DE69821226T2 - Af4 synthese - Google Patents

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Description

  • Hintergrund
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf die Synthese von AF4 und insbesondere auf die Synthese von AF4 unter Einbeziehung neuartiger Reduktionsmittel.
  • 2. Diskussion der einschlägigen Technik
  • „Parylen" ist ein Oberbegriff, der oft verwendet wird, um eine Klasse von Poly-p-Xylenen zu beschreiben, die von einem Dimer der Struktur
    Figure 00010001
    abgeleitet werden können, wobei X typischerweise ein Wasserstoffatom oder ein Halogenatom ist.
  • Die am häufigsten gebrauchten Formen dieser Dimere schließen
    Figure 00010002
    Figure 00020001
    ein.
  • Octafluor-[2,2]-paracyclophan (nachstehend „AF4") ist eine Fluor-substituierte Version des obigen Dieners mit der Struktur
  • Figure 00020002
  • Von AF4 abgeleitete Parylen-Materialien sind in der Lage, dünne Filme bereitzustellen und sich an Substrate verschiedenartiger geometrischer Gestalten anzupassen, was ihre Verwendung als angepasste Beschichtungen ermöglicht. Darüber hinaus weisen diese Beschichtungen eine relativ hohe Schmelztemperatur (ungefähr 540°C) und eine vergleichsweise niedrige Dielektrizitätskonstante (ungefähr 2,3) auf. Diese Charakteristika machen aus AF4 gebildete Parylenschichten gut geeignet für viele unterschiedliche Anwendungen, wie etwa zum Beispiel die Elektronik-, Automobil- und medizinischen Industrien.
  • Trotz des Wunsches, große Mengen an AF4 zu produzieren, können bekannte Verfahren zur Herstellung von AF4 zu teuer sein, um im kommerziellen Maßstab verwendet zu werden. Zum Teil liegen die hohen Kosten an den relativ niedrigen Ausbeuten, die durch diese Prozesse bereitgestellt werden. Außerdem können die bei diesen synthetischen Systemen verwendeten Materialien vergleichsweise teuer sein. Darüberhinaus verwenden bekannte Verfahren zur Herstellung von AF4 typischerweise Hochverdünnungs-Technologie, was in vergleichsweise hohen Kosten im Zusammenhang mit Lösemitteleinkauf, -lagerung, -handhabung und -entsorgung resultieren kann.
  • US-A-5536892 offenbart einen Prozess zur Darstellung von AF4, der das Inkontaktbringen eines Dihalogenreaktanten mit Trimethylsilyltributylzinn und Fluoridionen in einer Lösung von Hexamethylphosphoramid oder Dimethylsulfoxid in Tetrahydrofuran unter Rückfluss umfasst. Der Prozess resultierte in einer maximalen Ausbeute von 40% reinem AF4.
  • Daher ist es innerhalb der einschlägigen Technik wünschenswert, ein relativ preiswertes Verfahren zur Synthese von AF4 bereitzustellen. Insbesondere wäre es vorteilhaft, ein Verfahren zur Herstellung von AF4 bereitzustellen, das in einer erhöhten Produktausbeute, reduzierten Reagenzienkosten und/oder reduziertem Lösemitteleinsatz resultiert.
  • Die vorliegende Erfindung stellt dementsprechend ein Verfahren zur Herstellung von Octafluor-[2,2]-paracyclophan bereit, wobei das Verfahren die Schritte umfasst:
    Mischen von 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-Benzol mit einem Reduktionsmittel, um eine Reaktionsmischung zu bilden, Umsetzen der Reaktionsmischung, um Produktmaterialien, Octafluor-[2,2]-paracyclophan eingeschlossen, zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass das Reduktionsmittel Zinkpulver umfasst, das Reduktionsmittel mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung umfasst, und dadurch, dass das 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-Benzol mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung umfasst.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Synthese von AF4 durch die Chemikalie eines 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-Benzols (nachstehend eine „Dihalogen"-Verbindung) mit einem Reduktionsmittel entweder allein oder in Gegenwart eines Übergangsmetall-Katalysators und eines Lösemittels.
  • Eine „Dihalogen"-Verbindung bezieht sich hierin auf 1,4-bis-(Chlordifluormethyl)-Benzol (nachstehend „Dichlor"), 1,4-bis-(Bromdifluormethyl)-Benzol (nachstehend „Dibrom") oder 1,4-bis-(Ioddifluormethyl)-Benzol (nachstehend „Diiod"). Während die Synthese von AF4 bei tieferer Temperatur ausgeführt werden kann, wenn Diiod (Raumtemperatur) oder Dibrom (80°C) statt Dichlor (von 90°C bis 140°C) verwendet werden, ist Dichlor bevorzugt, weil es preiswerter als Diiod oder Dibrom ist.
  • Unerwartet wurde gefunden, dass die Verwendung von Zink als ein Reduktionsmittel in relativ hohen Ausbeuten an AF4 resultiert. Typischerweise liegt das Zink in Form eines Pulvers vor. Da Zinkpulver vergleichsweise preiswert ist, bietet die Verwendung dieses Materials einen Vorteil reduzierter Kosten bei der Synthese von AF4.
  • Zur Verwendung für die vorliegende Erfindung geeignete Lösemittel sollten in der Lage sein, die AF4-Synthesereaktion zu erleichtern. Eine veranschaulichende und nicht-begrenzende Liste solcher Lösemittel schließt Acetanhydrid, Tetrahydrofuran (nachstehend „THF"), Dimethylsulfoxid (nachstehend „DMSO"), Dimethylformamid (nachstehend „DMF"), -Methylpyrrolidon (nachstehend „NMP"), 1,3-Dimethylimidazolidin-2-on („nachstehend „DMEU"), Diethylether, 1,3-Dioxan, 2-Methoxyethylether (nachstehend „Diglyme"), Hexamethylphosphorsäuretriamid (nachstehend „HMPA"), N,N-Dimethylacetamid (nachstehend „DMA") und N-Methylmorpholin ein.
  • In bestimmten Ausführungen schließt die Synthese von AF4 die Verwendung von von 1,5 bis 2,5 Mol Zink pro Mol Dihalogen-Verbindung ein. Zusätzlich werden typischerweise von 0,01 Molprozent bis 0,1 Molprozent an Übergangsmetall-Katalysator pro Mol Dihalogen-Verbindung verwendet. In einigen Ausführungen kann die Synthese von AF4 mit Erhitzen bei einer Temperatur unterhalb der Rückflusstemperatur in Kombination mit kräftigem Rühren ausgeführt werden.
  • Trotz der reduzierten Kosten, die durch Erhöhen der Ausbeute an AF4 resultieren würden, resultierten bekannte Verfahren zur Herstellung von AF4 in Ausbeuten an AF4, die nicht größer als 40 Molprozent relativ zu der in der Reaktionsmischung verwendeten Menge an Dihalogen-Verbindung waren. Überraschenderweise stellt die vorliegende Erfindung jedoch ein Verfahren zur Herstellung von AF4 bereit, das in einer relativ hohen Ausbeute an AF4 resultiert. Entsprechend der vorliegenden Erfindung beträgt die Ausbeute an AF4 bevorzugt mindestens 20 Molprozent relativ zu der in der Reaktionsmischung verwendeten Menge an Dihalogen-Verbindung, besonders bevorzugt mindestens 40 Molprozent und ganz besonders bevorzugt mindestens 80 Molprozent.
  • Diese vergleichsweise hohen Ausbeuten an AF4 vermindern die Gesamtkosten der AF4-Produktion und resultieren in einer Vorgehensweise, AF4 herzustellen, die kommerziell praktikabel ist.
  • Bekannte Verfahren zur Herstellung von AF4 haben Reaktionsmechanismen einbezogen, bei denen eine Diradikal-Zwischenstufe gebildet wird. Diese Zwischenstufe hat zwei hauptsächliche Reaktionswege. Der erste Weg steht für das Auftreten einer Zyklisierung, um AF4 zu bilden. Diese Reaktion ist unimolekular und daher unabhängig von der Konzentration der Zwischenstufe in der Reaktionsmischung. Der zweite hauptsächliche Reaktionsweg schließt die Reaktion zwischen zwei Zwischenstufen ein, so dass ein lineares Nebenprodukt gebildet wird, das weitere Reaktionen eingehen kann, was schließlich in einem Polymer-Nebenprodukt resultiert. Dieser Weg bezieht bimolekulare Reaktionen ein, die von der Konzentration der Zwischenstufe in der Reaktionsmischung abhängen. Um die Ausbeute an AF4 relativ zu dem Polymer-Nebenprodukt zu optimieren, bestand die konventionelle Klugheit folglich darin, bei der Synthese von AF4 Hochverdünnungs-Technologie zu verwenden. „Hochverdünnungs-Technologie", wie hierin verwendet, bezieht sich auf ein Verfahren zur Synthese von AF4, bei dem die Konzentration der Dihalogen-Verbindung und/oder des Reduktionsmittels derart kontrolliert wird, dass, zu jeder Zeit während der Reaktion, die Dihalogen-Verbindung und/oder das Reduktionsmittel höchstens 5 × 10–6 Gewichtsprozent der Gesamt-Reaktionsmischung ausmacht.
  • Überraschenderweise stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Synthese von AF4 bereit, das unter Bedingungen von Niedrigverdünnungs-Technologie ausgeführt werden kann. „Niedrigverdünnungs-Technologie" bezeichnet hierin einen AF4-Syntheseprozess, bei dem, zu gelegentlicher Zeit während der Reaktion, die Dihalogen-Verbindung und das Zink mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Gesamt-Reaktionsmischung ausmachen. Die Synthese von AF4 tritt bevorzugt unter Bedingungen auf, bei denen, zu jeder Zeit während der Reaktion, die Dihalogen-Verbindung und/oder das Reduktionsmittel mindestens 5 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung, besonders bevorzugt mindestens 9 Gewichtsprozent und ganz besonders bevorzugt mindestens 15 Gewichtsprozent ausmachen. Ohne zu wünschen, auf irgendwelche theoretischen Erklärungen festgelegt zu werden, wird davon ausgegangen, dass die Niedrigverdünnungs-Technologie bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, weil die Synthese von AF4 ohne die Bildung der Diradikal-Zwischenstufe auftritt. Aufgrund der überraschend niedrigen Ausbeute an linearem Produkt wird statt dessen davon ausgegangen, dass die Reaktion über einen Elektronentransfer abläuft, bei dem eine direkte Kopplung der Reaktionszwischenstufe auftritt, wodurch der Einsatz der Niedrigverdünnungs-Technologie ermöglicht wird.
  • Die Verwendung der Niedrigverdünnungs-Technologie zur Synthese von AF4 stellt den Vorteil geringerer Kosten in Zusammenhang mit dem Einkauf, der Lagerung, Handhabung und Entsorgung von Lösemitteln bereit. Darüber hinaus ermöglicht die Niedrigverdünnungs-Technologie ein einfacheres Scale-up des AF4-Syntheseprozesses auf ein kommerzielles Niveau, weil, für eine gegebene Menge an produziertem AF4, die verminderte Menge an verwendetem Lösemittel in einem kleineren Volumen der Reaktionsmischung resultiert.
  • Vorherige Verfahren zur Synthese von AF4 resultierten in einer Ausbeute an linearem Nebenprodukt von mindestens 40 Molprozent relativ zu der gesamten Menge an Material, das durch die Reaktion gebildet wurde. „Lineares Nebenprodukt" bezeichnet hierin eine lineare Struktur, die aus der chemischen Reaktion von mehr als einem Molekül der Dihalogen-Verbindung resultiert. In bestimmten Ausführungen stellt die vorliegende Erfindung jedoch einen Prozess zur Darstellung von AF4 bereit, bei dem im Wesentlichen kein lineares Nebenprodukt produziert wird. Die Ausbeute an linearem Nebenprodukt beträgt bevorzugt weniger als 30 Molprozent relativ zu der gesamten Menge an Material, das durch die Reaktion gebildet wird, besonders bevorzugt weniger als 20 Molprozent und ganz besonders bevorzugt weniger als 10 Molprozent.
  • Vorher bekannte Verfahren zur Synthese von AF4 produzieren mindestens 18 Prozent Reduktionsnebenprodukt relativ zu der gesamten Menge an Material, das durch die Reaktion gebildet wird. Der Begriff „Reduktionsnebenprodukt", wie hierin verwendet, bezieht sich auf eine lineare Struktur einer oder mehrerer Monomereinheiten, bei der eines oder mehrere der Chlor-, Brom- oder Iodatome durch ein Wasserstoffatom ersetzt worden ist. In einigen Ausführungen kann der Prozess der vorliegenden Erfindung jedoch AF4 produzieren, während im Wesentlichen kein Reduktionsnebenprodukt produziert wird. Entsprechend der vorliegenden Erfindung produziert die Synthese von AF4 bevorzugt weniger als 10 Molprozent Reduktionsnebenprodukt relativ zu der gesamten Menge an Material, das durch die Reaktion gebildet wird, besonders bevorzugt weniger als 5 Molprozent Reduktionsnebenprodukt und ganz besonders bevorzugt weniger als 1 Molprozent Reduktionsnebenprodukt.
  • Während bekannte Verfahren die Verwendung von Übergangsmetall-Katalysatoren nicht einbezogen haben, kann das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von AF4 die Verwendung eines Übergangsmetall-Katalysators einbeziehen, der typischerweise in relativ kleinen Mengen bezüglich der Gesamt-Reaktionsmischung vorhanden ist. Der Übergangsmetall-Katalysator umfasst bevorzugt weniger als 0,1 Molprozent der Reaktionsmischung, besonders bevorzugt weniger als 0,01 Molprozent der Reaktionsmischung und ganz besonders bevorzugt im Wesentlichen nichts der Reaktionsmischung.
  • Die folgenden Beispiele werden zu Zwecken der Veranschaulichung bereitgestellt.
  • Beispiel I
  • Dichlorid wurde wie folgt hergestellt. 500 g α,α,α',α'-Tetrafluor-p-Xylen (nachstehend „TFPX"), dargestellt durch das Verfahren, das in der sich in gemeinsamem Besitz befindlichen und parallel anhängigen US-Patentanmeldung mit der Serien-Nr. 08/735,726 offenbart wurde, oder durch andere dem Fachmann bekannte Verfahren, werden in 750 ml Tetrachlorkohlenstoff (erhältlich von Aldrich Chemical, Sitz in Milwaukee, WI) gelöst. Durch diese Lösung ließ man für 36 Stunden Chlorgas perlen, während die Lösung einer ultravioletten Strahlung, die von einer Quecksilberlampe ausgestrahlt wurde, ausgesetzt wurde. Nach 36 Stunden waren 2 Äquivalente Chlor umgesetzt. Die Ausbeute an Dichlorid war größer als 90 Molprozent.
  • Beispiel II
  • Dichlorid wurde unter Verwendung eines Verfahrens, das dem Verfahren des Beispiels I ähnlich ist, aber ohne die Verwendung eines Lösemittels, dargestellt. Der Schritt des Durchperlens des Chlorgases mit dem Aussetzen gegenüber ultravioletter Strahlung wurde für 24 Stunden oder weniger ausgeführt.
  • Beispiel III
  • Dibrom wurde entsprechend dem im Journal of the American Chemical Society 82, 543 (1960) offenbarten Verfahren durch Umsetzen von Terephthalaldehyd mit Schwefeltetrafluorid bei Temperaturen von 150°C, so dass α,α,α',α'-Tetrafluorparylen bereitgestellt wurde, dargestellt. 0,15 Mol des α,α,α',α'-Tetrafluorparylens wurden mit 0,33 Mol N-Bromsuccinimid und 320 Teilen Tetrachlorkohlenstoff vermischt. Die Mischung wurde mit einer Quecksilberlampe bestrahlt, während sie bei der Rückflusstemperatur des Tetrachlorkohlenstoffes gehalten wurde. Das präzipitierte Succinimid wurde durch Filtration entfernt, und das Filtrat wurde destilliert, so dass 0,12 Mol Dibrom mit einer Siedetemperatur von von 102°C bis 107°C bei einem Druck von 25 mm Hg erhalten wurden.
  • Beispiel IV
  • 7,0 Gramm Zinkpulver (erhältlich von Fisher Scientific, Sitz in Atlanta, Georgia), 0,14 Gramm NiCl2 (erhältlich von Aldrich) und 80 Milliliter Acetanhydrid (erhältlich von Aldrich) wurden in einen 150-Milliliter-Kolben gegeben. Diese Mischung wurde für 15 Minuten unter einer Stickstoffatmosphäre bei Raumtemperatur gerührt und nachfolgend zu mildem Rückfluss bei 140 °C gebracht. 18 Gramm Dichlor (erhältlich von Aldrich) in 20 Milliliter Acetanhydrid wurden über eine Dauer von zwei Stunden tropfenweise zu der unter Rückfluss gehaltenen Mischung zugegeben. Die resultierende Mischung wurde dann für 30 Minuten unter Rückfluss gerührt, wonach ein interner Standard an Trifluormethylbenzol zugegeben wurde. 19F-NMR zeigte auf, dass die Ausbeute an AF4 40 Molprozent betrug.
  • Eine gleiche Menge an Chloroform (erhältlich von Aldrich) wurde zu dem AF4 zugegeben. Diese Mischung wurde für eine Stunde bei einer Temperatur von 60°C gerührt. Die Mischung wurde dann filtriert, und das Chloroform wurde von dem Filtrat evaporiert. Zu dem Filtrat wurde Wasser zugegeben, wodurch das AF4 präzipitierte, welches nachfolgend filtriert wurde. Dieses Filtrat wurde dann bei einer Temperatur von 150°C und einem Druck von 10 mm Hg sublimiert und aus Pentan umkristallisiert, so dass 3,2 Gramm (30 Molprozent) an AF4 isoliert wurden, das durch 19F-NMR sowie durch Massenspektroskopie charakterisiert wurde.
  • Beispiel V
  • Ein 100-Milliliter-Dreihalsrundkolben wurde mit einem druckausgleichenden Tropftrichter, der 4,1 Gramm an Dichlor enthielt, einem mit einem Stickstoff-Gasspüler verbundenen Rückflusskühler und einem großen Magnetrührer ausgestattet. Der Kolben wurde mit 30 Milliliter DMSO (erhältlich von Aldrich), 1,7 Gramm Zinkpulver und 0,11 Gramm Tetrakis(triphenylphosphin)-Palladium [0] (erhältlich von Aldrich) unter trockenem Stickstoff befällt. Das System wurde für 30 Minuten mit Stickstoff gespült und auf 130°C erwärmt. Der Stickstofffluss wurde dann gestoppt, und das Dichlorid wurde über zwei Stunden tropfenweise zu der kräftig gerührten Lösung zugegeben. Die Reaktionstemperatur wurde für eine Dauer von 18 Stunden zwischen 125°C und 140°C gehalten.
  • Nach Abkühlung auf Raumtemperatur wurden 100 Milliliter Chloroform zu der gerührten Lösung zugegeben, und nach 30 Minuten wurde die grüne Reaktionsmischung filtriert, was einen grünen gefilterten Feststoff und ein blaßgelbes Filtrat ergab. Ein 19F-NMR-Spektrum des Filtrats zeigte das Vorhandensein von nur zwei Hauptkomponenten auf, die als nicht-umgesetztes Dichlorid (35 Molprozent) und AF4 (47 Molprozent) identifiziert wurden, wie durch Integration gegenüber einem internen Standard an Trifluormethylbenzol bestimmt. Basierend auf der Umwandlung des Ausgangsmaterials wurde die Ausbeute an AF4 zu 73 Molprozent berechnet.
  • Das Produkt wurde aus der Reaktionsmischung isoliert, indem das Chloroform durch Evaporation entfernt wurde und 200 Milliliter Wasser zu der verbleibenden DMSO-Lösung zugegeben wurden. Diese Vorgehensweise resultierte in der Präzipitation eines Maßgelben Feststoffes, der umkristallisiert wurde.
  • Beispiel VI
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 3,5 Gramm Dichlorid in 50 ml DMSO verwendet wurden. Die Lösung wurde über Nacht bei 140°C erhitzt. 3,6 Äquivalente Zinkpulver und 0,05 Molprozent NiCl2 wurden verwendet. Die Ausbeute an AF4 betrug 47 Molprozent.
  • Beispiel VII
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 4,5 Gramm Dichlorid in 50 ml DMF (erhältlich von Aldrich) verwendet wurden. Die Lösung wurde über Nacht bei 140°C erhitzt. Ungefähr 1,6 Äquivalente Zinkpulver und 0,05 Molprozent katalytisches Pd(Ph3P)4 wurden verwendet. Das Produkt führte zu einer Ausbeute von 8 Molprozent Dichlorid und 48 Molprozent AF4. Basierend auf der Umwandlung des Dichlorids betrug die Ausbeute an AF4 52 Molprozent.
  • Beispiel VIII
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 3 Gramm Dichlorid in 7,7 ml DMF verwendet wurden. Die Lösung wurde für 24 Stunden bei 110°C erhitzt. 2 Äquivalente Zinkpulver und 0,05 Molprozent katalytisches RhCl3 wurden verwendet. Basierend auf der Umwandlung des Dichlorids betrug die Ausbeute an AF4 63 Molprozent.
  • Beispiel IX
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 50 Gramm Dichlorid in 500 ml DMF verwendet wurden. Die Lösung wurde für 24 Stunden bei von 90°C bis 110°C erhitzt. 2 Äquivalente Zinkpulver und kein Katalysator wurden verwendet. Die Ausbeute an AF4 betrug 40 Molprozent.
  • Beispiel X
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 6,2 Gramm Dibromid in 50 ml DMSO verwendet wurden. Die Lösung wurde für 24 Stunden bei 80°C erhitzt. 3,1 Äquivalente Zinkpulver und 0,05 Molprozent katalytisches Pd(Ph3P)4 wurden verwendet. Die Ausbeute an AF4 betrug 23 Molprozent.
  • Beispiel XI
  • Der AF4-Syntheseprozess des Beispiels V wurde wiederholt, wobei 60 Gramm Dichlorid in 600 ml DMA verwendet wurden. Die Lösung wurde für 48 Stunden bei 85°C erhitzt. 2 Äquivalente Zinkpulver und kein Katalysator wurden verwendet. Die Ausbeute an AF4 betrug 70 Molprozent, und die Umwandlung war 100%.
  • Bestimmte veranschaulichende und nicht-begrenzende Beispiele der Synthese von AF4 sind in Tabelle I aufgelistet.
  • Figure 00110001
  • Figure 00120001
  • Figure 00130001
  • Figure 00140001

Claims (5)

  1. Verfahren zur Herstellung von Octafluor-[2,2]-paracyclophan, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: Mischen von 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-benzol mit einem Reduktionsmittel, um eine Reaktionsmischung zu bilden, Umsetzen der Reaktionsmischung, um Produktmaterialien, Octafluor-[2,2]-paracyclophan eingeschlossen, zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass das Reduktionsmittel Zinkpulver umfasst, das Reduktionsmittel mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung umfasst, und dadurch, dass das 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-benzol mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung umfasst.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Mischens das Mischen eines Übergangsmetall-Katalysators einschließt, so dass der Übergangsmetall-Katalysator mindestens 1 × 10–3 Gewichtsprozent der Reaktionsmischung umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der Schritt des Mischens das Mischen eines Lösungsmittels umfasst.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Octafluor-[2,2]-paracyclophan in einer Ausbeute von mindestens 20 Molprozent, basierend auf dem im Schritt des Mischens verwendeten 1,4-bis-(Halogendifluormethyl)-benzol, hergestellt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die gebildeten Produktmaterialien weniger als 10 Molprozent an linearen oder Reduktions-Nebenprodukten umfassen.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140456A (en) * 1997-10-24 2000-10-31 Quester Techology, Inc. Chemicals and processes for making fluorinated poly(para-xylylenes)
US6086679A (en) * 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US6051321A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US6020458A (en) 1997-10-24 2000-02-01 Quester Technology, Inc. Precursors for making low dielectric constant materials with improved thermal stability
JP2002514004A (ja) 1998-05-01 2002-05-14 セシュー ビー デス 化学蒸着によって堆積された酸化物/有機ポリマー多層薄膜
US6495208B1 (en) 1999-09-09 2002-12-17 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Near-room temperature CVD synthesis of organic polymer/oxide dielectric nanocomposites
JP2001213819A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Nippon Shokubai Co Ltd シクロファン誘導体の製法
JP2001213818A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Nippon Shokubai Co Ltd シクロファン誘導体の製造方法
JP3869177B2 (ja) * 2000-02-14 2007-01-17 セントラル硝子株式会社 オクタフルオロ[2,2]パラシクロファンの製造方法
CN1127461C (zh) * 2000-12-19 2003-11-12 中国科学院上海有机化学研究所 α位全氟对二甲苯聚合物的合成方法
US20040255862A1 (en) * 2001-02-26 2004-12-23 Lee Chung J. Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films
US20050274322A1 (en) * 2001-02-26 2005-12-15 Lee Chung J Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films
US7309395B2 (en) * 2004-03-31 2007-12-18 Dielectric Systems, Inc. System for forming composite polymer dielectric film
TW200633958A (en) * 2005-03-21 2006-10-01 Yuan Shin Machinery Co Ltd Method for transferring TCPX into TFPX
TW200633959A (en) * 2005-03-21 2006-10-01 Yuan Shin Machinery Co Ltd Method for the synthesis of TFPX
US7994372B2 (en) * 2005-10-31 2011-08-09 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene variants and methods of synthesis and use
US7462750B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene variants and methods of synthesis and use
US7544765B2 (en) * 2006-10-12 2009-06-09 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods for producing thermoplastic fluoropolymers
US7652178B2 (en) * 2007-02-26 2010-01-26 Specialty Coating Systems, Inc. Perfluoroparacyclophane and methods of synthesis and use thereof
JP5490131B2 (ja) * 2008-11-26 2014-05-14 東レバッテリーセパレータフィルム株式会社 微多孔膜、かかるフィルムの製造方法、および電池セパレータフィルムとしてのかかるフィルムの使用
US8945307B2 (en) 2009-12-23 2015-02-03 Aeroquest Research Group Llc Apparatus and method for vapor deposition of dielectric wire coating
TWI424981B (zh) * 2011-11-09 2014-02-01 Chung Shan Inst Of Science 1,4-雙(氯二氟甲基)苯之簡易式高效率製備方法
TWI567099B (zh) * 2012-07-16 2017-01-21 元欣科技材料股份有限公司 催化或照光製備八氟[2,2]二聚對二甲苯之方法
CN108046970A (zh) * 2017-12-08 2018-05-18 壹号元素(广州)科技有限公司 氚化派瑞林二聚体及其应用
KR102231931B1 (ko) 2019-03-12 2021-03-26 고려대학교 산학협력단 냉각 재결정화 분리 기술을 활용한 고 순도, 고 수율의 1,1,2,2,9,9,10,10-octafluoro[2.2]paracyclophane (AF4) 제조 방법

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB650947A (en) * 1947-09-19 1951-03-07 Michael Mojzesz Szwarc The production of new polymers
US3211128A (en) * 1962-05-31 1965-10-12 Roy F Potter Vacuum evaporator apparatus
US3246627A (en) * 1962-10-05 1966-04-19 Union Carbide Corp Apparatus for vapor deposition
US3297591A (en) * 1962-10-22 1967-01-10 Union Carbide Corp Process for the preparation of alpha-perfluoro-p-xylylene poluymers
US3301707A (en) * 1962-12-27 1967-01-31 Union Carbide Corp Thin film resistors and methods of making thereof
US3274267A (en) * 1963-09-23 1966-09-20 Union Carbide Corp Cyclic alpha-perfluoro-di-p-xylylenes
US3332891A (en) * 1963-09-23 1967-07-25 Union Carbide Corp Process for the preparation of alpha-per-fluoro-p-xylylene polymers
US3280202A (en) * 1964-07-09 1966-10-18 Union Carbide Corp Process for producing p-xylylene-containing compositions
US3472795A (en) * 1967-03-10 1969-10-14 Union Carbide Corp Polymerization process
US3573968A (en) * 1968-01-22 1971-04-06 Union Carbide Corp Process for coating solid substrates with para-xylylene polymers
US3600216A (en) * 1968-09-06 1971-08-17 Union Carbide Corp Process for adhering poly-p-xylylene to substrates using silane primers and articles obtained thereby
US3570449A (en) * 1969-03-13 1971-03-16 United Aircraft Corp Sensor system for a vacuum deposition apparatus
US3554512A (en) * 1969-03-24 1971-01-12 George H Elliott Crucible for holding molten semiconductor materials
US3667424A (en) * 1969-04-14 1972-06-06 Stanford Research Inst Multi-station vacuum apparatus
US3670693A (en) * 1971-03-23 1972-06-20 Collins Radio Co Quartz crystal resonator tuning control apparatus
US3749601A (en) * 1971-04-01 1973-07-31 Hughes Aircraft Co Encapsulated packaged electronic assembly
US3747558A (en) * 1972-11-03 1973-07-24 Us Air Force Cross-mounted mask changer with thickness monitoring
US4110392A (en) * 1976-12-17 1978-08-29 W. L. Gore & Associates, Inc. Production of porous sintered PTFE products
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4323031A (en) * 1979-04-30 1982-04-06 Alan Kaplan Crystal plating apparatus
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
US4261762A (en) * 1979-09-14 1981-04-14 Eaton Corporation Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum
CH644722A5 (de) * 1980-07-21 1984-08-15 Balzers Hochvakuum Schwingquarzmesskopf.
WO1982003069A1 (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Macdiarmid Alan G Amorphous semiconductor method and devices
EP0102417A1 (de) * 1982-08-24 1984-03-14 New-Come Filters Limited Gasfiltervorrichtung
US4495889A (en) * 1982-11-24 1985-01-29 Riley Thomas J Polymeric film coating apparatus
US4518623A (en) * 1982-11-24 1985-05-21 Riley Thomas J Polymeric film coating method with continuous deposition pressure control
US4468283A (en) * 1982-12-17 1984-08-28 Irfan Ahmed Method for etching and controlled chemical vapor deposition
US4508055A (en) * 1983-06-03 1985-04-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Device for cryogenically fabricating source material for plasma X-ray lasers
US4577465A (en) * 1984-05-11 1986-03-25 Helix Technology Corporation Oil free vacuum system
DE3420246A1 (de) * 1984-05-30 1985-12-05 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verdampfertiegel fuer vakuum-aufdampfanlagen
US4596208A (en) * 1984-11-05 1986-06-24 Spire Corporation CVD reaction chamber
US4619844A (en) * 1985-01-22 1986-10-28 Fairchild Camera Instrument Corp. Method and apparatus for low pressure chemical vapor deposition
DE3510432A1 (de) * 1985-03-22 1986-09-25 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Cyclohexanderivate
KR900001666B1 (ko) * 1985-07-19 1990-03-17 후지쓰가부시끼가이샤 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치
US4957781A (en) * 1985-07-22 1990-09-18 Hitachi, Ltd. Processing apparatus
IT1191633B (it) * 1985-10-30 1988-03-23 Montedison Spa Procedimento per la preparazione di (2,2)-paraciclofani alogenati e miscele di (2,2)-paraciclofani alogenati ottenuti
IT1191645B (it) * 1985-12-19 1988-03-23 Montedison Spa Processo per la preparazione di (2,2)-paraciclofano e suoi derivati
US4683143A (en) * 1986-04-08 1987-07-28 Riley John A Method and apparatus for automated polymeric film coating
DE3780511T2 (de) * 1986-05-23 1993-03-04 Gore & Ass Hochleistungsgasfilter.
US4761269A (en) * 1986-06-12 1988-08-02 Crystal Specialties, Inc. Apparatus for depositing material on a substrate
IT1190647B (it) * 1986-06-27 1988-02-16 Montedison Spa Processo per la preparazione di (2,2)-paraciclofano e suoi derivati
IT1190350B (it) * 1986-06-27 1988-02-16 Montedison Spa Processo per la preparazione di (2,2)-paraciclofano e suoi derivati
US5228501A (en) * 1986-12-19 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler
IT1203876B (it) * 1987-04-10 1989-02-23 Montedison Spa Processo per la preparazione di (2,2)-paraciclofano e suoi derivati
US5151133A (en) * 1987-04-14 1992-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition apparatus
US5002011A (en) * 1987-04-14 1991-03-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition apparatus
IT1222683B (it) * 1987-09-18 1990-09-12 Montedison Spa Processo per la preparazione del triciclo 8.2.2.2. esadeca 4,6,10,12,13,15 esaene clorurato nei nuclei benzenici
DE3885240D1 (de) * 1987-12-03 1993-12-02 Balzers Hochvakuum Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung thermischer Energie auf bzw. von einem plattenförmigen Substrat.
US5007372A (en) * 1987-12-04 1991-04-16 Research Development Corporation Vacuum depositing apparatus
US4902572A (en) * 1988-04-19 1990-02-20 The Boeing Company Film deposition system
US5078091A (en) * 1988-06-23 1992-01-07 Jeffrey Stewart Parylene deposition chamber and method of use
US4945856A (en) * 1988-06-23 1990-08-07 Jeffrey Stewart Parylene deposition chamber
US5167717A (en) * 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
US5088444A (en) * 1989-03-15 1992-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition system
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
DE3914502A1 (de) * 1989-05-02 1990-11-15 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur erzielung und aufrechterhaltung einer sauerstoffarmen, inerten atmosphaere in einer behandlungskammer sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US5248370A (en) * 1989-05-08 1993-09-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
GB2234988B (en) * 1989-08-16 1993-12-08 Qpl Limited Improvements in vacuum deposition machines
US5250323A (en) * 1989-10-30 1993-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap
US4990374A (en) * 1989-11-28 1991-02-05 Cvd Incorporated Selective area chemical vapor deposition
US5123375A (en) * 1990-01-08 1992-06-23 Lsi Logic Corporation Structure for filtering CVD chamber process gases
US5129360A (en) * 1990-01-24 1992-07-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Actively cooled effusion cell for chemical vapor deposition
US5015503A (en) * 1990-02-07 1991-05-14 The University Of Delaware Apparatus for producing compound semiconductor thin films
DE4006489A1 (de) * 1990-03-02 1991-09-05 Hoechst Ag Vorrichtung zum herstellen duenner schichten aus metallmischoxiden aus organischen metallverbindungen auf einem substrat
US5112642A (en) * 1990-03-30 1992-05-12 Leybold Inficon, Inc. Measuring and controlling deposition on a piezoelectric monitor crystal
US5221403A (en) * 1990-07-20 1993-06-22 Tokyo Electron Limited Support table for plate-like body and processing apparatus using the table
JP2583152B2 (ja) * 1990-11-06 1997-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転式表面処理方法
DE4035789C1 (de) * 1990-11-10 1991-06-13 Mtu Muenchen Gmbh
FR2670507B1 (fr) * 1990-12-18 1993-12-31 Propulsion Ste Europeenne Procede d'infiltration chimique en phase vapeur.
JP2532401Y2 (ja) * 1991-04-16 1997-04-16 ソニー株式会社 バイアスecrプラズマcvd装置
US5268033A (en) * 1991-07-01 1993-12-07 Jeffrey Stewart Table top parylene deposition chamber
JP2580928Y2 (ja) * 1991-08-22 1998-09-17 日本電気株式会社 気相成長装置
US5261963A (en) * 1991-12-04 1993-11-16 Howmet Corporation CVD apparatus comprising exhaust gas condensation means
JPH05166757A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の温調装置
US5210341A (en) * 1991-12-20 1993-05-11 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Processes for the preparation of octafluoro-[2,2]paracyclophane
US5264039A (en) * 1992-02-24 1993-11-23 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Vapor deposition apparatus
JP2766433B2 (ja) * 1992-07-23 1998-06-18 株式会社東芝 半導体気相成長装置
US5324540A (en) * 1992-08-17 1994-06-28 Tokyo Electron Limited System and method for supporting and rotating substrates in a process chamber
US5268202A (en) * 1992-10-09 1993-12-07 Rensselaer Polytechnic Institute Vapor deposition of parylene-F using 1,4-bis (trifluoromethyl) benzene
JP2906006B2 (ja) * 1992-10-15 1999-06-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びその装置
US5262194A (en) * 1992-11-10 1993-11-16 Dielectric Coating Industries Methods and apparatus for controlling film deposition
US5292554A (en) * 1992-11-12 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus using a perforated pumping plate
JPH06158361A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5355832A (en) * 1992-12-15 1994-10-18 Advanced Surface Technology, Inc. Polymerization reactor
US5266118A (en) * 1993-01-22 1993-11-30 Loral Vought Systems Corporation Vessel for growing thin films by isothermal vapor phase epitaxy
US5302767A (en) * 1993-03-26 1994-04-12 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation [2.2] paracyclophane and derivatives thereof
CA2147813A1 (en) * 1994-04-28 1995-10-29 Richard Dixon Intravascular prosthesis with anti-thrombogenic coating
US5536892A (en) * 1995-10-18 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Processes for the preparation of octafluoro-[2,2]paracyclophane
US5534068A (en) * 1995-10-27 1996-07-09 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a tapered deposition chamber and dual vacuum outlet pumping arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
EP0971867A1 (de) 2000-01-19
JP3688302B2 (ja) 2005-08-24
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DE69821226D1 (en) 2004-02-26
WO1998041490A1 (en) 1998-09-24
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