DE69433535T2 - Hitzebeständiger Klebstoff - Google Patents

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Hidekazu Oyama-shi Matsuura
Yoshihide Tsukuba-shi Iwazaki
Naoto 3-4-1 Matsushiro Ohta
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Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf ein wärmebeständiges Klebeelement, das insbesondere zum Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen geeignet ist, sowie ein Klebeelement, das den Klebstoff verwendet.
  • Insbesondere bezieht sich diese Erfindung auf einen wärmebeständigen Klebstoff, der sich für die Verwendung in einem Halbleitergehäuse eignet, insbesondere einem Gehäuse mit LOC-Struktur (lead on chip = Anschluss auf Chip), und der in der Lage ist, das Auftreten von Rissen zu verhindern oder zu minimieren, wenn Lötmittel unter Bedingungen, bei denen Feuchtigkeit absorbiert wird, aufgeschmolzen wird.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Das Halbleitergehäuse wird hergestellt, indem man einen Leiterrahmen unter Verwendung eines Klebstoffs oder eines Resonanzlötmittels mit einem Halbleiterchip verbindet und die Elektroden des Chips elektrisch mit dem Leiterrahmen verbindet und anschließend die gesamte Struktur in einer gepressten Form versiegelt, wie es in den 1 bis 3 gezeigt ist.
  • Im allgemeinen hat ein herkömmliches Gehäuse eine Struktur, wie sie in 3 gezeigt ist, wobei der Chip auf eine Kontaktnase (Chipkontaktstelle) des Leiterrahmens montiert ist. Die Verbindung zwischen dem Leiterrahmen und dem Chip wird durch Au-Si-Resonanzlötmittel oder einen warmhärtbaren Epoxykleber (einen Chipbonder) hergestellt.
  • Mit zunehmendem Integrationsgrad im Gehäuse und zunehmender Größe des darin zu montierenden Chips hat sich der Prozentsatz des vom Chip eingenommenen Volumens jedoch in einem solchen Ausmaß erhöht, dass der Chip nicht vollständig in der Struktur eingeschlossen werden kann, wie es in 3 gezeigt ist, wo der Chip auf die Kontaktnase des Leiterrahmens montiert ist. Um dieses Problem zu lösen, wurde ein solches Gehäuse ohne Kontaktnase, wie es in 1 oder 2 gezeigt ist, vorgeschlagen, zum Beispiel im US-Patent 5,140,404, in den Japanischen Offenlegungsschriften 61-218139 und 61-241959, im US-Patent 4,862,246 und in den Japanischen Offenlegungsschriften 2-36542 und 4-318962. Die Gehäusestrukturen von 1 und 2 werden LOC (lead on chip = Anschluss auf Chip) bzw. COL (chip on lead = Chip auf Anschluss) genannt. Bei diesen Gehäusen erfolgt die Verbindung zwischen dem Leiterrahmen und dem Chip durch einen warmhärtenden Klebstoff oder eine hitzebeständige Heißschmelze.
  • Bei den Strukturen, wie sie in 1 und 2 gezeigt sind, besteht die Neigung, dass das Gehäuse kleiner und dünner wird und der Prozentsatz des vom Chip eingenommenen Raumes höher wird, und entsprechend wird die Dicke des Dichtmaterials geringer. Daher führt die von dem verwendeten Klebstoff oder Dichtmaterial absorbierte Feuchtigkeit häufiger zu Rissen im Gehäuse, wenn sie verdampft oder sich ausdehnt.
  • Um dieses Problem zu lösen, wurden Versuche vorgeschlagen, um die Dichtmaterialien und/oder die Klebstoffe, die für das Gehäuse verwendet werden können, zu verbessern. Zum Beispiel wurden in bezug auf die Dichtmaterialien eine Senkung der Feuchtigkeitsabsorption und eine Verbesserung der mechanischen Festigkeit diskutiert (Japanische Offenlegungsschrift 5-67703). In bezug auf die Klebstoffe wurde vorgeschlagen, die Feuchtigkeitsabsorption zu reduzieren oder ein Klebeelement in kleine Stücke aufzuteilen, um das Entweichen von Dampf während des Aufschmelzens beim Löten zu fördern (Japanische Offenlegungsschrift 3-109757). Es gab jedoch keinen Vorschlag, von den Eigenschaften des für das LOC-Gehäuse einzusetzenden Klebstoffs auszugehen.
  • Es gab noch einen weiteren Versuch, bei dem man absichtlich ein Lösungsmittel zurücklässt, um die Bondtemperatur zu senken und so die Viskosität des Harzes zu senken (Japanische Offenlegungsschrift 3-64386), oder bei dem man ein Lösungsmittel zurücklässt, um die Fließfähigkeit zu verbessern und die Haftung zu erhöhen und so einen möglichen Leckstrom zwischen den inneren Anschlüssen zu reduzieren.
  • Kurzbeschreibung der Erfindung
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Klebstoff bereitzustellen, der sich für die Verwendung in einem Halbleitergehäuse eignet, insbesondere einem Halbleitergehäuse mit LOC-Struktur, und der in der Lage ist, das Auftreten möglicher Risse während des Aufschmelzens von Lötmittel unter Bedingungen, bei denen das Gehäuse Feuchtigkeit absorbiert hat, zu verhindern.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben als Ergebnis ihrer Forschungen über eine Beziehung zwischen Rissen, die sich im LOC-Gehäuse beim Aufschmelzen des Lötmittels unter Bedingungen, bei denen das Gehäuse Feuchtigkeit absorbiert hat, entwickeln, und den Eigenschaften des eingesetzten Klebstoffs unerwarteterweise gefunden, dass die Fließfähigkeit oder Härte des Klebstoffs bei hoher Temperatur eher mit den Rissen des Gehäuses in Verbindung gebracht werden kann als die Feuchtigkeitsaufnahme oder die Glasübergangstemperatur Tg des Klebstoffs. Insbesondere haben sie gefunden, dass vorteilhafterweise ein Klebstoff mit einer speziellen Härte oder Fließfähigkeit eingesetzt werden kann, um die Risse im LOC-Gehäuse zu verhindern. Auf diese Weise wurde die vorliegende Erfindung erreicht.
  • Bisher war über die Härte des Klebstoffs nur bekannt, dass das Lösungsmittel absichtlich zurückgelassen werden kann, um die Bondtemperatur zu senken und so die Viskosität des Harzes zu senken (Japanische Offenlegungsschrift 3-64386), oder dass das Lösungsmittel zurückgelassen werden kann, um die Fließfähigkeit zu erhöhen und die Haftung zu verbessern und so den Leckstrom zwischen den inneren Anschlüssen zu reduzieren (Japanische Offenlegungsschrift 2-36542). Vor der vorliegenden Erfindung war nicht bekannt, dass die Härte oder Fließverzögerung des Klebstoffs eher mit den Rissen des Gehäuses in Verbindung gebracht werden kann als die Feuchtigkeitsaufnahmekapazität oder das Tg des Klebstoffs und dass ein Klebstoff mit einer speziellen Härte oder Fließfähigkeit bei der Verbesserung der Beständigkeit gegenüber Rissen des Gehäuses überraschend wirkungsvoll ist.
  • Die vorliegende Erfindung stellt daher folgendes bereit:
    • (a) einen wärmebeständigen Kleber, der für die Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen mit dem Kleber und Formpressen wenigstens des Halbleiterchips und eines geklebten Teils zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse geeignet ist, wobei der Kleber eine Austrittslänge von mehr als 2 mm und eine Wasserabsorptionsrate von nicht mehr als 3 Gew.-% hat;
    • (b) einen wärmebeständigen Kleber gemäß Punkt (a), wobei der Kleber eine Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C hat;
    • (c) ein Klebeelement für die Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen mit dem Klebeelement Formpressen wenigstens des Halbleiterchips und eines geklebten Teils zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse, wobei das Klebeelement eine Klebstoff-Verbundplatte ist, die eine wärmebeständige Folie und einen wärmebeständigen Kleber gemäß Punkt (a) oder (b), der in Form einer Beschichtungsschicht auf jede Hauptfläche der wärmebeständigen Folie aufgetragen ist, umfasst.
  • Die wärmebeständigen Klebeelemente gemäß der vorliegenden Erfindung haben eine ausgezeichnete Gehäusereißfestigkeit und bewirken insbesondere eine Verbesserung der Zuverlässigkeit von Halbleitergehäusen.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt schematisch ein Halbleitergehäuse, das hergestellt wird, indem man einen Halbleiterchip mit Hilfe eines Klebeelements unter Verwendung eines wärmebeständigen Klebstoffs der vorliegenden Erfindung an einen Leiterrahmen klebt und dann den Halbleiterchip sowie einen geklebten Teil zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse umspritzt, wobei sich der Halbleiterchip unterhalb des Leiterrahmens befindet;
  • 2 zeigt schematisch ein ähnliches Halbleitergehäuse wie in 1, außer dass sich der Halbleiterchip oberhalb des Leiterrahmens befindet; und
  • 3 zeigt schematisch ein ähnliches Halbleitergehäuse wie in 1, außer dass sich der Halbleiterchip oberhalb des Leiterrahmens befindet.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die vorliegende Erfindung, wie sie durch die Ansprüche definiert ist, wird im folgenden im einzelnen beschrieben.
  • Der bei der vorliegenden Erfindung eingesetzte spezielle wärmebeständige Klebstoff unterliegt keiner besonderen Einschränkung, solange seine Wasserabsorptionsrate und seine Austrittslänge nicht mehr als 3 Gew.-% bzw. nicht mehr als 2 mm betragen. Der wärmebeständige Klebstoff, dessen Hauptbestandteil ein wärmebeständiges thermoplastisches Harz ist, hat vorzugsweise eine Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C. Aus diesen Gründen ist ein Polyimid-Klebstoff oder ein Polyamid-Klebstoff bevorzugt.
  • Der hier verwendete Ausdruck "Polyimid" soll Harze umfassen, die Imidogruppen enthalten, wie Polyamidimide, Polyesterimide, Polyetherimide und Polyimide.
  • Die Wasserabsorptionsrate des wärmebeständigen Klebstoffs gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt 3 Gew.-% oder weniger, vorzugsweise 2,5 Gew.-% oder weniger, noch mehr bevorzugt 2,0 Gew.-% oder weniger.
  • Seine Austrittslänge beträgt 2 mm oder weniger, vorzugsweise 1 mm oder weniger, noch mehr bevorzugt 0,5 mm oder weniger. Insbesondere hat der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung neben den oben beschriebenen Eigenschaften wünschenswerterweise eine Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C, vorzugsweise 225°C oder darüber, noch mehr bevorzugt 250°C oder darüber.
  • Der hier verwendete Ausdruck "Austrittslänge" bedeutet die Länge eines ausgetretenen peripheren Teils eines 19 × 50 mm großen Klebstofffilms von 25 μm Dicke, wenn man sie an einem zentralen Teil in Richtung der längeren Oberfläche des Klebstofffilms misst, wenn der Klebstofffilm eine Minute lang bei 350°C unter einen Druck von 3 MPa gesetzt wird.
  • Wenn in der vorliegenden Erfindung die Glasübergangstemperatur niedriger als 250°C ist oder die Austrittslänge größer als 1 mm ist, ist die Wasserabsorptionsrate vorzugsweise nicht größer als 1,5 Gew.-%.
  • Der Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann aus einem Polyimid oder einem Polyamid allein gebildet sein. Im Hinblick auf die Haftung enthält er vorzugsweise Amidogruppen.
  • Der hier verwendete Ausdruck "Amidogruppen" bedeutet Amidogruppen, die nach dem Ringschluss zur Bildung des Polyimids noch vorhanden sind. Diese Amidogruppen umfassen daher nicht die Amidogruppen in einer als Imidvorstufe dienenden Amsäure (amic acid).
  • Amidogruppen können 10–90 Mol-%, vorzugsweise 20–70 Mol-%, noch mehr bevorzugt 30–50 Mol-%, der Summe der Imidogruppen und Amidogruppen ausmachen. Prozentsätze von weniger als 10 Mol-% führen zu einer geringen Haftung, aber Prozentsätze von mehr als 90 Mol-% führen zu einer großen Wasserabsorptionsrate.
  • Der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann hauptsächlich aus (A) einem Diamin oder (A') einem Diisocyanat und (B) einem Säureanhydrid und/oder (C) einer Dicarbonsäure oder einem amidbildenden Derivat davon synthetisiert werden. Der wärmebeständige Klebstoff kann leicht hergestellt werden, indem man die obigen Reaktanten miteinander kombiniert und außerdem ihr Reaktionsverhältnis, die Reaktionsbedingungen und das Molekulargewicht einstellt, wobei man gegebenenfalls Additive hinzufügt, während man ihre Typen so auswählt und gegebenenfalls ein zusätzliches Harz, wie ein Epoxyharz, hinzufügt, dass der resultierende wärmebeständige Klebstoff die oben beschriebenen vorgeschriebenen Eigenschaften hat, nämlich eine Austrittslänge von nicht mehr als 2 mm, eine Wasserabsorptionsrate von nicht mehr als 3 Gew.-% und vorzugsweise eine Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C.
  • Beispiele für das Diamin (A), die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind:
    Alkylendiamine, wie Hexamethylendiamin, Octamethylendiamin und Dodecamethylendiamin; Arylendiamine, wie p-Phenylendiamin, m-Phenylendiamin und 2,4-Diaminotoluol; Diaminophenylderivate, wie 4,4'-Diaminodiphenylether (DDE), 4,4'-Diaminophenylmethan, 4,4'-Diaminodiphenylsulfon, 3,3'-Diaminodiphenylsulfon, 4,4'-Diaminobenzophenon, 3,3'-Diaminobenzophenon und 4,4'-Diaminobenzanilid; 1,4-Bis[1-(4-aminophenyl)-1-methylethyl]benzol (BAP); 1,3-Bis[1-(4-aminophenyl)-1-methylethyl]benzol; 1,3-Bis(3-aminophenoxy)benzol; 1,4-Bis(3-aminophenoxy)benzol; 1,4-Bis(4-aminophenoxy)benzol; 2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan (BAPP); 2,2-Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan; Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfon (m-APPS); Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon; und 2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluorpropan.
  • Ebenfalls verwendbar als Diamin (A) in der vorliegenden Erfindung sind zum Beispiel Diamine, die durch die folgende Formel (1) dargestellt werden:
    Figure 00080001
    wobei Y eine Aminogruppe darstellt, R11, R12, R13 und R14 unabhängig eine C1-4-Alkyl- oder -Alkoxygruppe darstellen, von denen wenigstens zwei unabhängig eine Alkyl- oder Alkoxygruppe darstellen, und X = -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, -SO2-, -CO- oder -NHCO- ist.
  • Beispielhafte Verbindungen, die durch die Formel (1) dargestellt werden, sind:
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetra-n-propyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetrabutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diethyl-5,5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,5-dimethyl-3',5'-diethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,5-dimethyl-3',5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,5-diethyl-3',5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,5-diethyl-3',5'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,5-diisopropyl-3',5'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diisopropyl-5,5'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diethyl-5,5'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-di-n-propyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dibutyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5-trimethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5-triethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5-tri-n-propyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5-triisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5-tributyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3-methyl-3'-ethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3-methyl-3'-isopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3-ethyl-3'-isopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3-ethyl-3'-butyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3-isopropyl-3'-butyldiphenylmethan,
    2,2-Bis(4-amino-3,5-dimethylphenyl)propan,
    2,2-Bis(4-amino-3,5-diethylphenyl)propan,
    2,2-Bis(4-amino-3,5-di-n-propylphenyl)propan,
    2,2-Bis(4-amino-3,5-diisopropylphenyl)propan,
    2,2-Bis(4-amino-3,5-dibutylphenyl)propan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethyldiphenylether,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylether,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetra-n-propyldiphenylether,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylether,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetrabutyldiphenylether,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethyldiphenylsulfon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylsulfon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetra-n-propyldiphenylsulfon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylsulfon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetrabutyldiphenylsulfon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethyldiphenylketon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylketon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetra-n-propyldiphenylketon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylketon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetrabutyldiphenylketon,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethylbenzanilid,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethylbenzanilid,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetra-n-propylbenzanilid,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropylbenzanilid und
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetrabutylbenzanilid.
  • Es ist auch möglich, als Diamin (A) Siloxydiamine zu verwenden, die durch die folgende Formel (2) dargestellt werden:
    Figure 00100001
    wobei R15 und R18 jeweils eine zweiwertige organische Gruppe darstellen, R16 und R17 jeweils eine einwertige organische Gruppe darstellen und m für eine ganze Zahl von 1–100 steht.
  • In der obigen Formel (2) können R15 und R18 unabhängig eine Trimethylengruppe [-(CH2)3-], eine Tetramethylengruppe [-(CH2)4-], eine Toluylengruppe
    Figure 00100002
    oder eine Phenylengruppe
    Figure 00100003
    sein, während R16 und R17 unabhängig eine Methyl-, Ethyl- oder Phenylgruppe sein können. Mehrere R16 und R17 können entweder gleich oder verschieden sein.
  • Wenn in Formel (2) R15 und R18 jeweils eine Trimethylengruppe darstellen und R16 und R17 jeweils eine Methylgruppe darstellen, sind Siloxandiamine, bei denen m 1 beträgt, im Mittel etwa 10 beträgt, im Mittel etwa 20 beträgt, im Mittel etwa 30 beträgt, im Mittel etwa 50 beträgt bzw. im Mittel etwa 100 beträgt, alle von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., unter den Handelsnamen "LP-7100", "X-22-161AS", "X-22-161A", "X-22-161B", "X-22-161C" und "X-22-161E" kommerziell erhältlich.
  • Beispiele für das Diisocyanat (A'), die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind solche, die den oben als Beispiele genannten Diaminen ähnlich sind, außer dass die Aminogruppen durch Isocyanatgruppen ersetzt sind.
  • Beispiele für das Säureanhydrid (B), die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind:
    Trimellithsäureanhydrid, Pyromellithsäureanhydrid,
    3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid (BTDA),
    3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid,
    2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluorpropandianhydrid,
    Bis(3,4-dicarboxyphenyl)etherdianhydrid,
    Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid,
    4,4'-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfondianhydrid,
    2,2-Bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propandianhydrid,
    Ethylenglycolbistrimellithatdianhydrid (EBTA),
    Decamethylenglycolbistrimellithatdianhydrid (DBTA),
    Bisphenol-A-bistrimellithatdianhydrid (BABT),
    2,2-Bis[4-(3,4-dicarboxybenzoyloxy)phenyl]hexafluorpropandianhydrid,
    1,4-Bis[1-methyl-1-{4-(3,4-dicarboxybenzoyloxy)phenyl}ethyl]benzoldianhydrid,
    Maleinsäureanhydrid, Methylmaleinsäureanhydrid,
    cis-endo-5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid,
    Allyl-cis-endo-5-norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid,
    Methyl-cis-endo-5-norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid,
    Tetrahydrophthalsäureanhydrid und
    Methyltetrahydrophthalsäureanhydrid.
  • Beispiele für die Dicarbonsäure, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind Terephthalsäure, Isophthalsäure, Biphenylcarbonsäure, Phthalsäure, Naphthalindicarbonsäure und Diphenyletherdicarbonsäure. Beispiele für die amidbildenden Derivate dieser Dicarbonsäuren sind Dichloride, Dialkylester und dergleichen der oben als Beispiele genannten Dicarbonsäuren.
  • Weiterhin können das Diamin (A) oder die Dicarbonsäure (C) teilweise durch eine Aminocarbonsäure, wie Aminobenzoesäure, ersetzt werden.
  • Bevorzugte Beispiele für das Diamin (A), die für die Bereitstellung der wärmebeständigen Klebstoffe gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind:
    Alkylendiamin, m-Phenylendiamin, 2,4-Diaminotoluol,
    4,4'-Diaminodiphenylether (DDE), 4,4'-Diaminodiphenylmethan,
    4,4'-Diaminodiphenylsulfon, 3,3'-Diaminodiphenylsulfon,
    3,3'-Diaminobenzophenon, 1,3-Bis(4-aminocumyl)benzol,
    1,4-Bis(4-aminocumyl)benzol, 1,3-Bis(3-aminophenoxy)benzol,
    1,4-Bis(3-aminophenoxy)benzol, 1,4-Bis(4-aminophenoxy)benzol,
    2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan (BAPP),
    Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfon (m-APPS),
    Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon,
    2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluorpropan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetramethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diethyl-5,5'-diisopropyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethan,
    4,4'-Diamino-3,3'-diethyldiphenylmethan oder
    4,4'-Diamino-3,3'-diisopropyldiphenylmethan.
  • Außerdem werden auch vorzugsweise die kommerziell erhältlichen "LP-7100", "X-22-161A5" und "X-22-161A" als Siloxandiamin der Formel (2) verwendet.
  • Bevorzugte Beispiele für das Säureanhydrid (B) sind:
    Trimellithsäureanhydrid,
    3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid (BTDA),
    2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluorpropandianhydrid,
    Bis(3,4-dicarboxyphenyl)etherdianhydrid,
    Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid,
    4,4'-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfondianhydrid,
    2,2-Bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propandianhydrid,
    Ethylenglycolbistrimellithatdianhydrid (EBTA),
    Decamethylenglycolbistrimellithatdianhydrid (DBTA),
    Bisphenol-A-bistrimellithatdianhydrid (BABT),
    1,4-Bis[1-methyl-1-{4-(3,4-dicarboxybenzoyloxy)phenyl}ethyl]benzoldianhydrid,
    Maleinsäureanhydrid,
    cis-endo-5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid und
    Allyl-cis-endo-5-norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid.
  • Übrigens hat cis-endo-5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid die folgende Strukturformel:
    Figure 00130001
    und Allyl-cis-endo-5-norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid hat die folgende Strukturformel:
  • Figure 00130002
  • Bei der Herstellung des Harzes unter Verwendung des Diamins (A), des Säureanhydrids (B) und der Dicarbonsäure (C) ist es notwendig, diese Monomere so auszuwählen und miteinander zu kombinieren, dass das resultierende Harz vorzugsweise ein Tg von 200°C oder darüber, noch mehr bevorzugt 250°C oder darüber, hat.
  • Um einen wärmebeständigen Klebstoff mit den in dieser Erfindung näher angegebenen Merkmalen zu erhalten, können ein Polyimid und ein Polyamid so gemischt werden, dass der resultierende Klebstoff vorzugsweise ein Tg von 200°C oder darüber hat.
  • Die Herstellung von wärmebeständigen Klebstoffen der vorliegenden Erfindung ist nicht auf das Polyimid und Polyamid beschränkt, sondern es können auch Polymaleinimide und Poly(allyl-cis-endo-5-norbornen-2,3-dicarbonsäureamide) eingesetzt werden.
  • Polyimide können durch thermischen oder chemischen Ringschluss der entsprechenden Polyamsäuren erhalten werden. Es ist nicht notwendig, aber wünschenswert, dass das in dieser Erfindung verwendete Polyimid vollständig imidiert ist.
  • Der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann aus einem Polyimid oder Polyamid allein bestehen, oder es kann sich um ein Gemisch handeln, das man durch Kombinieren des Polyimids und des Polyamids sowie, falls notwendig, eines Epoxyharzes, eines Härtungsmittels, eines Härtungsbeschleunigers und/oder dergleichen erhält.
  • Für diesen Fall wurde gefunden, dass es auch bei einem wärmebeständigen Klebstoff mit einem niedrigeren Tg als 200°C möglich ist, durch Zumischen eines zusätzlichen Harzes, wie eines Epoxyharzes, und eines oder mehrerer der unten beschriebenen Additive, wie eines Kupplungsmittels, seine Wasserabsorptionsrate und Austrittslänge innerhalb der jeweiligen, in der vorliegenden Erfindung spezifizierten Bereiche einzustellen.
  • Das Epoxyharz, das mit einem speziellen wärmebeständigen Polyimid-Klebstoff der vorliegenden Erfindung gemischt werden kann, unterliegt keiner besonderen Einschränkung, solange es im Mittel wenigstens 2 Epoxygruppen pro Molekül aufweist. Beispiele für ein solches Epoxyharz sind der Glycidylether von Bisphenol A, der Glycidylether von Bisphenol F, Epoxyharze des Phenolnovolak-Typs, Polyglycidylester mehrwertiger Alkohole, Polyglycidylester mehrbasiger Säuren, alicyclische Epoxyharze und Hydantoin-Epoxyharze.
  • Außerdem können auch Füllstoffe, wie keramische Pulver, Glaspulver, Silberpulver und Kupferpulver, sowie Kupplungsmittel zu dem wärmebeständigen Klebstoff der vorliegenden Erfindung gegeben werden. Der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung kann auch verwendet werden, nachdem man einen Träger, wie Glasfasergewebe, Aramidgewebe und Kohlefasergewebe, damit imprägniert hat.
  • Beispiele für geeignete Kupplungsmittel sind:
    Vinylsilane, wie Vinyltriethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan und γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilan; Epoxysilane, wie γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, γ-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan und β-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilan; Aminosilane, wie γ-Aminopropyltriethoxysilan, γ-Aminopropyltrimethoxysilan und N-Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilan; Mercaptosilane, wie γ-Mercaptopropyltrimethoxysilan; und Kupplungsmittel wie Titanate, Aluminiumchelate und Zircoaluminate.
  • Von diesen sind Silan-Kupplungsmittel bevorzugt, wobei Epoxysilan-Kupplungsmittel besonders bevorzugt sind. Übrigens hat γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilan die folgende Strukturformel:
    Figure 00150001
    während γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan die folgende Strukturformel hat:
  • Figure 00150002
  • In dem Klebeelement kann der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung entweder allein, d. h. für sich, verwendet werden, oder man kann eine Trägerfolie damit beschichten oder einen Träger damit imprägnieren. Wenn der wärmebeständige Klebstoff allein verwendet wird, kann er direkt auf ein zu klebendes Objekt, wie einen Halbleiterchip oder einen Leiterrahmen, aufgetragen werden, oder er kann im voraus in eine blattartige Form gebracht, auf das Objekt aufgebracht und dann in der Hitze auf das Objekt aufgepresst werden.
  • Das Klebeelement, das den Klebstoff der vorliegenden Erfindung umfasst, wird in eine solche Form gebracht und mit solchen Eigenschaften ausgestattet, dass er zum Kleben des Halbleiterchips auf den Leiterrahmen bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses des versiegelten Typs, insbesondere eines LOC-Halbleitergehäuses, geeignet ist. Insbesondere hat das Klebeelement, bei dem der Klebstoff der vorliegenden Erfindung verwendet wird, eine Form sowie Eigenschaften, die für eine Verklebung zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen des Halbleitergehäuses des versiegelten Typs geeignet sind, wenn der Halbleiterchip und der Leiterrahmen auf dem Halbleiterchip durch Drahtbonden miteinander verbunden werden.
  • Wenn der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung als Klebstoffverbundfolie verwendet wird, indem man ihn auf eine Trägerfolie (oder einen Träger) aufträgt, kann die Klebstoffverbundfolie erhalten werden, indem man einen wärmebeständigen Klebstoff mit einer Wasserabsorptionsrate von nicht mehr als 3 Gew.-% und einer Austrittslänge von nicht mehr als 2 mm sowie vorzugsweise einer Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C oder einen Firnis davon auf beide Flächen einer wärmebeständigen Folie, vorzugsweise einer oberflächenbehandelten wärmebeständigen Folie, aufträgt.
  • Die Beschichtung jeder Hauptfläche der wärmebeständigen Folie erfolgt mit demselben oder mit verschiedenen wärmebeständigen Klebstoffen gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Beispiele für die wärmebeständige Folie, die in der vorliegenden Erfindung als Trägerfolie verwendet werden kann, sind Folien aus technischen Kunststoffen, wie Polyimiden, Polyamiden, Polysulfonen, Polyphenylensulfiden, Polyetheretherketonen und Polyarylaten.
  • Die wärmebeständige Folie hat eine Glasübergangstemperatur (Tg), die höher ist als das Tg des wärmebeständigen Klebstoffs gemäß der vorliegenden Erfindung und vorzugsweise wenigstens 200°C, noch mehr bevorzugt 250°C oder mehr, beträgt. Die wärmebeständige Folie hat eine Wasserabsorptionsrate von nicht mehr als 3 Gew.-%, vorzugsweise 2 Gew.-% oder weniger.
  • Entsprechend kann die in dieser Erfindung eingesetzte wärmebeständige Folie im Hinblick auf Tg, Wasserabsorptionsrate und Wärmeausdehnungskoeffizient vorzugsweise eine Polyimidfolie sein. Besonders bevorzugt ist eine Folie, die mit solchen physikalischen Eigenschaften ausgestattet ist, dass das Tg wenigstens 250°C beträgt, die Wasserabsorptionsrate 2 Gew.-% oder weniger beträgt und der Wärmeausdehnungskoeffizient 3 × 105/°C oder weniger beträgt.
  • Um die Haftung des Klebstoffs zu erhöhen, ist es wünschenswert, die wärmebeständige Folie einer Oberflächenbehandlung zu unterziehen. Zu den Oberflächenbehandlungsverfahren gehören chemische Oberflächenbehandlungsverfahren, wie Alkalibehandlung und Silankupplungsbehandlung, physikalische Behandlungsverfahren, wie Sandstrahlen, Plasmaätzen und Koronaätzen. Obwohl sie alle verwendet werden können, ist es wünschenswert, je nach dem Klebstoff ein am besten geeignetes Behandlungsverfahren auszuwählen und zu verwenden. Als Oberflächenbehandlung, der eine wärmebeständige Folie nach dem Auftragen des wärmebeständigen Klebstoffs dieser Erfindung unterzogen wird, sind die chemische Behandlung oder das Plasmaätzen besonders bevorzugt.
  • Die Art und Weise des Auftragens des wärmebeständigen Klebstoffs (Firnis) auf die wärmebeständige Folie unterliegt keiner besonderen Einschränkung. Die Beschichtung kann in jeder geeigneten Weise aufgetragen werden, indem man zum Beispiel ein Rakelmesser, eine Rakelstreichmaschine, einen Schmelzbe schichter oder dergleichen verwendet. Die Folie kann beschichtet werden, indem man sie durch einen Firnis laufen lässt. Dieses Verfahren ist jedoch nicht bevorzugt, da es schwierig ist, die Dicke dabei zu steuern.
  • Wenn die mit dem wärmebeständigen Klebstoff dieser Erfindung beschichtete Folie einer Wärmebehandlung zur Entfernung eines Lösungsmittels oder für die Imidierung unterzogen wird, variiert die Temperatur der Wärmebehandlung in Abhängigkeit davon, ob der so aufgetragene wärmebeständige Klebstoff ein Firnis einer Polyamsäure oder ein Firnis eines Polyimids ist.
  • Im Falle des Firnis der Polyamsäure ist eine Temperatur in der Höhe des Tg oder darüber erforderlich, um die Imidierung zu erreichen. Im Falle des Firnis des Polyimids unterliegt sie keiner besonderen Einschränkung, solange sie hoch genug ist, um das Lösungsmittel zu entfernen. Um die Haftung zwischen dem Klebstoff und der wärmebeständigen Folie zu verbessern, wird die obige Wärmebehandlung vorzugsweise bei einer Temperatur von 250°C oder darüber durchgeführt.
  • Das Klebeelement, bei dem der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist für die Verklebung zwischen einem Leiterrahmen und einem Halbleiterchip besonders wirkungsvoll.
  • Wenn der Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung zum Verkleben des Halbleiterchips und des Leiterrahmens verwendet wird, unterliegt die Art und Weise des Verklebens keiner besonderen Einschränkung. Diese Verklebung kann, mit Hilfe eines Verfahrens erreicht werden, das für das so hergestellte Gehäuse jeweils am besten geeignet ist.
  • Verschiedene Verklebungsverfahren können verwendet werden, einschließlich zum Beispiel:
    • (1) Eine Verbundfolie, die auf einander gegenüberliegenden Flächen mit einem wärmebeständigen Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtet ist, wird zuerst in der Hitze auf einen Leiterrahmen aufgepresst. Dann wird ein Halbleiterchip auf der gegenüberliegenden Oberfläche in der Hitze auf den wärmebeständigen Klebstoff dieser Erfindung aufgepresst.
    • (2) Eine Folie, die auf einer ihrer Flächen mit einem wärmebeständigen Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtet ist, wird zuerst in der Hitze auf einen Leiterrahmen aufgepresst. Dann wird die gegenüberliegende Oberfläche der Folie mit demselben Klebstoff oder einem anderen Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtet, auf den dann ein Halbleiterchip aufgepresst wird.
    • (3) Ein Film, der nur aus einem wärmebeständigen Klebstoff dieser Erfindung allein besteht, wird zwischen einen Halbleiterchip und einen Leiterrahmen gehalten und dann in der Hitze damit verpresst.
    • (4) Ein wärmebeständiger Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung wird auf einen Halbleiterchip oder einen Leiterrahmen aufgetragen und dann mit einem Leiterrahmen oder einem Halbleiterchip verpresst.
  • Spezielle Verfahren zum Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen unter Verwendung eines Klebeelements, bei dem ein wärmebeständiger Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 beschrieben.
  • Die 1 bis 3 sind schematische Darstellungen der Halbleitergehäuse mit verschiedenen Formen der Leiterrahmen und verschiedenen Positionen der auf die Leiterrahmen geklebten Halbleiterchips. Jedes Halbleitergehäuse wurde hergestellt, indem man den Halbleiterchip mit dem Klebeelement, bei dem der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, auf den Leiterrahmen klebte und dann den Halbleiterchip sowie einen geklebten Teil zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse umspritzte.
  • In 1 befindet sich der Halbleiter unterhalb des Leiterrahmens.
  • In 2 befindet sich der Halbleiter oberhalb des Leiterrahmens.
  • In 3 befindet sich der Halbleiter ebenfalls oberhalb des Leiterrahmens.
  • In den 1 bis 3 sind die Klebeelemente mit der Zahl 1 bezeichnet, die Halbleiterchips mit der Zahl 2, die Leiterrahmen mit der Zahl 3, die Anschlüsse mit der Zahl 4, und die Dichtmassen mit der Zahl 5.
  • Das Klebeelement, bei dem der wärmebeständige Klebstoff gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist wirkungsvoll, um einen Halbleiterchip so mit einem Leiterrahmen zu verkleben, dass ein Halbleitergehäuse in LOC-Struktur entsteht, wie es in 1 gezeigt ist. Das in 1 gezeigte Gehäuse mit LOC-Struktur (lead on chip) unterscheidet sich von dem COL-Gehäuse (chip on lead) von 2 und dem Gehäuse von 3 dadurch, dass der Anteil des vom Chip im Gehäuse eingenommenen Volumens größer ist als bei den beiden anderen. Der Grund dafür ist, (1) dass das Gehäuse von 1 keine Kontaktnase hat, während das Gehäuse von 3 eine hat, und (2) dass das Drahtbonden im Gehäuse von 1 oberhalb des Chips erfolgt, während es in den Gehäusen von 2 und 3 auf den Oberflächen des Chips erfolgt; dadurch wird Platz für das Drahtbonden gespart, zusätzlich zu dem Platz, wo der Chip montiert wird. Dadurch wird der Raumanteil, den der Chip im Gehäuse von 1 einnimmt, erhöht, und entsprechend wird die Dicke des Dichtmaterials reduziert, was die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Gehäuserissen aufgrund des Klebstoffs im Vergleich mit den Gehäusen von 2 und 3 erhöht. Daher wurde eine effektive Maßnahme zum Reduzieren der Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Rissen erhofft. Der Klebstoff der vorliegenden Erfindung ist besonders wirkungsvoll hinsichtlich der Verhinderung oder Reduktion des Auftretens von Rissen im Gehäuse, wie es in 1 gezeigt ist.
  • Ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, kann er auch wirkungsvoll für das Verkleben von Objekten wie keramischen Platten, Metallblechen, Metallfolien, Kunststofffolien, Kunststoffplatten und Laminaten angewendet werden.
  • Nach dem Verkleben dieser Objekte kann das Objekt jeweils mit einem anderen Objekt verklebt werden, indem man den Klebstoff auf das erstgenannte Objekt aufträgt, oder wenn der Klebstoff in Form eines Films vorliegt, indem man ihn zwischen die Objekte bringt, den Klebstoff auf eine Temperatur erhitzt, die gleich oder höher ist wie der Erweichungspunkt des Klebstoffs, und dann Druck darauf anwendet.
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden speziell anhand der folgenden Beispiele beschrieben. Man sollte sich jedoch stets darüber im klaren sein, dass diese Erfindung keineswegs auf oder durch die Beispiele beschränkt ist.
  • Beispiel 1
  • In einen Vierhalskolben, der mit einem Rührer, einem Thermometer, einem Stickstoffeinleitungsrohr und einem Calciumchloridrohr ausgestattet war, wurden 3,66 g (10 mmol) 4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylmethan (IPDDM) und 28,3 g N,N-Dimethylformamid (DMF) gegeben und aufgelöst. Unter Kühlen auf unter 5°C wurden zu der resultierenden Lösung portionsweise 5,76 g (10 mmol) Bisphenol-A-bistrimellithatdianhydrid (BABT) hinzugefügt. Es wurde eine Stunde unter Kühlen auf unter 5°C und dann 6 Stunden bei Raumtemperatur umgesetzt, wodurch eine Polyamsäure in Form eines Firnis synthetisiert wurde. Zu dem resultierenden Firnis der Polyamsäure wurden 2,55 g Essigsäureanhydrid und 1,98 g Pyridin gegeben, und anschließend wurde 3 Stunden lang bei Raumtemperatur umgesetzt, wodurch ein Polyimid in Form eines Firnis synthetisiert wurde.
  • Der so erhaltene Firnis des Polyimids wurde in Wasser gegossen, und der resultierende Niederschlag wurde gewonnen, pulverisiert und getrocknet, wodurch das Polyimid in Form eines Pulvers erhalten wurde. Das so erhaltene Polyimidpulver wurde in einer Konzentration von 0,1 g/dl in DMF gelöst. Die bei 30°C gemessene Viskositätszahl der Polyimidlösung betrug 0,71 dl/g.
  • Außerdem wurde ein Löslichkeitstest des Polyimidpulvers durchgeführt, indem man es in verschiedene Lösungsmittel gab, so dass man eine Konzentration von 5 Gew.-% erhielt, und dann seinen Auflösungszustand bei Raumtemperatur beobachtete. Als Ergebnis erwies sich das Polyimidpulver in DMF, N-Methylpyrrolidon (NMP), Methylenchlorid, Dioxan, THF und Toluol jeweils als löslich.
  • Weiterhin wurde das Polyimidpulver in DMF gelöst. Der so erhaltene Firnis wurde auf eine Glasplatte gegossen und 10 Minuten bei 100°C getrocknet. Der resultierende Grünfilm wurde von der Glasplatte abgezogen, auf einem Eisenrahmen fixiert und eine Stunde lang bei 250°C getrocknet, wodurch ein Film erhalten wurde.
  • Als Ergebnis der Messung der Glasübergangstemperatur (Tg) des so erhaltenen Polyimidfilms nach dem Penetrationsverfahren unter einer Last von 25 kg/cm2 mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 10°C/min wurde ein Wert von 262°C gefunden. Die Temperatur der thermischen Zersetzung des Polyimidfilms betrug 405°C.
  • Der Film wurde 24 Stunden lang in Wasser von 25°C eingetaucht. Als Ergebnis wurde eine Wasserabsorptionsrate von 0,3 Gew.-% gefunden.
  • Ein 19 × 50 mm großer Klebstofffilm von 25 μm Dicke wurde eine Minute lang bei 350°C unter einen Druck von 3 MPa gesetzt. Für die Länge eines ausgetretenen peripheren Teils (im folgenden der Kürze halber "Austrittslänge" genannt) des Klebstoffs, wenn man sie an einem zentralen Teil in Richtung der längeren Oberflächen des Klebstofffilms misst, wurden 0,8 mm gefunden.
  • Außerdem wurde ein Flexibilitätstest durchgeführt, indem man den Polyimidfilm über einen Winkel von 180° bog. Der Film entwickelte keine Risse und zeigte somit eine gute Flexibilität.
  • Ein NMP-Firnis des Polyimids wurde auf eine Folie aus "UPILEX S" (Handelsname; Polyimidfolie; Produkt der Ube Industries, Ltd.) aufgetragen, die plasmageätzt worden war, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 300°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Die so erhaltene Verbundfolie wurde über ein Blech aus 42-Legierung (Fe-Ni-Legierung mit einem Nickelgehalt von 42%) gelegt und anschließend 5 Sekunden lang bei 350°C unter einen Druck von 3 MPa gesetzt. Als Ergebnis der Messung der 90°-Schälfestigkeit der Verbundfolie wurde ein Wert von 0,7 kN/m gefunden.
  • Unter Verwendung der Verbundfolie wurde ein Halbleiterchip des Typs TSOP (thin small out-line package) in ein Gehäuse eingefügt, wie es in 1 gezeigt ist. Das Gehäuse wurde 48 Stunden bei 85°C und 85% relativer Feuchtigkeit einer Feuchtbehandlung unterzogen und dann in ein Lötmittelbad von 260°C eingetaucht. Es traten keine Risse auf.
  • Beispiel 2
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass stattdessen 3,58 g (10 mmol) Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid (DSDA), 1,83 g (5 mmol) IPDDM und 2,05 g (5 mmol) 2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan (BAPP) verwendet wurden, wurde eine Polyamsäure in Form eines Firnis erhalten. Der Firnis der Polyamsäure wurde wie in Beispiel 1 behandelt, wodurch ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten wurde.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 1,21 dl/g, ein Tg von 268°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 410°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,7 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,01 mm gefunden.
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass der Firnis der Polyamsäure 10 Minuten bei 100°C und dann 15 Minuten bei 300°C wärmebehandelt wurde, wurde eine Verbundfolie erhalten. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,2 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 3
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass anstelle von BABT und DMF 3,22 g (10 mmol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid (BDTA) bzw. 20,6 g NMP verwendet wurden, wurde eine Polyamsäure in Form eines Firnis erhalten. Zu dem so erhaltenen Firnis wurde Xylol (10 g) gegeben, und anschließend wurde 5 Stunden lang auf 180°C erhitzt, wodurch ein Polyimid in Form eines Firnis erhalten wurde.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,48 dl/g, ein Tg von 300°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 405°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,0 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,5 mm gefunden.
  • Der Polyimidfirnis wurde auf eine Folie aus "KAPTON" (Handelsname; Polyimidfolie; Produkt der Du Pont-Toray Industries) aufgetragen, die nach einer Alkalibehandlung einer Silan-Kupplungsbehandlung unterzogen worden war. Die so beschichtete Folie wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 275°C wärmebehandelt, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 0,92 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 4
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass stattdessen 5,76 g (10 mmol) BABT, 2,38 g (6,5 mmol) IPDDM und 0,43 g (3,5 mmol) m-Toluylendiamin (MTDA) verwendet wurden, wurde ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,61 dl/g, ein Tg von 275°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 415°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,5 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,5 mm gefunden.
  • Ein NMP-Firnis des Polyimids wurde auf eine Folie aus "UPILEX S" aufgetragen, die einer Alkalibehandlung unterzogen worden war, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 300°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 0,85 kN/m gefunden. Das Halbleitergehäuse des SOJ-Typs (small outline J-leaded package), das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 5
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 3, außer dass stattdessen 3,58 g (10 mmol) DSDA, 0,92 g (2,5 mmol) IPDDM und 3,08 g (7,5 mmol) BAPP verwendet wurden, wurde ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,62 dl/g, ein Tg von 255°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 440°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,2 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,2 mm gefunden.
  • Ein DMAc-Firnis des Polyimids wurde auf eine plasmageätzte Folie aus "UPILEX S" aufgetragen, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 250°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,40 kN/m gefunden. Das Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 6
  • In 24,5 g DMF wurden 4,10 g (10 mmol) BAPP gelöst, und anschließend wurden 2,02 g (20 mmol) Triethylamin hinzugefügt. Unter Kühlen auf unter 5°C wurden zu der resultierenden Lösung portionsweise 2,03 g (10 mmol) Isophthaloylchlorid hinzugefügt. Es wurde 5 Stunden lang bei unter 5°C umgesetzt. Wie in Beispiel 1 wurde ein Polyamid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyamid wurden eine Viskositätszahl von 0,45 dl/g, ein Tg von 219°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 425°C, eine Wasserabsorptionsrate von 2,3 Gew.-% und eine Austrittslänge von 2,4 mm gefunden.
  • Ein DMF-Firnis mit 85 Gew.-% eines wie in Beispiel 1 erhaltenen Polyimids und 15 Gew.-% des in diesem Beispiel erhaltenen Polyamids, das hinzugemischt wurde, wurde auf eine plasmageätzte Folie aus "UPILEX S" aufgetragen, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 250°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Die so erhaltene Verbundfolie wurde über ein Blech aus 42-Legierung gelegt und anschließend 5 Sekunden lang bei 350°C unter einen Druck von 3 MPa gesetzt. Als Ergebnis der Messung der 90°-Schälfestigkeit der Folie wurde ein Wert von 1,2 kN/m gefunden.
  • Für die Verbundfolie wurden ein Tg von 255°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,6 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,5 mm gefunden.
  • Unter Verwendung der Verbundfolie wurde ein Halbleiterchip des SOJ-Typs in ein Gehäuse eingefügt, wie es in 1 gezeigt ist. Die Folie wurde 48 Stunden bei 85°C und 85% relativer Feuchtigkeit einer Feuchtbehandlung unterzogen und dann in ein Lötmittelbad von 260°C eingetaucht. Es traten keine Risse auf.
  • Beispiel 7
  • In 20 g DMF wurden 1,74 g (7 mmol) 4,4'-Diaminodiphenylsulfon (DDS) und 1,23 g (3 mmol) BAPP gelöst, und anschließend wurden 2,02 g (20 mmol) Triethylamin hinzugefügt. Unter Kühlen auf unter 5°C wurden zu der resultierenden Lösung portionsweise 2,03 g (10 mmol) Isophthaloylchlorid hinzugefügt. Es wurde 5 Stunden lang bei unter 5°C umgesetzt. Wie in Beispiel 1 wurde ein Polyamid in Form eines Pulvers erhalten. Für das so erhaltene Polyamid wurden eine Viskositätszahl von 0,88 dl/g, ein Tg von 260°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 435°C, eine Wasserabsorptionsrate von 2,5 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,2 mm gefunden.
  • Unter Verwendung eines NMP-Firnis mit 60 Gew.-% des wie in Beispiel 1 erhaltenen Polyimids und 40 Gew.-% des in diesem Beispiel erhaltenen Polyamids, das hinzugemischt wurde, wurde eine Verbundfolie in ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten. Für die Haftfestigkeit der so erhaltenen Verbundfolie auf einem Blech aus 42-Legierung wurde ein Wert von 1,6 kN/m gefunden.
  • Für die Verbundfolie wurden ein Tg von 260°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,1 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,5 mm gefunden.
  • Unter Verwendung der Verbundfolie wurde ein Halbleiterchip des TSOP-Typs wie in Beispiel 1 in ein Gehäuse eingefügt. Das Gehäuse entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 8
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 6, außer dass stattdessen 1,83 g (5 mmol) IPDDM, 2,05 g (5 mmol) BAPP, 0,64 g (3 mmol) 4-Chlorformylbenzol-1,2-dicarbonsäureanhydrid, 0,30 g (3 mmol) Triethylamin und 30 g NMP verwendet wurden, wurde eine Polyamsäure in Form eines Firnis erhalten. Bei unter 5°C wurden zu dem so erhaltenen Firnis portionsweise 2,51 g (7 mmol) Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid (DSDA) hinzugefügt, und dann wurde 5 Stunden lang bei unter 5°C umgesetzt. Danach wurden Essigsäureanhydrid und Pyridin zu dem Reaktionsgemisch gegeben. Nach den in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein Polyamidimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyamidimid wurden eine Viskositätszahl von 1,15 dl/g, ein Tg von 258°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 385°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,0 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,02 mm gefunden.
  • Ein DMAc-Firnis des Polyamidimids wurde auf eine Folie aus "KAPTON" aufgetragen, die nach einer Alkalibehandlung einer Silan-Kupplungsbehandlung unterzogen worden war. Die so beschichtete Folie wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 275°C wärmebehandelt, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,4 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 9
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 6, außer dass stattdessen 5,76 g (10 mmol) BAPT, 2,74 g (7,5 mmol) IPDDM, 0,41 g (1,0 mmol) BAPP und 1,26 g (1,5 mmol) "X-22-161A5" verwendet wurden, wurde ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten. Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,65 dl/g, ein Tg von 226°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 396°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,3 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,7 mm gefunden.
  • Ein NMP-Firnis des so erhaltenen Polyimids wurde auf eine plasmageätzte Folie aus "UPILEX S" aufgetragen, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 300°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für die so erhaltene Verbundfolie wurde eine Haftfestigkeit von 0,80 kN/m gefunden. Das Halbleitergehäuse des SOJ-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 10
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass stattdessen 3,58 g (10 mmol) DSDA und 4,32 g (10 mmol) Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon verwendet wurden, wurde ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,87 dl/g, ein Tg von 270°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 520°C, eine Wasserabsorptionsrate von 2,3 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,01 mm gefunden.
  • Ein NMP-Firnis des so erhaltenen Polyimids wurde auf eine plasmageätzte Folie aus "UPILEX S" aufgetragen, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 300°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für die so erhaltene Verbundfolie wurde eine Haftfestigkeit von 1,0 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 11
  • Wie in Beispiel 1 wurde ein Film gebildet, der nur aus einem Klebstoff bestand, wobei das Polyimid von Beispiel 2 verwendet wurde. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das unter Verwendung des so erhaltenen Films in ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 12
  • Eine Klebstoffschicht wurde auf einem Halbleiterchip gebildet, indem man einen NMP-Firnis des in Beispiel 8 erhaltenen Polyamidimids verwendete. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das gebildet wurde, wie es in 1 gezeigt ist, wobei der Chip mit der Klebstoffschicht darauf verwendet wurde, entwickelte auch dann keine Risse, wenn es wie in Beispiel 1 nach der Feuchtbehandlung verlötet wurde.
  • Beispiel 13
  • In 23,0 g NMP wurden 2,87 g (7 mmol) BAPP und 0,75 g (3 mmol) "LP-7100" gelöst. Unter Kühlen auf unter 5°C wurden zu der resultierenden Lösung portionsweise 2,13 g (10 mmol) 4-Chlorformylbenzol-1,2-dicarbonsäureanhydrid hinzugefügt. Zu dem resultierenden Gemisch wurden 2,02 g (20 mmol) Triethylamin gegeben, und anschließend wurde 5 Stunden lang bei unter 5°C umgesetzt. Wie in Beispiel 1 wurde ein Polyamidimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyamidimid wurden eine Viskositätszahl von 0,57 dl/g, ein Tg von 185°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 420°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,13 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,8 mm gefunden.
  • Ein Firnis, der durch Auflösen von 100 g des Polyamidimidpulvers und 3 g γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan in 400 g DMF erhalten worden war, wurde auf eine Fläche einer Polyimidfolie ("UPILEX S", Handelsname) aufgetragen, und anschließend wurde 10 Minuten bei 100°C getrocknet. Die andere Fläche der Polyimidfolie wurde ebenfalls in ähnlicher Weise mit dem Firnis beschichtet, und anschließend wurde 10 Minuten bei 250°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für die so erhaltene Verbundfolie wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,6 kN/m gefunden. Für die Klebstoffschichten wurden ein Tg von 185°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,3 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,2 mm gefunden.
  • Zuerst wurde die Verbundfolie 3 Sekunden lang bei 350°C unter einem Druck von 6 MPa auf einen Leiterrahmen geklebt, und dann wurde ein Chip 3 Sekunden lang bei 375°C unter einem Druck von 6 MPa auf die andere Seite der Folie geklebt. Nach dem Drahtbonden wurde der resultierende verdrahtete Chip mit einer Formmasse umspritzt, wie es in 1 gezeigt ist. Das so erhaltene Gehäuse des TSOP-Typs wurde 48 Stunden bei 85°C und 85% relativer Feuchtigkeit einer Feuchtbehandlung unterzogen, und dann wurde Lötmittel in einem auf 245°C geregelten Infrarotofen aufgeschmolzen. Es traten keine Risse auf.
  • Beispiel 14
  • In 34,7 g NMP wurden 3,69 g (9 mmol) BAPP und 0,88 g (1 mmol) X-22-161A5 gelöst. Danach wurden zu der resultierenden Lösung bei unter 5°C portionsweise 4,10 g (10 mmol) Ethylenglycolbistrimellithatdianhydrid hinzugefügt, und anschließend wurde 2 Stunden lang umgesetzt. Zu dem Reaktionsgemisch wurden 15 g Xylol gegeben. Das resultierende Gemisch wurde 5 Stunden lang bei 180°C unter einem Stickstoffstrom umgesetzt, wobei kondensiertes Wasser zusammen mit Xylol azeotrop entfernt wurde, wodurch ein Polyimid synthetisiert wurde. Das Reaktionsgemisch, das das so synthetisierte Polyimid enthielt, wurde in Wasser gegossen, und der resultierende Niederschlag wurde gewonnen, pulverisiert und getrocknet, wodurch das Polyimid in Form eines Pulvers erhalten wurde.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,65 dl/g, ein Tg von 170°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 390°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,0 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,8 mm gefunden.
  • Unter Verwendung eines Firnis, der durch Auflösen von 100 g des Polyimidpulvers und 5 g γ-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan in 400 g DMF erhalten worden war, wurde eine Verbundfolie wie in Beispiel 13 erhalten. Die Verbundfolie hatte eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,3 kN/m. Außerdem wurden für die Klebstoffschichten ein Tg von 172°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,0 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,8 mm gefunden.
  • Ein Halbleitergehäuse des SOJ-Typs, das wie in Beispiel 13 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Beispiel 15
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 13, außer dass 3,28 g (8 mmol) BAPP, 0,40 g (2 mmol) Dodecamethylendiamin und 2,13 g (10 mmol) 4-Chlorformylbenzol- 1,2-dicarbonsäureanhydrid verwendet wurden, wurde ein Polyamidimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyamidimid wurden eine Viskositätszahl von 0,85 dl/g, ein Tg von 190°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 395°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,1 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,6 mm gefunden.
  • Ein Firnis, der durch Auflösen von 100 g des Polyamidimidpulvers und 10 g γ-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan in 400 g NMP erhalten worden war, wurde auf beide Flächen einer Polyimidfolie ("UPILEX S", Handelsname) aufgetragen. Der so aufgetragene Firnis wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 275°C getrocknet, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für die Verbundfolie wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,4 kN/m gefunden. Außerdem wurden für die Klebstoffschichten ein Tg von 191°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,1 Gew.-% und eine Austrittslänge von 0,2 mm gefunden.
  • Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 13 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung keine Risse.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Unter Verwendung eines DMF-Firnis des in Beispiel 6 erhaltenen Polyamids wurde eine Verbundfolie in ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten. Für die Haftfestigkeit der Folie auf einem Blech aus 42-Legierung wurde ein Wert von 1,60 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung Risse.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • In 20 g DMF wurden 2,11 g (8,5 mmol) DDS und 0,62 g (1,5 mmol) BAPP gelöst, und anschließend wurden 2,02 g (20 mmol) Triethylamin hinzugefügt. Unter Kühlen auf unter 5°C wurden zu dem resultierenden Gemisch portions weise 2,03 g (10 mmol) Isophthaloylchlorid hinzugefügt. Es wurde 5 Stunden lang bei unter 5°C umgesetzt. In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 wurde ein Polyamid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyamid wurden eine Viskositätszahl von 0,45 dl/g, ein Tg von 280°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 430°C, eine Wasserabsorptionsrate von 3,5 Gew.-% und eine Austrittslänge von 1,2 mm gefunden.
  • Ein Firnis des obigen Polyamids wurde auf eine "KAPTON"-Folie aufgetragen, die nach einer Alkalibehandlung einer Silan-Kupplungsbehandlung unterzogen worden war. Die so beschichtete Folie wurde 10 Minuten bei 100°C und dann 10 Minuten bei 250°C wärmebehandelt, wodurch man eine Verbundfolie erhielt. Für diese wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 1,5 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung Risse.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 4 wurde ein Polyimidpulver mit einer Viskositätszahl von 0,35 dl/g erhalten. Für das so erhaltene Polyimid wurden ein Tg von 275°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 410°C, eine Wasserabsorptionsrate von 0,6 Gew.-% und eine Austrittslänge von 3,4 mm gefunden.
  • Für die Verbundfolie, die nach den in Beispiel 4 beschriebenen Verfahren erhalten worden war, wurde eine Haftfestigkeit auf einem Blech aus 42-Legierung von 0,9 kN/m gefunden. Ein Halbleitergehäuse des SOJ-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung Risse.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • In ähnlicher Weise wie in Beispiel 1, außer dass stattdessen 4,10 g (10 mmol) Ethylenglycolbistrimellithatdianhydrid und 4,32 g (10 mmol) Bis[4-(3- aminophenoxy)phenyl]sulfon verwendet wurden, wurde ein Polyimid in Form eines Pulvers erhalten.
  • Für das so erhaltene Polyimid wurden eine Viskositätszahl von 0,44 dl/g, ein Tg von 187°C, eine Temperatur der thermischen Zersetzung von 465°C, eine Wasserabsorptionsrate von 1,1 Gew.-% und eine Austrittslänge von 2,2 mm gefunden.
  • Ein Halbleitergehäuse des TSOP-Typs, das wie in Beispiel 1 erhalten wurde, entwickelte beim Verlöten nach der Feuchtbehandlung Risse.
  • Diese Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
    Figure 00350001
    Figure 00360001
    Figure 00370001
    Figure 00380001
    • IP
    Isophthalsäure
    TA
    Trimellithsäureanhydrid
    "LP-7100"
    Siloxyamin; Handelsname; Produkt der Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    IPDDM
    4,4'-Diamino-3,3',5,5'-tetraisopropyldiphenylmethan
    DDS
    4,4'-Diaminodiphenylsulfon
    BTDA
    3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid
    BAPP
    2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan
    DSDA
    Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydrid
    "161AS"
    "X-22-161AS": Siloxyamin; Handelsname; Produkt der Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    p-APPS
    Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfon
    m-APPS
    Bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfon
    EBTA
    Ethylenglycolbistrimellithatdianhydrid
    DDMA
    Dodecamethylendiamin
    γ-GPTM
    γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan
    γ-GPME
    γ-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan

Claims (5)

  1. Wärmebeständiger Kleber, der für die Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen mit dem Kleber und Formpressen wenigstens des Halbleiterchips und eines geklebten Teils zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse geeignet ist, wobei der Kleber eine Austrittslänge von nicht mehr als 2 mm und eine Wasserabsorptionsrate von nicht mehr als 3 Gew.-% hat, wobei der Ausdruck "Austrittslänge" die Länge eines ausgetretenen peripheren Teils eines 19 × 50 mm großen Klebstofffilms von 25 μm Dicke bedeutet, wenn man sie an einem zentralen Teil in Richtung der längeren Oberflächen des Klebstofffilms misst, wenn der Klebstofffilm eine Minute lang bei 350°C unter 3 MPa gepresst wird.
  2. Wärmebeständiger Kleber gemäß Anspruch 1, wobei der Kleber eine Glasübergangstemperatur von wenigstens 200°C hat.
  3. Klebeelement für die Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Kleben eines Halbleiterchips auf einen Leiterrahmen mit dem Klebeelement Formpressen wenigstens des Halbleiterchips und eines geklebten Teils zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterrahmen mit einer Formmasse, wobei das Klebeelement eine Klebstoff-Verbundplatte ist, die eine wärmebeständige Folie und einen wärmebeständigen Kleber gemäß Anspruch 1 oder 2, der in Form einer Beschichtungsschicht auf jede Hauptfläche der wärmebeständigen Folie aufgetragen ist, umfasst.
  4. Klebeelement gemäß Anspruch 3, wobei die wärmebeständigen Kleber, die in Form der Beschichtungsschicht auf jede Hauptfläche der wärmebeständigen Folie aufgetragen sind, verschieden sind.
  5. Klebeelement gemäß Anspruch 3, wobei die wärmebeständigen Kleber, die in Form der Beschichtungsschicht auf jede Hauptfläche der wärmebeständigen Folie aufgetragen sind, gleich sind.
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