3909364B2 (ja) 2007-04-25
HK1035748A1 (en) 2001-12-07
DE69936993T2 (de) 2008-05-21
CN1226432C (zh) 2005-11-09
CN1284871C (zh) 2006-11-15
TW515846B (en) 2003-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69936993D1 (de) Raffinierungsverfahren für hochreines gallium zur herstellung von verbindungshalbleitern und entsprechende vorrichtung
DE69724892D1 (de) Reinigungsflüssigkeit für die Herstellung von Halbleiter-Anordnungen und Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen unter Verwendung derselben
DE59606677D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur vereinheitlichten, kontinuierlichen herstellung von polyamiden
DE69828201D1 (de) Verfahren zur herstellung von hochreinem silizium und vorrichtung dafür
DE69828444D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von verfestigten vliesstoffen
DE69706225D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Wasserstof und Sauerstoff
DE59901318D1 (de) Verfahren und anlage zur herstellung von aerogelen
DE69906692D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von kleidungsstücken mit gürteln
DE69806679T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Sojamilch und Okara
DE69839723D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen
DE69719388D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Harnstoff
DE60026765D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Etiketten
DE69531196D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von transmissionshologrammen
DE69716385D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Feststoffen
DE69823371D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von flüssigen und gegebenfalls von gasförmigen produkten aus gasförmigen reaktanten
DE69805381D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von synthethischem Quarzglas
DE69214074D1 (de) Vorrichtung für Klebeverbindungen und Verbindungsverfahren zur Herstellung von Innenbauteilen
DE69523969T2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von metallischen Ringen
DE69902714D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Naturkautschuk und damit erhaltener Naturkautschuk
DE69422367T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Herstellung von Arsin
DE69634395D1 (de) Methode und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE69406321D1 (de) Verfahren und Vorrichtung vom Typ Czochralski zur Herstellung von Halbleitereinkristallen
DE60004426D1 (de) Vorrichtung zur Inspektion und Herstellung von Kabelbäumen
DE69712007T2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Dichtungsmaterial enthaltenden Drähteverbindern
DE60209988D1 (de) Impf-Kristall für die Herstellung von Siliciumeinkristallen und Verfahren zur Herstellung von Siliciumeinkristallen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition