DE60034731T2 - Kompensationsstruktur für einen Verbindungsdraht beim Hochfrequenzbetrieb - Google Patents

Kompensationsstruktur für einen Verbindungsdraht beim Hochfrequenzbetrieb Download PDF

Info

Publication number
DE60034731T2
DE60034731T2 DE60034731T DE60034731T DE60034731T2 DE 60034731 T2 DE60034731 T2 DE 60034731T2 DE 60034731 T DE60034731 T DE 60034731T DE 60034731 T DE60034731 T DE 60034731T DE 60034731 T2 DE60034731 T2 DE 60034731T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wire
line
length
transmission line
adaptive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60034731T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60034731D1 (de
Inventor
Noyan Boston Kinayman
Nitin Bangalore-94 Jain
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Whitaker LLC
Original Assignee
Whitaker LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Whitaker LLC filed Critical Whitaker LLC
Publication of DE60034731D1 publication Critical patent/DE60034731D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60034731T2 publication Critical patent/DE60034731T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4801—Structure
    • H01L2224/48011—Length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1905—Shape
    • H01L2924/19051—Impedance matching structure [e.g. balun]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Die gegenwärtige Erfindung bezieht sich auf Verbindungsstrukturen zwischen einem Halbleiterplättchen oder einem monolithischen Mikrowellenschaltungs-(„MMIC")Chip; und einem Substrat.
  • Halbleiter für drahtlose Übertragungsanwendungen arbeiten bei Radiofrequenzen(„RF") und darüber. In dem Maße wie die Anwendungen für drahtlose Übertragungen zunehmen, steigt der Wunsch viele Frequenzbänder im verfügbaren Spektrum zu verwenden. Das Millimeter-Wellenspektrum ist vorhanden und für drahtlose Übertragungszwecke interessant. Das Millimeterspektrum stellt jedoch wegen der erhöhten Verzerrung und dem erhöhten Verlust von Millimeterfrequenzen bestimmte technische Herausforderungen. Außerdem gibt es bei höheren Frequenzen als Radiofrequenzen („RF"), die üblicherweise zur drahtlosen Übertragung verwendet werden, eine größere Empfindlichkeit gegenüber parasitären Effekten durch Geräte. Folglich kann man die typischen parasitären Effekte, die bei niedereren Frequenzen toleriert werden, bei Millimeterfrequenzen nicht ignorieren und dabei gleichzeitig ausreichende Leistung erreichen in den Anwendungen, in denen sie auftreten.
  • Einer der typischen parasitären Phänomene aller drahtlosen Übertragungssysteme, die Hochfrequenz-Halbleiter enthalten, ist der komplexe Widerstand, vor allem der induktive Widerstand des Verbindungsdrahtes. Der Verbindungsdraht ist typischerweise ein Golddraht oder -band, der mit Hilfe von Ultraschallenergie mit einem Halbleiterbauteil oder einem MMIC-Chip an einem Ende, und einem Verbindungskontakt am anderen Ende verbunden wird. Der Verbindungskontakt ist typischerweise eine leitende Kontaktstelle auf einem Substrat, beispielsweise ein Chip auf einer Leiterplatte, auf dem das Halbleiterplättchen oder der MMIC-Chip direkt befestigt ist. Bei dieser Art des Verbindens benutzt man üblicherweise einen Draht mit einer deutlichen induktiven Komponente bei Frequenzen im Millimeterwellenlängenbereich. Um den induktiven Widerstand des Verbindungsdrahtes an eine Resonanzbedingung anzupassen werden üblicherweise serielle diskrete Kondensatoren verwendet. Diskrete Kondensatoren sind jedoch groß und nehmen zu viel Platz auf dem Substrat ein, was im Widerspruch zu dem Ziel der Miniaturisierung steht. Zusätzlich machen die üblichen Fehlerabweichungen und Eigenstörungen des diskreten Kondensators ein präzises Abstimmen im Millimeterwellenbereich aus Fertigungssicht undurchführbar. Herstellungsbedingte Fehler in bestimmten Typen geeigneter Kondensatoren können auch die Gesamtleistung des Schaltungskreises herabsetzen und dadurch das Herstellverfahren kostspielig machen. Es besteht daher Bedarf an einem herstellbaren und kleinen Apparat zur Kompensation typischer parasitärer Effekte im Verbindungsdraht im Millimeterwellenlängenbereich.
  • US-A-5 717 249 beschreibt einen HF-Verstärkerschaltkreis für den Gebrauch in Funksystemen, in dem eine Vielzahl keramischer Substrate schichtartig aufeinander gesetzt sind und eine Vielschichtstruktur bilden. Am obersten Substrat wird ein Halbleiter-Chip mit einem FET oder Ähnlichem befestigt um eine HF-Anpassungsschaltung zu bilden. Letztere umfasst eine Verbindungsstruktur die für den Betrieb bei vorbestimmter Betriebsfrequenz abgestimmt ist. Diese Verbindungsstruktur umfasst einen Verbindungsdraht, der eine Drahtlänge und einen dazugehörigen Impedanzwert hat, und der an einem Ende mit einem Chip-Kontakt verbunden ist, und ein Anpasselement, umfassend eine hochohmige Übertragungsleitung, die mit dem anderen Ende des Verbindungsdrahtes und einem Substratkontakt verbunden ist.
  • Es ist ein Ziel der gegenwärtigen Erfindung die Frequenzleistung von Verbindungsdrähten im Millimeterfrequenzbereich zu verbessern. Ein weiteres Ziel ist die Bereitstellung einer kleinen und einfachen Kompensationsvorrichtung für einen Verbindungsdraht. Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung solch ein Gerät bereitzustellen, das zuverlässig, reproduzierbar und kostengünstig herstellbar ist.
  • Die Erfindung handelt von einer Methode des elektrischen Verbindens eines Plättchenkontaktes eines Halbleiterplättchens oder MMIC-Chips, der sich auf einem Substrat befindet, mit dem Substrat, wie in Anspruch 1 dargelegt.
  • Eine Herstellungsmethode für den kompensierten Verbindungsdraht umfasst die Schritte Aufstellen eines Vorhersagemodells für den Verbindungsdraht, und Berechnen einer elektrischen Länge einer Hohlleiterwellenlänge bei vorgewählter Betriebsfrequenz. Die Länge des Verbindungsdrahtes wird bestimmt und von der Länge der Hohlleiterwellenlänge subtrahiert um die elektrische Länge des Anpasselementes zu bestimmen. Die Methode gleicht ein Modell des Anpasselementes, das ein erstes und zweites Verbindungselement und eine Mäanderleitung umfasst, an die berechnete elektrische Länge des Anpasselementes an. Die Methode erfordert dann die Simulation des elektrischen Verhaltens des angeglichenen Anpasselementes, und dann Optimierung eines Frequenzgangs des Anpasselementes durch Variieren einer Länge der Mäanderleitung um zusammen mit dem Verbindungsdraht eine elektrische Länge im Wesentlichen gleich der halben Hohlleiterwellenlänge der vorgegebenen Betriebsfrequenz zu erhalten.
  • Es ist ein Merkmal der Erfindung, dass das Anpasselement eine Mäanderleitung für die Kompensation der Impedanz des Verbindungsdrahtes umfasst, um zusammen mit dem Verbindungsdraht und dem Verbindungselement eine gesamte elektrische Länge zu erhalten, die der halben Hohlleiterwellenlänge der Betriebsfrequenz entspricht.
  • Es ist ebenfalls ein Merkmal der Erfindung, dass das Anpasselement leicht und reproduzierbar mit konventionell gedruckter Übertragungsleitungstechnologie hergestellt werden kann.
  • Es ist ein Vorteil der gegenwärtigen Erfindung, dass ein Verbindungsdraht für die Verbindung im Millimeterwellenlängenbereich verwendet werden kann.
  • Es ist ein Vorteil der gegenwärtigen Erfindung, dass ein abgestimmter roter Verbindungsdraht zuverlässig herstellbar ist.
  • Es ist ein Vorteil der gegenwärtigen Erfindung dass ein abgestimmter Verbindungsdraht klein ist und sich gemäß dem Vorhersagemodell verhält.
  • Es ist ein weiterer Vorteil der gegenwärtigen Erfindung, dass ein kompensierter Verbindungsdraht kostengünstig hergestellt werden kann.
  • Zu den beiliegenden Zeichnungen:
  • 1 ist eine beispielhafte, vereinfachte Seitenansicht eines Verbindungsdrahtes, der eine elektrische Verbindung zwischen einem Halbleiterplättchen oder einem MMIC-Chip Kontaktpad, und einem Substrat-Kontaktpad herstellt.
  • 2 ist ein Schaltplan; der ein äquivalentes Ersatzschaltbild konzentrierter Elemente eines Verbindungdrahtes und der dazugehörigen parasitären Effekte darstellt.
  • 3 ist ein Diagramm welches den Vergleich von Einfügungsverlust (S12) und Reflektionsfaktor (S11) für eine Vollwellensimulation eines Verbindungsdrahtes im Vergleich zum äquivalenten konzentrierten Element des gleichen Verbindungdrahtes veranschaulicht.
  • 4 ist eine Skizze, die eine Ausführung gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung zeigt, mit einem Verbindungsdraht, der mit einem Anpasselement verbunden ist, wobei die gestrichelten Linien die Bezugsebenen darstellen.
  • 5 zeigt ein Diagramm, das den Einfügungsverlust und den Reflektionsfaktor einer Ausführung eines Anpasselementes gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung als Funktion der Betriebsfrequenz zeigt.
  • 6 stellt eine schematische Darstellung, des in dem Simulationsmodell verwendeten äquivalenten konzentrierten Elements des Verbindungsdrahtes und Anpasselementes, dar.
  • 7 zeigt ein Diagramm, das den Reflektionsfaktor des unkompensierten Verbindungsdrahtes im Vergleich zu drei unterschiedlich kompensierten Verbindungsdrähten als Funktion der Frequenz zeigt.
  • 8 zeigt ein Diagramm, das den Einfügungsverlust des unkompensierten Verbindungsdrahtes im Vergleich zu drei unterschiedlich kompensierten Verbindungsdrähten als Funktion der Frequenz zeigt.
  • 9 zeigt ein Diagramm, das den gemessenen Reflektionsfaktor der drei kompensierten Verbindungsdrähte mit unterschiedlichen Längen, gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung, im Vergleich zu Simulationsergebnissen zeigt.
  • 10 zeigt ein Diagramm, das den gemessenen Einfügungsverlust der drei kompensierten Verbindungsdrähte mit unterschiedlichen Längen, gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung, im Vergleich zu Simulationsergebnissen zeigt.
  • 11 ist ein Bild, das eine hergestellte kompensierte Verbindungsdrahtstruktur zeigt.
  • Mit Bezug auf 1 der Zeichnungen wird eine Seitenansicht eines typischen Verbindungsdrahtes oder Verbindungsbandes 1 gezeigt, wie er zwischen einer Platte 3 und einem Substrat 5 befestigt ist. Für die Zwecke dieser Offenbarung, wird der Ausdruck „Verbindungsdraht" für eine beliebige unkompensierte Verbindung zwischen zwei elektrischen Punkten benutzt. Die Enden des Verbindungsdrahtes 1 sind typischerweise an einem Plättchen- oder MMIC-Kontakt 6 und einem Substrat-Kontakt 7 unter Verwendung konventioneller Methoden zum Anbringen des Verbindungsdrahtes befestigt. Das Design einer Kompensationsstruktur für den Verbindungsdraht 1 beginnt mit dem Erstellen eines äquivalenten Modells für konzentrierte Elemente des Verbindungsdrahtes. Diese Aufstellung kann in vielen Wegen erfolgen, eingeschlossen auch unter Verwendung eines bereits erstellten Modells oder Verwendung eines Softwareprogramms, wie zum Beispiel ANSOFT'S „Maxwell" Softwareprogramm, das auf den Materialien und der Geometrie des betreffenden Verbindungsdrahtes basiert. 2 der Zeichnungen stellt ein äquivalentes Modell des konzentrierten Elementes des Verbindungsdrahtes bei hohen Frequenzen dar, bei denen der Verbindungsdraht als eine mit einem Widerstandsbauteil (RS) in Serie geschaltete Drosselspule (L) dargestellt wird. Andere typische, im Modell berücksichtigte, parasitäre Elemente sind zwei parallele Widerstands-Kondensatorschaltkreise (Rp1 & Cp1, Rp2 & Cp2) zwischen jedem Ende des Verbindungsdrahtes und dem Bezugspotenzial. Eine typische Länge eines Verbindungsdrahtes beträgt zum Beispiel ungefähr 470 Mikron. Werte konzentrierter Elemente, mit f als Betriebsfrequenz, sind für den Verbindungsdraht des Beispiels und mit Bezug auf 2 der Zeichnungen:
    Figure 00040001
  • Beachten Sie, dass während der Wert des Kondensators C in Parallelschaltung mit dem induktiven Widerstand L des Verbindungsdrahtes zu Null bestimmt wurde, er in dem ursprünglichen Modell der Vollständigkeit wegen berücksichtigt ist. 3 der Zeichnungen zeigt ein Diagramm, welches die Verifikation der Ergebnisse des äquivalenten Ersatzschaltbildes aus konzentrierten Elemente im Vergleich zu den Ergebnissen der Vollwellensimulation als eine Funktion der Frequenz zeigt, und dabei zeigt, dass das äquivalente Ersatzschatzbild aus konzentrierten Elementen nützliche Angaben für das Verhalten des Verbindungsdrahtes bei den interessierenden Frequenzen liefert. In der Figur steht die Bezeichnung M und S für die extrahierten konzentrierten Modellantworten und die Ergebnisse der Vollwellensimulation. Es muss darauf hingewiesen werden, dass es für die Lehren der gegenwärtigen Erfindung unwichtig ist, dass eine besondere Art an Verbindung oder Verbindungsdraht verwendet wird. Es ist nur wichtig, dass ein zuverlässiges und genaues, äquivalentes Ersatzschaltbild aus konzentrierten Elemente für den Verbindungsdraht, das Verbindungsband, oder andere ähnliche Strukturen bekannt ist. Es wird eine Betriebsfrequenz bestimmt, die auf der Frequenz oder dem Frequenzbereich der gewünschten Anwendung basiert. Die Betriebsfrequenz ist die Frequenz, bei der das elektrische Verhalten des Verbindungsdrahtes am optimalsten ist. Falls es sich um einen Frequenzbereich handelt, wird ein Frequenzwert, der in der Mitte des Bereichs liegt, als Betriebsfrequenz für den restlichen Entwurfsprozess der kompensierten Verbindung verwendet. Um die Komponentenwerte des konzentrierten Elementmodells zu ermitteln, bestimmt man die Streuparameter des Verbindungsdrahtes über einen breiten Frequenzbereich, der die Betriebsfrequenz mit einschließt. Streuparameter können mit dem ANSOFT'S „Maxwell" Computerprogramm erzeugt werden und werden als Datensatz in ein Simulationsprogramm, wie zum Beispiel die „Libra" Software der Firma HEWLETT PACKARD, importiert. Alternativ können die Streuparameter auch aus der direkten Messung des Verbindungsdrahtes selbst erhalten werden. Nachdem die Streuparameter erhalten wurden, wird das einfache konzentrierte Elementmodell des Verbindungsdrahtes in die „Libra" Software integriert und die Komponentenwerte mit einem Optimierungsalgorithmus extrahiert, der in der „Libra" Software mit enthalten ist, durch Vergleich der Modellantwort mit Streuparametern, die aus der Messung des Verbindungsdrahtes oder der „Maxwell" Software erhalten wurden.
  • Ein Anpasselement 13 wird ausgewählt um das äquivalente Ersatzschaltbild der konzentrierten Elemente des Modell-Verbindungsdrahtes bei der Betriebsfrequenz abzustimmen. Der Entwurfsprozess für das Anpasselement ist bestrebt eine Struktur hervorzubringen, bei der das gesamte Schaltungsbauteil ein Ansprechverhalten der Übertragungsleitung aufweist, dessen Länge der halben Hohlleiterwellenlänge bei der Betriebsfrequenz entspricht, wenn die Gesamtlänge des Anpasselementes mit der Länge des Verbindungsdrahtes kombiniert wird. Aus der klassischen Leitungstheorie ist bekannt, dass eine Halbwellen-Übertragungsleitung ihren Input-Widerstand an ihren Output überträgt (d. h. 50 Ohm). Folglich wird ein verteiltes äquivalentes Modell des Anpassungsstromkreis in die „Libra" Software integriert, so dass es mit dem Ersatzmodell der konzentrierten Elemente des Verbindungsdrahtes in Serie geschaltet ist. Das Anpasselement 13 umfasst gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung ein erstes Verbindungselement 8a, das eine Übertragungsleitung im rechten Winkel zu einer Mäanderleitung 9 am offenen Ende 16 der Mäanderleitung 9 umfasst. Die Mäanderleitung 9 umfasst eine erste Parallelleitung 10 der Übertragungsleitung, die durch ein erstes Abstandselement 12 mit einem ersten rechtwinkligen Dreieckselement 14a verbunden ist. Die erste Parallelleitung 10 grenzt an ein erstes rechtwinkliges Dreieckselement 14a, das an das Abstandselement 12 grenzt. Eine zweite Parallelleitung 11 der Übertragungsleitung ist mit dem anderen Ende des Abstandselementes 12 durch ein zweites rechtwinkliges Dreieckselement 14b verbunden. Wie die 4 und 6 der Zeichnungen zeigen, grenzt das Abstandselement 12 an das zweite rechtwinklige Dreieckselement 14b, welches an die zweite Parallelleitung 11 grenzt. Um das Anpasselement zu vervollständigen wird ein zweites Verbindungselement 8b mit der zweiten Parallelleitung 11 am offenen Ende 16 der Mäanderleitung 9 verbunden. Das „Libra" Modell für das beschriebene Anpasselement 13 umfasst einen seriellen Schaltkreis mit einer Übertragungsleitung, die das erste Verbindungselement 8a modelliert, eine T-Verbindung, die eine rechtwinklige Verbindung modelliert, eine Übertragungsleitung, die die erste Parallelleitung 10 modelliert, eine rechte Krümmung, die das erste rechtwinklige Dreieckselement 14a modelliert, eine Übertragungsleitung, die das Abstandselement 12 modelliert, eine linke Krümmung, die das zweite rechtwinklige Dreieckselement 14b modelliert, eine Übertragungsleitung, die die zweite Parallelleitung 11 modelliert, eine T-Verbindung die ein rechtwinkliges Verbindungsstück modelliert, und eine Übertragungsleitung, die das zweite Verbindungselement 8b modelliert. Um das Abstimmen des Anpasselementes 13 zu optimieren, können die Länge und Breite der zu dem Anpasselement 13 dazugehörenden Übertragungsleitungen variiert werden. Der Vollständigkeit halber ist die erste und zweite Parallelleitung 10 und 11 der Mäanderleitung 9 modellhaft als verbundene Übertragungsleitung dargestellt, und eine Lücke wird als offenes Ende 16 der Mäanderleitung 9 modellhaft dargestellt. Jeweilige Beschränkungen der veränderbaren Längen 10, 11 sind längenmäßig gleich und das erste und zweite Verbindungselement 8a, 8b sind längengleich. Um die Mäanderleitung herzustellen, müssen die erste und zweite Parallelleitung mit einem größeren oder gleichem Abstand wie einer Substrathöhe voneinander angeordnet sein um Kopplung zwischen den Elementen zu verhindern, was den Frequenzgang beeinträchtigen könnte. Die beste Art um dies zu überprüfen ist jedoch einen Schaltkreissimulator zu verwenden, weil die Kopplung von der elektrischen Breite der Leitungen und dem Abstand abhängt. In dem hier vorgestellten Fall sind die parallelen Teile der Mäanderleitung 100 Mikron voneinander getrennt, und vollständigkeitshalber wird die Mäanderleitung durch gekoppelte Leitungen im Schaltkreissimulator simuliert. Man beachte, dass an Stelle einer geraden Leitung eine Mäanderleitung verwendet wird um die erforderliche Fläche für die Anpassschaltung zu reduzieren.
  • Die Länge des Verbindungsdrahtes wird dann von der Hohlleiterwellenlänge der Betriebsfrequenz subtrahiert um eine ungefähre Länge für das Anpasselement 13 festzusetzen. Der Verbindungsdraht 1 dient als hochohmige Übertragungsleitung weil er dünn ist und in der Luft hängt. Folglich wird die Mäanderleitung 9 aus einer hochohmigen Übertragungsleitung gebildet, deren charakteristischer Widerstand bei der Betriebsfrequenz zu 100 Ohm ausgewählt wurde. In diesem Sinn stellt die Mäanderleitung aus Sicht der Übertragungsleitung eine natürliche Verlängerung des Verbindungsdrahtes dar. Aus einer anderen Sicht wird der Verbindungsdraht mit den Parametern L, RS, Cp1, Cp2, Rp1, und Rp2 (Siehe 2 und 6 der Zeichnungen) als ein kleines hochohmiges Segment einer Übertragungsleitung behandelt. Die Parameter des Anpasselementes 13 sind eingestellt, so dass die gesamte Länge des Verbindungsdrahtes und Anpasselementes 13 im Wesentlichen der halben Hohlleiterwellenlänge bei der Betriebsfrequenz entspricht. Deshalb verhält sich das gesamte kompensierte Verbindungsdrahtsystem wie ein Impedanzwandler für Halbwellen. Intuitiv kann man sagen, dass das Wirkungsprinzip darin besteht, den Resonanzpunkt, durch Einstellen bestimmter Parameter des Anpasselementes 13, zu der Betriebsfrequenz zu verschieben, wie man in 5 der Zeichnungen sehen kann. Demnach hat das Anpasselement 13 die folgenden veränderlichen Parameter: Länge des ersten und zweiten Verbindungselementes 8a, 8b, Breite des ersten und zweiten Verbindungselementes 8a, 8b, Länge der ersten und zweiten Parallelleitungen 10, 11 der Mäanderleitung 9, Breite der ersten und zweiten Parallelleitungen 10, 11 der Mäanderleitung, und Länge des Abstandselementes 12. Durch Verwendung der jeweiligen Beschränkungen und der Beschränkung, dass die Gesamtlänge des Anpasselementes 13 und des Verbindungsdrahtes gleich der halben Hohlleiterwellenlänge der Betriebsfrequenz ist, werden die individuellen Parameter variiert um einen überwiegend kapazitiven Impedanzwert zu erhalten, der die überwiegend induktive Impedanz des Verbindungsdrahtes, wie im Modell des Verbindungsdrahtes vorausgesagt, kompensiert. Die Parameter werden durch Verwendung eines Optimierungsalgorithmus oder manuell bei der Betriebsfrequenz variiert, bis der Einfügungsverlust bei der Betriebsfrequenz minimiert ist. Da es relativ wenig veränderliche Parameter gibt, findet ein Fachmann die Lösung durch manuelles Einstellen der Elemente in einem Schaltkreissimulator. Genau genommen kann es mehr als ein Satz möglicher Parameter geben.
  • In 6 der Zeichnungen, ist ein Modell eines kompensierten Verbindungsdrahtes gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung gezeigt. 7 und 8 zeigen den Vergleich des Reflektionsfaktors und des Einfügungsverlustes des unkompensierten Verbindungsdrahtes im Vergleich mit dem kompensierten Verbindungsdraht als eine Funktion von der Frequenz. Die Simulationsdaten zeigen, dass es gemäß den Lehren der gegenwärtigen Erfindung bei der Betriebsfrequenz eine verbesserte Impedanzanpassung im kompensierten Verbindungsdraht gibt. Der Vollständigkeit wegen zeigen die 9 und 10 der Zeichnungen den Vergleich der Messergebnisse des Reflektionsfaktors und Einfügungsverlustes für drei unterschiedliche Verbindungsdrähte, wodurch die starke Korrelation zu den Simulationsdaten und die stabile Reproduzierbarkeit der verfahrenstechnischen Auslegung sichtbar wird. Man beachte, dass der induktive Widerstand von 0,24 nH in etwa einer Verbindungsdrahtlänge von 470 μm (18,5 mil) der vorstehend diskutierten Konfiguration entspricht. Die geringfügige Abweichung zwischen den gemessenen und den simulierten Daten kann auf einer über- oder unterschätzten Verbindungsdrahtlänge beruhen, und mangelhafter Positionierung des Verbindungspunktes des Verbindungsdrahtes an der Seite des Anpasselementes.
  • 11 der Zeichnungen zeigt einen gemessenen Verbindungsdraht und Kompensationsschaltkreis. Man beachte, dass es sich bei dem im Bild gezeigten Verbindungsdraht um einen Verbindungsdraht handelt, der von einem Pad einer Mikrostreifenschaltung zu einem anderen Pad auf gleicher Ebene geht. Wie vorangehend angegeben, ist das Verfahren auf jede Art von Verbindungsdraht anwendbar, so weit das konzentrierte Modell verfügbar oder ermittelt ist.

Claims (10)

  1. Methode zum elektrischen Verbinden eines Plättchenkontaktes (6) eines Halbleiterplättchens oder eines MMIC Chips (3), das sich auf einem Substrat (5) befindet, mit dem Substrat, umfassend Verbinden des Plättchenkontaktes und des Substrates mit einer Verbindungsstruktur umfassend einen Verbindungsdraht (1), der mit dem Plättchenkontakt (6) verbunden ist, und der sich zu einem Substratkontakt (7) hin verlängert, wobei der Verbindungsdraht eine Drahtlänge und einen dazugehörigen Impedanzwert hat, und ein anpassendes Element (13), das mit dem Substratkontakt (7) gegenüber dem Verbindungsdraht (1) verbunden ist, und umfassend eine hochohmige Übertragungsleitung (8a, 8b, 9), die eine vorbestimmte Betriebsfrequenz auf die Verbindungsstruktur anwendet, charakterisiert durch Einstellen von Parameter des anpassenden Elementes (13), damit die gesamte elektrische Länge des Verbindungsdrahtes und des anpassenden Elementes (13) weitgehend der Hälfte einer geführten Wellenlänge bei der vorbestimmten Betriebsfrequenz entspricht.
  2. Methode nach Anspruch 1, worin das anpassende Element (13) ein erstes Verbindungselement (8a), eine Mäanderleitung (9) und ein zweites Verbindungselement (8b) umfasst, und der Schritt des Verbindens des anpassenden Elementes (13) das Verbinden einer ersten Parallelleitung (10) der Übertragungsleitung der Mäanderleitung (9) mit dem ersten Verbindungselement (8a) und Verbinden einer zweiten Parallelleitung (11) der Übertragungsleitung mit dieser ersten Parallelleitung (10) über ein Abstandselement (12) umfasst, das rechtwinklig mit der ersten und zweiten Parallelleitung der Übertragungsleitung verbunden ist.
  3. Methode nach Anspruch 2, worin das Abstandselement (12) eine Länge der Übertragungsleitung umfasst, die ein erstes und zweites Dreieckselement (14a, 14b) an jedem Ende umfasst, um mit jeder dieser ersten und dieser zweiten Parallelleitung (10, 11) der Übertragungsleitung zu verbinden.
  4. Methode nach Anspruch 2 oder 3, worin die Breite eines Abstandselementes (12) im Wesentlichen ähnlich der einer ersten und zweiten Parallelleitung (10, 11) der Übertragungsleitung ist.
  5. Methode nach Anspruch 2, 3 oder 4, worin eine zweite Mäanderleitung in Serie mit der ersten erwähnten Mäanderleitung (9) geschaltet ist.
  6. Methode nach irgendeinem der vorstehenden Patentansprüche 2 bis 5, umfassend den Schritt des Optimierens eines Frequenzgangs des anpassenden Elementes (13) durch Variieren der Breite der Mäanderleitung (9), um eine charakteristische Impedanz des anpassenden Elementes (13) an eine charakteristische Impedanz des Verbindungsdrahtes (1) anzupassen.
  7. Methode beansprucht in irgendeinem vorstehenden Anspruch 2 bis 6, worin diese erste und zweite Parallelleitungen (10, 11) im Wesentlichen die gleiche Länge haben.
  8. Methode beansprucht in irgendeinem vorstehenden Anspruch 2 bis 7, worin diese erste und zweite Verbindungselemente (8a, 8b) im Wesentlichen die gleiche Länge haben.
  9. Methode nach Anspruch 1, worin das anpassende Element (13) ein erstes und zweites Verbindungselement (8a, 8b) auf jeder Seite der Mäanderleitung (9) umfasst.
  10. Methode beansprucht in irgendeinem vorstehenden Anspruch, umfassend die folgenden Schritte: Aufstellen eines Vorhersagemodells für den Verbindungsdraht (1), Berechnen einer elektrischen Länge einer geführten Halbwellenlänge bei der vorbestimmten Betriebsfrequenz, Bestimmen der Länge des Verbindungsdrahtes (1), Subtrahieren der Länge des Verbindungsdrahtes von der geführten Halbwellenlänge aus, um zur elektrischen Länge des anpassenden Elementes (13) zu gelangen, Aufstellen eines Schaltungsmodells des anpassenden Elementes aus verteilten Elementen, umfassend erste und zweite Verbindungselemente (8a, 8b) und eine Mäanderleitung (9) gemäß der elektrischen Länge des anpassenden Elementes, die während des Subtraktionsschrittes ermittelt wurde, Simulieren des elektrischen Verhaltens des ermittelten anpassenden Elementes, und Optimieren eines Frequenzgangs des anpassenden Elementes durch Variieren einer Länge des anpassenden Elementes, um zusammen mit dem Verbindungsdraht (1) einen Frequenzgang der Übertragungsleitung zu erhalten, dessen elektrische Länge im Wesentlichen gleich der halben Hohlleiterwellenlänge der vorgegebenen Betriebsfrequenz ist.
DE60034731T 1999-03-30 2000-03-28 Kompensationsstruktur für einen Verbindungsdraht beim Hochfrequenzbetrieb Expired - Fee Related DE60034731T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/280,474 US6201454B1 (en) 1999-03-30 1999-03-30 Compensation structure for a bond wire at high frequency operation
US280474 1999-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60034731D1 DE60034731D1 (de) 2007-06-21
DE60034731T2 true DE60034731T2 (de) 2008-01-31

Family

ID=23073246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60034731T Expired - Fee Related DE60034731T2 (de) 1999-03-30 2000-03-28 Kompensationsstruktur für einen Verbindungsdraht beim Hochfrequenzbetrieb

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6201454B1 (de)
EP (1) EP1041632B1 (de)
JP (1) JP4388198B2 (de)
KR (1) KR100627208B1 (de)
DE (1) DE60034731T2 (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6294966B1 (en) 1999-12-31 2001-09-25 Hei, Inc. Interconnection device
US6646521B1 (en) * 2000-09-15 2003-11-11 Hei, Inc. Connection for conducting high frequency signal between a circuit and a discrete electric component
JP2005072031A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Renesas Technology Corp 高周波用半導体装置および通信用電子部品並びに無線通信システム
US7508898B2 (en) 2004-02-10 2009-03-24 Bitwave Semiconductor, Inc. Programmable radio transceiver
TWI373925B (en) * 2004-02-10 2012-10-01 Tridev Res L L C Tunable resonant circuit, tunable voltage controlled oscillator circuit, tunable low noise amplifier circuit and method of tuning a resonant circuit
US7187256B2 (en) * 2004-02-19 2007-03-06 Hittite Microwave Corporation RF package
US20080007365A1 (en) * 2006-06-15 2008-01-10 Jeff Venuti Continuous gain compensation and fast band selection in a multi-standard, multi-frequency synthesizer
US7672645B2 (en) * 2006-06-15 2010-03-02 Bitwave Semiconductor, Inc. Programmable transmitter architecture for non-constant and constant envelope modulation
US7548143B2 (en) * 2006-12-06 2009-06-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Microwave module having converter for improving transmission characteristics
WO2008111914A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-18 Nanyang Technological University An integrated circuit structure and a method of forming the same
US8872333B2 (en) * 2008-02-14 2014-10-28 Viasat, Inc. System and method for integrated waveguide packaging
US20090236701A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Nanyang Technological University Chip arrangement and a method of determining an inductivity compensation structure for compensating a bond wire inductivity in a chip arrangement
US8611821B2 (en) * 2009-04-28 2013-12-17 Broadcom Corporation Communication device that detects and adapts to the presence of other devices and methods for use therewith
US8032167B2 (en) 2009-05-07 2011-10-04 Broadcom Corporation Multimode control device for allocating resources to communication devices that use differing protocols and methods for use therewith
US8095162B2 (en) 2009-05-07 2012-01-10 Broadcom Corporation Control device for allocating resources to communication devices that use differing protocols and methods for use therewith
SG169255A1 (en) 2009-09-02 2011-03-30 Sony Corp An integrated circuit
JP5361934B2 (ja) 2011-04-19 2013-12-04 株式会社東芝 電力増幅器
CN102393863B (zh) * 2011-06-15 2013-06-12 西安电子科技大学 金丝键合线的阻抗匹配方法
US9679869B2 (en) * 2011-09-02 2017-06-13 Skyworks Solutions, Inc. Transmission line for high performance radio frequency applications
KR20190058711A (ko) 2012-06-14 2019-05-29 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 고조파 종단 회로를 포함하는 전력 증폭기 모듈 및 관련된 시스템, 장치, 및 방법
US10014276B2 (en) 2015-02-25 2018-07-03 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Compensation of bondwires in the microwave regime
CN113036377B (zh) * 2020-12-21 2021-09-28 安徽大学 一种射频微系统中金丝互连垂直补偿结构及其设计方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55102292A (en) * 1979-01-29 1980-08-05 Nippon Electric Co High frequency high output transistor amplifier
FR2550011B1 (fr) * 1983-07-29 1986-10-10 Thomson Csf Dispositif d'interconnexion entre les cellules d'un circuit integre hyperfrequences pre-implante
JPS61108161A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Matsushita Electronics Corp マイクロ波集積回路
JPS62120104A (ja) * 1985-11-20 1987-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｐｌｌ型変調器同期検出回路
JPH03195049A (ja) * 1989-12-25 1991-08-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5345205A (en) * 1990-04-05 1994-09-06 General Electric Company Compact high density interconnected microwave system
JP2643662B2 (ja) * 1991-07-08 1997-08-20 三菱電機株式会社 高出力電界効果トランジスタ増幅器
KR100197187B1 (ko) * 1995-04-05 1999-06-15 모리 가즈히로 고주파전력 증폭회로장치
US6008533A (en) * 1997-12-08 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Controlling impedances of an integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP4388198B2 (ja) 2009-12-24
EP1041632B1 (de) 2007-05-09
JP2000294731A (ja) 2000-10-20
US6201454B1 (en) 2001-03-13
KR20010006917A (ko) 2001-01-26
KR100627208B1 (ko) 2006-09-22
EP1041632A1 (de) 2000-10-04
DE60034731D1 (de) 2007-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60034731T2 (de) Kompensationsstruktur für einen Verbindungsdraht beim Hochfrequenzbetrieb
DE60300223T2 (de) System und Verfahren zur Verbindung von Hochfrequenzübertragungsleitungen
DE69723366T2 (de) Oberflächenmontierte Antenne und Kommunikationsgerät mit einer derartigen Antenne
DE60313930T2 (de) Vorrichtung zur kontaktlosen Datenübertragung
DE69403335T2 (de) TESTFüHLERVORRICHTUNG FüR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIT EINEM KONDENSATOR IM NEBENSCHLUSS
DE3850729T2 (de) Monolithischer integrierter Mikrowellenverstärker.
DE19781697B4 (de) Elektrisch leitfähige Kontakteinheit
DE60117080T2 (de) Antenne
DE102008040900B4 (de) Gestapelte IC-Struktur und Verfahren zum Bilden einer gestapelten IC-Struktur
DE69524673T2 (de) Dielektrisches Filter
DE69738340T2 (de) Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung
DE69617113T2 (de) Verbindungsvorrichtung mit gesteuertem Impedanzverhalten
DE112010000886B4 (de) Hochfrequenzmodul
DE2212735A1 (de) Signal-UEbertragungsleitung in Streifenleiterbauweise
DE69012732T2 (de) Durchgehende Verbindungen in Mehrschichtschaltungen.
DE4119551A1 (de) Verzoegerungsleitungsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE3616723A1 (de) Mikrowellenbaustein
DE60105725T2 (de) Wellenleiterkopplung
DE19907966C2 (de) Dielektrische Schaltung
DE112013004185B4 (de) Richtkoppler
DE60035553T2 (de) Hochfrequenzschaltungsplatte und seine Verbindungsstruktur
DE69217848T2 (de) Koaxialleiter/Mikrostreifenleitungsübergang
DE19853453A1 (de) Nicht-reziprokes Schaltungselement vom Substrattyp und damit ausgerüstete integrierte Schaltung
DE102007054621A1 (de) Hochfrequenzfilter mit elektromagnetisch gekoppelten Verzweigungsleitungen
DE60107506T2 (de) Vertikale verbindung zwischen einer koaxialleitung und einer rechteckigen koaxialleitung über zusammenpressbare mittelleiter

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee