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Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat
und einer Doppelwannenstruktur, in der zwei Wannen von unterschiedlicher
Leitfähigkeit
innerhalb des Halbleiterbauelements ausgebildet sind, und ein Verfahren
zur Herstellung des Halbleiterbauelements.
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Beschreibung des verwandten
Standes der Technik
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Das
folgende Halbleitersubstrat kann zur Herstellung eines Halbleiter-Speicherbauelements einschließlich eines
nichtflüchtigen
Halbleiterelements, wie eines EP-ROM (löschbarer und elektrisch programmierbarer
Nurlesespeicher) oder eines EEP-ROM (elektrisch löschbarer
und programmierbarer Nurlesespeicher) oder eines CMOS (komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter),
verwendet werden. Dieser Typ von Halbleitersubstrat hat einen ersten Wannenabschnitt
und einen zweiten Wannenabschnitt. Der erste Wannenabschnitt ist
auf der Oberfläche
des Halbleitersubstrats freigelegt und weist eine unterschiedliche
Leitfähigkeit
gegenüber
dem Substrat auf. Der zweite Wannenabschnitt ist an der Oberfläche des
Halbleitersubstrats in dem ersten Wannenabschnitt ausgebildet und
weist die identische Leitfähigkeit
wie das Substrat auf.
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Das
Halbleitersubstrat mit einer solchen Doppelwannenstruktur wird durch
den folgenden Herstellungsprozess gebildet. Der erste Wannenabschnitt
wird durch Einbringen von Störstellen-Ionen
in das Halbleitersubstrat gebildet. Ferner werden Ionen (später "Kanalstopp-Ionen" genannt) zur Ausbildung von
Kanalstoppbereichen in eine Feldisolatorschicht eingebracht, die
einen Bereich bildet, der den ersten Wannenabschnitt von dem Substrat
trennt. Nach Bildung der Feldisolatorschichten wird der zweite Wannenabschnitt
innerhalb des ersten Wannenabschnitts durch Einbringen der Störstellen-Ionen
gebildet.
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Der
zweite Wannenabschnitt weist eine Vielzahl aktiver Regionen auf.
Diese aktiven Regionen werden als Speicherzellenbbereichs-Abschnitt
für ein nichtflüchtiges
Speicherelement und einen Peripherelementbereichs-Abschnitt für Schaltungen
um das nichtflüchtige
Speicherelement verwendet.
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Es
wird sichergestellt, dass die Störstellen-Ionen,
die eingebracht wurden, um den zweiten Wannenabschnitt zu bilden,
ein Source-Drain-Spannungsfestigkeitsverhalten
jedes der Transistoren zeigen, die innerhalb des Peripherelementbereichs-Abschnitts
ausgebildet sind. Daher wurden die Kanalstopp-Ionen nur in den Speicherzellenbereichs-Abschnitt
nach der Ausbildung des zweiten Wannenabschnitts eingebracht.
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Weitere
Halbleiterbauelemente sind beschrieben in der
US 5,411,980 und der
EP 470 716 .
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Angesichts
des Vorgenannten ist es daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Halbleiterbauelement vorzuschlagen, das in der Lage ist, eine
Verschlechterung der Spannungsfestigkeitseigenschaften der in einem
Peripherelementbereichs-Abschnitt ausgebildeten Elemente zu verhindern.
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Es
ist eine weitere Aufgabe, die nicht Teil der beanspruchten Erfindung
ist, eine Maske vorzuschlagen, die in der Lage ist, eine exzessive
Zunahme der Konzentration von Störstellen
in aktiven Bereichen zu verhindern und den Herstellungsprozess eines Halbleiterbauelements
weiter zu vereinfachen.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden wie in den Ansprüchen 1 und 2 beanspruchten
Erfindung zur Lösung
eines weiteren oben erwähnten
Problems wird ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement vorgeschlagen,
welches aufweist:
- – eine Doppelwannenstruktur
mit einem ersten Wannenabschnitt und einem zweiten Wannenabschnitt,
die eine voneinander verschiedene Polarität aufweisen;
- – ein
Halbleitersubstrat, dessen Oberfläche gemeinsam mit den Oberflächen der
beiden Wannenabschnitte durch Feldisolatorschichten in mehrere aktive
Bereiche aufgeteilt ist; und
- – einen
Speicherzellenbereichs-Abschnitt und einen Peripherelementbereichs-Abschnitt, die beide
innerhalb des zweiten Wannenabschnitts ausgebildet sind,
- – wobei
Kanalstoppbereiche innerhalb des Speicherzellenbereichs-Abschnitts
und des Peripherelementbereichs-Abschnitts durch Ionenimplantation
ausgebildet sind.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt, der nicht Teil der beanspruchten Erfindung ist,
wird eine Maske vorgeschlagen, die aufweist:
- – Abschnitte
zum Abdecken jeweiliger aktiver Bereiche innerhalb eines zweiten
Wannenabschnitts;
- – Abschnitte
zum jeweiligen Abdecken von Kantenabschnitten der Feldisolatorfilme
benachbart den aktiven Bereichen; und
- – Öffnungen,
durch welche Kanalstopp-Ionen unterhalb der Feldisolatorfilme eines
Halbleitersubstratbereichs ausschließlich einem ersten Wannenabschnitt
eingebracht werden können.
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Typische
Erfindungen der vorliegenden Anmeldung wurden kurz erläutert. Jedoch
werden die verschiedenen Erfindungen der vorliegenden Anmeldung
und bestimmte Konfigurationen dieser Erfindungen aus der vorliegenden
Beschreibung heraus verständlich.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Während die
Beschreibung mit den Ansprüchen
schließt,
die den Gegenstand, der als die Erfindung betrachtet wird, herausstellt
und beansprucht, wird angenommen, dass die Aufgaben und Merkmale
der Erfindung und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile dieser
aufgrund der folgenden Beschreibung zusammen mit den beiliegenden
Zeichnungen besser verständlich
werden, in denen:
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1 ein Diagramm ist, das ein erstes Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
ist;
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2 ein
Diagramm ähnlich 1(d) ist, welches ein zweites Ausführungsbeispiel
zur Herstellung eines Halbleiterbauelements illustriert, um eine starke
Zunahme der Störstellenkonzentration
innerhalb eines zweiten Wannenabschnitts zu verhindern; und
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3 ein
Diagramm ähnlich 1(d) ist, welches ein drittes Ausführungsbeispiel
des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements zeigt,
welches in der Lage ist, kollektiv Kanalstopp-Ionen in einen festgelegten
Bereich einzubringen.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
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1 ist ein Diagramm, das ein erstes Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements zeigt.
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Wie
in 1(a) beispielhaft gezeigt ist,
wird ein p-Typ-Silizium-Halbleitersubstrat 11 als ein Substrat
für das
Halbleiter-Speicherbauelement 10 verwendet. Die Oberfläche des
Halbleitersubstrats 11 ist mit einem Masken-Oxid-Film 12 bedeckt,
der eine Dicke von beispielsweise 5000 Å (10 Å = 1 nm) hat. Ein Abschnitt
zur Abdeckung eines festgelegten Bereichs entsprechend einem Bereich
innerhalb des Oxid-Films 12 zur
Bildung eines ersten Wannenabschnitts auf dem Halbleitersubstrat 11 wird
von dem Oxid-Film 12 durch Photolithographie und Ätzen entfernt.
Um die Oberfläche
des Halbleitersubstrats 11 vor der Ionenimplantation im
nächsten
Schritt zu schützen,
wird ein Oxid-Film 13 mit einer Dicke von beispielsweise
1000 Å auf
einem belichteten Abschnitt des Halbleitersubstrats 11 ausgebildet,
von dem der Oxid-Film 12 teilweise entfernt worden ist.
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Phosphor-Ionen
werden selektiv in das Halbleitersubstrat 11 implantiert,
von dem der Oxid-Film 12 teilweise entfernt wurde und dessen
Oberfläche durch
den Oxid-Film 13 geschützt wurde,
um als Donatoren in einem Zustand zu dienen, in welchem deren Beschleunigungsspannung
und die Ionenkonzentration zu 180 keV bzw. 1013 Ionen/cm2 gewählt wurden.
Zu diesem Zeitpunkt wird der Oxid-Film 12 als Maske benutzt.
Um eine Diffusionslänge
der Störstellen-Ionen
nach der oben beschriebenen Ionenimplantation zu steuern, wird das
Halbleitersubstrat einem Einfahrprozess für etwa 60 Minuten in einer
Atmosphäre
von Stickstoffgas, das auf eine Temperatur von 1150°C gebracht
wurde, unterworfen. Aufgrund des Einfahrprozesses wird ein erster
Wannenabschnitt 14, der eine Leitfähigkeit unterschiedlich von derjenigen
des Halbleitersubstrats 11 aufweist, in einem Bereich ausgebildet,
der durch den Oxid-Film 12 auf dem Halbleitersubstrat 11 freigelegt
wird.
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Nach
Ausbildung des ersten Wannenabschnitts werden der Masken-Oxid-Film 12 und
der Schutzoxid-Film 13 entfernt, wie in 1(b) gezeigt ist. Anschließend werden eine Anschluss-Oxid-Schicht 15 und
die jeweiligen Siliziumnitrid-Schichten 16 auf der Oberfläche des
Halbleitersubstrats ausgebildet.
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Das
folgende Verfahren ist als LOCOS (lokale Oxidation auf Silizium)-Verfahren
wohlbekannt und die Siliziumnitrid-Schicht 16 macht es
möglich,
das Halbleitersubstrat 11 selektiv durch Unterdrücken oder
Steuern der Oxidation des Halbleitersubstrats 11 selektiv
zu oxidieren, wenn jeder Feldisolatorfilm unter der Oxidation des
Halbleitersubstrats 11 gebildet wird, wie später erläutert werden
wird. Ferner absorbiert der Anschluss-Oxid-Film 15 die
Differenz der thermischen Ausdehnung zwischen der Siliziumnitrid-Schicht 16 und
dem Halbleitersubstrat 11, um die durch das Halbleitersubstrat 11 erzeugten
thermischen Spannungen zu entlasten.
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Entsprechend
ist der Anschluss-Oxid-Film 15 ausgebildet, die gesamte
Oberfläche
des Halbleitersubstrats 11 zu bedecken. Andererseits ist
die Siliziumnitrid-Schicht 16 so ausgebildet, dass sie
selektiv Abschnitte mit Ausnahme von Bereichen zur Bildung der Feldisolatorschicht
abdeckt, wobei die Anschluss-Oxid-Schicht 15 zwischen der
Siliziumnitrid-Schicht 16 und dem Halbleitersubstrat 11 angeordnet
ist.
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Nach
Bildung der Anschluss-Oxid-Schicht 15 und jeder der Siliziumnitrid-Schichten 16 wird
eine Maske 17 gebildet, die den ersten Wannenabschnitt 14 abdeckt.
Anschließend
werden Bor-Ionen, die als Akzeptoren wirken, in das Halbleitersubstrat
als Kanalstopp-Ionen in einem Zustand implantiert, in welchem deren
Beschleunigungsspannung zu 30 keV und deren Ionen-Konzentration
zu 7 × 1013 Ionen/cm2 gewählt ist.
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Die
Kanalstopp-Ionen werden selektiv in die Abschnitte oder Bereiche
eingebracht, die durch die selektiv ausgebildeten Siliziumnitrid-Schichten 16 freigelegt
sind, von den Bereichen des Halbleitersubstrats 11, die
durch die Maske 17 freigelegt werden. In den durch die
Siliziumnitrid-Schichten 16 freigelegten Bereichen der
Bereiche des Halbleitersubstrats 11, die den ersten Wannenabschnitt 14 ausschließen, können die
eingebrachten Bor-Ionen 18 abbremsen oder die Erzeugung
einer Inversionsschicht steuern, die zu einer Quelle der Erzeugung
eines parasitären
oder Rückkanals
bei Bildung der feldisolierenden Schichten führt.
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Nachdem
die Maske 17 abgebrannt wurde, wird das Halbleitersubstrat 11 einem
Oxidationsprozess in einer Atmosphäre eines Hochtemperaturdampfes
in einem Zustand unterworfen, in dem die Anschluss-Oxid-Schicht 15 und
die selektiv gebildeten Siliziumnitrid-Schichten 16 zurückgelassen
wurden. Aufgrund des Oxidationsprozesses wachsen die Abschnitte
des Halbleitersubstrats, die nicht durch die selektiv ausgebildeten
Siliziumnitrid-Schichten 16 abgedeckt wurden, als Feldisolatorschichten 19,
wie in 1(c) gezeigt ist. Jede Feldisolatorschicht 19 hat
eine Dichte von beispielsweise 5000 Å.
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Die
Feldisolatorschichten 19 teilen die Oberfläche des
Halbleitersubstrats 11 in eine Anzahl von aufgeteilten
aktiven Bereichen 20 (20a, 20b, 20c und 20d)
auf.
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Nach
Bildung der Feldisolatorschichten 19 werden die Anschluss-Oxid-Schicht 15 und
die selektiv aufgebrachten Siliziumnitrid-Schichten 16,
wie in 1(c) gezeigt, entfernt.
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Ferner
werden die aktiven Bereiche 20 mit deren entsprechenden
Oxid-Schichten 21 abgedeckt, um Nitride zu entfernen.
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Obwohl
in der Zeichnung nicht dargestellt, wird daraufhin eine Maske ähnlich der
Maske 17 ausgebildet, um einen festgelegten Bereich in
dem ersten Wannenabschnitt 14 des Halbleitersubstrats 11 freizulegen.
Dann werden Bor-Ionen, die als Akzeptoren wirken, selektiv in den
festgelegten Bereich innerhalb des ersten Wannenabschnitts 14 in
einem Zustand selektiv eingebracht, in welchem deren Beschleunigungsspannung
und die Ionen-Konzentration zu 200 keV bzw. 1013 Ionen/cm2 gewählt
wurden. Nach Einbringen der Ionen wird der festgelegte Bereich einem
Einfahrprozess für
ungefähr
60 Minuten in einer Atmosphäre
von Stickstoffgas unterworfen, das beispielsweise auf eine Temperatur
von 1150°C gebracht
wurde. Aufgrund dieser Hitzebehandlung wird ein zweiter an der Oberfläche des
Halbleitersubstrats 11 freigelegter Wannenabschnitt 22 mit
einer Polarität
entgegengesetzt derjenigen des ersten Wannenabschnitts 14 innerhalb
des ersten Wannenabschnitts 14 ausgebildet. Ferner kann
der zweite Wannenabschnitt 22 vor der Ausbildung der Feldisolatorschichten 19 gebildet
werden.
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Bei
dem illustrierten Ausführungsbeispiel enthält der zweite
Wannenabschnitt 22 zwei aktive Bereiche 20a und 20b.
Der erste Wannenabschnitt 14 enthält zwei aktive Bereiche 20c.
Ein Substratabschnitt des Halbleitersubstrats 11 enthält zwei
aktive Bereiche 20d.
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In
dem Halbleiterspeicherbauelement 10 wird ein aktiver Bereich 20a in
dem zweiten Wannenabschnitt 22 als Speicherzellenbereichsabschnitt
genutzt. Beispielswei se werden nMOS-Speicherelemente innerhalb des
Speicherzellenbereichsabschnitts 20a ausgebildet. Der andere
aktive Bereich 20b in dem zweiten Wannenabschnitt 22 wird
als Peripherelementbereichsabschnitt 20b genutzt, der für Schaltungselemente
um diese Speicherelemente verwendet wird. Beispielsweise wird eine
nMOS-Anordnung oder dergleichen zur Ausführung von Schaltungsvorgängen innerhalb
des Peripherelementbereichs-Abschnitts 20b ausgebildet.
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Ferner
wird ein Halbleiterelement wie eine pMOS-Anordnung oder ein Schaltungselement
oder dergleichen innerhalb jedes aktiven Bereichs 20c wie erforderlich
in dem ersten Wannenbereich 14 ausgebildet.
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Vor
der Ausbildung solcher Elemente werden Kanalstopp-Ionen kollektiv
in dem Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und dem Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b in
dem zweiten Wannenabschnitt 22 ausgebildet.
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Um
die Kanalstopp-Ionen selektiv in dem Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und
dem Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b einzubringen, sind
der Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und der Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b freigelegt
und eine Maske 23 wird gebildet, die die anderen Abschnitte
abdeckt, wie in 1(d) gezeigt ist.
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Die
Maske 23 wird als Strukturmaske verwendet und die Kanalstopp-Ionen
werden selektiv in den Speicherzellenbereichsabschnitt 20a und
den Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b eingebracht.
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Bor-Ionen
werden als die Kanalstopp-Ionen verwendet. Die Bor-Ionen werden
mit einer Beschleunigungsspannung von 200 keV beschleunigt, um es
den Bor-Ionen zu erlauben, durch die Feldoxidschichten 19 zu
gelangen und den Bor-Ionen genügend
Energie zu liefern, den zweiten Wannenabschnitt 22 zu erreichen.
Zu diesem Zeitpunkt ist die Konzentration der Bor-Ionen 1013 Ionen/cm2.
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Mit
dem Einbringen der Kanalstopp-Ionen werden Bor-Ionen 24 (24a und 24b)
in Abschnitte unterhalb der Feldoxidschichten 19 in dem
Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und
dem Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b in dem zweiten
Wannenabschnitt 22 implantiert.
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Die
Siliziumoxid-Schichten 21 werden nach der Implantation
der Kanalstopp-Ionen beseitigt. Neue, nicht dargestellte Gateoxid-Schichten
werden auf den aktiven Bereichen 20a und 20b ausgebildet. Anschließend werden
Speicherelemente und Peripherschaltungselemente, wie ein peripherer
Transistor oder dergleichen, jeweils auf den Gateoxid-Schichten
ausgebildet, so dass sie in den Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a bzw.
den Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b in Übereinstimmung mit
bekannten Verfahren ähnlich
dem Stand der Technik fallen.
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Die
Bor-Ionen 24 wurden in den Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und
den Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b, welche die aktiven
Bereiche angeben, in denen die Speicherelemente bzw. die Peripherschaltungselemente
ausgebildet sind, und in die Bereiche eingebracht, die die Abschnitte
unterhalb der Feldisolatorschicht 19 in dem zweiten Wannenabschnitt 22 umfassen.
Entsprechend können
die eingebrachten Bor-Ionen die Menge der Bor-Ionen kompensieren,
die durch die Feldisolatorschichten 19 von den Bor-Ionen
absorbiert wurden, die bei der Bildung des zweiten Wannenabschnitts 22 eingebracht
wurden.
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Die
in den Abschnitten unterhalb der feldisolierenden Schichten 19 in
dem zweiten Wannenabschnitt 22 eingebrachten Bor-Ionen 24a bilden
die Kanalstopp-Bereiche. Aufgrund der Bildung der Kanalstopp-Bereiche
auf diese Art und Weise wird die Erzeugung von Inversionsschichten
an den Feldisolatorschichten 19 effektiv gesteuert.
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Die
Herstellung des Halbleiterbauelements gemäß dem oben beschriebenen Herstellungsprozess
kann die Source-Drain-Spannungsfestigkeitseigenschaften der in dem
Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und dem Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b in
dem zweiten Wannenabschnitt 22 gebildeten Transistoren
verbes sern. Da verlässlich
verhindert werden kann, dass Inversionsschichten in dem zweiten
Wannenabschnitt 22 gebildet werden, wird es möglich, die
Erzeugung des Rückkanals
zu steuern, was in einer Verringerung einer Schwelle resultiert.
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Da
gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
die Kanalstopp-Ionen kollektiv in den Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und
den Peripherelementbereichs-Abschnitt 20b eingebracht
werden können,
kann ein Halbleiterbauelement mit exzellenten elektrischen Eigenschaften
relativ einfach hergestellt werden, ohne den Herstellungsprozess
des Halbleiterbauelements komplizierter zu machen.
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2 ist
ein Diagramm ähnlich 1(d), das ein zweites Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur
Herstellung eines Halbleiterbauelements zeigt, um eine starke Zunahme
der Störstellenkonzentration
im zweiten Wannenabschnitt zu verhindern.
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In
dem in 2 illustrierten Ausführungsbeispiel hat jede der
Masken 23, die verwendet werden, um selektiv Kanalstopp-Ionen
in den zweiten Wannenabschnitt 22 einzubringen, Hilfsmaskenabschnitte 23a zum
Abdecken eines Speicherzellenbereichs-Abschnitts 20a und
eines Peripherelementbereichs-Abschnitts 20b.
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Die
jeweiligen Hilfsmaskenabschnitte 23a bedecken auch Kantenabschnitte
der Feldisolatorschichten 19 benachbart zu deren aktiven
Bereichen. Es ist wünschenswert,
dass die Breite eines Abschnitts, in dem sich die Feldisolatorschichten 19 und der
Hilfsmaskenabschnitt 23 einander überlappen, 0,2 μm oder mehr
beträgt.
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So
werden Öffnungen 25 in
den Hilfsmaskenabschnitten 23a definiert, so dass die Kanalstopp-Ionen
nur in Abschnitte unmittelbar unterhalb der Zentralabschnitte der
Feldisolatorschichten 19 in dem zweiten Wannenabschnitt 22 eingebracht
werden.
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Dementsprechend
erlauben die Öffnungen 25 das
Einbringen von Kanalstopp-Ionen 24a in
die Abschnitte unmittelbar unterhalb der zentralen Abschnitte der
Feldisolatorschichten 19 in dem zweiten Wannenabschnitt 22.
Ferner verhindern die Hilfsmaskenabschnitte 23, dass Kanalstopp-Ionen
in die zentralen Abschnitte der Speicherzellenbereichs-Abschnitte 20a und
der Peripherelementbereichsabschnitte 20b eingebracht werden.
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Da
bei dem wie oben beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel die Konzentration
von Bor-Ionen in dem zweiten Wannenabschnitt 22 nicht zunimmt,
verschlechtert sich die Spannungsfestigkeit an der Verbindung von
Drain oder Source jedes Elements des zweiten Wannenabschnitts 22 mit
dem zweiten Wannenabschnitt nicht. Es ist daher möglich, eine
Verbesserung der Source-Drain-Spannungsfestigkeitseigenschaften
jedes der in dem Speicherzellenbereichs-Abschnitt 20a und
dem Peripherelementbereichs-Abschnitt 22b in dem zweiten
Wannenabschnitt 22 ausgebildeten Transistoren zu erzielen.
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Da
ferner die Inversionsschichten verlässlich innerhalb des zweiten
Wannenabschnitts 22 ausgebildet werden, kann ein elektrisch
exzellentes Halbleiterbauelement effizient hergestellt werden, welches
in der Lage ist, die Erzeugung eines parasitären Kanals zu steuern, wodurch
eine Reduzierung der Schwellenspannung hervorgerufen wird.
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3 ist
ein Diagramm ähnlich 1(d), das ein drittes Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur
Herstellung eines Halbleiterbauelements zeigt, welches in der Lage
ist, simultan alle Verfahrensschritte zum Einbringen von Kanalstopp-Ionen
auszuführen.
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Bei
dem in 3 illustrierten Ausführungsbeispiel weist eine Maske 23,
die verwendet wird, um Kanalstopp-Ionen selektiv in den zweiten
Wannenabschnitt 22 einzubringen, Öffnungen 26 auf, die
darin zusätzlich
zu den Hilfsmaskenabschnitten 23 definiert werden, die
mit den im zweiten Ausführungsbeispiel
beschriebenen Öffnungen 25 vorgesehen
sind. Die Öffnungen 26 erlauben
das Einbringen von Kanalstopp-Ionen in Abschnitte unmittelbar unterhalb der
Feldisolatorschichten 19 auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
mit Ausnahme der ersten und zweiten Wannenabschnitte.
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So
kann bei diesem dritten Ausführungsbeispiel
das Einbringen der Kanalstopp-Ionen
in den zweiten Wannenabschnitt 22 und das Einbringen der Kanalstopp-Ionen in einen Substratabschnitt
des Halbleitersubstrats 11 simultan ausgeführt werden. So
wird es unnötig,
den in Übereinstimmung
mit 1(b) in dem ersten Ausführungsbeispiel
beschriebenen Prozessschritt auszuführen, um lediglich die Kanalstopp-Ionen
in den Substratabschnitt auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 11 einzubringen.
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Daher
kann ein Halbleiterbauelement mit exzellenten elektrischen Eigenschaften
effizienter hergestellt werden.
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Die
Typen der Ionen oder die numerischen Werte der Beschleunigungsenergie
und der Ionen-Konzentrationen oder dergleichen, die in den jeweiligen
Ausführungsbeispielen
beschrieben wurden, dienen lediglich als Beispiele. Die Werte können jeweils
wie erforderlich gewählt
werden. Ferner wurde das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
in einem Fall beschrieben, in dem das Halbleiterbauelement unter
Verwendung des Halbleitersubstrats hergestellt wird, wobei nichtflüchtige Halbleiterelemente
darauf ausgebildet sind. Jedoch ist das vorliegende Verfahren nicht
notwendiger Weise darauf beschränkt.
Das Verfahren kann auch auf die Ausbildung einer Doppelwannenstruktur eines
Halbleitersubstrats angewandt werden, welches flüchtige Halbleiterelemente enthält, welche beispielsweise
aus der Kombination eines Kondensators und eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor)
besteht.
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Während die
vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die illustrativen Ausführungsbeispiele
erläutert
wurde, ist nicht beabsichtigt, diese Beschreibung in einschränkendem
Sinne zu verstehen.