DE69736081T2 - Plasmabearbeitungsvorrichtung - Google Patents

Plasmabearbeitungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69736081T2
DE69736081T2 DE69736081T DE69736081T DE69736081T2 DE 69736081 T2 DE69736081 T2 DE 69736081T2 DE 69736081 T DE69736081 T DE 69736081T DE 69736081 T DE69736081 T DE 69736081T DE 69736081 T2 DE69736081 T2 DE 69736081T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plasma
coil
trough
chamber
antenna
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69736081T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69736081D1 (de
Inventor
Jyoti Kiron Bhardwaj
Leslie Michael Didcot LEA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Surface Technology Systems Ltd
Original Assignee
Surface Technology Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB9620150.4A external-priority patent/GB9620150D0/en
Priority claimed from GBGB9621939.9A external-priority patent/GB9621939D0/en
Application filed by Surface Technology Systems Ltd filed Critical Surface Technology Systems Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69736081D1 publication Critical patent/DE69736081D1/de
Publication of DE69736081T2 publication Critical patent/DE69736081T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Plasmabearbeitungsvorrichtung.
  • Die Plasmabearbeitungsvorrichtung wird extensiv bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen und bei vielen anderen Prozessen verwendet, bei denen die Aufbringung von Überzügen oder die Ätzung von Oberflächen verlangt wird. Insbesondere dann, wenn diese Prozesse im Produktionsmaßstab ausgeführt werden, wird die Gleichförmigkeit zwischen Massen extrem wichtig.
  • Im allgemeinen werden Plasmen in einer Vakuumkammer erzeugt, und vorzugsweise ist die Einrichtung zur Erzeugung des Plasmas entweder außerhalb der Kammer oder in einer Schutzwand angeordnet, um Störungen des Plasmapotentials beim Aufbringen von Hochfrequenzenergie zu verringern.
  • So gab es bereits Vorschläge, die Plasmakammer durch eine einzelne Spule zu umgeben, wie in der US-A-4 844 775 beschrieben, und eine Anzahl Parteien haben vorgeschlagen, eine einzelne Spiralspule an dem einen Ende einer Prozeßkammer anzuordnen. Ein Beispiel dafür bietet die EP-A-0 379 828. Gewöhnlich wird neben der Spule ein dielektrisches Fenster vorgesehen. Die US-A-5 309 063 beschreibt eine diesbezügliche Änderung, bei der die einzelne Spule in einer dielektrischen Tasse wieder in die Plasmakammer eintritt, und in der US-A-52 801 154 sowie der US-A-5 397 962 sind Vorschläge für mehrere mit Abstand angeordnete Antennen gemacht worden, so daß die Erzeugung von rotierenden elektromagnetischen Feldern ermöglicht wird. Die US-A-5 468 296 offenbart ein Plasmaerzeugungsgerät, das aus einer Reihe miteinander verbundener, konzentrischer Ringe gebildet ist und an eine einzelne Stromquelle angeschlossen ist. Die EP-A-489 407 beschreibt einen Stapel einzelner Drehantennen, die in gleichen radialen Abständen von der Achse eines Plasmaerzeugungsreaktors übereinander angeordnet sind. Die US-A-5 309 063 offenbart einen Plasmagenerator, bei dem eine einzelne Spiralspule in ein tassenförmiges Fenster in die Mitte der oberen Wand der Prozeßkammer der Einrichtung eingesetzt ist. Die WO-A-96 18 208 zeigt einen Plasmaprozessor mit einer planaren Spule, der neben einzeln getragenen dielektrischen Fenstern einer Prozeßkammer angeordnet ist.
  • Alle diese Vorschläge leiden jedoch mehr oder weniger daran, daß die Gleichförmigkeit im Plasma fehlt, beispielsweise in der Nachbarschaft eines Werkstücks. In einigen Fällen ist ein kontrolliertes Fehlen von Gleichförmigkeit erwünscht. Dies läßt sich jedoch schwer mit der bekannten Anordnung erreichen, kann aber bei wenigstens einigen Ausführungsformen der Erfindung geschaffen werden.
  • Erfindungsgemäß wird eine Plasmabearbeitungseinrichtung geschaffen, zu der eine Prozeßkammer mit einem Arbeitsvolumen gehört, wenigstens eine Plasma erzeugende Hochfrequenz- (Radiofrequenz RF) Antenne, wobei die oder jede Antenne in einem entsprechenden dielektrischen, ringförmigen Trog in einer Wand der Kammer angeordnet ist.
  • Darüber hinaus kann die Plasmabearbeitungsvorrichtung eine Prozeßkammer aufweisen, die ein Arbeitsvolumen rechteckigen Querschnitts aufweist, so daß eine Achse durch die symmetrische Mitte eines Paares gegenüberliegender Flächen des Volumens verläuft und das Hochfrequenz(RF)-Plasma erzeugende Antennen für das überwiegende Induzieren eines elektrischen Feldes vorhanden sind. Die Vorrichtung kennzeichnet sich nun dadurch, daß die Plasma erzeugenden Hochfrequenz(RF)-Antennen mit getrennten Spuleneinheiten versehen sind, und daß jeder Spulenteil eine geometrische Form aufweist, die der Form des Querschnitts entspricht, der an oder neben einer Wand der Kammer liegt, wobei die Teile koaxial zueinander angeordnet sind und von der Achse unterschiedliche Abstände aufweisen.
  • Das Zusammenpassen der Geometrie der Spulen mit dem Querschnitt des Arbeitsvolumens der Kammer bedeutet, daß das auftreffende Plasma im wesentlichen der Kammer entspricht. Darüber hinaus ermöglicht das Vorhandensein dieser unabhängigen Spulen in dieser Reihe eine unabhängige Steuerung der Spulen und somit Steuerung des Plasmas zwischen verschiedenen Teilen des Arbeitsvolumens. Somit weist die Vorrichtung bei einer bevorzugten Ausführungsform des weiteren eine Einrichtung auf, mit der die effektive Leistung der Antennen verändert werden kann. So kann beispielsweise die Einrichtung die Höhe, Frequenz und/oder die relative Phase des zugeführten RF-Strom verändern und/oder den realtiven Abstand zwischen den Spulen und dem Arbeitsvolumen oder -raum.
  • Der Querschnitt und damit die Spulenteile kann kreisrund, quadratisch, rechteckig, sechseckig oder achteckig sein. Die Spulenteile können die Kammer umgeben, wobei jedoch bevorzugt wird, daß sie neben oder auf dem Ende der Kammer angeordnet sind. Die Kammer kann wenigstens ein dielektrisches Fenster neben einem Spulenteil aufweisen. Dieses Fenster kann ein Wiedereintritt in Bezug auf die Kammer sein, wobei mehrere diskrete Fenster vorhanden sein können, von denen jedes sich parallel zu und über wenigstens die Breite eines zugehörigen Spulenteils erstreckt. Wenn also die Spulenteile im allgemeinen kreisrund sind, kann eine Reihe beabstandeter, ringförmiger Fenster vorhanden sein.
  • Die Vorrichtung kann des weiteren wenigstens einen Detektor zum Anzeigen des Gleichförmigkeitsgrades des Plasmas oder eines plasmagetriebenen Prozesses sowie eine Rückkopplungseinrichtung zur Veränderung der effektiven relativen Leistungen der Antennen zwecks Verbesserung der Gleichförmigkeit aufweisen.
  • Die oder jede Antenne kann nichtplanar sein und kann Leistung durch wenigstens eine Wand und den Boden des Trogs übertragen, wobei in diesem Falle eine Windung neben einer Wand des Troges liegt, eine weitere neben einer anderen Wand und eine dritte neben dem Boden.
  • Noch ein anderes Merkmal der Erfindung besteht in der Plasmabearbeitungsvorrichtung, bei der die Antennen und eine zugehörige Stromquelle dazu dienen, ein Plasma einer angestrebten Hauttiefe zu erzeugen, und die Antennen durch wenigstens das Zweifache der vorbestimmten Hauttiefe voneinander getrennt sind.
  • Die Erfindung befaßt sich des weiteren mit einer Plasmabearbeitungsvorrichtung, die eine Bearbeitungskammer mit einem Arbeitsvolumen aufweist sowie mehrere Hochfrequenz(RF)-Plasmaerzeugungsantennen und eine zugehörige Stromquelle, die so ausgelegt ist, daß sie ein Plasma vorbestimmter Hauttiefe erzeugt, wobei die Antennen durch wenigstens die doppelte Hautdicke des angestrebten Plasmas getrennt sind.
  • Obgleich die Erfindung oben umrissen worden ist, versteht es sich, daß dies jegliche erfinderische Kombination der oben angeführten Merkmale in der folgenden Beschreibung umfaßt.
  • Die Erfindung kann auf verschiedene Weise verwirklicht werden, wobei im folgenden spezielle Ausführungsformen beschrieben werden, die aber nur Beispiele darstellen, die sich auf die folgenden Zeichnungen beziehen, in denen sind:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Plasmabearbeitungsvorrichtung;
  • 2 eine Querschnittsansicht einer Spulenanordnung zur Verwendung bei der in 1 gezeigten Vorrichtung;
  • 3 eine Draufsicht der Anordnung von 2;
  • 4 eine Darstellung einer alternativen Spulenanordnung;
  • 5 und 6 entsprechende senkrechte Schnitt- und Draufsichten der weiteren Spulenanordnung;
  • 7 eine senkrechte Schnittansicht noch einer weiteren Spulenanordnung;
  • 8 und 9 eine senkrechte Schnittansicht sowie eine Draufsicht einer weiteren Spulenanordnung; und
  • 10 eine senkrechte Schnittansicht noch einer anderen Ausführungsform der Spulenanordnung; und
  • 11 eine senkrechte Schnittansicht noch einer weiteren Spulenanordnung;
  • 12 und 13 eine Draufsicht bzw. eine senkrechte Schnittansicht einer zusätzlichen Spulenanordnung;
  • 14 und 15 eine Draufsicht bzw. eine senkrechte Schnittansicht einer anderen Spulenanordnung;
  • 16 eine Draufsicht einer weiteren Spulenanordnung und
  • 17 eine schematische 3D-Darstellung der Spule.
  • 1 zeigt eine Plasmabearbeitungsvorrichtung 10 als schematische senkrechte Schnittansicht. Sie weist die Waferbehandlungskammer 11 und die Einrichtung 12 auf, mit der ein Wafer getragen wird und auf die geeignete Höhe für die Behandlung bzw. Bearbeitung gehoben wird. Die Behandlungskammer 11 ist im allgemeinen ein Metallbehälter kreisrunden oder rechteckigen Querschnitts, obgleich auch andere vielseitige Formen möglich sind. Es sind eine oder mehrere Öffnungen vorhanden, die die Gaszufuhr und möglicherweise Beurteilungen zulassen. Ein Teil 13 der Kammer 11 oder Wiedereintrittsmodul ist aus einem dielektrischen Material gebaut, und elektrische Spulen 14, 15 (zwei davon sind beispielsweise dargestellt) sind außerhalb dieses dielektrischen Teils 13 angeordnet und werden zur Einführung von Hochfrequenzstrom in das Plasma innerhalb der Kammer 11 benutzt. Die Kammer enthält einen zylindrischen oder rechteckigen Arbeitsraum 16, in dem das Plasma auftrifft. Dieser Raum hat eine Achse 17, die durch die symmetrischen Mitten seiner Stirnflächen läuft.
  • Um den Einschluß des Plasmas in der Kammer zu verbessern und damit die Plasmadichte zu vergrößern, können mit besonderen Ausrichtungen rund um die Wände und/oder den Kopf der Kammer 11 Magnete (nicht gezeigt) angeordnet werden. Die Benutzung kleiner Permanentmagneten zu diesem Zweck ist bekannt und ist bei allen beschriebenen Ausführungsformen anwendbar.
  • Unter normalen Betriebsbedingungen wird in der Kammer 11 ein hohes Vakuum gehalten, das erfordert, daß der Teil 13 aus dielektrischem Material in geeigneter Weise gegen die Hauptkonstruktion der Kammer 11 abgedichtet ist.
  • Die Spulen zur Einleitung des Hochfrequenzstroms in das Plasma sind nahe der Oberfläche des dielektrischen Teils angeordnet, um eine effiziente Übertragungswirkung in das Plasma zu erzeugen. Sie können in einer Anzahl Formen gewickelt sein, die im folgenden beschrieben ist.
  • Der in einer geeigneten Spannungsquelle 18 gelieferte Hochfrequenzstrom wird jeder der Spulen 14, 15 durch eine zu dem System 19 passende Impedanz zugeführt. Dieses System stellt für die Strom- bzw. Spannungsquelle eine konstante Impedanz dar, wobei der jeder Spule 14, 15 zugeführte Hochfrequenzstrom gesteuert werden kann. Alternativ dazukönnen für jede Spule getrennte Stromquellen und zugehörige Impedanzsysteme oder andere Veränderungen des Systems Verwendung finden. Die Steuerung der jeder Spule zugeführten Hochfrequenz spannung kann durch Einwirkung des Operators erfolgen. Alternativ dazu und erheblich größere Anwendung können Steuersignale erfahren, die von einem System empfangen werden, das das Plasma oder die räumliche Prozeßgleichmäßigkeit überwacht, um dadurch eine Rückkopplungsschleife zu bilden. Somit kann beispielsweise mehr Hochfrequenzenergie dem Plasma durch die Spulen 14, 15 weiter von der Symmetrieachse 17 entfernt zugeführt werden, so daß die Wandverluste des Plasmas, die gewöhnlich auftreten, kompensiert werden können.
  • Details der Spulenkonfigurationen sind in den 2 und folgenden dargestellt. In allen Fällen werden Vielfachspulen verwendet, die eine Steuerung der räumlichen Plasmagleichförmigkeit durch Einstellung der Größe, Frequenz oder relativen Phase des Hochfrequenzstroms ermöglichen, der jeder Spule zugeführt wird oder durch Einstellen der physikalischen Position jeder Spule.
  • Die 2 und 3 zeigen eine Konstruktion, bei der jede Spule 14a, 15a eine planare oder nahezu planare, ringförmige Spiralform aufweist und hinter einem entsprechenden Ring 20, 21 aus dielektrischem Material angeordnet ist, der oben in der Plasmakammer 11 sitzt. Spulen der in den 14 und 15 gezeigten Art können jedoch erfolgreich die Spulen 14a und 15a ersetzen, um die Energieübertragung zu verstärken. In diesem Fall werden die Ringe 20, 21 durch dielektrische Tröge ersetzt. Da die Tragkonstruktion 22, 23 für die runden dielektrischen Ringe auch rund geformt ist, wird eine Anzahl im wesentlichen sternförmiger Speichen 24 verlangt, um eine Abstützung gegen die Kräfte zu schaffen, die auftreten, wenn die Kammer evakuiert wird. Unter gewissen Umständen, insbesondere dann, wenn die innerste Spule einen kleinen Durchmesser aufweist, kann der innerste dielektrische Ring 20 durch eine ringförmige Scheibe aus dielektrischem Material ersetzt werden, um dadurch das Erfordernis der zentralen Abstützung zu beseitigen.
  • Als Alternative für die dielektrische Ringkonstruktion kann eine einzelne Scheibe aus dielektrischem Material Verwendung finden, bei der die ringförmigen Spiralspulen dahinter liegen. Dieser Vorschlag verringert die Komplexität des Systems, hat jedoch den Nachteil, daß die dielektrische Scheibe aufgrund ihres größeren Durchmessers aus dickem Material gebaut sein muß, um der nahezu atmosphärischen Druckdifferenz, die auf sie einwirkt, zu widerstehen. Der Wirkungsgrad, mit dem der Hochfrequenzstrom in das Plasma eingeführt werden kann, verringert sich mit dem Abstand zwischen den Spulen und der Vergrößerung des Plasmas.
  • Wenn eine planare, ringförmige Spiralspule außerhalb eines dielektrischen Fensters angeordnet ist und ein Plasma in der Kammer unter der Spule gebildet wird, dann verlaufen die hochfrequenten magnetischen Feldlinien durch den größeren Teil des Abstandes, in dem sie das Plasma schneiden, fast radial. Aufgrund des Faradayschen Gesetzes werden ein azimutales elektrisches Feld und ein zugehöriger Strom in dem Plasma induziert. Die Richtung des Plasmastroms ist entgegengesetzt zu derjenigen des Spulenstroms und wird auf eine Schicht in der Nähe des Fensters beschränkt, die eine Dicke im Bereich der Hautdicke aufweist, so daß Hochfrequenz in das Plasma eintritt.
  • Vorausgesetzt, daß die getrennten Spuleneinheiten ausreichend weit beabstandet sind, ist die Wirkung zwischen den Spuleneinheiten minimal, und jede Spuleneinheit läßt sich separat behandeln.
  • Obgleich im Zusammenhang mit diesen und den folgenden Beispielen kreisförmige Spulen und ein zylindrischer Arbeitsraum beschrieben worden sind, schließt dies nicht aus, daß planare, ringförmige, rechteckige Spulen oder hexagonale Spulen oder Spulen irgendeiner anderen Form, die für die Plasmakammer oder den Arbeitsraum geeignet ist, Verwendung finden. Das dielektrische Fenster, sofern es bei verschiedenen Ausführungsformen benutzt wird, kann aus einem Teil bestehen, so daß es der Spulenform angepaßt ist, oder aus ringförmigen Abschnitten geeigneter Form.
  • Die Spulen können in jedem Fall aus einem Strang oder Mehrfachsträngen von Leitermaterial kreisrunden, quadratischen, hexagonalen oder anderer geeigneter Querschnittsform gefertigt sein, wobei die Spulen insbesondere für Hochleistungsbetrieb aus rohrförmigem Leitermaterial bestehen können, durch das Wasser oder ein anderes geeignetes Kühlmittel geschickt werden kann.
  • Für alle Ausführungsformen kann die Gaszufuhr zu der Kammer über einen Raum erfolgen, der eine Reihe kleiner in einheitlichem Abstand angeordneter Löcher in einem Ring um die Symmetrieachse des Arbeitsraums aufweist, welcher in einem geeigneten Tragring zwischen den dielektrischen Ringen angeordnet ist. Dies schließt jedoch nicht die Verwendung von zusätzlichen/alternativen Gaszufuhrpunkten an anderen Stellen in der Kammer aus.
  • Um den Plasmaeinschluß in der Kammer zu verbessern, können kleine Permanentmagneten in geeigneten Schlitzen in einigen oder allen Tragringen angeordnet werden, und zwar zusätzlich zu denen, die auf den Seitenwänden der Kammer angeordnet sind.
  • 4 zeigt eine Konstruktion, bei der eine Anzahl ringförmiger, planarer oder nahezu planarer Spulen 14b, 15b innerhalb der Plasmakammer angeordnet sind. Jede Spule ist von dem Plasma mit Hilfe eines kontinuierlichen festen oder flexiblen Isoliermaterials elektrisch isoliert, das sich um jede einzelne Windung jeder Spule oder rund um jede vollständige Spuleneinheit erstreckt. Elektrische Anschlüsse an jede Spuleneinheit werden in die Plasmakammer durch geeignete Vakuumdichtungen in den Kammerwänden oder der Kammeroberseite gebracht.
  • Die Spulen, zumindest die in den 2 bis 4 gezeigten, können Einzelwicklungsspulen und als solche weder planare Spulen noch Magnetspulen sein. In gewissen Fällen kann ein Gemisch aus Einzelwicklungs- und Vielfachwicklungsspulen Verwendung finden.
  • Die 5 und 6 zeigen eine Konstruktion, bei der eine kreisrunde symmetrische Anordnung 25, die vollständig oder teilweise aus einem dielektrischen Material gebaut ist, in den oberen Teil der Kammer einspringt. Die Spulen 14d, 15d sind von elektromagnetischer Form und liegen auf der Außenseite der Anordnung, neben den Seitenwänden 26 der Anordnung 25, die senkrecht verlaufen können oder in einem geeigneten Winkel zu der Achse. Die Mitte jeder Spule 14d und 15d fällt auf die Symmetrieachse 17.
  • Wie oben bereits erwähnt wurde, verlaufen die Hochfrequenzmagnetfeldlinien, wenn eine Magnetspule außerhalb eines dielektrischen Fensters angeordnet ist und ein Plasma in der Kammer ausgebildet ist, entweder innerhalb oder außerhalb der Spule, und zwar in Abhängigkeit von der Lage des Fensters, fast parallel zu der Spulenachse (für eine Magnetspule konstanten Durchmessers), und über den größeren Teil der Entfernung schneiden sie das Plasma. Aufgrund des Faradayschen Gesetzes werden ein azimutales elektrisches Feld und ein zugehöriger Strom in dem Plasma induziert. Der Plasmastrom läuft entgegengesetzt zu der Richtung des Spulenstroms und wird auf eine Schicht in der Nähe des Fensters beschränkt, die eine Dicke im Bereich der Hauttiefe bei der Eindringung der Hochfrequenz in das Plasma hat. Angenommen, daß die separaten Spuleneinheiten ausreichend weit voneinander entfernt sind, so ist die Wirkung zwischen den Spuleneinheiten minimal, und jede Spuleneinheit kann separat behandelt werden.
  • Somit ist die Hauttiefe, wie aus der Ableitung in beispielsweise "Priciples of Plasma Discharges and Materials Processing" von MA Liebermann und A. J. Lichtenberg (Wiley 1994) entnommen werden kann,
    Figure 00090001
    wobei m die Elektronenmasse ist, e die Ladung des Elektron, μ0 die Permeabilität des freien Raumes und nS die Elektronendichte am Plasmarand.
  • In induktiv gekoppelten Plasmen liegt die Elektronendichte gewöhnlich bei 1 ×1017 m–3 oder höher, bei einer Hauttiefe von 17 mm oder weniger.
  • Wenn somit die Antennen um wenigstens das Zweifache der Hauttiefe getrennt werden, werden sie mit getrennten Bereichen des Raums verbunden. Die Anmelder plazieren die Antennen üblicherweise in einem Abstand von rund 100 mm und versuchen somit nicht, unmittelbar vor den Antennen ein gleichmäßiges Plasma zu erzeugen, sondern schaffen vielmehr lokale Bereiche dichten Plasmas, die durch Diffusion auf einem Substrat, das in einer geeigneten Entfernung von den Antennen angeordnet wird, ein gleichmäßiges Plasma bilden. Diese Anordnung eignet sich besonders für ein Rückkopplungssteuersystem, wie es beispielsweise in der anhängigen PCT-Anmeldung vom 24. September 1997 mit dem Titel "Plasma Processing Apparatus" beschrieben ist, auf die hier Bezug genommen wird.
  • Die in den 5 und 6 gezeigte Konstruktion verwendet Mehrfachzylinderspulen. Wenigstens eine Spule liegt neben einem Abschnitt der dielektrischen Konstruktion 26, der einen kleineren Radius hat als die Spule und wenigstens eine Spule liegt neben einem Abschnitt der dielektrischen Konstruktion 26, der einen größeren Radius hat als die Spule. An diese Bereiche des Plasmas innerhalb der Kammer, die durch die dielektrische Konstruktion von der benachbarten Spule getrennt sind, wird Hochfrequenzstrom angelegt. Der doppelt schraffierte Abschnitt 26 kann entweder aus dielektrischem oder leitendem Material bestehen.
  • Die 7, 8 und 9 zeigen Konstruktionen, bei denen eine kreisrunde symmetrische Anordnung 27, die insgesamt oder teilweise aus einem dielektrischem Material gebaut ist, eine in den Kopf der Kammer einspringende Mulde bildet. (Die querschraffierten Flächen können wiederum dielektrisch oder leitend sein.) Die Spulen 14e, 15e und 29 sind zylindrischer Form und liegen auf der Außenseite der Anordnung in in axialer Richtung symmetrischen Rinnen 28. Die Mitte jeder Spule fällt in die Symmetrieachse 17. die Spulen 14e, 15e liegen in Rinnen 28 aus dielektrischem Material, das für ihre Form geeignet ist.
  • Bei den in den 8 und 9 gezeigten Anordnungen kann jede Spule sowohl mit der Zone des Plasmas verbunden sein, die einen kleineren Radius hat als die Spule, also auch mit der Zone, die einen größeren Radius als die Spule hat.
  • 10 zeigt eine Konstruktion, bei der eine Anzahl in axialer Richtung konzentrischer Zylinderspulen 14f, 15f innerhalb der Plasmakammer 11 liegen. Jede Spule 14f, 15f ist elektrisch von dem Plasma mit Hilfe eines durchgehenden Feststoffes oder eines flexiblen Isoliermaterials 30 rund um jede einzelne Windung jeder Spule oder rund um jede komplette Spuleneinheit isoliert. Elektrische Anschlüsse an jede Spuleneinheit werden in die Plasmakammer durch geeignete Vakuumdichtungen in der Kammerwand oder dem Kopf eingeführt.
  • Wie aus 11 ersichtlich, kann wenigstens eine der koaxialen Spulen von einer ringförmigen Spule 15g gebildet werden, die sich rund um die Wand der Kammer neben einem ringförmigen dielektrischen Fenster 31 erstreckt. Wiederum ist die Anzahl der gezeigten Windungen nur beispielhaft, und es versteht sich, daß geeignete Dichtungsvorkehrungen für das dielektrische Fenster 31 getroffen werden müssen. Jeder auf diesem Gebiet tätige Fachmann ist mit den erforderlichen Dichtungsmethoden vertraut. Des weiteren ist ein externes Joch oder dergleichen vorzusehen, um eine feste mechanische Verbindung oder Lage zwischen den Teilen der Kammer zu schaffen, die auf entgegengesetzten Seiten des Fensters 31 liegen.
  • Wie oben bereits erwähnt, kann Hochfrequenzstrom induktiv mit dem Plasma in einer Prozeßkammer durch ein dielektrisches Fenster verbunden werden, wobei die Antenne neben der gegenüberliegenden Seite des Fensters liegt, die dem Plasma zugewendet ist. Das Fenster dient zur Aufrechterhaltung der Druckdifferenz zwischen dem niedrigen Druck innerhalb der Kammer, in der das Plasma ge bildet wird und üblicherweise dem äußeren Atmosphärendruck, wo sich die Antenne befindet.
  • Das dielektrische Fenster ist Teil des einen Endes oder Teil der Seitenwände der Kammer. Wenn mehrere Antennen benutzt werden, kann es vorteilhaft sein, eine Anzahl kleiner getrennter dielektrischer Fenster zu verwenden, von denen jedes einer bestimmten Antenne zugeordnet ist, um das Erfordernis nach dünnen Fenstern für hohe Hochfrequenzanschlußeffizienz mit dem Erfordernis nach Fenstern adäquater Dicke in Einklang zu bringen, um der über ihnen liegenden Druckdifferenz zu widerstehen. Derartige Anordnungen sind beispielsweise in den 2, 5, 7 und 8 gezeigt.
  • Insbesondere kann eine Antenne oder können Antennen in einem Trog oder in Trögen angeordnet werden, die aus dielektrischem Material gebaut sind und in das Ende oder die Seite einer Kammer eingesetzt sind. Bei einer zylindrischen Kammer können konzentrische, kreisrunde Tröge in das Ende der Kammer eingesetzt werden. Die Konstruktion ist jedoch nicht auf zylindrische Kammern beschränkt, so daß Tröge aus dielektrischem Material auch andersartig geformt sein können, um für eine spezielle Kammer geeignet zu sein.
  • Drei weitere Konstruktionen von Antennen, die mit dielektrischen Fenstern in Trogform zusammenarbeiten, werden in Verbindung mit den 12 bis 17 beschrieben. Die Beschreibungen erfolgen in Bezug auf die zylindrische Geometrie für den dielektrischen Druck, wobei jedoch nicht beabsichtigt ist, Anwendungen ähnlicher Konstruktionen für andere Geometrien auszuschließen. In jedem Fall ist in jedem dielektrischen Trog eine einzelne Antenne mit einer oder mehreren Windungen angeordnet.
  • Die erste Konstruktion ist in den 12 und 13 gezeigt. Die Antenne 14h ist eine Einzelwindungsspule mit einem Profil, das annähernd dem Profil ihres dielektrischen Drucks 32 entspricht. Abänderungen betreffen die Anbringung eines Kühlflüssigkeitsrohres an der inneren Oberfläche oder den Verschluß der vierten Seite zur Bildung eines Rohres rechteckigen Querschnitts. Der in der Spule 14h fließende Strom induziert ein elektrisches Feld und damit verbundenen Strom im Plasma auf der anderen Seite des dielektrischen Drucks 32. Aufgrund der geometrischen Form des dielektrischen Drucks 32 und der Antenne 14h wird das Plasma mit Spannung unter dem Druck und auf dessen beiden Seiten versorgt. Somit wird Spannung in ein verhältnismäßig großes Volumen des Plasmas eingeführt, während ein relativ kleines, konstruktiv stabiles dielektrisches Fenster aufrechterhalten wird. Diese nichtplanare Konstruktion der Antenne kann in jedem einer Anzahl konzentrischer dielektrischer Trogfenster für eine Vielantennenplasmakammer benutzt werden.
  • In den 14 und 15 ist eine zweite nichtplanare Konstruktion der Antenne 14i gezeigt. Die Antenne 14i ist eine Dreiwindungsspule, die so angeordnet ist, daß die eine Windung neben der einen Seitenwand 33 des dielektrischen Troges 32 gewickelt ist, die zweite Windung neben dem Boden 34 des Troges gewickelt ist und die dritte Windung neben der zweiten Seitenwand 35 des Troges liegt. Jede Windung der Spule führt somit dem Plasma an der entsprechenden Seite des Troges 32 Energie zu und vergrößert daher das Plasmavolumen, in das Energie gelangt. Die Spule ist als Wicklung aus Material mit kreisrundem Querschnitt dargestellt, wobei aber auch andere Querschnitte Verwendung finden können, und das Material kann irgendein vielsträhniger Draht, Stange oder Rohr sein, durch die eine Kühlflüssigkeit laufen kann. Obgleich eine Dreiwindungsspule gezeigt ist, schließt dies nicht die Verwendung von mehr oder weniger Windungen, beispielsweise zwei Windungen, eine in der Nähe des Bodens des Trogs 32 und eine in der Nähe der einen Seite, aus oder sechs Windungen mit zwei in der Nähe jeder Seite und zwei in der Nähe des Bodens. Ein weiterer Vorteil dieser Konstruktion der Antenne besteht darin, daß bei Benutzung von mehr als einer Windung die Induktivität der Spule im Vergleich zu einer Einwindungsspule vergrößert wird, was die zwischen der Hochfrequenzspannungsquelle und der Antenne erforderliche passende Schaltung vereinfachen kann. Antennen dieser Konstruktion lassen sich in jeder von mehreren konzentrischen dielektrischen Trogfenstern bei Vielfachantennensystemen anordnen.
  • Die in den 16 und 17 gezeigte Konstruktion ist eine Einzelwindungsantenne 14j, die in Spiralform gewickelt ist und dann in einem dielektrischen Trogfenster 37 angeordnet worden ist. Die Spirale ist so gewickelt, daß Abschnitte der Spule ganz in der Nähe jeder der drei Seiten des Troges 37 liegen. Energie wird in das Plasma neben jeder der drei Seiten des dielektrischen Troges eingeführt. Die Steigung der Spirale ist auf der Grundlage einer Anzahl von Zwängen, die ausgeglichen werden müssen, gewählt, beispielsweise bedeutet eine engere Steigung, daß die Spule öfter genau durch eine gegebene Seite des Troges paßt und deshalb bei der Einführung von Energie in das lokale Plasma effektiver ist, während die Länge des Drahtes, der Stange oder des Rohres, die für den Bau der Spule Verwendung finden, länger zu höheren ohmschen Verlusten führt.
  • Es versteht sich, daß die Verwendung vieler ineinander gesetzter Spulen den Bau einer Plasmaquelle großen Maßstabs ermöglicht und damit die Möglichkeit schafft, großräumigere Werkstücke zu behandeln. Obgleich Spulen und Kammern als mit regelmäßigen Querschnitten versehen beschrieben worden sind, lassen sich viele der Vorteile gleichermaßen mit ineinander gesteckten Spulen erhalten, wo der Querschnitt und damit die Spule nicht regelmäßig sind, beispielsweise wenn dieser nierenförmig ausgebildet ist.

Claims (11)

  1. Plasmabearbeitungsvorrichtung mit einer Bearbeitungskammer, die ein Arbeitsraum (16) und wenigstens Hochfrequenz(RF)-Plasmaerzeugungsantenne (14, 15) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die oder jede Antenne in einem entsprechenden dielektrischen, ringförmigen Trog (32) angeordnet ist, der in die Kammer mit Abstand von der Kammerwand eingesetzt ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die oder jede Antenne nicht planar ist und Energie durch die Seitenwände und den Boden des Trogs überträgt.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die oder jede Antenne eine erste Windung aufweist, die neben einer Trogwand liegt, sowie eine zweite Windung, die neben der anderen Trogwand liegt, und eine dritte Windung, die neben dem Trogboden liegt.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Spulenteil die Form einer Spirale (14a, 15a) hat, die sich entlang des Troges erstreckt, wobei sich ein Spulenabschnitt neben jeder der Seitenwände und dem Boden des Troges befindet.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Spulenteil eine Antenne mit einer einzelnen Windung ist, bei der der Spulenquerschnitt zum Innenprofil des Troges paßt.
  6. Plasmabearbeitungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Antennen und eine zugehörige Stromquelle so ausgelegt sind, daß ein Plasma bei einer gewünschten Hautdicke erzeugt wird, und daß die Antennen wenigstens um das Zweifache der gewünschten Hautdicke getrennt sind.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitsraum (16) einen regelmäßigen Querschnitt hat derart, daß ei ne Achse (17) durch die symmetrische Mitte eines Paares gegenüberliegender Flächen des Raumes verläuft und die das Hochfrequenz(RF)-Plasma erzeugende Antenne (14, 15) als separate Spuleneinheit ausgebildet ist, bei der jeder Spulenteil entsprechend der Form des Querschnitts symmetrisch angeordnet ist, wobei die Spulenteile koaxial zueinander liegen und von der Achse unterschiedliche Abstände haben.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Veränderung der effektiven relativen Ausgangsleistung der Antennen.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Veränderungseinrichtung die Größe, Frequenz und/oder relative Phase des zugeführten RF-Stroms variiert und/oder den relativen Abstand zwischen den Spulen und dem Arbeitsraum.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt des Arbeitsraums und damit der Spulenabschnitte rund, quadratisch, rechteckig, sechseckig oder achteckig ist.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch wenigstens einen Detektor zur Erfassung des Gleichförmigkeitsgrades des Plasmas oder eines plasmabetriebenen Verfahrens und einer Rückkopplungseinrichtung zur Änderung der effektiven relativen Ausgangsleistung der Antennen, um dadurch die Gleichförmigkeit zu verbessern.
DE69736081T 1996-09-27 1997-09-25 Plasmabearbeitungsvorrichtung Expired - Lifetime DE69736081T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9620150.4A GB9620150D0 (en) 1996-09-27 1996-09-27 Plasma processing apparatus
GB9620150 1996-09-27
GB9621939 1996-10-22
GBGB9621939.9A GB9621939D0 (en) 1996-10-22 1996-10-22 Plasma processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69736081D1 DE69736081D1 (de) 2006-07-20
DE69736081T2 true DE69736081T2 (de) 2007-01-11

Family

ID=26310113

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69736081T Expired - Lifetime DE69736081T2 (de) 1996-09-27 1997-09-25 Plasmabearbeitungsvorrichtung
DE69738704T Expired - Lifetime DE69738704D1 (de) 1996-09-27 1997-09-25 Plasmabearbeitungsgerät

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69738704T Expired - Lifetime DE69738704D1 (de) 1996-09-27 1997-09-25 Plasmabearbeitungsgerät

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6259209B1 (de)
EP (2) EP1324371B1 (de)
JP (1) JP3967433B2 (de)
KR (1) KR100505176B1 (de)
AT (1) ATE396494T1 (de)
DE (2) DE69736081T2 (de)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6849471B2 (en) 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6969635B2 (en) 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US6534922B2 (en) * 1996-09-27 2003-03-18 Surface Technology Systems, Plc Plasma processing apparatus
US6158384A (en) * 1997-06-05 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with multiple small internal inductive antennas
US6273022B1 (en) * 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
US6155199A (en) * 1998-03-31 2000-12-05 Lam Research Corporation Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system
TW469534B (en) 1999-02-23 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing method and apparatus
US6229264B1 (en) 1999-03-31 2001-05-08 Lam Research Corporation Plasma processor with coil having variable rf coupling
US6192829B1 (en) * 1999-05-05 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Antenna coil assemblies for substrate processing chambers
US7041224B2 (en) 1999-10-26 2006-05-09 Reflectivity, Inc. Method for vapor phase etching of silicon
US6949202B1 (en) 1999-10-26 2005-09-27 Reflectivity, Inc Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment
US6290864B1 (en) 1999-10-26 2001-09-18 Reflectivity, Inc. Fluoride gas etching of silicon with improved selectivity
US6451161B1 (en) * 2000-04-10 2002-09-17 Nano-Architect Research Corporation Method and apparatus for generating high-density uniform plasma
US6694915B1 (en) * 2000-07-06 2004-02-24 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6685798B1 (en) * 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6402301B1 (en) 2000-10-27 2002-06-11 Lexmark International, Inc Ink jet printheads and methods therefor
US7098599B2 (en) 2000-12-27 2006-08-29 Japan Science & Technology Corporation Plasma generator
US7189332B2 (en) 2001-09-17 2007-03-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
TW200420201A (en) * 2002-12-16 2004-10-01 Japan Science & Tech Agency Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method
US7183716B2 (en) * 2003-02-04 2007-02-27 Veeco Instruments, Inc. Charged particle source and operation thereof
CN1759467A (zh) 2003-03-26 2006-04-12 关西Tlo株式会社 远紫外区光源和远紫外区光源用靶
KR100513163B1 (ko) * 2003-06-18 2005-09-08 삼성전자주식회사 Icp 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 발생장치
US7645704B2 (en) 2003-09-17 2010-01-12 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures
US7273533B2 (en) * 2003-11-19 2007-09-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling
KR100709354B1 (ko) * 2005-06-17 2007-04-20 삼성전자주식회사 다채널 플라즈마 가속장치
JP4405973B2 (ja) * 2006-01-17 2010-01-27 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作製装置
US8920600B2 (en) * 2006-08-22 2014-12-30 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma source with high coupling efficiency
US8992725B2 (en) 2006-08-28 2015-03-31 Mattson Technology, Inc. Plasma reactor with inductie excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil
JP4621287B2 (ja) * 2009-03-11 2011-01-26 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置
JP5400434B2 (ja) * 2009-03-11 2014-01-29 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置
US20110278260A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator
JP5606821B2 (ja) * 2010-08-04 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20140150975A1 (en) * 2010-09-06 2014-06-05 Emd Corporation Plasma processing device
JP5462369B2 (ja) * 2010-09-10 2014-04-02 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置
JP5745812B2 (ja) * 2010-10-27 2015-07-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101196309B1 (ko) * 2011-05-19 2012-11-06 한국과학기술원 플라즈마 발생 장치
KR101921222B1 (ko) * 2011-06-30 2018-11-23 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마를 이용한 기판 처리장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101241049B1 (ko) 2011-08-01 2013-03-15 주식회사 플라즈마트 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법
WO2013052713A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Intevac, Inc. Inductive/capacitive hybrid plasma source and system with such chamber
KR101246191B1 (ko) 2011-10-13 2013-03-21 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치
US8901820B2 (en) * 2012-01-31 2014-12-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ribbon antenna for versatile operation and efficient RF power coupling
US20130256271A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-03 Theodoros Panagopoulos Methods and apparatuses for controlling plasma in a plasma processing chamber
KR101332337B1 (ko) 2012-06-29 2013-11-22 태원전기산업 (주) 초고주파 발광 램프 장치
KR20140087215A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치
US11096868B2 (en) * 2013-08-26 2021-08-24 Lighthouse for Nurses Medical Devices LLC Pill pouch
US9433071B2 (en) * 2014-06-13 2016-08-30 Plasma Innovations, LLC Dielectric barrier discharge plasma generator

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4496425A (en) 1984-01-30 1985-01-29 At&T Technologies, Inc. Technique for determining the end point of an etching process
DE3854792D1 (de) 1987-02-24 1996-02-01 Ibm Plasmareaktor
JPH0727764B2 (ja) * 1988-03-16 1995-03-29 株式会社日立製作所 マイクロ波イオン源
US4990229A (en) * 1989-06-13 1991-02-05 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
KR920014373A (ko) * 1990-12-03 1992-07-30 제임스 조렙 드롱 Vhf/uhf 공진 안테나 공급원을 사용하는 플라즈마 반응기 및 플라즈마를 발생시키는 방법
US6077384A (en) * 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5280154A (en) * 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
US5277751A (en) * 1992-06-18 1994-01-11 Ogle John S Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window
KR100281345B1 (ko) * 1992-12-01 2001-03-02 조셉 제이. 스위니 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정
KR100238627B1 (ko) * 1993-01-12 2000-01-15 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5433812A (en) * 1993-01-19 1995-07-18 International Business Machines Corporation Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination
US5309063A (en) * 1993-03-04 1994-05-03 David Sarnoff Research Center, Inc. Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus
US5401350A (en) 1993-03-08 1995-03-28 Lsi Logic Corporation Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems
JPH0786179A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3294690B2 (ja) * 1993-10-20 2002-06-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置の制御方法
KR100264445B1 (ko) * 1993-10-04 2000-11-01 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치
JP3045444B2 (ja) * 1993-10-20 2000-05-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびその制御方法
WO1995015672A1 (en) 1993-12-01 1995-06-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for planar plasma processing
US5468296A (en) * 1993-12-17 1995-11-21 Lsi Logic Corporation Apparatus for igniting low pressure inductively coupled plasma
JPH07263187A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
US5580385A (en) 1994-06-30 1996-12-03 Texas Instruments, Incorporated Structure and method for incorporating an inductively coupled plasma source in a plasma processing chamber
US5753044A (en) * 1995-02-15 1998-05-19 Applied Materials, Inc. RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling
ATE181637T1 (de) 1994-10-31 1999-07-15 Applied Materials Inc Plasmareaktoren zur halbleiterscheibenbehandlung
US5589737A (en) * 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
US5688357A (en) 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US5556521A (en) * 1995-03-24 1996-09-17 Sony Corporation Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source
WO1997001655A1 (en) * 1995-06-29 1997-01-16 Lam Research Corporation A scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
EP0756309A1 (de) * 1995-07-26 1997-01-29 Applied Materials, Inc. Plasmavorrichtungen zur Bearbeitung von Substraten
KR100290813B1 (ko) * 1995-08-17 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라스마 처리장치
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US5683548A (en) * 1996-02-22 1997-11-04 Motorola, Inc. Inductively coupled plasma reactor and process
JP2921493B2 (ja) * 1996-07-02 1999-07-19 日本電気株式会社 プラズマ発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6259209B1 (en) 2001-07-10
EP0838839B1 (de) 2008-05-21
JP3967433B2 (ja) 2007-08-29
KR100505176B1 (ko) 2005-10-10
EP1324371B1 (de) 2006-06-07
DE69736081D1 (de) 2006-07-20
KR19990026531A (ko) 1999-04-15
ATE396494T1 (de) 2008-06-15
EP1324371A1 (de) 2003-07-02
DE69738704D1 (de) 2008-07-03
EP0838839A3 (de) 1998-05-13
JPH10233297A (ja) 1998-09-02
EP0838839A2 (de) 1998-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69736081T2 (de) Plasmabearbeitungsvorrichtung
DE60033312T2 (de) Plasmabehandlungsvorrichtung und -verfahren
DE19509284B4 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines ebenen Plasmas unter Verwendung variierender Magnetpole
EP0326824B1 (de) Teilchenquelle für eine reaktive Ionenstrahlätz- oder Plasmadepositionsanlage
EP0593931B1 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen
DE60315216T2 (de) Magnetfeldgenerator für ein Magnetronplasma
DE69635124T2 (de) Plasmabearbeitungsgerät
DE60130945T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Mikrowellenanregung eines Plasmas in einer Ionenstrahlführungsvorrichtung
DE69738241T2 (de) RF Plasmabearbeitungsvorrichtung
EP1051729B1 (de) Plasmareaktor
EP0461525B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels einer Magnetronkatode
DE60307609T2 (de) Vorrichtung zur begrenzung eines plasmas in einem volumen
EP0144838A2 (de) Magnetronkatode zum Zerstäuben ferromagnetischer Targets
DE3148100A1 (de) "synchrotron-roentgenstrahlungsquelle"
DE4319717A1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen planaren Niedrigdruckplasmas unter Verwendung einer Spule mit deren Achse parallel zu der Oberfläche eines Koppelfensters
DE19603685C1 (de) Mikrowellengerät
DE3615361C2 (de) Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
DE10326135B4 (de) Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage
EP1290926B1 (de) Hochfrequenz-plasmaquelle
DE102007039758B4 (de) Einrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch niederfrequente induktive Anregung
DE2433382A1 (de) Vorrichtung zur aufdampfung von duennen schichten unter vakuum
EP1665324B1 (de) Ecr-plasmaquelle mit linearer plasmaaustrittsöffnung
DE69907687T2 (de) Plasmabearbeitungsvorrichtung mit elektrisch leitender Wand
EP0742994B1 (de) Vorrichtung zur plasmaerzeugung
DE3442206A1 (de) Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition