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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Arrays von magnetoresistiven
Speicherzellen und im Besonderen auf ein verbessertes Verfahren
zum Schreiben/Lesen von Arrays von Speicherzellen hoher Dichte.
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Hintergrund
der Erfindung
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Ein
magnetischer Schreib-/Lesespeicher ist ein nichtflüchtiger
Speicher, der im Wesentlichen ein magnetoresistives (MR) Material,
eine Leseleitung und eine Wortleitung umfasst. Der MRAM setzt die MR-Wirkung
ein, um Speicherzustände
zu speichern. Magnetische Vektoren in einer oder allen Schichten
von MR-Material werden sehr schnell von einer Richtung in eine entgegengesetzte
Richtung geschaltet, wenn dem MR-Material ein magnetisches Feld über einem
bestimmten Schwellenwert zugeführt
wird. Entsprechend der Richtung der magnetischen Vektoren in dem
MR-Material werden Zustände
gespeichert, zum Beispiel kann eine Richtung als eine logische "0" und eine andere Richtung als eine logische "1" definiert werden. Das MR-Material hält diese
Zustände
aufrecht, sogar ohne dass ein magnetisches Feld zugeführt wird.
Die in dem MR-Material gespeicherten Zustände können dadurch gelesen werden,
dass ein Lesestrom in einer Leseleitung aufgrund des Unterschiedes
zwischen den magnetischen Widerständen der zwei Zustände durch
die Zelle geführt
wird.
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Um
in heutigen elektronischen Vorrichtungen von Nutzen zu sein, werden
in magnetischen Schreib-/Lesespeichern Arrays von magnetischen Speicherzellen
mit sehr hoher Dichte verwendet. In diesen Arrays mit hoher Dichte
werden die Zellen im Allgemeinen in Zeilen und Spalten angeordnet,
wobei individuelle Zellen durch die Auswahl einer geeigneten Zeile
und Spalte, die die gewünschte
Zelle enthalten, für
Lese- und Schreiboperationen adressierbar sind. Außerdem werden
orthogonale Stromleitungen zur Verfügung gestellt, eine für jede Zeile
und eine für
jede Spalte, so dass eine ausgewählte
Zelle durch Zuführen
von Strom zu der geeigneten Zeilenstromleitung und der geeigneten
Spaltenstromleitung geschrieben wird. Das Problem, das sich ergibt,
liegt darin, dass ein Strom, der Zeilen- und Spaltenstromleitungen
zum Schreiben und/oder Lesen einer ausgewählten Zelle zugeführt wird,
die Daten beeinflussen kann, die in anderen Zellen gespeichert sind,
die sich nicht bei dem Kreuzungspunkt befinden.
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Dementsprechend
ist es äußerst wünschenswert,
Verfahren zum Schreiben/Lesen von magnetischen Schreib /Lesespeichern
zur Verfügung zu
stellen, die keine anderen Zellen in den Speichern beeinflussen.
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Ein
Zweck der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues und verbessertes
Verfahren zum Schreiben/Lesen von magnetischen Schreib-/Lesespeichern
oder Arrays von magnetischen Speichern zur Verfügung zu stellen, das keine
anderen Zellen in dem Speicher oder Array beeinträchtigt.
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Ein
anderer Zweck der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues und verbessertes
Verfahren zum Lesen/Schreiben von magnetischen Schreib-/Lesespeichern
oder Arrays von magnetischen Speichern zur Verfügung zu stellen, das über eine
bessere Selektivität
und Reproduzierbarkeit verfügt.
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Ein
weiterer Zweck der vorliegenden Erfindung ist es, ein neues und
verbessertes Verfahren zum Lesen/Schreiben von magnetischen Schreib-/Lesespeichern
oder Arrays von magnetischen Speichern zur Verfügung zu stellen, das über ein
stabileres Schalten verfügt.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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In
einem Verfahren zum Lesen/Schreiben von Arrays von magnetoresistiven
Zellen gemäß Anspruch
1 werden die oben dargelegten Probleme mindestens zum Teil gelöst und die
oben dargelegten Zwecke realisiert. Jede Zelle verfügt über eine
Leicht- und eine Hartmagnetisierungsachse, wobei mit jeder Zelle
in dem Array eine erste Stromleitung verknüpft ist, die ein Leichtachsenfeld
erzeugt, und eine zweite orthogonale Stromleitung verknüpft ist,
die ein Hauptachsenfeld erzeugt, wenn ihr Strom zugeführt wird. Das
Verfahren umfasst das Zuführen
eines Stromes zu der zweiten orthogonalen Stromleitung in einer ersten
Richtung, was ein Hart achsenfeld erzeugt, um die Enddomänen in allen
Zellen unter der zweiten orthogonalen Stromleitung in einer festen
Richtung aufrecht zu erhalten. Die Enddomänen in allen Zellen in dem
Array werden ursprünglich
in eine vorbestimmte Richtung eingestellt. Dann werden spezifische
Zellen in dem Array zum Schreiben/Lesen dadurch adressiert, dass
eine Zelle in dem Array durch Verwenden eines magnetischen Feldes
ausgewählt
wird, das durch zwei orthogonale Leitungen erzeugt wird, einschließlich dem
Zuführen
eines Stromes zu der ersten Stromleitung, die mit der ausgewählten Zelle
verknüpft
ist, um ein Leichtachsenfeld zu erzeugen, vorzugsweise ungefähr eine
Hälfte
des gesamten Feldes, das benötigt
wird, um die magnetische Schicht zu schalten und gleichzeitig dem
Zuführen
eines Stromes in der ersten Richtung zu einer zweiten Stromleitung,
die mit der zweiten Zelle verknüpft
ist, um ein Hartachsenfeld zu erzeugen, vorzugsweise eine Hälfte des
magnetischen Feldes, das benötigt wird,
um das Bit zu schreiben.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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Es
wird auf die Zeichnungen Bezug genommen:
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1 ist
eine vereinfachte Ansicht der oberen Ebene eines Arrays von magnetischen
Speicherzellen;
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2 ist
eine vereinfachte Ansicht einer einzelnen magnetischen Speicherzelle
von dem Array von 1, die eine Magnetisierung und
Magnetisierungsachse darstellt;
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3 ist
ein Graph, der die Halbauswähltechnik
des Schreibens/Lesens der in 2 dargestellten
Zelle darstellt;
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4 ist
ein Graph, der die theoretische Hartachsenmagnetisierungsschleife
der Zelle von 2 darstellt;
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5 ist
ein Graph, der die theoretische Leichtachsenmagnetisierungsschleife
der Zelle von 2 darstellt; und
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6 ist
ein Graph, der die tatsächliche
Hartachsenmagnetisierungsschleife der Zelle von 2 darstellt.
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Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsform
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Es
wird nun auf die Zeichnungen Bezug genommen, darin ist 1 eine
vereinfachte Ansicht der oberen Ebene eines Arrays 10 der
magnetischen Speicherzelle 11. Im Allgemeinen werden die
Zellen 11 auf einem Substrat gebildet und getragen, das zum
Beispiel ein Halbleitersubstrat oder dergleichen sein kann. Außerdem werden
die Zellen 11 im Allgemeinen in Zeilen und Spalten oder
einer ähnlichen Anordnung,
angeordnet, wobei jede Zeile mit einer Stromleitung 12 und
jede Spalte mit einer Stromleitung 14 verknüpft ist.
Weiterhin werden die Zellen 11 mit einer langen Achse,
die sich parallel zu den Zeilen erstreckt, und einer queren Achse,
die sich parallel zu den Spalten erstreckt, angeordnet. Wie unten ausführlicher
erklärt
wird, verfügt
jede Zelle 11 über eine
Leichtmagnetisierungsachse 19, die parallel zu der langen
Achse (Länge)
der Zelle ausgerichtet ist, und eine Hartmagnetisierungsachse 20,
die parallel zu der kurzen Achse (Breite) der Zelle ausgerichtet ist.
Somit ist mit jeder Zelle 11 in dem Array 10 eine Stromleitung 14 verknüpft, die
ein Leichtachsenfeld erzeugt, und eine orthogonale Stromleitung 12 verknüpft, die
ein Hartachsenfeld erzeugt, wenn ihnen Strom zugeführt wird.
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Es
wird nun auf 2 Bezug genommen, die eine vergrößerte isometrische
Ansicht einer einzelnen magnetischen Speicherzelle 11 von
dem Array 10 darstellt, die über mehrere Schichten eines
magnetoresistiven Materials verfügt.
Die Zelle 11 umfasst zum Beispiel eine erste magnetische
Schicht 16 und eine zweite magnetische Schicht 17,
die durch eine erste leitende oder isolierende Zwischenschicht 18 getrennt
sind. Die magnetischen Schichten 16 und 17 können beide
einzelne Schichten aus ferromagnetischen Materialien sein, wie zum
Beispiel eine Schicht aus Nickel, Eisen, Kobalt, oder deren Legierungen. Alternativ
können
die Schichten 16 und 17 beide eine zusammengesetzte
ferromagnetische Schicht sein, wie zum Beispiel einer Schicht aus
Nickel-Eisen-Kobalt, die eine Schicht aus Kobalt-Eisen bedeckt,
oder Dreischichtstrukturen, die Schichten von Kobalt-Eisen und Nickel-Eisen-Kobalt
und Kobalt-Eisen mit Kobalt-Eisen an der Schnittstelle mit benachbarten Schichten
umfassen. Materialien, die für
die Schicht 18 geeignet sind, umfassen die meisten leitenden Materialien,
wie zum Beispiel Cu, Ag, Au, Cr und ihre Legierungen, oder die meisten
nicht-leitenden Materialien, wie zum Beispiel Oxide, Nitride, Dielektrika, etc.
Obwohl gezeigt wird, dass die Zelle 11 in dieser Ausführungsform über zwei
magnetische Schichten verfügt,
kann die Zelle 11 in Abhängigkeit von der Anwendung
und der spezifischen Ausführungsform über mehr
als zwei magnetische Schichten verfügen.
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Im
Allgemeinen sind die Schichten 16 und 17 rechtwinklig
und jede verfügt über einen
Magnetisierungsvektor 21, der im Wesentlichen entlang der Länge der
Zelle angeordnet ist und durch die physikalische Anisotropie parallel
zu der Länge
gehalten wird. Hier sollte klar sein, dass der Aus druck "rechtwinklig" so definiert ist,
dass er alle Formen umfasst, in denen die magnetische Schleife der
Hartachse nicht ideal ist, das heißt Enddomänen eine Rolle beim Schalten
spielen. Eine Art und Weise, um das Anordnen des Magnetisierungsvektors
entlang der Länge
zu erreichen, besteht darin, die Breite kleiner zu bilden als die
Breite der Wände
der magnetischen Domänen
oder der Übergangsbreite
in den Schichten 16 und 17. Typischerweise resultieren
Breiten von weniger als 1,0 bis 1,2 Mikrometer in einer solchen
Einschränkung.
Um eine hohe Dichte zu erreichen, ist die Breite im Allgemeinen
kleiner als ein Mikrometer und so klein, wie aufgrund der Herstellungstechnologie
möglich,
und die Länge
größer als
die Breite. Außerdem
betragen die Dicken der Schichten 16 und 17 ungefähr drei
bis zehn Nanometer und die Dicken können in einigen Ausführungsformen
unterschiedlich sein. Der Unterschied in der Dicke der Schichten 16 und 17 beeinflusst
die Schaltpunkte und wird in einigen Strukturen zum Lesen und Schreiben
von Zellen verwendet.
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Wie
in 2 dargestellt, wird ein Vektor 21 mit
einer Pfeilspitze an beiden Enden dargestellt, um zwei verschiedene
Magnetisierungszustände
in der Zelle 11 darzustellen. Dem Fachmann auf dem Gebiet
ist klar, dass die Magnetisierung in einer der Schichten 16 oder 17 im
Allgemeinen fest ist und die andere in beide der zwei durch den
Vektor 21 dargestellten Positionen rotieren kann. Ein Zustand
wird als eine logische "0" bezeichnet und der
andere Zustand ist eine logische "1".
Obwohl dem Fachmann auf dem Gebiet klar ist, dass beiden Zuständen jede beliebige
logische Definition zugewiesen werden kann, ist in diesem Beispiel
die Zelle 11, wenn der Vektor 21 in 1 nach
links zeigt, in einem logischen "0"-Zustand und wenn
der Vektor 21 in die entgegengesetzte Richtung zeigt, in
einem logischen "1"-Zustand.
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In
einer magnetischen Zelle von einem Tunnelübergangstyp ist die Schicht 18 eine
Isolierschicht, deren Bereitstellung zwischen den ferromagnetischen
Schichten 16 und 17 einen Tunnelübergang
erzeugt, der einen Stromfluss senkrecht durch die Schicht 18,
von der Schicht 16 zu der Schicht 17 (oder umgekehrt),
erlaubt. Die Zelle 11 erscheint im Wesentlichen als eine
relativ hohe Impedanz (hierin als ein Widerstand R bezeichnet).
Wenn die Magnetisierungsvektoren in den Schichten 16 und 17 antiparallel
sind, bleibt der Widerstand R der Zelle 11 sehr hoch. Wenn
die Magnetisierungsvektoren der Schichten 16 und 17 parallel
sind, verringert sich der Widerstand R der Zelle 11 merklich.
Für eine
Zelle von einem Tunnelübergangstyp
stellt der Vektor 21 von 2 eine parallele
oder antiparallele Position dar, wenn er nach links beziehungsweise
nach rechts zeigt.
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Der
magnetische Vektor 21 stellt den Hauptteil der magnetischen
Domäne
oder Domänen
in der Zelle 11 dar. Weil die Enden der Schichten 16 und 17 eine
Unterbrechung in den magnetischen Domänen bilden, werden jedoch bei
den Unterbrechungen oder Enden der Schichten 16 und 17 sehr
hohe Felder und magnetische Pole gebildet. Entlang der Seiten der Schichten 16 und 17 gibt
es keine Unterbrechungen, da der magnetische Vektor 21 im
Wesentlichen parallel zu den Seiten angeordnet ist. Die hohen Felder an
den Enden der Schichten 16 und 17 bewirken an den
Enden angrenzende magnetische Vektoren, die als kleinere magnetische
Enddomänen
definiert werden und die versuchen, an den Enden eine ge schlossene
magnetische Schleife zu bilden. Obwohl diese kleineren magnetischen
Enddomänen
hierin der Einfachheit halber als ein einzelner magnetischer Endvektor 22 an
dem linken Ende und als ein einzelner magnetischer Endvektor 23 an
dem rechten Ende dargestellt werden, ist klar, dass beide aus einem oder
mehreren kleineren magnetischen Endvektoren zusammengesetzt sind,
die in verschiedene Richtungen zeigen. Außerdem wird der Ausdruck "Enden" für die Zwecke
dieser Offenbarung im Allgemeinen so definiert, dass er einen Bereich
der Breite "W" der Schichten 16 und 17 und
mit einer Länge,
die gleich oder kleiner als der Abstand "W" zu
den physikalischen Enden der Schichten 16 und 17 ist,
bedeutet.
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Das
Problem, das die kleineren magnetischen Endvektoren 22 und 23 darstellen,
besteht darin, dass sie zufällig
angeordnet sind, im Allgemeinen ungefähr parallel zu den Unterbrechungen
oder Enden der Schichten 16 und 17. Zum Beispiel
können sowohl
der magnetische Endvektor 22 als auch 23 aufwärts orientiert
sein, kann der Endvektor 22 aufwärts orientiert sein, während der
Endvektor 23 abwärts
orientiert ist, kann der Endvektor 22 abwärts orientiert
sein, während
der Endvektor 23 aufwärts orientiert
ist, können
sowohl der Endvektor 22 als auch 23 abwärts orientiert
sein, etc. Tatsächlich
kann es sehr viel mehr mögliche
Orientierungen geben, weil jeder der Endvektoren 22 und 23 mehrere
kleinere magnetische Endvektoren darstellen kann.
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Jedes
mal, wenn der magnetische Vektor 21 geschaltet wird, können die
magnetischen Endvektoren 22 und 23 ihre Position
in Abhängigkeit
von dem zugeführten
magnetischen Feld, dem Material, der vorherigen Position, etc ändern o der
nicht. Das Problem besteht darin, dass jede der verschiedenen möglichen
Positionen der Endvektoren 22 und 23 in Änderungen
des Widerstandes der Schicht 16 und/oder 17 resultiert,
wenn in der magnetischen Speicherzelle 11 verwendet, sowie
dass verschiedene Schaltfelder erforderlich sind, um ein Schalten
in der Zelle 11 zu erzeugen. Das heißt, dass, weil jeder Satz der
magnetischen Vektoren 21, 22 und 23 eine bestimmte
Größe eines
magnetischen Feldes benötigt,
um die Richtung zu schalten, und weil entweder der magnetische Endvektor 22 oder 23 oder
beide ihre Richtungen mit dem magnetischen Vektor 21 schalten
können,
die Größe des magnetischen
Feldes, die erforderlich ist, um den magnetischen Vektor 21 zu
schalten, jedes mal variieren kann, wenn er geschaltet wird. Die
Widerstandsvariation kann ausreichen, um Probleme beim Lesen oder
Erfassen von gespeicherten Zuständen
in der magnetischen Speicherzelle zu verursachen, und die Variationen
der Größe des magnetischen
Feldes, das erforderlich ist, um Zustände in der Zelle zu schalten,
kann Schaltprobleme verursachen, im Besonderen in großen Arrays,
und verwendet zusätzlichen
Strom, der in großen
Arrays erheblich sein kann.
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Es
wird im Besonderen auf 3 Bezug genommen, darin wird
ein Graph dargestellt, der die Halbauswähltechnik des Schreibens/Lesens
der in 2 dargestellten Zelle darstellt. Der Ausdruck "Halbauswahl" bezieht sich im
Allgemeinen auf die Tatsache, dass ungefähr eine Hälfte des Feldes, das erforderlich
ist, um die Zelle zu schalten, durch einen Strom erzeugt wird, der
einer der Stromleitungen 12/14 zugeführt wird,
und ungefähr
eine Hälfte
des Feldes, das erforderlich ist, um die Zelle zu schalten, durch
einen Strom erzeugt wird, der der anderen der Stromleitungen 12/14 zugeführt wird.
Somit wird nur der adressierten Zelle das volle Schaltfeld zugeführt, während die
restlichen Zellen in der erregten Zeile und Spalte nur über eine
Hälfte
des magnetischen Feldes verfügen,
das zum Schalten erforderlich ist. Wie in 3 zu sehen
ist, wird die Menge eines magnetischen Feldes, das erforderlich
ist, um den Vektor 21 der Zelle 11 zu schalten,
mit Ho bezeichnet. Nur durch Zuführen
von hinreichend Strom zu der geeigneten Stromleitung 14,
um ungefähr
eine Hälfte dieses
magnetischen Feldes zu erzeugen, bezeichnet durch den Punkt 25 auf
der Hx (Leicht)-Achse, und durch gleichzeitiges Zuführen von
hinreichend Strom zu der geeigneten Stromleitung 12, um
ungefähr
eine andere Hälfte
dieses magnetischen Feldes zu erzeugen, bezeichnet durch den Punkt 26 auf
der Hy (Hart)-Achse,
wird der Vektor 21 (und die Zelle 11) jedoch in
geeigneter Weise geschaltet, ohne eine andere Zelle in dem Array
zu schalten. Dem Fachmann auf dem Gebiet ist klar, dass der Ausdruck "Halb" nur verwendet wird,
um einen allgemeinen Bereich zu bezeichnen, und jede beliebige Kombination
von Leicht- und Hartachsenfeldern, die die ausgewählte Zelle
schaltet, ohne andere Zellen zu schalten, soll in dem Bereich dieser
Erfindung liegen.
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Das
Halbauswahlverfahren basiert auf der Annahme, dass die Zellen einzelne
Domänen
sind. Das heißt,
die Hartachsenschleife, wie in 4 zu sehen,
beruht auf einer Magnetisierungsrotation und ist reversibel. Daher
kehren andere Zellen, die sich vereinzelt unter dem Hartachsenfeld
befinden (Zellen in der selben Zeile) zu dem ursprünglichen
Zustand zurück,
nachdem das Feld entfernt worden ist (das heißt, der Strom der ausgewählten Stromleitung 12 nicht
länger
zugeführt
wird). Außerdem
kehren andere Zellen, die sich vereinzelt unter dem Leichtachsenfeld
befinden (Zellen in der selben Zeile) ebenso zu ihrem ursprünglichen
Zustand zurück,
weil das Leichtachsenfeld die Magnetisierung nur bis zu einem Punkt
bewegt, der mit 27 auf der Leichtachsenschleife bezeichnet
ist, wie in 5 zu sehen ist.
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Reale
Strukturen sind jedoch keine perfekten einzelne Domänen. Die
Leicht- und Hartachsenschleifen sind nicht ideal. Eine realistischere
Hartachsenschleife wird in 6 dargestellt.
Wenn ein Hartachsenfeld einer Zelle 11 zugeführt wird,
gibt es eine Chance, dass eine oder beide Enddomänen 22 und/oder 23 geschaltet
werden können.
Daher kehren Zellen unter dem Hartachsenfeld (Zellen, die sich in
der selben Zeile wie die ausgewählte
Zelle befinden) nicht zu ihrem ursprünglichen Zustand zurück. Für die in 5 zu
sehende Leichtachsenschleife wird der Übergang dadurch verursacht,
dass die ganze Zelle 11 (Vektor 21) geschaltet
wird. Weil die Leichtachsenmagnetisierungsschleife relativ scharf ist,
stellt ein Einstellen des Leichtachsenhalbauswählfeldes unter das Schaltfeld
sicher, dass die ausgewählten
Zellen keinen Störungen
ausgesetzt sind.
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Aus
der obigen Beschreibung wird klar, dass das Hartachsenfeld unerwünschte Störungen in
den verschiedenen Zellen des Arrays erzeugen kann. Um dieses Problem
zu überwinden,
wird ein Hartachsenfeld zugeführt,
das alle Enddomänen
oder die Vektoren 22 und 23 in allen Zellen 11 des
Arrays 10 in eine feste Richtung schaltet. Obwohl diese
Initialisierung vor jeder Schaltoperation zugeführt werden kann, wird bevorzugt,
dass die Enddomänen
aus Gründen der
Einfachheit des Betriebs einmal am Anfang geschaltet werden. Es
wird außerdem
bevorzugt, dass die Initialisierung durch Zuführen eines Initialisierungsstroms
an jede Stromleitung 12 in einer ausgewählten Richtung und vor einem
Verwenden des Arrays 10 in jeder Operation bewerkstelligt
wird. Der Initialisierungsstrom sollte hoch genug sein, um ein Hartachsenfeld
zu erzeugen, das alle Enddomänen oder
die Vektoren 22 und 23 in eine gemeinsame Richtung
schaltet. Es ist natürlich
klar, dass das initialisierende Hartachsenfeld außerdem durch
ein externes Feld erzeugt werden kann, das dem Array 10 in
einer festen Richtung zugeführt
wird und hoch genug ist, um ein Hartachsenfeld zu erzeugen, das
alle Enddomänen
oder die Vektoren 22 und 23 in eine gemeinsame
Richtung schaltet (oder erhält).
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Im
Anschluss an die Initialisierung des Arrays 10 oder mindestens
der Initialisierung der Zeile, die die ausgewählte Zelle enthält, wird
eine Zelle 11 in dem Array 10 zum Schreiben/Lesen
durch Verwenden der Halbauswähltechnik
ausgewählt,
das heißt, durch
Zuführen
eines Halbauswählstromes
zu der Stromleitung 14, die mit der ausgewählten Zelle
verknüpft
ist, um ein Halbauswählleichtachsenfeld
zu erzeugen und gleichzeitig durch Zuführen eines Halbauswählstromes
zu der orthogonalen Stromleitung 12, die mit der ausgewählten Zelle
verknüpft
ist, um ein Halbauswählhartachsenfeld
zu erzeugen. Das Merkmal, das sicherstellt, dass die initialisierten
Zellen unter der ausgewählten
Stromleitung 12 nicht gestört werden, dass heißt zu ihren
ursprünglichen
Zuständen
zurückkehren,
besteht darin, dass der der orthogonalen Stromleitung 12 zugeführte Halbauswählstrom
in der selben Richtung zugeführt
wird wie der initialisierende Strom. Weiterhin wird in jeder nachfolgenden
Schaltoperation der den Stromleitungen 12 zugeführte Strom,
um das Hartachsenfeld zu erzeugen, immer in der selben Richtung
zugeführt wie
der initialisierende Strom. Somit befindet sich das Hartachsenfeld
immer in einer Richtung, die dazu neigt, die Enddomänen in der
ursprünglichen
(initialisierten) Position zu erhalten, und es kommt kein Schalten
der Enddomänen
vor.
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Somit
wird ein neues und verbessertes Verfahren zum Schreiben/Lesen von
magnetischen Schreib-/Lesespeichern mit hoher Dichte offenbart, das
keine anderen Zellen in dem Speicher oder Array beeinträchtigt.
Außerdem
verfügt
das neue und verbesserte Verfahren zum Schreiben/Lesen von magnetischen
Schreib-/Lesespeichern, oder Arrays von magnetischen Speichern, über eine
bessere Selektivität
und Reproduzierbarkeit ebenso wie über ein stabileres Schalten,
ohne das die Komplexität
weder des Verfahrens noch der Zellen erhöht wird.
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Obwohl
wir spezifische Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben haben, werden dem
Fachmann auf dem Gebiet weitere Modifikationen und Verbesserungen
in den Sinn kommen. Daher wünschen
wir, dass klar ist, dass diese Erfindung nicht auf die besonderen
gezeigten Formen beschränkt
ist, und in den anhängenden
Ansprüchen
sollen alle Modifikationen, die nicht von dem Umfang dieser Erfindung
abweichen, abgedeckt werden.