DE69327636T2

DE69327636T2 - Verfahren und Gerät zum Entwurf des Layouts von integrierten Millimeterwellen oder Mikrowellenschaltungen

Info

Publication number: DE69327636T2
Application number: DE69327636T
Authority: DE
Inventors: Yashinobu Sasaki; Noriyuki Tanino
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-11-26
Filing date: 1993-10-07
Publication date: 2000-07-06
Anticipated expiration: 2013-10-08
Also published as: DE69327636D1; JPH06163698A; EP0599469B1; US5905654A; EP0599469A3; EP0599469A2; JP2898493B2

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Daten, welche einen Satz an Maskenmustern für die Benutzung in der Herstellung eines Millimeterwellen-Halbleiterschaltungs-IC (hiernach als Milliwellen-IC bezeichnet) oder einer integrierten Microwellen-Halbleiterschaltung (hiernach als Mikrowellen IC bezeichnet) definieren. Die vorliegende Erfindung betrifft ebenso Produktionsverfahren eines Masken- oder Retikelsatzes und Verfahren zur Produktion solcher integrierten Schaltungen.
Bisher wurde die Schaltungsentwicklung eines Milliwellen- oder Mikrowellen-IC's unter Verwendung eines computerunterstützten Entwurfs-Systems (CAD) wie folgt ausgeführt: Speichern der zum Fertigen eines gewünschten IC's benötigten Schaltungselementdaten in einer Datenbank, Bestimmen eines Randes zum Ausrichten auf der Basis der Maskenausrichtungs-Genauigkeit und einer Verarbeitungsgenauigkeit in einem Transskriptionsschritt eines IC-Produktionsprozesses als eine Designregel, welche eines Datenformat zur Produktion eines spezifischen Maskenmusters (zum Beispiel das CALMA GDSII Format) verwendet, und Produzieren der Daten für jedes Maskenmuster, entsprechend jeden Transskriptionsschritt mit manueller Operation durch einen Schaltungsdesigner auf der Basis einer jeden entsprechenden Designregel. Hierbei ist das Maskenmuster ein Muster, das mit jedem Transskriptionsschritt korrespondiert, welcher auf eine im IC-Produktionsprozeß eingesetzte Maske oder ein Retikel gezogen wird.
Dennoch sind die Maskenmusterdaten so oft erforderlich, wie dort Transskriptionsprozesse im IC-Produktionsprozess sind. Da der Schaltungsentwickler, wie oben beschrieben, ein Maskenmuster für jeden Transcriptionsschritt in anbetracht jeder Designregel in dem Prozeß produzieren muß, wird hohes Können zur Eingabe und Bearbeitung der Daten in Produktion jeden Maskenmusters benötigt, und weiter muß jedes Maskenmuster modifiziert werden, so oft wie der IC- Produktionsprozeß verändert wird, wobei derartige Arbeit viel Aufwand und Zeit erfordert.
Vor einiger Zeit wurde dann ein Verfahren zum Reduzieren der Dateneingabearbeit bei Handarbeit untersucht, nämlich ein Verfahren zum Entwurfsdesign eines monolythischen Mikrowellen-ICs (hiernach MMIC bezeichnet) durch ein CAD-System unter Verwendung einer auf dem Markt befindlichen Software (z. B. Academy von Eesof, MDS von HP, Microwave Musician von Cadence, Serenade von Compact Software), welche automatisch ein Maskenmuster von jedem Schaltelement aus einem Schaltplan des zu entwerfenden ICs erzeugen können. Fig. 18 zeigt einen Datenflußplan dieses Verfahrens des Entwurfs-Designs.
In diesem Entwurfsdesignverfahren wird als erstes ein Maskenmuster jedes Schaltelementes eines zu entwickelnden MMIC automatisch auf einer Kathodenstrahlröhren-Anzeige (CRT) erzeugt, wie in diesem Datenflußplan dargestellt; und die automatisch erzeugten Maskenmuster der entsprechenden Bauteile werden miteinander verbunden, zum Erhalt eines Diagrams eines Maskenmusters des ganzen MMICs. Dann werden die Maskenmuster für den Verbindungsteil entsprechend zu den Verbindungsverfahren zwischen den zu verbindenden Bauteilen eingegeben und das Maskenmuster des ganzen MMICs wird beispielsweise durch Platzlassen zwischen den Maskenmustern des entsprechenden in den entsprechenden Transkriptionsschritten erzeugten Schaltelementes bearbeitet, gemäß den Designregeln des Produktionsprozesses. Elektrische Parameter werden nach Bearbeitung von den Maskenmustern des gesamten MMIC extrahiert und die Schaltungssimulation wird ausgeführt. Wenn die gewünschten elekt rischen Charakteristika erhalten werden, ist die Operation zu Ende. Wenn die elektrischen Eigenschaften nicht erhalten werden, wird der Entwurf des Maskenmusters des gesamten MMIC's durch Verändern der Größe und Konfiguration der Maskenmuster für den Verbindungsteil und nochmaliges Bearbeiten des Maskenmusters des ganzen MMIC optimiert.
Im oben beschriebenen Ablauf werden hierbei, nach Produzieren des Diagrams des Maskenmusters des ganzen MMIC, die Maskenmuster für den Verbindungsteil eingegeben, gemäß den Verbindungsverfahren zwischen den entsprechenden zu verbindenden Schaltungselementen, weil die zur Verbindung verwendeten Leitungsebenen, die Anschlüsse haben, unterschiedlich sind. Bei jedem Bauelement, z. B. FET, MIM- Kondensator, und Luftbrücke des MMIC sind die Verbindungsverfahren gemäß den Arten der zu verbindenden Bauelemente unterschiedlich. Nach Eingabe der Maskenmuster für den Verbindungsteil werden die elektrischen Parameter extrahiert und eine Schaltungssimulation wird ausgeführt, weil es notwendig ist die elektrischen Parameter des gesamten ICs in anbetracht der Maskenmuster für den Anschlußteil einzustellen, da die Größe und die Konfiguration des Anschlußteils zwischen den Schaltungselementen die elektrischen Charakteristiken wie Reflexion, Verluste und Phase in dem Milliwellen-IC oder Mikrowellen-IC beeinflußt.
Das bisherige Verfahren zum Design-Entwurf des MMIC's beinhält die obenbeschriebenen Schritte. Daher beinhalten die Daten des automatischen generierten Maskenmusters für jedes Schaltungselement einen Musterteil, der auf den Designregeln des Produktionsprozesses basiert, das heißt elektrisch bedeutungsloses Daten. Um die elektrischen Parameter zu extrahieren und die Schaltungssimulation auszuführen, ist ein Speicher von großer Kapazität über 10MB erforderlich. Als ein Ergebnis ist daher nicht nur die Entwurfseinheit (CAD-System) selbst teuerer, sondern auch dessen Ausführungsgeschwindigkeit langsamer, was die Zeiten zum Optimieren des Entwurfs verlängert. Speziell, wenn eine Änderung im Produktionsprozeß erforderlich ist, muß das neue Maskenmuster auf der Basis der Designregel, welche durch den geänderten Produktionsprozeß definiert ist, produziert und eingegeben werden, und nach Bearbeiten des Maskenmusters des gesamten MMIC's müssen die elektrischen Parameter extrahiert und die Schaltungssimulation muß wiederholt ausgeführt werden, welches die Zeiten zum Optimieren des Entwurfs noch nachteiliger verlängert.
Es ist erforderlich, so oft die Maskenmuster von den entsprechenden Bauteilen herzustellen, wie Transskriptionsschritte zum Ausformen der entsprechenden Bauteile in dem IC-Produktionsprozeß notwendig sind. Wenn zusätzlich der IC-Produktionsprozeß, wie oben erwähnt, verändert wird, muß das neue Maskenmuster in jedem veränderten Transskriptionsschritt geformt werden, was in hohen Kosten in Entwicklung und Wartung des CAD-Programms resultiert.
In dem bisherigen CAD-System wird der Anschlußkontakt des Maskenmusters des Schaltelementes durch einen Punkt definiert und die Schaltelemente werden elektrisch durch Punkte verbunden. Wenn von daher zum Beispiel ein Mittelpunkt einer Leitungsbreite einer Mikrostreifenleitung (Maskenmuster für eine Mikrostreifenleitung) als ein Verbindungspunkt bestimmt wird, wie in Fig. 19(a) dargestellt, können zwei Maskenmuster für eine Mikrostreifenleitung 2d und 2e, die sich verlängernd in die gleiche Richtung erstrecken und unterschiedliche Breiten haben, nicht glatt miteinander verbunden werden. Und, wie in Fig. 19 (b) gezeigt, beim senkrechten Verbinden zweier Maskenmuster für die Mikrostreifenleitung 2f und 2g überlappen sich die Maskenmuster in der Nähe des Verbindungspunktes gegenseitig, oder ein Freiraum ist nachteiligerweise in der Nähe des Verbindungspunktes geformt. Wenn ein derart unterbrochener Abschnitt vorliegt, wobei die Maskenmuster nicht glatt verbunden sind, wird eine Mikrowelle durch diesen Teil reflektiert oder der Strahlungsverlust erhöht. Im Ergebnis müssen die Maskenmuster auf der CRT-Anzeige geändert werden, welches eine beschwerliche Arbeit ist.
Die oben beschriebenen Probleme treten in dem Entwicklungsentwurf nicht nur bei dem Microwellen-IC, sondern auch bei dem Milliwellen-IC auf.
Das US-Patent 5 031 111 and ALTA FREQUENZY, Jan. 1989, Milano, Italien, Seiten 39-44 Giannini et al.. "CAD Facilities for GaAs milli-IC Mask Design and Generation" beschreiben ein automatisiertes Verfahren zum Design von integrierten Mikrowellen- und Milliwellen Schaltungen, in dem diese Gebrauch von einer Bibliothek von Mikrozellen- Schaltungsentwicklungen machen.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, welche in den Unteransprüchen definiert sind, schaffen ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Design des Entwurfs eines Milliwellen-IC oder eines Mikrowellen-IC, in welchem Daten zum Optimieren des Entwurfs mit minimaler Datenmenge gebildet werden können, welche für die elektrische Entwicklung des ICs notwendig sind und deren Verarbeitungsgeschwindigkeit beschleunigt ist, ohne einen teueren Speicher zu erfordern. Für einen Schaltungsentwickler wird auch die Bürde durch Vereinfachung der Entwicklungsarbeit reduziert.
In der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfassen die Daten zum Optimieren des Entwurfs des zu entwickelnden IC's nur die für die elektrische Entwicklung des zu entwickelnden IC's erforderten Daten, konsequenterweise wird der Speicherplatz der Daten, der zum Ausführen einer Schaltungssimulation zum Optimieren der elektrischen Charakteristika erfordert ist, relativ zu dem bisherigen Verfahren reduziert und die Verarbeitungsgeschwindigkeit der Schaltungssimulation wird reduziert. Weiter werden die Entwicklung des Entwurfs und die Generierung der Maskenmuster vollständig getrennt, wodurch es nicht notwendig ist die Arbeit zum Erhalten der Entwurfsdaten auszuführen, immer wenn der Produktionsprozeß geändert wird, unterschiedlich zu der gewöhnlichen Verfahren. Weiter wird die Entwurfsentwicklung ohne Abhängigkeit von dem IC-Produktions-Prozeß ausgeführt, und selbst wenn der IC-Produktionsprozess, d. h. eine Produktionsvorrichtung und Produktionsumgebungen geändert werden, ist ein Maskenmuster zur IC- Produktion augenblicklich produziert, in gemäß den Designregeln des geänderten IC-Produktionsprozesses.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

Fig. 1 ist ein Datenflußplan, der einen Entwicklungsprozeß in einem Verfahren zum Entwurfsdesign gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das eine Einheit zum Entwurfsdesign gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 3 ist ein Ersatzschaltbild, das ein Mikrowellen IC, welches durch die Einheit zum Entwurfsdesign entwickelt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung illustriert;
Fig. 4 ist eine Tabelle, die Zeichenobjekte zeigt, Schaltungselemente eines Mikrowellen-IC's und Verbindungsbeispiele von Zeichenobjekten repräsentierend, welche auf einer CRT-Anzeige der Einheit zur Schaltungsentwicklung von Fig. 2 dargestellt sind;
Fig. 5(a) und 5(b) sind Abbildungen, die entsprechend ein Verbindungsbeispiel von zwei Zeichenobjekten für Mikrostreifenleitungen abbilden, unterschiedliche Breiten haben, und ein Verbindungsbeispiel von zwei Zeichenobjekten für Mikrostreifenleiter miteinander in der senkrechten Richtung ausweiten, welche auf der CRT-Anzeige der Einheit zum Entwurfsdesign von Fig. 2 gezeigt sind;
Fig. 6 ist eine Darstellung, welche ein Entwurfsmuster eines virtuellen ICs illustriert, welches die Sammlung von Zeichenobjekten aufweist, die die Schaltungselemente des Mikrowellen-IC's repräsentieren, welche auf der CRT-Anzeige 16 der Einheit zur Schaltungsentwicklung aus Fig. 2 gezeigt ist;
Fig. 7 ist eine Darstellung, welche ein Maskenmuster zur Produktion eine ICs illustriert, welches durch logische Verknüpfung zwischen Zeichenobjekten von Entwurfsdaten des virtuellen ICs aus Fig. 6 erhalten ist;
Fig. 8(a) und 8(b) sind vergrößerte Ansichten, welche einen Verbindungsteil zwischen einem MIM-Kondensator und einer Mikrostreifenleitung in dem virtuellen IC aus Fig. 6 und dem Maskenmuster von Fig. 7 zeigen;
Fig. 9 ist ein Darstellung, welche ein Maskenmuster für einen Schritt der FET Ionen-Implantierung illustriert;
Fig. 10 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der FET ohmschen Kontakte illustriert;
Fig. 11 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens eines FET Gate-Anschlußes illustriert;
Fig. 12 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der unteren Elektroden des MIM- Kondensators illustriert;
Fig. 13 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der ersten Kontaktlöcher illustriert;
Fig. 14 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der oberen Elektroden des MIM- Kondensators und Anschlußmetallisierungen illustriert;
Fig. 15 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der zweiten Kontaktlöcher (zum Anschluß einer Luftbrückenmetallisierung und Anschlußmetallisierung) illustriert;
Fig. 16 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens der Luftbrückenmetallisierungen illustriert;
Fig. 17 ist eine Darstellung, die ein Maskenmuster für einen Schritt des Formens von Durchkontaktierungen illustriert;
Fig. 18 ist eine Darstellung, die einen Entwicklungsprozess in dem Verfahren nach zurückliegendem Stand der Technik der Schaltungsentwicklung zeigt; und
Fig. 19(a) und 19(b) sind Darstellungen, die entsprechend ein Anschlußbeispiel von zwei Maskenmustern für eine Mikrostreifenleitung, die unterschiedliche Breiten haben und ein Anschlußbeispiel von zwei Maskenmustern für eine Mikrostreifenleitung illustrieren, die sich senkrecht zueinander erstrecken, und welche auf einer CRT-Anzeige nach dem Stand der Technik der Schaltungsentwicklung gezeigt sind.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM:

Fig. 2 ist ein Blockdiagram, welche eine Hardware-Zusammenstellung eines CAD-Systems gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Dieses computerunterstützte Entwurfsdesignsystem weist eine Zentral- Verarbeitungseinheit 10 (CPU), ein Datenein- und Ausgabesystem 20 zum Speichern der für das Entwurfs-Design einer integrierten Schaltung erforderlichen Daten und Eingabe/Ausgabe-Daten, eine Bildanzeigeeinheit 30 zum Konvertieren der Daten von der CPU 10 in Bildinformation und Anzeigen derselben auf einer CRT- Anzeige, und eine Datendateispeichereinheit zum Speichern der in der CPU 10 erzeugten Datendatei auf,
Hierbei weist das Daten-Ein/Ausgabesystem 20 eine Eingabeeinheit 13 auf, welche eine Tastatur aufweist, eine Maus und Ähnliches zum Eingeben der Daten, Befehle und Entwicklungssignale oder Designsignale, die erforderlich sind, wenn ein Schaltungsdesigner einen Entwurf des ICs entwirft; eine Datenspeichereinheit 12, welche die Zeichnungsdaten zum Anzeigen des entsprechenden Bauelements des Mikrowellen-IC speichert, d. h. zusammengefaßte Bauelemente wie FET und MIM-Kondensator, und verteilte verlustlose Übertragungsleitungen wie Mikrostreifenleitungen mit auf der Ebene für jedes Element geschlossenen Zeichenobjekten auf der CRT-Anzeige 16, einen Drucker 14 zur Ausgabe der auf der Datenspeichereinheit 12 gespeicherten Daten oder des auf der CRT-Anzeige 16 dargestellten Bildes der Bildanzeigeeinheit 30 bei Erfordernis, und einen Hauptspeicher 11 zum Speichern der Steuerprogramme für die Eingabeeinheit 13, die Datenspeichereinheit 12, den Drucker 14 und dergleichen.
Die Zentral-Verarbeitungseinheit 10 weist Einrichtungen zum Steuern der Bildanzeige 10a zum Empfangen der Designsignale des Entwurfsdesigners auf, Dekodieren der Signale und Verändern der Größe, der Konfiguration und des Arrangements der auf der CRT-Anzeige 16 angezeigten Zeichenobjekten gemäß den Designsignalen, eine Einrichtung zum Produzieren einer Entwurfsdatendatei 10b eines virtuellen auf der CRT-Anzeige 16 durch die Bildanzeige-Steuereinrichtung 10a produzierten ICs, eine Einrichtung zum Ausführen einer Schaltungssimulation 10d des virtuellen auf der CRT-Anzeige 16 durch die Bildanzeige-Steuereinrichtung 10a produzierten ICs, und Einrichtungen zum Produzieren eines Maskenmusters 10c für die IC-Produktion durch logische Verknüpfung zwischen Zeichenobjekten der Entwurfsdaten des virtuellen ICs.
Die Bildanzeigeeinheit 30 weist eine Bilddatenkonvertierungsseinheit 15 zum Konvertieren der Daten von dem Eingabe/Ausgabe-System 20 und der CPU 10 in Bilddaten auf; und die CRT-Anzeige 16 zum Anzeigen der Bilder.
Eine in der Entwurfsdatendatei-Produktionseinrichtung produzierte Entwurfsdatendatei wird in der Datendateispeichereinrichtung 40 gespeichert, und Daten für logische Verknüpfungen, welche auf der Basis der Designregeln in dem wirklichen Produktionsprozeß zum Spezifizieren der logischen Verknüpfung in der Maskenmusterproduktionseinrichtung 10c produziert sind, werden in der Datenspeichereinheit 12 gespeichert.
Andererseits ist Fig. 3 ein Schaltplan, der das Mikrowellen-IC, dessen Darstellung durch dieses CAD-System entwickelt ist, illustriert.
In der Fig. 13 bezeichnet Bezugszeichen 2 eine Mikrostreifenleitung, bezeichnet Bezugszeichen 3 einen MIM-Kondensator, Bezugszeichen 6 eine Durchkontaktierung, Bezugszeichen 7 eine Anschlußfläche, und Bezugszeichen 8 einen FET.
Ein Prozeß der Schaltungsentwicklung des Mikrowellen- ICs aus Fig. 3 wird unter Bezugnahme auf den Datenflußplan in Fig. 1. beschrieben.
Erstens werden, während der Schaltplans des Mikrowellen-ICs von Fig. 3 betrachtet wird, wenn ein Designer Signale zum Spezifizieren der entsprechenden Schaltungselemente des Mikrowellen ICs von Fig. 3 und die Koordinaten naten-Daten zum Anzeigen der Schaltungselemente in einer vorbestimmten Abschnitt auf der CRT-Anzeige 16 von der Eingabe-Einheit 13 eingibt, die Zeichnungsdaten, die die Schaltungselemente repräsentieren, die entsprechend zu den Schaltungselementen des Mikrowellen-ICs korrespondieren, von den Zeichnungsdaten eingelesen, die eine Mehrzahl von Arten zusammengefaßter Schaltungselemente und verteilter verlustloser Leitungen spezifizieren, welche in der Datenspeichereinheit 12 gespeichert sind; und die Zeichendaten werden als ein Zeichenobjekt auf der CRT-Anzeige 16 der Bildanzeigeeinheit 30 (Schritt 1) angezeigt.
Fig. 4 ist eine Tabelle von Zeichenobjekten, die die Zeichnungsdaten der Schaltungselemente darstellen, welche in der Datenspeichereinheit 12 gespeichert sind, welche auf der CRT-Anzeige 16 dargestellt sind. Wie in dieser Figur gezeigt ist, ist das zusammengefaßte Schaltungselement wie Widerstand, FET, MIM-Kondensator, Durchkontaktierungsbohrung, Anschweißfläche und Luftbrücke mit einem auf der Ebene geschlossenen Zeichenobjekt angezeigt, welches ein Rechteck oder eine Kombination aus einem Rechteck und einem Kreis auf der CRT-Anzeige 16 aufweist. Hier repräsentieren die Konfigurationen und Dimensionen des entsprechenden Zeichnungsobjekts elektrische Daten der entsprechenden Schaltungselemente. Die Zeichenobjekte werden repräsentiert durch Vergrößern der tatsächlichen Dimensionen der Bauteile im selben Verhältnis, so daß die Wellenausbreitungsdistanz und Isolation zwischen den Bauteilen visuell überwacht werden kann. Angenommen wird als Beispiel eine Erklärung durch Nehmen eines MIM-Kondensators gegeben. Da die Kapazität des MIM-Kondensators in dem Schaltplan von Fig. 3 angegeben ist, wird die Fläche des Kondensators, der diese angegebene Kapazität hat, bestimmt, und der Kondensator wird durch ein der Fläche entsprechendes Rechteck repräsentiert. Da jedoch in diesem Stadium das Betrachtungsverhältnis des Rechtecks nicht bestimmt ist, wird der Kondensator durch ein Rechteck repräsentiert, so lange wie das Verhältnis nicht angegeben ist. Bei der verteilten verlustlosen Leitung, wie einer Mikrostreifenleitung, ist, da eine Leitungsimpedanz und eine elektrische Länge zu einem Zeitpunkt bei Entwicklung der Schaltungen bestimmt werden, die Leitungsbreite von der Leitungsimpedanz bestimmt und eine physikalische Länge wird von der elektrischen Länge bestimmt, die den Kondensator mit einem Zeichnungsobjekt repräsentiert, welches auf der Ebene geschlossen ist. Hier sind die entsprechenden Zeichnungsobjekte in Farbe auf der CRT-Anzeige kodiert. Weiter ist zur gleichen Zeit, wie in Fig. 4 gezeigt, ein rechteckiges Verbindungsteil auf dem Seitenteil des Schaltungselementes repräsentiert, welches einen Verbindungsrand zwischen den verschiedenen Schaltungselementen in dem tatsächlichen Produktionsprozeß zeigt. Dieser Verbindungsteil wird mit einem Rechteck schmaler als ein Zeichenobjekt repräsentiert, der das Schaltungselement spezifiziert. In der Fig. 4. werden ein Rechteck mit X und ein Rechteck mit Y mit unterschiedlichen Leiterebenen des Schaltelementes verbunden.
Zweitens, wenn der Designer die Designsignale (Verbindungsbefehle) von der Eingabeeinheit 13 auf Basis des Schaltplans des Mikrowellen IC aus Fig. 3 eingibt, dekodiert die Bildanzeigesteuereinrichtung 10a diese Designsignale, bewegt die Zeichnungsobjekte, die auf der CRT- Anzeige 16 entsprechend zu den Designsignalen, wie in den Verbindungsbeispielen von Fig. 4 gezeigt, dargestellt sind, überlappt die Ecken der entsprechenden zu verbindenden Zeichnungsobjekte und produziert ein virtuelles IC, das die Sammlungen der auf der Ebene geschlossenen Zeichnungsobjekte (Schritt S2) aufweist. Wenn es hier schwierig ist, die Schaltungselemente zu verbinden, da die Konfigurationen und die Dimensionen der Zeichnungsobjekte, die zusammengefaßte Schaltungselemente wie FET und MIM-Kondensator repräsentieren, nicht verändert sind, weil sie auf der Basis der elektrischen Daten der Schaltungselemente bestimmt sind, werden die Elemente durch Biegen des Zeichnungsobjektes, das die verteilte verlustlose Leitung, wie die Mikrostreifenleitung repräsentieren, verbunden. Wenn die Längen der Kanten der zu verbindenden Zeichnungsobjekte unterschiedlich sind, wie zum Beispiel in Fig. 5(a) gezeigt, wird die Verbindung von Zeichenobjekten, die zwei Mikrostreifenleitungen repräsentieren, welche sich in die gleiche Richtung erstrecken und unterschiedliche Leitungsbreiten zueinander haben, durch Anzeigen eines trapezförmigen Zeichenobjektes durchgeführt, das eine Mikrostreifenleitung 2c zwischen zwei Mikrostreifenleitungen 2d und 2e repräsentiert, die unterschiedliche Leitungsbreiten haben, und durch Verbinden dieser zwei Zeichenobjekte durch dieses trapezförmige Zeichenobjekt. Weiter wird, wie in Fig. 5(b) gezeigt, wird die Verbindung der Zeichenobjekte, die zwei Mikrostreifenleitungen repräsentieren, die sich senkrecht zueinander erstrecken, durch Anzeigen eines L-förmigen Zeichenobjektes, durchgeführt, das eine Mikrostreifenleitung, zwischen den Zeichenobjekten repräsentiert, die zwei Mikrostreifenleitungen 2f und 2g repräsentieren, welche senkrecht zueinander verlaufen und durch Verbinden dieser zwei Zeichenobjekte durch dieses L-förmige Zeichenobjekt.
Drittens, wenn der Schaltungsentwickler die Befehlssignale zum Ausführen der Schaltungssimulation von der Eingabeeinheit 13 eingibt, führt die Schaltungssimulations- Ausführungseinrichtung 10d eine Schaltungssimulation eines virtuellen ICs aus (Entwurfsmuster) (Schritt S3).
Als Nächstes, wenn der Designer die Designsignale zum Ändern der Dimensionen und der Konfiguration der Zeichnungsobjekte eingibt, die den Schaltungselementen entsprechen, die auf der CRT-Anzeige 16 angezeigt sind, gemäß den Simulationsergebnissen, die auf der CRT-Anzeige 16 angezeigt werden, so daß diese elektrischen Parameter des entsprechenden Schaltungselements, zum Beispiel, eine Leitungslänge der Mikrostreifenleitung, eine Kapazität des MIM-Kondensators und dergleichen, einen gewünschten Wert haben, dekodiert die Bildanzeigesteuereinrichtung 10a diese Designsignale, verändert die Dimensionen von jedem Zeichnungsobjekt entsprechend jedem Schaltungselement, gemäß den Designsignalen, und zeigt das geänderte virtuelle IC auf der CRT-Anzeige 16 erneut an (Schritt 4).
Wenn dann der Designer, der auf die CRT-Anzeige 16 blickt, dann Designsignale zum Ändern des Arrangements der Zeichenobjekte eingibt, die den zusammengefaßten Schaltungselementen entsprechen, so wie FET und Kondensator, und eine Art zum Biegen der Zeichnungsobjekte, die der verteilen verlustlosen Leitung, wie einer Mikrostreifenleitung von der Eingabe-Einheit 13, entsprechen, so daß die Fläche des Chips ein Minimum ist, und das Arrangement der Eingabe- und Ausgabeflächen zu der Spezifikation paßt, ohne grundlegend die Verbindungskonstitution des beim Schritt S4 erhaltenen ICs zu ändern, dekodiert die Bildanzeigesteuereinheit 10a die Designsignale und optimiert die Darstellung des virtuellen ICs (Schritt S5).
Als Nächstes, wenn der Designer die Befehlssignale zum Ausführen der Schaltungssimulation von der Eingabeeinheit 13 eingibt, teilt die Schaltungssimulations-Ausführungsvorrichtung die Zeichenobjekte von jedem Schaltungselement des virtuellen ICs in schmale Flecken, extrahiert die elektrischen Parameter durch Berechnen der elektromagnetischen Kopplung zwischen den Flecken auf der Basis der elektromagnetischen Feldanalyse-Theorie und führt eine Schaltungssimulation unter Verwendung der extrahierten Parameter (Schritte S6 und S7) aus. Wenn das Simulationsergebnis dann ein gewünschter Wert ist (Schritt S8), gibt der Designer die Befehle zum Produzieren einer Entwurfsdatendatei von der Eingabeeinheit 13 ein. Die Entwurfsdatendatei-Produktionseinrichtung 10b empfängt die Befehle, produziert eine Datendatei von den Darstellungsdaten des virtuellen ICs, dessen Darstellung optimiert wird, und speichert die produzierte Datendatei in der Datendateispeichereinheit 40. Wenn das Simulationsresultat nicht der gewünschte Wert ist, wer den die obenbeschriebenen Schritte S5 bis S7 wiederholt, und eine Entwurfsdatendatei wird zu der Zeit produziert, wenn das Simulationsresultat der gewünschte Wert ist (Schritt S9). Fig. 6 zeigt ein virtuelles IC, in welchem die Darstellung, welche auf der CRT-Anzeige 16 angezeigt, optimiert ist. In der Fig. 6 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie diejenigen von Fig. 3 die Zeichnungsobjekte, die mit den Schaltungselementen korrespondieren, die in Fig. 3 erklärt sind. Bezugszeichen 1 bezeichnet einen IC-Chip, Bezugszeichen 4 bezeichnet ein Zeichenobjekt, das einen Verbindungsteil der unteren Elektrode eines MIM- Kondensators repräsentiert, Bezugszeichen 5 bezeichnet ein Zeichnungsobjekt, das den Verbindungsteil die obere Elektrode eines MIM-Kondensators repräsentiert, Bezugszeichen 8 bezeichnet ein Zeichenobjekt, das einen FET repräsentiert und Bezugszeichen 9 bezeichnet ein Zeichenobjekt, das den Anschlußteil eines FET repräsentiert.
Hinzukommt, wenn der Designer die Befehle zum Produzieren eines Maskenmusters von der Eingabeeinheit 13 eingibt, empfängt dann die Maskenmusterproduktionseinrichtung 10c die Befehlssignale, liest die Entwurfsdaten zum Anzeigen des virtuellen ICs von Fig. 6 von der Datenspeichereinheit 40, liest Verarbeitungsdaten, die auf der Basis der Designregeln in dem tatsächlichen Produktionsprozeß produziert sind, d. h. eine Produktionsvorrichtung und Produktionsumgebungen, von der Datenspeichereinheit 12, führt logische Verknüpfungen zwischen den Zeichenobjekten der Entwurfsdaten auf der Basis der Verarbeitungsdaten durch, und erzeugt ein Maskenmuster für die IC-Produktion, wie in Fig. 7 gezeigt, auf der Anzeigeeinheit 16 (Schritte S10 und S11).
Hier enthält ein Produktionsprozeß eines Mikrowellen- ICs gemäß Fig. 3 einen Schritt der Ionen-Implantation eines FET-Teils, einen Schritt zum Formen eines FET-Teils ohmscher Elektroden, einen Schritt zum Formen einer FET-Teils Gate-Metallisierung, einen Schritt zum Formen der unteren Elektroden eines MIM Kondensators, einen Schritt zum Formen der ersten Kontaktlöcher, einen Schritt zum Formen der oberen Elektroden eines MIM Kondensators und einer Verdrahtungs-Metallisierung, einen Schritt zum Formen der zweiten Kontaktlöcher, einen Schritt zum Formen des Luftbrückenmetals, und einen Schritt zum Formen der Durchkontaktierungen. Die obenbeschriebene logische Verknüpfung zwischen den Zeichenobjekten wird korrespondierend zu diesen entsprechenden Schritten ausgeführt, durch Übergrößern der Zeichnungsobjekte, logischer UND/ODER-Verknüpfungen zwischen den Zeichnungsobjekten und dergleichen. Fig. 9 bis 17 zeigen Maskenmuster, die durch logische Verknüpfungen geformt sind in den entsprechenden Schritten und Fig. 7 zeigt ein Maskenmuster, das all diese Maskenmuster beinhaltet, die auf der CRT-Anzeige angezeigt werden.
Es folgt eine detaillierte Beschreibung der logischen Verknüpfung, wobei Verbindungsteile zwischen dem MIM- Kondensator und der Mikrostreifenleitung als Beispiel genommen werden.
Fig. 8(a) zeigt die Verbindungsteile zwischen dem MIM- Kondensator und der Mikrostreifenleitung der Entwurfsdaten, die von der Datenspeichereinheit 40 eingelesen wurden. Fig. 8(b) zeigt die Verbindungsteile zwischen dem MIM-Kondensator und der Mikrostreifenleitung in einem Maskenmuster zur IC-Produktion, die von den Darstellungsdaten erhalten wird. Wie in den Figuren gezeigt, wird ein Maskenmuster 3a der oberen Elektrode des MIM-Kondensators durch Kopieren des MIM-Kondensators, wie er ist, produziert. Ein Maskenmuster 3b der unteren Elektrode des MIM-Kondensators wird durch logische ODER-Verknüpfung zwischen dem MIM-Kondensator 3 und dem oberen Elektrodenverbindungsteils 4 des MIM- Kondensators produziert, und weiter durch Übergrößern des Resultates der ODER-Verknüpfung. Hier ist das Maß an Übergrößerung durch die oben beschriebene Designregel gesetzt.
Ein Maskenmuster 2a des Anschlußmetalls, das eine Mikrostreifenleitung auf der Seite der unteren Elektrode des MIM- Kondensators ist, wird durch logische UND-Verknüpfung zwischen dem Resultat der ODER-Verknüpfung zwischen dem unteren Elektrodenverbindungsteil 4 des MIM-Kondensator und der Mikrostreifenleitung 2 und einem komplementären Satz von Übergrößerung des MIM-Kondensators produziert. Ein Maskenmuster 4a des Kontaktloches, das die untere Elektrode des MIM-Kondensators und die Mikrostreifenleitung verbindet, wird durch UND-Verknüpfung zwischen dem Maskenmuster 2a des Anschlußmetalls und dem Maskenmuster 3b der unterer Elektrode des MIM-Kondensators unterer Elektrode produziert, und weiter durch Untergrößern des Resultates dieser UND- Verknüpfung. Ähnlich werden die folgenden Maskenmuster durch logische Verknüpfung zwischen den Zeichenobjekten produziert: ein Maskenmuster 2b der Mikrostreifenleitung auf der Seite der oberen Elektrode des MIM-Kondensators, ein Maskenmuster 5a des Luftbrückenmetalls zum Verbinden der oberen Elektrode des MIM-Kondensators an die Mikrostreifenleitung 2, ein Maskenmuster 5b des Kontaktloches zum Verbinden des Luftbrückenmetals an die Mikrostreifenleitung 2, und ein Maskenmuster 5c eines Kontaktloches zum Verbinden des Luftbrückenmetalls an die obere Elektrode des MIM- Kondensators.
In einem derartigen Verfahren zum Design des Entwurfs gemäß der vorliegenden Erfindung, werden die Schaltungselemente des Milliwellen-ICs oder Mikrowellen-ICs auf der CRT- Anzeige 16 mit rechteckigen Zeichnungsobjekten angezeigt, wobei deren Fläche und Dimensionen elektrische Daten repräsentieren und das virtuelle IC wird durch Verbinden der Zeichnungsobjekte auf der CRT-Anzeige 16 produziert, wobei die Darstellung des virtuellen ICs so optimiert ist, daß dessen elektrische Charakteristiken zu denen des ICs, das zu entwickeln ist, gleich sein können und dessen Fläche minimal ist, und es wird ein Maskenmuster für IC-Produktion von den Darstellungsdaten des virtuellen ICs erhalten. Da her wird der Entwurf des ICs, das zu entwickeln ist, nur durch die Daten entwickelt, die zum elektrischen Design erforderlich sind; ein Speicher, welcher zum Ausführen der Simulation benötigt wird, wird im Vergleich zu dem konventionellen Verfahren reduziert; eine Einheit zum Entwurfsdesign wird mit niedrigen Kosten produziert; und die Verarbeitungsgeschwindigkeit einer Schaltungssimulation wird beschleunigt, die die Zeit zur Designarbeit reduziert. Da das Maskenmuster zur IC-Produktion durch logische Verknüpfung zwischen Zeichenobjekten und den Darstellungsdaten des virtuellen ICs unterschiedlich von dem konventionellem Verfahren produziert wird, ist es nicht nötig den Entwurf des Maskenmusters jedes Mal, wenn der Produktionsprozeß geändert wird, zu optimieren, wodurch die Designarbeit vereinfacht wird. Wenn die Zeichenobjekte, die den Schaltungselementen korrespondieren, auf der CRT-Anzeige angezeigt werden, werden die rechteckigen Zeichenobjekte, die die Verbindungsränder zwischen den Elementen in dem tatsächlichen Produktionsprozeß angeben, auf den Seitenteilen der entsprechenden Zeichenobjekte zur gleichen Zeit dargestellt. Daher werden durch Verändern der Dimensionen, der Konfiguration und des Arrangements der Zeichenobjekte die Elemente, die auseinander gehalten sind, nicht zu nahe aneinander gebracht, was die Designarbeit vereinfacht und die Designpräzision erhöht. Durch Verbinden der Zeichenobjekte, die die Schaltungselemente auf der CRT-Anzeige repräsentieren, wird das virtuelle IC so produziert daß die Verdrahtungsstruktur extrem eng zu der des wirklichen ICs sein kann, was die Präzision erhöht, da die Überlappung der Ecken des entsprechenden Zeichnungsobjekts als eine Regel vorgeschrieben ist. Da die elektromagnetische Kopplung zwischen den Bauelementen des virtuellen ICs auf der Basis der elektromagnetischen Feldanalysetheorie berechnet wird, und eine Schaltungssimulation ausgeführt wird, die die elektromagnetische Kopplung zwischen den Bauelementen berücksichtigt, wird der Entwurf des virtuellen ICs unter Berücksichtigung der Veränderung der elektrischen Charakteristika nach Verbinden der Schaltungselemente optimiert, was weiter die Designpräzision erhöht.
Obgleich in der obenbeschriebenen Ausführungsform die Zeichnungsobjekte, welche die Verbindungsteile repräsentieren, zu den Zeichenobjekten hinzugefügt werden, die den Schaltungselemente entsprechen, die auf der CRT-Anzeige zu erzeugen sind, wenn die Zeichnungsobjekte produziert werden, die den Schaltungselementen entsprechen, kann der Verbindungsteil als ein Segment eines Teils eines Zeichenobjektes repräsentiert werden, das zu dem Schaltungselement korrespondiert; und danach kann der Verbindungsteil als ein Zeichenobjekt durch logische Verknüpfung unter Verwendung des Zeichenobjekts, das zu dem Schaltungselement auf der CRT-Anzeige korrespondiert, repräsentiert werden, das auf der Ebene geschlossen ist. Zum Beispiel wird der Verbindungsteil 4 der unteren Elektrode des MIM- Kondensators, der in Fig. 8(a) illustriert ist, durch logische UND-Verknüpfung zwischen dem Übergrößern des MIM- Kondensators 3 und der Mikrostreifenleitung 2 produziert. Obgleich in der obenbeschriebenen Ausführungsform die Maskenmusterproduktionseinrichtung 10c in der selben Zentral- Verarbeitungseinheit 10 wie die andere Bild-Anzeige-Steuerungseinrichtung 10a; die Schaltungssimulations-Ausführungseinheit 10d und die Entwurfs-Datendatei-Produktionseinheit 10b untergebracht ist, kann die Maskenmuster- Produktionseinrichtung 10c in der Zentral-Steuereinheit eines anderen CAD-Systems untergebracht werden, und das virtuelle IC und das Maskenmuster zur IC-Produktion können entsprechend in dem anderen CAD-System produziert werden.
Es versteht sich, daß andere Formen von Anzeigeeinheiten anders als eine Kathodenstrahlröhre verwendet werden dürfen. Solche alternative Formen von Anzeigeeinheiten können zum Beispiel Flüssigkristallanzeigen einschließen.

Claims

1. Ein Verfahren zur Erzeugung von Daten, welche einen Satz von Maskenmustern (z. B. Fig. 9-17) zur Verwendung bei der Herstellung integrierter Millimeterwellen- oder Mikrowellen-Halbleiterschaltkreisen definieren, wobei das Verfahren durch die folgenden Systemschritte durchgeführt wird:

Auswählen (51), in Antwort auf empfangene Signale, von Zeichenobjektdaten aus Zeichenobjektdaten, welche in einer Datenspeichereinheit (12) gespeichert sind, wobei die gespeicherten Zeichenobjektdaten vereinfachte Zeichenobjekte (z. B. Fig. 4; Fig. 6 : 2-7) definieren, welche jeweils in einer zweidimensionalen Ebene eingeschlossen sind, wobei jedes ein entsprechendes aus verschiedenen aktiven Elementen (Fig. 3 : 2-7), anderen konzentrierten Schaltkreiselemente und verteilten konstanten Übertragungsleitungen vertritt, um integrierte Millimeterwellen- oder Mikrowellenschaltkreise zu bilden, wobei die Flächen und Abmessungen der vereinfachten Zeichenobjekte so definiert sind, daß sie den elektrischen Daten der jeweiligen konzentrierten Schaltkreiselemente und verteilten konstanten Übertragungsleitungen entsprechen, wobei die definierten Abmessungen proportional zu den jeweiligen tatsächlichen Abmessungen der entsprechenden konzentrierten Schaltkreiselemente und verteilten konstanten Übertragungsleitungen sind;

Anzeigen (51), in Antwort auf die ausgewählten Zeichenobjektdaten, von vereinfachten Zeichenobjekten (2-9) auf einem Bildschirm (16) einer Anzeigeeinheit (30);

Definieren eines Schaltkreislayouts (1) durch Neupositionieren und Verbinden (52) der ausgewählten vereinfachten Zeichenobjekte (2-8), die auf dem Bildschirm dargestellt werden, in Antwort auf empfangene Signale, um so dem Schaltkreisdiagramm (z. B. Fig. 3) des integrierten Schaltkreises zu entsprechen, der herzustellen ist, wobei die verbundenen vereinfachten Zeichenobjekte hieraus an ihren jeweiligen Kanten übereinanderliegen;

Zugreifen (S10), in Antwort auf empfangene Signale, auf abgespeicherte Prozeßdaten, einschließlich Designregel- Informationsdaten für jeden der Prozesse, welche bei der Herstellung des integrierten Schaltkreises zu verwenden sind; und

Erzeugen (S11) der Daten, welche den Satz von Maskenmustern definieren, durch Durchführen logischer Abläufe an den verbundenen vereinfachten Zeichenobjekten unter Verwendung auf die zugegriffenen Prozeßdaten und die Daten, welche das definierte Schaltkreislayout definieren.

2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem zwischen den Schritten des Definierens des Schaltkreislayouts (S2) und des Zugreifens auf die abgespeicherten Prozeßdaten (S10), eine Schaltkreissimulation (S3, S7) für das definierte Schaltkreislayout durchgeführt wird und die Flächen und Abmessungen der vereinfachten Zeichenobjekte in Antwort auf die Simulation geändert werden (S5), um die gewünschten elektrischen Eigenschaften für den hergestellten integrierten Schaltkreis zu erhalten, so daß hierdurch das definierte Schaltkreislayout optimiert wird.

3. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem zwischen den Schritten des Definierens des Schaltkreislayouts (S2) und des Zugriffs auf die gespeicherten Prozeßdaten (S10) ein Schritt des Änderns (S5) der Anordnung der vereinfachten Zeichenobjekte, welche die konzentrierten Schaltkreiselemente und die Konfigurationen der vereinfachten Zeichenobjekte, welche die verteilten konstanten Übertragungsleitungen darstellen, vertreten, um die Fläche des Schaltkreislayouts auf dem Bildschirm der Anzeigeeinheit zu verringern, während die gewünschten elektrischen Eigenschaften des dargestellten Schaltkreises aufrechterhalten werden, wodurch das definierte Schaltkreislayout optimiert wird.

4. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die vereinfachten Zeichenobjekte, welche die konzentrierten Schaltkreiselemente darstellen, teilweise Verbindungssegmente haben, von denen jedes einem Überlappungsfehlerbereich zwischen miteinander verbundenen Schaltkreiselementen entspricht, um im Herstellungsprozeß Toleranzen zu ermöglichen.

5. Ein Verfahren nach Anspruch 3, abhängig vom Anspruch 2, mit

einem Schritt des Berechnens (56) der elektromagnetischen Ankopplung zwischen Schaltkreiselementen, welche durch die vereinfachten Zeichenobjekte vertreten werden und des Durchführens der Schaltkreissimulation für das definierte Schaltkreislayout auf der Grundlage dieser Berechnung; und

Durchführen des Schrittes des Änderns (55) der Anordnung der vereinfachten Zeichenobjekte, welche die konzentrierten Schaltkreiselemente darstellen und der Konfigurationen der vereinfachten Zeichenobjekte, welche die verteilten konstanten Übertragungsleitungen darstellen, in Antwort auf die Schaltkreissimulation.

6. Ein Verfahren zur Herstellung eines Satzes von Masken oder Zwischenmasken zur Verwendung in der Herstellung von integrierten Millimeterwellen- oder Mikrowellen-Halbleiterschaltkreisen, wobei das Verfahren durchgeführt wird durch:

Erzeugen (S1-S11) von Daten, welche einen Satz von Maskenmustern (z. B. Fig. 9-17) zur Verwendung in der Herstellung des integrierten Schaltkreises definieren durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5; und

Übertragen der jeweiligen Maskenmuster auf entsprechende Masken- oder Zwischenmaskenrohlinge unter Verwendung der erzeugten Daten, die durch das Verfahren erhalten wurden.

7. Ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Millimeterwellen- oder Mikrowellen-Halbleiterschaltkreises, wobei das Verfahren durchgeführt wird durch:

Herstellen eines Satzes von Masken oder Zwischenmasken durch das Verfahren nach Anspruch 6;

Verwenden des Satzes von Masken oder Zwischenmasken bei der Herstellung des integrierten Schaltkreises; und

Vervollständigen des Herstellungsvorganges.

8. Ein Verfahren nach Anspruch 7, bei dem:

der integriete Schaltkreis ein aktives Feldeffekttransistor-Element (FET), MIM-Kondensatoren und verteilte konstante Übertragungsleitungen aufweist; und

Maskenmuster-Definitionsdaten erzeugt werden und entsprechend gemusterte Masken oder Zwischenmasken hergestellt werden und für jeden der nachfolgenden Schritte verwendet werden, welche bei der Herstellung des integrierten Schaltkreises durchgeführt werden, nämlich:

ein Schritt der Ionenimplantation für eine FET-Definition;

ein Schritt des Ausbildens ohmscher FET-Elektroden;

ein Schritt des Ausbildens einer FET-Gate-Metallisierung;

ein Schritt des Ausbildens unterer MIM-Kondensatorelektroden;

ein Schritt des Ausbildens erster Kontaktlöcher;

ein Schritt des Ausbildens oberer MIM-Kondensatorelektroden und Übertragungsleitungs-Verdrahtungmetallisierungen;

ein Schritt des Ausbildens zweiter Kontaktlöcher;

ein Schritt des Ausbildens von Überbrückungsmetallisierungen; und

ein Schritt des Ausbildens von Durchgangsbohrungen.

9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit:

einer Datenspeichereinheit (12), in welcher Zeichenobjektdaten gespeichert sind, die vereinfachte Zeichenobjekte (2-8) definieren, welche jeweils in einer zweidimensionalen Ebene eingeschlossen sind und ein entsprechendes aus verschiedenen aktiven Elementen (8), anderen konzentrierten Schaltkreiselementen (3, 6, 7) und verteilten konstanten Übertragungsleitungen (2) darstellen, um integrierte Millimeterwellen- oder Mikrowellen-Schaltkreise zu bilden, wobei die Flächen und Abmessungen der vereinfachten Zeichenobjekte so definiert sind, daß sie elektrischen Daten der entsprechenden konzentrierten Schaltkreiselemente und verteilten konstanten Übertragungsleitungen entsprechen, wobei die definierten Abmessungen proportional zu den entsprechenden tatsächlichen Abmessungen der entsprechenden konzentrierten Schaltkreiselemente und verteilten konstanten Übertragungsleitungen sind;

einer Bildschirmanzeige-Steuereinheit (10), die dafür ausgelegt ist, (a) in Antwort auf empfangene Signale Zeichenobjektdaten aus den in der Datenspeichereinheit (12) gespeicherten Zeichenobjektdaten auszuwählen, wobei die ausgewählten Zeichenobjektdaten die Schaltkreiselemente des herzustellenden integrierten Schaltkreises vertreten, und um (b) die Anzeige der vereinfachten Zeichenobjekte, welche durch die ausgewählten Zeichenobjektdaten auf dem Bildschirm (16) der Anzeigeeinheit (30) dargestellt werden, zu steuern, einschließlich eines Neupositionierens der angezeigten Zeichenobjekte und des Verbindens der angezeigten Zeichenobjekte durch Überlagern entsprechender Kanten hiervon, um das Schaltkreislayout zu definieren; und

einer Erzeugungseinheit (2b) für Maskenmuster-Definitionsdaten, welche auf empfangene Signale anspricht und dafür ausgelegt ist, auf Prozeßdaten zuzugreifen, einschließlich Designregel-Informationsdaten für jeden der in der Herstellung des integrierten Schaltkreises verwendeten Prozesse und zum Erzeugen der Maskenmuster-Definitionsdaten durch Durchführen logischer Vorgänge an den verbundenen einfachen Zeichenobjekten unter Verwendung der erhaltenen Prozeßdaten und der Daten, welche das definierte Schaltkreislayout definieren.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, weiterhin mit der Anzeigeeinheit (30).